CN1374757A - 一种表面声波基片和表面声波功能元件 - Google Patents
一种表面声波基片和表面声波功能元件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1374757A CN1374757A CN02106950A CN02106950A CN1374757A CN 1374757 A CN1374757 A CN 1374757A CN 02106950 A CN02106950 A CN 02106950A CN 02106950 A CN02106950 A CN 02106950A CN 1374757 A CN1374757 A CN 1374757A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- equal
- scope
- acoustic wave
- surface acoustic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 150
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims abstract description 91
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 41
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 41
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 41
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 57
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 claims description 38
- 230000005428 wave function Effects 0.000 claims description 32
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 9
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract 2
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- 230000006854 communication Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- XZWYZXLIPXDOLR-UHFFFAOYSA-N metformin Chemical compound CN(C)C(=N)NC(N)=N XZWYZXLIPXDOLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02559—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of lithium niobate or lithium-tantalate substrates
Abstract
本发明公开了一种表面声波基片,其包括:具有较大机电耦合系数的压电或电致伸缩基片;形成于基片上的薄膜,其具有相对于基片的温度变化而使其表面声波的频率发生变化的性能。所述基片是LiNbO3基片,其旋转Y板的切割角度在－10°到+30°的范围内,并可以传播压电泄漏表面波,所述压电泄漏表面波的传播速度比沿X轴方向或相对于X轴方向在±5°的范围内的瑞利型表面声波的传播速度快。H/λ的值在0.05到0.35的范围内,其中H是薄膜的薄膜厚度,λ是压电泄漏表面波的操作中心频率的波长。
Description
技术领域
本发明涉及一种表面声波基片，其具有可在旋转Y板(Y plate)的切割平面上沿X轴方向传播压电泄漏表面波的LiNbO3基片，和在切割平面上形成的SiO2薄膜等。更具体地说，本发明涉及一种表面声波基片和具有优良温度性能的表面声波功能元件。
背景技术
具有位于压电基片表面上的交叉指形电极的表面声波功能元件已广泛地用于电视机中频波段的过滤器、移动通信设备的过滤器等。表面声波功能元件具有可激励表面声波的电极和在具有压电功能的基片表面上接收表面声波的电极。
当在现有技术中将压电基片用作表面声波功能元件时，通常采用具有较大机电耦合系数k2的材料。然而，具有采用较大机电耦合系数k2的材料制成的基片的表面声波功能元件通常具有较差的温度性能，因而就存在缺乏温度稳定性的问题。
另一方面，采用单晶体压电基片如ST-切割石英、LST-切割石英等的表面声波功能元件具有优良的温度稳定性，但其机电耦合系数k2较小。因此，当将这种表面声波功能元件用作过滤器时，插入损耗变得较大。而且，这种表面声波功能元件不能用作具有较宽带宽的过滤器。
因此就提出了SiO2/LiNbO3基片和SiO2/LiTaO3基片，其采用了具有优良的温度稳定性和较大机电耦合系数k2的LiNbO3基片和LiTaO3基片，并在基片上分别沉积了具有较小线性膨胀系数和相对温度性能的SiO2薄膜。在Yamanouchi、Iwahashi和Shibayama在“波电子(Wave Electronics)”1979年12月第3卷上发表的“旋转Y-切割的LiTaO3和SiO2/LiTaO3结构中瑞利波和压电泄漏表面波的温度相关性(Temperature Dependence of Rayleigh Waves Piezoelectric LeakySurface Waves in Rotated Y-Cut LiTaO3 and SiO2/LiTaO3 Structures)”中，或Yamanouchi和Hayama在“IEEE声学和超声学学报(IEEETransactions on Sonics and Ultrasonics)”1984年1月第SU-31卷第1期上发表的“通过磁控管溅射技术制造的具有SiO2/128°Y-X LiNbO3结构的表面声波的特性(SAW Properties of SiO2/128°Y-X LiNbO3Structure Fabricated by Magnetron Sputtering Technique)”中讨论了这种SiO2/LiNbO3基片和SiO2/LiTaO3基片的有效性。这些基片采用常规的双向交叉指形电极，被推荐用作高稳定性的振荡器和过滤器。
然而，仍然需要具有比传统基片的机电耦合系数k2更高且具有优良温度稳定性的基片。
发明内容
鉴于现有技术中的这些缺点，研制出了本发明。因此，本发明的一个目的是提供一种表面声波基片，以及具有比现有技术中更高的机电耦合系数k2与优良的温度性能的表面声波功能元件。
根据本发明的第一方面，提供了一种表面声波基片，包括：
具有较大机电耦合系数的压电或电致伸缩基片；和
