CN1819171A - 信号传输薄膜、显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了可以提高正品率的信号传输薄膜、具有该信号传输薄膜的显示装置及其制造方法。信号传输薄膜具有基底薄膜、位于基底薄膜上的引线及保护引线的钝化层。钝化层由与引线第一端部邻接的凹凸线形成。引线将在基底薄膜弯曲时集中到与形成钝化层的部分和引线露出的部分边界部的压力向多个方向分散。从而，信号传输薄膜防止引线由于压力而沿着钝化层的端部截断。

Description

信号传输薄膜、显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及信号传输薄膜、具有该信号传输薄膜的显示装置及其制造方法，具体地说，涉及提高产品正品率的信号传输薄膜、具有该信号传输薄膜的显示装置及其制造方法。
背景技术
一般而言，响应来自外部的图像信号显示图像的液晶显示器是平板显示装置的一种，其利用液晶光学特性来显示图像。
液晶显示器包括利用光显示图像的液晶显示面板及向液晶显示面板提供光的背光源组件。在液晶显示面板源极侧附着有数据侧带载封装(Tape Carrier Package，TCP)，在栅极侧附着有栅极及栅极侧TCP。数据侧TCP及栅极侧TCP产生对应于图像信号的驱动信号及定时信号并将其提供到液晶显示面板。
图1是传统的TCP的立体图。
参照图1，TCP 100包括容易弯曲的具有柔软性的基底(base)薄膜110、在基底薄膜110上制作导电性材料布线图样并传输电信号的引线120、在形成引线120的基底薄膜110上形成并保护引线120的钝化层130、以及安装在基底薄膜110中央部的与引线120电连接的半导体芯片140。
在基底薄膜110的第一端部及与第一端部面对的第二端部除去钝化层130，以露出引线120的第一端部。与引线120的第一端部邻接的钝化层130的端部呈直线形。
一般而言，基底薄膜110的第一端部附着于印刷电路基板，第二端部附着于液晶显示面板。TCP 100沿着容纳液晶显示面板的容纳容器侧壁弯曲，印刷电路基板位于容纳容器背面。
TCP 100的钝化层130所在部分的斜度比无钝化层130的第一及第二端部的斜度相对高。
因此，若基底薄膜110沿着容纳容器侧壁弯曲，则在形成钝化层130的区域和未形成钝化层130的区域，即在露出引线120的端部的区域之间边界部集中压力(stress)。
压力的方向与施加压力的方向彼此垂直，因此压力为沿着钝化层130的端部。由此，沿着钝化层130的端部接触的边界部截断引线120。
像这样，若因为截断了压力TCP 100的引线120，则液晶显示面板从TCP 100不能接收驱动信号及定时信号，因此液晶显示器不能显示正常的图像。
发明内容
本发明的目的在于提供防止引线截断以提高正品率的信号传输薄膜。
而且，本发明的另一目的在于提供具有该信号传输薄膜的显示装置。
而且，本发明的另一目的在于提供制造该信号传输薄膜的方法。
本发明的信号传输薄膜由基底薄膜、引线及钝化层组成。
在基底薄膜上安装半导体芯片。引线形成在基底薄膜上，并与半导体芯片电连接，以与半导体芯片彼此接送信号。在形成引线的基底薄膜上的钝化层保护引线，并具有从端部突出的突起部。
而且，本发明显示装置由显示面板、印刷电路基板及信号传输薄膜组成。
显示面板显示对应于图像信号的图像。印刷电路基板产生图像信号。信号传输薄膜与印刷电路基板及显示面板电连接。信号传输薄膜具有基底薄膜、引线及钝化层。在基底薄膜上安装产生对应于图像信号的驱动信号的半导体芯片。引线形成在基底薄膜上，并与半导体芯片电连接，并从半导体芯片接收驱动信号以将其提供到液晶显示面板，将从印刷电路基板接收到的图像信号传送到半导体芯片。钝化层形成在除了引线的端部之外的区域，以在基底薄膜上露出引线的端部。
而且，根据本发明的信号传输薄膜制造方法，首先，在基底薄膜上形成由导电性金属材料组成的引线。在除了引线端部所在的区域之外的区域形成钝化层，以在形成引线的基底薄膜上露出引线的端部。与露出的引线端部邻接的钝化层边界线形成凹凸线。在形成钝化层的基底薄膜上安装与引线电连接的半导体芯片。
根据具有该信号传输薄膜的显示装置及其制造方法，突起部可以防止由基底薄膜弯曲而产生的压力从信号传送薄膜的两侧部沿着钝化层的端部集中到中央部，因此可以防止沿着钝化层的端部截断引线。
