CN1284048C - 光刻设备和器件制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种光刻投射装置，它包括：用于提供辐射投射光束的辐射系统；用于支撑构图装置的支撑结构，所述构图装置用于根据所需的图案对所述投射光束进行构图；用于保持基底的基底台；用于将带图案的光束投射到该基底的目标部分上的投射系统；其中，该投射光束入射到其上的至少一个光学元件是多光学层光学元件，所述多光学层光学元件具有至少一个包含Mo-Cr合金的光学层。在本发明的器件制造方法中，投射光束入射到其上的至少一个光学元件是多光学层光学元件，该多光学层光学元件具有至少一个包含Mo-Cr合金的光学层。

Description

光刻设备和器件制造方法
技术领域
本发明涉及一种光刻投射装置，包括：
用于提供辐射投射光束的辐射系统；
用于支撑构图装置的支撑结构，所述构图装置用于根据所需的图案对投射光束进行构图；
用于保持基底的基底台；
用于将带图案的光束投射到基底的目标部分上的投射系统。
背景技术
这里使用的术语“构图装置”应广义地解释为能够给入射的辐射光束赋予带图案的截面的装置，其中所述图案与要在基底的目标部分上形成的图案一致；本文中也使用术语“光阀”。一般地，所述图案与在目标部分中形成的器件如集成电路或者其它器件的特定功能层相对应(如下文)。这种构图装置的示例包括：
■掩模。掩模的概念在光刻中是公知的。它包括如二进制型、交替相移型、和衰减相移型的掩模类型，以及各种混合掩模类型。这种掩模在辐射光束中的布置使入射到掩模上的辐射能够根据掩模上的图案而选择性的被透射(在透射掩模的情况下)或者被反射(在反射掩模的情况下)。在使用掩模的情况下，支撑结构一般是一个掩模台，它能够保证掩模被保持在入射光束中的理想位置，并且如果需要该台会相对光束移动。
■程控反射镜阵列。这种设备的一个例子是具有一粘弹性控制层和一反射表面的矩阵可寻址表面。这种装置的基本原理是(例如)反射表面的寻址区域将入射光反射为衍射光，而非寻址区域将入射光反射为非衍射光。用一个适当的滤光器，从反射的光束中滤除所述非衍射光，只保留衍射光；按照这种方式，光束根据矩阵可寻址表面的定址图案而产生图案。程控反射镜阵列的另一实施例利用微小反射镜的矩阵排列，通过使用适当的局部电场，或者通过使用压电致动器装置，使得每个反射镜能够独立地关于一轴倾斜。再者，反射镜是矩阵可寻址的，由此寻址反射镜以不同的方向将入射的辐射光束反射到非寻址反射镜上；按照这种方式，根据矩阵可寻址反射镜的定址图案对反射光束进行构图。可以用适当的电子装置进行该所需的矩阵定址。在上述两种情况中，构图装置可包括一个或者多个程控反射镜阵列。反射镜阵列的更多信息可以从例如美国专利US5,296,891、美国专利US5,523,193、PCT专利申请WO 98/38597和WO 98/33096中获得，这些文献在这里引入作为参照。在程控反射镜阵列的情况中，所述支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的。
■程控LCD阵列，例如由美国专利US 5,229,872给出的这种结构，它在这里引入作为参照。如上所述，在这种情况下支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的。
为简单起见，本文的其余部分在一定的情况下具体以掩模和掩模台为例；可是，在这样的例子中所讨论的一般原理应适用于上述更宽范围的构图装置。
