CN1271193A - 半导体器件的制造方法和回旋管 - Google Patents

半导体器件的制造方法和回旋管 Download PDF

Info

Publication number
CN1271193A
CN1271193A CN00106846A CN00106846A CN1271193A CN 1271193 A CN1271193 A CN 1271193A CN 00106846 A CN00106846 A CN 00106846A CN 00106846 A CN00106846 A CN 00106846A CN 1271193 A CN1271193 A CN 1271193A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
semiconductor device
semiconductor
etching
laser
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN00106846A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1204661C (zh
Inventor
沼居贵阳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Publication of CN1271193A publication Critical patent/CN1271193A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1204661C publication Critical patent/CN1204661C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C19/00—Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
    • G01C19/58—Turn-sensitive devices without moving masses
    • G01C19/64—Gyrometers using the Sagnac effect, i.e. rotation-induced shifts between counter-rotating electromagnetic beams
    • G01C19/72—Gyrometers using the Sagnac effect, i.e. rotation-induced shifts between counter-rotating electromagnetic beams with counter-rotating light beams in a passive ring, e.g. fibre laser gyrometers
    • G01C19/721—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/1071—Ring-lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/11—Comprising a photonic bandgap structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
    • H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Gyroscopes (AREA)

Abstract

制造半导体器件的方法,包括以下步骤,在衬底上制备具有至少一个半导体层的部件,在该半导体层上形成电极层,在该电极层上形成刻蚀掩模,通过刻蚀该电极层和半导体层形成台面。