附图说明
图1是传统带载封装的立体图；
图2是根据本发明一实施例的信号传输薄膜的立体图；
图3是沿着图2截断线I-I′截取的截面图；
图4是图2A所示的A部分的扩大平面图；
图5是根据本发明一实施例的信号传送薄膜的制造过程的流程图；
图6是根据本发明一实施例的液晶显示装置的分解立体图；
图7是图6示出的显示面板组件的立体图；
图8是沿着图6的截断线II-II′截取的截面图。
具体实施方式
下面参照附图详细说明根据本发明的优选实施例的液晶显示器。
图2是根据本发明一实施例的信号传输薄膜的立体图。
参照图2，根据本发明实施例的信号传输薄膜200包括基底薄膜210、形成在基底薄膜210上的第一及第二引线220、230、其输出端子与第一及第二引线220、230电连接并在基底薄膜210上安装的半导体芯片240、保护第一及第二引线220、230的钝化层250、以及将半导体芯片240附着于基底薄膜210的粘合树脂260。
基底薄膜210由聚酰亚胺(Polyimide)等软性材料组成。
形成在基底薄膜210上的第一及第二引线220、230由诸如铜(Cu)的导电性材料组成，其与半导体芯片240电连接，并传输半导体芯片240输出/输入的信号。第一引线220以半导体芯片240为中心，位于面对第二引线230处。第一引线220从半导体芯片240向基底薄膜210的第一端部E1延伸而形成，第二引线230从半导体芯片240向面对基底薄膜210的第一端部E1的第二端部E2延伸而形成。
第一引线220是将从外部接收的信号向半导体芯片传输的输入引线，第二引线230是将从半导体芯片240输出的信号输出到外部装置的输出引线。
在具有第一及第二引线220、230的基底薄膜210上形成保护第一及第二引线220、230的钝化层250。钝化层250形成在除了基底薄膜210的第一及第二端部以外的区域，以露出第一及第二引线220、230与外部装置连接的端部。
位于基底薄膜210的第一端部E1的第一引线220端部及位于第二端部E2的第二引线230端部与液晶显示器等外部电连接。
钝化层250由露出第一及第二引线220、230的端部和凹凸线251组成，该凹凸线251的边界部由凹部和凸起部组成。
钝化层250由有机材料组成，并通过丝网印刷法(silkscreen)形成。
半导体芯片240通过粘合树脂260安装在基底薄膜210上。粘合树脂260夹置于半导体芯片240和基底薄膜210之间，并围绕半导体芯片240侧面的预定区域。
图3是沿着图2的截断线I-I′截取的截面图。
参照图3，在基底薄膜210上依次形成第一及第二引线220、230及钝化层250。与半导体芯片240电连接的第一及第二引线220、230的衬垫部位于基底薄膜210的中央部。钝化层250形成在除了基底薄膜210的中央部以外的区域，以使第一及第二引线220、230的衬垫部露出。
在半导体芯片240背面形成与第一及第二引线220、230电连接的第一及第二泵241、242。第一泵241分别与第一引线220的衬垫部电连接，第二泵242分别与第二引线230的衬垫部电连接。
将半导体芯片240固定在基底薄膜210的粘合树脂260上，该粘合树脂围绕半导体芯片240，覆盖邻接半导体芯片240的钝化层250的预定区域。
图4是图2所示的A部分的扩大平面图。
参照图2及图4，凹凸线251与露出的第一引线220的第一端部邻接。在本实施例中，凹凸线251的凸起部及凹部可以呈半圆形或四角、椭圆形及三角形等多种形状。
基底薄膜210由柔软性薄膜材料组成，因此可以自由变形，也可以容纳到狭小的容纳空间。因此，信号传输薄膜200弯曲容纳到容纳容器侧壁等。此时，基底薄膜210以其中央部容纳第一及第二端部E1、E2弯曲的形态。
像这样，若弯曲基底薄膜210，则压力S集中在与钝化层250端部和第一引线220结合的边界部。
即，在基底薄膜210的第一及第二端部E1、E2不具有钝化层250，因此基底薄膜210的第一及第二端部E1、E2的斜度低于其它区域。因此压力集中在基底薄膜210斜度有变化的地点，即集中在与钝化层250端部和第一引线220结合的边界部。
压力S的方向与施加压力的方向彼此相反，因此，压力S在基底薄膜210两侧部向中央部作用。
压力S沿着钝化层250的凹凸线251分为两个成分，即分为向钝化层250端部侧方向S1的成分、与端部侧方向S1相反方向S2的成分。
