CN1354379A - 液晶显示板、液晶显示装置及制造方法、衬底连接体 - Google Patents
液晶显示板、液晶显示装置及制造方法、衬底连接体 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1354379A CN1354379A CN01137917A CN01137917A CN1354379A CN 1354379 A CN1354379 A CN 1354379A CN 01137917 A CN01137917 A CN 01137917A CN 01137917 A CN01137917 A CN 01137917A CN 1354379 A CN1354379 A CN 1354379A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- liquid crystal
- substrate
- conductor
- lcd panel
- printed conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 155
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 116
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 206
- 239000013047 polymeric layer Substances 0.000 claims description 69
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 50
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 44
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 38
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 23
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 18
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 13
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 55
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 17
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 15
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 13
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 10
- 230000027455 binding Effects 0.000 description 8
- 238000009739 binding Methods 0.000 description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 241001239379 Calophysus macropterus Species 0.000 description 3
- 229910016024 MoTa Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 238000005243 fluidization Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000004304 visual acuity Effects 0.000 description 2
- 101100493820 Caenorhabditis elegans best-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910016048 MoW Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29298—Fillers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
- H01L2224/83101—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
本发明公开了一种液晶显示板及其制造方法、一种液晶显示装置及其制造方法和一种衬底连接体。其中,在相邻印制导线之间形成了一个隔坝。此隔坝是在阵列上聚合物膜(PFA)型液晶显示装置中形成聚合物层的同一个步骤中形成的。该聚合物层上有一个显示电极。
Description
技术领域
本发明涉及一种液晶显示装置,尤其涉及通过带自动粘结(TAB)型带载封装,将连接于玻璃衬底上的阵列的印制导线或连接盘连接到印制电路板的方法,其中玻璃衬底构成了液晶显示板。
背景技术
液晶显示装置已经被非常广泛地用作个人电脑或其它各类监视器的图象显示器。此类的液晶显示装置典型的构成方式是这样的,即在液晶显示板的后表面上设置用于照明的平面形光源作为背光,因而具有特定区域的液晶平面整体上被亮度均匀地照射,并且因而在液晶平面上形成可视图象。
液晶显示装置包括:由两块玻璃衬底制成的液晶显示板,在两块玻璃衬底之间密封有液晶材料;用于驱动液晶材料的印制电路板,安装在液晶显示板上;设置在液晶显示板后表面上的背光单元,在液晶显示板后表面和背光单元之间,夹置有一个液晶显示板固定框架;和一个包围上述组件的外框架。
在这种液晶显示装置中,在薄膜晶体管(TFT)液晶显示装置的情况下,就构成液晶显示板的两块玻璃衬底来说,一个玻璃衬底构成一个阵列衬底,另一个玻璃衬底构成一个滤色器衬底。在阵列衬底上,形成有用于把阵列衬底电连接到印制电路板的印制导线,以及作为液晶材料驱动元件的TFT、显示电极和信号线。而且,TFT在玻璃衬底上规则地排成阵列,因而被称作阵列衬底。在滤色器衬底上,除了滤色器,还形成有公共电极、黑基体等。
印制电路板经TAB带载封装连结到阵列衬底上形成的电极。图8是一个印制电路板100和阵列衬底110经TAB带载封装120彼此连结的布局平面图。
