CN1371240A - 多层式高密度基板的制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种多层式高密度基板的制造方法,高密度的高分子薄膜材料制作的第一层基板的电路布线方面对焊垫的间距密度较高,非高密度的复合有机基板制作的第二层板或更多层板,直接与第一层基板的邻接表面上,相对于焊垫位置处作出焊接凸块,在各层板舆第一层基板接合时,直接加热压合,使焊接凸块与焊垫接合达成电气连接。具有高密度、小尺寸、低成本及制造简便的优点。
Description
本发明是一种多层式高密度基板的制造方法，主要是由一聚酰亚胺层或其它高密度的高分子薄膜材料制作第一层板，达到高密度、小尺寸需求，第二层板之后再用适当的有机材料作成有机基板，再将各层板热压合成为一高密度内部连结的多层基板。
现有技术中，由于电子产品日新月异，对于电子工业产品迷你化的要求日益殷切，有朝向高速度、高功能、高频率、高密度、多数位、重量轻及环保化的趋势发展，面对多接脚的产品，则会使用基板或多层基板来将接脚11’以电路线12’向外展开，如图1所示。因此在基板或电路板上均面临到细线化的挑战。
参阅图2，常用的高密度多层板是于一核心基板两侧，含有复数层的导体层与绝缘层，以便能将表层的高密度接脚利用各层板的导体层来充分展开，而高密度多层板的制作材料一般以聚酰亚胺层来制作基板、或是以有机材料来制作基板；高密度多层板2’以有机材料制作的有机基板21’是整个板子由核心基板211’以增层法向两面形成复数个导体图案的导体层212’及环氧树脂的绝缘层213’，并依次连续堆积而成的多层导体电路214’，且在最上层表面及最下层底面设有焊垫及锡球215’，以便与其它芯片3’或基板(图中未示)连接；但是有机基板21’的线路密度受限于材料特性，并无法比聚酰亚胺基板更密，而若以聚酰亚胺层来作为各层的基板材料，虽可因该聚酰亚胺层的特性而制作出细间距、高密度的导线基板，但因为聚酰亚胺原料非常昂贵，若每一层都用聚酰亚胺基板来制做，则整个聚酰亚胺多层板的成本势必居高不下，不适宜广泛应用。
针对上述缺点，本发明人经过长期地研究和实践，创造出本发明的技术方案，应用一新颖材料组合及压合结构，结合高密度、细间距及低成本的优点，更简化其压合步骤，能有效提升竞争力。
本发明的主要目的在于提供一种多层式高密度基板的制造方法，通过采用聚酰亚胺基板作为多层板的第一层板，以非高密度有机基板来制作第二层板以后的各基板，克服现有技术的弊端，达到使多层板高密度、低成本的目的。
因为多层板的多脚数IC大多封装在第一层，故该第一层的电路密度需求为最高，须将高密度、细间距的脚距展开至底层，再由第一层板底层分布线路至第二层板以后的面积上，以将该电路密度稀释至较宽裕的表面上，如此利用聚酰亚胺基板的高密度电路成形法制作第一层电路，以获得高密度、细线化的表层电路，并将该电路连接并分散至底层，而在第二层基板以后，本发明采用非高密度有机基板制作，因为第二层以后基板，没有第一层基板般高密度电路需求，故以非高密度有机基板来制作，既可维持其多层板效能，并同时可大为减低材料成本。
本发明的次要目的在于提供一种多层式高密度基板的制造方法，第二层板表层与第一层聚酰亚胺基板底部焊垫的接合，采焊接凸块接合方式，在第二层板的1/0接点作一焊接凸块，与第一层聚酰亚胺基板以压合方式结合。达到有效改进该制程的简便性的目的。
本发明的目的是这样实现的：一种多层式高密度基板的制造方法，其特征在于：它包括如下步骤：
a)以聚酰亚胺或其它高密度高分子薄膜层制作多层板的第一层基板，在该第一层基板上以细间距的线路成型法，制作出细间距电路布局，并预先设计将电路导入该第一层基板的底面，将该电路密度作适度的展开稀释，在其底面适当位置处设有焊垫；
b)以有机材料作为第二层的非高密度有机基板，由核心基板向两侧分别设有导体层来配置电路及缘绝层；并在其电路布局的顶面与该第一层的底面的焊垫相对位置处制作焊接凸块；将该电路利用孔道穿过核心基板导入该非高密度有机基板的底面导体层上，分布该电路并降低其电路密度；
C)该第一层与第二层的非高密度有机基板对正后加热压合，将该第二层非高密度有机基板表面的焊接凸块与该第一层底面的焊垫结合达成电气接合。
该第二层非高密度有机基板以核心基板、导体层、绝缘层依次重复排列适当的更多层数，并逐层降低该第一层的电路密度。
本发明的主要优点是具有高密度、小尺寸、低成本及制作简便的优点。
下面结合较佳实施例和附图进一步说明。
图1是常用高密度多层板的俯视示意图。
图2是常用高密度多层板的剖视示意图。
图3是本发明的多层式高密度基板的分解剖视示意图。
图4是本发明的多层式高密度基板的组合剖视示意图。
图5是本发明实施例2的多层式高密度基板的分解剖视示意图。
图6是本发明实施例2的多层式高密度基板的组合剖视示意图。
实施例1
参阅图3-图4，本发明是一种多层式高密度基板的制造方法，主要是由聚酰亚胺层或其它高密度的高分子薄膜材料来制作第一层基板，并复合以有机材料所制作的第二层非高密度有机基板所组成的多层板的制造方法，其制程包括如下步骤：
