CN1354492A - 低磁滞损耗的显像管偏转磁芯 - Google Patents
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Abstract
低磁滞损耗的显像管偏转磁芯是一种以铁氧体为材料制造的低磁滞损耗、低工作温升、高工作稳定性的偏转磁芯,其设计方法是在横截面为环形的偏转磁芯中,磁通密度高的部位的磁芯厚度比磁通密度低的部位磁芯厚度厚,在保证磁芯总重量不变的情况下,减薄磁通密度小的部位的磁芯厚度,增加磁通密度大的部位的磁芯厚度,减少偏转磁芯垂直方向的磁芯厚度,增加水平方向的磁芯厚度,磁芯横截面的内孔和外孔形状分别为圆形或椭圆形或矩形,但内孔与外孔的形状不同时为圆形。
Description
一、技术领域
本发明是一种用于显像管的偏转磁芯，尤其是一种以铁氧体材料制造的低磁滞损耗的偏转磁芯。
二、背景技术
随着大屏幕高清晰度电视和计算机用高分辨率显示器的的发展，使得偏转线圈的扫描频率越来越高。彩色显示管的大偏转角、高分辨率发展趋势，对偏转系统提出了更高的要求。偏转电流和偏转频率的提高，对偏转系统带来的是发热和能量损耗的增大，这对偏转系统性能的稳定性是十分不利的。偏转系统的发热是影响显示管性能的主要因素之一，它带来了图象质量的不稳定，因此应该设法降低。
偏转系统的发热，除了偏转线圈的发热以外，另外一个主要原因是偏转磁芯中的磁滞损耗引起的发热。偏转线圈的发热由偏转系统设计的绕线分布和电路所决定；偏转磁芯的发热则由磁性材料的选择和磁芯的形状能影响的磁场分布所决定。降低偏转系统的能量损耗和发热，较为有效可行的方法是降低偏转磁芯的能量损耗。选择低磁滞损耗偏转磁芯用铁氧体材料，可以有效地降低偏转磁芯的能量损耗，这可以通过磁性材料的各项特性的比较进行选择；改变磁芯内的磁场分布和磁通密度，也可以降低磁芯的能量损耗。
对于磁性材料，在交变磁场中存在磁滞损耗，如果交变磁场的最大磁通密度为Bmax’当交变磁场的频率为f时，每秒的磁滞损耗密度即磁滞损耗功率密度Ph和f、Bmax的关系用以下的经验公式来表示：
这里η为常数，n和m次方为经验值，它们可以通过对标准样品磁环的在不同频度、磁通密度和温度下进行测量得到。
一种典型的偏转磁芯的结构其沿轴截面为与轴垂直方向的横截面为一个圆环形或由两个半圆环型拼为一个圆环形，在此截面上偏转磁芯内的磁能分布一般为余弦分布。因为电子束水平偏转的频率远远高于垂直偏转的频率，因此在偏转磁芯中水平偏转的磁场的磁滞损耗远大于垂直转磁场产生的磁滞损耗。由于磁滞损耗与磁通密度的非线形关系，和磁场的余弦分布，如果加厚磁场较强部位的磁芯厚度，可以有效的降低磁芯的磁滞损耗。
三、技术内容
1、发明目的：
本发明的目的是提供一种降低显像管偏转磁芯中的磁滞损耗、降低偏转磁芯的工作温升、提高偏转系统工作稳定性的低磁滞损耗的显像管偏转磁芯。
2、技术方案：
本发明的低磁滞损耗的显像管偏转磁芯的设计方法是：在横截面为环形的偏转磁芯中，磁通密度高的部位的磁芯厚度比磁通密度低的部位磁芯厚度厚，在保证磁芯总重量不变的情况下，可以减薄磁通密度小的部位的磁芯厚度，增加磁通密度大的部位的磁芯厚度，减少偏转磁芯垂直方向的磁芯厚度，增加水平方向的磁芯厚度，磁芯横截面的内孔和外孔形状分别为圆形或椭圆形或矩形，但内孔与外孔的形状不同时为圆形。
3、技术效果：
本发明的优点是偏转磁芯中总的磁滞损耗小，磁芯的工作温升低，因此整个偏转系统的工作稳定性也相应提高，尤其可以提高偏转系统在高频、大偏转角度工作状态下的稳定性。
因为电子束水平偏转的频率远远高于垂直偏转的频率，因此在偏转磁芯中水平偏转磁场的磁滞损耗远大于垂直偏转磁场的磁滞损耗。而水平偏转的偏转线圈的大部分线圈绕线集中在线圈和其上下对称面的附近，因此在偏转磁芯中，对应部位的磁通密度也将很强，相应的磁滞损耗也就很大，造成局部的温度过高。为了降低磁滞损耗，可以通过增加相应部位的磁芯厚度，从而使通过这一部分磁芯中的磁通密度降低，达到减小磁滞损耗的目的。
增加磁芯的厚度在一定程度上增加了磁芯所用铁氧体材料的总量，增加了成本，为了保证所用材料总量的不变，可以减小磁通密度较小部位的磁芯厚度，但这增加了相应部位的磁滞损耗，因为磁滞损耗和磁通密度的非线性关系，在保证磁芯总重量的不变的情况下，可以使偏转磁芯总体的磁滞损耗降低。