TAB带载封装120包括:一个绝缘膜带121;设置在绝缘膜带121第一表面上的输入引线导体122;和设置在第二表面上的输出引线导体123。另外,TAB带载封装120包括一个芯片安装孔124,它给出液晶驱动器芯片126的安装位置。输入引线导体122从芯片安装孔124向TAB带载封装120的一边延伸。并且,输入引线导体122的末端跨过沿这一边形成的狭槽125。输出引线导体123从芯片安装孔124向TAB带载封装120的另一端延伸。液晶驱动器芯片126在芯片安装孔124的位置处与输入引线导体122和输出引线导体123相连接。
例如,TAB带载封装120的输入引线导体122用焊料连结到印制电路板100的相应导体(未示出)上。同时,TAB带载封装120的输出引线导体123连结到阵列衬底110的相应印制导线上。
目前,已经使用各向异性导电膜(ACF)来把TAB带载封装120的输出引线导体123连结到阵列衬底110上的对应印制导线。ACF是一种导体颗粒散布在连接元件中的膜,厚度为15~30微米。下面,将参考附图9和10解释使用ACT把TAB带载封装120的输出引线导体123连结到阵列衬底110上相应电极的方法。
图9和10是图8沿A-A部分的截面图。图9表示TAB带载封装120和阵列衬底110彼此连结之前的情形,图10表示它们连结之后的情形。在图9中,TAB带载封装120和阵列衬底110彼此面对,并且形成在绝缘膜带121下表面上的输出引线导体123和形成在阵列衬底110上的印制导线111彼此面对。在这种情况下,TAB带载封装120和阵列衬底110彼此隔开一定的间隙,并且ACF 130设置在其间。作为连接元件的ACF 130具有散布在热固树脂132中的导电颗粒131。在输出引线导体123和印制导线111彼此对齐的状态下,TAB带载封装120和阵列衬底110受压而结合在一起,同时加热ACF 130。然后热固树脂132变软并再固化。如上所述,软化并热固树脂132并使其流体化,如图10所示,而热固树脂132填充到TAB带载封装120和阵列衬底110之间的间隙中,保留在输出引线导体123和印制导线111之间的导体颗粒131实现了输出引线导体123和印制导线111之间的电连接。此种电连接导致阵列衬底110和印制电路板100之间的电连接。
液晶显示装置的分辨率已经有了显著的提高,并且根据分辨率的提高,印制导线111(以及输出引线导体123)之间的间距变窄。此变窄的间距导致下列关于用ACF 130进行TAB带载封装120和阵列衬底110之间连结的两种技术问题。
第一种技术问题是,由于TAB带载封装120的热膨胀,导致输出引线导体123与印制导线111的位置失配。当TAB带载封装120和阵列衬底110通过ACF 130彼此连结时,加热ACF 130。但是,因为只有ACF 130不能被局部加热,所以其周边也同时被加热。在这种情况下,构成TAB带载封装120的绝缘膜带121与阵列衬底110相比,热膨胀的程度更高。因此,即使印制导线111和输出引线导体123在加热步骤之前彼此对齐,在执行加热步骤之后也会发生印制导线111和输出引线导体123之间的位置失配,如图10所示。在极端情况下,印制导线111和输出引线导体123的彼此位置完全失准,因而,不能确保电连接的可靠性。因此,要检查输出引线导体123的设置,估算绝缘膜带121的热膨胀系数。但是,在液晶显示装置的分辨率进一步提高的情况下,如上所述的检查措施已达到极限。
第二种技术问题是,在连结TAB带载封装120和阵列衬底110的过程中,具体地说,在ACF 130的热压结合过程中,随热固树脂一起从印制导线111和输出引线导体123之间的空间流出的导体颗粒131的量增大。在这种情况下,很难充分确保印制导线111和输出引线导体123之间电连接的可靠性。
在日本待公开专利JP4(1992)-132640和JP11(1999)-186684的公报中公开了一种能够解决上述两个技术问题的方法。具体地说,在此种方法中,如图11(a)和11(b)所示,在玻璃衬底140上的印制导线141之间形成由绝缘物质制成的凸起142。因而,即使构成TAB带载封装120的绝缘膜带121由于加热而膨胀,输出引线导体123的运动也会受到凸起142的限制。因此,不会担心在执行加热步骤之后,出现印制导线141和输出引线导体123之间的位置失配。而且,可以避免ACF 130中的导体颗粒131从印制导线141和输出引线导体123之间的空间中流出。因此,可以确保电连接的可靠性。
但是,仍然没有考虑过把JP4(1992)-132640和JP(1999)-186684的公报中公开的方法实际应用到液晶显示装置中。没有采用该方法的一个因素是,从液晶显示装置制造成本的角度看是不理想的,制造成本与高分辨率一样重要,因为必须在液晶显示装置的常规制造过程中增加新的步骤以便形成凸起142。
发明内容
因此,本发明的目的在于提供一种不需增加任何步骤就能够确保高分辨率液晶显示装置电连接的可靠性的方法。
近来,已经开发了一种被称作“阵列上聚合物膜(PFA)”型的液晶显示板(装置)。PFA是一项为提高孔径比的目的而开发的技术。在常规的TFT液晶显示装置中,必须确保显示电极和信号线之间在水平方向上的间隙较宽或有一个特定的值,以免二者之间短路。因为此间隙变为泄漏液晶显示装置的光源发出的光的部分,所以必须用黑色基体覆盖此间隙。在常规的液晶显示装置中孔径比的提高被黑色基体覆盖的面积所禁止。同时,在PFA-型液晶显示板中,形成有作为绝缘层的聚合物层,并且在聚合物层上面形成了显示电极。因而,不需要确保显示电极和信号线之间水平方向上的间隙。
此处,在PFA型液晶显示装置中形成有聚合物层作为绝缘层。液晶显示板的图象显示区需要此聚合物层,因此,虽然在非图象显示区上一次形成聚合物层,但之后要被除去。本发明旨在提出一种这样的方法,形成在非图象显示区上、目前被除去的聚合物层的一部分,尤其是上述印制导线之间的聚合物,被保留下来并起着上述凸起的作用。在这种情况下,不需要新提供用于形成凸起的聚合物层的步骤。根据本发明上述的方法,可以用与为其他目的而形成的聚合物层相同材料的聚合物制成凸起。
具体地说,本发明提供一种液晶显示板,包括:一个阵列衬底,在其上形成有液晶材料的驱动元件;一个滤色器衬底,面对阵列衬底设置,二者间有一特定的间隙;和一个液晶层,位于阵列衬底和滤色器衬底之间的间隙中,其中,阵列衬底包括:一个具有图象显示区和非图象显示区的绝缘衬底,液晶材料的驱动元件形成在绝缘衬底的图象显示区上;一个聚合物层,覆盖住包括驱动元件的图象显示区;一个显示电极,形成在聚合物层上,并经聚合物层与驱动元件电连接;多条印制导线,形成在绝缘衬底的非图象显示区上,用于与外界电连接;和设置在相邻的印制导线之间的凸起,由与聚合物层的材料相同的树脂材料制成。
根据本发明的液晶显示板,因为显示电极设置在形成于绝缘衬底上的聚合物层上,所以显示电极和信号线之间的短路问题得以解决。而且,根据本发明的液晶显示板,因为设置在相邻印制导线之间的凸起由与聚合物层相同的材料组成,所以可以在同一步骤中形成凸起和聚合物层。因此,可以取得凸起的作用,即可以取得防止输出引线导体与印制导线位置失配的作用,不需要任何附加步骤就能够确保电连接的可靠性。
