CN1315129C - 磁头装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种能够改进滑块和支撑部件间的导通性，能够抑制设在上述滑块上的记录及/或再生用的薄膜元件的静电破坏的磁头装置及其制造方法，在通过装置(42)在滑块的滑块接合面上涂布导电性树脂后，再通过装置(42)对上述导电性树脂(40)下的绝缘层(41)外加电压。由此破坏上述绝缘层(41)的绝缘。因此，使上述导电性树脂膜(40)和上述舌片(24a)间的导通性良好，由此提供一种可提高支撑部件和滑块间的导通性，与以往相比，能够有效抑制薄膜元件的静电破坏(ESD)的磁头装置。

Description

磁头装置及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种搭载在硬盘装置等上的磁头装置，特别涉及一种能够使滑块和支撑部件间的导通性良好的、能够抑制设在上述滑块上的记录用及/或再生用的薄膜元件的静电破坏的磁头装置及其制造方法。

背景技术

搭载在硬盘装置等上的磁头装置例如以图21所示的构成来形成。

上述磁头装置，构成具有滑块1和支撑该滑块1的支撑部件2。

上述滑块1由陶瓷材料等形成。此外，如图21所示，在滑块1的后端侧(trailing)设置记录用及/或再生用的薄膜元件。

上述支撑部件2由载梁4和柔性架5构成，上述载梁4由不锈钢等板簧材料构成，在其顶端附近两侧形成折弯部4a，该部分形成为具有刚性的结构。此外，在未图示的上述载梁4的基部，形成能够发挥规定的弹性按压力结构。

如图21所示，在上述载梁4的顶端附近，形成朝上述柔性架5方向突出的枢轴6，在该枢轴6上介由上述柔性架5接触滑块1。

上述柔性架5例如由固定部5a和舌片5b构成。上述固定部5a和舌片5b在后端侧相连结，但是上述舌片5b，除了与上述固定部5a的连接部外均与上述固定部5a分离，其前端侧(leading)形成自由端。上述固定部5a用粘接剂等接合在上述载梁4的背面，另外，舌片5b以自由状态配置在上述枢轴6的下方，在上述舌片5b的下方介由粘接层8接合上述滑块1。

夹在上述舌片5b和上述滑块1之间的粘接层8，例如由热硬化性粘接剂或导电性树脂等构成。

这里，使上述导电性树脂夹在上述舌片5b和上述滑块1间的理由，是因为：通过摩擦等在上述滑块1上产生的静电介由上述导电性树脂放出到支撑部件2侧。

图22是表示在上述舌片5b上接合上述滑块1前的阶段的部分放大剖视图。

如图22所示，在上述舌片5b上，局部涂布导电性树脂膜9，在上述舌片5b上也涂布未图示的热硬化性树脂等后，在上述舌片5b上载置上述滑块1，然后，进行加热处理等，将上述滑块1接合在上述舌片5b上。

如图22所示，在上述舌片5b上设置由自然氧化等形成的绝缘层10。因此，上述导电性树脂膜9能够涂布在上述绝缘层上。

此处，有关记载上述导电性树脂的文献列举如下。

专利文献1：JP特开平9-22518号公报

专利文献2：JP特开2002-343048号公报

可是，如果根据后述的试验，发现：即使在上述滑块1和支撑部件2之间外加例如0.5V以下的低电压，此时的电阻值也显示高达几MΩ的非常高的值，即上述滑块1和支撑部件2之间的导通性非常不好。

这是因为：如图22所示那样在上述舌片5b上设置有绝缘层10。因此，即使在上述舌片5b和滑块1之间夹设导电性树脂膜9，也不能良好导通上述滑块1和舌片5b之间，不能有效地向上述支撑部件2侧放出滑块1所带的静电。

结果，如图21所示，在上述滑块1以短的间距沿记录介质D上方上浮时，如果在上述滑块1和记录介质D之间产生电位差，从上述滑块1向上述记录介质D放电，即存在滑块1和记录介质D之间短路，在上述薄膜元件3间流动过载电流，上述薄膜元件3引起静电破坏(ESD)的问题。

在上述的专利文献1及专利文献2中，虽记载有导电性树脂，但双方的文献都未论及形成在上述导电性树脂膜9下方的绝缘层10，未指出如何介由上述导电性树脂膜9和绝缘层10，确保上述滑块1和舌片5b间的导通性。

发明内容

为此，本发明是为解决上述问题而提出的，目的是提供一种尤其能够使滑块和支撑部件间的导通性良好，能够抑制设在上述滑块上的记录及/或再生用的薄膜元件的静电破坏的磁头装置及其制造方法。

