CN1243415A - 闪光装置 - Google Patents
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Abstract
在闪光装置用的电源装置中,具有变压器的初级绕组侧及以并联方式与电源相连的振荡控制开关元件,还有通过整流元件与主电容器相连的变压器次级绕组侧,电流-电压转换电路被构造成根据从变压器的次级绕组侧流到主电容器的电流输出一电压信号,通过根据从所述电流-电压转换电路输出的电压信号通-断控制所述开关元件,使所述主电容器被充电。
Description
本发明涉及一种给闪光装置等的主电容器充电的电源装置。
在带电子闪光装置的照相机领域中,随着照相机的尺寸变得比较小,减小闪光装置各部件的尺寸已经成为必须。作为闪光装置电源用的电池也变得尺寸越来越小,电压越来越低。于是,就需采用被做成袖珍的并被构造成稳定脉动的升压电路(电源装置或变换器)。
为满足这种要求,譬如日本未审公开的专利申请特开昭54-102521中所述的升压电路被布置成如图6所示。参照图6,将保护电阻102连到电源101。开关103与保护电阻102串联连接。振荡变压器104的初级绕组104a和反馈绕组104b连到保护电阻102及开关103。初级绕组104a连到振荡晶体管105的集电极,所述振荡晶体管105为硅晶体管。反馈绕组104b连到振荡晶体管105的基极。
振荡电容器106以并联于其间的方式与振荡晶体管105的基极电路相连。振荡变压器104的次级绕组104c与电容器107、保护电阻108及二极管110相连。氖管109与保护电阻108相连。
主电容器111与二极管110连接。此外,设置输出线端112a和112b。
采用按上述方式布置的升压电路,当接通开关103时,电源101的电荷即被提供给振荡变压器104。随之,电流流到振荡晶体管105的基极,它与振荡变压器104相连。于是,由电流形成振荡电路,开始振荡。
将开关103构造成一旦接通动作完成就立即断开,或者在经过比如3秒钟之后断开。
由于振荡变压器104的电感中所存的能量以电磁方式感应至反馈绕组104b和次级绕组104c,以扩散能量,并且在振荡晶体管105的输入电阻及振荡频率较高的情况下,为了振荡而须使电流能流到基极电路,所以振荡电路以持续振荡方式动作。
加给振荡变压器104并在那里按上述方式被放大的信号被送至包括所述主电容器111在内的负载部件。与所述负载部件相连的电容器107通过吸收浪涌电压而修正信号波形。
由于如此修正过的信号经保护电阻108被送至氖管109,可通过氖管109的点亮状态而核实振荡电路的接通状态,并可通过氖管109的熄灭状态而核实振荡电路的断路状态。
此外,上述信号被二极管110整流,再被储存到主电容器111去。主电容器111中所存的信号从输出线端112a和112b送至比如闪光装置的放电电路。
将振荡电路构造成按下述方式自动断开。在作为负载的主电容器111被充电之前,发生比如50mA的电流流到该主电容器111。随着该主电容器111逐渐被充以电荷,此电流相应地减小。当此电流减小到比如50μA的值时,基极电路的基极电流也相应地减小。于是,振荡晶体管105成为只有小于其工作点的电流流过那里。结果,振荡晶体管105的振荡功能停止,致使供电中断。
在上面描述的普通升压电路中,振荡晶体管105以串联方式连到振荡变压器104的初级绕组(原线圈104a)。振荡晶体管105的基极电流受流过主电容器111的充电电流控制。因而将该升压电路安排成具有电流反馈系统。此外,为使振荡晶体管105的启动可靠,还采用振荡变压器104的反馈绕组(反馈线圈104b)。
然而,为使主电容器111充电达到所需的电压值,使用振荡晶体管105控制振荡变压器104的振荡的结构需选择并设定该振荡晶体管105,使之在振荡过程中具有与所述变压器绕组成正比的较大电流放大倍数和较低的发射极-集电极电压。
采用普通升压电路的另一个问题还在于,与振荡晶体管105的结构设置有关,该晶体管元件的尺寸较大。