如上所述,在本发明的液晶显示板中,可以在形成聚合物层的同一步骤中形成凸起。在这种情况下,该凸起具有与聚合物层基本上相同的厚度。即凸起的厚度可以设置成5微米或者更小些。
作为一种制造上述液晶显示板的方法,本发明提供了一种用于制造液晶显示板的方法,该方法包括步骤:(a)在一个绝缘衬底上形成液晶材料的驱动元件和多条电连接到外界的印制导线;(b)在包括驱动元件和印制导线的绝缘衬底上形成一个聚合物层;(c)在聚合物层中形成一个伸到驱动元件的通孔,并除去印制导线上存在的聚合物层;和(d)形成一个穿过在步骤(c)中形成的通孔的显示电极,以与驱动元件电连接。
根据本发明用于制造液晶显示板的方法,在绝缘衬底上一次形成聚合物层,并且之后通过同样的步骤除去特定区域上的聚合物层。然后,在聚合物层中形成伸到驱动元件的通孔,并且可以除去存在于印制导线上的聚合物层。在这种情况下,虽然除去了存在于印制导线上的聚合物层,但印制导线之间的聚合物层留下来了,剩下的聚合物层形成了凸起。
根据本发明提供了一种液晶显示装置,其中,提供了一个形成在一个绝缘层上的显示电极和一个阵列衬底,阵列衬底上包括多条用于电连接外部的印制导线,该液晶显示装置包括:一个液晶显示板,液晶显示板上包括:一个具有凸起的阵列衬底,凸起由与绝缘层相同的材料制成并设置于相邻印制导线之间,一个面对阵列衬底设置的滤色器衬底,和一个设置在阵列衬底和滤色器衬底之间的液晶层,液晶层由液晶材料组成;一个用于向液晶材料提供驱动电压的电路板;和一个用于电连接电路板和液晶显示板的片状元件,片状元件具有对应于印制导线的输出导体。
本发明的液晶显示装置是一种所谓的PFA型液晶显示装置,其中,显示电极形成在绝缘层上。因此,显示电极和信号线之间的短路问题得以解决。而且,在本发明的液晶显示装置中,因为相邻印制导线之间设置的凸起由与绝缘层相同的材料构成,所以可以在同一步骤中形成凸起和绝缘层。因此可以取得凸起的作用,即可以取得防止输出引线导体与印制导线的位置失配的作用,不需要增加制造成本就能够确保电连接的可靠性。
在本发明的液晶显示装置中,可以提供连结印制导线和输出导体的导体颗粒,这些颗粒夹在印制导线和输出导体之间。在这种情况下,通过凸起可以确保电连接的可靠性。
为了充分地实现凸起的作用,具体地说,就是本发明液晶显示装置中的电连接的可靠性,希望把凸起的厚度设置成与每个导体颗粒的半径相同或更厚。另外,本发明甚至可以在印制导线之间的间隔小于等于80微米、甚至小于等于50微米的高分辨率液晶显示装置中,实现避免输出引线导体与印制导线的位置失配的作用,确保电连接的可靠性。
另外,本发明提供了一种液晶显示装置,包括:一个包括显示电极和玻璃衬底的液晶显示板,显示电极用于向液晶材料施加电压,玻璃衬底上形成有多条印制导线,用于显示电极和外界之间的电连接;一个用于向液晶材料提供电压的电路板;和一个用于电连接玻璃衬底和电路板的片状元件,通过一个连接元件把片状元件连接到玻璃衬底上,其中,在液晶显示板的玻璃衬底中,显示电极设置在形成于液晶显示板图象显示区中的聚合物层上,在图象显示区外侧相邻印制导线之间形成有一个由与聚合物层相同材料制成的隔坝。
在本发明的液晶显示装置中,片状元件具有多个电连接到印制导线的输出导体,连接元件可以包含电连接印制导线与输出导体的导体颗粒。在这种情况下,片状元件可以包括多个电连接到印制导线的输出导体,隔坝的顶部可以设置在输出导体之间,在通过连接元件的连接过程中,隔坝可以避免连接元件中存在于印制导线和输出导体之间的导体颗粒流出印制导线和输出导体之间的空间,并且可以防止输出导体与印制导线由于片状元件的热膨胀所致的位置失配。
另外,在本发明的液晶显示装置中,如果每个输出导体的厚度为h2,每个导体颗粒的半径为d,则,隔坝的厚度h1最好表示为:h1≥h2+d,以避免导体颗粒流出。
本发明上述液晶显示装置可以通过下列方法获得。具体地说,本发明液晶显示装置的制造方法是制造液晶显示装置的方法,其中,液晶显示板和用于驱动液晶显示板的电路板经过带载封装相互连接在一起,液晶显示板包括一个表面上形成有显示电极的第一绝缘层和多条进行与外界电连接的印制导线,该方法包括步骤:在获得液晶显示板的过程中,在彼此相邻的印制导线之间形成第一绝缘层和第二绝缘层;和通过一个连接元件连接带载封装和液晶显示板。
在上述描述中假设本发明将应用到液晶显示装置。但是,本发明的应用目的不限于液晶显示装置,本发明可以广泛地用于通过导体颗粒将导线彼此连接在一起的目的。具体地说,本发明可以概括成一个衬底连接体,包括:一个第一衬底,第一衬底包括有彼此相距特定空间的多条第一导线、形成在彼此相邻的第一导线之间且厚度大于第一导线的第一聚合物层、覆盖不同于其上形成有第一导线和第一聚合物层的区域的区域的第二区域、由与第一聚合物层相同的材料形成的第二聚合物层;一个第二衬底,包括多条电连接到第一导线的第二导线;和一个机械连接第一衬底和第二衬底的连接元件层。
附图说明
为了对本发明及其优点有更全面的理解,请参见下面结合附图所进行的详细描述。
图1是根据本发明实施例的液晶显示板的透视图。
图2是根据本发明实施例的液晶显示装置的截面图。
图3(a)到3(c)是根据本发明实施例制造阵列衬底的过程示意图。
图4(a)到4(c)是根据本发明实施例制造阵列衬底的过程示意图。
图5是根据本发明实施例的阵列衬底周围区域的透视图。
图6是根据此实施例,利用ACF连接阵列衬底和TAB带载封装的步骤示意图。
图7是根据此实施例,利用ACF连结阵列衬底和TAB带载封装的步骤示意图。
图8是利用TAB带载封装连结阵列衬底和印制电路板的平面图。
图9是利用TAB带载封装连结阵列衬底和TAB带载封装的常规步骤示意图。
图10是利用TAB带载封装连结阵列衬底和TAB带载封装的常规步骤示意图。
图11(a)和11(b)是利用TAB带载封装连结阵列衬底和TAB带载封装的常规步骤示意图。
具体实施方式
以下将参考附图对本发明的实施例做详细的描述。
图1是表示一种驱动电路部分51和52安置在根据本发明的液晶显示装置10的液晶显示板20上的状态透视图。
液晶显示板20的构成方式是,作为第一玻璃衬底的阵列衬底30和作为第二玻璃衬底、表面积小于阵列衬底30的滤色器衬底40叠置在一起。阵列衬底30和滤色器衬底40彼此面对地设置,二者间有预定的间隙。在这个间隙中密封有液晶材料。如下面的详细描述,在阵列衬底30和滤色器衬底40面对间隙的表面上能够形成用于驱动液晶材料的各种元件。沿阵列衬底30的两侧形成有用于驱动液晶材料的驱动电路区51和52。
