CN1288976A - 一种制备锆钛酸铅(pzt)厚膜的方法 - Google Patents

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本发明涉及一种新的制备锆钛酸铅(PZT)厚膜的方法,属于陶瓷厚膜的制备领域。本方法的要点是制备一种特殊的前驱液,这种前驱液是由Pb,Zr,Ti的水解物的聚集物与PbZr(1-X)TiXO3(简写PZT)溶液混合而成。Pb,Zr,Ti的水解物和PZT溶液具有相同的化学配比:Pb∶Zr∶Ti=1∶X∶(1-X),0≤X≤1。这种前驱液通过甩胶淀积在衬底上,然后经热解、退火处理后在衬底上形成结晶的PZT厚膜。本方法具有容易制备厚的膜层、不易开裂,性能均匀且优异等的特点。

Description

一种制备锆钛酸铅(PZT)厚膜的方法
本发明涉及一种制备锆钛酸铅(PZT)厚膜的方法,属于陶瓷厚膜的制备领域。
PZT材料具有十分优异的功能效应,近年来随着微机械-微电子器件的闻所未闻的飞速发展,急需研制厚度为1-10μm之间的PZT厚膜,以产生足够大的位移量和电荷量。所以简单地制备性能优异及均匀的PZT厚膜已成为当今材料研究的一个热点。目前在用的制备厚膜的工艺有两种,方法之一为溶液法。即把Pb,Zr,Ti无机盐或有机醇盐溶解在有机溶剂,经合成形成PZT前驱液,然后用Sol-gel方法通过甩胶在衬底上形成湿膜,再经加热使溶剂挥发、热解而形成干膜。但是单层干膜的厚度有限(如200-300),所以要经过多次甩胶和加热过程来提高膜的厚度,待膜厚达到所要求的厚度时,再经退火处理形成结晶的PZT厚膜。为了达到厚度大于1微米(μm)甚至更厚时,甩胶次数多达几十次甚至上百次。很显然,这种工艺不仅流程长而且十分繁琐,不同膜层所承受的热冲击以及冲击历史各不相同,因此组分和结构很难均匀,必将影响膜材料的最终的性能。同时多次的加热处理使得膜层中很难避免应力的存在,这是引起膜层开裂的直接原因。方法之二为0/3复合法,即把已经烧结的PZT粉体分散在PZT溶液里,由于粉体的存在,在与方法1相同的甩胶条件下,单层膜的厚度可以增加,同时又能减少膜在加热过程中收缩的程度,能有效地克服膜层的开裂。但是由于淀积在衬底上的湿膜中包含有PZT粉体和PZT液体,而PZT粉体已烧结,所以在加热过程中主要是液相部分参与各类反应,由于固、液两相反应速度和反应程度有很大的差异,因此膜的结构和性能不可能均匀,形貌粗糙,结构不致密。
本发明的目的是提出一种新的制膜方法,首先制备Pb,Zr,Ti的水解物的聚集体,再将它按一定的比例加入到PZT的溶液里形成新的前驱液。水解物的聚集体未经过任何热处理,在加热的过程中水解物的聚集体与PZT溶液之间相互扩散,同时经历成核、生长、结晶等各阶段。所以膜的结构均匀、致密,不易开裂;性能均匀而优异,可与块体材料相比拟。关键点是必须做到水解物的聚集体的组分与溶液的成分完全相同。
由此可见,本发明提出的制备PZT厚膜方法中新的前驱液配制有两步:一是Pb、Zr、Ti水解物的聚集体的制备;二是水解物的聚集体与具有相同化学配比的Pb、Zr、Ti的溶液混合生成新的前驱液。下面分别详述之。
第一步:Pb、Zr、Ti水解物的聚集体的制备,其过程依此是:
1、三水醋酸铅溶解于乙二醇甲醚溶剂中,加热至105℃脱水,并搅拌,得到清澈的醋酸铅溶液;
2、将锆的醇盐(如丙醇锆、丁醇锆等)和钛的醇盐(如丙醇钛、异丙醇钛、钛酸丁脂等)分别溶于乙二醇甲醚溶剂并搅拌;
3、以所需的Zr/Ti化学配比把锆的醇盐溶液倒入钛的醇盐溶液中并搅拌,生成锆和钛的二元混合溶液;
4、将上述二元混合溶液以一定配比倒入醋酸铅溶液,三者配比为:Pb∶Zr∶Ti=1∶X∶(1-X)0<X<1,形成PZT溶液,用乙二醇甲醚调节溶液的浓度在0.2-0.6克分子/毫升;
5、用丙酮作为稀释剂,把丙酮加入到PZT溶液中并不断搅拌;加入量视溶液的克分子浓度不同而不同,浓度高的相应加入量也大,一般丙酮/PZT溶液的体积比为5∶1~10∶1;
6、把作为催化剂用氨水加入到上述溶液,控制溶液的PH值,使形成大量的白色沉淀,从溶液中取出沉淀并用丙酮清洗、凉干、过筛得到Pb,Zr,Ti水解物聚集体;水解物聚集体的粒径为100-200纳米(0.1-0.2微米);