本发明提供的磁头装置，包括具有记录用及/或再生用的薄膜元件的滑块、和支撑上述滑块的支撑部件，在上述支撑部件的滑块接合面的至少一部分上介由导电性树脂膜接合上述滑块；

在上述滑块接合面的表面形成绝缘层，上述绝缘层在至少一部分的区域引起绝缘破坏，并在引起了上述绝缘破坏的区域上形成上述导电性树脂膜。

如上所述，在本发明中，形成在上述滑块接合面上的绝缘层，至少在局部区域引起绝缘破坏，并在引起绝缘破坏的区域上形成上述导电性树脂膜。

因此，上述导电性树脂膜和上述支撑部件间的导通性良好，由此提高上述支撑部件和滑块间的导通性，能够提供与以往相比可有效抑制薄膜元件的静电破坏(ESD)的磁头装置。

此外，在本发明中，上述导电性树脂膜为在树脂内混入导电性填料的，此时，在导电性填料之间引起绝缘破坏。因此，通过夹在上述滑块和支撑部件间的导电性树脂膜及上述绝缘层中的被绝缘破坏的区域，能够更有效地提高上述滑块和支撑部件间的导通性。

此外，在本发明中，优选：在对上述滑块和支撑部件之间外加0.5V以下的电压时的电阻值在100Ω以下。

此外，本发明的磁头装置的制造方法，是包括具有记录用及/或再生用的薄膜元件的滑块、和支撑上述滑块的支撑部件，在上述支撑部件的滑块接合面的至少一部分上介由导电性树脂膜接合上述滑块的磁头装置的制造方法，其中，包括：

(a)在形成于上述支撑部件的滑块接合面的绝缘层的至少一部分上，涂布上述导电性树脂膜的工序；

(b)在上述支撑部件的滑块接合面上介由上述导电性树脂膜接合上述滑块的工序；

(c)至少在上述(b)工序之前的阶段，包括破坏位于要涂布上述导电性树脂膜的位置或已涂布上述导电性树脂膜的位置下的上述绝缘层的绝缘的工序。

在本发明中，在上述(c)工序中，通过绝缘破坏位于导电性树脂膜下面的上述绝缘层，能够改进上述导电性树脂膜和上述支撑部件的导通性，与以往相比，能够提高上述(b)工序后的滑块和支撑部件间的导通性。

此外，在本发明中，特别是在上述(b)工序的滑块和支撑部件的接合工序之前，由于绝缘破坏上述绝缘层，所以绝缘破坏工序的影响不涉及设在上述滑块上的薄膜元件，能够良好地确保上述薄膜元件的记录及/或再生特性。

此外，在本发明中，优选：在上述(a)工序中，在涂布上述导电性树脂膜后，通过上述(c)工序，对位于上述导电性树脂膜下的绝缘层外加电压，绝缘破坏上述绝缘层。在本发明中，能够用如此简单的方法，绝缘破坏上述绝缘层。特别是如果采用上述的制造方法，在上述支撑部件上接合上述滑块之前，由于通过外加电压绝缘破坏位于上述导电性树脂膜下的绝缘层，因此假使在将滑块接合在支撑部件上后，说到底不会产生在外加电压时可预测产生的薄膜元件的不良现象(特性劣化)。

另外，具体是，优选：采用能进行上述导电性树脂膜的涂布和电压外加的装置，在由能进行上述导电性树脂膜的涂布和电压外加的上述装置的喷嘴部进行了上述导电性树脂膜的涂布后，以将上述喷嘴部按压到位于上述导电性树脂膜下的绝缘层的表面的状态，对上述绝缘层外加电压。在该方法中，由于能够用相同的装置进行上述导电性树脂膜的涂布和电压外加，因此能够谋求制造工序时间的缩短和简化。

此外，在本发明中，也可以在涂布了上述导电性树脂膜后，采用可外加电压的装置，通过上述导电性树脂膜，对绝缘层外加电压。此时，在上述导电性树脂膜为在树脂内混入导电性填料的情况下，通过外加电压，也能够更可靠地绝缘破坏上述导电性填料间。

此外，如上所述，在通过上述导电性树脂膜对绝缘层外加电压的方法中，优选在进行上述电压外加之前，对上述导电性树脂膜实施干燥工序。

此外，作为另外的制造方法，也可以在上述(a)工序之前，通过上述(c)工序，绝缘破坏上述绝缘层的局部区域，然后，通过上述(a)工序，在上述绝缘破坏的区域上涂布导电性树脂膜。此时，优选对上述绝缘层外加电压绝缘破坏上述绝缘层的局部区域。

