CN1279542C - 用于标记存储设备内容的装置和方法 - Google Patents

Abstract

一个用于记录、寻址和读取数据的电可寻址设备，包括一个具有多个数据存储介质层的存储器阵列单元，每一层被安置在一个基底上；和与存储介质的至少一层有关以提供一个显示指示预选信息的电标记设备。该电子标记设备包括至少一个显示层，所述显示层可以部分可视地替换以提供所述显示。该显示层还包括多个多态信息存储单元，每一个表示至少一个数据位的值，其中每一个信息存储单元视觉外表根据信息存储单元的状态而变化。本发明还提供一个用于标记一个用于记录、寻址和读取数据的电可寻址设备的内容的方法。该方法包括选择数据电保存在最外层上以提供指示诸如存储器阵列模块中所保存数据特性的预选信息的显示。

Description

用于标记存储设备内容的装置和方法

技术领域

本发明涉及数字存储电路领域。更具体的，本发明涉及提供一种具有用于提供信息的电子标记的信息存储单元，该信息例如为保存在该信息存储单元中的数据内容。

发明背景

现在，许多商用设备用于产生和/或使用数量越来越大的数据。用于静止和/或运动图象的便携式数据相机，例如，产生代表图象的大量数字数据。每个数字图象可要求多达几兆字节(MB)的数据存储空间，而这种存储器必须是在该相机中可用的。为了提供这种数据存储应用，存储器对于在大约10MB到数百吉字节(GB)范围的足够容量具有相对较低价格。该存储器还应具有较低功耗(例如＜＜1Watt)和具有相对较粗放的物理性质以于便携式电池供电的操作环境相适应。对于档案存储，数据只需要一次性写入存储器。优选地，存储器应具有一个短的存取时间(在微秒的量级)和适度的传输速率(例如20Mb/s)。优选地，还有，该存储器应可以被封装在工业标准接口模块中，诸如PCMCIA或紧凑型闪存卡(Compact Flash card)。

一次性写入紧凑型信息存储器的一种形式为授予Gudesen等人的美国专利No.6,055,180所公开，其中可分别存取单元的矩阵被安置在正交排列的导体之间的层中。这些单元可以包括交叉点二极管，OLEDs，双稳态液晶元件或其他状态随热和/或光的引入而改变的设备。

在用于提供高密度档案存储器的便携式设备中的另一种应用公开在共同未决美国专利申请号＿＿＿＿＿＿＿＿(HP公司的文档号10002367)，标题为“一次性写入存储器”，该申请的公开在此被引入作为参考。这里所公开的存储系统，称为便携式便宜粗放存储器(portable inexpensive rugged memory(PIRM))，目的是用于为档案存储提供低价格的高容量一次性存储器。这通过避免采用硅基底，最小化处理复杂度和降低区域的密度可以部分实现。该存储系统包括一个由构建在塑料基底上的集成电路层的层叠堆栈所形成的存储模块。每层包括交叉点存储器阵列，而对保存于该阵列中的数据的传感时由远离存储模块的一个单独集成电路来实施的。

因为PIRM存储器相对价格较低，使用者很可能要求大量的具有各种保存内容的PIRM模块。这对于粗略地浏览模块内容而不必将模块插入一个设备进行完全目录列表是有用的。

因此，使用者需要一个显示装置以指示存储器模块的内容。通常，重要的是用显示器提供保存于该存储器模块中的数据性质。该显示可包括标题，创作日期，位置，数据类型，所有人和其他与所保存内容有关的描述性信息。该显示器还可以提供一个已经使用的存储模块部分的显示，该显示可以数字，图形或其他可视装置来描述。优选地，与存储量有关的显示信息可以被修正为所保存数据改变量。

用于标记具有内容的存储设备的现有解决方案都有其缺点。手写式背粘标记通常用于可记录介质，诸如软盘，后备磁带和紧凑式光盘(CD)。本发明是灵活的和简单的，但是该解决方案受到使用者书法的限制，而其精确度依赖于使用者在将其保持为当前信息方面的勤奋。