第二步是Pb,Zr,Ti水解物聚集体与具有相同化学配比的PZT溶液混合生成新的前驱液。
将第一步制备的水解物聚集体加入到按上述(1)-(4)过程制备的PZT溶液中,二者的Pb,Zr,Ti的化学配比相同是重要的条件。聚集体的加入量与PZT溶液的比例为每毫升PZT溶液加入0.1-0.5克。聚集体加入的量太少则本发明的优点不易显示;而加入的量太多会使接下去的成膜困难。新的前驱液制取后,用甩胶法将前驱液沉积在Pt/Ti/SiO2/Si的衬底上成膜,膜的厚度依赖于新前驱液中聚集体加入量和甩胶速度和次数,每次甩胶后湿膜先经前烘(350℃)去除有机溶剂,重复5-10次达到所需的膜厚,再在氧气氛中退火,退火温度为600-700℃,20分钟使膜从无定形转变成钙钛矿结构的PZT厚膜,甩胶速度为2000-3000转/分,时间3-10秒。
由于水解物与PZT溶液具有相同的配比,在加热的过程中水解物与PZT溶液之间相互扩散,同时经历成核、生长、结晶等各阶段。所以经退火处理的膜的结构均匀、致密。这是本法明的显著特点。同时由于水解物的存在,单次甩胶的厚度有了明显的提高。原理上,用这种发明制备的膜的厚度是无限的并且无裂纹,而且性能均匀并优异,可与块体材料相比。
图1是本发明提供的方法制备的PZT厚膜的SEM侧面形貌图(a)与0/3复合法制备的PZT厚膜的SEM形貌图(b)。从图1可清楚地看出本发明提供的方法制备的厚膜的织构致密、均匀。这是因为水解物与PZT溶液在退火的过程中相互扩散,同时成核、生长。形成了一个均匀的结构。而(b)中的白色小亮点正是加入到PZT溶液中的PZT颗粒。由于这些颗粒已在远高于退火温度下烧结,所以在退火过程中显示出它固有的“刚性”,不可能再与PZT溶液相互扩散并与溶液中的Pb,Zr,Ti离子进一步反应。从SEM图可测出膜厚为3.5微米。
图2分别是用本发明制备的厚膜(a)和用0/3复合法制备的厚膜(b)的X衍射图,均具有纯钙钛矿相结构。
图3本发明制备的厚膜的铁电性能(a)其剩余极化pr=44.01μC/cm2比目前已报道的性能均好。横座标为电压(V),纵座标为Pr(μC/cm2)。为对比起见,同时标出用0/3复合法制备的厚膜的相应性能(b)。图中电滞回线均用RT-66A仪器测定。
下面通过实施例进一步说明本发明的创造而绝非局限于实施例。
下面通过实施例进一步说明本发明的创造而绝非局限于实施例。
实施例1本发明提供的制膜方法,按下列步骤制备:
1、三水醋酸铅溶于乙二醇甲醚,加热并搅拌,形成醋酸铅溶液;
2、丙醇锆、异丙醇钛分别溶于乙二醇甲醚里,并以Zr/Ti=40/60(克分子比例)配制成Zr和Ti的二元溶液;
3、将上述溶液加入到醋酸铅溶液中,以Pb∶Zr∶Ti=100∶40∶60的比例(克分子)形成PZT溶液,用乙二醇甲醚调节到克分子浓度为0.4mol;
4、将丙醇作为稀释剂加入到PZT三元混合溶液中,丙酮∶PZT三元混合溶液=10∶1(体积比),搅拌;
5、将氨水作为催化剂加入到上述溶液,使溶液PH值为7~8,这时大量白色沉淀-Pb,Zr,Ti水解物形成;把Pb,Zr,Ti水解物取出,用丙醇清洗、凉干,形成Pb,Zr,Ti水解物的聚集物;
6、以每毫升PZT三元混合溶液中加入0.128克Pb,Zr,Ti水解物形成新的前驱液;
7、将新的前驱液经甩胶(3000转/分)在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上成膜,经350℃前烘,重复5次甩胶-前烘,再在650℃氧气气氛中退火20分钟形成PZT厚膜;
然后用SEM测量厚度为3.5μm,观察形貌;用XRD方法分析膜的结构;并在此膜的表面蒸发淀积Au点电极,用RT-66A测量PZT厚膜的铁电性能。分别如图1、图2、图3所示。
实施例2 Pb,Zr,Ti的水解物聚集体与Pb,Zr,Ti三元混合液制备步骤
1-6与实例1相同,然后以每毫升PZT三元混合溶液中加入0.128克Pb,Zr,Ti水解物的比例加入形成新的前驱液,其他的实施条件同实例1。结果与实施例1相仿:膜的结构致密、均匀,具有优异的铁电性能,如图3(b)所示。膜的厚度为2微米,这是因为在溶液中Pb,Zr,Ti水解物的比例小的原因。
实施例3
以丁醇锆为锆源,钛酸丁酯为钛源,Zr∶Ti=60∶40,680℃氧气氛下退火20分钟制得的膜厚为3.5微米。其余同实施例1。