此外,晶体管元件的电流放大倍数随温度而改变。例如,在低温情况下,振荡晶体管的电流放大倍数变得较小,并在充电电压达到设定电压值之前即停止振荡。
再有,当主电容器的负载在充电过程的最后阶段变得较小时,充电电流与所述负载的降低成比例地变小。于是,振荡晶体管的基极电流也变小,致使难于振荡。因此,为保证稳定的工作,必须利用反馈绕组使振荡持续。换句话说,几乎不可能有一个稳定的工作,也很难使充电电压达到所设定的电压值。
本发明的目的在于提供一种自激电源装置,通过采用袖珍开关元件,如场效应晶体管(FET),它被构造成即使在低温以及小负载条件下也能稳定工作,还提供一种具有此种自激电源装置的闪光装置。
为达到上述目的,本发明提供一种电源装置(用于闪光装置),它包括一个变压器,用以升高电源的电压;一个振荡控制开关元件;所述变压器的初级绕组及开关元件以并联方式与所述电源相连;还包括电流-电压转换机构,用以根据从所述变压器的次级绕组流到主电容器的电流输出一个电压信号,其中根据从所述电流-电压转换机构输出的电压信号控制所述开关元件的接通与断开,以影响振荡动作。
本发明的另一方面提供一种闪光装置用的直流-直流变换装置,或者提供一种具有此种直流-直流变换装置的闪光装置,它包括一个变压器;与该变压器初级绕组串联连接的开关元件,接通该开关元件时,产生从电源流向所述初级绕组的电流,而当断开该开关元件时,切断流向初级绕组的电流;与所述变压器次级绕组相连的电流-电压转换装置,用以形成与流向所述次级绕组的电流相应的电压;以及信号生成电路,它检测所述电流-电压转换机构形成的电压,并在测得该电压表示一个与流到所述次级绕组的电流值不小于预定值相应的电压值时,使其输出状态从第一信号输出态变换到第二信号输出态,其中使所述开关机构与所述信号生成电路相连,并将该开关机构安排成在所述信号生成电路为第一信号输出态时被接通,在所述信号生成电路为第二信号输出态时被断开。
本发明的又一方面提供一种闪光装置用的直流-直流变换装置,或者提供一种具有此种直流-直流变换装置的闪光装置,它包括一个变压器;与该变压器初级绕组串联连接的开关元件,接通该开关元件时,产生从电源流向所述初级绕组的电流,而当断开该开关元件时,切断流向初级绕组的电流;具有晶体管和阻抗元件的电流-电压转换电路;晶体管的基极与所述变压器的次级绕组相连,使基极电流与流向次级绕组的电流值相应;晶体管的集电极与所述阻抗元件相连;作为阻抗元件的输出,所述晶体管形成与流向次级绕组的电流值相应的电压;还包括信号生成电路,它检测所述电流-电压转换电路形成的电压,并在测得该电压表示一个与流到所述次级绕组的电流值不小于预定值相应的电压值时,使其输出状态从第一信号输出态变换到第二信号输出态,其中使所述开关元件与所述信号生成电路相连,并将该开关元件构造成在所述信号生成电路为第一信号输出态时被接通,而在所述信号生成电路为第二信号输出态时被断开。
从以下结合附图对本发明优选实施例的详细描述,将使它的上述及其它目的和特点变得愈为清晰,其中:
图1是本发明第一实施例闪光装置的电路方框图;
图2是表示图1所示闪光装置工作过程的流程图;
图3是表示图1所示闪光装置工作过程的时间曲线;
图4是本发明第二实施例闪光装置的电路方框图;
图5是本发明第三实施例闪光装置的电路方框图;
图6是普通电源装置的电路方框图。
以下将结合附图详细描述本发明的各优选实施例。
(第一实施例)
图1表示配置本发明第一实施例自激升压电路(电源装置)的闪光装置。这种闪光装置被装入照相机内,或者被外置于照相机上。
参照图1,电池1被用为电源。稳定电源用的电容器2被连到电池1的两端。装设变压器3,以升高电池1的电压。变压器3的初级绕组的一个线端3a连到电源电池1的正极。变压器3的初级绕组的另一线端3b连到N-沟道场效应晶体管(以下简称FET)4的漏极,该管被用为开关元件。变压器3的次级绕组的一个线端3c连到整流二极管10的阳极。变压器3的次级绕组的另一线端3d连到PNP晶体管61的基极。
FET4的漏极连到变压器3的初级绕组的线端3b。FET4的源极连到电池1的负极。FET4的栅极连到CMOS(互补型金属氧化物半导体)逻辑电路5的输出端,该电路被用为执行元件。