即，钝化层250将压力沿着凹凸线251分散为多个方向成分。从而，可以防止第一引线220沿着钝化层250端部截断的现象。
虽然图中未示出，同样地，凹凸线251也形成在露出的第二引线230的第一端部与钝化层结合的边界部。若基底薄膜210被弯曲，则压力集中在形成钝化层250的区域和未形成钝化层250的区域，即集中在第二引线230的第二端部和钝化层250之间。
集中在与第二引线230和钝化层250端部结合的边界部的压力沿着凹凸线251向多个方向分散。结果，信号传输薄膜200防止第二引线230由压力沿着钝化层250端部截断的现象。
图5是根据本发明一实施例的信号传送薄膜的制造过程的流程图。
参照图2及图5，在基底薄膜210上形成导电性金属层，对导电性金属层进行制作布线图样并形成第一及第二引线220、230(程序S110)。
在形成第一及第二引线220、230的基底薄膜210上利用丝网印刷法涂布由光刻胶(Resist)组成的有机材料，以形成钝化层250。
在基底薄膜210的第一及第二端部E1、E2处除去钝化层250，以露出第一及第二引线220、230的第一端部，并且除去中央部以露出第一及第二引线220、230的沉淀部。露出的第一及第二引线220、230相邻的钝化层250的端部形成凹凸线251。
在形成钝化层250的基底薄膜210上安装半导体芯片240(程序S130)。半导体芯片240安装在基底薄膜210的中央部，与露出的衬垫部电连接。
图6是根据本发明一实施例的液晶显示装置的分解立体图。
参照图6，根据本发明的液晶显示器包括利用光显示图像的显示面板组件300、产生光的背光源组件400、容纳显示面板组件300及背光源组件的容纳容器500、以及引导显示面板组件300位置的顶盘600。
更详细地说，显示面板组件300包括根据接收光响应图像信号以显示图像的液晶显示面板310、向液晶显示面板传输图像信号的数据侧及栅极侧信号传输薄膜320、330、以及产生图像信号的数据侧及栅极侧印刷电路基板340、350。
将参照图7对显示面板组件300的组成进行具体说明。
另外，显示面板组件300的下面具有向液晶显示面板310提供均匀光的背光源组件400。
背光源组件400包括产生光的第一及第二灯单元410、420、引导光以提供到液晶显示面板310的导光板430、使光灰度均匀的光学薄片440、以及反射光的反射薄片450。
具体地说，第一及第二灯单元410、420响应来自外部的电源产生光。第一灯单元410位于面对导光板430的第一侧面的第二侧面。
在本实施例中，第一及第二灯单元410、420具有相同的结构。因此下面对第一灯单元结构进行详细地说明，并且省略第二灯单元420的结构。
第一灯单元410具有产生光的至少一个第一灯411及来自第一灯411的光反射到导光板430侧的第一反射板412。
注入放电气体的第一灯411在其内部涂布荧光材料，并从外部接收电源，以产生光。
第一灯反射板412沿第一灯411的长度方向延伸而形成，其围绕第一灯411的一部分，导光板430侧是开口的。
在第一灯单元410和第二灯420之间具有导光板430。导光板430改变从第一及第二灯单元入射的光的路径，并将光提供到液晶显示面板310。
在导光板430上部具有光学薄片440。光学薄片440提高光特性，例如增加灰度及提高灰度均匀性，并提高到光学薄片310。为此，光学薄片440具有多种光学薄片，例如扩散光的扩散薄片、聚光的棱镜等。
在导光板430的下面具有反射薄片450。反射薄片450将从导光板430泄漏的光反射到导光板430侧，以提高利用光的效率。
液晶显示面板310及背光源组件400容纳到容纳容器500。具有安装背光源组件400的底盘410、以及从底盘410边缘延伸的侧壁420。
在液晶显示面板310的上部具有顶盘600。顶盘600具有开口的上面610及从上面610边缘延伸的侧壁620。顶盘600覆盖除了显示图像的液晶显示面板310显示区域以外的边缘区域，与容纳容器500结合以将液晶显示面板310固定在容纳容器500中。
图7是图6示出的显示面板组件的立体图。
参照图7，液晶显示面板310包括薄膜晶体管(下面称为TFT)基板311、面对TFT基板311结合的滤色器基板312、以及夹置于TFT基板311和滤色器基板312之间的液晶层(未示出)。