标记照相胶片可以通过一个小LEDs阵列直接在负片上曝光来打印日期而实现。该方案使得图象质量降低并且不能够进行粗略浏览。在照片背面打印使得信息更容易访问，但是打印的日期不可能是按动快门的日期。APS照相胶片包括在胶片上的磁性带条，用于将其他形式的元信息写入负片上。然而，没有扫描仪很难进行浏览。

用于线性带打开格式的带盒提供小量的用于诊断和粗略目录信息的非易失性固态存储器。该方法避免了必须装载和扫描整个带，但是它仍然是需要一个机器才可重读。

可重读CD和可重记录CD具有几个内容标记方法，其中最简单的为在盘片上的手写标记。另外，塑料存储器外壳可以包括具有内容的打印衬片。然而，难以制造这种外壳衬片且它们易于与外壳分离。CDs还可以直接标记在背面，但是要求复杂的处理工艺。

易于指示所使用的记录介质量的现有系统还具有它们的限制。CD-R设备提供了一种观察在已记录区域中的盘片反射率中的微小改变。然而，这种解决方案太精细，以至于需要好的照明来确定差别。APS照相胶片提供了一种显示胶片是否曝光，部分曝光，完全曝光或完全曝光并处理过的扩展的可视报讯器。虽然这为有用信息，易于实现该系统的成本包括在胶片盒中的复杂度和要求该相机能检测出未曝光的胶片。

因此，这需要电子标记的高密度，便携式和一次性使用的存储器模块，用于提供和显示关于模块内容和存储器模块已经使用程度的信息。这种标记应可自动实施，易于观察和可以显示各种信息。该显示还应清晰地指示已用和/或仍可用存储量。

发明概述

本发明包括一个用于记录、寻址和读取数据的电可寻址设备，它包括一个具有多个数据存储介质层的存储器阵列单元，每一层被放置在一个基底上；和一个在存储器阵列单元的至少一个存储介质层上的电子标记设备，用于提供一个指示预选数据或信息，诸如保存在存储器阵列单元上的数据内容的性质，的电子标记设备。

在一个实施例中，电子标记设备包括至少一层，该层为一个可部分可视地提供信息显示的显示层，诸如显示主题和数据内容名称和已经使用的存储量。

该显示层包括多个信息存储单元，每个存储单元包括至少一个数据位的值，其中信息存储单元的视觉外表根据信息单元的状态而变化。每个单元为根据数据位的值而改变状态的多态电设备且它具有可根据该电设备的状态而变化的容量、颜色和/或反射率。一个适合的单元包括一个电熔丝，它具有根据该熔丝是否烧断而改变的透明度，或具有一个指示该熔丝已经烧断的内嵌标记。优选地，该显示层包括存储器阵列单元的一个最外层。该存储器阵列还包括在显示层和在存储器阵列中下一层之间的一个反射层。

在本发明的另一个实施例中，存储器阵列设备的每一层被放置在基本上透明的基底上，而该电标记设备包括一个用于将数据以一种在存储器阵列单元的每层上连续的方式保存在该存储器阵列单元上的寻址设备。该存储器阵列设备具有在该存储器阵列单元的每层上近似相同位置的对应的数据地址和将数据同时保存在该存储器阵列单元的多层上的，每层上近似相同位置处的寻址设备。一个反射层可以提供在存储器阵列单元的至少一个最外层上。该显示指示已经被记录有数据的存储模块量。

另一个实施例包括一个用于标记用于记录、寻址和记录数据并包括具有多个存储介质层的存储器阵列单元的电可寻址设备的方法。该方法包括将数据保存在代表数据内容的最外层上以提供一个指示所保存在存储器阵列单元上数据内容的性质。优选地，在最外层和存储器阵列单元的剩余层之间的界面上配置有一个反射层。该显示还指示任意预选的信息，包括并不限于关于主题和数据内容名称，以及记录有数据的存储器阵列单元。