Description

半导体器件的制造方法和回旋管
本发明涉及制造诸如半导体激光器、半导体光探测器、半导体光开关、半导体光滤波器以及半导体光调制器等半导体器件的方法。尤其涉及制造半导体光器件的方法，其中能用自对准工艺制造半导体器件。本发明同样涉及用该方法制备的回旋管。
通常，通过利用晶体生长在衬底上形成提供诸如光发射、光探测、光导和调制等所需功能的半导体层，随后刻蚀该器件至为实现所需功能设计的尺寸和形状，最后形成电极的方法来制造半导体光器件。参照inter alia的公开号为5-7019的日本专利申请。
但是，当形成的电极尺寸变小时，已知的制造半导体光器件的方法会遇到光刻工艺的对准困难。例如，用任何已知的制造半导体光器件的方法在5微米宽的台面上形成4微米宽的电极是极度困难的。
此外，已知的制造半导体光器件的方法涉及如下步骤：在半导体层上形成诸如光刻胶的刻蚀掩模，随后刻蚀该半导体层并除去该刻蚀掩模。用该工艺，在应用和除去诸如光刻胶的刻蚀掩模的工艺过程中，该半导体层经常被沾污，使得在形成电极时很难得到好的欧姆接触。尽管可以用除去电极形成区中该半导体沾污部分这种额外的刻蚀该半导体层的工艺建立好的欧姆接触，但由于增加了工艺步骤，对工艺不利。
因此，本发明的目的之一是提供制造半导体光器件的方法，该方法省去了台面和在其上形成的电极之间的对准。
本发明的另一目的是提供用上述方法制造的回旋管，其包含环形谐振腔半导体激光器，其中光束以相反方向迂回地传播。
根据本发明，提供了制造半导体器件的方法，它包含如下步骤：
在衬底上制备至少有一个半导体层的部件；
在该半导体层上形成电极层；
在该电极层上形成刻蚀掩模；以及
通过刻蚀该电极层和该半导体层形成台面轮廓。
根据本发明的一方面，所述半导体层有多层结构。
根据本发明的另一方面，构成所述台面的所述半导体层和所述电极层都有相同宽度。
该部件是具有至少一半导体层的晶片。
根据本发明，同样提供了制造半导体光器件的方法，包括：
在衬底上形成至少一个半导体层的第一薄膜形成步骤；
在所述半导体层上形成第一电极材料薄膜的第二薄膜形成步骤；
在所述电极材料上形成保护薄膜的第三薄膜形成步骤；
选择性形成刻蚀掩模的步骤；
选择性刻蚀该保护薄膜的第一刻蚀步骤；
选择性刻蚀该第一电极材料的第二刻蚀步骤；
刻蚀该半导体层至预定深度的第三刻蚀步骤；
除去该刻蚀掩模和保护薄膜的步骤；以及
在该衬底上形成第二电极的步骤。
图1A，1B，1C，1D和1E例示了根据本发明第一实施例的制造半导体光器件的过程。
图2显示了用本发明制造方法制备的半导体激光器。
图3是沿着图2中3-3线的横截面图。
图4显示了具有不对称锥形波导的半导体激光器。
图5A，5B，5C，5D，5E，5F，5G和5H图示了例1中根据本发明制造半导体光器件的过程。
图6A，6B，6C，6D，6E，6F，6G和6H图示了例2中根据本发明制造半导体光器件的过程。
图7A，7B，7C，7D，7E，7F，7G和7H图示了例3中根据本发明制造半导体光器件的过程。
图8A，8B，8C，8D，8E，8F，8G和8H图示了例4中根据本发明制造半导体光器件的过程。
图9A，9B，9C，9D，9E，9F，9G和9H图示了例5中根据本发明制造半导体光器件的过程。
图10A，10B，10C，10D，10E，10F，10G和10H图示了例6中根据本发明制造半导体光器件的过程。
图11A，11B，11C，11D，11E，11F和11G图示了例7中根据本发明制造半导体光器件的过程。
图12A，12B，12C，12D，12E，12F和12G图示了例8中根据本发明制造半导体光器件的过程。
图13，14，15，16，17，18，19和20图示了根据本发明配备有环形谐振腔型半导体激光器的光回旋管的制造过程。
图21显示了根据本发明具有环形谐振腔型半导体激光器的光回旋管。
图22显示了根据本发明具有中空圆柱环形谐振腔型半导体激光器的光回旋管。
图23，24，25，26，27，28，29和30图示了根据本发明配备有中空圆柱环形谐振腔型半导体激光器的光回旋管的制造过程。
图31是检测半导体激光器电压的电路示意图。
图32是用于旋转检测的电路示意图。
图33是频率/电压转换器电路的电路示意图。
图34是检测半导体激光器电流的电路示意图。
图35是检测半导体激光器电流的电路示意图。
图36是用于旋转检测的电路示意图。
图37是用于旋转检测的电路示意图。
图38是检测半导体激光器阻抗的电路示意图。
现在，通过参照例示本发明优选实施例的附图，具体描述本发明。
根据本发明，图1A至1E是半导体光器件的第一实施例的横截面图。
首先，参照图1A，在衬底1上制备有一个至多个半导体层的半导体部件。
尽管图1A的该半导体部件在衬底1上有三个半导体层，但也可以只有一个半导体层。
当制造半导体激光器时，图1A中的参照数字3指的是有源层，参照数字2和4指的是夹住有源层3的低折射率层。
无需说，只要能提供所需的特性，该半导体部件可以有与图1A所示不同的结构。
接着，如图1B所示，在台面上形成用来制作电极的电极层5。
接着，如图1C所示，形成刻蚀掩模6。
接着，如图1D所示，通过使用该刻蚀掩模6形成台面结构。
接着，除去该刻蚀掩模(图1E)。这样就得到了在台面上具有由电极层5构成的电极的基本部件。
用上述工艺，可以容易地在台面上制备由电极层5构成的电极。根据本发明，可以用自对准工艺在微器件上形成电极，即使该微器件有十分精细的结构。
在用如图1E所示的刻蚀形成台面之后或在刻蚀之前形成衬底1底部上的电极。
如上所述，特别是当器件的尺寸小时，在形成该台面之前形成台面上电极是有利的。更确切地说，当器件的尺寸小于约4微米时特别有利。这是因为在光刻工艺中，光掩模的对准精度大约是2微米。用已知的制造方法，如果每一边都有2微米的对准冗余，器件的尺寸必须不小于4微米。另一方面，根据本发明，由于不需要光掩模的对准，现在制备小于4微米的器件成为可能。
现在，将在下边讨论根据本发明使用制造半导体光器件的方法制备的回旋管。
首先，如图2所示，形成具有波导100轮廓的半导体激光器。
图3是沿着图2中3-3线的横截面图。
参照图3，其中显示了衬底1，一对包层2和4，有源层3和一对电极5和7。
通过该电极将电流注入该器件，并且超出门限水平，因此导致激光器振荡。
如图2所示，该器件有波导，在其中一对沿相对方向迂回传播的激光束1001和1002共存。图2中参照数字104代表镜子。
假设该激光器被恒定电流驱动。那么，当该激光器旋转运动时，根据Sagnac效应，第一激光束1001和第二激光束1002表现出不同的振荡频率相互干涉，从而产生差频(beat)。因为该差频可以通过应用于该激光器的电压改变而被检测到，或更确切地说，是电压频率的改变，以此可以检测物体的角速度。日本专利申请公开号57-43486号(第4,431,308号美国专利)和4-174317号描述了利用这样的电压改变来检测角速度的技术。请注意，如图2所示，用具有对称轮廓的波导在静态下不发生差频。另一种情况，如图4所示，通过提供锥形不对称轮廓103，可以形成这样的激光器以使第一激光束1001和第二激光束1002间即使保持静态时振荡频率也不同。用这种安排，通过比较静态的频率和旋转的频率不仅可以检测角速度，而且也可以检测物体的旋转灵敏度。