光刻投影设备可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，构图装置可产生对应于IC一个单独层的电路图案，该图案可以成像在已涂敷辐射敏感材料(抗蚀剂)层的基底(硅晶片)的目标部分上(例如包括一个或者多个管芯)。一般的，单一的晶片将包含相邻目标部分构成的整个网状结构，该相邻目标部分由投影系统逐个相继辐射。在目前采用掩模台上的掩模进行构图的装置中，有两种不同类型的机器。一类光刻投影设备是，通过将全部掩模图案在一次行进中曝光在目标部分上而辐射每一目标部分；这种装置通常称作晶片步进器。另一种装置(通常称作分步扫描装置)通过在投射光束下沿给定的参考方向(“扫描”方向)依次扫描掩模图案、并同时沿与该方向平行或者反向平行的方向同步扫描基底台来辐射每一目标部分；因为一般来说，投影系统有一个放大系数M(通常＜1)，因此对基底台的扫描速度V是对掩模台扫描速度的M倍。关于如这里描述的光刻设备的更多信息可以从例如美国专利US6,046,729中获得，该文献这里作为参考引入。
在用光刻投影设备的制造方法中，(例如在掩模中的)图案成像在至少部分由一层辐射敏感材料(抗蚀剂)覆盖的基底上。在这种成像步骤之前，可以对基底可进行各种处理，如涂底层，涂敷抗蚀剂和软烘烤。在曝光后，可以对基底进行其它的处理，如曝光后烘烤(PEB)，显影，硬烘烤和测量/检查成像特征。以这一系列工艺为基础，对例如IC的器件的单层形成图案。这种图案层然后可进行各种不同的处理，如蚀刻、离子注入(掺杂)、镀金属、氧化、化学-机械抛光等完成一单层所需的所有处理。如果需要多层，那么对每一新层重复全部步骤或者其变化。最终，在基底(晶片)上出现器件阵列。然后采用例如切割或者锯断的技术将这些器件彼此分开，单个器件可以安装在载体上，与管脚等连接。关于这些步骤的进一步信息可从例如Peter van Zant的 “微 型集成电路片制造：半导体加工实践入门(Microchip Fabrication：A Practical Guideto Semiconductor Processing)”一书(第三版，McGraw Hill PublishingCo.，1997，ISBN 0-07-067250-4)中获得，这里作为参考引入。
为了简单起见，投影系统在下文称为“镜头”；可是，该术语应广义地解释为包含各种类型的投影系统，包括例如折射光学装置，反射光学装置，和反折射系统等光学元件。辐射系统还可以包括根据这些设计类型中任一设计操作的装置，该操作装置用于引导、整形或者控制辐射投射光束，这种装置在下文还可共同地或者单独地称作“镜头”。另外，光刻设备可以具有两个或者多个基底台(和/或两个或者多个掩模台)。在这种“多级式”器件中，可以并行使用这些附加台，或者可以在一个或者多个台上进行准备步骤，而一个或者多个其它台用于曝光。例如在美国专利US5,969,441和WO98/40791中描述的二级光刻设备，这里作为参考引入。
用于远紫外(EUV)光谱区域的光学元件，例如多层薄膜反射镜，对大大降低其反射率和光学质量的物理和化学损害特别敏感。与处于更长波长的反射镜相比较，在这些波长的反射率已经很低，这成为一个特别的问题，因为一个典型的EUV光刻系统有11个反射镜，四个在照明光学系统中，六个在成像光学系统中，一个在反射光网中。也可以是若干增光入射反射镜。显然，甚至单反射镜峰值反射率的1-2％的微小降低，也将导致光学系统中的光通量的显著减少。
传统反射光学系统主要由用于标准入射反射的Mo/Si多光学层光学元件组成。如果光学层最后是Si，即最外面的光学层是一种Si(不考虑表面粗糙或界面漫射)，这样的多光学层光学元件具有约73.7％的理论反射率(实际值约69％)。
由于Mo体心立方(BCC)晶体结构与Si晶体结构(菱形结构)之间很大的晶格失配引起多层中的高压力，因此这样的光学元件还存在问题。应力或应力放松分别导致光学元件初期失效或改变。
