CN1261993A - 函数发生电路、晶体振荡装置以及晶体振荡装置的调整方法 - Google Patents

函数发生电路、晶体振荡装置以及晶体振荡装置的调整方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1261993A
CN1261993A CN98806935A CN98806935A CN1261993A CN 1261993 A CN1261993 A CN 1261993A CN 98806935 A CN98806935 A CN 98806935A CN 98806935 A CN98806935 A CN 98806935A CN 1261993 A CN1261993 A CN 1261993A
Authority
CN
China
Prior art keywords
temperature
control signal
signal
circuit
triode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN98806935A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1237706C (zh
Inventor
渋谷修寿
竹内久人
松浦润一
立山雄一
佐伯高晴
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Publication of CN1261993A publication Critical patent/CN1261993A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1237706C publication Critical patent/CN1237706C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/02—Details
    • H03B5/04—Modifications of generator to compensate for variations in physical values, e.g. power supply, load, temperature
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06G—ANALOGUE COMPUTERS
    • G06G7/00—Devices in which the computing operation is performed by varying electric or magnetic quantities
    • G06G7/12—Arrangements for performing computing operations, e.g. operational amplifiers
    • G06G7/26—Arbitrary function generators
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
    • H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
    • H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/362—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device the amplifier being a single transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
    • H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
    • H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/366—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device and comprising means for varying the frequency by a variable voltage or current
    • H03B5/368—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device and comprising means for varying the frequency by a variable voltage or current the means being voltage variable capacitance diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L1/00—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply
    • H03L1/02—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only
    • H03L1/022—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only by indirect stabilisation, i.e. by generating an electrical correction signal which is a function of the temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L1/00—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply
    • H03L1/02—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only
    • H03L1/022—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only by indirect stabilisation, i.e. by generating an electrical correction signal which is a function of the temperature
    • H03L1/023—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only by indirect stabilisation, i.e. by generating an electrical correction signal which is a function of the temperature by using voltage variable capacitance diodes
    • H03L1/025—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only by indirect stabilisation, i.e. by generating an electrical correction signal which is a function of the temperature by using voltage variable capacitance diodes and a memory for digitally storing correction values
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L1/00—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply
    • H03L1/02—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only
    • H03L1/022—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only by indirect stabilisation, i.e. by generating an electrical correction signal which is a function of the temperature
    • H03L1/026—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only by indirect stabilisation, i.e. by generating an electrical correction signal which is a function of the temperature by using a memory for digitally storing correction values
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L1/00—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply
    • H03L1/02—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only
    • H03L1/028—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only of generators comprising piezoelectric resonators
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2201/00—Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
    • H03B2201/02—Varying the frequency of the oscillations by electronic means
    • H03B2201/0208—Varying the frequency of the oscillations by electronic means the means being an element with a variable capacitance, e.g. capacitance diode

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Software Systems (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)

Abstract

一种带温度补偿功能的晶体振荡装置包括输出不依赖于环境温度的给定电压的定电压电路(12)、输出和环境温度成比例的电压的温度传感器电路(13)、接受来自定电压电路(12)的定电压输出和来自温度传感器电路(13)的和温度成比例的电压输出、在环境温度区域的整个区域将为补偿晶振的温度特性的负的3次曲线采用连续的直线进行折线近似的产生控制电压(Vc)的控制电路(14)。还包括由控制电压Vc将振荡频率控制在给定值的VCXO(15)、对于控制电路输出的控制电压Vc,为将VCXO(15)输出的振荡频率最优化保存补偿该控制电压Vc的温度特性的温度补偿用参数的ROM/RAM电路(16)。