在基片上形成的薄膜，其具有相对于基片的温度变化而使其表面声波的频率发生变化的性能，
其中，所述基片是LiNbO3基片，其旋转Y板的切割角度在大于或等于-10°且小于或等于+30°的范围内，并可以传播压电泄漏表面波，此压电泄漏表面波的传播速度比沿X轴方向或相对于X轴方向在±5°的范围内的瑞利型表面声波的传播速度快，和
H/λ的值在0.05到0.35的范围内，其中H是薄膜的厚度，λ是压电泄漏表面波的操作中心频率的波长。
基片的旋转Y板的切割角度最好在大于或等于0°且小于或等于+20°的范围内，H/λ值最好在0.1到0.35的范围内。或者，基片的旋转Y板的切割角度最好在大于或等于+20°且小于或等于+30°的范围内，H/λ值最好在0.15到0.35的范围内。通过在上述范围内选择旋转Y板的切割角度和H/λ值，在25℃时测量的频率温度系数(TCF)为零或非常小。
在本发明的表面声波基片中，在25℃时测量的频率温度系数(TCF)在-30ppm/℃到+30ppm/℃范围内。另外，压电泄漏表面波的机电耦合系数k2最好大于或等于0.155，瑞利波分量的机电耦合系数kR 2最好小于或等于0.01。
通过在下列(1)到(5)中的任一范围内选择旋转Y板的切割角度和H/λ值，可以达到频率温度系数(TCF)和机电耦合系数k2的范围：
(1)基片的旋转Y板的切割角度在大于或等于-10°且小于或等于-5°的范围内，H/λ值在0.07到0.31的范围内；
(2)基片的旋转Y板的切割角度在大于或等于-5°且小于或等于+10°的范围内，H/λ值在0.115到0.31的范围内；
(3)基片的旋转Y板的切割角度在大于或等于+10°且小于或等于+15°的范围内，H/λ值在0.16到0.31的范围内；
(4)基片的旋转Y板的切割角度在大于或等于+15°且小于或等于+20°的范围内，H/λ值在0.2到0.31的范围内；
(5)基片的旋转Y板的切割角度在大于或等于+20°且小于或等于+30°的范围内，H/λ值在0.25到0.31的范围内。
根据本发明的第二方面，提供了一种具有上述表面声波基片的表面声波功能元件，所述元件包括：
激励或接收区域，其具有交叉指形电极，可用于激励或接收在基片表面和薄膜之间的界面处形成的压电泄漏表面波；和
传播区域，其具有可在基片和薄膜之间形成电短路的结构，或是在基片表面和薄膜之间的界面处形成的短路型栅格电极的结构。
根据本发明的第三方面，提供了一种具有基片的表面声波功能元件，所述基片包括：
具有较大机电耦合系数的压电或电致伸缩基片；和形成在基片上的薄膜，其具有相对于基片的温度变化而使其表面声波的频率发生变化的性能，
其中，所述基片是LiNbO3基片，其旋转Y板的切割角度在大于或等于-10°且小于或等于+30°的范围内，并可以传播压电泄漏表面波，此压电泄漏表面波的传播速度比沿X轴方向或相对于X轴方向在±5°的范围内的瑞利型表面声波的传播速度快，和
在激励或接收区域中H/λ的值在0到0.35的范围内，在传播区域中H/λ的值在0.05到0.35的范围内，其中H是薄膜的厚度，λ是表面波的操作中心频率的波长。
即使在这种情况下，激励或接收区域仍具有交叉指形电极，可用于激励或接收在基片表面和薄膜之间的界面处形成的压电泄漏表面波；传播区域可具有用于在基片和薄膜之间形成电短路的结构，或是在基片表面和薄膜之间的界面处形成的短路型栅格电极结构。由于具有上述结构，激励或接收区域内的机电耦合系数k2变大，传播区域的频率温度系数(TCF)变小。
另外，通过将激励或接收区域和传播区域中的H/λ设在优选范围内，可以得到一种表面声波功能元件，在激励或接收区域内其压电泄漏表面波的机电耦合系数k2大于或等于0.155，在传播区域内其频率温度系数(TCF)在25℃时测量的值在-30ppm/℃到+30ppm/℃的范围内。
在上述表面声波功能元件中，交叉指形电极最好由从Al、Cu、Ti、W、Mo、Cr、Au和Ag中选择的一种金属制成，或由两种或多种这些金属的混合物或合金制成，传播区域最好具有导电层，其由从Al、Cu、Ti、W、Mo、Cr、Au和Ag中选择的一种金属制成，或由两种或多种这些金属的混合物或合金制成，用作在基片和薄膜之间形成电短路的结构。
因此，通过将上述任何一种表面声波功能元件用作过滤器，可以得到较宽的带频特性和较低的插λ损耗。
附图说明
通过下文中对本发明优选实施例的详细介绍并结合附图，可以更完全地理解本发明。然而这些介绍并不对本发明构成限制，而只是用于说明和理解。
在图中：
图1是显示了根据本发明实施例的表面声波基片的结构的剖视图；
图2是显示了当旋转Y板的切割角度为+10°时H/λ值和频率温度系数(TCF)的关系的图；
图3是显示了当旋转Y板的切割角度在0°到+40°的范围内H/λ值和时压电泄漏表面波的机电耦合系数k2的关系的图；
图4是显示了当旋转Y板的切割角度为+10°时H/λ值和压电泄漏表面波的传播衰减的关系的图；
图5是显示了当旋转Y板的切割角度为0°时H/λ值和压电泄漏表面波的传播衰减的关系的图；
图6是显示了旋转Y板的切割角度为+5°时H/λ值和压电泄漏表面波的传播衰减的关系的图；
图7是显示了旋转Y板的切割角度为10°时H/λ值和传播速度的关系的图；
图8是显示了旋转Y板的切割角度在0°到+40°的范围内时H/λ值和瑞利波分量的机电耦合系数kR 2的关系的图；
图9是显示了旋转Y板的切割角度在-10°到+40°的范围内时H/λ值和压电泄漏表面波的频率温度系数(TCF)的分析结果的图；
图10显示了在传播距离为60λ、λ＝5μm(约400MHz)，在薄膜厚度内观测到第五个三次行程回波(TTE)以得到零温度系数的实验结果；和
图11是显示了根据本发明一个实施例的表面声波功能元件的透视图。
具体实施方式
下面将通过本发明的优选实施例并结合附图来详细讨论本发明。在下面的介绍中阐明了多处具体的细节，以便提供对本发明的全面的理解。然而对本领域的技术人员来说很明显，本发明可以在没有这些具体细节的情况下实施。另外，并没有详细显示已广为人知的结构，以免对本发明造成不必要的模糊。
图1是显示了根据本发明一个实施例的表面声波基片的结构的剖视图。
当用LiNbO3单晶体作为从X轴籽晶生成的各向异性的压电材料时，考虑这样的情况，Y轴为0°，以Y轴为基准在预定的旋转Y板的切割平面上，表面声波沿X轴方向或相对于X轴方向为±5°的范围内传播。
在Yamanouchi和Shibayama发表于“应用物理学报”1972年3月第43卷第3期第856到862页中的“LiNbO3中瑞利波和压电泄漏表面波的传播和放大(Propagation and Amplification of Rayleigh Wavesand Piezoelectric Leaky Surface Waves in LiNbO3)”一文中，报道了可在旋转Y-切割平面上沿X轴方向传播表面声波的LiNbO3基片的实验和分析。
在LiNbO3基片中，沿X轴方向传播的横波声波包括高速横波和低速横波。在上述文献中，速度比低速横波更低的波为瑞利波。在传统的过滤器等中采用的大多数表面声波是瑞利波。上述文献还报道了一种压电泄漏表面波，其速度高于瑞利波的速度，也高于低速横波的速度，但低于高速横波的速度。
