JP3376059B2 - 空間密度の多重レベルを伴なうデータ記憶装置 - Google Patents
空間密度の多重レベルを伴なうデータ記憶装置Info
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
- G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
- G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
- G06K19/06009—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code with optically detectable marking
- G06K19/06046—Constructional details
- G06K19/06075—Constructional details the marking containing means for error correction
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は多重密度データ記憶装置
に関し、特に、異なる空間密度で、異なるクラスのデー
タが紙媒体に記憶されるような多重密度データ記憶装置
に関する。
に関し、特に、異なる空間密度で、異なるクラスのデー
タが紙媒体に記憶されるような多重密度データ記憶装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】これまで、デジタルデータは紙テープや
ＩＢＭカードの形態をとる紙媒体にパンチ孔として記憶
されて来た。孔の大きさは均一であり、必然的に大きい
ものとなるため、低密度でしかも単一の密度のフォーマ
ットをとっていた。また、紙媒体に顔料インクを従来の
方式でプリントすることにより、デジタルデータを記録
する場合もあった。この顔料インクは、大きさが均一で
あり、パンチ孔よりは小さいので、単一の、より密度の
高いフォーマットを形成していた。ダーク・ハートズ
（Dirk Hartogs）（本願出願人に譲渡された）による名
称「デジタルデータを記録するためのデータフォーマッ
トとその方法（Data Format For RecordingDigital Dat
a and Method ）」（１９９１年１２月１６日米国特許
出願の出願番号０７／８０７，２２７）は、トナーイン
クによって紙媒体に記録されたデジタルデータを教示し
ている。しかし、これら従来の記憶装置は、いずれも複
数のクラスの記憶データのための、多重密度記憶レベル
を含んでいない。
ＩＢＭカードの形態をとる紙媒体にパンチ孔として記憶
されて来た。孔の大きさは均一であり、必然的に大きい
ものとなるため、低密度でしかも単一の密度のフォーマ
ットをとっていた。また、紙媒体に顔料インクを従来の
方式でプリントすることにより、デジタルデータを記録
する場合もあった。この顔料インクは、大きさが均一で
あり、パンチ孔よりは小さいので、単一の、より密度の
高いフォーマットを形成していた。ダーク・ハートズ
（Dirk Hartogs）（本願出願人に譲渡された）による名
称「デジタルデータを記録するためのデータフォーマッ
トとその方法（Data Format For RecordingDigital Dat
a and Method ）」（１９９１年１２月１６日米国特許
出願の出願番号０７／８０７，２２７）は、トナーイン
クによって紙媒体に記録されたデジタルデータを教示し
ている。しかし、これら従来の記憶装置は、いずれも複
数のクラスの記憶データのための、多重密度記憶レベル
を含んでいない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の１つ
の目的は、デジタルデータを記録する多重密度データ記
憶装置を提供することにある。
の目的は、デジタルデータを記録する多重密度データ記
憶装置を提供することにある。
【０００４】本発明の別の目的は、物理的に、より安定
しているより低い密度レベルで制御情報を記憶する多重
密度データ記憶装置を提供することにある。
しているより低い密度レベルで制御情報を記憶する多重
密度データ記憶装置を提供することにある。
【０００５】本発明のさらに別の目的は、より密集して
いるより高い密度レベルで記録データを記憶する多重密
度データ記憶装置を提供することにある。
いるより高い密度レベルで記録データを記憶する多重密
度データ記憶装置を提供することにある。
【０００６】本発明のさらに別の目的は、特定のデータ
及びアプリケーションに適合するようにデータフォーマ
ットを変更できるような多重密度データ記憶装置を提供
することにある。
及びアプリケーションに適合するようにデータフォーマ
ットを変更できるような多重密度データ記憶装置を提供
することにある。
【０００７】簡単にいえば、本発明のこれらの目的及び
その他の目的は、Ｎ個の空間密度レベルで記録データ及
び制御情報を記憶する多重密度データ記憶装置を提供す
ることにより達成される。
その他の目的は、Ｎ個の空間密度レベルで記録データ及
び制御情報を記憶する多重密度データ記憶装置を提供す
ることにより達成される。
【０００８】
【課題を解決するための手段】及び
【作用】基礎媒体は、各々が複数の記憶場所を有する１
つ又は２つ以上の記憶領域の中に記憶されたレコードを
保持する。これら記憶場所は、Ｎ個の空間密度レベル
で、所定の位置にある、この記憶場所の位置と空間密度
は、記憶領域を横切る行−列座標系により規定される。
記録材料を存在させるか、存在させないかを選択するこ
とにより、記録データと制御情報を規定するために、記
録材料はその記憶場所に付着される。記録データは、Ｎ
個の空間密度レベルのうち最高密度の記憶場所に記憶さ
れ、また、制御情報は最低密度の記憶場所に記憶され
る。この制御情報は、記憶領域の座標系における行(ro
w) と列(column)の位置を特定する低密度記憶場所を含
んでいる。この座標系における行と列の位置は、選択さ
れた低密度記憶場所にある行座標マークと列座標マーク
により特定される。この行座標マークは記憶領域の列の
方向に延出して、行低密度記憶場所の１つの列を形成す
る。また列座標マークは行の方向に延出して、列低密度
