CN1248293C - 激光切割用粘结带 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种激光切割用粘结带,该粘结带是在激光器通过喷水引导的激光切割中使用的激光切割用粘结带,该激光切割用粘结带的基材能透过上述喷水的喷射水流,且该粘结带的基材结构是网格状或多孔质的,在与喷水一起用激光切割分离(切割)硅晶片、陶瓷、玻璃、金属等时不熔化,并且不断裂,没有元件的飞散,可伸展,在伸展时材料维持平直性。
Description
技术领域
本发明涉及激光切割用粘结带。
背景技术
以前,提出了一种方案,进行把形成电路图案的半导体晶片切断分割为元件小片的所谓的切割加工时,预先将半导体晶片贴合在放射线固化粘结带并固定后,通过金刚石刀片(旋转球刀)沿着元件形状切断该晶片,从该粘结带的里面照射放射线,如紫外线这样的光或电子线这样的电离性放射线,然后,移动到下一个拾取(pickup)工序。
在这种方式中使用的放射线固化粘结带,是由放射线透过性基材和在该基材上涂布的放射线固化粘结剂层构成的粘结带。该粘结带的特征是在放射线照射前具有强的粘结强度,放射线照射后该粘结强度大幅度降低。因此,采用上述方式,使在切割工序中切断分离为半导体晶片的元件小片变得容易,另外,在放射线照射后的拾取工序中,与元件小片的大小无关,例如即便是25mm2以上的大元件,也可容易地进行拾取的优点。作为这种粘结带,例如有在特开昭60-196956号、特开昭60-201642号、特开昭61-28572号、特开平1-251737号、特开平2-187478号等中公开的产品。
但是,原来的切割装置是边旋转金刚石刀片边切断的方式。因此,切断为1mm以下的非常小的元件时,通过使刀片厚度变得非常薄,使划线宽度变窄,则从1块晶片取出的元件数增多。但是,即使这样,切断宽度为40微米左右以及切断时产生的元件切槽(chipping)(切口)成为很大的问题。由于刀片薄,寿命缩短,且容易损坏,因此运行成本上升。相反,切断厚金属时,需要使刀片的刀刃前端加长,结果刀刃的厚度会增厚到250微米等,但即使这样在维持刀刃的强度方面也有限制。另外,切断玻璃等硬材质时,切断速度变得非常慢,为1~5mm/s。而且,金刚石刀片是旋转球刀,因此切断形状被固定,不能切断为自由形状。
与此相反,近年来,开发出一种利用激光微喷射方式的新加工装置,该方式把缩型喷水和激光器加以组合来切断金属材料。该利用激光器微喷射方式的加工装置,例如可使用SYNOVA公司制作的激光器微喷射仪(商品名)。将该装置用于半导体晶片切割时,得到比原来的使用金刚石刀片的切割更优越的效果。即,通过使用激光器,可期待不产生元件切槽,使用寿命加长,没有刀片破坏引起的品质降低的问题,即便是厚材料,也可划线狭窄的高速切断。
但是,将激光器微喷射方式的装置用于半导体晶片切割时,不一定能充分解决用原来的粘结带产生的上述问题。
发明内容
本发明目的是提供一种激光切割用粘结带,在与喷水一起用激光切割分离(切割)硅晶片、陶瓷、玻璃、金属等时不熔化,并且不断裂,没有元件的飞散,可伸展,在伸展时材料维持平直性。
本发明的上述和其他目的、特征和优点可通过下面的记载变得更加明确。
为实现上述目的,本发明人反复进行深入研究的结果发现,通过将透水(喷水)膜用于带的基材可解决上述问题。即,本发明提供:
(1).一种激光切割用粘结带,是一种在激光器为通过喷水引导的激光切割中使用的粘结带,其特征在于,该带的基材透过上述喷水的喷射水流。