由于在基片中发生辐射，压电泄漏表面波产生了传播衰减。在LiNbO3单晶体中，以单晶体r旋转Y板的Y-切割平面为0°，在具有从0°切割平面旋转到约41°的旋转角度的切割平面内，开路(OPEN)表面的传播衰减基本上变为零。另一方面，上述文献报道了当通过在LiNbO3基片上设置导电层使切割平面电短路时，对于旋转角度约为64°的切割平面来说，传播衰减变为零；但对于其它旋转角度的切割平面来说，传播衰减变大。
应注意的是，用语“传播衰减”是指由于在基片中压电泄漏表面波的一部分能量辐射掉，压电泄漏表面波在沿基片表面的传播过程中发生衰减。传播衰减是由每单位波长(λ)的波幅的衰减量(dB)来表示的，其单位为dB/λ。当旋转Y板的切割平面在-10°到+30°的范围内时，存在一个传播衰减大到0.8dB/λ的区域。在这个区域中，难以将其当作压电泄漏表面波基片使用。
而且，根据上述文献，对于切割角度在-10°到+30°的范围内的旋转Y板，在25℃时的频率温度系数(TCF)大到-80ppm/℃。
假定在25℃时表面声波的传播速度为v(m/s)，传播速度相对于温度变化的变化量为v/T，且线性膨胀系数为α，则频率温度系数(TCF)可以由{1/v·(v/T)-α}(1/℃)来表达。
因此，在图1所示实施例的表面声波基片中，在LiNbO3基片的表面设有一层SiO2薄膜，其具有相对于LiNbO3基片的温度变化而使其表面声波频率改变的性能。即，通过在气相沉积、溅射方法等在LiNbO3基片上沉积熔凝石英作为单晶体压电材料，形成薄的SiO2膜。
这里，“相对于LiNbO3基片的温度变化而使其表面声波频率改变的性能”是指当LiNbO3基片的温度升高时LiNbO3基片的操作中心频率变低，而当SiO2的温度升高时SiO2的操作中心频率变高。即，对于LiNbO3基片，当温度升高时，表面声波的传播速度变低，由此，由于线性膨胀系数为正，波长变长，导致了操作中心频率变低。另一方面，对于线性膨胀系数基本为零的SiO2，当温度升高时传播速度变高，因此波长变短，使得操作中心频率变大。
通过如上所述地在LiNbO3基片的切割平面上形成SiO2薄膜(其具有相对于LiNbO3基片的温度变化而使表面声波频率改变的性能)，可以使频率温度系数(TCF)为零或非常小(见图9)。注意到这个事实，研制出了本发明。同样应注意到，通过在LiNbO3基片和SiO2薄膜之间形成电短路，更具体地说，通过形成交叉指形电极3a和3b、一种电短路传播路径的结构或在基片与薄膜间界面处的短路型栅格电极4，如图11所示，可以减小传播衰减(见图4)
在这里，基片和薄膜间的电短路是指在基片和薄膜间形成具有均匀薄膜厚度和给定面积的导电层。或者，它的意思是指在基片和薄膜间形成交叉指形电极3a和3b或者短路型栅格电极4。
在本发明中，交叉指形电极是一种电极，其在与表面声波的传播方向(X轴方向)正交的方向上延伸的多个细长电极(条形电极)的各个端部交替地电连接。更具体地说，在激励或接收区域5中，交叉指形电极3a的各条形电极和交叉指形电极3b的各条形电极交替地设置，如图11所示。
另一方面，如图11所示，短路型栅格电极是一种电极，其在与表面声波的传播方向(X轴方向)正交的方向上延伸的多个细长电极(条形电极)的两端部相互短路。在图11所示的压电泄漏表面波功能元件中，通过位于传播区域内的短路型栅格电极4，4形成了反射器。
而且，通过选择旋转Y-切割平面的旋转角度和H/λ值(其中H是SiO2薄膜的薄膜厚度，λ是操作中心频率的波长)，可以将瑞利波的机电耦合系数kR 2设为零或接近于零的值(图8)，可以增大压电泄漏表面波的机电耦合系数k2(图3)。注意到这一事实，研制出了所示实施例。这种表面声波基片可以在激励很小瑞利波的同时增大压电泄漏表面波的激励，因此，它可以适用于具有较宽带宽特性和优良寄生特性的过滤器。
上述特性可以通过采用一种LiNbO3基片来得到，在此基片中，以旋转单晶体Y板的Y轴方向为0°切割平面，旋转Y板的旋转角度大于或等于-10°且小于或等于+30°，H/λ的值在0.05到0.35的范围内。最好，旋转Y板的旋转角度大于或等于0°且小于或等于+20°，H/λ的值在0.1到0.35的范围内。或者，当旋转Y板的旋转角度大于或等于+20°且小于或等于+30°时，H/λ值最好在0.15到0.35的范围内。在任何一种情况中，H/λ的上限值最好为0.31，以便使机电耦合系数k2较大，使瑞利波的机电耦合系数kR 2较低。
作为具体特性的一个示例，将讨论当旋转角度为+10°时的情况。如图9所示，当H/λ＝0时TCF变为-80ppm/℃，对于基片和薄膜间的界面形成电短路的短路界面(SHORT)以及对于基片和薄膜间的界面未形成电短路的开路界面(OPEN)来说，其传播衰减变为0.8dB/λ，如图4所示，因此无法得到良好的性能。另一方面，当H/λ＝0.2时，对于短路界面(SHORT)来说，TCF变为接近于0ppm/℃的值，如图9所示。而且，当H/λ＝0.2时，可以得到对于短路界面(SHORT)传播衰减基本为0dB/λ的压电泄漏表面波基片，如图4所示。
在这里，当在基片和薄膜间的界面处设置了用于激励或接收表面声波的交叉指形电极时，或者当在表面声波的传播路径上设置了短路型栅格电极时，其对应于短路界面(SHORT)的条件，因此在电极上传播的压电泄漏表面波的传播衰减为零或接近于零。
电极是由铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)、钨(W)、钼(Mo)、铬(Cr)、金(Au)或银(Ag)的金属膜形成，或者是由两种或多种上述金属的金属膜或合金形成。激励电极或接收电极最好由Al或Cu制成，位于传播区域的电极例如反射器最好由Al或Cu制成。当电极由Cu制成时，可以减小插入损耗。当电极由金属如Al和Ti的混合物制成时，在大功率时可以防止疲劳失效的发生。
对于LiNbO3的弹性常数、压电常数和介电常数，已经知道了由Smith等在“钽酸锂和铌酸锂的弹性常数和介电常数的温度相关性”，应用物理学报，1971年5月第42卷第6期第2219到2229页中测得的常数，以及由Warner等在“(3m)级晶体的弹性和压电常数的确定”，美国声学学会学报，1967年第42卷第6期第1223到1231页中测得的常数。关于温度特性，已经知道了由Smith等测量的常数(SiO2的常数和温度特性由M.J.Mcskimin测量，应用物理学报，1953年第24卷第988到997页)。用Smith和Warner测量的常数和Smith测量的温度特性常数(对于SiO2则用Mcskimin测量的常数)对LiNbO3进行了分析。由于有关LiNbO3的实验结果和Smith等测量的常数接近，下面将采用Smith测量的常数的计算结果和实验结果一起来讨论。