TFT基板311具有矩阵形式的像素(未示出)。各个像素具有向第一方向延伸的栅极线(未示出)、向与第一方向垂直的第二方向延伸并与栅极线交叉的数据线(未示出)、以及像素电极。各个像素具有与栅极线及数据线连接并作为控制元件的TFT。
滤色器312通过薄膜工艺形成，其具有利用光产生预定颜色的RGB色像素(未示出)以及形成在RGB色像素上与像素电极面对的共电极。
在TFT基板311和滤色器基板312之间填充液晶层。液晶层通过形成在与像素电极和共电极之间的电场而向特定方向排列，以调整从背光源组件200提供的光的透射度。
液晶显示面板310的源极侧附着数据侧信号传输薄膜320，在栅极侧附着栅极侧信号传输薄膜330。数据侧信号传输薄膜320及栅极侧信号传输薄膜330利用薄膜状粘合剂的各向异性导电薄膜(Anisotropic Conductive Film，ACF)附着于液晶显示面板310。
数据侧信号传输薄膜320与数据线电连接。在本实施例中，数据侧信号传输薄膜320具有第一至第四数据侧信号传输薄膜321、322、323、324。数据侧信号传输薄膜320的数量随着液晶显示面板310的尺寸变化而减少或增加。
第一至第四数据侧信号传输薄膜321、322、323、324从数据侧印刷电路基板接收图像信号，并将驱动液晶显示面板310的驱动信号及数据信号传输到液晶显示面板310。
栅极侧信号传输薄膜330与栅极线电连接。在本实施例中，栅极侧信号传输薄膜330由第一至第三栅极侧信号传输薄膜331、332、333组成。栅极侧信号传输薄膜330的数量随着液晶显示面板310的尺寸变化而增加或减少。
第一至第三栅极侧信号传输薄膜331、332、333从栅极侧印刷电路基板350接收图像信号，将驱动液晶显示面板310的驱动信号及栅极信号传输到液晶显示面板310。
第一至第四数据侧信号传输薄膜321、322、323、324及第一至第三栅极侧信号传输薄膜331、332、333具有相同的结构。因此，将第一数据侧信号传输薄膜321作为示例对第一至第四数据侧信号传输薄膜321、322、323、324及第一至第三栅极侧信号传输薄膜331、332、333进行说明，省略对第二至第四数据侧信号传输薄膜322、323、324及第一至第三栅极侧信号传输薄膜331、332、333的说明。
第一数据侧信号传输薄膜321具有与图2示出的信号传输薄膜200相同的结构。因此省略对与信号传输薄膜200具有相同功能的结构的具体说明。
第一数据侧信号传输薄膜321包括具有柔软性的基底薄膜321a、形成在基底薄膜321a上的第一及第二引线321b、321c、安装在基底薄膜321a的中央部并产生对应于图像信号的驱动信号及定时信号的半导体芯片321d、保护第一及第二引线321b、321c的钝化层321e、以及将半导体芯片321d附着于基底薄膜321a的粘合树脂321f。
第一引线321b与数据侧印刷电路基板340电连接，并从数据侧印刷电路基板340接收图像信号。第一引线321b将图像信号传送到半导体芯片321c。
第一数据侧信号传输薄膜321的第二引线321c与液晶显示面板310的TFT基板311电连接。第二引线321c从半导体芯片321d接收驱动信号及定时信号，并传送到TFT基板311。
在基底薄膜321a中央部的半导体芯片321d利用粘合树脂321f与基底薄膜321a、钝化层321e结合。
在形成第一及第二引线321b、321c的基底薄膜321a上的钝化层保护第一及第二引线321b、321c。钝化层321e形成凹凸线321g，以使与液晶显示面板310邻接的端部及与数据线侧印刷电路基板340邻接的端部防止第一及第二引线321b、321c截断。
另外，第一至第三栅极侧信号传输薄片331、332、333的第一引线与栅极侧印刷电路基板350电连接，并从栅极侧印刷电路基板350接收图像信号。
第一至第三栅极侧信号传输薄膜331、332、333的第二引线与液晶显示面板310电连接，从第一至第三栅极侧信号传输薄膜331、332、333的半导体芯片接收驱动信号及栅极信号，并将其提供到液晶显示面板310。
图8是沿着图6的截断线II-II′截取的截面图。
参照图7及图8，在容纳容器500的底面510依次安装反射板450、导光板430及光学薄片440。第二灯421及第二灯反射板422，其容纳在与导光板430和容纳容器500侧壁之间形成的空间中。