本发明的其他方面和优点将通过下面的详细描述，并接合以示例性方式描述本发明原理的附图变得更加清楚。

附图简述

图1为根据本发明一个实施例的一个一次性写入存储系统的框图；

图2为示出一个存储模块的一般结构的一次性写入存储系统的示例性框图；

图3为根据本发明一个实施例来构造的一次性写入存储模块的剖视等积图；

图4为在本发明的实施例中实施可用的一个交叉点存储元件的示图；

图5为一个交叉点阵列存储单元的简化平面图；

图6显示一个一次性存储器阵列，用于示出该阵列的寻址存储元件；

图7为根据本发明一个实施例的一次性存储模块中的各层的分解图；

图8为图7的存储模块的显示层的象素部分的简化布局图；和

图9示出图7的存储模块的显示层的一个象素的不同灰度阴影。

优选实施例详述

在此公开了一次性写入存储器、存储系统，寻址和传感电路和用于制造、实现和使用这种电路和系统的方法。在下面的描述中，只作为解释，设定具体的命名法和具体的实现细节以提供对本发明的完全理解。然而，本领域技术人员应理解这些具体细节对于实现本发明是不需要的。

在下面的描述中，“数据”所指的应理解为该“数据”可以根据内容以各种方式来表示。例如，在存储单元中的“数据”可以用一个电压电平、一个磁性状态、或一个诸如表示诸如电压或电流电平的可测量效应或例如到传感器的改变的电阻率的物理特性来代表。另一方面，在一个总线上或在传输过程中，这种“数据”应为电流或电压信号的形式。例如，这里大多数环境中“数据”主要为性质上为二元的，这可以很容易地用“0”和“1”的状态来表示，但应理解该二元状态在实际中可以用相对不同的电压、电流、电阻或类似特性来表示并且一个特殊的具体表现是否表示一个“0”或“1”一般是非实质的。

本发明包括一个用于标记存储器阵列内容的装置和方法。本发明的一个优选实施例将在前述共同未决美国专利申请中所述的存储系统中使用那一类型交叉点二极管存储器阵列的上下文中进行讨论。为了提供对本发明的一个完全理解，因此下面的详细描述被提供在这样一个存储系统的上下文中，虽然本领域的技术人员应认识到在申请中，本发明并不限于所述结构。

一个特别有用于在诸如数字相机或便携式数字音频设备的设备中保存数据的便携式、便宜的、粗放的存储器(PIRM)系统，具体表现为图1框图所示的一个存储卡。该存储系统可以被包含在一个工业标准接口卡(例如，PCMCIA或CF)中，从而它可以在具有这些接口的现有或将来的产品中使用。该存储卡10具有一个I/O接口连接器12，可以在卡10和它所连接的设备2之间建立通信。该接口连接器被连接到一个接口和一个连接到可移去存储器模块的控制电路14上。存储器模块20提供用于一次性写入存储的电路，包括一些检测，可写入和寻址功能。接口和控制电路14包括用于在每个可移去存储模块20被接受入卡中时对它们执行控制、面接、检测，误差校正编码(ECC)和类似功能的电路。存储器模块20被接受入存储卡中的一个插座或类似部件中，从而它可以由此移去并用另一个存储器模块来代替。当被接受入一个存储卡中时，存储器模块20通过一个内部接口连接到该接口和控制电路14。

一次性写入存储意味着，有效地，数据只能一次性写入存储器，此后保持不能改变。在多种形式的一次性写入存储器中，即数据在初始写入之后并非完全不能改变，然而它一般不能任意改变，这是本领域技术人员所公知的。例如，多数一次性写入存储器被设置为每个存储单元处于第一二元态中(例如，代表一个二元数据“0”)，而在一个写入过程中所选择的存储单元被改变到第二二元态(例如，代表一个二元数据“1”)。在存储器中由第一二元态到第二二元态的改变经常是不可逆的，例如，一旦数据“1”被写入，它就不能变回数据“0”了。这限制了在数据被写入存储器之后可以对其进行的改变，其中任意数据只能一次性写入而之后，数据“0”，例如，只能变为数据“1”，而没有其他方式返回。

因为存储器模块20包括一次性写入存储器，它对于档案数据存储器是合适的，其中数据一旦写入就被保持了。这稍微有点象照相胶片，其中图象被保存在其上一次，而显影的胶片被保持作为永久记录。因此，一旦存储器模块已经被数据填满容量，则要求另一个数据存储器。简单地调换在设备2中的整个存储卡10应是可能的，然而这将意味着接口和控制电路，以及存储卡结构，与存储器模块一起被存档。为了降低数据存储器价格，希望存储器系统的可重用和相对较低廉的部件不被永久性地连接到实际的存储器上，并为了在优先实施例中，存储器模块20是可由存储卡10移去的。存储卡10的体积包括一个一次性成本，而用于插入其中的存储器模块被低廉地装配，如下所述的。