图2是显示了H/λ值和频率温度系数(TCF)的关系的图，图3是显示了H/λ值和压电泄漏表面波的机电耦合系数k2的关系的图，图4，5，6是显示了H/λ值和压电泄漏表面波的传播衰减的关系的图，图7是显示了H/λ值和表面声波传播速度的关系的图，图8是显示了H/λ值和传播速度低于压电泄漏表面波传播速度的瑞利波分量的机电耦合系数kR 2的关系的图。应注意的是，图2，4和7显示的是LiNbO3基片的旋转Y板的旋转角度为+10°的情况，图5显示的是旋转角度为0°的情况，图6显示的是旋转角度为+5°的情况，图3和8显示的是旋转角度在0°到40°的范围内每隔5°变化的情况。在任何一种情况中，表面声波的传播方向为X轴方向。
图2所示的实线和虚线的曲线表示了采用Smith的常数计算出的结果。当旋转Y板的旋转角度为10°时，对于基片表面在LiNbO3基片和SiO2薄膜间的界面处形成电短路的短路界面(SHORT)来说，在H/λ＝0.13时TCF为0ppm/℃；对于基片表面未形成短路的开路界面(OPEN)来说，在H/λ＝0.26处TCF也为0ppm/℃。当表面声波由位于LiNbO3基片和SiO2薄膜间的界面上的交叉指形电极所传送和接收时，来自中心频率的速度以“×”表示。由此，可以理解，交叉指形电极在操作中用作短路电极。此实验结果可以理解为和计算结果相符合。
从图2中可以看到，当旋转Y板的旋转角度为+10°且界面为短路时，频率温度系数(TCF)在H/λ＝0.13处为0。另一方面，当H/λ值处于大于或等于0.115且小于或等于0.31的范围内时，可以得到一种压电泄漏表面波的基片，其频率温度系数(TCF)在-30ppm/℃到+30ppm/℃的范围内。
如图3所示，当对于短路界面旋转角度为+10°且H/λ值为0.13时，即当频率温度系数(TCF)为0时，压电泄漏表面波的机电耦合系数k2大到0.24。另一方面，当H/λ值处于大于或等于0.115且小于或等于0.31的范围内时，k2可以大于或等于0.19。
图4显示了当旋转角度为+10°的传播衰减(衰变)。在短路界面(SHORT)的情况中，可以看到，传播衰减在λ＝0.13时非常接近于零，即使当H/λ值处于大于或等于0.115且小于或等于0.31的范围内时，传播衰减也很小。应注意的是，在开路界面的情况中，传播衰减在H/λ＝0.26处约为0.8dB/λ，而频率温度系数(TCF)为零。因此，传播衰减变得很大。
因此，在LiNbO3基片和SiO2薄膜间的界面处设置用于激励和接收的交叉指形电极、短路电极，或用于形成反射器的短路型栅格电极，从而使基片在LiNbO3基片和SiO2薄膜间的界面处形成电短路的情况中，通过将基片的旋转Y板的旋转角度设为+10°，以及将H/λ值设为大于或等于0.115且小于或等于0.31，可以得到一种表面声波功能元件如过滤器，其具有优良的频率温度系数和较大的机电耦合系数k2，传播衰减接近于零。另一方面，通过将H/λ值设为大于或等于0.15且小于或等于0.25，可以使机电耦合系数k2大于或等于0.215，传播衰减接近于零。
在短路界面(SHORT)的情况中，相对于H/λ变化的表面声波传播速度的宽度变化很小，如图7所示。因此，短路界面被视为实际有效的。在图7中，标记“×”代表由位于LiNbO3基片和SiO2薄膜间的界面处的交叉指形电极所激励的压电泄漏表面波的速度的实验性推导值。如可以理解的那样，对于短路界面(SHORT)来说，实验值和根据Smith等的常数计算出的结果近似。
另一方面，如图8所示，在旋转Y板的切割平面的旋转角度为+10°的情况中，当H/λ值在0.115到0.31的范围内时，瑞利波的机电耦合系数kR 2在+0.002到0的范围内。因此，可以得到具有较少寄生信号的表面声波。
图9是显示了在短路界面(SHORT)情况下H/λ值和压电泄漏表面波的频率温度系数(TCF)的分析结果，其中，在-10°到40°的范围内每旋转5°的旋转Y板的旋转角度作为参数。
如图9所示，在旋转角度为-10°到+15°的范围内，可以理解，对于短路界面，在H/λ值大于或等于0.05且小于或等于0.2时频率温度系数为零(TCF＝0ppm/℃)。在旋转角度为在-10°到+25°的范围内，可以理解，在H/λ值大于或等于0.05且小于或等于0.25时频率温度系数为零。另外，在旋转角度为在-10°到+30°的范围内，可以理解，在H/λ值大于或等于0.05且小于或等于0.35时频率温度系数为零。
如上述，可以理解，由于声波特性取决于SiO2薄膜的薄膜厚度H的变化，LiNbO3基片的旋转Y板的切割平面的最佳旋转角度也可以变化。因此，通过选择和结合最佳旋转角度和SiO2薄膜的薄膜厚度H，可以制造出所需的表面声波功能元件。
通过如上所述地在LiNbO3基片和SiO2薄膜间的界面处形成交叉指形电极、短路电极或短路型栅格电极，可以在基片和薄膜间的界面处形成电短路。在这种情况下，为得到处在大于或等于-30ppm/℃且小于或等于+30ppm/℃的范围内的频率温度系数(TCF)，基片的旋转Y板的旋转角度和H/λ值应满足下述关系，如图9所示：
(1)当旋转Y板的切割角度在大于或等于-10°且小于或等于-5°的范围内时，H/λ值在大于或等于0.07且小于或等于0.31的范围内；
(2)当旋转Y板的切割角度在大于或等于-5°且小于或等于+10°的范围内时，H/λ值在大于或等于0.115且小于或等于0.31的范围内；
(3)当旋转Y板的切割角度在大于或等于+10°且小于或等于+15°的范围内时，H/λ值在大于或等于0.16且小于或等于0.31的范围内；
(4)当旋转Y板的切割角度在大于或等于+15°且小于或等于+20°的范围内时，H/λ值在大于或等于0.2且小于或等于0.31的范围内；和
(5)当旋转Y板的切割角度在大于或等于+20°且小于或等于+30°的范围内时，H/λ值在大于或等于0.25且小于或等于0.31的范围内。
另外，当旋转角度在大于或等于0°且小于或等于+10°的范围内时，H/λ值的最佳范围为大于或等于0.115且小于或等于0.31。当旋转角度在大于或等于+5°且小于或等于+15°的范围内时，H/λ值的最佳范围为大于或等于0.16且小于或等于0.31。
图4，5和6显示了旋转角度为+10°、0°和+5°的情况。可以看到，对于短路界面来说使传播衰减接近零的条件并不取决于旋转Y板的旋转角度，而是取决于H/λ值。通过图4，5和6可以理解，在(1)、(2)、(3)、(4)和(5)所示的范围中，如果H/λ值大于或等于0.115，传播衰减减小；如果H/λ值大于或等于0.16，传播衰减接近零。因此，为使传播衰减接近零，即使在(1)和(2)中H/λ值也应大于或等于0.13，最好大于或等于0.15。
另一方面，如图8所示，当H/λ值在大于或等于0.16且小于或等于0.31的范围内时，瑞利波的机电耦合系数kR 2小于0.01，因此，基片很难激励瑞利波分量，并具有优良的寄生特性。图8显示了当旋转Y板的旋转角度变小时，使kR 2为零的H/λ值变大。因此，在条件(1)或(2)，或旋转角度在0°到+5°的范围内时，H/λ值应大于或等于0.15，最好大于或等于0.2。
另一方面，如图3所示，当旋转Y板的旋转角度大于或等于-10°且小于或等于+30°时，通过使H/λ值小于或等于0.31，可以使压电泄漏表面波的机电耦合系数k2大于或等于0.135。当旋转Y板的旋转角度小于或等于+20°时，通过使H/λ值小于或等于0.31，可以使压电泄漏表面波的机电耦合系数k2大于或等于0.155。当旋转Y板的旋转角度小于或等于+15°时，通过使H/λ值小于或等于0.31，可以使压电泄漏表面波的机电耦合系数k2大于或等于0.175。