(2).(1)中所述的激光切割用粘结带,其特征在于,至少透过50微米宽的水流。
(3).(1)~(2)项中任一项所述的激光切割用粘结带,其特征在于,基材结构是网格状的,并且纤维直径为10微米以上50微米以下。
(4).(1)~(3)项中任一项所述的激光切割用粘结带,其特征在于,基材结构是多孔质的,并且孔径为10微米~50微米。
(5).(1)~(4)项中任一项所述的激光切割用粘结带,其特征在于,基材是橡胶状弹性体。
(6).(1)~(5)项中任一项所述的激光切割用粘结带,其特征在于,一个面是由放射线固化型粘结剂层构成的。
(7).(6)项所述的激光切割用粘结带,其特征在于,在基材和放射线固化型粘结剂层之间具有非放射线固化型粘结剂层来作为中间层。
具体实施方式
下面,对本发明的激光切割用粘结带进行详细说明。
本发明的粘结带是在激光器为通过喷水引导的激光切割中使用的粘结带。所谓水微喷射方式,是将喷水作为引导控制激光器的方式。在空中照射激光时,光扩散,但以水为介质时,由于激光边在其中折射边行进,可有效照射激光。
喷水压力优选是30~70MPa,但不限于此,喷水压力过小时,作为激光的引导不充分,有时切断面的品质降低,过大时,冲击到工件(切断物)或带上时的冲击过强,产生抵触(偏差),仍然会有切断面的品质恶化的情况。
本发明的粘结带以透水(喷射水流)的膜为基材。基材透过喷水的直径由用于该喷射的喷嘴直径(通常是50,75,100,150,200微米)决定。在本发明中,基材透过的水流的优选直径为30~200微米,更优选30~100微米,特别优选50~100微米。通过使用这种基材,喷出的水不在粘结带和晶片之间停滞而可从粘结带流出,可消除带熔化而断裂的问题。
为使该基材透过水,基材的结构最好是网格状或多孔质的。
作为基材,可举出无纺布、中空丝、织物、PDP的电磁波屏蔽中使用的聚酰胺(尼龙)栅网等纤维质、橡胶状弹性体,特别优选无纺布。即便在无纺布的情况下,也优选显示出没有方向性的延伸特性。另外,橡胶状弹性体也可具有蜂窝结构。
将纤维质用作基材时,优选纤维直径在10微米以上50微米以下。纤维直径在50微米以上的基材中,由于平坦部熔化,熔接在夹紧带上因此不是优选的。另外,纤维折叠重合部分的直径在50微米以上时,由于该部分熔化,因此也不是优选的。
根据切断速度、激光器输出功率、水量等激光切割条件,可适当选择使用基材的耐热性。必需使用不能因激光切割时的热而熔化的物质。
基材的材质可举出聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚体、聚丁烯-1、乙烯-醋酸乙烯共聚体、乙烯-丙烯酸乙酯共聚体、离子聚合物等α-烯烃的均聚物或共聚体、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯等工程塑料、尼龙-6、尼龙-6,6、尼龙12、芳族聚酰胺等聚酰胺或聚氨脂、苯乙烯-乙烯-丁烯或戊烯系共聚体等热塑性弹性体。另外,也可是混合从这些组中选择的2种以上的混合物,可根据与粘结剂层的粘结性任意选择。这些中,特别优选聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、尼龙-6,6。
为防止材料振动,基材厚度薄是优选的,为不切断到基材,只要可维持伸展性就行,基材薄是优选的。因此,基材厚度通常为30~300微米,优选30~200微米,更优选50~200微米,最优选100微米。