同样，从理论的观点看，以Mo为最终层的多光学层光学元件，如果外Mo层的厚度为1.5-3nm，将具有比传统光学元件高大约1-1.5％的反射率。然而，在光学元件加工之后，外表面在装配光刻投射装置期间通常暴露在空气中。由于暴露在空气中，外Mo层完全地被氧化，并且导致几个百分点的反射率的显著损失，因此迄今为止，只使用具有Si外层的多光学层光学元件。
由于EUV扫描器的真空中的水和氧(后者可用于碳的缓和或净化)而结合有分子污染物的EUV辐射在用于光刻投射装置的时候，导致多光学层光学元件反射率的显著降低。这样，光学元件在EUV光刻设备中的寿命很短。在用于EUV扫描器的未烘烤真空中，在低至10-7毫帕的水压下，可以发生因为外表面氧化引起的反射率的降低。
近来的实验(见欧洲专利申请EP1,065,532)已经表明，Ru盖层以及密集压缩的C盖层可以减少氧化和由此带来的反射率降低。可是，厚Ru层(约3nm)由于吸收会引起无法接受的反射降低，反之，薄层(约1.5nm)导致与被Ru涂覆的层的混合并由此氧化及反射率降低。如果使用1.5nm厚的Ru保护外层和2.0nm的Mo层，似乎可以防止氧化约50小时，但是这样的光学元件的理论反射率将低至71.5％，即比标准Si为最终层的多光学层光学元件的反射率低2-3％。
发明内容
本发明的一个目的是提供光学元件，包括用于使用远紫外辐射(EUV)作投射光束的光刻投射装置中的具有更长使用寿命的多光学层反射镜。
依据本发明，提供一种光刻投射装置，包括：用于提供辐射投射光束的辐射系统；用于支撑构图装置的支撑结构，所述构图装置用于根据所需的图案对所述投射光束进行构图；用于保持基底的基底台；用于将带图案的光束投射到该基底的目标部分上的投射系统；其特点是，该投射光束入射到其上的至少一个光学元件是多光学层光学元件，所述多光学层光学元件具有至少一个包含Mo-Cr合金的光学层。
光学元件可以是光束改变元件，例如反射镜，举例来说，包含在照明和投射系统其中一个中的多光学层接近正常入射反射镜或掠射反射镜；积分器，例如散射板；掩模本身，特别是多光学层掩模；或者其它涉及对投射光束导向、聚焦、成形、控制等等的光学元件。光学元件还可以是传感器，例如图象传感器或光斑传感器。
尽管存在已知对EUV辐射是高效吸收材料的Cr，但是本发明的光学元件有惊人的高反射率。通过在Si上沉积一层薄Mo层产生的由晶格失配引起的压力因为Cr原子容易取代Mo层中的Mo原子而减小。由于Mo和Cr构成体心立方(BCC)晶体结构的晶格常数分别为3.15和2.88埃，Mo/Cr合金的原子与原子的距离比Mo短，因而与Si层的原子与原子的距离更匹配，因此减小了晶格失配压力。当然Si具有5.43埃的晶格间距的四方晶系结构。
优选地，该至少一个光学层包含0.5-10mol％的Cr，优选地是1-5mol％的Cr，更优选地是3mol％的Cr。已经发现这样的成分产生高反射率值，同时减小非Si层中的压力。
优选地，光学元件是多光学层光学元件并且外层是Mo/Cr层。按照这种方式，可以更好地保护该光学元件而免受化学侵蚀。或者，光学元件可以具有覆盖Mo/Cr层的Ru外保护层。已经发现带有后面这种结构的Mo/Cr光学层在Si和Ru之间提供了一个良好的漫射屏障，从而当使用Ru保护外层时增强了腐蚀保护。
优选地，光学元件的光学层包含多个带有置于Mo/Cr光学层之间的Si层的Mo/Cr光学层。在这种情况下，反射率与标准Si终结多层光学元件的反射率一样高，但是在整个元件中由Si层与Mo/Cr合金层间的晶格失配引起的应力减小。
优选地，至少一个光学层为1-3.5nm厚，优选为1.5-3nm厚。这些厚度的光学元件的反射率是最优化的。