尽管图2所示的该波导可以是四边形的轮廓，另外也可以是圆形或三角形的或一些其它多边形的轮廓。此外，该波导没必要是环形轮廓。该波导的所有侧表面最好是全反射平面以便激光振荡有效发生。
下边讨论检测激光器电压等信号变化的方式。
如图31所示，加入恒流源3102并通过电阻3101将其连接到半导体激光器3100的激光器件。接着，用电压检测电路3106检测半导体激光器3100的电信号(这里是电压信号)。
如果需要，如图31所示，电压跟随器电路3105最好配置成保护电路形式。
图32是通过用恒流驱动该激光器并读出该阳极电平的变化来检测旋转的电路示意图。
该半导体激光器3100的阳极通过保护电阻3202连至运放3203，而该半导体激光器3100的阴极连接至该运放3203的反向输入端。
接着，电压跟随器电路3105响应通常来自微计算机的输入电平Vin输出信号Vout。因为信号Vout包含与角速度成比例的差频频率，通常通过已知的频率/电压转换器电路(F/V转换器电路)将该信号转换成电压，从而能够检测该半导体激光器的旋转。
图33是能够应用于本发明目的的频率/电压转换器电路的电路示意图。该电路包括晶体管，二极管，电容和电阻，其中该输出电压Vc2由如下公式表达：
Vc2＝EiC1R0f/[1+1/{1-exp(-1/R0C2f}]
其中Ei代表输入电压的峰峰值，f代表差频频率。通过选择电路参数满足C2＞＞C1和R0C2f＜1的值，Vc2由如下公式表达，以便可以获得同该差频频率成比例的电压输出。
Vc2＝EiC1R0f/2
下边讨论通过电流改变来检测该激光器件的旋转的配置。
用恒压源作为功率源，通过检测流过半导体激光器的电流可以决定旋转激光器件的角速度。如图34或35所示，通过使用电池作为该恒压源，可以得到该激光器件的既精巧又轻便的驱动系统。在图34的电路中，将该半导体激光器3400串联至电阻3401，以便通过观察该电阻两端的电压变化来决定流过该半导体激光器的电流。在图34中，参照数字3402代表电池，参照数字3406代表伏特计。另一方面，在图35的电路中，将该半导体激光器3400串联至安培表3506，以便直接决定流过该半导体激光器的电流。在图35中，参照数字3501代表电阻。
下边将讨论为本发明设计的用于检测差频信号的另一种电路配置。
图36是用于检测旋转的电路的电路示意图，其中将恒压源应用于半导体激光器3600以驱动它，从而通过读出该阳极电平的变化来检测旋转。
通过电阻3603将该激光器3600的阳极连接至运放3610的输出端，而将该激光器的阴极地接于参考电平。
通过使用诸如微计算机的设备将恒定电平(Vin)应用于该运放的反向输入端来获得恒压驱动装置，以便可以将该电平恒定应用于该电阻3603和该激光器3600。
该电阻3603同电压跟随器电路3611相连。
由于该电压跟随器3611的输出信号Vout与旋转的角速度成比例，因此使用已知的频率/电压转换器电路(F/V转换器电路)将该频率变为电压，这样可以检测该激光器的旋转。也许没必要说，不将电压传过该电压跟随器电路3611，而直接将在电阻3603上得到的等电位点的信号应用于该F/V转换器电路，同样可以检测该激光器的旋转。可以使用频率计数器作为差频信号检测电路。
图37显示了一个具有减法器电路3715以及参见图36的同上述一致的恒压驱动装置的电路示意图，其中该地电平用作该信号的参考电平。
参见图37，通过使用诸如微计算机的设备将恒定电压V1应用于运放3710的反向输入端。在图37中，参照数字3700代表激光器件，参照数字3711和3712分别代表电压跟随器，而参照数字3703，3716至3719分别代表电阻。电阻3716和3717具有相同的电阻值，与此类似，电阻3718和3719具有相同的电阻值。
通过电压跟随器3711，3712和电阻3716，3718将电阻3703两端的电平V1和V2应用于运放3720的反向输入端和非反向输入端。用这个装置，通过使用地电平作为参考电平，可以检测应用于电阻3703的电压变化V2-V1(V0)，这表明可以检测流过该激光器3700的电流变化。
接着，让获得的信号通过F/V转换器电路就可以检测该激光器件的旋转。
不管该功率源的类型如何，如图38所示，直接使用阻抗计3809可以观察半导体激光器3800的阻抗变化。在图38中，参照数字3801和3802分别代表电阻和功率源。用该配置，可以减少该驱动源的噪声影响，而不象观察到的应用于激光器的端电压或流过激光器的电流时那样。
现在，将通过参照讲解实例的附图来描述本发明。
(例1)
图5A至5H图示了例1中根据本发明制造半导体光器件的过程。请注意该例指的制造半导体光器件是半导体激光器。对于制造半导体激光器，首先，如图5A所示，在衬底上形成多层半导体层。图5A中，显示了衬底1，缓冲层11，光导层12，有源层13，另一光导层14，包层15和覆盖层16。
更确切地说，例1中，如图5A所示，使用金属有机汽相外延生长技术在n-InP衬底1上生长n-InP缓冲层11(0.05微米厚)，具有1.3微米组成的未掺杂的InGaAsP光导层12(0.15微米厚)，具有1.55微米组成的未掺杂的InGaAsP光导层13(0.1微米厚)，另一具有1.3微米组成的未掺杂的InGaAsP光导层14(0.15微米厚)，p-InP包层15(2微米厚)以及具有1.4微米组成的p-InGaAsP覆盖层16(0.3微米厚)。
接下来，如图5B所示，在汽相淀积系统中，在该覆盖层16上形成Cr/Au层(Cr＝5nm厚，Au＝0.15μm厚)作为阳极电极21。接着如图5C所示，使用等离子体化学汽相淀积(CVD)系统在该阳极21上形成SiN层(0.3微米厚)作为保护薄膜31。其后，如图5D所示，使用旋转涂敷装置在该保护薄膜(SiN)31上使用光刻胶AZ-1350(商标名，Hoechst提供)形成厚度1微米的薄膜，在80℃下预烘30分钟，随后用已放置在该晶片上的掩模(5微米宽)曝光，光化学显影并漂洗来在保护薄膜31部分上产生刻蚀掩模41。
接着，在反应离子刻蚀系统中，使用CF4气体将该保护薄膜(SiN)刻蚀掉。随后，改用Ar气将该Au(金)刻蚀掉，接着，再换回CF4气体将Cr刻蚀掉。如图5E所示，该过程结果刻蚀掉该阳极21来暴露除被该刻蚀掩模41覆盖的区域外的该覆盖层16。接着，在这种条件下，再次将该晶片放至该反应离子刻蚀系统中并用氯气刻蚀至5微米深。图5F显示了应用于这个刻蚀过程的晶片。在未形成该刻蚀掩模41的区域，所有保护薄膜31，阳极21和半导体层都被刻蚀掉。
等到完成该刻蚀过程，将该晶片放至等离子体灰化(ashing)系统，通过使用氧气等离子体除去该刻蚀掩模41。接着，使用缓冲氢氟酸，采用湿法刻蚀除去该保护薄膜31。用这个办法，如图5G所示，该阳极21被整形至与该台面顶部同样大小。最后，如图5H所示，通过淀积在该n-InP衬底底部形成AuGe/Ni/Au层作为阴极22，并在氢气氛中退火以形成欧姆接触，这样生成了最终的半导体激光器。阳极和阴极的接触电阻值都小于0.5欧姆，表明获得了良好的欧姆接触。