粘结带的一面与原来一样,由涂布丙烯酸系粘结剂并干燥得到的粘结剂层构成。该粘结剂层优选由放射线固化型粘结剂层构成。另外,本发明中所述的放射线是指紫外线等光线、或电子线等电离性放射线。
丙烯酸系粘结剂必须的成分是(甲基)丙烯酸系共聚物和固化剂。(甲基)丙烯酸系共聚物,例如可通过常规方法使聚丙烯酸烷基酯等单体(A)与后述的具有与固化剂反应的官能团的单体(B)共聚得到。丙烯酸系粘结剂也可使2种以上的单体(A)之间共聚得到。
作为单体(A),可举出丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸丁酯、2-乙基己基丙烯酸酯、2-乙基己基甲基丙烯酸酯等。这些可单独使用,也可2种以上混合使用。
作为单体(B),可举出丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、中康酸、甲基马来酸、富马酸、马来酸、丙烯酸-2-羟基乙酯、甲基丙烯酸-2-羟基乙酯、丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺等。这些可单独使用,也可2种以上混合使用。
固化剂是为和(甲基)丙烯酸系共聚体具有的官能团起反应而调整粘结力和凝聚力而使用的物质。例如可举出:1,3-双(N,N--二缩水甘油基氨基甲基)环己烷、1,3-双(N,N-二缩水甘油基氨基甲基)甲苯、1,3-双(N,N--二缩水甘油基氨基甲基)苯、N,N,N’,N’-四缩水甘油基-间二甲苯二胺等分子中具有2个以上环氧基的环氧系化合物、2,4-亚苄基二异氰酸酯、2,6-亚苄基二异氰酸酯、1,3-苯二甲基二异氰酸酯、1,4-苯二甲基二异氰酸酯、二苯基甲烷-4,4’-二异氰酸酯等分子中具有2个以上异氰酸酯基的异氰酸酯系化合物、四羟甲基-三-β-氮丙啶基丙酸酯、三羟甲基-三-β-氮丙啶基丙酸酯、三羟甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、三羟甲基丙烷-三-β-(2-甲基氮丙啶)丙酸酯等分子中具有2个以上的氮丙啶基的氮丙啶系化合物等。
固化剂的添加量可根据希望的粘结力调整,相对100重量份的(甲基)丙烯酸系共聚物优选为0.1~5.0重量份。
粘结力,采用根据JIS Z 0237(1991)测定的值(90°剥离法、剥离速度50mm/分、试验板:硅晶片)表示,优选在0.2~1.3N/25mm左右。
作为丙烯酸系粘结剂的溶剂,可举出乙酸乙酯、甲苯、二甲苯、丙酮、甲基乙基酮、正己烷、环己烷等。
放射线固化型粘结剂一般以丙烯酸系粘结剂和放射线聚合型化合物为主要成分。作为放射线固化型粘结剂中使用的放射线聚合型化合物,广泛使用例如特开昭60-196956号公报和特开昭60-223139号公报中公开的通过光照射进行三维网格化的分子内至少具有2个以上的光聚合性碳—碳双键的低分子量化合物,具体说,可使用三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、低酯丙烯酸酯等。
另外,作为放射线聚合型化合物,除上述的丙烯酸酯系化合物外,可使用尿烷丙烯酸酯系低聚物。尿烷丙烯酸酯系低聚物例如通过使聚酯型或聚醚型等多元醇化合物与多价异氰酸酯化合物(例如2,4-亚苄基二异氰酸酯、2,6-亚苄基二异氰酸酯、1,3-苯二甲基二异氰酸酯、1,4-苯二甲基二异氰酸酯、二苯基甲烷4,4-二异氰酸酯等)反应得到的末端异氰酸酯尿烷预聚物,与具有羟基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯(例如2-羟基乙基丙烯酸酯、2-羟基乙基甲基丙烯酸酯、2-羟基丙基丙烯酸酯、2-羟基丙基甲基丙烯酸酯、聚乙二醇丙烯酸酯、聚乙二醇甲基丙烯酸酯等)反应得到。