形成在容纳容器500的侧壁520的钩件521上安装液晶显示面板310。在液晶显示面板310上部面及下部面分别附着将使光向特定方向偏光的第一及第二偏光板360、365。
附着在液晶显示面板110的源极侧的第一数据侧信号传送薄膜321沿着容纳容器侧壁弯曲，与第一数据侧信号传输薄膜321连接的数据侧印刷电路基板340位于容纳容器500的背面。
具体地说，位于第一数据侧信号传输薄膜321的基底薄膜321a在附着于TFT基板311的状态下沿着侧壁520弯曲。安装在第一数据侧信号传输薄膜321的半导体芯片321d位于容纳容器500的侧壁520和顶盘620之间。
基底薄膜321a沿着侧壁520弯曲，因此使容纳容器500的侧壁520向定盘600的侧壁620侧弯曲且突出。位于钝化层321e的凹凸线321g位于容纳容器500的侧壁520的边角侧。
像这样，若使基底薄膜321a弯曲，则压力集中在钝化层321e端部和第一引线321b结合的边界部及钝化层321e端部和第二引线321c结合的边界部。
压力沿着形成在第一数据侧信号传输薄膜321的凹凸线321g向多个方向分散。从而，第一数据侧信号传输薄膜321防止第一及第二引线321b、321c由于压力而沿着钝化层321e的端部截断。
发明效果
如上所述，信号传输薄膜具有保护第一及第二引线的钝化层。钝化层由与外部装置连接的第一及第二引线端部的边界线组成，即第一及第二引线的端部邻接的钝化层端部形成凹凸线。信号传输薄膜沿着容纳容器侧壁弯曲而产生的压力沿着钝化层的凹凸线向多个方向分散。因此，信号传输薄膜防止沿着钝化层端部的引线截断，从而提高正品率。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
符号说明
200：带载封装            300：显示面板组件
400：背光源组件          500：容纳容器
600：顶盘

Claims (10)

1.一种信号传输薄膜，其包括：
基底薄膜，安装在半导体芯片上；
引线，形成在所述基底薄膜上，并且与所述半导体芯片电连接，与所述半导体芯片彼此接送信号；以及
钝化层，位于形成所述引线的所述基底薄膜上，形成在除了所述引线端部以外的区域，以露出所述引线端部，由所述引线露出的端部边界线的凹凸线组成，所述凹凸线由凸起部和凹部组成。
2.根据权利要求1所述的信号传输薄膜，其特征在于，所述凹凸线沿着所述钝化层的所述端部连续形成。
3.根据权利要求1所述的信号传输薄膜，其特征在于，所述钝化层由有机层组成。
4.根据权利要求1所述的信号传输薄膜，其特征在于，所述凸起部及所述凹部由半圆形、四角形、以及三角形中的一种形状形成。
5.一种显示装置，其包括：
显示面板，显示对应于图像信号的图像；
印刷电路基板，产生所述图像信号；以及
信号传输薄膜，其具有：基底薄膜，安装对应于所述图像信号的驱动信号的半导体芯片；引线，形成在所述基底薄膜上，与所述半导体芯片电连接，并从所述半导体芯片接收所述驱动信号，将其提供到液晶显示面板，以及从所述印刷电路基板接收所述图像信号并将其传送到所述半导体芯片；以及钝化层，位于形成所述引线的所述基底薄膜上并保护所述引线，形成在除了所述引线端部以外的区域以露出所述引线端部，由所述露出的引线端部边界线的凹凸线形成，所述凹凸线由凸起部和凹部组成，所述印刷电路基板及所述显示面板电连接。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述凹凸线沿着所述钝化层的所述端部连续形成。
7.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，进一步包括容纳所述显示面板的容纳容器。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，所述信号传输薄膜沿着所述容纳容器侧壁弯曲，所述印刷电路基板位于所述容纳容器的背面。
9.一种信号传输薄膜制造方法，其包括如下步骤：
在基底薄膜上形成由导电性金属材料组成的引线；
在除了所述引线端部所在的区域以外的区域形成钝化线，使在形成所述引线的所述基底薄膜上露出所述引线端部，与露出的引线端部邻接的所述钝化层边界线形成凹凸线；以及
在形成所述钝化层的所述基底薄膜上安装与所述引线电连接的半导体芯片。