如上所述，在例1中，采用晶体生长工艺形成了该半导体激光器，因此可以高度精确地控制该半导体层的厚度和组成。
此外，在例1中，同样可以采用扩散工艺或离子注入工艺产生分层的结构。与常规制造方法不同，在该例中，在形成台面50后不再需要形成台面上电极，在应用光刻胶和除去该光刻胶的过程中该半导体层的表面未被沾污，因此可以在覆盖层16和电极21间获得良好的欧姆接触。
除此之外，在例1中，由于在阳极21上形成了保护薄膜31，在刻蚀该半导体层时，即使该半导体层对该掩模41的刻蚀选择率相当低，仍能满意地保护该电极的表面。
无需说，如果能够保证高刻蚀选择率，可以不需要该保护薄膜31。
如果该保护薄膜是用诸如SiO2或SiN的介质或绝缘材料组成时，能够很强地承受干蚀工艺。正如参照随后的例子时描述的，如果该半导体层对该刻蚀掩模41的刻蚀选择率相当低时，在刻蚀该半导体层时，利用这个特性可以完全除去该刻蚀掩模41以暴露该保护薄膜31。如果是这种情况，则在该刻蚀操作后无须除去该刻蚀掩模，因而大大简化该制造工艺。
在该例中，在缺乏由光刻胶或类似材料组成的刻蚀掩模41的区域里，逐步刻蚀掉该保护薄膜31，该阳极21和半导体层。这样在刻蚀后，该台面的顶端和该电极的顶端基本上具有相同尺寸。此外，由于在该台面上形成电极后该掩模不需要对准，能够实现使用自对准工艺的制造方法。
如果在其上形成电极的该台面之顶端区域非常小，该电极也能够容易地形成。这样，根据本发明，提供了增强位置精度和减少制造步骤数的制造半导体光器件的方法。
(例2)
图6A至6H图示了例2中根据本发明制造半导体光器件的过程。该第二例与上述第一例不同之处在于：如图6A所示，首先在衬底1上形成阴极22。如图6B至6H所示，其它步骤与例1中的相同。在此例中获得的阳极21和阴极22的欧姆接触与例1中的是等效的。换句话说，也可以首先在衬底1上形成阴极。
(例3)
图7A至7H图示了例3中根据本发明制造半导体光器件的过程。该第三例与上述第一例不同之处在于：如图7F所示，为了完全除去该刻蚀掩模41和暴露保护薄膜31，半导体层使用了对该刻蚀掩模41相当低的刻蚀选择率。例如，在反应离子束刻蚀工艺中，通过使用高加速电压来获得低刻蚀选择率。从图7A至7E，7G和7H可以看出，此例在其他方面与第一例相同。由于能够省去刻蚀半导体层后的除去刻蚀掩模41的步骤，此例比第一例更加简化。此例中获得的阳极21和阴极22的接触电阻值与例一中类似。
(例4)
图8A至8H图示了例4中根据本发明制造半导体光器件的过程。该第四例与上述第三例不同之处在于：如图8A所示，首先在衬底1上形成阴极22。从图8B至8H可以看出，此例在其他方面与第三例相同。此例中获得的阳极21和阴极22的接触电阻值与例一中类似。
(例5)
图9A至9H图示了例5中根据本发明制造半导体光器件的过程。该第五例与上述第一例不同之处在于：如图9E所示，为了完全除去该刻蚀掩模41和暴露保护薄膜31，保护薄膜31或阳极21采用对该刻蚀掩模41相当低的刻蚀选择率。例如，在反应离子束刻蚀工艺中，通过使用高加速电压来获得保护薄膜31或阳极21的低刻蚀选择率。
从图9A至9D和9F至9H可以看出，此例在其他方面与第一例相同。由于能够省去刻蚀半导体层后的除去刻蚀掩模41的步骤，此例比第一例更加简化。此例中获得的阳极21和阴极22的接触电阻值与例1中的类似。
(例6)
图10A至10H图示了例6中根据本发明制造半导体光器件的过程。该第六例与上述第五例不同之处在于：如图10A所示，首先在衬底1上形成阴极22。从图10B至10H可以看出，此例在其他方面与第五例相同。此例中获得的阳极21和阴极22的接触电阻值与例1中类似。
(例7)
图11A至11G图示了例7中根据本发明制造半导体光器件的过程。该第七例与上述第一例不同之处在于：如图11C可以看出，直接在阳极21上形成刻蚀掩模。更确切地说，在此例中，由于阳极21和该半导体层采用了对该刻蚀掩模41相当高的刻蚀选择率，不再需要使用保护薄膜。从图11A，11B，11E至11G可以看出，此例在其他方面与第一例相同。由于能够省去形成保护薄膜和随后它的刻蚀和除去的步骤，此例比第一例更进一步加以简化。此例中获得的阳极21和阴极22的接触电阻值与例1中类似。
(例8)
图12A至12G图示了例8中根据本发明制造半导体光器件的过程。该第八例与上述第七例不同之处在于：如图12A所示，首先在衬底1上形成阴极22。从图12B至11G可以看出，此例在其他方面与第七例相同。此例中获得的阳极21和阴极22的接触电阻值与例1中类似。
顺便说一句，在上述每个例子中，制备的半导体光器件是半导体激光器，无需说，本发明也可用来制造诸如光发射二极管和超辐射发光二极管等光发射器件，诸如光二极管和雪崩-光二极管的光探测器器件，光滤波器，光开关或光调制器。此外，尽管上述例子中使用的半导体材料是InGaAs类型的，也可以选择象GaAs类型，ZnSe类型，InGaN类型，AlGaN类型或一些其它材料用于本发明。除此之外，只要与上述一样有效，也可以用合适的材料代替用于阳极，阴极和保护薄膜的材料。最后，有源层不限于体结构，同样可以选择单量子阱结构或多量子阱结构。
下边通过实例描述配备有根据本发明制造半导体光器件方法制备的环形谐振腔类型半导体激光器的光回旋管。
(例9)
图13至21图示了根据本发明制造提供有环形谐振腔类型半导体激光器的光回旋管。
参见图13至21，首先引入具有多层结构的衬底。该多层衬底包括：具有在n-GaAs衬底101上形成的三层Al0.3Ga0.7As/GaAs的多量子阱结构的有源层113，一对Al0.3Ga0.7As的光导层123上下夹住该有源层，而该光波导层进一步被p-Al0.5Ga0.5As包层115和n-Al0.5Ga0.5As包层112夹住(图13)。图13中的参照数字111代表在该衬底101上形成的n-GaAs缓冲层，参照数字116代表在上层包层115上形成的p-GaAs覆盖层。
接着，在该覆盖层116上形成Cr/Au层(或Ti/Pt/Au)作为阳极121(图14)。如图15所示，随后在其上涂上光刻胶141并进行构图操作。接着，通过采用已构图的光刻胶141作为掩模对该阳极121进行干蚀操作(图16)。
接下来，通过干蚀除去该半导体层(图17)并除去该光刻胶141(图18)。尽管在图17中，留下了该缓冲层111，也可以将其刻蚀掉。在除去该光刻胶层后，执行氢气氛下的退火以使其变为合金。
对衬底抛光后，需要通过淀积AuGeNi/Au来形成阴极122(图19)。接着，再次执行氢气氛下的退火以使其变为合金。再后来，为了以电流，电压或阻抗变化的形式检测该半导体激光器产生的差频信号，配置了端子150(图20)。从端子150输出的差频信号以电流，电压或阻抗变化的形式采用检测电路(图中未显示)检测到。