依据本发明的又一方面，提供一种器件制造方法，包括以下步骤：提供至少部分由一层辐射敏感材料覆盖的基底；利用辐射系统提供辐射投射光束；利用构图装置使该投射光束的横截面具有图案；在该辐射敏感材料层的目标部分上投射带图案的该投射光束；其特征是，该投射光束入射到其上的至少一个光学元件是多光学层光学元件，所述多光学层光学元件具有至少一个包含Mo-Cr合金的光学层。
在本说明中，本发明的装置具体用于制造IC，但是应该明确理解这些装置可以具有很多其它应用。例如，它可用于制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、液晶显示板、薄膜磁头等等。本领域的技术人员将理解，在这种可替换的用途范围中，在说明书中任何术语“光网”，“晶片”或者“管芯”的使用应认为分别可以由更广义的术语“掩模”，“基底”和“目标部分”代替。
在本文件中，使用的术语“辐射”和“光束”包含所有类型的电磁辐射，包括紫外辐射(例如具有365，248，193，157或者126nm的波长)和EUV(远紫外辐射，例如具有5-20nm的波长范围)，和粒子束，如离子束或者电子束。
附图说明
现在仅通过举例的方式，参照附图描述本发明的实施方案，其中：
图1表示依据本发明一实施方案的光刻投射装置；
图2是本发明光学元件的外层厚度与反射率的关系曲线图；
图3是氧信号的俄歇深度分布作为电子辐射时间的函数的曲线图。
在图中相应的附图标记表示相应的装置。
具体实施方式
实施例1
图1示意性地表示了本发明一具体实施方案的一光刻投影设备。该装置包括：
辐射系统Ex，IL，用于提供辐射投射光束PB(例如EUV辐射)，在这种具体例子中，该辐射系统还包括一辐射源LA；
第一目标台(掩模台)MT，设有用于保持掩模MA(例如光网)的掩模保持器，并与用于将该掩模相对于物体PL精确定位的第一定位装置连接；
第二目标台(基底台)WT，设有用于保持基底W(例如涂敷抗蚀剂的硅晶片)的基底保持器，并与用于将基底相对于物体PL精确定位的第二定位装置连接；
投射系统(“镜头”)PL(例如反射镜组)，用于将掩模MA的辐射部分成像在基底W的目标部分C(例如包括一个或多个管芯)上。如这里指出的，该装置属于反射型(例如具有反射掩模)。可是，一般来说，它还可以是例如透射型(例如具有透射掩模)。另外，该装置可以利用其它种类的构图装置，如上述涉及的程控反射镜阵列型。
辐射源LA(例如产生激光或放电等离子源)产生辐射光束。该光束直接或横穿过如扩束器Ex等调节装置后，再照射到照射系统(照射器)IL上。照射器IL包括调节装置AM，用于设定光束强度分布的外和/或内径向量(通常分别称为σ-外和σ-内)。另外，它一般包括各种其它元件，如积分器IN和聚光器CO。按照这种方式，照射到掩模MA上的光束PB在其横截面具有理想的均匀度和强度分布。
应该注意，图1中的辐射源LA可以置于光刻投射装置的壳体中(例如当辐射源LA是汞灯时经常是这种情况)，但也可以远离光刻投射装置，其产生的辐射光束被(例如通过合适的定向反射镜的帮助)引导至该设备中；当光源LA是准分子激光器时通常是后面的那种情况。本发明和权利要求包含这两种方案。
光束PB然后与保持在掩模台MT上的掩模MA相交。与掩模MA相交后，光束PB通过镜头PL，该镜头将光束PB聚焦在基底W的目标部分C上。在第二定位装置(和干涉测量装置IF)的辅助下，基底台WT可以精确地移动，例如在光束PB的光路中定位不同的目标部分C。类似的，例如在从掩模库中机械取出掩模MA后或在扫描期间，可以使用第一定位装置将掩模MA相对光束PB的光路进行精确定位。一般地，用图1中未明确显示的长冲程模块(粗略定位)和短行程模块(精确定位)，可以实现目标台MT、WT的移动。可是，在晶片步进器中(与分步扫描装置相对)，掩模台MT可与短冲程致动装置连接，或者固定。