記憶場所の１つの行を形成する。これら座標マークは、
１つの座標マークから次の座標マークまで均一の間隔を
もって付されいる。これら座標マーク間の間隔の中にあ
る低密度記憶場所は、記憶領域のオリエンテーションを
規定する少なくとも１つのオリエンテーション・マーク
を含んでいる。
つ又は２つ以上の記憶領域の中に記憶されたレコードを
保持する。これら記憶場所は、Ｎ個の空間密度レベル
で、所定の位置にある、この記憶場所の位置と空間密度
は、記憶領域を横切る行−列座標系により規定される。
記録材料を存在させるか、存在させないかを選択するこ
とにより、記録データと制御情報を規定するために、記
録材料はその記憶場所に付着される。記録データは、Ｎ
個の空間密度レベルのうち最高密度の記憶場所に記憶さ
れ、また、制御情報は最低密度の記憶場所に記憶され
る。この制御情報は、記憶領域の座標系における行(ro
w) と列(column)の位置を特定する低密度記憶場所を含
んでいる。この座標系における行と列の位置は、選択さ
れた低密度記憶場所にある行座標マークと列座標マーク
により特定される。この行座標マークは記憶領域の列の
方向に延出して、行低密度記憶場所の１つの列を形成す
る。また列座標マークは行の方向に延出して、列低密度
記憶場所の１つの行を形成する。これら座標マークは、
１つの座標マークから次の座標マークまで均一の間隔を
もって付されいる。これら座標マーク間の間隔の中にあ
る低密度記憶場所は、記憶領域のオリエンテーションを
規定する少なくとも１つのオリエンテーション・マーク
を含んでいる。
【０００９】本発明の多重密度データ記憶システムのそ
の他の目的及び利点は、以下の詳細な説明と図面（実物
大ではない）から明らかになるであろう。
の他の目的及び利点は、以下の詳細な説明と図面（実物
大ではない）から明らかになるであろう。
【００１０】
【実施例】以下、添付図面を参照して本発明の好適な実
施例を詳細に説明する。尚、本実施例の図面において、
各参照番号の最初の数字は、その要素が示されている図
面を示し、２番目の数字は構造的な要素を示し、最後の
文字はある要素のサブ部分であることを示している。 ［概略説明（図１）］記録データ及び制御情報をＮ個の
空間密度で記憶する多重密度データ記憶装置１０を図１
に示す。基礎媒体１０Ｂは記憶データ保持している。こ
の基礎媒体は、最低レベルの低密度記憶領域から最高レ
ベルの高密度記憶領域に至るまで、Ｎ個の空間レベルの
各々に、１つ又はそれ以上の大容量記憶領域を有する。
施例を詳細に説明する。尚、本実施例の図面において、
各参照番号の最初の数字は、その要素が示されている図
面を示し、２番目の数字は構造的な要素を示し、最後の
文字はある要素のサブ部分であることを示している。 ［概略説明（図１）］記録データ及び制御情報をＮ個の
空間密度で記憶する多重密度データ記憶装置１０を図１
に示す。基礎媒体１０Ｂは記憶データ保持している。こ
の基礎媒体は、最低レベルの低密度記憶領域から最高レ
ベルの高密度記憶領域に至るまで、Ｎ個の空間レベルの
各々に、１つ又はそれ以上の大容量記憶領域を有する。
【００１１】図１には、周辺記憶領域１２Ｌ（太線）の
低密度レベル、上部記憶領域１２Ｍ（中太線）の中密度
レベル及び下部記憶領域１２Ｈ（細線）の高密度レベル
という３つのレベルが示されている（Ｎ＝３）。ただ
し、レベルの数は３より多くても良いし、３以下であっ
ても良い。
低密度レベル、上部記憶領域１２Ｍ（中太線）の中密度
レベル及び下部記憶領域１２Ｈ（細線）の高密度レベル
という３つのレベルが示されている（Ｎ＝３）。ただ
し、レベルの数は３より多くても良いし、３以下であっ
ても良い。
【００１２】図１の低−中−高密度レベルの実施例で
は、これら個別の記憶場所は１４Ｌ，１４Ｍ及び１４Ｈ
である。そして各々の空間密度レベルにおける記憶場所
の空間面積は、次に高い空間密度レベルにある記憶場所
の空間面積より広くなっている。
は、これら個別の記憶場所は１４Ｌ，１４Ｍ及び１４Ｈ
である。そして各々の空間密度レベルにおける記憶場所
の空間面積は、次に高い空間密度レベルにある記憶場所
の空間面積より広くなっている。
【００１３】記録材料は基礎媒体の、記憶領域の中の記
憶場所に付着（記録）されている。この付着された記録
材料は、その有無によって、Ｎ個の空間密度レベルにお
ける記録データと制御情報とを規定している。ここで記
録データは、最高密度レベルの記憶場所１４Ｈに付着さ
れた記録材料により記憶されるのが好ましい。 ［行（row ）／列（column）座標系］それぞれ個々の記
憶場所の位置と空間密度は、その記憶場所を含む記憶領
域の行−列座標系により定義される。制御情報は、その
座標系の中における行と列の位置を特定する特別な低密
度記憶場所を含み、最低密度の記憶場所１４Ｌの中に記
憶されるのが好ましい。図１の実施例では、その座標系
における行の位置を特定の低密度記憶場所の行座標マー
ク１４Ｒによって特定する。また列の位置も同様に、列
座標マーク１４Ｃによって特定される。この行座標マー
ク１４Ｒは記憶領域の列の方向に延出して、行低密度記
憶場所の１つの列１６Ｒを形成しても良い。また列座標
マーク１４Ｃも同様に行の方向に延出して、列低密度記
憶場所の１つの行１６Ｃを形成しても良い。
憶場所に付着（記録）されている。この付着された記録
材料は、その有無によって、Ｎ個の空間密度レベルにお
ける記録データと制御情報とを規定している。ここで記
録データは、最高密度レベルの記憶場所１４Ｈに付着さ
れた記録材料により記憶されるのが好ましい。 ［行（row ）／列（column）座標系］それぞれ個々の記
憶場所の位置と空間密度は、その記憶場所を含む記憶領
域の行−列座標系により定義される。制御情報は、その
座標系の中における行と列の位置を特定する特別な低密
度記憶場所を含み、最低密度の記憶場所１４Ｌの中に記
憶されるのが好ましい。図１の実施例では、その座標系
における行の位置を特定の低密度記憶場所の行座標マー
ク１４Ｒによって特定する。また列の位置も同様に、列
座標マーク１４Ｃによって特定される。この行座標マー
ク１４Ｒは記憶領域の列の方向に延出して、行低密度記
憶場所の１つの列１６Ｒを形成しても良い。また列座標
マーク１４Ｃも同様に行の方向に延出して、列低密度記