这样，如图21所示，形成了具有环形谐振腔类型半导体激光器200的光回旋管。请注意，图21显示的只有有源层113，而该上下夹住它的包层等均从图21中省去了。图21中的参照数字151代表从阳极引出并被用于电流注入等作用的连线。
在具有如图21所示配置的环形谐振腔类型半导体激光器中，激光束沿相反方向迂回传播。当该激光器旋转时，根据Sagnac效应，该半导体激光器的两束光束相互干涉而改变其振荡频率，从而产生差频。差频的改变可以以电流，电压或阻抗的形式被检测，因而提供了用于检测物体角速度的光回旋管。
当通过阳极21将电流注入至具有上述配置的半导体激光器时，由于该半导体和周围空气分别具有不同的折射率，在其交界处发生反射。如果该半导体的折射率是3.5，当交界处的法线与激光束夹角大于等于16.6度时，发生全反射。
该产生全反射的振荡模式具有比任何其它振荡模式小的振荡门限增益，原因在于没有镜象损失，从而振荡在低电流注入水平时便开始了。
此外，该增益集中在这种振荡模式以有效压制任何其它模式的振荡。在包含半导体激光器200具有10微米半径的器件中，当该有源层厚0.1微米时，该振荡门限电流是0.8mA。当被应用于30度每秒的旋转，这相当于照相机的震动或是汽车的震动，用3mA的驱动电流时，从该电极端获得了电压幅度为100mV，频率为43.0Hz的信号。
(例10)
现在，参照图23至30，将描述制备图22所示的回旋器的方法，它具有中空环形谐振腔类型半导体激光器。
首先引入具有多层结构的衬底。该多层衬底包括：具有在n-GaAs衬底101上形成的三层Al0.3Ga0.7As/GaAs的多量子阱结构的有源层113，一对Al0.3Ga0.7As的光导层123上下夹住该有源层，而该光波导层进一步被p-Al0.5Ga0.5As包层115和n-Al0.5Ga0.5As包层112夹住(图23)。图23中的参照数字111代表在该衬底101上形成的n-GaAs缓冲层，参照数字116代表在上层包层115上形成的p-GaAs覆盖层。
接着，在该覆盖层116上形成Cr/Au层(或Ti/Pt/Au)作为阳极121(图24)。如图25所示，随后在其上涂上光刻胶141并进行构图操作。接着，通过采用已构图的光刻胶141作为掩模对该阳极121进行干蚀操作(图26)。
接下来，通过干蚀除去该半导体层(图27)并去掉该光刻胶(图28)。尽管在图27中，留下了该缓冲层111，也可以将其刻蚀掉。在去掉该光刻胶层后，执行氢气氛下的退火以使其变为合金。对表面抛光后，需要通过淀积AuGeNi/Au来形成阴极122(图29)。接着，再次执行氢气氛下的退火以使其变为合金。再后来，为了以电流，电压或阻抗变化的形式检测该半导体激光器产生的差频信号，配置了端子150(图30)。从端子150输出的差频信号以电流，电压或阻抗变化的形式被检测电路(图中未显示)检测到。
这样，如图22所示，形成了具有环形谐振腔类型半导体激光器200的光回旋管。请注意，图22显示的只有有源层113，而该上下夹住它的包层等均从图22中省去了。
当该波导宽度为5微米，每个横边长度为400微米时，该振荡门限值是4mA。当被应用于30度每秒的旋转，相当于照相机的抖动或汽车的震动，用5mA的驱动电流时，从该电极端获得了电压幅度为100mV，频率为860Hz的信号。这样，实现了具有低振荡门限电流的光回旋管。尽管在此例中，为了减小该有源层的体积并用小电流来驱动该器件，该有源层形状是环形的，同样可以采用不需要中空圆柱轮廓，而是通过将诸如质子等离子注入到该半导体激光器的中央部分来提高其电阻值，以使注入的电流绝大部分被注入到该器件的外围，这同样可以实现用小电流驱动的器件。
如图4所示，当波导为锥形不对称时，即使保持静态，该器件也产生差频频率。这样，该器件既可以用于检测旋转的灵敏度，同样可以检测角速度。
为了检测该激光器件端子电压的频率变化，可以安排已知的F/V转换器电路。
除上述的反应离子束刻蚀(RIBE)外，也可以采用包括湿蚀，气体刻蚀，等离子体刻蚀，溅射和反应离子刻蚀(RIE)等刻蚀工艺来形成台面结构。
为了本发明的目的，用于形成该有源层的其他材料包括，GaAs，InP，ZnSe，AlGaAs，InGaAsP，InGaAlP，GaAsP，InGaAsSb，AlGaAsSb，InAsSbP，PbSnTe，GaN，GaAlN，InGaN，InAlGaN，GaInP，GaInAs和SiGe。
用于本发明的半导体激光器的有源层结构不限于体结构；也可以使用单量子阱结构(SQW)或多量子阱结构(MQW)。
如果单量子阱类型激光器用于本发明，优选具有强相互作用的量子阱结构。例如，采用具有约1％压缩应力的八个InGaAsP量子阱层和InGaAsP势垒层。另外，为了本发明，可以采用MIS结构。
对于衬底，只要能够在其上生长所需的材料，任何衬底都可以用于本发明。用于本发明目的的衬底包括化合物半导体衬底，例如GaAs衬底，InP衬底，GaSb衬底，InAs衬底，PbTe衬底，GaN衬底，ZnSe衬底，ZnS衬底，此外，SiC衬底，4H-SiC衬底，6H-SiC衬底，蓝宝石衬底，硅衬底和SOI(绝缘体上外延硅)衬底。
根据本发明，形成半导体激光器的有源层或类似层的工艺包括：液相外延(LPE)，分子束外延(MBE)，金属有机汽相外延(MOCVD，MOVPE)，原子层外延(ALE)，金属有机分子束外延(MOMBE)和化学束外延(CBE)。
根据本发明，用于形成半导体激光器的阳极材料包括，Cr/Au，Ti/Pt/Au和AuZn/Ti/Pt/Au。根据本发明，用于形成半导体激光器阴极的材料包括，AuGe/Ni/Au和AuSn/Mo/Au。
请注意，本发明并不限于上述所列工艺和材料。
电极安排也可以同附图中相反，这由该衬底和/或该有源层的导电性决定。
更确切地说，当阴极位于图中衬底的下边时，电极安排也可以同附图中相反，这由该衬底的类型决定。
为了防止该半导体激光器过热，半导体激光器芯片优选做在热发射部件(热沉)上。如果采用，该热沉可以由Cu，Si，SiC，AlN或金刚石组成，尽管该热沉不限于这些材料。如有必要，为了控制该器件的温度，可以使用Peltier器件。
为了确保全反射和/或防止半导体激光器的退化，在半导体侧面(有光处)上优选形成绝缘膜(涂层)。用于本发明的组成该绝缘层的材料包括SiO2，SiN，Al2O3和Si3N4以及非晶硅(α-硅)。
正如上面具体描述的，根据本发明，台面的上层表面和电极应该差不多一样大，以省去掩模的对准。换句话说，本发明提供了采用自对准工艺的制造半导体器件的方法，用该方法可在半导体光激光器之台面上形成电极。因此，根据本发明，提供了保证高位置精度和减少制造步骤数目的制造半导体器件的方法。
(例11)
通过使用光晶体组成用于转换光通路的光开关。光晶体具有这样的结构，同振荡波长(在GaAs晶体中振荡波长为0.85微米的激光束波长为0.85微米/3＝0.243微米)相等大小的单元结构周期性排列。这样，本发明提供了在用于电气控制微小结构时相当可行的制造方法。通过正向偏置将电流注入该光晶体或反向偏置应用电压可以调制折射率，从而根据Snell定律，改变光束的传播方向。