放射线固化型粘结剂中的丙烯酸系粘结剂和放射线聚合型化合物的混合比优选为:相对于100重量份的丙烯酸系粘结剂,放射线聚合型化合物为50~200重量份,更优选50~150重量份,特别优选70~120重量份的范围内使用。此时,得到的粘结层初期结合力大,而且放射线照射后结合力大大降低。因此,里面研削结束后的晶片和放射线固化型粘结剂层的界面容易剥离。
另外,放射线固化型粘结剂,也可由侧链中具有放射线聚合基团的放射线固化型共聚体形成。这样的放射线固化型共聚体具有粘结性和放射线固化性两种性质。侧链具有放射线聚合基团的放射线固化型共聚体,在例如特开平5-32946号公报、特开平8-27239号公报等中有详细记载。
另外,放射线固化型粘结剂也可含有例如α-羟基环己基苯基酮等光聚合引发剂。
上述的丙烯酸系放射线固化型粘结剂在放射线照射前,对晶片具有充分的结合力,放射线照射后结合力明显降低。即,放射线照射前,用充分的结合力结合粘结层和晶片,可保护表面,在放射线照射后可容易地从研削的晶片剥离。
放射线固化型粘结剂层的厚度,根据采用的覆盖体,在不损坏本发明宗旨的范围内适当设定,通常在500微米以下,优选1~200微米,更优选3~100微米,特别优选5~20微米。
本发明的激光切割用粘结带在上述放射线固化型粘结剂层和基材之间,具有作为中间层的非放射线固化型粘结剂层,例如由于下面的几点是优选的。
(1)防止固化阻碍(不需要N2清除工序)
使用多孔质基材或网格状基材(下面将其统称为多孔质基材等)作为基材时,通过在基材与放射线固化型粘结剂层之间设置非放射线固化型粘结剂层,可截断放射线固化型粘结剂和氧的接触。因此,由于不发生该氧自由基引起的固化阻碍,在紫外线等放射线照射后结合力充分降低。因此,拾取时容易剥离。此时,为防止氧自由基的产生,在放射线照射时不需要进行N2清除,可在大气下进行照射,因此更好作业。
(2)接触面积增大、基材和粘结剂层的结合性提高
使用多孔质基材等时,基材与放射线固化型粘结剂层为点接触状态。如果在基材与放射线固化型粘结剂层之间设置非放射线固化型粘结剂层来作为中间层,则非放射线固化型粘结剂为多少渗透入基材的状态,中间层与基材更牢固的结合。由此,中间层和放射线固化型粘结剂层成为面接触状态。因此,提高了结合性,在剥离时,基材和放射线固化型粘结剂层之间的界面不产生剥离(粘浆残留)。
(3)防止粘结剂(粘浆)向基材里面的渗出
通过在基材与放射线固化型粘结剂层之间设置非放射线固化型粘结剂层,可防止粘结剂向基材侧渗出。这在基材为多孔质基材等时更明显。作为这样的中间层设置的非放射线固化型粘结剂层的硬度可与粘结带中要求的硬度等任意地进行变更调整,因此通过设置该中间层防止粘结剂的渗出是优选的。为了防止粘结剂的渗出,可考虑将放射线固化型粘结剂的硬度变硬(即初期的紫外线等的放射线照射前的结合力低)。但是,这样得到的粘结带在硬度等方面不能满足,与基材的结合性也降低,因此并不实际。另外,粘结剂的渗出,虽然可在例如放射线固化型粘结剂层和基材层压时调整层压压力来消除,但操作复杂。
本发明中,对非放射线固化型粘结剂的材质没有特别的限定,以前已知的一般的丙烯酸系粘结剂都可使用。
作为这种丙烯酸系粘结剂,必须的成分是(甲基)丙烯酸系共聚物和固化剂。(甲基)丙烯酸系共聚物,例如可举出(甲基)丙烯酸酯为聚合体构成单位的聚合体、和(甲基)丙烯酸酯系共聚体的(甲基)丙烯酸系聚合体、或与功能性单体的共聚体、以及这些聚合体的混合物等。作为这些聚合体的分子量一般采用重均分子量50万~100万左右的高分子量的物质。