憶場所の１つの行１６Ｃを形成しても良い。
【００１４】行座標マーク１４Ｒの列１６Ｒは記憶領域
の一方の側に沿って外部へ延出していても良く、また、
列座標マーク１４Ｃの行１６Ｃは記憶領域の一端に沿っ
て外部へ延出していても良い。あるいは、図１に示すよ
うに、行座標マーク１４Ｒは記憶領域の両側に１つず
つ、２つの列を形成しても良い。同様に、列座標マーク
１４Ｃは記憶領域の両端に１つずつ、２つの行を形成し
ても良い。それらの２つの列と２つの行は記憶領域の周
囲を取囲んで延出し、低密度記憶場所の周辺記憶領域１
２Ｌを形成する。周囲の４つの角にある角低密度記憶場
所１４ＲＣは、行と列の双方のための座標マークとして
働いている。
の一方の側に沿って外部へ延出していても良く、また、
列座標マーク１４Ｃの行１６Ｃは記憶領域の一端に沿っ
て外部へ延出していても良い。あるいは、図１に示すよ
うに、行座標マーク１４Ｒは記憶領域の両側に１つず
つ、２つの列を形成しても良い。同様に、列座標マーク
１４Ｃは記憶領域の両端に１つずつ、２つの行を形成し
ても良い。それらの２つの列と２つの行は記憶領域の周
囲を取囲んで延出し、低密度記憶場所の周辺記憶領域１
２Ｌを形成する。周囲の４つの角にある角低密度記憶場
所１４ＲＣは、行と列の双方のための座標マークとして
働いている。
【００１５】行座標マーク１４Ｒは、図１に示すよう
に、列１６Ｒに沿って間隔をおいて記されても良い。同
様に、列座標マーク１４Ｃは行１６Ｃに沿って間隔をお
いて記されても良い。列１６Ｒに沿った１つの行座標マ
ークから次の行座標マークまでの行間隔は、低密度記憶
場所の均一な間隔「Ｒ」（大文字）であっても良い。同
様に、行１６Ｃに沿った列間隔は、低密度記憶場所の間
隔「Ｃ」（大文字）であっても良い。図１の実施例に示
す通り、間隔「Ｒ」は間隔「Ｃ」と等しく、共に座標マ
ーク２つ分を含む。即ち、座標マークの間隔は、低密度
記憶場所の２つ分であっても良く、座標マークは列１６
Ｒ及び行１６Ｃに沿って１つおきの記憶場所を占めるこ
とになる。座標マークと座標マークとの間の１つおきの
記憶場所は、他のクラスの制御情報のために利用でき
る。行間隔も、Ｎ個の空間密度レベルのうち最高レベル
の記憶場所の「ｒ」（小文字）行分である。図１の実施
例では、低密度記憶場所２つ分の間隔は、高密度記憶場
所の８行分（又は中密度記憶場所の４行分）に相当す
る。同様に、列間隔「ｃ」（小文字）も最高レベル記憶
場所の８列分となっている。
に、列１６Ｒに沿って間隔をおいて記されても良い。同
様に、列座標マーク１４Ｃは行１６Ｃに沿って間隔をお
いて記されても良い。列１６Ｒに沿った１つの行座標マ
ークから次の行座標マークまでの行間隔は、低密度記憶
場所の均一な間隔「Ｒ」（大文字）であっても良い。同
様に、行１６Ｃに沿った列間隔は、低密度記憶場所の間
隔「Ｃ」（大文字）であっても良い。図１の実施例に示
す通り、間隔「Ｒ」は間隔「Ｃ」と等しく、共に座標マ
ーク２つ分を含む。即ち、座標マークの間隔は、低密度
記憶場所の２つ分であっても良く、座標マークは列１６
Ｒ及び行１６Ｃに沿って１つおきの記憶場所を占めるこ
とになる。座標マークと座標マークとの間の１つおきの
記憶場所は、他のクラスの制御情報のために利用でき
る。行間隔も、Ｎ個の空間密度レベルのうち最高レベル
の記憶場所の「ｒ」（小文字）行分である。図１の実施
例では、低密度記憶場所２つ分の間隔は、高密度記憶場
所の８行分（又は中密度記憶場所の４行分）に相当す
る。同様に、列間隔「ｃ」（小文字）も最高レベル記憶
場所の８列分となっている。
【００１６】図１の実施例においては、各々の空間密度
レベルの記憶場所は、次に高い空間密度レベルの記憶場
所の面積の４倍の面積を有する。即ち、中密度の記憶場
所１４Ｍは、高密度の記憶場所１４Ｈの４倍の大きさで
あり、また、低密度の記憶場所１４Ｌは、中密度の記憶
場所１４Ｍの４倍の大きさである。図１に示す正方形の
記憶場所の場合、各々の空間密度レベルの記憶場所の辺
寸法は、次に高い空間密度レベルの記憶場所の辺寸法の
２倍である。即ち、中密度の記憶場所は高密度の記憶場
所の２倍の長さと２倍の幅を有する。また、低密度の記
憶場所は中密度の記憶場所の２倍の長さと２倍の幅を有
するのである。このように記憶場所の辺寸法をほぼ２倍
にすることにより、記憶装置１０の中のデータベースと
してより好都合なアドレス指定フォーマットが得られ
る。 ［オリエンテーションマーク］ 座標マーク間の間隔の中の１つおきの低密度記憶場所に
含まれるその他のクラスの制御情報は、記憶領域のオリ
エンテーションを規定する少なくとも１つのオリエンテ
ーション・マークを含んでいても良い。このオリエンテ
ーション・マークは、周辺１２Ｌの１つ又は２つ以上の
辺に沿って、所定の低密度記憶場所に位置している。図
１の実施例では、周辺記憶領域１２Ｌの４つの辺の各々
の中に１つずつ、４つのオリエンテーション・マーク１
４：Ｏｒが設けられている。このオリエンテーション・
マーク１４：Ｏｒは、角座標記憶場所１４ＲＣの各々の
すぐ隣に隣接している１つおきの低密度記憶場所に位置
している。記憶されたデータは、様々な記憶域段階を経
て処理されるので、記憶領域の中のデータの当初のオリ
エンテーションは、常にオリエンテーション・マークに
よって確定されても良い。記憶データを電子メモリから
基礎媒体へプリントし、何年に亙って記憶した後、この
基礎媒体を走査して電子メモリへ戻しても良い。オリエ
ンテーション・マークは、各々の記憶領域段階で、記憶
領域の上端又は下端、あるいはプリント及び走査のため
の前縁を特定するために記憶データに付随している。 ［記憶場所の実施例（図２，図３及び図４）］ Ｎ個の空間密度レベルの各々にある記憶場所は、付着さ
れる記録材料を受入れる少なくとも１つのエントリ部分
と、隣接する記憶場所のエントリ部分の間でスペーサ間
隔を維持するスペーサ部分とを有する。図２に示す実施
例では、各々が各記憶場所の１角を占める単一のエント
リ部分２８Ｅ（太線）を有する隣接する記憶場所２４の
マトリクスを示す。記憶場所の残る部分の他の３つの角
はスペーサ部分２８Ｓを形成している。単一のエントリ
部分２８Ｅは１ビットの記憶データを含んでいる。エン
トリ部分のいくつかには記録材料が付着されており（黒
丸）、それらの部分は“１”のビットが記憶されている