Claims (18)

1.半导体器件的制造方法，包括以下步骤：
在衬底上制备具有至少一个半导体层的部件；
在所述半导体层上形成电极层；
在所述电极层上形成刻蚀掩模；
通过刻蚀所述电极层和所述半导体层形成台面轮廓。
2.权利要求1的制造半导体器件的方法，其中所述刻蚀掩模在所述电极层上形成保护薄膜后形成。
3.权利要求2的制造半导体器件的方法，其中所述保护薄膜从由绝缘薄膜和介质薄膜组成的组中选出。
4.权利要求1的制造半导体器件的方法，其中在形成所述台面轮廓后在所述衬底的底面下形成电极层。
5.权利要求1的制造半导体器件的方法，其中所述半导体为多层结构。
6.权利要求1的制造半导体器件的方法，其中所述半导体层包括下包层，有源层和上包层。
7.权利要求1的制造半导体器件的方法，还包括在形成所述台面后除去所述刻蚀掩模的步骤。
8.权利要求1的制造半导体器件的方法，其中刻蚀掉所述电极层和所述半导体层后暴露所述刻蚀掩模下的保护薄膜。
9.权利要求1的制造半导体器件的方法，其中所述刻蚀掩模由光刻胶制成。
10.由权利要求1至9中任一方法制备的半导体器件。
11.由权利要求1至9中任一方法制备的半导体器件，其中组成所述台面的所述半导体层和所述电极层具有相同的宽度。
12.由权利要求1中制造半导体器件的方法制备的包含环形谐振腔型半导体激光器的回旋管。
13.权利要求12的回旋管，其中所述激光器具有环形有源层。
14.权利要求12的回旋管，其中所述激光器在其波导内具有不对称的锥形部分。
15.光回旋管，包括：用权利要求12的方法制备的包含环形谐振腔类型的半导体激光器以及以从电流改变，电压改变和阻抗改变组成的组中选择的形式检测所述半导体激光器产生的差频信号的装置。
16.半导体光器件的制造方法，包括以下步骤：
在衬底上形成至少一个半导体层的第一薄膜形成步骤；
在所述半导体层上形成第一电极材料膜的第二薄膜形成步骤；
在所述第一电极材料上形成保护薄膜的第三薄膜形成步骤；
选择性形成刻蚀掩模的步骤；
选择性刻蚀所述保护薄膜的第一刻蚀步骤；
选择性刻蚀所述第一电极材料的第二刻蚀步骤；
将所述半导体层刻蚀至预定深度的第三刻蚀步骤；
除去所述刻蚀掩模和所述保护薄膜的步骤；以及
在所述衬底上形成第二电极的步骤。
17.权利要求16的制造半导体器件的方法，其中完全除去所述刻蚀掩模，以便在从由所述第二和第三刻蚀步骤组成的组合中选择的某一步骤来暴露所述保护薄膜，并且随后的第三刻蚀步骤将所述保护薄膜除去。
18.权利要求1的制造半导体器件的方法，其中所述部件是具有至少一个半导体层的晶片。
CNB001068466A 1999-04-19 2000-04-19 半导体器件的制造方法和回旋管 Expired - Fee Related CN1204661C (zh)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP111022/1999 1999-04-19
JP11102299 1999-04-19
JP21741199 1999-07-30
JP217411/1999 1999-07-30
JP2000109712A JP2001111160A (ja) 1999-04-19 2000-04-11 半導体素子の製造方法及び半導体素子、リング共振器型半導体レーザ、ジャイロ
JP109712/2000 2000-04-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1271193A true CN1271193A (zh) 2000-10-25
CN1204661C CN1204661C (zh) 2005-06-01