另外，优选在上述(c)工序中，在上述绝缘层上的要涂布上述导电性树脂膜的位置或已涂布上述导电性树脂膜的位置以外的区域涂布用于将上述滑块接合在上述滑块接合面上的不同于上述导电性树脂膜的粘接剂，如此能够提高上述滑块和支撑部件间的接合强度。

如果采用本发明，绝缘破坏位于导电性树脂膜下方的绝缘层，结果，使导电性树脂膜和支撑部件间的导通性良好，由此能够提供一种可改进滑块和支撑部件间的导通性，且与以往相比能够有效地抑制薄膜元件的静电破坏(ESD)的磁头装置。

此外，如果采用本发明，能够用非常简单的方法，绝缘破坏上述绝缘层，同时在将上述滑块接合在上述支撑部件上之前，由于通过外加电压绝缘破坏位于上述导电性树脂膜下方的绝缘层，因此假使在将滑块接合在支撑部件上后，说到底也不会产生在外加电压时可预测产生的薄膜元件的不良现象(特性劣化)。

附图说明

图1是本发明的磁头装置的局部斜视图。

图2是图1所示的磁头装置的顶端附近的局部放大侧视图。

图3是说明滑块和柔性架间的接合方法的使滑块接合面朝上的柔性架的局部俯视图。

图4是说明第1接合方法的、喷嘴部和舌片的局部放大剖视图。

图5是说明图4的下道工序的局部放大剖视图。

图6是与图5相同的工序图的缩小图，是外加电压的装置和支撑部件的局部侧视图及电路图。

图7是说明图5及图6的下道工序的局部放大剖视图。

图8是说明第2接合方法的、舌片的局部放大剖视图。

图9是说明图8的下道工序的外加电压的装置和支撑部件的局部侧视图及电路图。

图10是图9的局部放大剖视图。

图11是说明第3接合方法的、舌片和电压外加装置的端子的局部放大剖视图。

图12是说明图11的下道工序的舌片的局部放大剖视图。

图13是说明图7、图10及图12的下道工序的、使滑块接合面朝上的柔性架的局部俯视图。

图14时本发明的磁头装置的、尤其柔性架的舌片和滑块附近的局部放大剖视图。

图15是采用由第1接合方法接合的磁头装置来表示外加在滑块和支撑部件间的电压的大小与电阻值的关系的曲线图。

图16是采用由第2接合方法接合的磁头装置来表示外加在滑块和支撑部件间的电压的大小与电阻值的关系的曲线图。

图17是采用由第3接合方法接合的磁头装置来表示外加在滑块和支撑部件间的电压的大小与电阻值的关系的曲线图。

图18是采用不实施绝缘破坏工序的磁头装置来表示外加在滑块和支撑部件间的电压的大小与电阻值的关系的曲线图。

图19是采用另外对第2接合方法接合的磁头装置施加洗净工序，表示外加在滑块和支撑部件间的电压的大小与电阻值的关系的曲线图。

图20是采用另外对图18的实验中使用的磁头装置施加洗净工序，表示外加在滑块和支撑部件间的电压的大小与电阻值的关系的曲线图。

图21是以往的磁头装置的局部侧视图。

图22是说明以往的滑块和柔性架的舌片间的接合方法的局部放大剖视图。

具体实施方式

图1是表示本发明的实施方式的磁头装置的整体结构的局部斜视图，图2是只放大上述磁头装置的顶端附近的上述磁头装置的局部放大侧视图。

如图1所示，上述磁头装置20，具有滑块21和支撑上述滑块21的支撑部件22。

上述支撑部件22，具有由不锈钢等板簧材料构成的载梁23和设在其前部的由薄的不锈钢等板簧材料构成的柔性架24。

如图1所示，在上述载梁23的两侧，形成折弯部23a、23a，形成该部分具有刚性的结构，利用不形成折弯部23a的载梁23的基端部23b能够发挥规定的弹性按压力，从上述载梁23的基端部23b设置固定部(mount)23c，通过将上述固定部23c安装在规定的盘装置侧的安装面，而将上述磁头装置20搭载在上述盘装置内。

上述滑块21，例如由氧化铝-钛的碳化物(Al₂O₃-TiC)等陶瓷材料形成。

如图2所示，在上述滑块21的后端侧，设置例如具有作为再生磁功能部的利用磁阻效果的薄膜再生元件及作为记录磁功能部的感应型的薄膜记录元件的薄膜元件25。另外，上述薄膜元件25，也可以只由薄膜再生元件构成或只由薄膜记录元件构成。