Description

函数发生电路、晶体振荡装置以及 晶体振荡装置的调整方法
本发明涉及一种产生可补偿晶体振荡装置所输出的振荡频率的温度依存性的控制信号的函数发生电路、采用该函数发生电路的晶体振荡装置以及其调整方法。
近年来，便携式电子仪器的需求飞速发展，这种仪器需要能产生基准时钟信号的小型并且高精度的晶体振荡装置。
晶体振荡装置中晶体振荡器的振荡频率具有晶体振荡器中所用的晶振的3次以及1次成分的温度特性。即，图16(a)所示，横轴表示环境温度Ta，纵轴表示振荡频率f，没有进行温度补偿时的晶振的振荡频率f的特性呈现为在极大值和极小值之间具有10ppm～30ppm的分散的大致3次曲线101。又，在本申请中，环境温度Ta，约为-30℃～80℃。因此，如图26(b)所示，横轴表示环境温度Ta，纵轴表示控制电压Vc，如果产生理想的控制电压曲线102，并施加到晶体振荡器上，则如图26(c)所示，df/dTa＝0，振荡频率f实质上不对温度依赖。
温度补偿方法有，例如，在晶体振荡器中接上频率调节元件可变容量二极管，在该可变容量二极管上施加具有补偿晶体振荡器的温度特性的3次以及1次温度特性的控制电压，来稳定振荡频率的温度特性方法。
实际上，要产生具有图26(b)所示的理想的温度特性的控制电压Vc在技术上是困难的，一般是采用各种各样的方法产生具有模拟的3次温度特性的控制电压，来进行振荡频率的温度补偿。
以下参照附图说明特开平8-288741号公报所述的现有的具有温度补偿功能的晶体振荡装置。
图27表示现有的具有温度补偿功能的晶体振荡装置的功能模块构成。该晶体振荡装置的温度补偿方法是将晶体振荡器中的3次以及1次温度特性分割成多个温度区域，对于每一分割温度区域内的温度函数的电压以温度直线的方式进行折线近似。
具体讲，在图27所示的存储器电路111中按各电压直线区域保存分割的各温度区域和该温度区域中温度直线的温度系数(比例系数)以及温度直线的常温时的电压值，从存储器电路111中选择性地读出与由温度传感器电路112所检测的环境温度对应的电压直线数据。放大电路113根据读出的控制电压数据产生给定的控制电压，将所产生的控制电压施加到电压控制晶体振荡器114上，进行振荡频率的温度补偿，稳定振荡频率。
又，如图28(a)所示，在温度传感器电路112中，由于用A/D变换进行了折线近似，如图28(c)所示，当从一个温度区域移到另一个温度区域时电压直线成不连续，产生频率突变。为了消除该频率突变，在放大电路113和电压控制晶体振荡器114之间加入采样保持电路115，使得频率变化沿时间轴平滑。
但是，由于上述现有的带有温度补偿功能的晶体振荡装置采用A/D变换进行为产生温度补偿用控制电压的折线近似，从原理上不可能消除数字化噪声，频率突变。又，必须有时钟信号产生电路，因而存在混入时钟噪声的问题，由于采样保持电路115的时间常数，因此存在从电源启动开始到振荡频率稳定为止要花费时间的问题。
进一步，在测定温度特性并且进行调整时，由于是离散性地让环境温度变化，然后测定晶体振荡装置的振荡频率的温度特性，进行该晶体振荡装置的温度补偿，所以调整本身也会产生误差。为了降低该误差，温度区域的分割数必须增加，因而存在增大存储器电路111的存储量的问题。
本发明的目的在于让控制电压本身没有频率突变，容易进行温度补偿的调整。
为了达到上述目的，本发明仅仅采用原理上不会有频率突变的模拟电路产生温度补偿用控制电压。
有关本发明的函数发生电路，是包括产生不依赖于环境温度的给定模拟信号并输出的第1模拟信号产生电路、产生依赖于环境温度的模拟信号并输出的第2模拟信号产生电路、接受来自所述第1模拟信号产生电路的输出信号和来自所述第2模拟信号产生电路的输出信号、产生分别与将环境温度的可取范围从低温侧到高温侧依次连续分割成的第1温度区域、第2温度区域、第3温度区域、第4温度区域以及第5温度区域的5个温度区域对应的控制信号并输出的控制电路、并以控制信号作为温度函数的函数发生电路，控制电路当环境温度处于第1温度区域时输出其输出值与温度的上升成比例并以第1变化率变化的第1控制信号，当环境温度处于第2温度区域时输出其输出值与第1控制信号连续并不依赖于温度的给定值的第2控制信号，当环境温度处于第3温度区域时输出其输出值与第2控制信号连续并与温度的上升成比例而以第2变化率变化的第3控制信号，当环境温度处于第4温度区域时输出其输出值与第3控制信号连续并不依赖于温度的给定值的第4控制信号，当环境温度处于第5温度区域时输出其输出值与第4控制信号连续并与温度的上升成比例而以与第1变化率为同一极性的第3变化率变化的第5控制信号。
依据本发明的函数发生电路，由于包括产生不依赖于环境温度的给定模拟信号并输出的第1模拟信号产生电路、产生依赖于环境温度的模拟信号并输出的第2模拟信号产生电路、接受来自所述第1模拟信号产生电路的输出信号和来自所述第2模拟信号产生电路的输出信号、产生从低温侧到高温侧的整个区域连续的控制信号的控制电路，即使将环境温度分割成5个区域在区域的边界附近也不会产生频率突变，可以使近似误差小，进行良好地近似。又，由于仅由模拟电路构成，不需要数字电路所要求的时钟产生电路，也就不会有时钟噪声混入。
又，由于当环境温度处于第1温度区域时输出其输出值与温度的上升成比例并以第1变化率变化的第1控制信号，当环境温度处于第2温度区域时输出其输出值不依赖于温度的给定值的第2控制信号，当环境温度处于第3温度区域时输出其输出值与温度成比例而以第2变化率变化的第3控制信号，当环境温度处于第4温度区域时输出其输出值不依赖于温度的给定值的第4控制信号，当环境温度处于第5温度区域时输出其输出值与温度成比例而以与第1变化率为同一极性的第3变化率变化的第5控制信号，可以对于具有正的3次成分的温度函数采用由5条直线构成的折线近似补偿该温度函数。这样，即使用于近似的直线的条数为5条是比较少的，也可以进行充分的近似，可以减少折线近似用的直线的比例系数以及常数等调整参数的组合数，使得对成为补偿对象的各个温度函数所进行的调整变得容易。
在本发明的函数发生电路中，优选模拟信号为电压信号，第1以及第3变化率为负变化率，第2变化率为正变化率。这样，对于具有正的3次成分的温度函数可以采用由5条直线构成的折线近似确切地补偿该温度函数，并且，如果将该电压信号作为由电压控制将振荡频率控制在给定值的电压控制晶体振荡电路的控制信号使用，可以达到无视环境温度的温度依赖性的程度，确实获得所希望的振荡频率。
在本发明的函数发生电路中，在第1控制信号、第2控制信号、第3控制信号、第4控制信号以及第5控制信号与晶振的环境温度对应的温度特性的曲线上，优选第1控制信号和第5控制信号相对于由在曲线中的晶振的振荡频率的变移点温度和该变移点温度中的第3控制信号的值所确定的坐标点具有点对称性，第2控制信号和第4控制信号相对于坐标点具有点对称性，第3控制信号相对于坐标点具有点对称性。这样，可以进一步减少折线近似用的直线的比例系数以及常数等调整参数的组合数，使得对成为补偿对象的各个温度函数所进行的调整进一步变得容易。
在本发明的函数发生电路中，优选当环境温度处于第1温度区域时，具有规定了用于产生第1控制信号的温度和输出值之间的比例系数与晶振的振荡频率的温度特性的3次系数之间的关系的第1比值，并将该第1比值输出给控制电路，当环境温度处于第2温度区域时，具有规定了用于产生第2控制信号的温度和输出值之间的常数与3次系数之间的关系的第2比值，并将该第2比值输出给控制电路，当环境温度处于第3温度区域时，具有规定了用于产生第3控制信号的温度和输出值之间的比例系数与3次系数之间的关系的第3比值，并将该第3比值输出给控制电路，当环境温度处于第4温度区域时，具有规定了用于产生第4控制信号的温度和输出值之间的常数与3次系数之间的关系的第4比值，并将该第4比值输出给控制电路，当环境温度处于第5温度区域时，具有规定了用于产生第5控制信号的温度和输出值之间的比例系数与3次系数之间的关系的第5比值，并将该第5比值输出给控制电路，同时进一步包括保存第1比值、第2比值、第3比值、第4比值以及第5比值的保存装置。这样，在进行晶振3次温度系数的调整时，可以一次设定与直线的比例系数对应的电路常数以及与直线的常数对应电路常数，使得由于晶振的AT切断角引起的3次以及1次的温度系数的离散调整和振荡频率的绝对值的离散调整容易进行并且确切进行。
在本发明的函数发生电路中，优选控制电路包括集电极上施加电源电压、基极上输入与环境温度成比例减少的第1电信号、发射极与第1电流源的输入侧连接的第1NPN三极管、集电极上施加电源电压、基极上输入不依赖于环境温度保持给定值的第2电信号、发射极与第1电流源的输入侧连接的第2NPN三极管、集电极上施加电源电压、基极上输入与环境温度成比例增加的第3电信号、发射极与第1电流源的输入侧连接的第3NPN三极管、集电极和基极与具有第1电流源的二分之一电流值的第2电流源的输出侧连接、发射极与第1电流源的输入侧连接的第4NPN三极管、基极与第4NPN三极管的集电极相连、发射极与第3电流源的输出侧连接、集电极接地的第1PNP三极管、基极上输入不依赖于环境温度保持给定值的第4电信号、发射极与第3电流源的输出侧连接、集电极接地的第2PNP三极管、基极上输入与环境温度成比例减少的第5电信号、发射极与第3电流源的输出侧连接、集电极接地的第3PNP三极管、发射极与第3电流源的输出侧连接、集电极和基极与具有第3电流源的二分之一电流值的第4电流源的输入侧连接的第4PNP三极管，第4NPN三极管在集电极上从第1电信号、第2电信号以及第3电信号中选出具有最大电压值的电信号作为第6电信号输出，第4PNP三极管在集电极上从第4电信号、第5电信号以及第6电信号中选出具有最小电压值的电信号作为第7电信号输出，第7电信号作为所述控制信号输出。这样，仅用模拟信号就可以确切地产生控制信号。
在本发明的函数发生电路中，优选在第1NPN三极管的发射极和第1电流源之间串联连接了第1电阻，在第2NPN三极管的发射极和第1电流源之间串联连接了第2电阻，在第3NPN三极管的发射极和第1电流源之间串联连接了第3电阻，在第4NPN三极管的发射极和第1电流源之间串联连接了第4电阻，在所述第1PNP三极管的发射极和所述第3电流源之间串联连接了第5电阻，在第2PNP三极管的发射极和第3电流源之间串联连接了第6电阻，在第3PNP三极管的发射极和第3电流源之间串联连接了第7电阻，在第4PNP三极管的发射极和第3电流源之间串联连接了第8电阻。这样，控制信号中的各温度区域边界的各连接点可以平滑连接，即使采用折线近似，在折线的连接点近似误差变小。
有关本发明的晶体振荡装置，包括产生不依赖于环境温度的给定模拟信号并输出的第1模拟信号产生电路、产生依赖于环境温度的模拟信号并输出的第2模拟信号产生电路、接受来自第1模拟信号产生电路的输出信号和来自第2模拟信号产生电路的输出信号、产生分别与将环境温度的可取范围从低温侧到高温侧依次连续分割成的第1温度区域、第2温度区域、第3温度区域、第4温度区域以及第5温度区域的5个温度区域对应的控制信号并输出的控制电路、和接受来自控制电路的控制信号、根据该控制信号控制振荡频率为给定值的晶体振荡电路，通过控制电路当环境温度处于第1温度区域时输出其输出值与温度的上升成比例减少的第1控制信号，当环境温度处于第2温度区域时输出其输出值与第1控制信号连续并不依赖于温度的给定值的第2控制信号，当环境温度处于第3温度区域时输出其输出值与第2控制信号连续并与温度的上升成比例增加的第3控制信号，当环境温度处于第4温度区域时输出其输出值与第3控制信号连续并不依赖于温度的给定值的第4控制信号，当环境温度处于第5温度区域时输出其输出值与第4控制信号连续并与温度的上升成比例减少的第5控制信号，补偿来自晶体振荡电路所输出的振荡频率的温度依赖性。
依据本发明的晶体振荡装置，由于包括产生不依赖于环境温度的给定模拟信号并输出的第1模拟信号产生电路、产生依赖于环境温度的模拟信号并输出的第2模拟信号产生电路、接受来自所述第1模拟信号产生电路的输出信号和来自所述第2模拟信号产生电路的输出信号、产生从低温侧到高温侧的整个区域连续的控制信号的控制电路，即使将环境温度分割成5个区域在区域的边界附近也不会产生频率突变，可以进行良好地近似。又，由于当环境温度处于第1温度区域时输出其输出值与温度的上升成比例减少的第1控制信号，当环境温度处于第2温度区域时输出其输出值为不依赖于温度的给定值的第2控制信号，当环境温度处于第3温度区域时输出其输出值与温度成比例的第3控制信号，当环境温度处于第4温度区域时输出其输出值为不依赖于温度的给定值的第4控制信号，当环境温度处于第5温度区域时输出其输出值与温度的上升成比例减少的第5控制信号，可以对于具有正的3次成分的温度函数采用由5条直线构成的折线近似补偿该温度函数。
在本发明的晶体振荡装置中，优选在第1控制信号、第2控制信号、第3控制信号、第4控制信号以及第5控制信号与晶振的环境温度对应的温度特性的曲线上，第1控制信号和第5控制信号相对于由在曲线中的晶振的振荡频率的变移点温度和该变移点温度中的第3控制信号的值所确定的坐标点具有点对称性，第2控制信号和所述第4控制信号相对于所述坐标点具有点对称性，第3控制信号相对于所述坐标点具有点对称性。这样，可以进一步减少折线近似用的直线的比例系数以及常数等调整参数的组合数，使得对成为补偿对象的各个温度函数所进行的调整进一步变得容易。