ことを表わす。他のエントリ部分は記録材料が付着され
ることなく空いており（白丸）、“０”のビットが記憶
されていることを表わす。スペーサ部分は、各々のエン
トリ部分を、隣接する記憶場所の中のエントリ部分から
離隔するために、各々のエントリ部分の周囲に空白帯
（破線で示す）を形成する。Ｎ個の空間密度レベルのう
ち最高密度レベルにおける記憶領域の行・列座標系によ
り信頼性をもって規定される最小の領域は、基本記憶画
素である。この最高密度レベルにある最高密度の記憶場
所のエントリ部分は、１ビットの記憶データを含む１つ
の基本記憶画素である。また最高密度の記憶場所のスペ
ーサ部分は、隣接する記憶場所の間の空間から成る１つ
の記憶画素を提供している。
レベルの記憶場所は、次に高い空間密度レベルの記憶場
所の面積の４倍の面積を有する。即ち、中密度の記憶場
所１４Ｍは、高密度の記憶場所１４Ｈの４倍の大きさで
あり、また、低密度の記憶場所１４Ｌは、中密度の記憶
場所１４Ｍの４倍の大きさである。図１に示す正方形の
記憶場所の場合、各々の空間密度レベルの記憶場所の辺
寸法は、次に高い空間密度レベルの記憶場所の辺寸法の
２倍である。即ち、中密度の記憶場所は高密度の記憶場
所の２倍の長さと２倍の幅を有する。また、低密度の記
憶場所は中密度の記憶場所の２倍の長さと２倍の幅を有
するのである。このように記憶場所の辺寸法をほぼ２倍
にすることにより、記憶装置１０の中のデータベースと
してより好都合なアドレス指定フォーマットが得られ
る。 ［オリエンテーションマーク］ 座標マーク間の間隔の中の１つおきの低密度記憶場所に
含まれるその他のクラスの制御情報は、記憶領域のオリ
エンテーションを規定する少なくとも１つのオリエンテ
ーション・マークを含んでいても良い。このオリエンテ
ーション・マークは、周辺１２Ｌの１つ又は２つ以上の
辺に沿って、所定の低密度記憶場所に位置している。図
１の実施例では、周辺記憶領域１２Ｌの４つの辺の各々
の中に１つずつ、４つのオリエンテーション・マーク１
４：Ｏｒが設けられている。このオリエンテーション・
マーク１４：Ｏｒは、角座標記憶場所１４ＲＣの各々の
すぐ隣に隣接している１つおきの低密度記憶場所に位置
している。記憶されたデータは、様々な記憶域段階を経
て処理されるので、記憶領域の中のデータの当初のオリ
エンテーションは、常にオリエンテーション・マークに
よって確定されても良い。記憶データを電子メモリから
基礎媒体へプリントし、何年に亙って記憶した後、この
基礎媒体を走査して電子メモリへ戻しても良い。オリエ
ンテーション・マークは、各々の記憶領域段階で、記憶
領域の上端又は下端、あるいはプリント及び走査のため
の前縁を特定するために記憶データに付随している。 ［記憶場所の実施例（図２，図３及び図４）］ Ｎ個の空間密度レベルの各々にある記憶場所は、付着さ
れる記録材料を受入れる少なくとも１つのエントリ部分
と、隣接する記憶場所のエントリ部分の間でスペーサ間
隔を維持するスペーサ部分とを有する。図２に示す実施
例では、各々が各記憶場所の１角を占める単一のエント
リ部分２８Ｅ（太線）を有する隣接する記憶場所２４の
マトリクスを示す。記憶場所の残る部分の他の３つの角
はスペーサ部分２８Ｓを形成している。単一のエントリ
部分２８Ｅは１ビットの記憶データを含んでいる。エン
トリ部分のいくつかには記録材料が付着されており（黒
丸）、それらの部分は“１”のビットが記憶されている
ことを表わす。他のエントリ部分は記録材料が付着され
ることなく空いており（白丸）、“０”のビットが記憶
されていることを表わす。スペーサ部分は、各々のエン
トリ部分を、隣接する記憶場所の中のエントリ部分から
離隔するために、各々のエントリ部分の周囲に空白帯
（破線で示す）を形成する。Ｎ個の空間密度レベルのう
ち最高密度レベルにおける記憶領域の行・列座標系によ
り信頼性をもって規定される最小の領域は、基本記憶画
素である。この最高密度レベルにある最高密度の記憶場
所のエントリ部分は、１ビットの記憶データを含む１つ
の基本記憶画素である。また最高密度の記憶場所のスペ
ーサ部分は、隣接する記憶場所の間の空間から成る１つ
の記憶画素を提供している。
【００１７】記憶場所の中のよりぎっしり詰まったデー
タ配列により、複数ビットの記憶データを含む複数のエ
ントリ部分を設けることができる。図３の実施例は、各
記憶場所に４つのエントリ部分３８Ｅを含む１つの記憶
場所３４を示し、この場合、記憶領域全体のデータ容量
は相応して増加している。
タ配列により、複数ビットの記憶データを含む複数のエ
ントリ部分を設けることができる。図３の実施例は、各
記憶場所に４つのエントリ部分３８Ｅを含む１つの記憶
場所３４を示し、この場合、記憶領域全体のデータ容量
は相応して増加している。
【００１８】図４の実施例では、標準の１バイト分の記
憶データを記憶するのに充分な８つのエントリ部分を有
している。隣接する記憶場所の付加的な離隔は、スペー
サ部分の寸法を増すことにより確定されても良い。図４
のスペーサ部分４８Ｓは、エントリ部分の２つ分であ
り、そのスペーサ部分にわたって離隔帯の幅の２倍にな
っている。高密度記憶場所に記憶される高密度データの
信頼性を向上させるために、ダーク・ハートズ（Dirk H
artogs）により出願された米国特許出願（１９９１年１
２月１６日出願の出願番号０７／８０７，２２７）に記
載されている、Ｌ個の記憶場所にＥ個のエントリ部分の
技法を採用しても良い。 ［記憶データのクラス］記憶場所に記憶されるデータに
は、一般に、記録データ及び制御情報という２つのクラ
スがある。典型的には、記録データは記憶データの大部
分を占めており、記憶される文書のテキスト、数値の生
データ、グラフィックスや、様々な２進ファイル、そし
て記録データの形式ごとの誤り修正パリティデータとを
含んでいる。記録データの特殊な形式としては、テキス
トの概略、各レコードのファイル名、及び原記録データ
を含むバックアップ・ファイル又はマスタファイルの記
憶場所が挙げられるであろう。基礎媒体の損傷に起因す
る記録データの損失（又は他の利用による欠落）は、そ
の損傷の面積に比例するデータ損失という結果を招く。
そのような損失は通常、誤り修正データによって回復す
ることができる。
憶データを記憶するのに充分な８つのエントリ部分を有