Claims (8)

1、一种制备锆钛酸铅厚膜的方法,包括前驱液的制备、甩胶成膜、烘干、高温下退火,其特征在于:
(1)新的前驱液是由Pb,Zr,Ti的水解物的聚集体加入到化学配比相同的Pb,Zr,Ti三元混合溶液中,加入量为0.1-0.5克/毫升;
(2)将前驱液沉积在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上,膜的厚度依赖于前驱液中聚集体的加入量和甩胶速度和次数;
(3)每次甩胶后湿膜先经350℃前烘,重复5-10次,达到所需的膜厚,再在600℃-700℃氧气氛下退火20分钟,使膜的组成从无定形转变成钙钛矿形。
2、按权利要求1所述厚膜的制备方法,其特征在于所述的Pb,Zr,Ti的水解物的聚集体的制备过程是:
(1)三水醋酸铅溶解于乙二醇甲醚溶剂中,加热至105℃脱水,并搅拌,得到清澈的醋酸铅溶液;
(2)将锆的醇盐和钛的醇盐分别溶于乙二醇甲醚溶剂并搅拌;
(3)以所需的Zr/Ti化学配比把锆的醇盐溶液倒入钛的醇盐溶液中并搅拌,生成锆和钛的二元混合溶液;
(4)将上述二元混合溶液以一定比例倒入醋酸铅溶液,三者克分子配比为Pb∶Zr∶Ti=1∶x∶(1-x),0<x<1,形成PZT三元混合溶液;
(5)用丙酮作稀释剂,加入到PZT溶液中,并不断搅拌,加入量视溶液的克分子浓度不同而不同;浓度高的相应加入量也大,一般丙酮/PZT溶液的体积比为5∶1-10∶1;
(6)将氨水作为催化剂加入到上述溶液,调节pH=7-8,生成Pb,Zr,Ti的白色水解物,丙酮清洗后,凉干、过筛而得到粒经为100-200纳米的聚集体。
3、按权利要求1所述厚膜的制备方法,其特征在于所述的Pb,Zr,Ti的三元混合溶液,制备过程是:
(1)三水醋酸铅溶解于乙二醇甲醚溶剂中,加热至105℃脱水,并搅拌,得到清澈的醋酸铅溶液;
(2)将锆的醇盐和钛的醇盐分别溶于乙二醇甲醚溶剂并搅拌;
(3)以所需的Zr/Ti化学配比把锆的醇盐溶液倒入钛的醇盐溶液中并搅拌,生成锆和钛的二元混合溶液;
(4)将上述二元混合溶液以一定比例倒入醋酸铅溶液,三者克分子配比为Pb∶Zr∶Ti=1∶x∶(1-x),0<x<1,形成PZT三元混合溶液。
4、按权利要求2或3所述的厚膜制备方法,其特征在于所述的锆的醇盐是丙醇锆、丁醇锆;钛的醇盐是丙醇钛、异丙醇钛、钛酸丁酯。
5、按权利要求2或3所述的厚膜制备方法,其特征在于所述的PZT三元混合溶液,用乙二醇甲醚调节溶液的浓度在0.2-0.6克分子/毫升范围内。
6、按权利要求1所述的厚膜制备方法,其特征在于甩胶速度为2000-3000转/分,时间3-10秒。
7、按权利要求1所述的厚膜制备方法,其特征在于PZT的三元混合溶液中Pb∶Zr∶Ti=1∶0.4∶0.6,与水解物聚集体的化学配比相同。
8、按权利要求1或6所述的厚膜制备方法,其特征在于聚集体的加入量为0.26克/毫升,经350℃前烘,重复5次甩胶,前烘,再在650℃氧气氛下退火20分钟形成3.5微米厚膜。
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CN1298674C (zh) * 2005-04-06 2007-02-07 清华大学 一种压电陶瓷膜的制备方法
CN102242356A (zh) * 2011-06-09 2011-11-16 哈尔滨工业大学 非晶金属表面钛锆固溶体微/纳米薄膜及其制备方法
CN103193482A (zh) * 2013-03-11 2013-07-10 华中科技大学 一种锆钛酸铅厚膜及其制备方法
CN110359058A (zh) * 2019-07-22 2019-10-22 肇庆市华师大光电产业研究院 一种锆钛酸铅修饰的赤铁矿纳米棒阵列光阳极的制备方法

Cited By (5)

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CN1298674C (zh) * 2005-04-06 2007-02-07 清华大学 一种压电陶瓷膜的制备方法
CN102242356A (zh) * 2011-06-09 2011-11-16 哈尔滨工业大学 非晶金属表面钛锆固溶体微/纳米薄膜及其制备方法
CN103193482A (zh) * 2013-03-11 2013-07-10 华中科技大学 一种锆钛酸铅厚膜及其制备方法
CN110359058A (zh) * 2019-07-22 2019-10-22 肇庆市华师大光电产业研究院 一种锆钛酸铅修饰的赤铁矿纳米棒阵列光阳极的制备方法
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