在第一实施例的情况下,逻辑电路5由AND逻辑组成。逻辑电路5为一普通IC,以稳压电路15的输出Vcc为其电源。逻辑电路5的输出与该电源电压有关。逻辑电路5被构造成是一个驱动电路,用以驱动FET4的栅极,使栅极电压稳定并改善通断时间控制的升降特性。
输入到逻辑电路5的一个信号是电流-电压转换电路6的输出信号,同时,输入到逻辑电路5的另一个信号是来自控制电路16一个终端CGCOM的信号(以下简称信号CGCOM)。逻辑电路5的输出端与FET4的栅极相连。
只有在电流-电压转换电路6和信号CGCOM的输出均为高电平(以下缩写成“HL”)时,逻辑电路5才输出一“HL”信号,而在信号CGCOM处于低电平(以下缩写成“LL”)时,它输出一“LL”信号。
电流-电压转换电路6被构造成将自变压器3的次级绕组流到主电容器11的电流变换成所述开关元件用的驱动电压,并且它由将在下面描述的元件61至64组成。
元件61为一PNP晶体管,具有连到稳压电路15之输出端Vcc的发射极和与变压器3次级绕组的线端3d相连的基极。
元件62为一连在PNP晶体管61的发射极与基极之间的保护电阻。元件63为一连在PNP晶体管61的发射极与基极之间的保护电容。
元件64是一个电阻,其一端连到PNP晶体管61的集电极,另一端连到电池1的负极。
利用按上述方式构成的电流-电压转换电路6,当振荡期间PNP晶体管61的基极电流被引出时,一个与该基极电流成正比的电流流过PNP晶体管61的发射极与集电极之间,在电阻64处产生一个电动势,使该电流转换成电压。按照现有技术的结构,流到主电容器的充电电流直接成为振荡晶体管的基极电流,而本发明的第一实施例包含按上述方式安排的电流-电压转换电路6。
电阻7的一端连到控制电路16的CGCOM端,其另一端连到逻辑电路5的输入端。
电容器8接在稳压电路15的输出端Vcc和电池1的负极之间,用以使所述升压电路的工作稳定。
设置输出电压保持电路9,以便在充电过程中电池电压下降时保持稳压电路15的输出电压(电压Vcc)。就像在充电情况下一样,当稳压电路15的输入电压(来自电池)突然下降时,稳压电路15就不能保持其输出电压。因此,设置输出电压保持电路9,以便在所述输入电压变得低于由稳压电路15设定的电源电压截止值(电压Vref)时切断控制信号CGCOM。
电阻91的一端连到电池1的正极,其另一端连到比较器93的非反相输入端。
电容器92的一端连到比较器93的非反相输入端,另一端连到电池1的负极。电容器92被构造成相对于它的输入有一滞后。
在这种情况下,将比较器93构造成具有集电极开路型的输出。比较器93的非反相输入端连到电阻91的另一端和电容器92的一端。将稳压电路15的电源电压截止值Vref加到比较器93的反相输入端。另外,使比较器93的输出端连到电阻7的一端及逻辑电路5的输入端。
高压整流二极管10的阳极接到振荡变压器3次级绕组的3c端,而高压整流二极管10的阴极与电压检测电路14、触发电路13、主电容器11的正极及闪光放电管12的正极相连。
将主电容器11构造成以对于闪光发射而言所需要的能量被充电。主电容器11的正极连到高压整流二极管10的阴极,而主电容器11的负极与电池1的负极相连。
闪光放电管12的正极连到主电容器11的正极,而闪光放电管12的负极与电池1的负极相连。
设置触发电路13,以引起闪光放电管12发射闪光,而且将之连到主电容器11的两端、闪光放电管12的触发区等。触发电路13响应从控制电路16接收的信号TRG,实现其触发动作。
设置电压检测电路14,以检测主电容器11两端的电压,并使其与主电容器11的两端相连。具体地说,将该电压检测电路14构造成发送一个电阻分压值,作为信号CGUP给控制电路16。
设置稳压电路15,以输出一恒定的电压(Vcc),即使当电池1的电压改变时,此电压也保持不变。稳压电路15的输出端Vcc与PNP晶体管61的发射极、逻辑电路5及控制电路16相连。稳压电路15的输出端Vref接到比较器93的反相输入端。