している。隣接する記憶場所の付加的な離隔は、スペー
サ部分の寸法を増すことにより確定されても良い。図４
のスペーサ部分４８Ｓは、エントリ部分の２つ分であ
り、そのスペーサ部分にわたって離隔帯の幅の２倍にな
っている。高密度記憶場所に記憶される高密度データの
信頼性を向上させるために、ダーク・ハートズ（Dirk H
artogs）により出願された米国特許出願（１９９１年１
２月１６日出願の出願番号０７／８０７，２２７）に記
載されている、Ｌ個の記憶場所にＥ個のエントリ部分の
技法を採用しても良い。 ［記憶データのクラス］記憶場所に記憶されるデータに
は、一般に、記録データ及び制御情報という２つのクラ
スがある。典型的には、記録データは記憶データの大部
分を占めており、記憶される文書のテキスト、数値の生
データ、グラフィックスや、様々な２進ファイル、そし
て記録データの形式ごとの誤り修正パリティデータとを
含んでいる。記録データの特殊な形式としては、テキス
トの概略、各レコードのファイル名、及び原記録データ
を含むバックアップ・ファイル又はマスタファイルの記
憶場所が挙げられるであろう。基礎媒体の損傷に起因す
る記録データの損失（又は他の利用による欠落）は、そ
の損傷の面積に比例するデータ損失という結果を招く。
そのような損失は通常、誤り修正データによって回復す
ることができる。
【００１９】制御情報は、典型的には、記憶データのわ
ずかな部分を占め、基礎媒体上のマーク（座標間隔マー
ク１４Ｒ及び１４Ｃ、オリエンテーション・マーク１
４：Ｏｒ、及び高密度サンプルマーク５４Ｓ）と、デー
タベースのシステムパラメータとを形成している。シス
テムパラメータは、データ密度、空間密度レベルの数、
各記憶領域のデータフォーマット、各々の密度レベルに
おける記憶場所内のエントリ部分の配列、記録データの
性質（すなわち、テキスト又はイメージ）、暗号化手段
（使用する場合）と、損失データ回復のための誤り修正
プロトコル、及びその他の不可欠のデータベース動作情
報とを規定する。基礎媒体の損傷に起因する制御情報の
損失は、記録データのアクセス又はその他の方法による
処理が不可能であるようなきわめて重大なデータ損失を
引起こす。そのような損失は通常は回復不可能である。
ずかな部分を占め、基礎媒体上のマーク（座標間隔マー
ク１４Ｒ及び１４Ｃ、オリエンテーション・マーク１
４：Ｏｒ、及び高密度サンプルマーク５４Ｓ）と、デー
タベースのシステムパラメータとを形成している。シス
テムパラメータは、データ密度、空間密度レベルの数、
各記憶領域のデータフォーマット、各々の密度レベルに
おける記憶場所内のエントリ部分の配列、記録データの
性質（すなわち、テキスト又はイメージ）、暗号化手段
（使用する場合）と、損失データ回復のための誤り修正
プロトコル、及びその他の不可欠のデータベース動作情
報とを規定する。基礎媒体の損傷に起因する制御情報の
損失は、記録データのアクセス又はその他の方法による
処理が不可能であるようなきわめて重大なデータ損失を
引起こす。そのような損失は通常は回復不可能である。
【００２０】行及び列誤りコードパリティデータは、全
ての空間密度レベルで採用されても良い。図１の実施例
では、誤りコードパリティデータは中密度記憶領域１２
Ｍの記憶データ１４ＭＥとして示され、また、高密度記
憶領域１２Ｈの記憶データ１４ＨＥとして示されてい
る。記録データの要約は、中密度記憶領域の記憶データ
１４Ａｂとして示される。記録データのファイル名と、
原本所定期間保管コピーの記憶場所とを含むファイル識
別データは、中密度記憶領域に１４：Ｉｄとして示され
ている。行座標マークと列座標マークは、低密度周辺記
憶領域１２Ｌに、記憶データ１４Ｒ及び１４Ｃとして示
されている。オリエンテーション・マーク１４：Ｏｒも
低密度周辺領域に記憶されている。システムパラメータ
は、中密度記憶領域に、記憶データ１４Ｓｙとして記憶
されている。 ［基礎媒体１０］ 基礎媒体１０は、データフォーマットの中の所定の位置
に記録材料を保持するのに十分な基体を有する何らかの
適切なシート状構造であれば良い。この基礎媒体は、マ
イラ（又はその他のプラスチック）などの合成物質であ
っても良いし、あるいは、紙のような天然セルロース物
質であっても良い。プラスチックがベースの場合には、
記録材料を溶剤で洗い流すことにより、再利用されても
良い。 ［記録材料］ 付着された記録材料は、記録媒体上に付着でき、且つ、
その基礎媒体とコントラストを成すトナー材料のような
何らかの適切な粉末又は液体であれば良い。粉末トナー
材料及び液体トナー材料もともに、従来のレーザプリン
タやインクジェットプリンタにより、十分な正確さをも
って付着できるであろう。トナー記録材料は、各々の空
間密度レベルで、次に最も高い空間密度レベルの円形ト
ナーのエントリ（記入）の直径より大きい直径を有する
ほぼ円形のエントリとして付着されても良い。一実施例
では、各々の空間密度レベルにおけるトナーエントリの
直径は、次に最も高いレベルにおける直径の２倍であ
る。Ｎ個の空間密度レベルのうち最高のレベルの基本記
憶画素に信頼性良く付着できるトナー記録材料の最小の
直径は、基本トナー画素である。全ての密度におけるエ
ントリの大きさは、データベースを作成するために採用
される基礎媒体、トナー及びプリンタによって決まる。
紙の表面には凹凸があり、その内部繊維はトナーを吸収
して、トナーと結合する。繊維間の毛管作用効果は、ト
ナーを横方向に広げて、トナーエントリのサイズを大き
くする。紙の等級が違えば、その広がりの程度も異な
る。
ての空間密度レベルで採用されても良い。図１の実施例
では、誤りコードパリティデータは中密度記憶領域１２
Ｍの記憶データ１４ＭＥとして示され、また、高密度記
憶領域１２Ｈの記憶データ１４ＨＥとして示されてい
る。記録データの要約は、中密度記憶領域の記憶データ
１４Ａｂとして示される。記録データのファイル名と、
原本所定期間保管コピーの記憶場所とを含むファイル識
別データは、中密度記憶領域に１４：Ｉｄとして示され
ている。行座標マークと列座標マークは、低密度周辺記
憶領域１２Ｌに、記憶データ１４Ｒ及び１４Ｃとして示
されている。オリエンテーション・マーク１４：Ｏｒも
低密度周辺領域に記憶されている。システムパラメータ
は、中密度記憶領域に、記憶データ１４Ｓｙとして記憶