上述柔性架24，由舌片24a和固定部24b构成。如图3(柔性架的滑块接合面侧朝上所示的局部俯视图)所示，上述舌片24a在后端侧连接在上述固定部24b上，但在上述舌片24a的侧部侧及前端侧形成缺口部24c，与上述固定部24b分离，上述舌片24a的前端侧形成自由端。

如图2所示，虽然上述固定部24b粘接固定在上述载梁23的下面，但上述舌片24a搭接在从上述载梁23向下方突出的枢轴26下方，形成自由状态。另外，上述滑块21接合在上述舌片24a的下面(滑块接合面)能够以上述枢轴26为支点向间距(pitch)及滚动方向摆动。

在上述滑块21的后端侧端面，设置从上述薄膜元件25引出的电极端子部(未图示)，在上述舌片24a的下面，从载梁23延伸的导电图形(未图示)，延长形成到与上述电极端子部对置的位置，上述电极端子部和上述导电图形，例如通过由金(Au)的球焊等形成的接合部件27接合。

图1及图2所示的磁头装置20，例如用于CSS(contact·start·stop)方式的硬盘装置。在CSS方式中，最初，上述滑块21，利用上述支撑部件22，对上述记录介质D的记录面施加弱的弹性力。即，在启动时，滑块21接触在记录介质D上，在上述记录介质D的开始运动的同时，利用记录介质D表面产生的空气流，向滑块21作用上浮力，上述滑块21，前端侧较之后端侧从记录介质D表面上扬，同时，形成上述后端侧从记录介质D稍微上浮的倾斜姿势，扫描记录介质D表面(图2)。

如图2所示，上述滑块21，介由粘接层30接合在上述柔性架24的舌片24a的下面(滑块接合面)。

在图2所示的实施方式中，在上述粘接层30至少含有导电性树脂。

采用图3～图7及图13，说明上述滑块21和柔性架24的舌片24a间的第1接合方法。

首先，在位置对正地接合图1及图2所示的载梁23和柔性架24后，如图3所示，在上述柔性架24的舌片24a的滑块接合面24a1上局部涂布导电性树脂膜40。上述导电性树脂膜40的涂布位置是任意的，但是由于上述滑块接合面24a1是平坦面，所以能够将上述滑块接合面24a1的很大范围用作上述导电性树脂膜40的涂布区域。

在图3中，只在上述滑块接合面24a1的正中心附近涂布上述导电性树脂膜40。

在上述导电性树脂膜40，能够使用：例如在环氧系、酚醛系、氨酯系等热硬化性树脂中混入银、铜或金等导电性填料制得的树脂，或者在丙烯酸系、聚氨酯系、聚酯系、尼龙系等热塑性的粘接剂树脂中混入上述导电性填料的树脂。

上述导电性树脂膜40的涂布，采用可进行上述导电性树脂膜40的涂布和后述的外加电压双方的装置进行。

图4是从A-A线剖开图3所示的正好涂布上述导电性树脂膜40的附近的舌片24a，并从箭头方向观察该剖面的局部放大剖视图。

如图4所示，从装置42的喷嘴部43的顶端在上述舌片24a的滑块接合面24a1上涂布导电性树脂膜40。

如图4所示，在上述舌片24a的滑块接合面24a1上形成通过自然氧化等得到的绝缘层41。这是因为：难于像载梁23一样，在制造工序中利用固定部件抓住上述柔性架24、或采取用某种方法防止氧化等的手段。上述柔性架24是非常薄的板簧，稍不注意就容易产生损伤或弯曲等问题。上述柔性架24，由于是在之后接合滑块21的部分，因此不产生上述的问题，所以呈容易在上述柔性架24上由自然氧化等形成绝缘层41的状态。上述绝缘层41一般为100左右。另外，上述绝缘层41也可以按要求形成。

如图4所示，上述导电性树脂膜40局部地涂布在上述绝缘层41上。

然后，如图5所示，将上述喷嘴部43按压到位于上述导电性树脂膜40下面的绝缘层41的表面。由此，上述导电性树脂膜40被挤压而形成向上述喷嘴部43的侧面周围扩展的状态。

另外，在下面工序会破坏位于上述喷嘴部43下面的绝缘层41的绝缘。具体如图5及图6(图5的缩小图)所示，向上述绝缘层41的表面按压上述喷嘴部(例如具有作为输出端子的功能)43，同时将上述装置42的另一方的端子44(例如输入端子)侧搭接在上述支撑部件22的一部位(例如载梁23的固定部23c)上。