在本发明的晶体振荡装置中，优选当环境温度处于第1温度区域时，具有规定了用于产生第1控制信号的温度和输出值之间的比例系数与晶振的振荡频率的温度特性的3次系数之间的关系的第1比值，并将该第1比值输出给控制电路，当环境温度处于第2温度区域时，具有规定了用于产生第2控制信号的温度和输出值之间的常数与3次系数之间的关系的第2比值，并将该第2比值输出给控制电路，当环境温度处于第3温度区域时，具有规定了用于产生第3控制信号的温度和输出值之间的比例系数与3次系数之间的关系的第3比值，并将该第3比值输出给控制电路，当环境温度处于第4温度区域时，具有规定了用于产生第4控制信号的温度和输出值之间的常数与3次系数之间的关系的第4比值，并将该第4比值输出给控制电路，当环境温度处于第5温度区域时，具有规定了用于产生第5控制信号的温度和输出值之间的比例系数与3次系数之间的关系的第5比值，并将该第5比值输出给控制电路，同时进一步包括保存第1比值、第2比值、第3比值、第4比值以及第5比值的保存装置。这样，在进行晶振3次温度系数的调整时，可以一次设定与直线的比例系数对应的电路常数以及与直线的常数对应电路常数，使得由于晶振的AT切断角引起的3次以及1次的温度系数的离散调整和振荡频率的绝对值的离散调整容易进行并且确切进行。
在本发明的晶体振荡装置中，优选控制电路包括集电极上施加电源电压、基极上输入与环境温度成比例减少的第1电信号、发射极与第1电流源的输入侧连接的第1NPN三极管、集电极上施加电源电压、基极上输入不依赖于环境温度保持给定值的第2电信号、发射极与第1电流源的输入侧连接的第2NPN三极管、集电极上施加电源电压、基极上输入与环境温度成比例增加的第3电信号、发射极与第1电流源的输入侧连接的第3NPN三极管、集电极和基极与具有第1电流源的二分之一电流值的第2电流源的输出侧连接、发射极与第1电流源的输入侧连接的第4NPN三极管、基极与第4NPN三极管的集电极相连、发射极与第3电流源的输出侧连接、集电极接地的第1PNP三极管、基极上输入不依赖于环境温度保持给定值的第4电信号、发射极与第3电流源的输出侧连接、集电极接地的第2PNP三极管、基极上输入与环境温度成比例减少的第5电信号、发射极与第3电流源的输出侧连接、集电极接地的第3PNP三极管、发射极与第3电流源的输出侧连接、集电极和基极与具有第3电流源的二分之一电流值的第4电流源的输入侧连接的第4PNP三极管，第4NPN三极管在集电极上从第1电信号、第2电信号以及第3电信号中选出具有最大电压值的电信号作为第6电信号输出，第4PNP三极管在集电极上从第4电信号、第5电信号以及第6电信号中选出具有最小电压值的电信号作为第7电信号输出，第7电信号作为所述控制信号输出。这样，仅用模拟信号就可以确切地产生控制信号。
在本发明的晶体振荡装置中，优选在第1NPN三极管的发射极和第1电流源之间串联连接了第1电阻，在第2NPN三极管的发射极和第1电流源之间串联连接了第2电阻，在第3NPN三极管的发射极和第1电流源之间串联连接了第3电阻，在第4NPN三极管的发射极和第1电流源之间串联连接了第4电阻，在所述第1PNP三极管的发射极和所述第3电流源之间串联连接了第5电阻，在第2PNP三极管的发射极和第3电流源之间串联连接了第6电阻，在第3PNP三极管的发射极和第3电流源之间串联连接了第7电阻，在第4PNP三极管的发射极和第3电流源之间串联连接了第8电阻。这样，控制信号中的各温度区域边界的各连接点可以平滑连接，即使采用折线近似，在折线的连接点近似误差变小。
本发明的晶体振荡装置，优选进一步包括对于控制电路所输出的第1～第5的各控制信号、用于保存针对各控制信号变化的补偿晶体振荡电路的振荡频率的温度依赖性的各参数的RAM电路、和保存对于各控制信号各参数中的最优化参数的可编程ROM电路。这样，一边让对于从外部输入的控制信号的RAM电路的数据进行适当的变化一边调整控制信号，可以检测出最优控制信号特性，同时将所检测的最优数据写入到PROM电路后在实际使用条件下读出最优数据，确切地输出与环境温度对应控制信号。
本发明的晶体振荡装置，优选进一步包括将控制电路所输出的各控制信号分别与具有晶体振荡电路的振荡频率的温度依赖性的3次温度系数、1次温度系数、与变移点温度中的基准频率之间的频率差以及变移点温度并且独立最优化的最优化装置。这样，由于可以确切地对应各个晶振的振荡频率的温度依赖性，因而可以提高温度补偿的近似特性。
有关本发明的晶体振荡装置的调整方法，是以包括产生不依赖于环境温度的给定模拟信号并输出的第1模拟信号产生电路、产生依赖于环境温度的模拟信号并输出的第2模拟信号产生电路、接受来自第1模拟信号产生电路的输出信号和来自第2模拟信号产生电路的输出信号、产生分别与将环境温度的可取范围从低温侧到高温侧依次分割成连续的第1温度区域、第2温度区域、第3温度区域、第4温度区域以及第5温度区域的5个温度区域对应的控制信号并输出的控制电路、接受来自控制电路的控制信号、根据该控制信号控制振荡频率为给定值的晶体振荡电路，对于控制电路所输出的所述第1～第5的各控制信号、用于保存针对各控制信号变化的补偿晶体振荡电路的振荡频率的温度依赖性的各参数的RAM电路、保存对于各控制信号各参数中的最优化参数的可编程ROM电路，控制电路当环境温度处于第1温度区域时输出其输出值与温度的上升成比例减少的第1控制信号，当环境温度处于第2温度区域时输出其输出值与第1控制信号连续并不依赖于温度的给定值的第2控制信号，当环境温度处于第3温度区域时输出其输出值与第2控制信号连续并与温度的上升成比例增加的第3控制信号，当环境温度处于第4温度区域时输出其输出值与第3控制信号连续并不依赖于温度的给定值的第4控制信号，当环境温度处于所述第5温度区域时输出其输出值与第4控制信号连续并与温度的上升成比例减少的第5控制信号的晶体振荡装置的调整方法为对象，包括将晶体振荡装置放置在从第1温度区域到第5温度区域连续变化的温度下、让晶体振荡电路输出的振荡频率的温度变动大致为0、计算出与晶体振荡电路的温度特性中的3次温度系数、1次温度系数、与变移点温度中的基准频率之间的频率差以及变移点温度分别对应的控制信号的参数、确定固有参数的固有参数确定工序、在测定控制电路所输出的控制信号的初期温度特性之后、计算出与3次温度系数、1次温度系数、与变移点温度中的基准频率之间的频率差以及变移点温度分别对应的控制信号的参数、确定初始参数的初始参数确定工序、通过变更与保存在RAM电路中温度补偿用参数对应的数据、测定初始温度特性的变化量、在求出在与温度补偿用参数对应的数据中每1单位的控制信号的变化量、同时求出初始参数和固有参数的差分之后、根据每1单位的控制信号的变化量、让差分减小来确定控制信号的最优化参数、并将该最优化参数写入到ROM电路中的最优化参数写入工序。
依据本发明的晶体振荡装置的调整方法，由于是将晶体振荡装置放置在从第1温度区域到第5温度区域连续变化的温度下、让晶体振荡电路输出的振荡频率的温度变动大致为0、确定控制信号的固有参数、同时在确定控制信号的初始参数之后，通过变更与保存在RAM电路中温度补偿用参数对应的数据、测定初始温度特性的变化量、在求出在与温度补偿用参数对应的数据中每1单位的控制信号的变化量、同时求出初始参数和固有参数的差分之后、根据每1单位的控制信号的变化量、让差分减小来确定控制信号的最优化参数、即使对于晶振的AT截断角的离散、与振荡频率的变移点温度中基准频率的频率差的离散以及变移点温度的离散，可以对每个晶体振荡装置容易并且确切地进行调整。又，由于将环境温度分割成5个区域，采用5条直线进行折线近似，只要少数温度特性补偿用参数即可。这样，可以减少RAM电路以及ROM电路的电路规模，使装置的小型化变得容易。
下面对附图进行简要说明。
图1为表示有关本发明第一实施例的带有温度补偿功能的晶体振荡装置的功能模块图。
图2为表示有关本发明第一实施例的带有温度补偿功能的晶体振荡装置中的电压控制晶体振荡电路的电路图。
图3为表示有关本发明第一实施例的带有温度补偿功能的晶体振荡装置中的定电压电路和温度传感器电路的电路图。
图4为表示有关本发明第一实施例的带有温度补偿功能的晶体振荡装置中的定电压电路的详细电路图。
图5为表示有关本发明第一实施例的带有温度补偿功能的晶体振荡装置中的温度传感器电路的详细电路图。
图6为表示有关本发明第一实施例的带有温度补偿功能的晶体振荡装置中的定电压电路和温度传感器电路的电路图。
图7为表示有关本发明第一实施例的带有温度补偿功能的晶体振荡装置中的定电压电路的详细电路图。
图8为表示有关本发明第一实施例的带有温度补偿功能的晶体振荡装置中的温度传感器电路的详细电路图。
图9为表示有关本发明第一实施例的带有温度补偿功能的晶体振荡装置中的温度传感器电路的详细电路图。
图10为表示有关本发明第一实施例的带有温度补偿功能的晶体振荡装置中的控制电路的详细电路图。
图11(a)～(c)为表示有关本发明第一实施例的带有温度补偿功能的晶体振荡装置中采用控制电压补偿电压控制晶体振荡电路的振荡频率的样子，图11(a)表示温度补偿前的振荡频率的环境温度依赖性的曲线图，图11(b)表示控制电路输出的温度补偿用控制电压的环境温度依赖性的曲线图，图11(c)表示将控制电压施加到电压控制晶体振荡电路时振荡频率和基准频率的差分的环境温度依赖性的曲线图。
图12为表示在关本发明第一实施例的带有温度补偿功能的晶体振荡装置中，采用折线近似进行温度补偿的控制电压的环境温度依赖性的曲线图。
图13为表示有关本发明第一实施例的带有温度补偿功能的晶体振荡装置中的RAM/ROM电路的详细电路图。
图14为有关本发明第一实施例的带有温度补偿功能的晶体振荡装置中的RAM/ROM电路的RAM数据输入时的时序图。
图15为表示有关本发明第一实施例的第一变形例的带有温度补偿功能的晶体振荡装置中的控制电路的详细电路图。
图16(a)～(c)为表示有关本发明第一实施例的第二变形例的带有温度补偿功能的晶体振荡装置中采用控制电压补偿电压控制晶体振荡电路的振荡频率的样子，图16(a)表示温度补偿前的振荡频率的环境温度依赖性的曲线图，图16(b)表示控制电路输出的温度补偿用控制电压的环境温度依赖性的曲线图，图16(c)表示将控制电压施加到电压控制晶体振荡电路时振荡频率和基准频率的差分的环境温度依赖性的曲线图。
图17(a)～(c)为表示有关本发明第一实施例的第三变形例的带有温度补偿功能的晶体振荡装置中采用控制电压补偿电压控制晶体振荡电路的振荡频率的样子，图17(a)为表示温度补偿前的振荡频率的环境温度依赖性的曲线图，图17(b)表示控制电路输出的温度补偿用控制电压的环境温度依赖性的曲线图，图17(c)表示将控制电压施加到电压控制晶体振荡电路时振荡频率和基准频率的差分的环境温度依赖性的曲线图。
图18为表示有关本发明第一实施例的带有温度补偿功能的晶体振荡装置中的控制电路的各种控制电路方式所需要的存储器量的比较的一览表。
图19(a)为表示温度补偿前的振荡频率的3次温度系数不同时的环境温度依赖性的曲线图。
图19(b)为表示有关本发明第一实施例的第四变形例的晶体振荡装置中控制电路输出的控制电压的环境温度依赖性的曲线图。
图20(a)～(c)为表示有关本发明第一实施例的第四变形例的晶体振荡装置中控制电路输出的控制电压的产生方法的曲线图。
图21(a)为表示有关本发明第一实施例的第四变形例的晶体振荡装置中控制电路输出的控制电压和晶振固有的理想的控制电压的环境温度依赖性的曲线图，图21(b)为表示理想控制电压和近似控制电压的差分的曲线图。
图22为表示有关本发明第二实施例的带有温度补偿功能的晶体振荡装置中的温度补偿用函数发生电路的功能模块图。
图23(a)～(d)为表示有关本发明第二实施例的带有温度补偿功能的晶体振荡装置中调整温度补偿用参数以及变移点温度时控制电压变化的样子的曲线图。
图24为表示有关本发明第三实施例的带有温度补偿功能的晶体振荡装置中的说明振荡频率的调整方法的功能模块图。
图25为表示有关本发明第三实施例的带有温度补偿功能的晶体振荡装置中的调整方法的流程图。
图26(a)～(c)为表示理想的带有温度补偿功能的晶体振荡装置的调整方法的曲线图，图26(a)表示温度补偿前的振荡频率的环境温度依赖性的曲线图，图26(b)表示温度补偿用控制电压的环境温度依赖性的曲线图，图26(c)表示温度补偿后振荡频率和基准频率的差分的环境温度依赖性的曲线图。
图27为表示现有的带有温度补偿功能的晶体振荡装置的功能模块图。
图28(a)～(c)为表示现有的带有温度补偿功能的晶体振荡装置的温度补偿方法的曲线。
第一实施例
以下参照附图说明本发明的第一实施例。
图1为表示有关本发明第一实施例的带有温度补偿功能的晶体振荡装置的功能模块图。图1所示带有温度补偿功能的晶体振荡装置(TCXO)10，例如是为产生移动电话的基准时钟信号的振荡器，在整个温度范围内要求振荡频率的频率波动在±2.5ppm以下的稳定的频率精度。
如图1所示，带有温度补偿功能的晶体振荡装置10包括，作为第1模拟信号产生电路产生不依赖于环境温度的给定电压值并输出的定电压电路12、作为第2模拟信号产生电路产生与环境温度成比例的电压值并输出的温度传感器电路13、以定电压电路12输出的定电压和温度传感器电路13输出的与温度成比例的电压作为输入、在环境温度整个温度区域将为补偿晶振的温度特性的负的3次连续曲线进行折线近似产生控制电压Vc的控制电路14、以控制电路14输出的控制电压Vc作为输入、由该控制电压Vc控制振荡频率在给定值的电压控制晶体振荡电路(以下简称VCXO)15、保存为最优化相对于控制电路14输出的控制电压Vc、VCXO15输出的振荡频率而补偿该控制电压Vc的温度特性的温度补偿用参数的ROM/RAM电路16。