されている。 ［基礎媒体１０］ 基礎媒体１０は、データフォーマットの中の所定の位置
に記録材料を保持するのに十分な基体を有する何らかの
適切なシート状構造であれば良い。この基礎媒体は、マ
イラ（又はその他のプラスチック）などの合成物質であ
っても良いし、あるいは、紙のような天然セルロース物
質であっても良い。プラスチックがベースの場合には、
記録材料を溶剤で洗い流すことにより、再利用されても
良い。 ［記録材料］ 付着された記録材料は、記録媒体上に付着でき、且つ、
その基礎媒体とコントラストを成すトナー材料のような
何らかの適切な粉末又は液体であれば良い。粉末トナー
材料及び液体トナー材料もともに、従来のレーザプリン
タやインクジェットプリンタにより、十分な正確さをも
って付着できるであろう。トナー記録材料は、各々の空
間密度レベルで、次に最も高い空間密度レベルの円形ト
ナーのエントリ（記入）の直径より大きい直径を有する
ほぼ円形のエントリとして付着されても良い。一実施例
では、各々の空間密度レベルにおけるトナーエントリの
直径は、次に最も高いレベルにおける直径の２倍であ
る。Ｎ個の空間密度レベルのうち最高のレベルの基本記
憶画素に信頼性良く付着できるトナー記録材料の最小の
直径は、基本トナー画素である。全ての密度におけるエ
ントリの大きさは、データベースを作成するために採用
される基礎媒体、トナー及びプリンタによって決まる。
紙の表面には凹凸があり、その内部繊維はトナーを吸収
して、トナーと結合する。繊維間の毛管作用効果は、ト
ナーを横方向に広げて、トナーエントリのサイズを大き
くする。紙の等級が違えば、その広がりの程度も異な
る。
【００２１】溶剤含有量の多いトナーは薄く、紙に付着
した後、短い乾燥期間の中でより容易に広がってゆく。
さらに、トナーの乾燥時間は、その成分によってわずか
に異なる。その結果、トナーの組成も、トナーエントリ
の側方への広がりと、最終的なトナーエントリの直径と
に影響を及ぼすことになる。プリンタは、その型とモデ
ルごとに、トナーを異なる量、異なるパターンでプリン
トするので、トナー画素の大きさに影響が出る。
した後、短い乾燥期間の中でより容易に広がってゆく。
さらに、トナーの乾燥時間は、その成分によってわずか
に異なる。その結果、トナーの組成も、トナーエントリ
の側方への広がりと、最終的なトナーエントリの直径と
に影響を及ぼすことになる。プリンタは、その型とモデ
ルごとに、トナーを異なる量、異なるパターンでプリン
トするので、トナー画素の大きさに影響が出る。
【００２２】紙媒体上のデータベースを走査する間、全
てのエントリにより発生される信号は、紙の品質と、ト
ナーの組成と、選択した特定のプリンタの型とによって
決定されるトナーの側方への広がりの範囲に依存する。
高密度サンプルエントリにより発生される走査信号は、
他の高密度トナー画素より他の高密度走査信号の識別を
促進するサンプル走査信号を提供している。低密度デー
タより走査信号の識別を促進するために、同様な低密度
サンプルエントリを採用しても良い。
てのエントリにより発生される信号は、紙の品質と、ト
ナーの組成と、選択した特定のプリンタの型とによって
決定されるトナーの側方への広がりの範囲に依存する。
高密度サンプルエントリにより発生される走査信号は、
他の高密度トナー画素より他の高密度走査信号の識別を
促進するサンプル走査信号を提供している。低密度デー
タより走査信号の識別を促進するために、同様な低密度
サンプルエントリを採用しても良い。
【００２３】
【００２４】密度レベルの数
Ｎ＝３（低密度、中密度及び高密度）
データ密度（１インチ当たりの行／列の数）
低密度記憶領域…２５
中密度記憶領域…５０
高密度記憶領域…１５０
記憶場所の辺の累進的増加
低密度のとき１，中密度のとき２，高密度のとき６
記憶場所の面積の累進的増加
低密度のとき１，中密度のとき４，高密度のとき３６
間隔ごとの低密度座標マーク
Ｒ＝Ｃ＝２
間隔ごとの高密度行／列
ｒ＝ｃ＝１２
以上挙げた値、寸法及びその他の情報は、本発明の範囲
を規定するものではない。他の数多くの応用例や構成も
可能である。 ［産業上の適用可能性］本発明の目的が、デジタルデー
タを記録する多重密度記憶装置により達成されたこと
は、当業者には明白であろう。制御情報は、物理的によ
り安定しているより低い密度レベルで記憶される。また
記録データは、より密集しているより高い密度レベルで
記憶される。概して、特定のデータ必要条件及び用途に
適合するようにデータフォーマットを変化させることが
できるであろう。 ［結論］ここに示した構造及び実施例において、本発明
の概念から逸脱せずに様々な変更を実施しうることは明
白であろう。さらに、様々な図に示す実施例の特徴をそ
の他の図の実施例と共に採用しても良い。
を規定するものではない。他の数多くの応用例や構成も
可能である。 ［産業上の適用可能性］本発明の目的が、デジタルデー
タを記録する多重密度記憶装置により達成されたこと
は、当業者には明白であろう。制御情報は、物理的によ
り安定しているより低い密度レベルで記憶される。また
記録データは、より密集しているより高い密度レベルで
記憶される。概して、特定のデータ必要条件及び用途に
適合するようにデータフォーマットを変化させることが
できるであろう。 ［結論］ここに示した構造及び実施例において、本発明
の概念から逸脱せずに様々な変更を実施しうることは明
白であろう。さらに、様々な図に示す実施例の特徴をそ
の他の図の実施例と共に採用しても良い。
【００２５】従って、本発明の範囲は特許請求の範囲の
用語及びその正当な同等物によって確定されるべきもの
である。
用語及びその正当な同等物によって確定されるべきもの
である。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、Ｎ
個の空間密度レベルで記録データ及び制御情報を記憶す
る多重密度データ記憶装置を提供することができた。
個の空間密度レベルで記録データ及び制御情報を記憶す
る多重密度データ記憶装置を提供することができた。
【図１】低密度の制御情報の周辺領域の中にデータを記
憶する３つの空間密度レベルを有する基礎媒体の図であ
る。
憶する３つの空間密度レベルを有する基礎媒体の図であ
る。
【図２】各々が１ビットのデータを受入れる単一のエン