因为阵列衬底30上不包括驱动电路区51和52的面积几乎等于滤色器衬底40的面积,所以当阵列衬底30和滤色器衬底40叠置时,驱动电路区51和52暴露在外部。在这些驱动电路区51和52中,印制电路板经过TAB带载封装连结到液晶显示板20。而且在阵列衬底30和滤色器衬底40中,由双点划线包围的区域代表图象显示区60。
图2是根据本实施例的液晶显示装置10的截面图。
如图2所示,在图中从上面开始列举,液晶显示装置10包括:液晶显示板20,包括一个偏振片41、滤色器衬底40、填充有液晶材料的液晶层42、在一个作为绝缘衬底的玻璃衬底上形成有TFT 31的阵列衬底30、形成在阵列衬底30上的聚合物层32、和形成在聚合物层32上并经聚合物层32电连接到TFT 31的显示电极33;和一个背光单元70,包括一个光导板71和一个光源72。这种液晶显示装置10是一种PFA型液晶显示装置,在聚合物层32上具有显示电极33。
TFT 31的构成如下。在阵列衬底30的上表面上沉积一个栅极绝缘膜314。在此栅极绝缘膜314中形成栅电极311,并且在栅极绝缘膜314上沉积半导体膜315。在作为薄膜晶体管的半导体膜315上,形成源电极312和漏电极313。在源漏电极312和313之间沉积一个蚀刻保护膜316。在源、漏电极312和313上沉积一个保护膜317。
当沿着从源电极312到漏电极313的方向或反方向,把电压施加到栅电极311上时,电子通过半导体膜315,因此形成电流。当向栅电极311施加断态电压时,源电极312和漏电极313被切断。具体地说,栅电极311具有开通和截止作为开关元件的TFT 31的作用。在这种情况下,施加从漏电极313到显示电极33的电压,会因此在显示电极33和形成于滤色器衬底40上的公共电极(未示出)之间产生电场。液晶层42中的液晶材料响应于此电场被驱动。
此处,栅电极311和源、漏电极312和313由金属膜如Al、Ta、MoTa、MoW等组成。另外,显示电极33由透明氧化铟锡(ITO)膜组成。
在阵列衬底上作为非图象显示区并设置有驱动电路区51和52的周围区域上,形成的印制导线经TAB带载封装电连接印制电路板。在本实施例中的印制导线具有下述的三层结构。印制导线34和印制电路板彼此电连接,如参见图8所述。而且在阵列衬底30的周围区域上,邻近印制导线34形成有隔坝35。这种隔坝35由与聚合物层32相同的聚合物材料制成。根据本实施例的液晶显示装置10的特征在于,作为凸起并且厚度大于印制导线34的隔坝35邻近于印制导线34设置。应该注意,虽然为了空间上便利的原因,在图2中只示出一根印制导线34和单个隔坝35,但实际上对于每个邻近的印制导线34都形成一个隔坝35。
接下来将参考图3(a)至3(c)和4(a)至4(c)对阵列衬底30的制造过程进行描述。
首先,在阵列衬底30上沉积一种用于构成栅电极311和印制导线34的金属膜。利用光刻工艺(PEP)形成栅电极311和印制导线34。具体地说,在构成阵列衬底30的玻璃衬底上,通过例如溅射沉积构成栅电极311和印制导线34的金属膜,之后,通过PEP在金属膜上形成图案,如图3(a)所示。作为栅电极311,如上所述,可以采用诸如Ta、MoTa、MoW、Al等金属膜。注意,后面,在印制导线34上堆叠其它的导体材料,构成印制导线34。
形成栅电极311和印制导线34之后,沉积一种用于构成栅极绝缘膜314的膜。作为栅极绝缘膜314,主要使用通过化学气相沉积(CVD)沉积的硅氧化物(SiOx)膜。通过例如CVD法,在用于构成栅极绝缘膜314的膜上沉积一种用于构成半导体膜315的膜。作为半导体膜315,可以采用非晶硅(a-Si)膜。通过例如CVD法,在用于构成半导体膜315的膜上沉积一种用于构成蚀刻保护膜316的膜。作为蚀刻保护膜316,可以采用硅氮化物(SiNx)膜。沉积用于构成蚀刻保护膜316的膜之后,通过PEF形成图案,如图3(b)所示,沉积栅极绝缘膜314、半导体膜315和蚀刻保护膜316。
接下来,通过例如溅射法沉积一种用于形成源、漏电极312和313的金属膜。对于此金属膜,可以采用Ta、MoTa、MoW、Al等金属。沉积金属膜之后,通过PEP法产生图案,如图3(c)所示,形成源、漏电极312和313。在此过程中,保留沉积在印制导线34上的金属膜,并因而形成印制导线342。
接下来,通过例如CVD法沉积用于构成保护先前形成的元件的保护膜317的一种膜,并且之后通过PEP法产生如图4(a)所示的图案,沉积保护膜317。作为保护膜317,可以使用硅氮化物(SiNx)膜。
接下来,如图4(b)所示,形成聚合物层32,该层具有一个穿透到漏电极313的连接孔32b。此聚合物层32可以通过涂敷聚合物溶液、加热、固化和用PEP形成图案等步骤形成。作为构成聚合物层32的聚合物,例如可以采用丙烯酸树脂、环氧树脂和聚乙烯醇。而且,把聚合物层32的厚度设置为小于等于5微米,最好1~5微米。聚合物层32对于此液晶显示装置10构成PFA型液晶显示装置是必不可少的元件。但是,此实施例的特征在于,还在印制导线34之间形成聚合物层32。具体地说,在常规的PFA型液晶显示装置中形成聚合物层32之后,通过PEP法去除印制导线34附近的聚合物层32的同时,在本实施例中保留印制导线34之间的聚合物层32,如图4(b)所示。
接下来,通过溅射法在聚合物层32上沉积构成显示电极33的ITO膜。沉积ITO膜之后,如图4(c)所示通过PEP法进行构图,形成显示电极33。在这种情况下,保留沉积在印制导线342上的ITO膜。保留的ITO膜用作印制导线343,并与构成印制导线341和342的层一起构成印制导线34。
之后,把单独制备的滤色器衬底40通过隔离物和密封剂(二者均未示出)粘结到阵列衬底30上。之后,把液晶材料填充到阵列衬底30和滤色器衬底40之间的间隙中,形成液晶层42。填充液晶材料之后,把偏振片41连结到滤色器衬底40上。根据图2所示本实施例的液晶显示装置10可以通过把先完成的液晶显示板20设置在背光单元70上而获得。
根据本实施例的液晶显示装置10是PFA型液晶显示装置。具体地说,显示电极33形成在聚合物层32上。因此从正面看去,不一定必须提供显示电极33和信号线之间的间隙,提高了液晶显示装置10的孔径比。
另外,根据本实施例的液晶显示装置10允许聚合物层32保留在印制导线34之间。以凸形形状保留的聚合物层32构成隔坝35。图5是阵列衬底30的周围区域的局部透视图,尤其表示用于将液晶显示装置10连接到印制电路板的周围区域。在本实施例中连结液晶显示装置10和印制电路板时可以应用图8所示的常规连结模式。具体地说,印制导线34电连接到TAB带载封装120的输出引线导体123,用于把液晶显示装置10连结到印制电路板。如图5所示,隔坝35设置在这些印制导线34之间。如参考图3和图4的描述,这些隔坝35与形成用于构成PFA型液晶显示装置的聚合物层32同时形成。即本发明的一个优点是,无需任何附加的步骤来形成隔坝35。