Family

ID=27311867

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB001068466A Expired - Fee Related CN1204661C (zh) 1999-04-19 2000-04-19 半导体器件的制造方法和回旋管

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6566155B1 (zh)
JP (1) JP2001111160A (zh)
KR (1) KR20010014765A (zh)
CN (1) CN1204661C (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009043292A1 (fr) * 2007-09-26 2009-04-09 Huawei Technologies Co., Ltd. Dispositif optique semi-conducteur, procédé de récupération d'horloge et appareil apparenté
CN108521073A (zh) * 2018-06-07 2018-09-11 江苏华兴激光科技有限公司 一种基于直波导全反射耦合连接的微结构片上光源装置及其制作方法
CN111487791A (zh) * 2020-04-23 2020-08-04 济南晶正电子科技有限公司 一种集成光学复合基板
WO2021146925A1 (zh) * 2020-01-21 2021-07-29 济南晶正电子科技有限公司 复合薄膜及其制造方法

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW550834B (en) * 2002-02-15 2003-09-01 United Epitaxy Co Ltd Light emitting diode and its manufacturing method
DE10147888A1 (de) * 2001-09-28 2003-04-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optisch gepumpter vertikal emittierender Halbleiterlaser
KR20040018764A (ko) * 2002-08-27 2004-03-04 현대계전엔지니어링(주) 2-포트 측정을 위한 박막형 공진기의 전극 및 그제조방법
US7672558B2 (en) * 2004-01-12 2010-03-02 Honeywell International, Inc. Silicon optical device
US7217584B2 (en) * 2004-03-18 2007-05-15 Honeywell International Inc. Bonded thin-film structures for optical modulators and methods of manufacture
US20050214989A1 (en) * 2004-03-29 2005-09-29 Honeywell International Inc. Silicon optoelectronic device
US20060222024A1 (en) * 2005-03-15 2006-10-05 Gray Allen L Mode-locked semiconductor lasers with quantum-confined active region
US20060227818A1 (en) * 2005-04-12 2006-10-12 Nl-Nanosemiconductor Gmbh Fundamental-frequency monolithic mode-locked laser including multiple gain absorber pairs
US20070101927A1 (en) * 2005-11-10 2007-05-10 Honeywell International Inc. Silicon based optical waveguide structures and methods of manufacture
US7362443B2 (en) 2005-11-17 2008-04-22 Honeywell International Inc. Optical gyro with free space resonator and method for sensing inertial rotation rate
US7463360B2 (en) * 2006-04-18 2008-12-09 Honeywell International Inc. Optical resonator gyro with integrated external cavity beam generator
US7454102B2 (en) 2006-04-26 2008-11-18 Honeywell International Inc. Optical coupling structure
US7535576B2 (en) * 2006-05-15 2009-05-19 Honeywell International, Inc. Integrated optical rotation sensor and method for sensing rotation rate
US7924427B2 (en) * 2006-09-27 2011-04-12 Northrop Grumman Guidance & Electronics Company Photonic crystal based rotation sensor
US7668420B2 (en) * 2007-07-26 2010-02-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Optical waveguide ring resonator with an intracavity active element
TWI618268B (zh) 2012-12-07 2018-03-11 晶元光電股份有限公司 發光裝置
JP2016039317A (ja) * 2014-08-08 2016-03-22 富士ゼロックス株式会社 半導体発光素子、光源ヘッド、および画像形成装置
JP6667325B2 (ja) * 2016-03-11 2020-03-18 古河電気工業株式会社 半導体光素子
DE102016014939A1 (de) * 2016-12-14 2018-06-14 Forschungsverbund Berlin E.V. Laservorrichtung, basierend auf einem photonischen Kristall mit säulen- oder wandförmigen Halbleiterelementen, und Verfahren zu deren Betrieb und Herstellung