a)先以聚酰亚胺或其它高密度高分子薄膜层111制作多层板1的第一层基板11，在第一层基板11上以细间距的线路成型法，如电镀法等各种成型法，制作出细间距电路112布局，并预先设计将该细间距电路112导入第一层基板11的底面、并将该电路密度作适度的展开稀释，在其底面适当位置处设有焊垫113。
b)以有机材料作为第二层的有机基板12，以核心基板122向两侧分别设有导体层123来配置电路1231及绝缘层124，并在其电路1231布局的顶面与第一层基板11底面的焊垫113相对位置处，制作焊接凸块125，将该电路1231利用孔道1221穿过核心基板122导入该有机基板12的底面导体层123上，分布该电路1231，并更降低其电路密度。
C)第一层聚酰亚胺基板或高密度高分子薄膜基板11与第二层的非高密度有机基板12对正后加热压合，即可将第二层有机基板12表面的焊接凸块124与第一层聚酰亚胺基板或高密度高分子薄膜基板11底面的焊垫113结合，达成电气接合。
实施例2
参阅图5-图6，本实施例中，上述中的第二层非高密度有机基板12亦可以核心基板122、导体层123、绝缘层213等单位，依次重复作出适当的更多层数，可更能降低第一层的电路密度。
综上所述，本发明以聚酰亚胺基板或高密度高分子薄膜基板制作多层板的第一层板，制作出极细间距的电路布局，并在其电路密度要求不高的其它层板，以非高密度有机基板为材料，亦可制作出符合要求的电路间距布局，并可大为降低材料成本，加上第一层板与第二层板的压合不需另作焊接处理，可直接进行加热压合，压合后即可获得一细间距、低成本的高密度内部连结基板(HDI)。
虽然本发明以较佳实施例揭露如上，但其并非用以限定本发明，任何熟习本技艺者，在不脱离木发明的精神和范围内，所作各种等效的更动与润饰，都落入本发明的保护范围之内。
Claims (2)
1、一种多层式高密度基板的制造方法，其特征在于：它包括如下步骤：
a)以聚酰亚胺或其它高密度高分子薄膜层制作多层板的第一层基板，在该第一层基板上以细间距的线路成型法，制作出细间距电路布局，并预先设计将电路导入该第一层基板的底面，将该电路密度作适度的展开稀释，在其底面适当位置处设有焊垫；
b)以有机材料作为第二层的非高密度有机基板，由核心基板向两侧分别设有导体层来配置电路及缘绝层；并在其电路布局的顶面与该第一层的底面的焊垫相对位置处制作焊接凸块；将该电路利用孔道穿过核心基板导入该非高密度有机基板的底面导体层上，分布该电路并降低其电路密度；
c)该第一层与第二层的非高密度有机基板对正后加热压合，将该第二层非高密度有机基板表面的焊接凸块与该第一层底面的焊垫结合达成电气接合。
2、权利要求1所述的多层式高密度基板的制造方法，其特征在于：该第二层非高密度有机基板以核心基板、导体层、绝缘层依次重复排列适当的更多层数，并逐层降低该第一层的电路密度。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN 01104242 CN1371240A (zh) | 2001-02-23 | 2001-02-23 | 多层式高密度基板的制造方法 |
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| CN 01104242 CN1371240A (zh) | 2001-02-23 | 2001-02-23 | 多层式高密度基板的制造方法 |
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| CN1371240A true CN1371240A (zh) | 2002-09-25 |
Family
ID=4653784
Family Applications (1)
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| CN 01104242 Pending CN1371240A (zh) | 2001-02-23 | 2001-02-23 | 多层式高密度基板的制造方法 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN1371240A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101288349B (zh) * | 2004-12-03 | 2010-06-09 | 索尼化学&信息部件株式会社 | 多层布线基板的制作方法 |
| CN101583244B (zh) * | 2008-05-13 | 2011-11-09 | 欣兴电子股份有限公司 | 线路板的制造方法 |
| CN110062982A (zh) * | 2016-12-22 | 2019-07-26 | 京瓷株式会社 | 天线基板及其制造方法 |
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2001
- 2001-02-23 CN CN 01104242 patent/CN1371240A/zh active Pending
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