在第一实施例的情况下,控制电路16由单片微型计算机组成,并包括CPU、ROM、RAM、输入/输出(I/O)控制电路、多路调制器、定时电路等。控制电路16按预定程序对整个闪光装置实行系统控制。稳压电路15的输出端Vcc作为电源,连到控制电路16。除此之外,电源1的输出端也连到控制电路16。另外,将控制电路16构造成从OS端输出对于预定的短周期从“OPEN”态变到“LL”态的单冲脉冲信号。
下面将参照图2所示流程图说明上述闪光装置(特别是控制电路16)的动作,以及具有该闪光装置之照相机的动作过程。当把电源开关(未示出)接通时,首先使稳压电路15被启动。在稳压电路15处产生恒定电压Vcc。恒定电压Vcc被加给控制电路16和每个其它的电路方块。随着加给控制电路16的电能,使所述微型计算机中的CPU被重新设置。进而由稳压电路15设定电源电压截止值(电压Vref),并将该值送至比较器93的反相输入端。这时,电池1的电压经电阻91被加给比较器93的非反相输入端。因而电池1的电压得到测定。
参照图2,在步骤S1,执行初始设定动作。例如,清除程序的各特征位,并重新设置各存储器的内容。
在步骤S2,由电压检测电路14检测主电容器11的电压。具体地说,主电容器11的电压被电阻器分压,再将所得的分压经输入信号端CGUP输入到控制电路16。
在控制电路16处,根据控制电路16之微型计算机的结构,使内部A/D转换器与内部多路调制器相连。由该A/D转换器将主电容器11的充电电压从模拟值转换成数字值(相应于所述电压)。再将所得的数字值存储在所述微型计算机内。此后,微型计算机进行校验,发现是否测得的充电电压在预定值,以便使闪光放电管12能发射闪光(为闪光摄影所需的充电值),并指示充电过程完成。如果是这样,则动作流程从步骤S2进到步骤S6。如果不是这样,则流程进到步骤S3。
在步骤S3,使来自控制电路16的信号CGCOM的值从“LL”变到“HL”,从而开始升压动作。于是,逻辑电路5的输入成为“HL”。
在步骤S4时,有如图3所示那样,从控制电路16的OS端输出单冲脉冲信号,使升压电路被激发,开始振荡。
在步骤S5,由于自控制电路16输出的单冲脉冲信号,使电流-电压转换电路6的PNP晶体管61的基极电流被引出。由于引出的PNP晶体管61的基极电流,使PNP晶体管61导通,以致电流从与Vcc电压端相连的晶体管61发射极流到它的集电极。从而在电阻64的两端产生一个电压。这就使逻辑电路5的两个输入端均成为“HL”。因而逻辑电路5的输出成为“HL”。
于是,FET4被导通。然后电池1的电流通过振荡变压器3初级绕组的3a和3b端流过FET4的漏极与源极之间。因而,在变压器3的初级绕组侧产生一个电动势。从而在该变压器的次级绕组侧产生与变压器3匝数比成正比的电压,与此同时,使PNP晶体管61的基极电流被引出,所述晶体管的基极与变压器3次级绕组的3d端相连。
由于引出的PNP晶体管61基极电流,稳压电路15的电压Vcc引出一个通过PNP晶体管61发射极和基极而被送至变压器3次级绕组的3d及3c端的电流。继而,该电流经高压整流二极管10被送至主电容器11。
在电流按上述方式增大的过程中,变压器3处发生磁饱和,从而引起所述电流的突然减小。于是,引起PNP晶体管61的基极电流停止引出。随之,一个与基极电流的减小成比例的电流在PNP晶体管61发射极和集电极之间流过。另外,所述电压被电阻64降低(实现电压-电流的变换)。于是,逻辑电路5的输出成为“LL”。因而,FET4被关断,截止从电池1到振荡变压器3初级绕组之3a端的电能供给。
然而,由于振荡变压器3次级绕组侧的电流造成振荡衰减,所以电流-电压转换电路6的电阻64两端的电压再次升高。继而,逻辑电路5两个输入端的电平都成为“HL”,造成逻辑电路5输出端的电平处于“HL”。这使得FET4被导通。随着FET4被导通,来自电池1的电流经振荡变压器3的初级绕组之3a和3b端在FET4的漏极与源极之间流过。于是,在振荡变压器3的初级绕组(3a和3b端)处产生一个电动势,以重复振荡。随着振荡的重复,使得电荷在主电容器11处积累,致使主电容器11的电压升高。