作为固化剂的例子,可举出上述放射线固化型粘结剂的说明中举出的那些相同的物质。固化剂的添加量可根据希望的结合力调整,相对100重量份的(甲基)丙烯酸系聚合体,为0.1~5.0重量份。
本发明中作为非放射线固化型粘结剂,除了不含放射线聚合性化合物或光聚合引发剂以外,可使用与放射线固化型粘结剂相同的物质。
对于放射线固化型粘结剂层与基材之间设置的非放射线固化型粘结剂层的厚度虽然没有特别的限定,但优选在1~100微米的范围内。该厚度过薄时,有时涂布较困难。另外过厚时,引导水的分离性变差,成为难以切断的原因,而且有时成为剥离后的被加工物或芯片表面剩余粘浆的原因。该中间层的厚度优选3~20微米,更优选5~10微米。
本发明中,放射线固化型粘结剂层优选的是通过在基材上直接涂布放射线固化型粘结剂在基材上形成。或者,放射线固化型粘结剂层,在现在已知的衬膜上涂布放射线固化型粘结剂、在干燥后立即与基材进行层叠转录涂布来设置。使用多孔质基材等,不设置中间层(非紫外线固化型粘结剂层),在形成放射线固化型粘结剂层时,为提高结合性,防止粘结剂渗出,与基材层叠时的层叠压力等有时需要调整,在这些情况下作业变得复杂。
除放射线固化型粘结剂层外,设置非放射线固化型粘结剂层时,虽然可通过涂布形成各层,但也可使用衬膜等分别形成各层后,将两层层叠的方法(转录涂布工序)得到本发明的粘结带。作为通过涂布放射线固化型粘结剂层和非放射线固化型粘结剂层的形成方法,可通过同时涂布多层用的粘结剂的同时涂布,也可通过在涂布1层后再涂布1层的重复涂布工序进行。另外通过转录涂布上述各层形成的方法,可举出例如下面的方法。首先,在衬膜上涂布非放射线固化型粘结剂,干燥形成该非放射线固化型粘结剂涂层,在干燥之后立即进行层压以使该涂层和基材在非放射线固化型粘结剂涂层侧与基材层叠,从而得到粘结片材。另外,在衬膜上涂布放射线固化型粘结剂干燥形成该放射线固化型粘结剂涂层,在干燥之后立即层压以使剥离前面制造的粘着片材衬膜的同时,层叠上述粘着片材和放射线固化型粘结剂涂层,在该非放射线固化型粘结剂涂层侧与该放射线固化型粘结剂涂层层叠,从而得到本发明的粘结带。
在通过上述转录涂布工序得到的粘结带中,可在使用时剥离粘结剂层侧表面的衬膜后使用,在转录涂布工序后使用时通常不剥离衬膜。
下面举出本发明另外的优选实施例。
(I)在本发明中,优选通过预热的刀刃切割粘结带。例如,按照切割框架的形状(直径),由加热到150℃左右的刀刃(例如金属刀刃)将本发明的粘结带进行预切割。通过加热的刀刃进行切断,例如即便是无纺布等基材,其切断面也被热熔化,不从切断面产生废纤维。
(II)本发明中,在切割用框架上安装粘结带后,优选不用刀而是用激光引导。通过用激光切断粘结带,例如即便是无纺布等基材,其切断面也被热熔化,不从切断面产生废纤维。
(III)本发明中,作为粘结带的基材,优选使用预先全面进行热熔化的基材。作为热熔化基材的方法,没有特别的限定,只要是对基材全面热熔化进行充分的加热处理就可以,可以是火焰处理也可进行热压。作为这种基材,可使用预先全面热熔化的无纺布,例如吴羽テツク制造的PET6030A(商品名)等。具有全面热熔化的基材的粘结带,即便是用通常的刀片进行带切断的方式,也不从切断面产生废纤维。