在此，环境温度既可以是VCXO15的温度，也可以是晶体振荡装置10的温度。
图2为表示有关本实施例的VCXO15的具体例，由众所周知的电路构成。如图2所示，控制电压Vc连接在输入端子21上，并通过连接在输入端子21上的偏置电阻22与晶振23的一端子相连。在偏置电阻22和晶振23之间设置了与其阴极端子连接、而其阳极端子接地的可变容量二极管24，当控制电压Vc变动时，引起可变容量二极管24的容量变化，使得晶振23的振荡频率变化。晶振23的另一端子与柯耳匹兹电路25相连，该柯耳匹兹电路25的振荡输出fout输出到输出端子26上。
以下，参照附图详细说明有关本发明的定电压电路12和温度传感器电路13。
图3表示由图1中的定电压电路12和温度传感器电路13构成的、产生与环境温度Ta的上升成比例减少电压值的第1控制电压y1或者第5控制电压y5并输出的单调减少电压产生电路30的电路图。如图3所示，单调减少电压产生电路30由定电压电路31、作为温度传感器电路的带隙参考电路32和电流对称电路33构成，在带隙参考电路32中产生不依赖于环境温度Ta的1.25V基准电压V0，根据该基准电压V0在定电压电路31中产生定电流I0。
又，在带隙参考电路32中产生依赖于环境温度Ta的电流IT0，同时在电流对称电路33中产生与环境温度Ta成比例的电流IT，从定电压电路31和电流对称电路33的连接部中，取出定电流I0和与环境温度Ta成比例的电流IT的差分电流I0-Ta，用电阻34进行电流电压变换，产生随着环境温度Ta的上升而减少的第1控制电压y1或者第5控制电压y5。在此，第1控制电压y1或者第5控制电压y5的绝对值通过调整在定电压电路31中施加了电源电压Vcc的电阻31a的电阻值进行设定。
图4表示定电压电路31的一详细电路构成例。如图4所示，定电压电路31包括、带隙参考电路32输出的不依赖于环境温度Ta的基准电压V0输入到正相端子的运算放大器311、基极与运算放大器311的输出相连、发射极与运算放大器311的反相端子以及电阻31a相连的NPN三极管312、集电极与NPN三极管312的集电极相连的PNP三极管313、一端与NPN三极管312的发射极相连、而另一端接地的电阻31a。从PNP三极管315流经PNP三极管316的电流I00流入电阻31a，产生不依赖于环境温度Ta的基准电压V0，即PNP三极管313的基极电位Vbc参与产生不依赖于环境温度Ta的定电流I0。
又，定电压电路31与图1所示的ROM/RAM电路16相连，可以进行多个温度补偿用参数的调整。例如，从ROM/RAM电路16输入决定变移点温度的5比特信号Ti，为了能对应该5比特信号Ti的变化，进一步包括基极电压Vbc共同施加到各基极的5个PNP三极管315、向NPN三极管312的发射极电流反馈的5个PNP三极管316以及分别由5比特信号Ti控制开闭的开关用5个NPN三极管317。
图5为表示带隙参考电路32以及电流对称电路33的一详细电路构成例。如图5所示，带隙参考电路32包括基极相互连接的1对PNP三极管321、322、与PNP三极管321的集电极和基极并列连接、基极相互连接的4个NPN三极管323、324、325、326、与NPN三极管323、324、325、326的基极共有、与PNP三极管322的集电极通过电阻327相连的NPN三极管328、一端与4个NPN三极管323、324、325、326的共同的发射极相连而另一端接地的电阻329。1对PNP三极管321、322的基极电压Vbt是为传递与环境温度Ta成比例增加的电流的电压。
又，如图5所示的电流对称电流33与图1所示的ROM/RAM电路16相连，可以进行温度补偿用参数的调整。例如，如果输入相当于从ROM/RAM电路16输入的第1控制电压y1的常数项4比特信号b1或者相当于第5控制电压y5的常数项4比特信号b5，为了能与该4比特信号b1或者b5的变化对应，电流对称电流33包括将来自定电压电路31的基极电压Vbc施加到相互共有的基极上的4个PNP三极管331、为传递定电流I0的4个PNP三极管332、与4个PNP三极管332分别并列连接、由4比特信号b1或者b5控制开闭的开关用4个NPN三极管333。电流对称电流33进一步还包括在相互共有的基极上施加来自带隙参考电路32的依赖于温度的基极电压Vbt的4个PNP三极管334、分别与4个PNP三极管334并列连接、将电流对称反相并吸收的构成4组电流对称电路的8个NPN三极管335、以及与4组NPN三极管335并列连接、输入相当于第1控制电压y1的比例系数的4比特信号a1或者相当于第5控制电压y5的比例系数的4比特信号a5、根据该信号分别控制开闭的开关用4个NPN三极管336。如果开关用4个NPN三极管333中导通的三极管数由4比特信号b1或者b5变更则增减定电流I0，同时如果开关用4个NPN三极管336中导通的三极管数由4比特信号a1或者a5变更则增减依赖于温度的电流IT，其结果，增减决定第1控制电压y1或者第5控制电压y5的输出电流量I0-IT。
图6表示由图1中的定电压电路12和温度传感器电路13构成的、产生与环境温度Ta的上升成比例增加电压值的第3控制电压y3并输出的单调增加电压产生电路40的详细电路构成。如图6所示，单调增加电压产生电路40由定电压电路41、作为温度传感器电路的带隙参考电路42和电流对称电路43构成，在带隙参考电路42中产生不依赖于环境温度Ta的约1.25V基准电压V0，根据该基准电压V0在定电压电路41中产生定电流I0。
又，在带隙参考电路42中产生依赖于环境温度Ta的电流IT0，同时在电流对称电路43中产生与环境温度Ta成比例的电流IT，从定电压电路41和电流对称电路43之间，取出与环境温度Ta成比例的电流IT和定电流I0的差分电流IT-I0，用电阻44进行电流电压变换，产生与环境温度Ta成比例的第3控制电压y3。在此，常温下第3控制电压y3的、与变位点温度时给出基准频率的电压之间的电压差，通过调整在定电压电路41的电阻41a的电阻值进行设定。
图7表示定电压电路41的详细电路构成。在图7中，和图4所示的构成要素相同的构成要素采用相同的符号，在此省略其说明。而定电压电路41和定电压电路31只不过是电路常数不同。
图8为表示带隙参考电路42以及电流对称电路43的详细电路构成。由于图8中的带隙参考电路42和图5所示的带隙参考电路32为相同的构成，相同的构成要素采用相同的符号，在此省略其说明。在图8中，电流对称电流43与图1所示的ROM/RAM电路16相连，可以进行温度补偿用参数的调整。例如，如果输入相当于从ROM/RAM电路16输入的第3控制电压y3的比例系数的4比特信号a3，为了能与该4比特信号a3的变化对应，电流对称电流43包括将由带隙参考电路42输入的有温度依赖性的基极电压Vbt施加到相互共有的基极上的4个PNP三极管431、为传递与环境温度Ta成比例的电流IT的4个PNP三极管432、与4个PNP三极管432分别并列连接、由4比特信号a3控制开闭的开关用4个NPN三极管433。电流对称电流43进一步还包括在相互共有的基极上施加来自定电压电路41的基极电压Vbc的4个PNP三极管434、分别与4个PNP三极管434并列连接、将电流对称反相并吸收的构成4组电流对称电路的8个NPN三极管435、以及与4组NPN三极管335并列连接、由4比特信号a3分别控制开闭的开关用4个NPN三极管436。如果开关用4个NPN三极管433中导通的三极管数和开关用4个NPN三极管436中导通的三极管数由4比特信号a3变更，增减决定第3控制电压y3的输出电流量IT-I0。
图9表示由图1中的定电压电路12和温度传感器电路13构成的、产生不依赖于环境温度Ta的第2控制电压y2或者第4控制电压y4并输出的定电压产生电路的一部分电路图。定电压产生电路由定电压电路(图中未画出)、作为温度传感器电路的带隙参考电路42A和电流对称电路43A构成。定电压电路的电路构成与图7所示的定电压电路41构成相同。图9中的带隙参考电路42A和图8所示的带隙参考电路42为相同的构成，相同的构成要素采用相同的符号，在此省略其说明。
又，如图9所示的电流对称电流43A与图1所示的ROM/RAM电路16相连，可以进行温度补偿用参数的调整。例如，如果输入相当于从ROM/RAM电路16输入的第4控制电压y4的常数项的4比特信号b4，为了能与该4比特信号b4的变化对应，电流对称电流43A包括将来自定电压电路的基极电压Vbc施加到相互共有的基极上的4个PNP三极管431、为传递定电流I0的4个PNP三极管432、与4个PNP三极管432分别并列连接、由4比特信号b4分别控制开闭的开关用4个NPN三极管433。电流对称电流43A进一步还包括在相互共有的基极上施加来自定电压电路的基极电压Vbc的4个PNP三极管434、分别与4个PNP三极管434并列连接、将定电流I0对称反相并吸收的构成4组电流对称电路的8个NPN三极管435、以及与4组NPN三极管435并列连接、由4比特信号b2分别控制开闭的开关用4个NPN三极管436。如果开关用4个NPN三极管433中导通的三极管数由4比特信号b4变更则增减决定第4控制电压y4的电流量，同时如果开关用4个NPN三极管436中导通的三极管数由4比特信号b2变更则增减决定第2控制电压y2的电流量。
以下参照附图说明有关本发明的控制电路14。
图10表示图1中的控制电路14的详细电路图。如图10所示，产生VCXO15的温度补偿用控制电压Vc的控制电路14是由输入由图1中的定电压电路12以及温度传感器电路13产生的第1控制电压y1、第2控制电压y2以及第3控制电压y2并从其中选出最大电压作为第6控制电压y6的MAX电路14a、输入由图1中的定电压电路12以及温度传感器电路13产生的第4控制电压y4、第5控制电压y5以及来自MAX电路14a的第6控制电压y6并从其中选出最小电压作为第7控制电压y7的MIN电路14b所构成。第7控制电压y7即是温度补偿用控制电压Vc。
MAX电路14a由集电极施加电源电压Vcc、基极施加第1控制电压y1、发射极与第1定电流源I1的输入侧相连的第1NPN三极管Q1、集电极施加电源电压Vcc、基极施加第2控制电压y2、发射极与第1定电流源I1的输入侧相连的第2NPN三极管Q2、集电极施加电源电压Vcc、基极施加第3控制电压y3、发射极与第1定电流源I1的输入侧相连的第3NPN三极管Q3、集电极和基极与具有第1定电流源I1的二分之一电流值的第2定电流源I2的输出侧相连、发射极与第1定电流源I1的输入侧相连、在集电极上从第1控制电压y1、第2控制电压y2以及第3控制电压y2中选出最大电压值作为第6控制电压y6输出的第4NPN三极管Q7所构成。
MIN电路14b由基极与第4NPN三极管Q7的集电极相连、发射极与第3定电流源I3的输出侧相连、集电极接地的第1PNP三极管Q6、基极施加第4控制电压y4、发射极与第3定电流源I3的输出侧相连、集电极接地的第2PNP三极管Q4、基极施加第5控制电压y5、发射极与第3定电流源I3的输出侧相连、集电极接地的第3PNP三极管Q5、发射极与第3定电流源I3的输出侧相连、集电极和基极与具有第3定电流源I3的二分之一电流值的第4定电流源I4的输入侧相连、在集电极上从第4控制电压y4、第5控制电压y5以及第6控制电压y6中选出最小电压值作为第7控制电压y7输出的第4PNP三极管Q8所构成。
下面说明上述构成的MAX电路14a和MIN电路14b的动作。
在MAX电路14a中，第1NPN三极管Q1、第2NPN三极管Q2和第3NPN三极管Q3的集电极和发射极相互共有，第2定电流源I2通过第4NPN三极管Q7流入到第1定电流源I1，由于电流值I2设定为I1/2、电流值I1剩余的I1/2流入到第1NPN三极管Q1、第2NPN三极管Q2和第3NPN三极管Q3中基极上施加了最大电压值的三极管中。其结果，由于第4NPN三极管Q7的基极和发射极之间的电位差和第1NPN三极管Q1、第2NPN三极管Q2和第3NPN三极管Q3中施加了最大电压值的三极管的基极和发射极之间的电位差相等，第4NPN三极管Q7的集电极、基极共同的电压值就等于第1控制电压y1、第2控制电压y2以及第3控制电压y3中的最大电压值。
又，在MIN电路14b中，第1PNP三极管Q6、第2PNP三极管Q4以及第3PNP三极管Q5的发射极共有，集电极均接地，第4PNP三极管Q8的集电极、基极共同的电压就等于第1PNP三极管Q6、第2PNP三极管Q4以及第3PNP三极管Q5中的最小电压值。
这样，依据产生有关本实施例的VCXO15的温度补偿用的控制电压Vc的控制电路14，采用多个简单的双极电路，作为控制电压Vc的第7控制电压y7作为连续直线状变化的5条控制电压群输出，可以将温度补偿特性进行折线近似。
又，作为产生温度补偿用控制电压Vc的函数发生电路的定电压电路12、温度传感器电路13以及控制电路14均为模拟电路构成，从原理上不会产生数字化噪声，折线的连接部上不会产生频率突变。而该函数产生电路本身不需要时钟产生电路，不会混入时钟噪声。
又，MAX电路14a和MIN电路14b的连接顺序，虽然是将MAX电路14a的输出输入到MIN电路14b，但是也可以相反的连接。即，将第3控制电压y3、第4控制电压y4以及第5控制电压y5输入到MIN电路14b，其输出值作为第6控制电压y6。将该第6控制电压y6、第1控制电压y1以及第2控制电压y2输入到MAX电路14a，以MAX电路14a的输出信号作为控制电路的输出信号的第7控制电压y7即可。