所示的装置可以按照二种不同模式使用：
1.在步进模式中，掩模台MT基本保持不动，整个掩模图像在一次行进中被投射(即单“闪”)到目标部分C上。然后基底台WT沿x和/或y方向移动，以使不同的目标部分C能够由光束PB照射。
2.在扫描模式中，基本为相同的情况，但是所给的目标部分C没有暴露在单“闪”中。取而代之的是，掩模台MT沿给定的方向(所谓的“扫描方向，例如y方向”)以速度v移动，以使投射光束PB扫描整个掩模图像；同时，基底台WT沿相同或者相反的方向以速度V＝Mv同时移动，其中M是镜头PL的放大率(通常M＝1/4或1/5)。在这种方式中，可以曝光相当大的目标部分C，而没有牺牲分辨率。
下面描述的发明的例子是通过用薄膜设计程序TFCalc(Softwear Spectra Inc.)执行和用LPro(4D Technology Ltd.)检验而计算获得的。TFCalc的内置球形及针状优化程序用于优化处理，如A.V.Tikhonravov在Appl.Opt.32，5417(1993)中，A.V.Tikhonravov、M.K.Trubetskov和GM.DeBell在Appl.Opt.35，5493(1996)中，及J.A.Dobrowski和R.A.Kemp在Appl.Opt.29，2876(1990)中所描述的，这里作为参考引入。不同材料的光学常数，也就是复折射率N＝n-ik由Henke et.al.自原子扩散因数得到并且可以从Berkeley的CXRO网络服务器(B.L.Henke，E.M.Gullikson，和J.C.Davis，Atomic Data and Nuclear Data Tables，54(2)，181-342(1993)；http://www.cxro.lbl.gov/optical_constant/)获得。所用材料的n和k值作为6-42nm波长的函数被下载并且这种n和k的波长依赖性在所有计算中是固有的。在某些特别重要波长对于不同材料的n和k值列在下面的表1中。为了证明本发明反射镜的性能的提高，我们假定在下面的例子中用理想“白”光照明。
图2示出模拟计算掠入射多光学层光学元件的理论反射率的结果。计算是在假设投射光束波长为13.5nm但不包括表面粗糙或界面漫射的情况下进行的。曲线图示出反射率随用于各种多光学层光学元件的外层厚度的变化。
上面的一组曲线是基于多光学层光学元件包含生长在Si基底上的40个周期的Si/Mo层的模拟结果。实际上，Zerodur(TM)或其它低热膨胀系数材料例如ULE(TM)被用作基底，并且使用40-50个周期的Si/Mo。Si层4.4nm厚，Mo层2.5nm厚，并且最外层包含4.4nm厚的Si。
最上面的曲线是最外层Si被含Mo层覆盖的一个比较例。这个例子得到了最高的反射率，但是，如上面所描述的，实际上这样的Mo外层在光刻投射装置装配期间会氧化，得到实际上很低的反射率。下面的五条曲线表示Mo外层被具有不同Cr浓度的Mo和Cr合金代替的情况。
这五条曲线表示从1mol％的Cr到5mol％的Cr五种不同合金成分。从曲线的趋势可以推断出范围在0.5-10mol％的Cr成分也是有效的。最外层合金中Cr的水平应当足以减小由于晶格失配引起的压力，同时防止表面的氧化，并且应当少于有害影响反射率的量。
从图2中可以看出，对于外光学层包含厚度为1-3.5nm、优选地1.5-3nm厚、最优约2.25nm厚的Mo和Cr合金的多光学层光学元件，其反射率是令人满意的。