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5743486A (en) 1980-08-13 1982-03-11 Agency Of Ind Science & Technol Semiconductor ring laser device
JPS60229389A (ja) 1984-04-26 1985-11-14 Sharp Corp 半導体レ−ザ素子
JPS6239836A (ja) 1985-08-14 1987-02-20 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 光学系駆動装置
NL8902292A (nl) * 1989-09-14 1991-04-02 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een een mesa bevattende halfgeleiderinrichting.
JPH04174317A (ja) 1990-11-07 1992-06-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体レーザジャイロ
JP2720635B2 (ja) 1991-06-27 1998-03-04 日本電気株式会社 半導体発光素子の製造方法
JPH10501923A (ja) 1995-04-19 1998-02-17 フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ 半導体ダイオードレーザのような光電半導体装置を製造する方法
US5764681A (en) 1995-11-03 1998-06-09 Cornell Research Foundation, Inc. Directional control method and apparatus for ring laser
JP3734900B2 (ja) * 1996-10-31 2006-01-11 古河電気工業株式会社 半導体光導波路構造、光デバイス、及び、それらの製造方法
US6143583A (en) * 1998-06-08 2000-11-07 Honeywell, Inc. Dissolved wafer fabrication process and associated microelectromechanical device having a support substrate with spacing mesas

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009043292A1 (fr) * 2007-09-26 2009-04-09 Huawei Technologies Co., Ltd. Dispositif optique semi-conducteur, procédé de récupération d'horloge et appareil apparenté
CN108521073A (zh) * 2018-06-07 2018-09-11 江苏华兴激光科技有限公司 一种基于直波导全反射耦合连接的微结构片上光源装置及其制作方法
CN108521073B (zh) * 2018-06-07 2023-11-24 江苏华兴激光科技有限公司 一种基于直波导全反射耦合连接的微结构片上光源装置及其制作方法
WO2021146925A1 (zh) * 2020-01-21 2021-07-29 济南晶正电子科技有限公司 复合薄膜及其制造方法
CN111487791A (zh) * 2020-04-23 2020-08-04 济南晶正电子科技有限公司 一种集成光学复合基板
CN111487791B (zh) * 2020-04-23 2023-12-22 济南晶正电子科技有限公司 一种集成光学复合基板

Also Published As

Publication number Publication date
KR20010014765A (ko) 2001-02-26
JP2001111160A (ja) 2001-04-20
US6566155B1 (en) 2003-05-20
CN1204661C (zh) 2005-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1204661C (zh) 半导体器件的制造方法和回旋管
US6455340B1 (en) Method of fabricating GaN semiconductor structures using laser-assisted epitaxial liftoff
JP5177130B2 (ja) フォトニック結晶レーザおよびフォトニック結晶レーザの製造方法
CN1855652A (zh) 垂直腔面发射激光器
US20030231683A1 (en) Nitride based semiconductor structures with highly reflective mirrors
US8891568B2 (en) Laser diode device and method of manufacturing laser diode device
US20080205465A1 (en) Vertical cavity surface emitting laser (vcsel) and related method
JP2003051614A (ja) 半導体発光素子の製造方法
KR20060050164A (ko) 공기 갭 및 보호 코팅을 갖는 ｖｃｓｅｌ
US11233374B2 (en) Semiconductor laser device and method of manufacturing the same
CN1169267C (zh) 制造半导体元件的方法
US9548330B2 (en) Method for producing semiconductor light receiving device and semiconductor light receiving device
JP2000331940A (ja) サファイア基板、窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体層の成長方法および半導体装置の製造方法
CN111769436A (zh) 一种分布式反馈激光器芯片及其制备方法
US20230275398A1 (en) Photonic crystal surface light-emitting laser element
CN1638217A (zh) 光元件及其制造方法
KR20020049871A (ko) 리지 웨이브 가이드를 구비하는 반도체 레이저 다이오드및 그 제조 방법
CN113745968B (zh) 一种半导体激光器及其制备方法
US20170331247A1 (en) Method for obtaining a laser diode
US7393710B2 (en) Fabrication method of multi-wavelength semiconductor laser device
US20090155942A1 (en) Hybrid metal bonded vertical cavity surface emitting laser and fabricating method thereof
JPH11135891A (ja) 半導体発光素子およびその製造方法、発光素子付き光ファイバ、光通信モジュールならびに光通信システム
US10998697B2 (en) Method of manufacturing surface emitting laser
US7894499B2 (en) Semiconductor laser device with a rounded base mesa structure
CN1638215A (zh) 光元件及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C06 Publication
PB01 Publication
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20050601

Termination date: 20110419