以下采用曲线图以及数式说明图1中由作为函数发生电路的定电压电路12、温度传感器电路13以及控制电路14产生的温度补偿用控制电压Vc。
图11(a)～(c)为表示采用温度补偿用控制电压Vc补偿VCXO15的振荡频率f的样子，图11(a)表示没有进行温度补偿时VCXO15输出的振荡频率f对环境温度Ta的依赖性，f0由规格书确定，例如移动电话的基准频率。图11(b)表示控制电路14输出的温度补偿用控制电压Vc(第7控制电压y7)对环境温度Ta的依赖性，图11(c)表示将控制电压施加到VCXO15时振荡频率f和基准频率f0的差分Δf对环境温度Ta的依赖性。
图12表示图11(b)的详细图，分别在第1温度区域(T0≤Ta＜T1)以第1控制电压y1、在第2温度区域(T1≤Ta＜T2)以第2控制电压y2、在第3温度区域(T2≤Ta＜T3)以第3控制电压y3、在第4温度区域(T3≤Ta＜T4)以第4控制电压y4以及在第5温度区域(T4≤Ta＜T5)以第5控制电压y5表示的折线状的直线群。如图12所示，X轴表示环境温度Ta，Y轴表示控制电压Vc，控制电压Vc的中心温度为Ti，与中心温度Ti的基准频率所给出的电压之间的电压差为γ。
以下表示y1～y5的个1次函数式。
y1＝-a1(Ta-Ti)-b1+γ                     …………(1)
   (式中，T0≤Ta＜T1，a1＞0，b1＞0)
y2＝-b2+γ                               …………(2)
   (式中，T1≤Ta＜T2，b2＞0)
y3＝-a3(Ta-Ti)+γ                        …………(3)
   (式中，T2≤Ta＜T3，a3＞0)
y4＝-b4+γ                               …………(4)
   (式中，T3≤Ta＜T4，b4＞0)
y5＝-a5(Ta-Ti)-b5+γ                     …………(5)
   (式中，T4≤Ta＜T5，a5＞0，b5＞0，
          a1≈a5，b2≈b4，b1≈b5)
在此，中心温度为Ti对应于晶振的变移点温度，在一般晶振中约为25℃。
以下根据图10中的MAX电路14a和MIN电路14b说明第6控制电压y6和第1～第3控制电压y1、y2、y3之间的关系以及第7控制电压y7即控制电压Vc和第4～第6控制电压y4、y5、y6之间的关系。
在MAX电路14a中，设第1NPN三极管Q1的发射极电流为IEQ1，第2NPN三极管Q2的发射极电流为IEQ2，第3NPN三极管Q3的发射极电流为IEQ3以及第4NPN三极管Q7的发射极电流为IEQ7，则
IEQ1+IEQ2+IEQ3＝IEQ7＝I1/2＝I2      …………(6)关系成立。
又，各NPN三极管中，
IEQ1＝ISNexp{(q/kT)·(y1-V1)}       …………(7)
IEQ2＝ISNexp{(q/kT)·(y2-V1)}       …………(8)
IEQ3＝ISNexp{(q/kT)·(y3-V1)}      …………(9)
IEQ7＝ISNexp{(q/kT)·(y6-V1}       …………(10)
(式中，ISN表示NPN三极管的反向饱和电流，q表示电子的电荷量，k表示波耳兹曼常数，T表示绝对温度，V1表示各NPN三极管的共同发射极电位。)
因此，如果将式(7)～(10)代入到式(6)中，解出y6，则可获得第6控制电压y6和第1～第3控制电压y1、y2、y3之间的关系式(11)。
y6＝(kT/q)·ln{exp{(qy1/kT)
                 +exp{(qy2/kT)
                 +exp{(qy3/kT)}     …………(11)
同样，在MIN电路14b中，设第1PNP三极管Q6的发射极电流为IEQ6，第2PNP三极管Q4的发射极电流为IEQ4，第3PNP三极管Q5的发射极电流为IEQ5以及第4PNP三极管Q8的发射极电流为IEQ8，则
IEQ6+IEQ4+IEQ5＝IEQ8＝I3/2＝I4      …………(12)关系成立。
又，各PNP三极管中，
IEQ6＝ISPexp{(q/kT)·(V2-y6)}       …………(13)
IEQ4＝ISPexp{(q/kT)·(V2-y4)}       …………(14)
IEQ5＝ISPexp{(q/kT)·(V2-y5)}       …………(15)
IEQ8＝ISPexp{(q/kT)·(V2-y7)}       …………(16)
(式中，ISP表示PNP三极管的反向饱和电流，q表示电子的电荷量，k表示波耳兹曼常数，T表示绝对温度，V2表示各PNP三极管的共同发射极电位。)
因此，如果将式(13)～(16)代入到式(12)中，解出y7，则可获得第7控制电压y7和第4～第6控制电压y4、y5、y6之间的关系式(17)。
Y7＝(-kT/q)·ln{exp(-qy6/kT)
                 +exp(-qy4/kT)
                 +exp(-qy5/kT)}        …………(17)
进一步，将式(11)中的第6控制电压y6代入到式(17)，则可以获得所希望的关系式(18)。
y7＝(-kT/q)·ln[1/{exp(qy1/kT)
                      +exp(qy2/kT)
                      +exp(qy3/kT)}
                      +exp(-qy4/kT)
                  +exp(-qy5/kT)]    …………(18)
以下，说明图1所示的本实施例中的ROM/RAM电路16的具体例。
图13表示有关本实施例的带有温度补偿功能的晶体振荡装置中的ROM/RAM电路的电路构成。如图13所示，ROM/RAM电路16是由作为串联连接的4个触发器构成的串行数据输入部的RAM数据输入部161、接受该RAM数据输入部161的输出数据，分别保存各比特的4个可编程的ROM构成的PROM电路162、接受来自外部的选择信号SEL、选择来自RAM数据输入部161的输出数据和来自PROM电路162的输出数据的开关电路163所构成。在此，ROM/RAM电路16的输出数据，例如，作为图5所示的电流对称电路33中的4比特信号a1输出。此外，ROM/RAM电路16虽然是为了能适应4比特数据所构成，但并不限于此，可以对照后述的温度补偿用参数比特数来确定。
下面根据图14所示RAM数据输入时的时序图说明ROM/RAM电路16的动作。
首先，为了在图13所示PROM电路162中写入所希望的数据，将RAM数据输入部161中的动作使能信号的C/E信号打开使得可以输入数据，同时将PROM电路162中的读写信号W/R设置成写入模式。如果对照时钟信号CLK的上升沿从数据输入端子DATA依次向RAM数据输入部161输入，例如，由1、1、0、1构成的串行数据，如图14所示，在第1触发器的输出端子OUT1上输出第1输出数据的1，在第2触发器的输出端子OUT2上输出第2输出数据的0，在第3触发器的输出端子OUT3上输出第3输出数据的1，在第4触发器的输出端子OUT4上输出第4输出数据的1。然后，在在图13所示PROM电路162中，分别将第1输出数据保存到PROM1中，将第2输出数据保存到PROM2中，将第3输出数据保存到PROM3中，将第4输出数据保存到PROM4中。
为了将输入到RAM数据输入部161的数据原样输出，只要将开关电路163中的选择信号SEL设置到通过一侧即可，又，为了读出保存在PROM电路162中的数据，只要将开关电路163中的选择信号SEL设置到PROM一侧即可。第一实施例的第一变形例
以下根据附图说明本发明的第一实施例的第一变形例
图15表示有关第一实施例的第一变形例的晶体振荡装置的控制电路的电路构成。在图15中，和图10中的构成要素相同的构成要素采用相同的符号，在此省略其说明。图15所示的控制电路14是由输入由图1中的定电压电路12以及温度传感器电路13产生的第1控制电压y1、第2控制电压y2以及第3控制电压y3并从其中选出最大电压作为第6控制电压y6输出的MAX电路14c、输入由图1中的定电压电路12以及温度传感器电路13产生的第4控制电压y4、第5控制电压y5以及来自MAX电路14a的第6控制电压y6并从其中选出最小电压作为第7控制电压y7输出的MIN电路14d所构成。
在MAX电路14c中，在第1NPN三极管Q1的发射极和第1定电流源I1之间串联连接第1电阻R1，在第2NPN三极管Q2的发射极和第1定电流源I1之间串联连接第2电阻R2，在第3NPN三极管Q3的发射极和第1定电流源I1之间串联连接第3电阻R3，在第4NPN三极管Q7的发射极和第1定电流源I1之间串联连接第4电阻R7。
同样，在MIN电路14d中，在第1PNP三极管Q6的发射极和第3定电流源I3之间串联连接第5电阻R6，在第2PNP三极管Q4的发射极和第3定电流源I3之间串联连接第6电阻R4，在第3PNP三极管Q5的发射极和第3定电流源I3之间串联连接第7电阻R5，在第4PNP三极管Q8的发射极和第3定电流源I3之间串联连接第8电阻R8。
依据本变形例，由于在MAX电路14c中的各NPN三极管Q1、Q2、Q3、Q7的发射极分别串联连接了电阻，在MIN电路14d中各PNP三极管Q6、Q4、Q5、Q8的发射极分别串联连接了电阻，图12中的控制电压Vc中各温度区域的连接点可以平滑连接。一般在采用折线的3次函数近似中，虽然温度补偿后的振荡频率f和晶振的基准频率f0之间的差分的近似误差Δf(＝f-f0)在折线之间的连接部中成为最大，但是由于各温度区域的连接点为平滑连接，可以使近似误差最小。第一实施例的第二变形例
以下根据附图说明本发明的第一实施例的第二变形例。
图16为表示采用有关第一实施例的第二变形例的带有温度补偿功能的晶体振荡装置的振荡频率对温度的依赖性，图16(a)表示温度补偿前的振荡频率对温度的依赖性，图16(b)表示由有关本变形例的控制电路产生的VCXO的温度补偿用控制电压Vc对温度的依赖性，图16(c)表示采用该控制电压Vc进行温度补偿后的振荡频率f和基准频率f0的误差成分构成的差分Δf对温度的依赖性。
本变形例的特点是，由于在各温度区域的边界，让相互连接的控制电压之间平滑连接，以产生更接近3次函数的控制电压，使得振荡频率误差Δf变小。
进一步，如图17所示，即使将环境温度Ta分割成由T0≤Ta＜T1、T1≤Ta＜T2、T2≤Ta＜T3构成的3个区域，仅仅采用由3条控制电压构成的直线y11、y12、y13，通过将各连接点附近模拟性的平滑连接，也可以获得和采用5条直线群y1～y5进行近似相同的效果。
如后所述，关于温度补偿的调整方法，减少采用折线近似的直线的条数，将成为可以减少ROM/RAM电路的存储器容量的重要原因。第一实施例的第三变形例
以下说明本发明的第一实施例的第三变形例。
如图11(a)所示，本变形例的特点是，利用晶振的振荡频率f的温度特性以变移点温度Ti为中心在低温侧和高温侧为点对称的特点，产生以变移点温度Ti为中心在低温侧和高温侧成点对称的控制电压群。
即，在表示上述第1～第5控制电压y1～y5的式(1)～(5)中，式(1)的比例系数a1与式(5)的比例系数a5相等，式(1)的常数b1与式(5)的常数b5相等，式(2)的常数b2与式(4)的常数b4相等。
这样，由于决定控制电路14的低温侧和高温侧的温度特性的一内部元件的电路常数可以对其他内部元件的电路常数按给定比率进行设计，可以大幅度降低ROM/RAM电路16的存储量。
在此，晶振的温度补偿用控制电压Vc以下述3次函数表示。
Vc＝α(T-Ti)3+β(T-Ti)+γ               …………(19)
(式中，α表示负的3次温度系数，β表示1次温度系数，γ与在变移点温度所给出的电压之间的电压差的常数，T表示绝对温度，Ti成为表示3次函数的变曲点的变移点温度。)
图18表示比较依据各种控制电路方式所需要的ROM/RAM电路的存储量的一览表。如果将控制电压中温度补偿用参数的调整仅仅限制在3次温度特性的参数α，第1～第5控制电压y1～y5的各温度补偿用参数分别独立进行调整，为了在所定温度范围内得到±2.5ppm的振荡频率的稳定度，在上述式(1)～(5)中，比例系数a1、a3、a5各需要4比特，常数b1、b5各需要4比特，常数b2、b4各需要2比特，则合计需要24比特的D/A变换。
但是，按照本变形例，由于低温侧和高温侧具有对称性，即a1＝a5，b1＝b5，b2＝b4，则不需要常数a5、b5、b4，的调整比特，合计只要14比特的D/A变换就可进行调整。第一实施例的第四变形例
以下根据附图说明本发明的第一实施例的第四变形例。
图19为表示从有关第一实施例的第四变形例的晶体振荡装置的控制电路输出的控制电压对温度的依赖性，图19(a)表示晶振的振荡频率中的3次温度系数α不同时3次曲线f1、f2、f3，图19(b)表示为补偿分别对应的3次曲线的控制电压Vc1，Vc2，Vc3。
本变形例让相对于温度呈折线状变化的控制电压群，第1～第5控制电压y1～y5的温度特性的温度系数(比例系数)具有给定的比率。