在(II)和(III)的情况下,将粘结带贴合在晶片板上后,通过将该带切割为规定形状的、例如贯通切割用框架形状的工序,基材的切口绽开,不产生废纤维。(I)的情况下,由于不需要贯通工序,基材切口绽开,不产生废纤维。因此,任意一种情况下,半导体芯片形成时,在净室内可防止废纤维飞散。另外,(III)的情况下,切割加工后对粘结带照射放射线,通过从被加工物或芯片剥离带的拾取工序,基材破开,粘结剂和破开的基材的一部分不转录到被加工物或芯片的表面。
本发明的激光切割用粘结带,在用激光细切断、分割(切割)硅晶片、陶瓷、玻璃、金属等时,切断速度快,不熔断破裂,可防止被切割物(芯片)的飞散或者是可防止特别是在端部的元件产生切槽,并且,实现可适当延伸,延伸时材料维持平整性的优良作用效果。
本发明通过在基材和放射线固化型粘结剂层之间设置非放射线固化型粘结剂层,可进一步提高基材和这些粘结剂层的结合性,并且防止粘结剂向基材侧渗出,而且可防止放射线照射时的固化阻碍。
下面根据实施例详细说明本发明,但本发明不局限于这些实施例。各实施例和比较例中的份全部是重量份。
实施例
实施例1
使用激光切割装置(商品名:激光微喷射器、SYNOVA公司制造)进行带的试验。粘结带使用无纺布(吴羽テツク公司制造(商品名:ボンデン(邦迪))CX26026、纤维直径为10微米以上50微米以下、厚度为140微米)作为基材,在基材上涂布20微米的作为粘结材料的下面记载的放射线固化型粘结剂来制备。
(放射线固化型粘结剂)
向100重量份丙烯酸系粘结剂(2-乙基己基丙烯酸酯和正丁基丙烯酸酯的共聚体)中添加混合3重量份的聚异氰酸酯化合物(日本聚氨酯(ポリウレタン)公司制造、商品名:コロネ一トL)60重量份、作为异氰尿酸酯化合物的三-2-丙烯氧乙基异氰尿酸酯和1重量份作为光聚合引发剂的α-羟基环己基苯基酮,制造放射线固化型粘结剂。
使用上述制作的粘结带,采用激光切割装置(商品名:激光微喷射器,SYNOVA公司制造)进行激光切割。在装置上设置的粘结带上,贴合分割为2~4个的硅晶片,对晶片喷水(喷嘴计50微米、水压50MPa)的同时以10mm/s的速度照射YAG激光(波长1064nm、输出功率200W),使划线为50微米,将晶片切割为1mm×1mm的元件。
在该试验中,喷射的水流透过基材流出,根本不产生芯片飞溅和芯片割断,本发明的粘结带得到既不熔化也不断裂的良好结果。
比较例1
除了将基材替换为东洋纺织公司制造的(高密度聚乙烯)膜(商品名:リツクスフイルム,厚度60微米)外,与实施例1完全相同制造粘结带,进行与实施例1同样的切割试验。由于不透水,基材熔化,带断裂。
实施例2
在38微米厚的衬膜一面上涂布10微米厚的由100份丙烯酸酯共聚体和2份作为固化剂的聚异氰酸酯化合物(日本聚氨酯公司制造,商品名:コロネ一トL)构成的非放射线(紫外线)固化型粘结剂后,在110℃干燥2分钟。干燥后立即在上述涂层上层压作为基材的无纺布(吴羽テツク制造(商品名:ボンデン)CX26026、厚度140微米)得到粘结带。另外,在38微米厚的衬膜一面上涂布10微米厚的与实施例1使用的相同的放射线(紫外线)固化型粘结剂后,在110℃干燥2分钟。干燥后立即边剥离粘结层的衬膜边在上述放射线固化型粘结剂的涂层上层压上述得到的多孔质基材和非放射线固化型粘结剂层,构成粘结片材,使得该非放射线固化型粘结剂涂层侧和该放射线固化型粘结剂涂层层叠在一起,得到激光切割用粘结带。该粘结带在安装到框架上时剥离衬膜后使用。
实施例3
除了在衬膜一面上涂布50微米厚的非放射线固化型粘结剂以外,与实施例2同样操作,得到激光切割用粘结带。
实施例4
除使用丙烯酸酯共聚体100份、固化剂1份构成的非放射线固化型粘结剂以外,与实施例2同样操作,得到激光切割用粘结带。