下面将参考图6和7对液晶显示装置10和TAB带载封装120的连结方法进行描述。图6表示TAB带载封装120和阵列衬底30彼此连结之前的状态,图7表示彼此连结之后的状态。在图6中,使TAB带载封装120和阵列衬底30成彼此面对,并且使形成在绝缘膜带121下表面上的输出引线导体123和形成在阵列衬底30上的印制导线34成彼此面对。在这种情况下,TAB带载封装120和阵列衬底30之间以预定的间隙隔开,ACF 130设置在其间。ACF 130一般以这样的方式形成:即导体颗粒131散布在热固树脂132中作为连接元件。作为导体颗粒131,可以使用诸如Ni等金属的细粉末和通过包围树脂制成的细粉末沉积金属薄膜而获得的粉末。在输出引线导体123和印制导线34彼此对齐的状态中,TAB带载封装120和阵列衬底30受压并彼此粘合,同时加热ACF 130。然后,热固树脂132被软化并且之后被固化。热固树脂132被软化并流体化,如图7所示,同时热固树脂132填充TAB带载封装120和阵列衬底30之间的间隙,保留在输出引线导体123和印制导线34之间的导体颗粒131实现输出引线导体123和印制导线34之间的电连接。
根据此实施例,设置在印制导线之间的隔坝35实现了下列效果。
首先,可以抑制由于TAB带载封装120的热膨胀所致的输出引线导体123与印制导线34之间的位置失配。具体地说,因为输出引线导体123的运动由于隔坝35的存在而受到限制,所以即使在ACF 130的热压粘合期间构成TAB带载封装120的绝缘膜带121受热膨胀,也可以减少印制导线34和输出引线导体123之间的位置失配。至少不会导致致使对应的印制导线34和输出引线导体123之间电连接困难的位置失配。其次,可以抑制导体颗粒从输出引线导体123和印制导线34之间的空间中逃逸。具体地说,在连结TAB带载封装120和阵列衬底30的过程中,尤其是在ACF 130的热压粘合期间,热固树脂132被软件并流体化,从输出引线导体123和印制导线34之间的空间中流出。在这种情况下,有一些导体颗粒131从输出引线导体123和印制导线34之间的空间中流出。在图9和10所示的常规阵列衬底110中,印制导线111之间什么也没有,因而导体颗粒易于流出。相反,在本实施例的液晶显示装置10中,印制导线34之间形成隔坝35,并且这些隔坝35进入输出引线导体123之间的空间。所以可以抑制导体颗粒131从输出引线导体123和印制导线34之间的空间中流出。
如上所述,隔坝35为实现两个效果起着重要作用:一个是避免输出引线导体123与印制导线的位置失配;另一个是避免导体颗粒131的流出。并且,根据本实施例的液晶显示装置10的最大特点在于,制造具有上述特点的液晶显示装置无需任何附加的步骤。具体地说,无需任何附加步骤,就可以实现避免输出引线导体123与印制导线34的位置失配和避免导体颗粒131的流失这两个效果,同时享有能够增大孔径比的PFA型液晶显示装置的益处,由此产生液晶显示装置10的高分辨率这一优点。
根据本实施例的隔坝35最好以下列的状态设置,以便取得上述效果。第一,关于尺寸,最低条件是,每个隔坝35厚于印制导线34。如果隔坝35薄于印制导线34,则很难获得避免输出引线导体123与印制导线34的位置失配和避免导体颗粒131的流失这两个效果。而且关于隔坝35和导体颗粒131尺寸的关系,每个隔坝35的厚度最好等于或大于导体颗粒131的半径。如果隔坝35薄于导体颗粒131,则在ACF 130的热压粘合过程中导体颗粒131跑到隔坝35上的可能性增大,因而可能不能够充分地取得限制导体颗粒逃逸的效果。另外,关于隔坝35和输出引线导体是23以及导体颗粒131的关系,希望有下列状态。具体地说,每个输出引线导体123的厚度为h2,每个导体颗粒131的半径是d,每个隔坝35的的厚度h1表示为:h1≥h2+d,以便充分取得隔坝35的效果。但是,不希望隔坝35的厚度过分地大。厚度应该设置为等于或小于5微米,最好在1~5微米。隔坝35的厚度如上所述。每个隔坝35的宽度几乎依据于印制导线34的间距。印制导线34的间距依据于液晶显示装置10的分辨率。具体地说,液晶显示装置10的分辨率越高,印制导线34数量增加得越多。根据数量的增加,印制导线34的宽度和间距变窄。近来,印制导线34的间距已经极限地减小到小于或等于80微米,更甚至为等于或小于50微米。在这种情况下,隔坝35的宽度设置为小于80微米、甚至小于50微米的值。
此处,根据发明人的检查,关于利用ACF 130的连结期间导体颗粒131的分布,在连结期间压力和温度固定的状态下,发现有下列情况。应注意,此处提到的孔径比是指,导体颗粒被加热并固化后保留在印制导线34和引线导体123之间的导体颗粒131的数量与假设导体颗粒131不流出时在印制导线34和输出引线导体123之间存在的导体颗粒131的比例。
*导体颗粒131的分布与其在ACF 130中用于连结的密度相关。
*任何颗粒直径能够采取通常的二项式分布。
*当减小印制导线34的面积时,即当缩短间距时,导体颗粒131的捕获率不成线性比例关系。
*基于作为构成ACF 130的粘结剂的树脂粘度,能够改变捕获率和分布。
*导体颗粒131的大小与电连接可靠性无关,而捕获的导体颗粒131的总连结面积影响电连接的可靠性。
本发明人实际测量了捕获率。当印制导线34的间距为120微米时,捕获率为40%。当间距为75微米时,捕获率为30%。当间距为64微米时,捕获率为13%。捕获率如上所述地减小。当间距变窄时,捕获率不显示出线性比例,但与间距近似地成四次曲线。但是本发明人确信,通过设置如本实施例中的隔坝35,甚至在间距变窄到80微米或50微米的情形中也能确保与间距约为120微米的情形相同水平的捕获率。因此,根据本实施例,甚至在间距变窄的液晶显示装置10中,换言之,甚至在具有增强的分辨率的液晶显示装置10中,也能够确保印制导线34和TAB带载封装120的输出引线导体123之间的电连接。而且可以通过获得与ACF 130的导体颗粒131的密度成正比的捕获率,即使印制导线34的间距变化,也能够增强电连接的可靠性。
下列效果也可以通过与形成聚合物层32相同的工艺形成隔坝35而实现。具体地说,根据此实施例,因为聚合物层32存在于阵列衬底30的周围区域,所以,与除去了周围区域中聚合物层32的常规液晶显示板相比,在滤色器衬底40叠置到阵列衬底30上时形成的单元间隙表面内侧的平整度提高了。这有助于提高图象质量。而且,当聚合物层32上形成图案时,受蚀刻的聚合物层32均匀地存在于阵列衬底30的图象显示区和周围区。因此,依赖于区域的蚀刻率的差异降低。相应的结果是,由侧蚀刻代表的图案缺陷的影响范围被减小了。