与此同时,FET4的导通引起电池1的电压突然下降。当电池1的电压变得低于比较器93输入端的电压Vref时,比较器93的状态从开路状态变到“LL”态,引起控制电路16的输出信号CGCOM成为“LL”。于是,逻辑电路5一个输入端的电压成为“LL”,造成逻辑电路5的输出端“LL”。逻辑电路5的“LL”输出引起FET4关断,促使振荡停止。
随着振荡停止,引起电池1的电压停止下降,开始恢复,当电池1的电压超过比较器93输入端的电压Vref时,比较器93的输出从“LL”状态变成开路状态。因此,逻辑电路5的输入成为“HL”,促使逻辑电路5的输出再次成为“HL”。于是,FET4被导通,重新恢复振荡。因而,由于按上述方式重复动作而避免电源电压变得小于预定的电压。
正如上面所描述的那样,被用作振荡控制开关元件之FET4的导通与断开由通过电流-电压转换所得的电压值控制,而通过对整个FET4的通/断控制使对主电容器11充电的过程受到控制。与以前所述的现有技术的结构不同,本第一实施例升压电路构造稳定,而与振荡晶体管的电流放大倍数无关,并且没有反馈绕组,
另如上述,与此同时,输出电压保持电路9起保持稳压电路15之输出电压Vcc的作用。因此,采用电压Vcc作为电源的逻辑电路5的输出变得稳定。这样,还可使FET4的栅极驱动电压得以保持。另外,由于电压Vcc也是控制电路16的电源,免去被重新设置控制电路16,或者避免其成为不稳定者。此后流程从步骤S5返回步骤S2。
如果在步骤S2发现充电电压值足以发射闪光,则流程进到步骤S6。在步骤S6,控制电路16的信号CGCOM从“HL”变到“LL”,从而促使电压升高动作停止。于是,逻辑电路5的输出通过电阻7被强行设定为“LL”。因此而使FET4被关断,截止从电池1向振荡变压器3的初级绕组3a线端供给电能,使振荡变为停止。
在步骤S7,对开关的状态进行校验,当把一个释放开关揿按到极点程度时,所述开关被布置成接通。如果发现所述开发处于断开状态,则流程返回步骤S2。如果发现所述开发处于接通状态,则过程进到步骤S8。
在步骤S8,使快门电路(未示出)和光圈电路(未示出)分别动作,以得到依据光的测量数据判断的快门速度和光圈值。
在接下去的步骤S9,从控制电路16的触发端输出一个脉冲信号(信号TRG)。
在步骤S10,当把信号TRG加给触发电路13,而随着主电容器11被充电到足够发射闪光的电压,闪光放电管12处于高电压之下时,从触发电路13输出一高压脉冲,以触发闪光放电管12。随之,闪光放电管12发射闪光。于是,闪光发射动作的程序结束。
附带地说,被安排用来保持稳压电路15之输出电压(电压Vcc)的输出电压保持电路9可以被置于控制电路16的外边,如本第一实施例的情况这样,或者可将其置于单片微型计算机的模拟电路内或控制电路16内。
另外,通过设置电容器92使之有滞后作用,使第一实施例被安排为用以防止任何因比较器93的灵敏响应所致的误振荡动作。不过可以改变这种结构,以便通过造成不同于上述电路结构的电路布置得到来自同样的参考电压的滞后。
(第二实施例)
图4表示本发明第二实施例闪光装置的电路结构。第一实施例通过控制电路16实现发生单冲脉冲信号动作,而第二实施例被构造成借助外部电路实现发生单冲脉冲信号动作,并因此而避免对于控制电路16的信号OS之信号线的需求。在图4和下面的描述中,与第一实施例相同的部件使用相同的参考标号表示,并省去对它们的详细描述。
参照图4,参考标号17表示单冲脉冲信号电路(脉冲发生机构),它由元件171至176组成。
元件171为一NPN晶体管。NPN晶体管171的集电极经电阻176连到PNP晶体管61的基极。NPN晶体管171的发射极与电池1的负极相连。NPN晶体管171的基极与电阻173及电阻174的一端相连,还与电容器172的一端相连。
设置电容器172,用以生成单冲脉冲信号。电容器172的一端与NPN晶体管171的基极相连,其另一端与电阻175的一端相连。
电阻173被接在NPN晶体管171的基极与发射极之间。电阻173的一端与NPN晶体管171的基极相连,其另一端连到电池1的负极。
