CN1236359C - 有关模板的制造方法和制成的模板 - Google Patents

有关模板的制造方法和制成的模板 Download PDF

Info

Publication number
CN1236359C
CN1236359C CNB01809984XA CN01809984A CN1236359C CN 1236359 C CN1236359 C CN 1236359C CN B01809984X A CNB01809984X A CN B01809984XA CN 01809984 A CN01809984 A CN 01809984A CN 1236359 C CN1236359 C CN 1236359C
Authority
CN
China
Prior art keywords
require
aforesaid right
dimensional structure
thermal treatment
methods according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB01809984XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN1434930A (zh
Inventor
巴贝克·海达里
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ABUDUKAT AB
Obducat AB
Original Assignee
ABUDUKAT AB
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ABUDUKAT AB filed Critical ABUDUKAT AB
Publication of CN1434930A publication Critical patent/CN1434930A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1236359C publication Critical patent/CN1236359C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0017—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor for the production of embossing, cutting or similar devices; for the production of casting means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41C—PROCESSES FOR THE MANUFACTURE OR REPRODUCTION OF PRINTING SURFACES
    • B41C2210/00—Preparation or type or constituents of the imaging layers, in relation to lithographic printing forme preparation
    • B41C2210/04—Negative working, i.e. the non-exposed (non-imaged) areas are removed
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
    • G11B7/261—Preparing a master, e.g. exposing photoresist, electroforming

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Magnetic Ceramics (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Mechanical Coupling Of Light Guides (AREA)
  • Adornments (AREA)
  • Auxiliary Devices For Music (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Abstract

一种模板制造的方法，优选用于纳米压印光刻，其中模板包括一个第一材料的平板(1)和布置在板上的第二材料的三维结构(6，8)，在本方法中，为了形成所述结构，所述第二材料引入加在所述板上。依照本发明，通过至少150℃的热处理，所述第二材料然后与所述第一材料的板固定，用于制造所述模板。本发明还涉及用本方法制造的模板。