如上所述，上述装置42是也能进行电压外加的装置，因此上述喷嘴部43也具有与导电性树脂膜40的涂布口一同作为外加电压的端子部的功能。

另外，在搭接上述端子44的前端部的固定部23c上，无绝缘层(或者即使具有上述绝缘层，由于过薄及通孔等，也几乎不能发挥绝缘功能)，能够确保上述端子44和固定部23c间的导通性。另外，在图6所示的电路中支撑部件22成为接地。

此处，在上述喷嘴部43和端子44之间，产生例如4V左右的电压(电流值为100mA左右)。至少破坏被外加该程度的电压的上述绝缘层41中的、位于上述喷嘴部43下面的上述绝缘层41的区域41a(图5)的绝缘。

在上述绝缘破坏的区域41a，认为会产生裂纹、溶解或导电性树脂膜40内所含的导电性填料的流入等。

另外，从上述绝缘层41的表面向上方拉开上述喷嘴部43。由于上述导电性树脂膜40此时还未硬化，所以如果从导电性树脂膜40朝上分离上述喷嘴部43，在图5的时候，在上述喷嘴部43的侧面周围扩展的导电性树脂膜40集中成一个，如图7所示，形成上述导电性树脂膜40覆盖在上述绝缘破坏的区域41a上的状态。

下面，按图13所示的工序，在上述柔性架24的舌片24a的滑块接合面24a1上，涂布热硬化性粘接剂及UV硬化粘接剂等与上述导电性树脂膜40不同的粘接剂60。涂布的位置只要在上述滑块接触面24a1上即可、是自由的。

另外，在上述滑块接合面24a1上，位置对正地放置滑块21，通过加热或紫外线照射，在上述滑块接合面24a1上接合上述滑块21。

下面，采用图8～图10及图13，说明上述滑块21和柔性架24的舌片24a间的第2接合方法。在第2接合方法中，上述导电性树脂膜40的涂布和电压外加采用各自的装置进行。

首先，在图8工序中，采用未图示的涂布装置，在上述柔性架24的舌片24a的滑块接合面24a1上，局部涂布导电性树脂膜40。如图8所示，在上述滑块接合面24a1上，由于形成由自然氧化等而成的绝缘层41，因此上述导电性树脂膜40能够局部涂布在上述绝缘层41上。

然后，干燥上述导电性树脂膜40的表面，稍微使上述导电性树脂膜40的表面硬化。该干燥工序，通过吹空气或低温加热进行。由于如果加热温度高且时间长，上述导电性树脂膜40整体会硬化，所以通过低温、短时间加热，只使上述导电性树脂膜40的表面达到稍微硬化的程度。

在以下工序中，破坏位于上述导电性树脂膜40下方的绝缘层的绝缘。

具体如图8及图9(图5的局部放大剖视图)所示，在上述导电性树脂膜40上方搭接电压外加装置(耐电压测定仪)50的第1端子(例如输出端子)51侧，在上述支撑部件22的一部位(例如载梁23的固定部23c)上，搭接第2端子(例如输入端子)52侧。

此处，如图6所示，在上述导电性树脂膜40上搭接上述第1端子51的顶端部51a，但由于如上所述那样上述导电性树脂膜40的表面稍微硬化，所以在上述第1端子51的顶端部51a不会附着上述导电性树脂膜40。因此，在生产线上，配置多个在舌片24a上涂布了导电性树脂膜40的支撑部件22，在分别对各导电性树脂膜40进行外加电压时，不需要特意擦去附着在上述第1端子51的顶端部51a的导电性树脂膜40的工序，能够以短的时间间隔高效地对多个排列的上述支撑部件22上的导电性树脂膜40外加电压。

另外，在上述端子51、52之间，产生例如4V左右的电压(电流值100mA)。如果在上述导电性树脂膜40和支撑部件22间外加该程度的电压，借助上述绝缘层41使上述导电性树脂膜40和其正下方的舌片24a之间短路，而破坏由上述导电性树脂膜40和舌片24a间夹持的绝缘层41的区域41a(图10)的绝缘。

在上述绝缘破坏的区域41a，认为会产生裂纹、溶解或导电性树脂膜40内所含的导电性填料的流入等。

此外，上述导电性树脂膜40，例如为在树脂内混入导电性填料的树脂膜，但根据上述导电性树脂膜40种类，在也涂布上述导电性树脂膜40的阶段其导通性有时也不那么好。

因此，如图9及图10所示，认为：如果在上述导电性树脂膜40和支撑部件22之间外加电压，上述绝缘层41引起绝缘破坏，同时也在上述导电性树脂膜40内的导电性填料间产生绝缘破坏，能够使上述导电性树脂膜40的导通性更优良。但是，上述导电性树脂膜40，如果最初就是导电性优良的材质，也就没有在上述导电性树脂膜40外加电压的必要性，因此，此时，与采用第1接合方法接合滑块21和支撑部件22相比，能够用更简单的方法进行上述接合。