上述的液晶显示装置10是本发明的一个实施例,并不构成限制本发明的基础。例如,本发明也可以应用到已知的背通道蚀刻型TFT或顶栅型TFT用作TFT的结构。而且虽然采用了包括导体颗粒131的ACF 130,但也可以通过直接连结印制导线34和输出引线导体123而获得二者的电连接。具体地讲,不含有导电颗粒的树脂也能用作连接元件。在这种情况下,输出引线导体123和印制导线34之间电连接的可靠性可以通过避免输出引线导体123与印制导线34的位置失配来保证,这种效果是由隔坝35带来的。另外,关于构成包括栅极电极311、源、漏电极312和313等各个构成部件的材料,可以采用除以上列举的材料以外的材料。并且关于阵列衬底30的制造工艺,也可以采用比图3所示工艺更简单的工艺。
如上所述,根据本发明,可以有效地避免印制导线和输出引线导体之间的位置失配,并且可以确保二者电连接的可靠性。而且,在ACF用于连结的情况下,导体颗粒的捕获率增大,其电连接的可靠性也得以确保。
虽然以上详细描述了本发明的优选实施例,但应该理解,在不脱离本发明由权利要求限定的实质和范围的前提下可以做各种变化、替换和改进。
Claims (14)
1.一种液晶显示板,包括:
一个阵列衬底,具有一个驱动元件,用于驱动在阵列衬底上形成的液晶材料;
一个滤色器衬底,面对所述阵列衬底设置,在所述滤色器衬底和所述阵列衬底之间有特定的间隙;和
一个液晶层,位于所述阵列衬底和所述滤色器衬底之间,
其中,所述阵列衬底包括:
一个具有图象显示区和非图象显示区的绝缘衬底;
所述液晶材料的驱动元件形成在所述绝缘衬底上的所述图象显示区中;
一个覆盖包括所述驱动元件的所述图象显示区的聚合物层;
一个形成在所述聚合物层上并经所述聚合物层电连接到所述驱动元件的显示电极;
形成在绝缘衬底的非图象显示区上的多条印制导线,用于与外界电连接;和
设置在相邻的所述印制导线之间的凸起,该凸起由与所述聚合物层相同的材料制成。
2.如权利要求1所述的液晶显示板,其特征在于,所述凸起的厚度基本上与所述聚合物层相同。
3.如权利要求1所述的液晶显示板,其特征在于,所述凸起的厚度等于或小于5微米。
4.一种制造液晶显示板的方法,该方法包括步骤:
(a)在一个绝缘衬底上,形成液晶材料的驱动元件和多条电连接到外界的印制导线;
(b)在包括所述驱动元件和所述印制导线的所述绝缘衬底上,形成一个聚合物层;
(c)在所述聚合物层中形成一个通到所述驱动元件的通孔,并除去所述印制导线上存在的所述聚合物层;和
(d)形成一个穿过在步骤(c)中形成的通孔的显示电极,以与所述驱动元件电连接。
5.一种液晶显示装置,其中提供有一个形成在绝缘层上的显示电极和一个阵列衬底,所述阵列衬底上包括多条用于与外部电连接的印制导线,所述液晶显示装置包括:
一个液晶显示板,液晶显示板上包括阵列衬底,所述阵列衬底上设有凸起,所述凸起设置于相邻的所述印制导线之间,并由与所述绝缘层相同的材料制成,所述液晶显示板上还包括一个面对所述阵列衬底设置的滤色器衬底和一个设置在所述阵列衬底和所述滤色器衬底之间的液晶层,所述液晶层由液晶材料组成;
一个用于向所述液晶材料提供驱动电压的电路板;和
一个用于电连接电路板和液晶显示板的片状元件,该片状元件具有对应于所述印制导线的输出导体。
6.如权利要求5所述的液晶显示装置,还包括电连接所述印制导线和所述输出导体的导体颗粒,所述导电颗粒夹置在所述印制导线和所述输出导体之间。
7.如权利要求6所述的液晶显示装置,其特征在于,所述凸起的厚度等于或大于所述导体颗粒的半径。
8.如权利要求6所述的液晶显示装置,其特征在于,所述印制导线之间的间隔等于或小于80微米。
9.一种液晶显示装置,包括:
一个包括显示电极和玻璃衬底的液晶显示板,所述显示电极用于向液晶材料施加电压,所述玻璃衬底上形成有多条印制导线,用于所述显示电极和外界之间的电连接;
一个用于向所述液晶材料提供电压的电路板;和
一个用于电连接所述玻璃衬底和所述电路板的片状元件,该片状元件通过连接元件连结到玻璃衬底上,
其中,所述液晶显示板的所述玻璃衬底具有所述显示电极和一个隔坝,所述显示电极设置在形成于所述液晶显示板图象显示区中的聚合物层上,所述隔坝设置在所述图象显示区外侧相邻的所述印制导线之间,由与所述聚合物层相同的材料制成。
10.如权利要求9所述的液晶显示装置,其特征在于,所述片状元件具有多个电连接到所述印制导线的输出导体,和
所述连接元件包含电连接所述印制导线和所述输出导体的导体颗粒。
11.如权利要求10所述的液晶显示装置,其特征在于,所述隔坝的顶部设置在所述输出导体之间,和
在通过所述连接元件进行连接的过程中,所述隔坝避免所述连接元件中存在于所述印制导线和所述输出导体之间的导体颗粒流出所述印制导线和所述输出导体之间的空间,并且防止所述输出导体与所述印制导线由于所述片状元件的热膨胀所致的位置失配。
12.如权利要求10所述的液晶显示装置,其特征在于,如果所述输出导体的厚度为h2,所述导体颗粒的半径为d,则所述隔坝的厚度h1表示为h1之h2+d。
13.一种制造液晶显示装置的方法,其中液晶显示板和用于驱动该液晶显示板的电路板经过带载封装彼此连结,所述液晶显示板包括一个第一绝缘层和多条与外界进行电连接的印制导线,在所述绝缘层的表面上形成有显示电极,该方法包括步骤:
在获得所述液晶显示板的过程中,形成所述第一绝缘层,并在彼此相邻的所述印制导线之间形成一个第二绝缘层;和
通过连接元件连结所述带载封装和所述液晶显示板。
14.一种衬底连接体,包括:
一个第一衬底,包括彼此间有特定空间的多条第一导线和形成在彼此相邻的所述第一导线之间的第一聚合物层,所述第一聚合物层厚度大于所述第一导线,所述第一衬底还包括第二聚合物层,所述第二聚合物层覆盖的区域不同于上面形成有所述第一导线和所述第一聚合物层的区域,所述第二聚合物层由与所述第一聚合物层相同的材料形成;
一个第二衬底,包括多条电连接到所述第一导线的第二导线;和
一个机械连结所述第一衬底和所述第二衬底的连接元件层。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP351792/00 | 2000-11-17 | ||
JP2000351792A JP2002169172A (ja) | 2000-11-17 | 2000-11-17 | 液晶表示パネル、液晶表示パネルの製造方法、液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法および基板の接合体 |
JP351792/2000 | 2000-11-17 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1354379A true CN1354379A (zh) | 2002-06-19 |
CN1184509C CN1184509C (zh) | 2005-01-12 |
Family
ID=18824789