10.根据权利要求9所述的信号传输薄膜制造方法，其特征在于，所述钝化层通过利用丝网印刷法在形成所述引线的所述基底薄膜上涂布有机材料而形成。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107924880A (zh) * 2015-11-27 2018-04-17 京瓷株式会社 电子部件搭载用封装体以及电子装置
CN111627884A (zh) * 2019-02-28 2020-09-04 弗劳恩霍夫应用研究促进协会 3d柔性箔封装

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101352344B1 (ko) * 2006-09-13 2014-01-15 삼성디스플레이 주식회사 신호전송 부재 및 이를 갖는 표시장치
KR101446343B1 (ko) * 2007-06-08 2014-10-02 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자
US8561456B2 (en) * 2008-09-12 2013-10-22 The Boeing Company Fluid detection with a spectrometer-on-a-chip
JP2011253979A (ja) * 2010-06-03 2011-12-15 Sumitomo Electric Printed Circuit Inc プリント配線板の接続構造、配線板接続体及び電子機器
KR102560325B1 (ko) * 2016-01-08 2023-07-28 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 터치 스크린 패널 및 플렉서블 터치 스크린 패널을 포함하는 플렉서블 표시 장치
JP6205031B2 (ja) * 2016-08-03 2017-09-27 シャープ株式会社 電子機器及び電子機器の製造方法
KR20220034984A (ko) * 2020-09-11 2022-03-21 삼성디스플레이 주식회사 인쇄 회로 기판, 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3611061A (en) * 1971-07-07 1971-10-05 Motorola Inc Multiple lead integrated circuit device and frame member for the fabrication thereof
JPS5519015Y2 (zh) * 1974-08-05 1980-05-06
JPS55129472U (zh) * 1979-03-07 1980-09-12
JPS63170982U (zh) * 1987-04-24 1988-11-07
JPH03230595A (ja) * 1990-02-05 1991-10-14 Nitto Denko Corp フレキシブルプリント基板
JPH11346048A (ja) * 1998-06-01 1999-12-14 Casio Comput Co Ltd フレキシブル配線基板
JP3425917B2 (ja) * 1999-12-27 2003-07-14 シャープ株式会社 Ｔｃｐ半導体装置
JP3875569B2 (ja) * 2002-02-06 2007-01-31 セイコーインスツル株式会社 表示装置の製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107924880A (zh) * 2015-11-27 2018-04-17 京瓷株式会社 电子部件搭载用封装体以及电子装置
CN107924880B (zh) * 2015-11-27 2020-11-24 京瓷株式会社 电子部件搭载用封装体以及电子装置
CN111627884A (zh) * 2019-02-28 2020-09-04 弗劳恩霍夫应用研究促进协会 3d柔性箔封装
CN111627884B (zh) * 2019-02-28 2023-12-05 弗劳恩霍夫应用研究促进协会 3d柔性箔封装

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