另一方面，为了通过减小插入损耗以提高压电泄漏表面波的传播特性从而提高输出，最好应使机电耦合系数k2大于或等于0.215。为此，在上述条件(1)的情况中，H/λ值最好应大于或等于0.07且小于或等于0.25；在上述条件(2)的情况中，H/λ值最好应大于或等于0.115且小于或等于0.25；在上述条件(3)的情况中，H/λ值最好应大于或等于0.16且小于或等于0.23。
一般来说，表面声波在薄膜层如SiO2薄膜等中的传播衰减被视为比在作为单晶体压电材料的LiNbO3基片中的传播衰减更大。另一方面，在实施例中，通过将H/λ值设在上述范围内并考虑到频率温度系数(TCF)，SiO2薄膜的薄膜厚度H在波长大于或等于5μm(频率：800MHz)时小到1μm，使薄膜内的传播衰减变得非常小。如上述，薄膜的形成可以如现已在半导体制造技术中采用的那样，在高精度下形成高质量的薄膜。
图10是显示了TTE(三次行程回波)实验的结果的图。图10显示了当旋转Y板的旋转角度为+10°时，薄膜层的薄膜厚度设成在H/λ＝0.13时可达到零频率温度系数(TCF＝0)，且传播距离设为60λ(其中λ＝10μm，约400MHz)。应注意的是，TTE显示了一种现象，当在输入侧激励的表面波到达接收侧时其部分地被反射，然后在输入侧再被反射。
在图10中，观察到了第五次TTE。从此测量可知，传播衰减小于或等于0.01dB/λ。
从上所述，通过形成具有能满足短路界面条件的反射器的表面声波谐振器，例如，可以得到高Q值的表面声波谐振器。
在所示实施例中，为使传播衰减更小，SiO2薄膜应制成更薄，于是可以形成一种压电泄漏表面波基片，其具有接近零的频率温度系数和较大的机电耦合系数kR 2。因此，可以得到一种压电泄漏表面波功能元件如宽带过滤器、匹配过滤器、VCO等，其具有在现有技术无法达到的优良频率温度系数。
图11是显示了表面声波功能元件的一个示例的透视图，其中采用了上述的如本发明的一个实施例的压电泄漏表面波基片。
在图11所示的表面声波基片中，在LiNbO3基片1的表面上设有SiO2薄膜层2。在LiNbO3基片1和SiO2薄膜2间的界面上，设有用于激励或接收压电泄漏表面波的交叉指形电极，其由电极3a和电极3b组成。在激励或接收区域5的左右侧设有传播区域6和7，其由一对用作反射器的短路型栅格电极4组成。
在激励或接收区域5和传播区域6，7之间的SiO2薄膜层2的薄膜厚度不同。在激励或接收区域5，薄膜层2的薄膜厚度为H0，其处于使压电泄漏表面波的机电耦合系数k2较大的范围内；在传播区域6和7，薄膜层2的薄膜厚度为H1，其设置成使频率温度系数(TCF)较小。结果，可以得到一种表面声波功能元件，其具有较大的压电泄漏表面波的机电耦合系数，以及优良的频率温度系数。在此情况中，薄膜厚度H0和H1的组合最好如下所述：
(6)当基片的旋转Y板的切割角度在大于或等于-10°且小于或等于-5°的范围内时，H0/λ值最好在大于或等于0且小于或等于0.25的范围内，在激励或接收区域5中H0/λ值最好在大于或等于0.05且小于或等于0.25的范围内，而H1/λ值最好在大于或等于0.07且小于或等于0.31的范围内，在传播区域6，7中H1/λ值最好在大于或等于0.15且小于或等于0.31的范围内；
(7)当基片的旋转Y板的切割角度在大于或等于-5°且小于或等于+10°的范围内时，H0/λ值最好在大于或等于0且小于或等于0.25的范围内，在激励或接收区域5中H0/λ值最好在大于或等于0.05且小于或等于0.25的范围内，而H1/λ值最好在大于或等于0.115且小于或等于0.31的范围内，在传播区域6，7中H1/λ值最好在大于或等于0.15且小于或等于0.25的范围内；
(8)当基片的旋转Y板的切割角度在大于或等于+10°且小于或等于+15°的范围内时，H0/λ值最好在大于或等于0且小于或等于0.23的范围内，在激励或接收区域5中H0/λ值最好在大于或等于0.05且小于或等于0.23的范围内，而H1/λ值最好在大于或等于0.16且小于或等于0.31的范围内，在传播区域6，7中H1/λ值最好在大于或等于0.16且小于或等于0.23的范围内；
(9)当基片的旋转Y板的切割角度在大于或等于+15°且小于或等于+20°的范围内时，H0/λ值最好在大于或等于0且小于或等于0.2的范围内，在激励或接收区域5中H0/λ值最好在大于或等于0.05且小于或等于0.2的范围内，而H1/λ值在传播区域6，7中最好在大于或等于0.2且小于或等于0.31的范围内。
通过如上述地设定，压电泄漏表面波的机电耦合系数k2可以大于或等于0.2，在激励或接收区域5中其还大于或等于0.215，而在传播区域6和7内在25℃时的其频率温度系数在从-30ppm/℃到+30ppm/℃的范围内。
在上述SiO2/LiNbO3的基片中，可以形成一种具有设置在SiO2薄膜和LiNbO3基片之间的界面上的常规型交叉指形电极的元件，一种具有多相型单向转换器的元件，一种具有由单向交叉指形电极形成的内反射型表面声波转换器的元件，一种采用短路型栅格电极的谐振器，一种带有反射器的谐振器等。当施加压电泄漏表面波时，这些元件在传播衰减基本为零时具有较大的机电耦合系数k2和优良的频率温度系数。
表面声波基片和表面声波功能元件可以用在具有较宽带宽、低插入损耗和优良温度稳定性的过滤器、高性能的表面声波谐振器、声波功能元件如VCO，或和高性能半导体元件相结合的组合元件中。
本发明是通过其示例性实施例来进行阐明和介绍的，但对于本领域的技术人员来说可以理解，在不脱离本发明的精神和范围的前提下，可以在本发明的许多地方进行各种修改、省略和添加。因此，本发明不应被理解为限于上述具体的实施例，而是在包括了在所附权利要求中提出的特征所包围的范围或等量物的范围内体现的所有
实施例。
Claims (18)
1.一种表面声波基片，包括：
具有较大机电耦合系数的压电或电致伸缩基片；和
在所述基片上形成的薄膜，其具有相对于所述基片的温度变化而使其表面声波的频率发生变化的性能，
其中，所述基片是LiNbO3基片，其旋转Y板的切割角度在大于或等于-10°且小于或等于+30°的范围内，并可以传播压电泄漏表面波，所述压电泄漏表面波的传播速度比沿X轴方向或相对于X轴方向在±5°的范围内的瑞利型表面声波的传播速度快，和
H/λ的值在0.05到0.35的范围内，其中H是所述薄膜的薄膜厚度，λ是所述压电泄漏表面波的操作中心频率的波长。
2.如权利要求1所述表面声波基片，其特征在于，所述基片的旋转Y板的切割角度在大于或等于0°且小于或等于+20°的范围内，所述H/λ值在0.1到0.35的范围内。
3.如权利要求1所述表面声波基片，其特征在于，所述基片的旋转Y板的切割角度在大于或等于+20°且小于或等于+30°的范围内，所述H/λ值在0.15到0.35的范围内。
4.如权利要求1所述表面声波基片，其特征在于，在25℃时测量的频率温度系数(TCF)在-30ppm/℃到+30ppm/℃范围内。