这样，在决定控制电路14的电路常数等各种的参数时，一内部元件的参数相对于其他内部元件的参数采用给定的比率设计，可以大幅度地减少ROM/RAM电路16的存储量。
以下，导出使得具体的3次温度系数α和各控制电压y1～y5的近似误差成最小的最优比率。如果将每个晶振的固有控制电压V作为理想控制电压Vci，则式(19)变为下式(20)。
Vci＝α(T-Ti)3+β(T-Ti)+γ                …………(20)
设晶体振荡装置的动作温度范围为T0，则理想控制电压Vci分别通过以下所示的式(21)～(23)的3点，将式(25)所示1次函数Vci1和式(26)所示的3次函数Vci3分离，对3次函数Vci3采用折线近似。
[T，Vci]＝[(Ti-T0)，Vci(Ti-T0)]   …………(21)
[T，Vci]＝[Ti，γ]                …………(22)
[T，Vci]＝[(Ti+T0)，Vci(Ti+T0)]   …………(23)
Vci＝Vci1+Vci3                    …………(24)
Vci1＝(β+αT0 2)·(T-Ti)+γ       …………(25)
Vci3＝α(T-Ti)3-αT0 2(T-Ti)       …………(26)
1次函数Vci1和3次函数Vci3在图20中显示。在图20(a)中，直线1表示1次函数Vci1，曲线2表示3次函数Vci3，图20(b)仅表示1次函数Vci1，图20(c)表示采用表示5条控制电压的直线群y1～y5对曲线2所示的3次函数Vci3进行折线近似的样子。
在此，为了使折线近似的近似误差最小，在第1温度区域(Ti-T0≤T＜Ti ..0.755 T0)中，第1控制电压y1为
y1＝-1.46αT0 2(T-Ti)-1.46αT0 3           …………(27)
  ＝-a1(T-Ti)-b1                         …………(28)
在第2温度区域(T1-0.755T0≤T＜T1-0.398T0)中，第2控制电压y2为
y2＝-0.358αT0 3                          …………(29)
  ＝-b2                                  …………(30)
在第3温度区域(T1-0.398T0≤T＜Ti+0.398T0)中，第3控制电压y3为
y1＝0.9αT0 2(T-Ti)                       …………(31)
  ＝a3(T-Ti)                             …………(32)
在第4温度区域(Ti+0.398T0≤T＜Ti+0.755T0)中，第4控制电压y4为
y2＝0.358αT0 3                           …………(33)
  ＝b4                                   …………(34)
在第5温度区域(Ti+0.755T0≤T＜Ti+T0)中，第5控制电压y5为
y1＝-1.46αT0 2(T-Ti)+1.46αT0 3           …………(35)
  ＝-a5(T-Ti)+b5                         …………(36)
图21(a)分别表示由式(26)表示的3次函数Vci3以及由式(27)表示的第1控制电压y1，由式(29)表示的第2控制电压y2，由式(31)表示的第3控制电压y3，由式(33)表示的第4控制电压y4以及由式(35)表示的第5控制电压y5，图21(b)表示图21(a)中的理想控制电压Vci3和采用控制电压群y1～y5的进行折线近似时的控制电压的近似控制电压Vcp之间的差分ΔVc。
以下，左边为近似控制电压Vcp的系数，右边为理想控制电压Vci的系数，分别对式(27)和式(28)的系数，以及式(35)和式(36)的系数进行比较，则获得，
a1＝a5＝1.46αT0 2                          …………(37)
b1＝b5＝1.46αT0 3                          …………(38)
将式(31)和式(32)的系数进行比较，则获得，
a3＝0.9αT0 2                               …………(39)
分别将式(29)和式(30)的系数，以及式(33)和式(34)的系数进行比较，则获得，
b2＝b4＝0.358αT0 3                         …………(40)
将这些式(37)～式(40)进行变形，可以获得3次温度系数α和折线近似用的各直线比例系数之间所希望的关系式。
a1/α＝1.46T0 2                             …………(41)
a3/α＝0.9T0 2                              …………(42)
a5/α＝1.46T0 2                             …………(43)
b1/α＝1.46T0 3                             …………(44)
b2/α＝0.358T0 3                            …………(45)
b4/α＝0.358T0 3                        …………(46)
b5/α＝1.46T0 3                         …………(47)
在此，本变形例中的环境温度Ta，例如，如果变移点温度为25℃，T0为60度，则为-35℃～+38℃。
这样，即使理想控制电压Vci的3次系数α对于每个晶振不同，而a1/α、a3/α、a5/α、b1/α、b2/α、b4/α、b5/α的比值并不变化。
因此，依据本变形例，如图18所示，直线的比例系数a1、a3、a5以及直线的常数b1、b2、b4、b5分别具有式(41)～(47)所示的比值，在进行晶振的3次温度系数α的调整时，可以统一设定对应于直线的比例系数a1、a3、a5的电路常数，以及对应于直线的常数b1、b2、b4、b5的电路常数，可以采用合计6比特的D/A变换进行调整。为此，即使ROM/RAM电路16的存储器容量小，也可以确切地进行由晶振的AT截法的切断角引起的3次以及1次的温度系数的离散调整和振荡频率的绝对值的离散调整。第二实施例
以下根据附图说明本发明的第二实施例。
图22为表示有关本发明第二实施例的带有温度补偿功能的晶体振荡装置中的温度补偿用函数发生电路的功能模块图。如图22所示，和第一实施例中的控制电路14为相同的构成，由接受定电压电路12以及温度传感器电路13的输出、在式(19)所示的温度补偿用控制电压Vc中在给定温度范围内产生对应于3次温度特性参数α的3次控制电压αVc的MAX/MIN电路14A、接受温度传感器电路13的输出、在式(19)所示的温度补偿用控制电压Vc中在给定温度范围内产生对应于1次温度特性参数β的1次控制电压βVc的1次温度特性产生电路17、接受定电压电路12的输出、在式(19)所示的温度补偿用控制电压Vc中在给定温度范围内产生对应于0次温度特性参数γ、即在给定温度范围内不依赖于温度的0次控制电压γVc的0次温度特性产生电路18、接受温度传感器电路13的输出、调整式(19)所示的变移点温度的Ti值并输出给MAX/MIN电路14A以及1次温度特性产生电路17的Ti调整电路19所构成。
依据产生有关本实施例的VCXO的温度补偿用控制电压Vc的函数发生电路，将环境温度Ta分割成5个区域，通过对从在各区域采用1次函数进行折线近似的MAX/MIN电路14A输出的电压αVc、从调整温度补偿用参数的1次特性的1次温度特性产生电路17输出的电压βVc、从调整温度补偿用参数的0次特性、即与不依赖于环境温度Ta的变移点温度中的基准频率所给出的电压之间的电压差的0次温度特性产生电路18输出的电压γVc求和来产生控制电压Vc，在环境温度Ta的整个温度区域可以确切地进行晶振的振荡频率的温度补偿。
图23表示说明通过调整温度补偿用参数α、β、γ以及变移点温度Ti控制电压Vc变化的样子的曲线。图23(a)表示3次温度特性参数α的变化的样子，图23(b)表示1次温度特性参数β的变化的样子，图23(c)表示0次温度特性参数γ，即与变移点温度的基准频率所给出的电压之间的电压差的变化样子，图23(d)表示变移点温度Ti的变化样子。
如图23(a)所示，如果变更3次温度特性参数α，极小点、极大点的绝对值变小，又，如图23(b)所示，如果变更1次温度特性参数β则以变移点温度(变曲点)Ti为中心温度特性旋转。又，如图23(c)所示，如果变更1次温度特性参数γ则所谓的y切片移动。又，如图23(d)所示，如果变更变移点温度Ti，则特性曲线沿x轴方向移动。第三实施例
以下根据附图说明本发明的第三实施例。
图24为表示有关本发明第三实施例的带有温度补偿功能的晶体振荡装置中的说明振荡频率的调整方法的功能模块图。在图24中，和图1所示的构成要素相同的构成要素采用相同的符号，在此省略其说明。在此，定电压电路12、温度传感器电路13、控制电路14、VCXO15以及作为最优化手段的ROM/RAM电路16的电路构成和第一实施例相同。进一步，如图24所示，有关本实施例的带有温度补偿功能的晶体振荡装置10A包括在控制电路14和VCXO15之间控制开闭的开关SW1。
一般在VCXO15中搭载的晶振，对于每一个晶振，由于其AT截角、与变移点温度的基准频率之间频率差以及变移点温度Ti具有离散性，出厂时，对于每个装置，需要调整使得VCXO15的振荡频率在±2.5ppm以内。
因此，本晶体振荡装置由于在控制电路14和VCXO15之间设置了开关SW1，包含从外部输入的温度补偿用参数的数据从外部数据输入端子DATA输入到ROM/RAM电路16中的RAM数据输入电路161，采用该RAM数据输入电路161的数据调整控制电压Vc，可以确切地对应为找出最优控制电压特性的RAM模式、和根据该RAM模式选择的数据写入到ROM/RAM电路16中的ROM部、根据实际使用条件读出ROM数据、输出对应于环境温度Ta的控制电压Vc的ROM模式。
以下，参照附图说明上述构成的带有温度补偿功能的晶体振荡装置10A的振荡频率的调整方法。
图25为表示有关本发明第三实施例的晶体振荡装置的调整方法的流程图。
首先，在固有控制电压测定工序ST1中，将图24所示的开关SW1开放，同时将PLL电路51的一输入端子和VCXo15的输出端子fout连接，另一输入端子输入不依赖于环境温度的给定频率f0，让来自输出端子fout的振荡频率f与给定频率f0相等来调整外部控制电压Vcext。之后，将成为调整对象的晶体振荡装置10A放入到恒温漕内，从低温到高温依次变化环境温度，这时测定外部控制电压Vcext，求出VCXO15的振荡频率f的温度变动为0的理想控制电压的固有控制电压Vc0。
然后，在固有参数决定工序ST2中，从固有控制电压Vc0温度特性计算出晶振的3次温度系数、1次温度系数、与变移点温度的基准频率之间的频率差以及对应于变移点温度的控制信号的参数，分别决定α0、β0、γ0以及Ti0的固有参数。
然后，在初始控制电压特性测定工序ST3中，将开关SW2开放并将开关SW1短路，同时设定为RAM模式之后，测定控制电路14的初始控制电压Vc1的温度特性、和变更对应于输入到RAM内的各参数的数据时的初始控制电压Vc1的温度特性的变化。
然后，在初始参数决定工序ST4中，根据初始控制电压Vc1的温度特性，计算出晶振的3次温度系数、1次温度系数、与变移点温度的基准频率之间的频率差以及对应于变移点温度的初始控制电压Vc1的初始温度补偿用参数，分别为α1、β1、γ1以及Ti1。
然后，在温度补偿用参数变化量算出的工序ST5中，计算出作为RAM数据的各参数的1比特量的变化量，分别为Δα、Δβ、Δγ以及ΔTi。
然后，在固有参数、初始参数差分算出工序ST6中，分别计算出α0、β0、γ0以及Ti0以及α1、β1、γ1以及Ti1所对应的参数的差分。
然后，在最优化参数决定工序ST7中，根据在温度补偿用参数变化量算出的工序ST5中所计算出的Δα、Δβ、Δγ以及ΔTi，让在固有参数、初始参数差分算出工序ST6中计算出的各参数的差分接近0来决定最优化参数。
然后，在振荡频率特性确认工序ST8中，将所决定的最优化参数写入到PROM电路162中，在设定为ROM模式后，再次将作为调整对象的晶体振荡装置10A放入到恒温漕内，测定振荡频率f的温度特性，确认温度依赖性是否在给定范围内。如果超过了给定范围，回到上流工序中的适当工序，再次进行调整。
这样，依据本实施例，在晶振中，针对AT截角的离散、振荡频率和变移点温度的基准频率的差的离散以及变移点温度的离散，可以容易并且确切地实现将振荡频率的温度依赖性调整到给定范围内。
进一步，采用微机等，可以将固有控制电压测定工序ST1、固有参数决定工序ST2、初始控制电压特性测定工序ST3、初始参数决定工序ST4、温度补偿用参数变化量算出的工序ST5、固有参数、初始参数差分算出工序ST6、最优化参数决定工序ST7以及振荡频率特性确认工序ST8的各工序自动化，可以将适合每个晶振的最优化参数写入到ROM，通过采用之后的ROM数据的振荡频率的确认工序的自动化，使得晶体振荡装置的调整工序整体大幅度短缩时间和高精度化成为可能。