一次性写入模块

图2示出了存储器模块20的一个框图表示，该存储器模块连接到一个接口和控制电路14。为了对于一个给定的基区增加一个存储器模块的存储容量，模块20由一个叠层22的堆叠构成。每一层22具有一个提供数据存储器的存储元件阵列25。这些层的每个还包括通过存储器系统内部接口16将各自的存储器阵列分别连接到接口和控制电路14的寻址电路30。在每层上的寻址电路使得在存储模块的各层之间的互联导体更少，这有利于装配的简单和成本的降低。

图3是一个存储器模块20的剖视等积图，示出在存储器模块中的电路和各层的一个可能的物理排列。每一层22包括形成在基底50上的一个存储器阵列25和一个寻址电路30。存储器阵列25包括一个存储元件26的矩阵。寻址电路30包括与存储器阵列25的各自正交边缘相邻放置的列和行多重/去多重(mux/demux)电路部分。在制造过程中，还在基底上形成输入/输出(I/O)引线40。在存储器模块20中，行I/O引线40a由行多重/去多重电路30a延伸到基底的第一相邻边缘44a，而列I/O引线40b由列多重/去多重电路30b延伸到基底的第一相邻边缘44b。每根引线40终止于各自的接触焊片42处，它们中的部分被暴露在基底50的边缘40a和40b。

多层22被堆叠在相同方向并被叠压在一起。利用导电性接触元件55在堆叠层的接触焊片42的暴露部分形成电接触，这由图3中的部分剖视图所显示。沿存储器模块20的边缘延伸的接触元件55，与单层平面相垂直。作为示例，每个接触元件55形成到堆叠中多层的接触焊片的点接点。这些接触元件55可以被用于将存储器模块通过存储系统内部接口连接到接口和控制电路14。

在存储器模块的一个优先实施例中，对于用于每一层22的基底50由一个聚合体塑料材料来形成。集成电路(例如存储器和寻址电路)可以由此方法形成在基底上的处理工艺，和被组装为一个存储器模块的层在前述共同未决的美国专利申请中被详细描述。

一次性写入存储器阵列

一个存储元件26的阵列被形成在在存储器模块20的每一层上。存储器阵列包括一个列线和行线的规则矩阵，其中在每一个列/行交点上都有一个存储元件。图4示出一个具有列线60和行线62的存储器阵列25的一部分的示意图。连接在每一个列线和行线之间的是一个存储元件26，它还更详细地显示在图4示图的放大部分。在存储器阵列的一个优选实施例中，每一个存储元件26包括一个与二极管元件66相串联的熔丝元件64。熔丝元件64提供一个实际的存储元件的数据保存效应，而二极管66有利于使用列线和行线对存储元件的用于写入和读出数据的寻址。

存储器阵列25的优选操作过程如下。在装配时，每一个存储元件26具有一个导通的熔丝元件。熔丝元件的导通状态表示一个二元数据状态，称为数据“0”。为了将数据写入存储器阵列，使用列线和行线来对希望保存一个数据“1”的每个存储元件进行寻址而熔丝元件在这里为“烧断”，将其置为一个非导通状态。熔丝元件的非导通状态表示另一个二元数据状态，称为数据“1”。烧断熔丝元件是一个单向操作，这使得存储器为一个“一次性写入”存储器，如上所述的。一个数据写入操作(例如将数据“1”写入所选择的存储元件)可以同时将预定电流经由所选择行线施加在一个所选择列线上，例如足以烧断直接将那些行线/列线互联的存储元件的熔丝烧断，来实施。可以通过使用列线和行线对存储元件寻址并传感哪些存储元件为导通(数据“0”)和哪些为非导通(数据“1”)来由存储器阵列读取数据。