Description

有关模板的制造方法和制成的模板
技术领域
本发明涉及一种有关模板的制造方法，其中模板包括一个第一材料的平板和一个设置在所述板上的第二材料的三维结构，在本方法中，所述第二材料引入涂敷在所述平板上，形成所述结构。本方法最初开发用于通过使用纳米压印光刻(nanoimprint lithography)制造有关的半导体元件，依照本方法制成的模板可用作与这种半导体元件的系列制造有关的模板，但是它还可用于在其它硬质材料上有关纳米压印的光刻，所述硬质材料如陶瓷材料，金属或者具有相对高玻璃化转变温度的聚合物，对于我们例如生物传感器。
背景技术
微电子趋于向更小尺寸的方向发展。在理论上，已发展成每三年其尺寸减小一半。目前制造的商业元件其结构在尺寸上约为200nm，但是需要进一步减小尺寸，达到＜100nm。基于量子效应的相关元件的研究现在高度专业化，对于尺寸＜10nm的元件需要创造适于商业制造的技术。为研究的目的，这些纳米元件目前以单独样品的形式用连续的工艺制造，但是，为了大批量生产，需要并行的制造方法。近一段时间已开发的一个这种并行的生产方法是纳米压印光刻(NIL)，US5,772,905，已发表用于接近原子标度结构的大批量生产的基本前提，参照Stephen Y.Chou，Peter R.Krauss，Wei Zhang，LingjieGuo和Lei Zhuang等人的：“低于10nm的压印光刻和应用”(“Sub-10nm imprintlithography and application”)，J.Vac.Sci.Technol.B，Vol.15，No 6(1997)。
NIL的基本理论是薄膜层的机械变形，其中薄膜覆盖在硅平板上。NIL方法能够与用于CD的制造方法比较，并可描述成三个步骤：
1.模板的制造：能够以各种材料，例如金属，半导体，陶瓷或者某种塑料制造模板。为了在所述模板的一个表面上产生三维结构，根据结构尺寸和分辨率的要求，可使用各种光刻方法。对于尺寸小于300nm的结构，通常使用E光束和X射线光刻。对于较大的结构使用直接激光曝光和UV光刻。
2.压印：聚合物的薄层，例如聚酰胺，设置在硅的平基底上。加热所述薄层并以某一温度，所谓的压印温度将预定的模板和基底被压合在一起，模板结构的反面通过聚合物层传递到基底上。在温度降低后，模板从基底上分离。
3.结构传递：在聚合物层的压合区域中，留下聚合物的薄层。最后步骤是去除留在基底上的薄层。这是进行所谓的“RIE”或者O2等离子单元。该留下的层越薄，用纳米压印方法制造结构越精细。
在步骤1中使用的公知的方法，即模板的制造，是所谓的镀敷，尤其是电镀。在该方法中，半导体或者玻璃材料的平板由一聚合物材料层覆盖，所谓的光阻，优选是正片光阻，正片光阻在这一点上由聚合物光阻材料的部分限定，它被辐射曝光，可以通过显影方法除去，通常是在显影池中。通过辐射，例如通过电子束，UV辐射，激光或者X射线曝光，在光阻中以纳米尺寸定义图案，此后光阻依照图案在其已辐射部分被显影，以使平板在这些部分曝光。金属薄层，例如Cr，Au，Ag或者Al此后被除在平板的曝光部分和光阻的保留部分上。在随后的电镀方法中，所述金属层施加一层均匀的履盖层，为了其后对于均匀的电压分布能够均匀地接触。在这种电镀方法中，金属层构成电极，一较厚层(典型的约300μm)例如Ni在电镀期间被堆积在电极上。已堆积的Ni层然后从具有光阻和薄金属层的板上分离，简单地通过拉动它们使其互相分离，然后Ni层准备构成理想的模板。在该方法中，模板的结构可表示通常约110-130nm的高度，但是可以高达300nm。但是该方法的问题是它包括许多步骤，有许多必须协调的参数。另外，在平板中经常难于达到足够均匀的电压分布，而且不可能制造出非常小的结构，但它是在该领域未来发展非常需要的。