Claims (14)

1.一种函数发生电路，是包括产生不依赖于环境温度的给定模拟信号并输出的第1模拟信号产生电路、
产生依赖于环境温度的模拟信号并输出的第2模拟信号产生电路、
接受来自所述第1模拟信号产生电路的输出信号和来自所述第2模拟信号产生电路的输出信号、产生分别与将环境温度的可取范围从低温侧到高温侧依次分割成连续的第1温度区域、第2温度区域、第3温度区域、第4温度区域以及第5温度区域的5个温度区域对应的控制信号并输出的控制电路，并以所述控制信号作为温度函数的函数发生电路，
其特征是所述控制电路，当环境温度处于所述第1温度区域时输出其输出值与温度的上升成比例并以第1变化率变化的第1控制信号，
当环境温度处于所述第2温度区域时输出其输出值与所述第1控制信号连续并不依赖于温度的给定值的第2控制信号，
当环境温度处于所述第3温度区域时输出其输出值与所述第2控制信号连续并与温度的上升成比例而以第2变化率变化的第3控制信号，
当环境温度处于所述第4温度区域时输出其输出值与所述第3控制信号连续并不依赖于温度的给定值的第4控制信号，
当环境温度处于所述第5温度区域时输出其输出值与所述第4控制信号连续并与温度的上升成比例而以与第1变化率为同一极性的第3变化率变化的第5控制信号。
2.根据权利要求1所述的函数发生电路，其特征是所述模拟信号为电压信号，所述第1以及第3变化率为负变化率，所述第2变化率为正变化率。
3.根据权利要求1所述的函数发生电路，其特征是在所述第1控制信号、第2控制信号、第3控制信号、第4控制信号以及第5控制信号与晶振的环境温度对应的温度特性的曲线上，
所述第1控制信号和所述第5控制信号相对于由在所述曲线中的所述晶振的振荡频率的变移点温度和该变移点温度中的所述第3控制信号的值所确定的坐标点具有点对称性，
所述第2控制信号和所述第4控制信号相对于所述坐标点具有点对称性，
所述第3控制信号相对于所述坐标点具有点对称性。
4.根据权利要求1所述的函数发生电路，其特征是当环境温度处于所述第1温度区域时，具有规定了用于产生第1控制信号的温度和输出值之间的比例系数与晶振的振荡频率的温度特性的3次系数之间的关系的第1比值，并将该第1比值输出给所述控制电路，
当环境温度处于所述第2温度区域时，具有规定了用于产生第2控制信号的温度和输出值之间的常数与所述3次系数之间的关系的第2比值，并将该第2比值输出给所述控制电路，
当环境温度处于所述第3温度区域时，具有规定了用于产生第3控制信号的温度和输出值之间的比例系数与所述3次系数之间的关系的第3比值，并将该第3比值输出给所述控制电路，
当环境温度处于所述第4温度区域时，具有规定了用于产生第4控制信号的温度和输出值之间的常数与所述3次系数之间的关系的第4比值，并将该第4比值输出给所述控制电路，
当环境温度处于所述第5温度区域时，具有规定了用于产生第5控制信号的温度和输出值之间的比例系数与所述3次系数之间的关系的第5比值，并将该第5比值输出给所述控制电路，同时进一步包括保存所述第1比值、第2比值、第3比值、第4比值以及第5比值的保存装置。
5.根据权利要求1所述的函数发生电路，其特征是所述控制电路包括
集电极上施加电源电压、基极上输入与环境温度成比例减少的第1电信号、发射极与第1电流源的输入侧连接的第1NPN三极管、
集电极上施加电源电压、基极上输入不依赖于环境温度保持给定值的第2电信号、发射极与所述第1电流源的输入侧连接的第2NPN三极管、
集电极上施加电源电压、基极上输入与环境温度成比例增加的第3电信号、发射极与所述第1电流源的输入侧连接的第3NPN三极管、
集电极和基极与具有所述第1电流源的二分之一电流值的第2电流源的输出侧连接、发射极与所述第1电流源的输入侧连接的第4NPN三极管、
基极与所述第4NPN三极管的集电极相连、发射极与第3电流源的输出侧连接、集电极接地的第1PNP三极管、
基极上输入不依赖于环境温度保持给定值的第4电信号、发射极与所述第3电流源的输出侧连接、集电极接地的第2PNP三极管、
基极上输入与环境温度成比例减少的第5电信号、发射极与所述第3电流源的输出侧连接、集电极接地的第3PNP三极管、
发射极与所述第3电流源的输出侧连接、集电极和基极与具有所述第3电流源的二分之一电流值的第4电流源的输入侧连接的第4PNP三极管，
所述第4NPN三极管在集电极上从所述第1电信号、所述第2电信号以及所述第3电信号中选出具有最大电压值的电信号作为第6电信号输出，
所述第4PNP三极管在集电极上从所述第4电信号、所述第5电信号以及所述第6电信号中选出具有最小电压值的电信号作为第7电信号输出，所述第7电信号作为所述控制信号输出。
6.根据权利要求5所述的函数发生电路，其特征是在所述第1NPN三极管的发射极和所述第1电流源之间串联连接了第1电阻，
在所述第2NPN三极管的发射极和所述第1电流源之间串联连接了第2电阻，
在所述第3NPN三极管的发射极和所述第1电流源之间串联连接了第3电阻，
在所述第4NPN三极管的发射极和所述第1电流源之间串联连接了第4电阻，
在所述第1PNP三极管的发射极和所述第3电流源之间串联连接了第5电阻，
在所述第2PNP三极管的发射极和所述第3电流源之间串联连接了第6电阻，
在所述第3PNP三极管的发射极和所述第3电流源之间串联连接了第7电阻，
在所述第4PNP三极管的发射极和所述第3电流源之间串联连接了第8电阻。
7.一种晶体振荡装置，其特征是包括产生不依赖于环境温度的给定模拟信号并输出的第1模拟信号产生电路、
产生依赖于环境温度的模拟信号并输出的第2模拟信号产生电路、
接受来自所述第1模拟信号产生电路的输出信号和来自所述第2模拟信号产生电路的输出信号、产生分别与将环境温度的可取范围从低温侧到高温侧依次分割成连续的第1温度区域、第2温度区域、第3温度区域、第4温度区域以及第5温度区域的5个温度区域对应的控制信号并输出的控制电路、和
接受来自所述控制电路的控制信号、根据该控制信号控制振荡频率为给定值的晶体振荡电路，
通过所述控制电路，当环境温度处于所述第1温度区域时输出其输出值与温度的上升成比例减少的第1控制信号，
当环境温度处于所述第2温度区域时输出其输出值与所述第1控制信号连续并不依赖于温度的给定值的第2控制信号，
当环境温度处于所述第3温度区域时输出其输出值与所述第2控制信号连续并与温度的上升成比例增加的第3控制信号，
当环境温度处于所述第4温度区域时输出其输出值与所述第3控制信号连续并不依赖于温度的给定值的第4控制信号，
当环境温度处于所述第5温度区域时输出其输出值与所述第4控制信号连续并与温度的上升成比例减少的第5控制信号，补偿来自所述晶体振荡电路所输出的振荡频率的温度依赖性。
8.根据权利要求7所述的晶体振荡装置，其特征是在所述第1控制信号、第2控制信号、第3控制信号、第4控制信号以及第5控制信号与晶振的环境温度对应的温度特性的曲线上，
所述第1控制信号和所述第5控制信号相对于由在所述曲线中的所述晶振的振荡频率的变移点温度和该变移点温度中的所述第3控制信号的值所确定的坐标点具有点对称性，
所述第2控制信号和所述第4控制信号相对于所述坐标点具有点对称性，
所述第3控制信号相对于所述坐标点具有点对称性。
9.根据权利要求7所述的晶体振荡装置，其特征是当环境温度处于所述第1温度区域时，具有规定了用于产生第1控制信号的温度和输出值之间的比例系数与晶振的振荡频率的温度特性的3次系数之间的关系的第1比值，并将该第1比值输出给所述控制电路，
当环境温度处于所述第2温度区域时，具有规定了用于产生第2控制信号的温度和输出值之间的常数与所述3次系数之间的关系的第2比值，并将该第2比值输出给所述控制电路，
当环境温度处于所述第3温度区域时，具有规定了用于产生第3控制信号的温度和输出值之间的比例系数与所述3次系数之间的关系的第3比值，并将该第3比值输出给所述控制电路，
当环境温度处于所述第4温度区域时，具有规定了用于产生第4控制信号的温度和输出值之间的常数与所述3次系数之间的关系的第4比值，并将该第4比值输出给所述控制电路，
当环境温度处于所述第5温度区域时，具有规定了用于产生第5控制信号的温度和输出值之间的比例系数与所述3次系数之间的关系的第5比值，并将该第5比值输出给所述控制电路，同时进一步包括保存所述第1比值、第2比值、第3比值、第4比值以及第5比值的保存装置。
10.根据权利要求7所述的晶体振荡装置，其特征是所述控制电路包括
集电极上施加电源电压、基极上输入与环境温度成比例减少的第1电信号、发射极与第1电流源的输入侧连接的第1NPN三极管、
集电极上施加电源电压、基极上输入不依赖于环境温度保持给定值的第2电信号、发射极与所述第1电流源的输入侧连接的第2NPN三极管、
集电极上施加电源电压、基极上输入与环境温度成比例增加的第3电信号、发射极与所述第1电流源的输入侧连接的第3NPN三极管、
集电极和基极与具有所述第1电流源的二分之一电流值的第2电流源的输出侧连接、发射极与所述第1电流源的输入侧连接的第4NPN三极管、
基极与所述第4NPN三极管的集电极相连、发射极与第3电流源的输出侧连接、集电极接地的第1PNP三极管、
基极上输入不依赖于环境温度保持给定值的第4电信号、发射极与所述第3电流源的输出侧连接、集电极接地的第2PNP三极管、
基极上输入与环境温度成比例减少的第5电信号、发射极与所述第3电流源的输出侧连接、集电极接地的第3PNP三极管、
发射极与所述第3电流源的输出侧连接、集电极和基极与具有所述第3电流源的二分之一电流值的第4电流源的输入侧连接的第4PNP三极管，
所述第4NPN三极管在集电极上从所述第1电信号、所述第2电信号以及所述第3电信号中选出具有最大电压值的电信号作为第6电信号输出，
所述第4PNP三极管在集电极上从所述第4电信号、所述第5电信号以及所述第6电信号中选出具有最小电压值的电信号作为第7电信号输出，所述第7电信号作为所述控制信号输出。
11.根据权利要求10所述的晶体振荡装置，其特征是在所述第1NPN三极管的发射极和所述第1电流源之间串联连接了第1电阻，
在所述第2NPN三极管的发射极和所述第1电流源之间串联连接了第2电阻，
在所述第3NPN三极管的发射极和所述第1电流源之间串联连接了第3电阻，
在所述第4NPN三极管的发射极和所述第1电流源之间串联连接了第4电阻，
在所述第1PNP三极管的发射极和所述第3电流源之间串联连接了第5电阻，
在所述第2PNP三极管的发射极和所述第3电流源之间串联连接了第6电阻，
在所述第3PNP三极管的发射极和所述第3电流源之间串联连接了第7电阻，
在所述第4PNP三极管的发射极和所述第3电流源之间串联连接了第8电阻。
12.根据权利要求7所述的晶体振荡装置，其特征是进一步包括对于所述控制电路所输出的所述第1～第5的各控制信号、用于保存针对各控制信号变化的补偿所述晶体振荡电路的振荡频率的温度依赖性的各参数的RAM电路、
保存对于各控制信号所述各参数中的最优化参数的可编程ROM电路。
13.根据权利要求7所述的晶体振荡装置，其特征是进一步包括将所述控制电路所输出的各控制信号分别与具有晶体振荡电路的振荡频率的温度依赖性的3次温度系数、1次温度系数、与变移点温度中的基准频率之间的频率差以及变移点温度并且独立最优化的最优化装置。
14.一种晶体振荡装置的调整方法，是包括产生不依赖于环境温度的给定模拟信号并输出的第1模拟信号产生电路，产生依赖于环境温度的模拟信号并输出的第2模拟信号产生电路，接受来自所述第1模拟信号产生电路的输出信号和来自所述第2模拟信号产生电路的输出信号、产生分别与将环境温度的可取范围从低温侧到高温侧依次分割成连续的第1温度区域、第2温度区域、第3温度区域、第4温度区域以及第5温度区域的5个温度区域对应的控制信号并输出的控制电路、接受来自所述控制电路的控制信号、根据该控制信号控制振荡频率为给定值的晶体振荡电路，对于所述控制电路所输出的所述第1～第5的各控制信号、用于保存针对各控制信号变化的补偿所述晶体振荡电路的振荡频率的温度依赖性的各参数的RAM电路和保存对于各控制信号所述各参数中的最优化参数的可编程ROM电路，所述控制电路当环境温度处于所述第1温度区域时输出其输出值与温度的上升成比例减少的第1控制信号，当环境温度处于所述第2温度区域时输出其输出值与所述第1控制信号连续并不依赖于温度的给定值的第2控制信号，当环境温度处于所述第3温度区域时输出其输出值与所述第2控制信号连续并与温度的上升成比例增加的第3控制信号，当环境温度处于所述第4温度区域时输出其输出值与所述第3控制信号连续并不依赖于温度的给定值的第4控制信号，当环境温度处于所述第5温度区域时输出其输出值与所述第4控制信号连续并与温度的上升成比例减少的第5控制信号的晶体振荡装置的调整方法，其特征是包括
将所述晶体振荡装置放置在从所述第1温度区域到第5温度区域连续变化的温度下、让所述晶体振荡电路输出的振荡频率的温度变动大致为0、计算出与晶体振荡电路的温度特性中的3次温度系数、1次温度系数、与变移点温度中的基准频率之间的频率差以及变移点温度分别对应的控制信号的参数、确定固有参数的固有参数确定工序、
在测定所述控制电路所输出的控制信号的初期温度特性之后、计算出与3次温度系数、1次温度系数、与变移点温度中的基准频率之间的频率差以及变移点温度分别对应的控制信号的参数、确定初始参数的初始参数确定工序、
通过变更与保存在所述RAM电路中温度补偿用参数对应的数据、测定所述初始温度特性的变化量、在求出在与所述温度补偿用参数对应的数据中每1单位的控制信号的变化量、同时求出所述初始参数和所述固有参数的差分之后、根据每1单位的控制信号的变化量、让所述差分减小来确定控制信号的最优化参数、并将该最优化参数写入到所述ROM电路中的最优化参数写入工序。
CNB988069350A 1997-07-11 1998-07-08 函数发生电路、晶体振荡装置以及晶体振荡装置的调整方法 Expired - Fee Related CN1237706C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP186297/1997 1997-07-11
JP18629797 1997-07-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1261993A true CN1261993A (zh) 2000-08-02
CN1237706C CN1237706C (zh) 2006-01-18