在阵列的每一存储元件中的二极管元件66有助于在使用列线和行线对存储元件的用于写入和读取数据的唯一的寻址过程。如果在列/行交叉点存储元件中没有一个二极管，则存在一个通过在给定列线和行线之间的许多存储元件的电流路径。然而，如果具有形成通过每一存储元件的一个单向导通路径的二极管，则单根列线和单根行线可以用于唯一地对一个单独的存储元件寻址。换句话说，形成一个由一列线到一行线的电路允许电流只通过一个单独的存储元件。通过将一个预定的“数据写入”电流经由该电路来施加，在存储元件中的熔丝可以被烧断以将数据“0”改变为数据“1”。还有，通过传感在该电路中的电阻，可以确定存储元件熔丝是否进入一个断开电路或为闭合电路，从而读取数据“1”或“0”。

从而，二极管66降低了在读取和写入操作过程中在存储元件之间的串音的发生。此外，二极管的非线性电流-电压(I-V)特性改善了数据传感的信噪比(SNR)，这有助于远程的传感和码字的寻址。因为传感电路在接口和控制电路14中，在存储器模块中的数据被远程地传感，该电路14被包含在一个分离的集成电路中。还有，使用如下所述的寻址电路，来实施对存储元件的组合的二极管逻辑寻址，以降低在存储器模块20和接口和控制电路14之间速要求的连接的数量。

由结构的角度出发，存储器阵列有时被称为交叉点阵列存储器，而图5提供了该优选实施例的存储器阵列的单元的一个简化平面图。交叉点阵列存储器的基本结构包括两层正交的空间平行导体集合，在它们之间配置有一个半导体层。在这些交叉点的每一个中，通过一个表现为串联的二极管和熔丝的半导体层(图5中的75)，在行电极(图5中的62)和列电极(图5中的60)之间形成一个连接。在阵列中的二极管全都被这样定向，使得如果在所有行电极和所有列电极之间施加一个公共电位，则所有二极管被偏置为相同方向。熔丝元件可以被实现为一个分离的元件，当一个临界电流通过时，该熔丝元件将断开电路或它可以被结合入二极管的性能中。

虽然在本说明书中，半导体层(例如75)通常被称为单数，但是业可以采用多个不同的材料层。这些层可以包括非半导体的材料，例如为各种构造的金属和甚至为电介质。适于实现所期望功能的材料和结构在此被描述。

图6为交叉点一次性写入存储器阵列的示意图。图6显示了八行乘八列的阵列。如果如图所示，电压被施加到行和列电极(例如除了一个列电极处于-V电位，其他所有列电极都处于V电位，而除了一个行电极处于-V电位，其他所有行电极都处于V电位)，则只有一个二极管被前向偏置。在顶行和最左列之间的二极管在其上将无偏置，而阵列中的剩余二极管将被反向偏置。这构成对阵列的一个寻址机制。如果一个电流在行和列之间流过，而这些二极管处于与左上二极管的完整的熔丝(例如表示数据“0”)不同的电位。相反地，如果没有电流在这些构造中流过，则相应的二极管/熔丝将被烧断(例如，表示数据“1”)。如果调节施加到阵列电极上的电压幅度，可以使得更多的电流流过所选择的二极管。如果该电压使得一个电流超过熔丝的阈值，则熔丝被烧断，改变了该存储元件的状态。这构成一个写入存储器的方法。

烧断一根在存储器阵列中的熔丝所要求的实际电流(或所施加以实现该电流的电压)在装配时，应是可以预测的并且是可以控制的。因为它是流过存储元件的所谓操作因子的电流密度，元件被烧断时的所施加电压/电流可以通过改变元件的结区来调整。例如，如果交叉点电极的交互作用的交叉区域被减少，这还降低为达到烧断熔丝的临界电流密度而要求施加的的电流/电压。该机理可以用于存储器电路的设计和装配中以确保控制电压可以被施加以仅烧断所期望的交叉点熔丝。

这里所描述的PIRM存储器模块的装配优选地根据在共同未决美国专利申请号＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿(HP公司的文档号10002972)，标题为“用于对交叉点二极管存储器阵列寻址的装配方法”中提供的装配方法来实施，该公开在此被引入作为参考。

内容标记系统

前面的描述已经提供了本发明的上下文。本发明的两个优选实施例将被描述如下：一个一次性写入显示器和一个被动式容量监测器。应理解，本发明的其他优选实施例将被描述并将落入所附权利要求的范围中。