在模板制造中使用的另一方法是所谓的蚀刻。在这种情况下，半导体材料，硅/二氧化硅的平板由聚合物材料覆盖，所谓的光阻，优选是正片光阻。通过辐射图案以纳米尺寸定义在光阻中，其后光阻的辐射部分被显影，依照图案，以使平板在这些部分曝光。金属，例如Cr然后加在平板的曝光部分上，此后光阻的保留部分由拨离的方法被除去。理想的三维结构通过蚀刻，等离子蚀刻可显影，因此依照图案金属构成掩膜。从而，在半导体材料中进行蚀刻，并在具有金属的半导体材料中形成在结构，所述金属在结构的分离元件上作为顶层。十分经常产生的问题是蚀刻还在一定程度上作用于横向，使金属材料形成一个“帽”，其结构的每个分立元件稍微向外突出。该“帽”使基底上的聚合物材料依照上述第2关于压印步骤遇到危险，其导致压印结果不能接受。
到目前为止，还没有可能使用仅包括金属材料的三维结构的模板，所述金属材料由在上述蚀刻方法中依照第一步骤施加，即该步骤符合并包括拨离方法。这根据以下事实：金属在那种情况下施加得很厚，就会太松散以至不能粘接在基底上。因此，结构的部分从板就变得松散因此模板不久将为此不能使用。
发明内容
本发明的目的是解决上述复杂的问题，提供一种有关模板的制造方法，优选用于纳米压印光刻，该方法简单，廉价，可重复并制造小尺寸耐用结构，同时为随后的压印步骤提供有益的外形。
一种本发明的方法达到的这些和其它目的，由权利要求限定。
依照本发明制造的模板，通过形成结构的第二材料加在第一材料的板上，依照本身的公知技术，例如通过在光阻中图案形成后向板上蒸发第二材料，因此光阻材料构成掩膜。完成这些后，依照本发明在至少150℃下进行热处理步骤，但是低于第二材料的熔融温度，由此，所述具体结构被固定在板上，用于耐用模板的形成。
本发明不限于某种理论，可以通过在第一和第二材料表面之间，互相面对，相互产生化学作用达到理想的固定。例如，当第一材料包括SiO2和第二材料包括Cr时，在热处理中可能形成氧化铬，在中间层中可能只有一些原子，它就会在两个材料之间产生结合。
本发明提供一种有关模板制造的方法，该模板包括一个第一材料的平板(1)和一个布置在所述板上的第二材料的三维结构(6，8)，在本方法中，所述第二材料引入加在所述板上，以形成所述结构，其特征在于所述第二材料其后通过热处理(Q)固定在所述第一材料的板上，用于所述模板的制造，其中所述热处理(Q)在至少150℃，低于所述第二材料的熔融温度的温度进行，进行时间至少是1分钟，但最长是2小时，在氮气的气氛或在含氧的气氛中进行
附图说明
下面，参照附图进一步描述本发明，其中：
图1是表示在模板上有若干不同三维结构的断面图，其中有些是有益的，有些是无益的，
图2a-d是表示依照本发明的第一实施例用于模板制造工艺步骤的断面图，
图3a-c是表示依照本发明的第二实施例用于模板制造工艺步骤的断面图，
图4a-c是表示已依照本发明制造的三个不同模板的SEM图象的断面图和光透视图。
具体实施方式
在图1中，表示依照公知技术若干不同具体结构在模板上可制造的断面图。在板1上，已产生材料2的具体结构为3a-e的不同图象。具体的第3a号表示无益的外形，它在压印后在光阻中通过加热变软冷却凝固(在未图示的基底上)，它在基底上有陷入光阻中的危险。对第3b号也是这种情况，它依照上述公知的技术由蚀刻制造，并显示有一个突出的“帽”。相反，具体结构3c，3d和可能甚至3e对于压印是有益的。这种具体结构可以依照上述公知的技术通过电镀制造，但是不能将尺寸减小到足够小和不能足够简单。依照本发明，根据优选实例3c和3d，在模板上，以理想的小尺寸，以简单，廉价，耐用和可重复的方式可以制造有益的具体结构。
在图2a中，是表示第一材料板1的断面图，第一材料例如金属材料，半导体材料或者聚合物材料。在板1的一侧上，在前面步骤中，覆盖一层光阻材料层4，该光阻材料适合地为正片光阻。光阻材料4被辐射5曝光以定义理想结构的图案，辐射5优选包括电子束。但是也可以想象得到用X射线辐射，激光辐射或者UV辐射形成的辐射。图案可以在光阻材料4上包括如线或点。在图2b中，表示在以本身公知的方式显影光阻材料4后的模板，以使板1在图案已辐射部分中依照图案曝光，在依照本发明施加第二材料6后，优选通过蒸发，覆盖在板1的曝光部分上。第二材料6包括金属，优选从包括Al，Ni，Cr，W，Ti，Au或者同样的合金中选择，例如Ti-Au，以约150-300nm的厚度施加，从而形成三维结构。当然，金属6’也设置在光阻材料4上，用蒸发方法，但是它与本发明无关。与这有关的是，本发明的改进在于三维结构的厚度在蒸发时非常易于控制。