四、附图说明
图1是本发明磁芯中，磁芯横截面为内圆，外椭圆的结构示意图。
图2是本发明磁芯中，磁芯横截面为内椭圆，外椭圆的结构示意图。
图3是本发明磁芯中，磁芯横截面为内矩形，外椭圆的结构示意图。
图4是本发明磁芯中，磁芯横截面为内矩形，外矩形的结构示意图。
图5是本发明沿轴向的剖面结构示意图。
五、具体实施方法
采用铁氧体制作轴向为喇叭状、横截面的内孔为圆形、椭圆形、矩形，外侧为圆形、椭圆形、矩形的偏转磁芯，但内孔与外侧的截面形态不同时为圆形，其设计的要点是磁通密度高的部位的磁芯厚度比磁通密度低的部位的磁芯厚度厚。根据生产工艺的要求，其横截面形状沿轴线方向的不同位置的厚度可以相同，也可以不同。
Claims (4)
1、一种低磁滞损耗的显像管偏转磁芯，其特征在于在横截面为环形的偏转磁芯中，磁通密度高的部位的磁芯厚度比磁通密度低的部位磁芯厚度厚。
2、根据权利要求1所述的低磁滞损耗的显像管偏转磁芯，其特征在于在保证磁芯总重量不变的情况下，减薄磁通密度小的部位的磁芯厚度，增加磁通密度大的部位的磁芯厚度。
3、根据权利要求1或2所述的低磁滞损耗的显像管偏转磁芯，其特征在于减少偏转磁芯垂直方向的磁芯厚度，增加水平方向的磁芯厚度。
4、根据权利要求1或2所述的低磁滞损耗的显像管偏转磁芯，其特征在于磁芯横截面的内孔和外孔形状分别为圆形或椭圆形或矩形，但内孔与外孔的形状不同时为圆形。
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| CN 01137398 CN1354492A (zh) | 2001-12-18 | 2001-12-18 | 低磁滞损耗的显像管偏转磁芯 |
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Publications (1)
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| CN1354492A true CN1354492A (zh) | 2002-06-19 |
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ID=4674195
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN 01137398 Pending CN1354492A (zh) | 2001-12-18 | 2001-12-18 | 低磁滞损耗的显像管偏转磁芯 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1306542C (zh) * | 2003-12-03 | 2007-03-21 | 横店集团东磁股份有限公司 | 方型偏转磁芯的制备方法及其材料 |
| CN118197784A (zh) * | 2024-03-26 | 2024-06-14 | 中国科学院电工研究所 | 一种抑制纳米晶高频变压器漏磁通涡流损耗的复合磁设计方法 |
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2001
- 2001-12-18 CN CN 01137398 patent/CN1354492A/zh active Pending
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|---|---|---|---|---|
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| CN118197784A (zh) * | 2024-03-26 | 2024-06-14 | 中国科学院电工研究所 | 一种抑制纳米晶高频变压器漏磁通涡流损耗的复合磁设计方法 |
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