优选地，本发明的内容标记系统提供，至少部分由一个相对透明的材料制成一个或多个层。本发明还提供熔丝材料自身，或一个被包含作为熔丝一部分的标记或染料，显示当熔丝被烧断时在熔丝本身的不透明性的改变，然而不包括该设备的操作描述。

一次性写入显示器：一次性写入要求存储器模块的一个专用外层作为标记层，以提供任何类型的预选信息，包括关于保存于模块中的数据内容。优选地，标记层留在基底上，可以是不透明的或是透明的，并且可以覆盖一透明覆盖层。参见图7，通过将一个反射性覆盖层106放置在最外层102(或在顶上或在底部)和存储器堆叠104的剩余层之间的界面上来构造一个一次性写入存储器。最外层102被由象素形成的灰度显示器。因为熔丝元件的位间距为一个微米的量级，所以几个熔丝可以组合形成一个单独的象素。这一方案使得可以烧断在一个象素中的部分熔丝以改变象素相对于未写入背景的对比度。

现在参见图8，显示了一个图7中所提供的最外层102的象素部分110。象素部分优选地为一个具有近似相等分辨率的尺度112和113的矩形区域，其中每个为50-100微米。如图所示，在熔丝元件之间的位分辨率或间距114只有大约1微米。从而，在大小为100平方微米的象素中，可只有大约10,000个熔丝元件。如图8所示，大约一半的熔丝118被烧断，导致大约50％的不透明度或灰度阴影。因为在一个象素中的大量熔丝，可以显示许多的灰度阴影，使得可以在显示层102上显示各种信息。

图9提供了包括一个5×5熔丝器件阵列的象素中不同显示的简单示意图。如图所示，在122，当熔丝被烧断时，显示最黑的颜色。在124中，九个熔丝被激励，导致36％的灰度色。126显示了五个熔丝被烧断，导致20％的灰度。128显示只有一个熔丝被烧断，提供4％的轻灰度阴影。

可替换的，可以使用非常高分辨率的熔丝阵列以产生一个包括大量信息的显示，但是要求进行放大以被观看。

应理解的是，熔丝或其他信息存储单元的其他视觉外观特征可以替代不透明度来被修改。从而，可以采用一个根据元件的状态来修改元件的颜色，反射性或其他视觉特征的元件。

显示优选地被用于标识所保存内容的当前图象或文本中。所显示的描述性特性可以包括，但不限于：创作日期，标题，位置，类型(视频，静止，音频，游戏等)，所有人，或其他与所保存内容有关的描述性元数据。显示的一部分还被用于图形显示已被使用的存储器的一部分，例如用一个条形图。

显示存储器以与其他存储层相同的方式被寻址，写入和读取。用于寻址，读取和写入存储器模块的优选方法在共同未决的美国专利申请号＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿(HP公司文档号10002595)标题为“寻址和传感一个交叉点二极管存储器阵列”和共同未决美国专利申请号＿＿＿＿＿＿(HP公司文档号10002971)，标题为“交叉点二极管存储器阵列的并行存取”中被给出，所述公开在此被引入作为参考。

从而，优选地，该一次性写入显示的位图还被电读取并被传输。虽然显示器不能被再写入，但可以通过使得属于在将要被擦除区域中的象素的所有熔丝进入一个断开状态而被擦除。

被动式容量监测器：本方案不要求存储器模块的一个专用层或使用一个反射覆盖层。而通过存储器模块自身的外观可以确定已用存储量和剩余量。用于装配存储器层的基底优选地由相对透明的得到。在该实施例中，每层的列和行以相同量级而被布置用以寻址。在存储器模块中的数据字或字节通过使用由每一存储器层的，在相同行和列地址处一位来形成。

存储器通常以顺序的方式被写入，例如写入在一行中的所有位，然而再进到下一行。应注意到，误差校正码要求数据是随机的。从而写一位对于相应于该位的熔丝被烧断只提供50％的可能性，这是因为该位为1的概率为50％(假设1由烧断的熔丝来指定)。因此，根据本发明，烧断的熔丝伴随有在本地不透明性上的变化，存储器的已使用部分可以很容易地被识别。不需要为了观察相对于未写区域的不透明性的变化而烧断在已记录区域中的每一熔丝。