5.如权利要求4所述表面声波基片，其特征在于，所述压电泄漏表面波的机电耦合系数k2大于或等于0.155，所述瑞利波分量的机电耦合系数kR 2小于或等于0.01。
6.如权利要求5所述表面声波基片，其特征在于，所述基片的旋转Y板的切割角度在大于或等于-10°且小于或等于-5°的范围内，所述H/λ值在0.07到0.31的范围内。
7.如权利要求5所述表面声波基片，其特征在于，所述基片的旋转Y板的切割角度在大于或等于-5°且小于或等于+10°的范围内，所述H/λ值在0.115到0.31的范围内。
8.如权利要求5所述表面声波基片，其特征在于，所述基片的旋转Y板的切割角度在大于或等于+10°且小于或等于+15°的范围内，所述H/λ值在0.16到0.31的范围内。
9.如权利要求5所述表面声波基片，其特征在于，所述基片的旋转Y板的切割角度在大于或等于+15°且小于或等于+20°的范围内，所述H/λ值在0.2到0.31的范围内。
10.如权利要求5所述表面声波基片，其特征在于，所述基片的旋转Y板的切割角度在大于或等于+20°且小于或等于+30°的范围内，所述H/λ值在0.25到0.31的范围内。
11.一种具有如上述权利要求1到10中任何一项所述表面声波基片的表面声波功能元件，所述元件包括：
激励或接收区域，其具有交叉指形电极，可激励或接收在所述基片表面和所述薄膜间的界面处形成的压电泄漏表面波；和
传播区域，其具有可以在所述基片和所述薄膜之间形成电短路的结构，或者具有在所述基片表面和所述薄膜间的界面处形成的短路型栅格电极结构。
12.一种具有基片的表面声波功能元件，所述基片包括：具有较大机电耦合系数的压电或电致伸缩基片；形成在所述基片上的薄膜，其具有相对于所述基片的温度变化而使其表面声波的频率发生变化的性能，
其中，所述基片是LiNbO3基片，其旋转Y板的切割角度在大于或等于-10°且小于或等于+30°的范围内，并可以传播压电泄漏表面波，所述压电泄漏表面波的传播速度比沿X轴方向或相对于X轴方向在±5°的范围内的瑞利型表面声波的传播速度快，和
在激励或接收区域中H/λ的值在0到0.35的范围内，在传播区域中所述H/λ值在0.05到0.35的范围内，其中H是所述薄膜的薄膜厚度，λ是所述表面声波的操作中心频率的波长。
13.如权利要求12所述表面声波功能元件，其特征在于，所述激励或接收区域具有交叉指形电极，可激励或接收在所述基片表面和所述薄膜之间的界面处形成的压电泄漏表面声波；和
所述传播区域具有可在所述基片和所述薄膜之间形成电短路的结构，或是在所述基片表面和所述薄膜之间的界面处形成的短路型栅格电极的结构。
14.如权利要求12或13所述表面声波功能元件，其特征在于，在所述激励或接收区域内所述压电泄漏表面波的机电耦合系数k2大于或等于0.155，在所述传播区域内所述频率温度系数(TCF)在25℃时测量的值在-30ppm/℃到+30ppm/℃范围内。
15.如权利要求11所述表面声波功能元件，其特征在于，所述交叉指形电极由从Al、Cu、Ti、W、Mo、Cr、Au和Ag中选择的一种金属制成，或由两种或多种所述这些金属的混合物或合金制成。
16.如权利要求11所述表面声波功能元件，其特征在于，所述传播区域具有导电层，其由从Al、Cu、Ti、W、Mo、Cr、Au和Ag中选择的一种金属制成，或由两种或多种所述这些金属的混合物或合金和制成。
17.如权利要求13所述表面声波功能元件，其特征在于，所述交叉指形电极由从Al、Cu、Ti、W、Mo、Cr、Au和Ag中选择的一种金属制成，或由两种或多种所述这些金属的混合物或合金制成。
18.如权利要求13所述表面声波功能元件，其特征在于，所述传播区域具有导电层，其由从Al、Cu、Ti、W、Mo、Cr、Au和Ag中选择的一种金属制成，或由两种或多种所述这些金属的混合物或合金和制成。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP110641/01 | 2001-03-04 | ||
| JP2001110641 | 2001-03-04 | ||
| JP379311/01 | 2001-11-06 | ||
| JP2001379311 | 2001-11-06 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1374757A true CN1374757A (zh) | 2002-10-16 |
Family
ID=26613332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN02106950A Pending CN1374757A (zh) | 2001-03-04 | 2002-03-04 | 一种表面声波基片和表面声波功能元件 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6791237B2 (zh) |
| EP (1) | EP1239588A2 (zh) |
| JP (1) | JP4757860B2 (zh) |
| KR (1) | KR20020071736A (zh) |
| CN (1) | CN1374757A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100342642C (zh) * | 2003-01-07 | 2007-10-10 | 株式会社村田制作所 | 表面声波装置 |
| CN101116244B (zh) * | 2005-04-08 | 2010-08-25 | 株式会社村田制作所 | 弹性波元件 |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008092610A (ja) * | 2001-03-04 | 2008-04-17 | Kazuhiko Yamanouchi | 弾性表面波基板及び弾性表面波機能素子 |
| DE10302633B4 (de) * | 2003-01-23 | 2013-08-22 | Epcos Ag | SAW-Bauelement mit verbessertem Temperaturgang |
| US7141909B2 (en) * | 2003-06-17 | 2006-11-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
| KR100898703B1 (ko) * | 2005-07-13 | 2009-05-20 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성파 필터장치 |
| KR100979952B1 (ko) * | 2006-02-16 | 2010-09-03 | 파나소닉 주식회사 | 탄성 표면파 디바이스, 및 이를 이용한 탄성 표면파 필터와 안테나 공용기, 및 이를 이용한 전자 기기 |