在图2c中，除去其余的光阻材料4，当有金属材料6’设在其上时也被除去。优选使用拨离的方法(lift-off process)完成，例如溶解在丙酮中，该方法本身是公知的。金属材料6留在板1上，形成理想的三维结构。但是对带有金属6可被用作模板的板1，它此时太松散以至于不能粘接在板1上。
在图2d中，是表示依照本发明在热处理步骤后，在此用符号“Q”表示，金属材料6在外形上如何稍微变化。该外形因此稍微延伸，变成更有益的倾斜，而且这非常重要，可能通过金属材料6和板1之间的界面上的化学互相作用，使金属材料6固定在板1上。依照本发明在比金属材料6的熔融温度低并当然比板1材料的熔融温度低的温度下进行热处理Q，适合地，加热期间的温度至少是200℃，优选至少是250℃和更加优选至少是350℃，但是最高是800℃，优选最高是750℃和更优选是650℃。另外，进行热处理的时间至少是1分钟，优选是2分钟和更加优选至少是5分钟，但最长是2小时，优选最长是1.5小时，更优选最长是1小时。热处理在含氧的气氛中进行，但也可以在氮气的气氛中进行，可以在炉中，在热板上或者在其它方式中进行。
在图3a-c中，表示依照本发明第二实施例用于模板制造的工艺步骤。板1，可以与图2a-d中的板具有相同的材料，在图3a中已覆盖一层150-300nm厚的聚合材料层7，优选光阻和更优选为负片光阻，例如负片光阻由Micro Resist Technology GmbH以名称为SU8出售。负片光阻就此而论由在曝光到加热或者辐射交联的聚合光阻材料限定，然后未曝光的部分可以通过显影方法的手段除去，通常根据光阻的类型用不同类型的显影池。光阻7由辐射5曝光，该光阻定义了理想结构的图案，辐射5适合地包括电子束。但是也可以想到用X射线辐射，激光辐射或者UV辐射形成的辐射。在光阻材料7中图案可以包括线或者点。
图3b是表示在光阻材料7以其本身公知的方式被显影后的模板，以除去光阻7的未曝光部分。保留部分8在低于依照本发明用于热处理温度的温度下由热处理干燥，其后具体结构8经过依照本发明的热处理，用符号“Q”表示。还在这种情况下，热处理的结果使其外形稍微多倾斜一些(图3c)，其意义是使具体结构8与板1粘合。以参照图2d所述的相同方式进行热处理Q，但是优选在低于限定的范围的温度下进行，例如在约260-300℃。
在图4a-c中，是表示依照本发明第一实施例制造的三个不同的模板，分别是在200℃，400℃和600℃下热处理10分钟。三维结构包括加在硅板上的铝线。已经在200℃(图4a)下热处理，金属很好地与板粘接，且对于压印目的具有足够好的外形。在400℃(图4b)下热处理，结构元件的外形变成稍微多一些有益的倾斜，在600℃(图4c)下热处理，明显地具有相当大的倾斜。
优选地，但是当然不限于此，所制造的模板用于为纳米尺寸结构的光刻的器件中，如在相同申请人的共同未授权申请SE-A0-9904517-1中所述。
本发明不限于上述的实施例，可以在权利要求的范围内进行各种变化。因此，可以认识到对于模板制造的方法还可以用于其它目的的相关制造，并不限于半导体元件，生物传感器等，例如有关CD的制造(密度盘)。还可以认识到，形成结构的第二材料可以以其它方式加在第一材料上，可能还没有开发。关于这一点，还可以想象第一和第二材料包括相同的材料。另外，可以认识到光阻层可以是本发明第二材料的应用，参照图2a，当第二材料为金属材料，可形成多于一层的光阻层，例如正片光阻的下层和负片光阻的上层，以在光阻材料中达到有益的切削外形的目的，如在相同申请人的共同未授权申请SE-A0-0001430-8中所述。