通过具有包含Mo和Cr合金的外层而获得的这个优点与纯Mo层相比，增加了对光学元件免受化学和物理侵蚀的保护，并且减少了由于晶格失配引起的压力。虽然可以看出相对于包含纯Mo外层的标准多光学层光学元件，其反射率降低，但纯Mo外层由于其在富水环境的氧气中快速老化而不被使用。目前，具有Si外层的标准多光学层光学元件的理论反射率仅有73.7％。
从图2中可以看出，在提供对化学和物理侵蚀的增强保护的同时，Mo和Cr合金外层还提供比带有Si外层的由Si和Mo构成的标准多光学层光学元件更高的最大理论反射率。
此外，Mo和Cr的合金将其体心立方(bcc)晶格常数从约3.15埃向体心立方Cr的晶格常数2.88埃的方向减小。这种减小的晶格常数与晶格常数为5.43埃的具有菱形结构的Si的较小原子与原子的距离更匹配。由晶格失配引起的Mo层中应力的减小还导致光学元件的寿命更长。通过用Mo和Cr合金替代标准多光学层光学元件的Mo层，上面提及的最终优点可以在整个多光学层光学元件中取得良好的效果。这样，在整个多光学层光学元件中Mo层内的应力减小并且因此也可以预期光学元件的寿命增加。从图2中可以看出，如果对于具有3mol％ Cr的Mo合金合金替代Si/Mo系统中的纯Mo的这样一个系统的理论反射率，导致相对于带有Mo外层的标准多光学层光学元件而言反射率降低，但其反射率仍可以与带有Si外层的标准多光学层光学元件相比拟。
在光学元件是增光入射反射镜(例如在发光体和光网(PO Box)之间的集光器或入射反射镜)的情况下，需要20-100nm的较厚的Mo/Cr层。这样该至少一个光学层优选厚度为1-100nm。
作为另一个选择，可以涂覆厚度约为2nm的Mo与Cr的合金外层。这个外光学层可以用厚度约1.5nm的Ru外保护层覆盖。以前已经发现Ru可以提供良好的保护，但是Ru对气体分子扩散进入多光学层光学元件的Si的抵抗力不是特别高。然而在使用Mo与Cr的合金时，该层起到Si和Ru之间一个很好的扩散屏障的作用。因此，这个解决方案在仅以小的反射率损失的情况下提供了出色的侵蚀保护。
图3图解说明了氧浓度的俄歇深度分布与标准Mo/Si多光学层光学元件深度的关系曲线。在水压力1×10-5毫帕时提供1.8mW/mm2的电子辐射。可以看出，很快氧扩散进入外层Si，但氧扩散穿过Mo层很慢。因而，可以预期具有Mo或者Cr和Mo合金的外层将大大地减少氧扩散进入多光学层光学元件，从而导致光学元件寿命的提高。
可以理解，因为减小了Mo和Si层之间的晶格失配，将Cr和Mo合金层用于多光学层光学元件的任何层是有利的。
同样，可以理解，本发明也适合用于由除了Mo和Si之外的元素的光学层构成的多光学层光学元件。例如，Mo和Rb、Mo和Ru、Ru和Be等等。关于其它组合，见EP1,065,568。
以上已描述本发明的具体实施例，可以理解本发明除上述之外，可以采用其他方式进行实施，本说明不作为本发明的限定。

Claims (29)

1.光刻投射装置，包括：
用于提供辐射投射光束的辐射系统；
用于支撑构图装置的支撑结构，所述构图装置用于根据所需的图案对所述投射光束进行构图；
用于保持基底的基底台；
用于将带图案的光束投射到该基底的目标部分上的投射系统；
其特征在于：
该投射光束入射到其上的至少一个光学元件是多光学层光学元件，所述多光学层光学元件具有至少一个包含Mo-Cr合金的光学层。
2.如权利要求1所述的光刻投射装置，其特征是，所述至少一个光学层包含0.5-10mol％的Cr。
3.如权利要求2所述的光刻投射装置，其特征是，所述至少一个光学层包含1-5mol％的Cr。
4.如权利要求3所述的光刻投射装置，其特征是，所述至少一个光学层包含3mol％的Cr。
5.如权利要求1至4中任一项所述的光刻投射装置，其特征是，所述至少一个光学层是外层。