电阻174的一端连到NPN晶体管171的基极,而其另一端与电容器172的另一端相连。于是,电阻174与电容器172的两端相连。电阻175的一端与电容器172相连,它的另一端连到逻辑电路5的输入端。元件176即电阻176,它的一端连到NPN晶体管171的集电极,另一端则连到PNP晶体管61的基极。
当信号CGCOM的值从“LL”升至“HL”时,控制电路16通过电阻7使得NPN晶体管171的基极在由电容器172和电阻173、174及175的时间常数所确定的一段时间内处于“HL”,以便引出PNP晶体管61的基极电流,从而启动所述升压电路。这一动作之后,除步骤S4之外,控制电路16按与第一实施例中控制电路16工作过程大致相同的方式工作。
在步骤S4,控制电路16通过电阻7将一信号送给单冲脉冲信号电路17。当信号CGCOM从“LL”升至“HL”时,一段时间内,有电流经电阻175流到电容器172,进而流到NPN晶体管171的基极,使NPN晶体管171恰在该段时间内导通。NPN晶体管171的短暂导通引起PNP晶体管61的基极电流通过电阻176被引出。
(第三实施例)
图5表示本发明第三实施例闪光装置的电路结构。第三实施例被构造成类似于第一实施例,省去来自第一实施例的控制电路16的OS端的单冲脉冲输出。在图5及下面的叙述中,与第一实施例各部分相同的第三实施例各部分由相同的参考标号表示,并省去对它们的详细描述。
参照图5,电阻18的一端与电池1的正极相连。开关19的一端连到电阻18的另一端。开关19的另一端连到FET4的栅极。设置开关19,用以在其完成接通动作时迅速地断开,即为譬如揿按开关的形式。开关19可为半导体开关。
除去步骤S4之外,第三实施例按与第一实施例相同的方式工作。在步骤S4,当于信号CGCOM的值从“LL”升至“HL”之后按下开关19时,控制电路16直接引起FET4的栅极导通,使得电池1的电流经振荡变压器3的初级绕组(线端3a和3b)流过FET4的漏极与源极之间。于是,在振荡变压器3的初级绕组侧产生一个电动势,在其次级绕组侧产生与振荡变压器3的匝数比成正比的电压。则与振荡变压器3次级绕组的3d端相连的PNP晶体管61的基极电流被引出。
因此,一个电流从稳压电路15经PNP晶体管61的发射极和基极、变压器3的次级绕组(线端3d和3c)以及高压整流二极管10被加给主电容器11。
在上述各实施例中,采用CMOS逻辑电路作为执行元件。不过也可采用CMOS缓冲器替代CMOS逻辑电路。
Claims (24)
1.一种闪光装置,其中变压器的工作受到控制,使与该变压器初级绕组串联连接之开关元件被接通,以形成从电源流到该初级绕组的电流;并使所述开关元件被断开,以切断到该初级绕组之电流,其特征在于:
电流-电压转换机构与所述变压器的次级绕组相连,用以根据流到该次级绕组的电流值形成一个电压;
信号生成电路,它检测由所述电流-电压转换机构形成的电压,并在测得所述电压表示流到所述次级绕组之电流不小于预定值的电压值时,使其输出状态从第一信号输出状态改变到第二信号输出状态;
其中所述开关元件与所述信号生成电路相连,并将其构造成在所述信号生成电路的输出状态为第一信号输出状态时,它被接通,而当所述信号生成电路的输出状态为第二信号输出状态时,它被断开。
2.一种如权利要求1所述的闪光装置,其中所述信号生成电路包括一执行元件。
3.一种如权利要求1所述的闪光装置,其中所述信号生成电路为CMOS逻辑电路。
4.一种如权利要求1所述的闪光装置,其中所述开关元件为场效应晶体管。
5.一种如权利要求1所述的闪光装置,其中所述信号生成电路具有按稳压电路的恒定电压提供给它的工作电压。
6.一种闪光装置,其中变压器的工作受到控制,使与该变压器初级绕组串联连接之开关元件被接通,以形成从电源流到该初级绕组的电流;并使所述开关元件被断开,以切断到该初级绕组之电流,其特征在于:
具有晶体管和阻抗元件的电流-电压转换电路,所述晶体管的基极与所述变压器的次级绕组相连,使基极电流与流向次级绕组的电流相应;所述晶体管的集电极与所述阻抗元件相连;作为所述阻抗元件的输出,所述晶体管形成与流向次级绕组的电流值相应的电压;