トリ部分を有する記憶場所のマトリクスの図である。
トリ部分を有する記憶場所のマトリクスの図である。
【図３】複数のエントリ部分を有する１つの記憶場所の
図である。
図である。
【図４】２倍の幅のスペーサ部分を備え、１バイトのデ
ータ容量を有する１つの記憶場所の図である。
ータ容量を有する１つの記憶場所の図である。
１０ データ記憶装置
１０Ｂ 基礎媒体
１２Ｌ 周辺記憶領域
１２Ｍ 上部記憶領域
１２Ｈ 下部記憶領域
１４Ｌ 低密度レベル記憶場所
１４Ｍ 中密度レベル記憶場所
１４Ｈ 高密度レベル記憶場所
１４Ｒ 行座標マーク
１４Ｃ 列座標マーク
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平２−244293（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−217998（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G06K 19/00,7/00
Claims (29)
- 【請求項１】 記録データ及び制御情報をＮ個の空間密
度レベルで記憶する多重密度データ記憶装置において、 Ｎ個の空間密度レベルで、複数の所定の位置に複数の記
憶場所を含む記憶領域を有し、記憶される記録データと
記憶される制御情報とを保持し、記憶場所の位置と空間
密度は、前記記憶領域にわたる行−列座標系によって規
定され、各々の空間密度レベルにおける前記記憶場所の
空間面積は次に高い空間密度レベルにおける記憶場所の
空間面積より広くなっている基礎媒体と、 前記基礎媒体の記憶領域の中の記憶場所に付着され、そ
の有無に応じてＮ個の空間密度レベルにおける記録デー
タと制御情報とを規定する記録材料とを有し、 前記記録データは、前記基礎媒体のＮ個の空間密度レベ
ルのうち最高密度の記憶場所に前記記録材料により記憶
され、前記制御情報は、前記基礎媒体のＮ個の空間密度
レベルのうち最低密度の記憶場所に前記記録材料により
記憶され、前記最低密度の記憶場所は前記記憶領域の座
標系における行と列の位置を識別する低密度記憶場所を
含み、 前記行−列座標系における行及び列の位置は、選択され
た低密度記憶場所にある行座標マークと列座標マークに
よりそれぞれ特定され、前記行座標マークは前記記憶領
域の列の方向に延出して、行低密度記憶場所の１つの列
を形成し、当該列に沿って間隔をおいて記され、且つ前
記列座標マークは前記記憶領域の行の方向に延出して、
列低密度記憶場所の１つの行を形成し、当該行に沿って
間隔をおいて記され、前記座標マーク間の間隔の中の低
密度記憶場所は、前記記憶領域のオリエンテーションを
規定する少なくとも１つのオリエンテーション・マーク
を含む ことを特徴とする多重密度データ記憶装置。 - 【請求項２】 前記行座標マークの列は、前記記憶領域
の一方の側に沿って外部へ延出し、且つ前記列座標マー
クの行は前記記憶領域の一端に沿って外部へ延出するこ
とを特徴とする請求項１に記載の多重密度データ記憶装
置。 - 【請求項３】 前記行座標マークは前記記憶領域の両側
に１つずつ、２つの列を形成し、且つ前記列座標マーク
は前記記憶領域の両端に１つずつ、２つの行を形成し、
それらは前記記憶領域の周囲に延出して、低密度記憶場
所から成る周辺を形成することを特徴とする請求項１に
記載の多重密度データ記憶装置。 - 【請求項４】 前記低密度記憶場所の周辺の４つの角に
ある低密度記憶場所は、行と列の双方に関わる座標マー
クであることを特徴とする請求項３に記載の多重密度デ
ータ記憶装置。 - 【請求項５】 前記オリエンテーション・マークは所定
の低密度記憶場所に配置されていることを特徴とする請
求項４に記載の多重密度データ記憶装置。 - 【請求項６】 前記オリエンテーション・マークは前記
記憶領域の上端を指示することを特徴とする請求項４に
記載の多重密度データ記憶装置。 - 【請求項７】 前記記憶領域の各々の縁部は、１つのオ
リエンテーション・マークを有することを特徴とする請
求項４に記載の多重密度データ記憶場所。 - 【請求項８】 Ｎ個の空間密度レベルの全てにある前記
記憶場所は、付着された記録材料を受入れるエントリ部
分と、隣接する記憶場所のエントリ部分の間にスペーサ
間隔を維持するスペーサ部分とを有することを特徴とす
る請求項４に記載の多重密度データ記憶装置。 - 【請求項９】 前記記憶領域の行−列座標系により信頼
性をもって規定される最小の領域は、Ｎ個の空間密度レ
ベルのうち最高のレベルにある基本記憶画素であること
を特徴とする請求項８に記載の多重密度データ記憶装
置。 - 【請求項１０】 前記最高空間密度の記憶場所のエント
リ部分は１つの基本記憶画素であり、且つ１ビットの記
憶データを含むことを特徴とする請求項９に記載の多重
密度データ記憶装置。 - 【請求項１１】 各々の空間密度レベルにある記憶場所
は、次に高い空間密度レベルの記憶場所の面積の４倍の
面積を有することを特徴とする請求項１０に記載の多重
密度データ記憶装置。 - 【請求項１２】 前記記憶場所は正方形であり、且つ各
々の空間密度レベルにある記憶場所は次に高い空間密度
レベルの記憶場所の辺寸法の２倍の辺寸法を有すること
を特徴とする請求項１０に記載の多重密度データ記憶装
置。 - 【請求項１３】 Ｎ個の空間密度レベルのうち少なくと
もいくつかのレベルの記憶領域は、複数ビットの記憶デ
ータを合むための復数のエントリ部分を有することを特
徴とする請求項９に記載の多重密度データ記憶装置。 - 【請求項１４】 前記エントリ部分は１バイトの記憶デ
ータを合むことを特徴とする請求項１３に記載の載の多
重密度データ記憶装置。 - 【請求項１５】 付着される記録材料はトナーであるこ
とを特徴とする請求項９に記載の多重密度データ記憶装
置。 - 【請求項１６】 前記トナー記録材料はほぼ円形のエン
トリに付着されることを特徴とする請求項１５に記載の
多重密度データ記憶装置。 - 【請求項１７】 各々の空間密度レベルにおける円形の
トナーエントリの直径は、次に高い空間密度レベルにお
ける円形のトナーエントリの直径より大きいことを特徴
とする請求項１６に記載の多重密度データ記憶装置。 - 【請求項１８】 各々の空間密度レベルにおける円形の
トナーエントリの直径は、次に高い空間密度レベルにお