| US7446453B1 (en) | 2006-07-05 | 2008-11-04 | Triquint, Inc. | Surface acoustic wave devices using surface acoustic waves with strong piezoelectric coupling |
| JPWO2008038459A1 (ja) * | 2006-09-25 | 2010-01-28 | 株式会社村田製作所 | 弾性境界波フィルタ装置 |
| WO2008056697A1 (fr) | 2006-11-08 | 2008-05-15 | Panasonic Corporation | Résonateur d'onde acoustique de surface |
| JP2008131128A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波フィルタ、アンテナ共用器、およびそれらの製造方法 |
| EP1962424A4 (en) * | 2006-12-27 | 2013-04-03 | Panasonic Corp | ACOUSTIC SURFACE WAVE RESERATOR, ACOUSTIC SURFACE WAVE FILTER USING THE ACOUSTIC SURFACE WAVE RESONATOR AND ANTENNA DUPLEXER |
| WO2008146449A1 (ja) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Panasonic Corporation | 弾性波素子 |
| JP4775978B2 (ja) | 2007-10-30 | 2011-09-21 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波素子、デュープレクサ、通信モジュール、および通信装置 |
| US8476991B2 (en) * | 2007-11-06 | 2013-07-02 | Panasonic Corporation | Elastic wave resonator, elastic wave filter, and antenna sharing device using the same |
| JP2009147818A (ja) * | 2007-12-17 | 2009-07-02 | Fujitsu Ltd | 弾性波素子、フィルタ素子、通信モジュール、および通信装置 |
| WO2010101166A1 (ja) * | 2009-03-04 | 2010-09-10 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波素子とその製造方法 |
| US20110199328A1 (en) * | 2010-02-18 | 2011-08-18 | Flextronics Ap, Llc | Touch screen system with acoustic and capacitive sensing |
| CN103314529A (zh) * | 2011-01-24 | 2013-09-18 | 埃普科斯股份有限公司 | 表面声波滤波器 |
| EP2590325A1 (fr) * | 2011-11-04 | 2013-05-08 | The Swatch Group Research and Development Ltd. | Résonateur thermocompensé en céramique |
| JP2017503432A (ja) * | 2014-01-15 | 2017-01-26 | エプコス アクチエンゲゼルシャフトＥｐｃｏｓ Ａｇ | 電子音響フィルタおよび電子音響フィルタを製造する方法。 |
| JP6385690B2 (ja) | 2014-03-05 | 2018-09-05 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス及びその製造方法 |
| CN113824425B (zh) * | 2021-09-24 | 2022-03-08 | 杭州鸿星电子有限公司 | 一种石英晶体谐振器或振荡器及其设计方法 |
| CN114815017A (zh) * | 2022-04-24 | 2022-07-29 | 武汉大学 | 基于声与非均匀流体作用的可调液体透镜及制备方法 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4544857A (en) * | 1983-08-29 | 1985-10-01 | Nec Corporation | High electromechanical-coupling coefficient surface acoustic wave device |
| US4484098A (en) * | 1983-12-19 | 1984-11-20 | United Technologies Corporation | Environmentally stable lithium niobate acoustic wave devices |
| JPS63260213A (ja) | 1986-09-12 | 1988-10-27 | Hiroshi Shimizu | 高結合ラブ波型ｓａｗ基板を用いた共振子 |
| JPH04109877A (ja) * | 1990-08-29 | 1992-04-10 | Alps Electric Co Ltd | ステッピングモータ |
| JPH0715274A (ja) | 1991-06-02 | 1995-01-17 | Kazuhiko Yamanouchi | 高安定高結合弾性表面波基板を用いた高周波弾性表 面波フィルタ及び弾性表面波機能素子 |
| JPH05267981A (ja) * | 1992-03-23 | 1993-10-15 | Kokusai Electric Co Ltd | 弾性表面波共振子 |
| JPH05335879A (ja) * | 1992-05-28 | 1993-12-17 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波素子 |
| TW241397B (zh) * | 1993-01-14 | 1995-02-21 | Murata Manufacturing Co | |
| JPH08148966A (ja) * | 1994-11-18 | 1996-06-07 | Hitachi Ltd | 弾性表面波素子電極 |
| EP0746095B1 (en) * | 1995-05-29 | 2007-02-14 | SANYO ELECTRIC Co., Ltd. | Surface acoustic wave filter |