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB011379170A Expired - Lifetime CN1184509C (zh) | 2000-11-17 | 2001-11-05 | 液晶显示板、液晶显示装置及制造方法、衬底连接体 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20020071087A1 (zh) |
JP (1) | JP2002169172A (zh) |
KR (1) | KR20020038477A (zh) |
CN (1) | CN1184509C (zh) |
TW (1) | TW550426B (zh) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1937189B (zh) * | 2005-09-20 | 2011-05-04 | 安华高科技Ecbuip(新加坡)私人有限公司 | 用于将滤光器附加到包封后的封装的方法 |
CN101762892B (zh) * | 2008-12-25 | 2011-12-21 | 上海天马微电子有限公司 | 测试元件、测试元件组、液晶面板及间隙子高度检测方法 |
CN103325740A (zh) * | 2012-03-23 | 2013-09-25 | 精材科技股份有限公司 | 晶圆堆栈结构及方法 |
CN105487316A (zh) * | 2016-01-19 | 2016-04-13 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板及液晶显示装置 |
CN111384108A (zh) * | 2018-12-28 | 2020-07-07 | 乐金显示有限公司 | 具有通孔的显示装置 |
CN111463229A (zh) * | 2020-04-09 | 2020-07-28 | 业成科技(成都)有限公司 | 微型led显示面板及电子设备 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20050093606A (ko) * | 2004-03-20 | 2005-09-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
JP2006133259A (ja) * | 2004-11-02 | 2006-05-25 | Seiko Epson Corp | 実装構造体、電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器 |
KR100684726B1 (ko) * | 2005-09-27 | 2007-02-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 장치 |
TW200712684A (en) * | 2005-09-30 | 2007-04-01 | Innolux Display Corp | Liquid crystal display module |
KR100742376B1 (ko) | 2005-09-30 | 2007-07-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 패드부 및 그 제조 방법 |
WO2007039960A1 (ja) * | 2005-10-05 | 2007-04-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | 配線基板及びそれを備えた表示装置 |
JP5247615B2 (ja) * | 2009-07-13 | 2013-07-24 | 株式会社ジャパンディスプレイウェスト | 横電界方式の液晶表示装置 |
KR101659128B1 (ko) * | 2013-09-30 | 2016-09-22 | 제일모직주식회사 | 이방성 도전 필름 및 이를 이용한 반도체 장치 |
US10591788B2 (en) * | 2017-07-10 | 2020-03-17 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Array substrate and liquid crystal display panel |
KR102403737B1 (ko) * | 2018-05-23 | 2022-05-31 | 삼성전자주식회사 | 집적회로 장치 및 그 제조 방법 |
US20240251618A1 (en) * | 2021-06-21 | 2024-07-25 | Sharp Display Technology Corporation | Display device |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04132640A (ja) * | 1990-09-21 | 1992-05-06 | Seiko Epson Corp | ガラス基板 |
KR19980057641A (ko) * | 1996-12-30 | 1998-09-25 | 손욱 | 액정표시소자 |
US5903056A (en) * | 1997-04-21 | 1999-05-11 | Lucent Technologies Inc. | Conductive polymer film bonding technique |
JPH11186684A (ja) * | 1997-12-19 | 1999-07-09 | Ricoh Co Ltd | ヒートシール接続物およびヒートシール接続方法 |
US5975922A (en) * | 1998-03-09 | 1999-11-02 | Lucent Technologies Inc. | Device containing directionally conductive composite medium |
KR100345959B1 (ko) * | 1999-09-15 | 2002-08-01 | 삼성전자 주식회사 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
-
2000
- 2000-11-17 JP JP2000351792A patent/JP2002169172A/ja active Pending
-
2001
- 2001-11-02 KR KR1020010068069A patent/KR20020038477A/ko not_active Application Discontinuation