对实施例2~4进行下面的评价。
·有无固化阻碍、基材和粘结剂层的粘合性
将厚度100微米的6英寸的硅晶片,在6英寸冷却框架上贴合固定的各激光切割用粘结带上进行贴合支持固定。将其设置在激光微喷射切割装置中,在切割速度为100mm/s、激光束直径(喷水直径)为40微米的条件下,切割为2mm×2mm的芯片大小。
切割结束后,将切割的芯片在大气下和氮气氛下照射紫外线。另外,对得到的芯片确认拾取性和基材与粘结剂层的结合性。
拾取性按有无固化阻碍引起的紫外线照射后的结合力的程度来进行评价。紫外线照射的结果是,将粘结剂用于固化粘结带的粘结力充分降低,从粘结带的剥离容易的定为“○”(好)、将因为固化阻碍、粘结力没有充分降低、从粘结带剥离有障碍的定为“×”(不好)。
另外,结合性是在剥离基材和粘结剂层时,二者之间的界面上不产生界面剥离的情况设为“○”、产生界面剥离的情况设为“×”。
·作业性
评价紫外线照射时的作业性和层压时的作业性。紫外线照射时在大气下可作业,不需要氮清除,并且粘结片材层压时不需要调整层压压力的情况设为“○”、紫外线照射时需要氮清除或者粘结片材层压时需要调整层压压力的情况设为“×”。另外,这些氮清除和层压压力调整二者都需要的情况为作业性差的,用“××”表示。
·粘结剂的渗出状况的确认
目测观察层压得到的激光切割用粘结带的基材侧,确认有无粘结剂渗出。
针对上述评价项目,将试验结果记在表1中。
表1
实施例2 | 实施例3 | 实施例4 | ||
作业内容 | 氮清除 | - | - | - |
层压压力调整 | - | - | - | |
评价项目 | 紫外线照射后的粘结力(固化阻碍) | ○ | ○ | ○ |
作业性 | ○ | ○ | ○ | |
结合性 | ○ | ○ | ○ | |
粘结剂的渗出 | 没有 | 没有 | 没有 |
(注)“—”由于不需要作业而不实施
评价结果
实施例2~4:在层压后的观察中,确认没有粘结剂的渗出。另外,切割后的拾取性由于不受到固化阻碍,即便在大气下粘结力也充分降低,显示出良好的拾取性。另外,基材和粘结剂的结合性良好,粘浆不落在工件上。而且,紫外线照射时的氮清除、层叠时的层压压力调整也不需要,作业性良好。
虽然与其实施方案一起说明了本发明,但本发明并不特别限定于说明的各个细节,应认为不违反附加的权利要求范围中所示的发明精神和范围的条件下,可作更宽的解释。
Claims (7)
1.一种激光切割用粘结带,其是一种在激光器通过喷水引导的激光切割中使用的粘结带,其特征在于,该带的基材能透过上述喷水的喷射水流,该带的基材结构是网格状或多孔质的。
2.根据权利要求1所述的激光切割用粘结带,其特征在于,至少能透过50微米宽的水流。
3.根据权利要求1或2任一项所述的激光切割用粘结带,其特征在于,所述基材的材料为纤维质材料,其中的纤维直径为10微米以上至小于50微米。
4.根据权利要求1或2任一项所述的激光切割用粘结带,其特征在于,基材结构的孔径为10微米~50微米。
5.根据权利要求1或2任一项所述的激光切割用粘结带,其特征在于,基材是橡胶状弹性体。
6.根据权利要求1或2任一项所述的激光切割用粘结带,其特征在于,一个面是放射线固化型粘结剂层构成的。
7.根据权利要求6所述的激光切割用粘结带,其特征在于,基材和放射线固化型粘结剂层之间具有非放射线固化型粘结剂层。
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