被动式容量监测器的另一个实施例包括将反射器放置在存储器模块的顶层和低层的最外表面。然后，通过存储器模块边缘在投射或反射上的不透明性以确定存储器的其透明性已改变的部分。

本发明的另一个实施例包括将上述的一次性写入显示器与被动式容量监测器相组合。

另一个可选实施例在存储器设备的一个或多个层中使用至少一些光学透明特性。

还应理解本发明的范围包括显示在存储器单元中的任何类型或种类的信息或标记，该信息是否指示该单元内容的特征或其他与该内容有关或无关的信息。

由前述内容可知，本发明提供了存储器模块的现有显示器的一些优点。本发明提供了用于自动标记在一个可记录存储器上所保存内容的机制，因为该标记信息是电子存储的。与手动标记相比的另外的优点是改进的易读性，减少的尺寸和标记位图的直接电子转移。此外，本发明还提供配置有数据和与为CD盒产生标记相比要求相对少的步骤来产生的优点。

本发明提供了与其他可读电子标记，诸如嵌入磁带中的FLASH数据相比的，可以视觉分离的优点。与诸如在照相负片或照片上提供标记相比，本发明的实施例标记了一个相对大的存储器内容块，从而改善了浏览效率。

具体地，被动式容量监测器不要求另外使用存储器模块存储器，在许多现有内容显示方法，诸如APS照相系统的相对大的优点。

本发明的原理可以与许多其他变型一起提供给在此描述的电路、结构、配置和处理过程，而不背离如在所附权利要求中限定的发明范围，这是本领域技术人员应能理解的。

Claims (9)

1.一个用于记录、寻址和读取数据的电可寻址设备，包括：

一个具有多个数据存储介质的层(22)的存储器阵列单元(20)，每一个所述层(22)被安置在一个基底(50)上；和

一个与所述存储器阵列单元(20)的存储介质的其中至少一层有关以提供一个显示指示预选信息的电标记设备(25)；

其特征在于，该电标记设备(25)包括数据存储介质的层中的至少一个显示层(102)，所述显示层(102)可以部分可视地替换以提供所述显示。

2.权利要求1所述的电可寻址设备，其特征在于，该显示层(102)还包括多个多态信息存储单元(26)，每一个表示至少一个数据位的值，其中每一个信息存储单元(26)的视觉外表根据信息存储单元(26)的状态而变化。

3.权利要求2所述的电可寻址设备，其特征在于，该信息存储单元(26)的每一个还包括一个多态电设备(64，66)，该多态电设备根据该数据位的值来改变状态并且具有根据电设备(64，66)的状态而可变的视觉外表。

4.权利要求3所述的电可寻址设备，其特征在于，该电设备(64，66)包括一个被激励来当设备状态改变后改变该电设备的视觉外表的可视标记。

5.权利要求1所述的电可寻址设备，其特征在于，该显示层(102)包括存储器阵列单元的一个最外层，并且还包括一个在存储器阵列单元(20)中的显示层(102)和下一层(22)之间的反射层(106)。

6.权利要求2所述的电可寻址设备，其特征在于，通过改变信息存储单元的不透明性或反射率或颜色来改变每个信息存储单元的视觉外表。

7.用于标记一个用于记录、寻址和读取数据的电可寻址设备的内容的方法，该电可寻址设备包括一个具有多个数据存储介质的层(22)的存储器阵列单元(20)，每层安置在一个基底(50)上，该方法包括：

选择数据存储介质的至少一个最外层(102)作为显示层；和

将数据电保存在该最外层(102)上以提供指示预选信息的显示，所述显示层(102)可以部分可视地替换以提供所述显示。

8.权利要求7所述的标记方法，其特征在于，还包括将一个反射覆盖层(106)放置在显示层(102)和存储器阵列单元的剩余层(22)之间的界面上。

9.权利要求7所述的标记方法，其特征在于，该显示指示任何预选信息，包括但非限于关于指示已记录有数据的存储器阵列单元数量的数据或信息的内容的信息。

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