- 2001-11-05 CN CNB011379170A patent/CN1184509C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-13 TW TW090128117A patent/TW550426B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-11-16 US US09/683,092 patent/US20020071087A1/en not_active Abandoned
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1937189B (zh) * | 2005-09-20 | 2011-05-04 | 安华高科技Ecbuip(新加坡)私人有限公司 | 用于将滤光器附加到包封后的封装的方法 |
CN101762892B (zh) * | 2008-12-25 | 2011-12-21 | 上海天马微电子有限公司 | 测试元件、测试元件组、液晶面板及间隙子高度检测方法 |
CN103325740A (zh) * | 2012-03-23 | 2013-09-25 | 精材科技股份有限公司 | 晶圆堆栈结构及方法 |
US9196589B2 (en) | 2012-03-23 | 2015-11-24 | Xintec Inc. | Stacked wafer structure and method for stacking a wafer |
CN103325740B (zh) * | 2012-03-23 | 2016-06-08 | 精材科技股份有限公司 | 晶圆堆栈结构及方法 |
CN105487316A (zh) * | 2016-01-19 | 2016-04-13 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板及液晶显示装置 |
CN111384108A (zh) * | 2018-12-28 | 2020-07-07 | 乐金显示有限公司 | 具有通孔的显示装置 |
CN111384108B (zh) * | 2018-12-28 | 2023-09-05 | 乐金显示有限公司 | 具有通孔的显示装置 |
CN111463229A (zh) * | 2020-04-09 | 2020-07-28 | 业成科技(成都)有限公司 | 微型led显示面板及电子设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20020071087A1 (en) | 2002-06-13 |
JP2002169172A (ja) | 2002-06-14 |
TW550426B (en) | 2003-09-01 |
KR20020038477A (ko) | 2002-05-23 |
CN1184509C (zh) | 2005-01-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1184509C (zh) | 液晶显示板、液晶显示装置及制造方法、衬底连接体 | |
CN1292290C (zh) | 与膜型触摸板结合的液晶显示装置的制造方法 | |
CN1306333C (zh) | 显示基板及具有该基板的液晶显示器 | |
CN1196958C (zh) | 液晶显示装置 | |
CN101806982B (zh) | 液晶显示器件和使用该器件的电子装置及其制造方法 | |
CN1361512A (zh) | 液晶显示器 | |
CN1716066A (zh) | 液晶显示器件及其制造方法 | |
CN1501129A (zh) | 用于液晶显示器的面板及其制造方法 | |
CN101075050B (zh) | 液晶显示器及其制造方法 | |
CN1266199A (zh) | 液晶显示板 | |
CN1237383C (zh) | 液晶显示装置 | |
CN1800957A (zh) | 有源矩阵显示装置及其制造方法 | |
CN1892331A (zh) | 显示面板及制造方法 | |
CN1900776A (zh) | 液晶显示装置及其制造方法 | |
CN1570718A (zh) | 接合芯片与其它装置于液晶显示面板上的方法及显示装置 | |
CN1811864A (zh) | 平板显示器及其制造方法 | |
JP3025256B1 (ja) | 表示パネルへのtcpフィルムの実装方法 | |
WO2011043621A2 (ko) | 제 1 기판 시트, 제 1 기판 시트를 구비한 액정 패널 및 그 제조 방법 | |
CN1819171A (zh) | 信号传输薄膜、显示装置及其制造方法 | |
KR101324243B1 (ko) | 도전성 실런트와 이를 사용하는 액정표시장치용 액정패널 | |
CN1374635A (zh) | 电光装置和电子装置 | |
JPH09113922A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
CN1696805A (zh) | 有源矩阵基板及其制造方法 | |
CN1585589A (zh) | 电路基板 | |
CN1866114A (zh) | 显示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C56 | Change in the name or address of the patentee |
Owner name: YOUDA PHOTOELECTRIC CO., LTD. Free format text: FORMER NAME OR ADDRESS: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINE CORP. |
|
CP03 | Change of name, title or address |
Address after: Taiwan, China Patentee after: AU Optronics Corporation Address before: American New York Patentee before: International Business Machines Corp. |
|
CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20050112 |
|
CX01 | Expiry of patent term |