信号生成电路,它检测所述电流-电压转换电路形成的电压,并在测得该电压表示一个与流到所述次级绕组的电流值不小于预定值时相应的电压值时,使其输出状态从第一信号输出态变换到第二信号输出态;
其中所述开关元件与所述信号生成电路相连,并将该开关元件构造成在所述信号生成电路的输出状态为第一信号输出态时被接通,而在所述信号生成电路的输出状态为第二信号输出态时被断开。
7.一种如权利要求6所述的闪光装置,其中所述信号生成电路包括一执行元件。
8.一种如权利要求6所述的闪光装置,其中所述信号生成电路为CMOS逻辑电路。
9.一种如权利要求6所述的闪光装置,其中所述开关元件为场效应晶体管。
10.一种如权利要求6所述的闪光装置,其中所述信号生成电路具有按稳压电路的恒定电压提供给它的工作电压。
11.一种如权利要求6所述的闪光装置,还包括起动电路,在所述闪光装置起动过程中,它产生流向所述晶体管基极的基极电流。
12.一种如权利要求6所述的闪光装置,还包括起动电路,在所述闪光装置起动过程中,它提供接通所述开关元件的信号。
13.一种闪光装置用的直流-直流变换装置,其中变压器的工作受到控制,使与该变压器初级绕组串联连接之开关元件被接通,以形成从电源流到该初级绕组的电流;并使所述开关元件被断开,以切断到该初级绕组之电流,其特征在于:
电流-电压转换机构,与所述变压器的次级绕组相连,用以根据流到该次级绕组的电流值形成一个电压;
信号生成电路,检测由所述电流-电压转换机构形成的电压,并在测得所述电压表示与流到所述次级绕组之电流不小于预定值的值相应的电压值时,使其输出状态从第一信号输出状态改变到第二信号输出状态;
其中所述开关元件与所述信号生成电路相连,并将其构造成在所述信号生成电路的输出状态为第一信号输出状态时,它被接通,而当所述信号生成电路的输出状态为第二信号输出状态时,它被断开。
14.一种如权利要求13所述的直流-直流变换装置,其中所述信号生成电路包括一执行元件。
15.一种如权利要求13所述的直流-直流变换装置,其中所述信号生成电路为CMOS逻辑电路。
16.一种如权利要求13所述的直流-直流变换装置,其中所述开关元件为场效应晶体管。
17.一种如权利要求13所述的直流-直流变换装置,其中所述信号生成电路具有按稳压电路的恒定电压提供给它的工作电压。
18.一种闪光装置用的直流-直流变换装置,其中变压器的工作受到控制,使与该变压器初级绕组串联连接之开关元件被接通,以形成从电源流到该初级绕组的电流;并使所述开关元件被断开,以切断到该初级绕组之电流,其特征在于:
具有晶体管和阻抗元件的电流-电压转换电路,所述晶体管的基极与所述变压器的次级绕组相连,使基极电流与流向次级绕组的电流相应;所述晶体管的集电极与所述阻抗元件相连;作为所述阻抗元件的输出,所述晶体管形成与流向次级绕组的电流值相应的电压;
信号生成电路,它检测所述电流-电压转换电路形成的电压,并在测得该电压表示一个与流到所述次级绕组的电流值不小于预定值时相应的电压值时,使其输出状态从第一信号输出态变换到第二信号输出态;
其中所述开关元件与所述信号生成电路相连,并将该开关元件构造成在所述信号生成电路的输出状态为第一信号输出态时被接通,而在所述信号生成电路的输出状态为第二信号输出态时被断开。
19.一种如权利要求18所述的直流-直流变换装置,其中所述信号生成电路包括一执行元件。
20.一种如权利要求18所述的直流-直流变换装置,其中所述信号生成电路为CMOS逻辑电路。
21.一种如权利要求18所述的直流-直流变换装置,其中所述开关元件为场效应晶体管。
22.一种如权利要求18所述的直流-直流变换装置,其中所述信号生成电路具有按稳压电路的恒定电压提供给它的工作电压。
23.一种如权利要求18所述的直流-直流变换装置,还包括起动电路,在所述闪光装置起动过程中,它产生流向所述晶体管基极的基极电流。
24.一种如权利要求18所述的直流-直流变换装置,还包括起动电路,在所述闪光装置起动过程中,它提供接通所述开关元件的信号。
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