下面，按图13所示的工序，在上述柔性架24的舌片24a的滑块接合面24a1上涂布热硬化性粘接剂及UV硬化粘接剂等与上述导电性树脂膜40不同的粘接剂60。涂布的位置只要在上述滑块接触面24a1上即可、是自由的。另外，在上述滑块接合面24a1上位置对正地放置滑块21，通过加热或紫外线照射，在上述滑块接合面24a1上接合上述滑块21。

下面，采用图11～图13，说明上述滑块21和柔性架24的舌片24a间的第3接合方法。

在图11所示的工序中，破坏形成在上述柔性架24的舌片24a的滑块接合面24a1上的绝缘层41的局部区域41a的绝缘。在上述绝缘破坏中，例如采用与图9相同的装置50，在上述绝缘层41的表面搭接上述装置50的第1端子51，对上述绝缘层41外加例如4V左右的电压。由此，外加电压的区域41a的绝缘层41会引起绝缘破坏。

然后，在图12所示的工序中，在发生上述绝缘破坏的区域41a上涂布导电性树脂膜40。

下面，在图13所示的工序中，在上述柔性架24的舌片24a的滑块接合面24a1上涂布热硬化性粘接剂及UV硬化粘接剂等与上述导电性树脂膜40不同的粘接剂60。涂布的位置只要在上述滑块接触面24a1上即可、是自由的。另外，在上述滑块接合面24a1上位置对正地放置滑块21，通过加热或紫外线照射，在上述滑块接合面24a1上接合上述滑块21。

另外，在图11工序中，采用图9所示的电压外加专用的装置50说明绝缘破坏上述绝缘层41的情况，但也可以采用能够进行导电性树脂膜40的涂布和电压外加双方的图6所示的装置42，首先，在图11工序中，在利用上述装置42进行了电压外加后，向上方稍微分离上述装置42的喷嘴部43，在绝缘破坏的绝缘层41上涂布上述导电性树脂膜40。采用图6所示的装置42，由于能够用相同装置进行电压外加和导电性树脂膜40的涂布双方，所以能够在被电压外加绝缘破坏的绝缘层41上可靠涂布上述导电性树脂膜40，故优选。

以上，说明了3种制造方法，3种制造方法的总的特征在于：在将滑块21接合在支撑部件22上之前，在构成上述支撑部件22的柔性架24的舌片24a的滑块接合面24a1上涂布的导电性树脂膜40和上述舌片24a间外加电压，破坏位于导电性树脂膜40和上述舌片24a间的绝缘层41的绝缘。即，由于在将滑块21接合在支撑部件22上后，进行上述的电压外加，所以设在滑块21上的薄膜元件25不产生电压外加造成的元件破坏等问题。

上述本发明的制造方法的第二特征在于：能够局部绝缘破坏位于导电性树脂膜40下面的绝缘层41。在本发明中，当然可以整体绝缘破坏形成在上述滑块接合面24a1上的绝缘层41，但也可以局部绝缘破坏位于上述导电性树脂膜40下面的绝缘层41。其结果，不位于导电性树脂膜40下面的绝缘层41，具有直接作为绝缘性高的层的功能，在上述导电性树脂膜40下方以外的区域，能够确保上述滑块21和柔性架24间的绝缘状态，能够抑制意料之外的位置的上述滑块21和柔性架24间的短路。

上述本发明的制造方法的第三特征在于：能够用非常简单的方法，破坏位于导电性树脂膜40下面的绝缘层41的绝缘。在上述说明的制造方法中，由于只通过对上述绝缘层41外加电压，绝缘破坏上述绝缘层41，所以绝缘破坏方法非常简单。

此外，在主要采用图4～图7说明的第1制造方法中，能够采用相同的装置42，进行上述导电性树脂膜40的涂布和电压外加，能够谋求简化制造工序及缩短制造时间。

如果能采用相同的装置42，进行上述导电性树脂膜40的涂布和电压外加，也就不需要像用各自装置进行上述导电性树脂膜40的涂布和电压外加的第2接合方法(主要是图8～图10)那样，暂时硬化上述导电性树脂膜40的表面，能够大大简化制造工序。