| JPH09167936A (ja) * | 1995-10-13 | 1997-06-24 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波装置 |
| JPH09199976A (ja) * | 1996-01-18 | 1997-07-31 | Hitachi Ltd | 弾性表面波素子電極 |
| JP3739858B2 (ja) * | 1996-06-14 | 2006-01-25 | 松下電器産業株式会社 | 高周波フィルタ |
| JPH1084245A (ja) * | 1996-09-10 | 1998-03-31 | Hitachi Ltd | 弾性表面波素子 |
| JP3950611B2 (ja) * | 1999-01-27 | 2007-08-01 | 株式会社日立製作所 | 弾性表面波共振器 |
| JP3485832B2 (ja) * | 1999-03-25 | 2004-01-13 | 三洋電機株式会社 | 弾性表面波デバイス |
| JP2001036378A (ja) * | 1999-07-16 | 2001-02-09 | Mitsubishi Electric Corp | 弾性波装置 |
| JP2008092610A (ja) * | 2001-03-04 | 2008-04-17 | Kazuhiko Yamanouchi | 弾性表面波基板及び弾性表面波機能素子 |
-
2002
- 2002-02-27 EP EP20020004273 patent/EP1239588A2/en not_active Withdrawn
- 2002-02-28 US US10/085,943 patent/US6791237B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-03-02 KR KR1020020011216A patent/KR20020071736A/ko not_active Application Discontinuation
- 2002-03-04 CN CN02106950A patent/CN1374757A/zh active Pending
-
2007
- 2007-12-28 JP JP2007338652A patent/JP4757860B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100342642C (zh) * | 2003-01-07 | 2007-10-10 | 株式会社村田制作所 | 表面声波装置 |
| CN101116244B (zh) * | 2005-04-08 | 2010-08-25 | 株式会社村田制作所 | 弹性波元件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4757860B2 (ja) | 2011-08-24 |
| US6791237B2 (en) | 2004-09-14 |
| US20020140316A1 (en) | 2002-10-03 |
| KR20020071736A (ko) | 2002-09-13 |
| EP1239588A2 (en) | 2002-09-11 |
| JP2008148338A (ja) | 2008-06-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1374757A (zh) | 一种表面声波基片和表面声波功能元件 | |
| JP4109877B2 (ja) | 弾性表面波機能素子 | |
| CN104702239B (zh) | 梯型弹性波滤波器及使用该弹性波滤波器的天线双工器 | |
| JP5828032B2 (ja) | 弾性波素子とこれを用いたアンテナ共用器 | |
| CN1157849C (zh) | 声表面波装置、声表面波滤波器和声表面波装置的制造方法 | |
| JPWO2004070946A1 (ja) | 弾性境界波装置 | |
| JP5187444B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPH09167936A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| US20100237959A1 (en) | Lamb-wave resonator and oscillator | |
| JPWO2005086345A1 (ja) | 弾性境界波装置 | |
| CN104734662A (zh) | 弹性波元件和使用它的电子设备 | |
| CN102204094A (zh) | 弹性波元件及使用了该弹性波元件的电子设备 | |
| CN108039872A (zh) | 一种用于高性能声表面波滤波器的谐振器结构设计 | |
| CN104868873A (zh) | 一种多层复合结构声表面波器件基底 | |
| JP2014504827A (ja) | 表面音響波フィルタ | |
| CN115276594A (zh) | 一种纵向泄漏声表面波谐振器及滤波器 | |
| JP2010220164A (ja) | ラム波型共振子及び発振器 | |
| CN101213743B (zh) | 声边界波装置 | |
| CN100342642C (zh) | 表面声波装置 | |
| JP2008092610A (ja) | 弾性表面波基板及び弾性表面波機能素子 | |
| US20230104405A1 (en) | Acoustic wave device with multilayer piezoelectric substrate for reduced spurious signals | |
| CN116233709A (zh) | 一种基于纵声表面波的高性能声学器件 | |
| RU2522035C2 (ru) | Преобразователь с "естественным" однонаправленным излучением поверхностных акустических волн | |
| JP7163965B2 (ja) | 弾性波装置 | |
| CN1293702C (zh) | 适合用于千兆赫频带的弹性表面波元件 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| AD01 | Patent right deemed abandoned | ||
| C20 | Patent right or utility model deemed to be abandoned or is abandoned |