Family

ID=16185863

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB988069350A Expired - Fee Related CN1237706C (zh) 1997-07-11 1998-07-08 函数发生电路、晶体振荡装置以及晶体振荡装置的调整方法

Country Status (9)

Country Link
US (1) US6292066B1 (zh)
EP (4) EP1580892A3 (zh)
JP (1) JP3160299B2 (zh)
KR (1) KR100526219B1 (zh)
CN (1) CN1237706C (zh)
CA (1) CA2294861C (zh)
RU (1) RU2189106C2 (zh)
TW (1) TW421908B (zh)
WO (1) WO1999003195A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101541073B (zh) * 2009-04-28 2011-01-05 安徽省电力科学研究院 无线传感器网络节点晶振频率误差补偿方法
CN102545779A (zh) * 2012-02-16 2012-07-04 厦门大学 一种无晶振时钟电路
CN102655391A (zh) * 2011-02-28 2012-09-05 日本电波工业株式会社 振荡装置

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7525392B2 (en) * 2006-08-05 2009-04-28 Tang System XtalClkChip: trimming-free crystal-free precision reference clock oscillator IC chip
GB2360404B (en) * 2000-03-17 2004-03-10 Ericsson Telefon Ab L M Electronic circuit
US6789621B2 (en) 2000-08-03 2004-09-14 Schlumberger Technology Corporation Intelligent well system and method
GB2369259B (en) * 2000-11-21 2005-07-13 C Mac Quartz Crystals Ltd A method and apparatus for generating an input signal for a tunable circuit
US7222676B2 (en) * 2000-12-07 2007-05-29 Schlumberger Technology Corporation Well communication system
ES2187281B1 (es) * 2001-07-06 2004-08-16 Angel Iglesias, S.A. Oscilador a cristal compensado en temperatura.
KR100811413B1 (ko) * 2001-09-28 2008-03-07 주식회사 케이티 가변용량 버퍼를 가진 재생 중계기
US6570461B1 (en) 2001-11-21 2003-05-27 Cts Corporation Trim effect compensation circuit
US6657500B1 (en) * 2002-01-08 2003-12-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method and system of characterization and behavioral modeling of a phase-locked loop for fast mixed signal simulation
JP3973910B2 (ja) * 2002-01-21 2007-09-12 シチズンホールディングス株式会社 温度補償型発振器の製造方法
JP4091410B2 (ja) * 2002-12-05 2008-05-28 富士通株式会社 半導体集積回路
FR2856856B1 (fr) * 2003-06-24 2005-08-26 Atmel Corp Circuit basse tension a fin d'interfacage avec des signaux analogiques a haute tension
JP4044027B2 (ja) 2003-10-27 2008-02-06 松下電器産業株式会社 関数発生回路および関数発生回路の温度特性調整方法
DE102004002007B4 (de) 2004-01-14 2012-08-02 Infineon Technologies Ag Transistoranordnung mit Temperaturkompensation und Verfahren zur Temperaturkompensation
US20090253908A1 (en) * 2004-03-11 2009-10-08 Glaxo Group Limited Novel m3 muscarinic acetylchoine receptor antagonists
DE102004020975A1 (de) * 2004-04-22 2005-11-17 Atmel Germany Gmbh Oszillator und Verfahren zum Betreiben eines Oszillators
JP4670406B2 (ja) * 2005-03-09 2011-04-13 エプソントヨコム株式会社 温度補償型圧電発振器
CA2627284A1 (en) * 2005-10-27 2007-05-03 Shell Canada Limited Extended reach drilling apparatus and method
JP4887075B2 (ja) * 2006-05-19 2012-02-29 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路
JP4895690B2 (ja) * 2006-06-01 2012-03-14 パナソニック株式会社 関数生成回路
US7649426B2 (en) * 2006-09-12 2010-01-19 Cts Corporation Apparatus and method for temperature compensation of crystal oscillators
JP4986575B2 (ja) * 2006-10-31 2012-07-25 京セラクリスタルデバイス株式会社 温度補償型圧電発振器の検査方法
JP5252172B2 (ja) * 2007-09-19 2013-07-31 セイコーエプソン株式会社 圧電デバイスおよび電子機器
JP2009200888A (ja) * 2008-02-22 2009-09-03 Seiko Instruments Inc Ｍｅｍｓ発振器
JP5420235B2 (ja) * 2008-12-17 2014-02-19 日本電波工業株式会社 温度補償型水晶発振器の温度補償値設定方法
TWI449323B (zh) 2011-03-29 2014-08-11 Richwave Technology Corp 頻率產生器的校正電路及其補償電路
JP5776884B2 (ja) * 2011-04-18 2015-09-09 セイコーエプソン株式会社 温度補償型発振回路、電子機器
JP5787068B2 (ja) * 2011-05-13 2015-09-30 セイコーエプソン株式会社 温度補償型発振回路、電子機器
EP2774270A4 (en) * 2011-11-04 2015-07-01 Itron Inc TEMPERATURE-COMPENSATED FREQUENCY ADJUSTMENT IN A COUNTER READING END POINT
US8710888B2 (en) 2012-02-24 2014-04-29 Analog Devices, Inc. System and method for oscillator frequency control
US20140104012A1 (en) * 2012-10-12 2014-04-17 Accusilicon USA Inc. Oscillator compensation circuits
JP5585855B2 (ja) * 2012-12-28 2014-09-10 セイコーエプソン株式会社 圧電デバイス、電子機器および圧電デバイスの実装方法
CN103607198B (zh) * 2013-11-27 2017-02-15 武汉海创电子股份有限公司 一种航天用100MHz高频率恒温晶体振荡器
RU2607414C2 (ru) * 2013-12-10 2017-01-10 Юрий Михайлович Бескаравайный Автоматический контроль качества работы кварцевых генераторов, дублирование при сбоях, индикация, подавление высших гармоник сигнала
JP6798121B2 (ja) 2016-03-18 2020-12-09 セイコーエプソン株式会社 発振器、電子機器および移動体
CN105978555A (zh) * 2016-07-01 2016-09-28 无锡华润矽科微电子有限公司 具有温度补偿的实时时钟计时精度修正电路及方法
JP7035604B2 (ja) * 2017-03-23 2022-03-15 セイコーエプソン株式会社 温度補償型発振器、電子機器および移動体
JP7190331B2 (ja) * 2018-11-05 2022-12-15 旭化成エレクトロニクス株式会社 温度補償電圧生成回路、発振モジュール、及び、システム
US11444629B2 (en) * 2020-07-23 2022-09-13 Silicon Motion, Inc. Method and apparatus for performing on-system phase-locked loop management in memory device
TW202318790A (zh) * 2021-10-20 2023-05-01 韓商Ｌｘ半導體科技有限公司 振盪器電路及其頻率校正方法和半導體積體電路裝置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS48101860A (zh) * 1972-04-01 1973-12-21
US4254382A (en) * 1979-03-19 1981-03-03 Motorola, Inc. Crystal oscillator temperature compensating circuit
JP2736431B2 (ja) * 1988-03-03 1998-04-02 モトローラ・インコーポレーテッド 水晶発振器の温度補償回路
US5041799A (en) * 1990-11-05 1991-08-20 Motorola, Inc. Temperature compensation circuit for a crystal oscillator
DE69412306T2 (de) * 1993-01-25 1998-12-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma, Osaka Temperaturkompensierter Quarzoszillator
JPH08116214A (ja) 1994-10-17 1996-05-07 Fujitsu Ltd 関数発生装置及び温度補償付き発振回路
JPH08288741A (ja) 1995-04-14 1996-11-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 水晶発振装置とその調整方法
JPH0955624A (ja) 1995-08-11 1997-02-25 Asahi Kasei Micro Syst Kk 温度補償水晶発振器
JP3129974B2 (ja) * 1995-09-27 2001-01-31 松下電器産業株式会社 関数発生回路
JP3310550B2 (ja) 1996-01-23 2002-08-05 日本電波工業株式会社 温度補償水晶発振器およびその特性最適化方法
US5691671A (en) * 1996-07-12 1997-11-25 Motorola, Inc. Method and apparatus for a crystal oscillator using piecewise linear odd symmetry temperature compensation
US5731742A (en) * 1996-12-17 1998-03-24 Motorola Inc. External component programming for crystal oscillator temperature compensation

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101541073B (zh) * 2009-04-28 2011-01-05 安徽省电力科学研究院 无线传感器网络节点晶振频率误差补偿方法
CN102655391A (zh) * 2011-02-28 2012-09-05 日本电波工业株式会社 振荡装置
CN102545779A (zh) * 2012-02-16 2012-07-04 厦门大学 一种无晶振时钟电路
CN102545779B (zh) * 2012-02-16 2014-10-08 厦门大学 一种无晶振时钟电路

Also Published As

Publication number Publication date
EP1580892A3 (en) 2006-06-07
EP1580892A2 (en) 2005-09-28
KR20010021571A (ko) 2001-03-15
CA2294861C (en) 2005-12-06
EP1596500A3 (en) 2006-06-07
JP3160299B2 (ja) 2001-04-25
TW421908B (en) 2001-02-11
CA2294861A1 (en) 1999-01-21
EP1580891A2 (en) 2005-09-28
EP1580891A3 (en) 2006-06-07
EP0998022A4 (en) 2004-12-15
EP1596500A2 (en) 2005-11-16
WO1999003195A1 (fr) 1999-01-21
KR100526219B1 (ko) 2005-11-03
CN1237706C (zh) 2006-01-18
US6292066B1 (en) 2001-09-18
RU2189106C2 (ru) 2002-09-10
EP0998022A1 (en) 2000-05-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1237706C (zh) 函数发生电路、晶体振荡装置以及晶体振荡装置的调整方法
CN1301588C (zh) 温度补偿型振荡器
CN1096329C (zh) 激光加工设备及其控制方法
CN1638275A (zh) 滤波器和通信仪器的自动调谐装置
CN1154903C (zh) 接收时钟作为输入信号并提供电压作为输出信号的频压转换电路
CN1228916C (zh) 振荡器及使用该振荡器的电子仪器
CN1663111A (zh) 近似n次函数发生装置和温度补偿晶体振荡电路
CN1437083A (zh) 基准电压发生电路和方法、显示驱动电路、显示装置
CN101047915A (zh) 第三代时分同步码分多址移动终端自动校准的方法和装置
CN1263228C (zh) 高频开关、高频开关·放大电路及移动体通信终端
CN1610251A (zh) 高频功率放大器电路与用于高频功率放大器的电子部件
CN1613185A (zh) 低通滤波电路、反馈系统及半导体集成电路
CN1184546C (zh) 电子电路、半导体装置、电子装置及钟表
CN1248406C (zh) 压电振荡器
CN1704718A (zh) 表面仿形测定装置、表面仿形测定方法及表面仿形测定程序
CN1677062A (zh) 非接触式传感器
CN1702310A (zh) 信号处理装置
CN1892524A (zh) 控制方法、温度控制方法、调整装置、温度调节器、程序、记录媒体和热处理装置
CN1497839A (zh) D类放大器
CN1661642A (zh) 目标值加工装置、温度调节器、控制过程执行系统和方法
CN1826691A (zh) 多电源电压半导体器件
CN86100491A (zh) 自适应恒定匀浆机强度控制系统
CN1090851C (zh) 代码检测装置
CN1531192A (zh) 偏置电流供给电路及放大电路
CN1226039A (zh) 指数计算装置和解码装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20060118

Termination date: 20120708