另外，在主要采用图8～图10说明的第2接合方法中，特别在涂布上述导电性树脂膜40时并不是通电性很优良的材质的情况下，由于也有效地绝缘破坏上述导电性树脂膜40的内部，因此能够更好地改进上述导电性树脂膜40本身的导电性。特别是上述导电性树脂膜40使用在树脂内混入导电性填料的材料的情况下，通过上述外加电压，由于在上述导电性填料间，有效地产生绝缘破坏，所以能够提高上述导电性树脂膜40本身的导电性。

在通过上述制造方法形成的磁头装置20中，其构成为：在上述舌片24a的滑块接合面24a1的表面上形成绝缘层41，上述绝缘层41至少在局部区域41a引起绝缘破坏，在引起上述绝缘破坏的区域41a上形成有上述导电性树脂膜40(图14)。

如此，由于上述导电性树脂膜40形成在绝缘破坏的区域41a上，所以上述导电性树脂膜40和上述舌片24a间的导通性良好，因此能够提高上述舌片24a和滑块21间的导通性，容易介由上述导电性树脂膜40及绝缘破坏的区域41a向上述支撑部件22侧放出上述滑块21所带的静电，与以往相比，能够提供抑制薄膜元件25的静电破坏(ESD)的磁头装置20。

此外，在本发明中，上述导电性树脂膜40只要能发挥导电性，其材质或内部结构等不特别限定，但是，特别是在上述导电性树脂膜40为在树脂内混入导电性填料的材质、在导电性树脂膜40涂布阶段的导电性不那么好的情况下，如果采用上述的第2接合方法，由于也在上述导电性填料间产生绝缘破坏，因此能够更有效地提高上述导电性树脂膜40本身的导电性。

另外，如果根据后述的实验结果，能够将在上述滑块21和支撑部件22之间外加0.5V以下电压时的电阻值设在100Ω以下。该100Ω以下的电阻值，与不绝缘破坏位于导电性树脂膜40下面的绝缘层41的以往例(比较例)相比，是非常低的数值，意味着即使是0.5V以下的低电压值、也可适当导通上述滑块21和支撑部件22之间。由此，在实际使用时，如果采用本发明的磁头装置20，即使在滑块21和记录介质D之间产生电位差，也能够从滑块21、经过导电性树脂膜40、向支撑部件22侧高效率地放出电荷，能够有效地抑制在薄膜元件25上引起静电破坏。

(实施例)

图15是采用利用上述第1接合方法接合滑块21和支撑部件22的2个磁头装置20，表示外加在构成上述磁头装置的滑块和支撑部件间的电压值与此时的电阻值的关系的曲线图(实施例1)；图16是采用利用上述第2接合方法接合滑块21和支撑部件22的2个磁头装置20，表示外加在构成上述磁头装置的滑块和支撑部件间的电压值与此时的电阻值的关系的曲线图(实施例2)；图17是采用利用上述第2接合方法接合滑块21和支撑部件22的5个磁头装置20，表示外加在构成上述磁头装置的滑块和支撑部件间的电压值与此时的电阻值的关系的曲线图(实施例3)；图18是，与以往技术(图9、图10)同样，采用在柔性架的舌片和滑块之间夹设导电性树脂膜、并且不绝缘破坏位于上述导电性树脂膜下面的绝缘层的5个磁头装置，表示外加在构成上述磁头装置的滑块和支撑部件间的电压值与此时的电阻值的关系的曲线图(比较例1)。

如图18的比较例1所示，5个磁头装置，电压值都在0.5V以下，具有大约106Ω以上的高电阻值。如果慢慢升高电压值，各磁头装置都在某电压值急剧降低上述电阻值，而电阻值达到100Ω以下的低数值。

可知：各磁头装置的导电性树脂膜和舌片间，如果是0.5V以下的低电压值，由于位于导电性树脂膜和舌片间的绝缘层而非短路状态，具有非常高的电阻值。但是，如果慢慢升高电压值，在某时刻，导电性树脂膜和舌片间短路，达到100Ω以下的低电阻值。

另外，可知：在图15、图16及图17的各实施例中，即使上述磁头装置的电压值都在0.5V以下，也达到100Ω以下的低电阻值。这是因为，位于导电性树脂膜和舌片之间的绝缘层被绝缘破坏，形成短路状态。因此，即使是0.5V以下的低电压值，也能够得到100Ω以下的低电阻值。