6.如权利要求1至4中任一项所述的光刻投射装置，其特征是，所述光学元件具有涂覆在所述至少一个光学层上的Ru外保护层。
7.如权利要求6所述的光刻投射装置，其特征是，所述Ru外保护层的厚度为0.5-2.5nm。
8.如权利要求7所述的光刻投射装置，其特征是，所述Ru外保护层的厚度为1.5nm。
9.如权利要求1至4中任一项所述的光刻投射装置，其特征是，所述光学元件的除所述至少一个光学层之外的光学层包含Si或Mo。
10.如权利要求5所述的光刻投射装置，其特征是，所述光学元件的除所述至少一个光学层之外的光学层包含Si或Mo。
11.如权利要求6所述的光刻投射装置，其特征是，所述光学元件的除所述至少一个光学层之外的光学层包含Si或Mo。
12.如权利要求7所述的光刻投射装置，其特征是，所述光学元件的除所述至少一个光学层之外的光学层包含Si或Mo。
13.如权利要求5所述的光刻投射装置，其特征是，所述至少一个光学层涂覆于Si层上。
14.如权利要求6所述的光刻投射装置，其特征是，所述至少一个光学层涂覆于Si层上。
15.如权利要求7所述的光刻投射装置，其特征是，所述至少一个光学层涂覆于Si层上。
16.如权利要求9所述的光刻投射装置，其特征是，所述至少一个光学层涂覆于Si层上。
17.如权利要求1至4中任一项所述的光刻投射装置，其特征是，所述多光学层光学元件包含多个所述至少一个光学层，并且Si层置于多个所述至少一个光学层之间。
18.如权利要求5所述的光刻投射装置，其特征是，所述多光学层光学元件包含多个所述至少一个光学层，并且Si层置于多个所述至少一个光学层之间。
19.如权利要求6所述的光刻投射装置，其特征是，所述多光学层光学元件包含多个所述至少一个光学层，并且Si层置于多个所述至少一个光学层之间。
20.如权利要求7所述的光刻投射装置，其特征是，所述多光学层光学元件包含多个所述至少一个光学层，并且Si层置于多个所述至少一个光学层之间。
21.如权利要求9所述的光刻投射装置，其特征是，所述多光学层光学元件包含多个所述至少一个光学层，并且Si层置于多个所述至少一个光学层之间。
22.如权利要求13所述的光刻投射装置，其特征是，所述多光学层光学元件包含多个所述至少一个光学层，并且Si层置于多个所述至少一个光学层之间。
23.如权利要求14所述的光刻投射装置，其特征是，所述多光学层光学元件包含多个所述至少一个光学层，并且Si层置于多个所述至少一个光学层之间。
24.如权利要求15所述的光刻投射装置，其特征是，所述多光学层光学元件包含多个所述至少一个光学层，并且Si层置于多个所述至少一个光学层之间。
25.如权利要求16所述的光刻投射装置，其特征是，所述多光学层光学元件包含多个所述至少一个光学层，并且Si层置于多个所述至少一个光学层之间。
26.如权利要求1至4中任一项所述的光刻投射装置，其特征是，所述至少一个光学层的厚度为1-3.5nm。
27.如权利要求27所述的光刻投射装置，其特征是，所述至少一个光学层的厚度为为1.5-3nm。
28.如权利要求1至4中任一项所述的光刻投射装置，其特征是，所述辐射系统包括用于产生波长为5-20nm的所述投射光束的EUV源。
29.一种器件制造方法，包括以下步骤：
提供至少部分由一层辐射敏感材料覆盖的基底；
利用辐射系统提供辐射投射光束；
利用构图装置使该投射光束的横截面具有图案；
在该辐射敏感材料层的目标部分上投射带图案的该投射光束；
其特征在于：
该投射光束入射到其上的至少一个光学元件是多光学层光学元件，所述多光学层光学元件具有至少一个包含Mo-Cr合金的光学层。
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