ける円形のトナーエントリの直径の２倍であることを特
徴とする請求項１６に記載の多重密度データ記憶装置。 - 【請求項１９】 Ｎ個の空間密度レベルのうち最高のレ
ベルの基本画素に高信頼性に付着される前記トナー記録
材料の最小直径は、基本トナー画素であることを特徴と
する請求項１６に記載の多重密度データ記憶装置。 - 【請求項２０】 前記最低密度の記憶場所に記憶される
前記制御情報は、最高空間密度の基本画素エントリのサ
ンプル・エントリを含むことを特徴とする請求項１９に
記載の多重密度データ記憶装置。 - 【請求項２１】 Ｎ個の異なる空間密度レベルのレベル
数は、低空間密度レベルと、中空間密度レベルと、高空
間密度レベルの３つであることを特徴とする請求項１５
に記載の多重密度データ記憶装置。 - 【請求項２２】 前記制御情報は低空間密度レベルで記
憶され、前記記憶装置のシステム・パラメータは中空間
密度レベルで記憶され、且つ記録データは高空間密度レ
ベルで記憶されることを特徴とする請求項２１に記載の
多重密度データ記憶装置。 - 【請求項２３】 前記記録データの要約は中空間密度レ
ベルで記憶されることを特徴とする請求項２２に記載の
多重密度データ記憶装置。 - 【請求項２４】 前記記録データ中のファイルに関する
ファイル識別情報は中空間密度レベルで記憶されること
を特徴とする請求項２２に記載の多重密度データ記憶装
置。 - 【請求項２５】 前記記録データに関して誤りコードパ
リティデータが与えられ、その誤りコードパリティデー
タは高空間密度レベルに記憶されることを特徴とする請
求項２２に記載の多重密度データ記憶装置。 - 【請求項２６】 中空間密度レベルに記憶される全ての
データに関して誤りコードパリティデータが与えられ、
その誤りコードパリティデータは中空間密度レベルに記
憶されることを特徴とする請求項２２に記載の多重密度
データ記憶装置。 - 【請求項２７】 前記基礎媒体は紙であることを特徴と
する請求項１５に記載の多重密度データ記憶装置。 - 【請求項２８】 前記トナー記録材料はカーボン顔料で
あることを特徴とする請求項１５に記載の多重密度デー
タ記憶装置。 - 【請求項２９】 前記トナー記録材料は着色顔料である
ことを特徴とする請求項１５に記載の多重密度データ記
憶装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/000,684 US5416311A (en) | 1993-01-05 | 1993-01-05 | Data storage device with multiple levels of spacial density |
| US08/000684 | 1993-01-05 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06282695A JPH06282695A (ja) | 1994-10-07 |
| JP3376059B2 true JP3376059B2 (ja) | 2003-02-10 |
Family
ID=21692597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33076393A Expired - Fee Related JP3376059B2 (ja) | 1993-01-05 | 1993-12-27 | 空間密度の多重レベルを伴なうデータ記憶装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5416311A (ja) |
| EP (1) | EP0606021B1 (ja) |
| JP (1) | JP3376059B2 (ja) |
| DE (1) | DE69325012T2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7387253B1 (en) | 1996-09-03 | 2008-06-17 | Hand Held Products, Inc. | Optical reader system comprising local host processor and optical reader |
| US5591956A (en) * | 1995-05-15 | 1997-01-07 | Welch Allyn, Inc. | Two dimensional data encoding structure and symbology for use with optical readers |
| BR9401059A (pt) * | 1994-05-12 | 1995-12-05 | Brasilia Telecom | Codificação suplementar em cartões de débito e processo de leitura |
| US6543691B1 (en) * | 1995-01-03 | 2003-04-08 | Jerome H. Lemelson | Method and apparatus for encoding and decoding bar codes with primary and secondary information and method of using such bar codes |
| US6032861A (en) * | 1995-01-03 | 2000-03-07 | Lemelson; Jerome H. | Method and apparatus for encoding and decoding bar codes with primary and secondary information and method of using such bar codes |
| US6000621A (en) * | 1995-12-21 | 1999-12-14 | Xerox Corporation | Tilings of mono-code and dual-code embedded data pattern strips for robust asynchronous capture |
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