图19是采用将在图17的实验中所用的各磁头装置另外实施洗净工序后的各磁头装置，表示外加在滑块和支撑部件间的电压值与其电阻值的关系的曲线图(实施例4)，图20是采用将在图18中说明的各磁头装置另外施加洗净工序后的各磁头装置，表示外加在滑块和支撑部件间的电压值与其电阻值的关系的曲线图(比较例2)。

在图20的比较例2中，可知：如果对各磁头装置实施洗净工序，在不将电阻值升高到1.5V左右时，电阻值不会降低到100Ω左右。另外，在图19的实施例4中，可知，如果对各磁头装置实施洗净工序，与图17相比，发现电阻值稍微升高的试样，但大致在所有的磁头装置中，都为100Ω以下的低电阻值。

从该实验结果看出，如果在位于导电性树脂膜下方的绝缘层产生绝缘破坏，即使是低电压值(具体在0.5V以下)也能够得到非常低的电阻值(具体在100Ω以下)，因此，在实际使用时，如果是实施例的磁头装置，即使在滑块和记录介质之间产生电位差，也能够从滑块，经过导电性树脂膜，向支撑部件侧高效率放出电荷，能够有效地抑制在薄膜元件引起静电破坏。

Claims (12)

1.一种磁头装置，包括具有记录用及/或再生用的薄膜元件的滑块、和支撑上述滑块的支撑部件，在上述支撑部件的滑块接合面的至少一部分上介由导电性树脂膜接合上述滑块；

在上述滑块接合面的表面形成绝缘层，上述绝缘层至少在一部分的区域引起绝缘破坏，并在引起了上述绝缘破坏的区域上形成上述导电性树脂膜。

2.如权利要求1所述的磁头装置，其中，上述导电性树脂膜为在树脂内混入导电性填料的树脂膜，在导电性填料之间引起绝缘破坏。

3.如权利要求1所述的磁头装置，其中，在上述滑块和支撑部件之间外加0.5V以下的电压时的电阻值为100Ω以下。

4.一种磁头装置的制造方法，是包括具有记录用及/或再生用的薄膜元件的滑块、和支撑上述滑块的支撑部件，在上述支撑部件的滑块接合面的至少一部分上介由导电性树脂膜接合上述滑块的磁头装置的制造方法，其中，包括：

(a)在形成于上述支撑部件的滑块接合面上的绝缘层的至少一部分上，涂布上述导电性树脂膜的工序；

(b)在上述支撑部件的滑块接合面上介由上述导电性树脂膜接合上述滑块的工序；

(c)至少在上述(b)工序之前的阶段，包括破坏位于要涂布上述导电性树脂膜的位置或已涂布上述导电性树脂膜的位置下的上述绝缘层的绝缘的工序。

5.如权利要求4所述的磁头装置的制造方法，其中，在上述(a)工序中，在涂布上述导电性树脂膜后，通过上述(c)工序，对处于上述导电性树脂膜下的绝缘层外加电压，破坏上述绝缘层的绝缘。

6.如权利要求5所述的磁头装置的制造方法，其中，采用能进行上述导电性树脂膜的涂布和电压外加的装置，在由能进行上述导电性树脂膜的涂布和电压外加的上述装置的喷嘴部进行了上述导电性树脂膜的涂布后，以将上述喷嘴部按压到处于上述导电性树脂膜下的绝缘层的表面的状态、对上述绝缘层外加电压。

7.如权利要求5所述的磁头装置的制造方法，其中，在涂布了上述导电性树脂膜后，采用可外加电压的装置，通过上述导电性树脂膜对绝缘层外加电压。

8.如权利要求7所述的磁头装置的制造方法，其中，上述导电性树脂膜为在树脂内混入导电性填料的树脂膜，通过上述外加电压，破坏上述导电性填料之间的绝缘。

9.如权利要求7所述的磁头装置的制造方法，其中，在进行上述电压外加之前，对上述导电性树脂膜实施干燥工序。

10.如权利要求4所述的磁头装置的制造方法，其中，在上述(a)工序之前，通过上述(c)工序，破坏上述绝缘层的局部区域的绝缘，然后，通过上述(a)工序，在上述破坏了绝缘的区域上涂布导电性树脂膜。

11.如权利要求10所述的磁头装置的制造方法，其中，对上述绝缘层外加电压，破坏上述绝缘层的局部区域的绝缘。

12.如权利要求4所述的磁头装置的制造方法，其中，在上述(c)工序中，在上述绝缘层上的要涂布上述导电性树脂膜的位置或已涂布上述导电性树脂膜的位置以外的区域涂布用于将上述滑块接合在上述滑块接合面上的不同于上述导电性树脂膜的粘接剂。

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