Claims (31)

1.一种有关模板制造的方法，该模板包括一个第一材料的平板(1)和一个布置在所述平板上的第二材料的三维结构(6，8)，在本方法中，所述第二材料引入加在所述平板上，以形成所述三维结构，其特征在于所述第二材料其后通过热处理(Q)固定在所述第一材料的平板上，用于所述模板的制造，其中所述热处理(Q)在至少150℃，低于所述第二材料的熔融温度的温度进行，进行时间至少是1分钟，最长是2小时，在氮气的气氛或在含氧的气氛中进行。
2.依权利要求l所述的方法，其用于纳米压印光刻。
3.依权利要求1所述的方法，其特征在于所述第一材料从包括金属材料，半导体材料，陶瓷材料或者聚合物材料的组中选择。
4.依权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于所述第二材料包括金属材料。
5.依权利要求4所述的方法，其特征在于所述金属材料从包括从Al，Ni，Cr，W，Ti，Au或者这些材料的合金中选择。
6.依权利要求1所述的方法，其特征在于所述第二材料包括聚合物材料。
7.依权利要求6所述的方法，其特征在于所述第二材料包括光阻材料。
8.依权利要求1或2所述的方法，其特征在于所述热处理(Q)在至少是200℃进行。
9.依上述权利要求1或2所述的方法，其特征在于所述热处理(Q)在至少是250℃进行。
10.依上述权利要求1或2所述的方法，其特征在于所述热处理(Q)在至少是350℃进行。
11.依上述权利要求1或2所述的方法，其特征在于所述热处理(Q)在最高是800℃进行。
12.依上述权利要求1或2所述的方法，其特征在于所述热处理(Q)在最高为750℃进行。
13.依上述权利要求1或2所述的方法，其特征在于所述热处理(Q)在最高为650℃进行。
14.依上述权利要求1或2所述的方法，其特征在于所述热处理(Q)进行时间至少是2分钟。
15.依上述权利要求1或2所述的方法，其特征在于所述热处理(Q)进行时间至少是5分钟。
16.依上述权利要求1或2所述的方法，其特征在于所述热处理(Q)进行时间最长是1.5小时。
17.依上述权利要求1或2所述的方法，其特征在于所述热处理(Q)进行时间最长是1小时。
18.依权利要求4所述的方法，其特征在于所述第二材料的引入应用包括步骤
(a)所述平板(1)在其一侧用光阻材料(4)层覆盖，
(b)由辐射(5)曝光步骤(a)中的光阻材料(4)，其限定了所述三维结构的图案，
(c)显影步骤(b)中的光阻材料(4)，以使平板(1)依照图案曝光，
(d)在平板(1)曝光的部分上施加所述第二材料，和
(e)除去光阻材料的保留部分，然后所述第二材料保留在平板(1)上，形成所述三维结构(6)。
19.依权利要求6所述的方法，其特征在于所述第二材料的引入应用包括步骤
(a)所述平板(1)在其一侧用所述第二材料层(7)覆盖，
(b)由辐射(5)曝光步骤(a)中的第二材料，其限定了所述三维结构的图案，
(c)显影步骤(b)中的第二材料，以使平板(1)依照图案曝光，和
(d)第二材料的保留部分在低于所述热处理温度的温度下固化，因此，所述第二材料形成所述三维结构(8)。
20.依权利要求18或19所述的方法，其特征在于
(b)以电子束的方式由辐射(5)曝光步骤(a)中的光阻材料(4)，其限定了所述三维结构的图案。
21.依权利要求18所述的方法，其特征在于
(c)显影步骤(b)中的光阻材料(4)，以使平板(1)依照图案曝光，其中曝光图案的被辐射部分。
22.依权利要求19所述的方法，其特征在于
(c)显影步骤(b)中的光阻材料(4)，以使平板(1)依照图案曝光，其中曝光图案的未辐射部分。
23.依权利要求18所述的方法，其特征在于
(d)通过蒸发在平板(1)曝光的部分上施加所述第二材料。
24.依权利要求18所述的方法，其特征在于
(e)以拨离的方法除去光阻材料的保留部分。
25.依上述权利要求1所述的方法，其特征在于所述第二材料以150-300nm施加用于形成所述三维结构(6，8)。
26.依上述权利要求3所述的方法，其特征在于所述第二材料以150-300nm施加用于形成所述三维结构(6，8)。
27.依上述权利要求4所述的方法，其特征在于所述第二材料以150-300nm施加用于形成所述三维结构(6，8)。
28.依上述权利要求6所述的方法，其特征在于所述第二材料以150-300nm施加用于形成所述三维结构(6，8)。
29.依上述权利要求8所述的方法，其特征在于所述第二材料以150-300nm施加用于形成所述三维结构(6，8)。
30.依上述权利要求14所述的方法，其特征在于所述第二材料以150-300nm施加用于形成所述三维结构(6，8)。
31.依上述权利要求18或19所述的方法，其特征在于所述第二材料以150-300nm施加用于形成所述三维结构(6，8)。
CNB01809984XA 2000-05-24 2001-04-10 有关模板的制造方法和制成的模板 Expired - Fee Related CN1236359C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE0001931A SE516414C2 (sv) 2000-05-24 2000-05-24 Metod vid tillverkning av en mall, samt mallen tillverkad därav
SE00019315 2000-05-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1434930A CN1434930A (zh) 2003-08-06
CN1236359C true CN1236359C (zh) 2006-01-11

Family

ID=20279811

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB01809984XA Expired - Fee Related CN1236359C (zh) 2000-05-24 2001-04-10 有关模板的制造方法和制成的模板

Country Status (10)

Country Link
US (1) US7022465B2 (zh)
EP (1) EP1290497B1 (zh)
JP (1) JP2003534651A (zh)
CN (1) CN1236359C (zh)
AT (1) ATE471533T1 (zh)
AU (1) AU2001247025A1 (zh)
DE (1) DE60142393D1 (zh)
HK (1) HK1052978B (zh)
SE (1) SE516414C2 (zh)
WO (1) WO2001090816A1 (zh)

Families Citing this family (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100827741B1 (ko) 2000-07-17 2008-05-07 보드 오브 리전츠, 더 유니버시티 오브 텍사스 시스템 임프린트 리소그래피 공정을 위한 자동 유체 분배 방법 및시스템
US7037639B2 (en) 2002-05-01 2006-05-02 Molecular Imprints, Inc. Methods of manufacturing a lithography template
US6936194B2 (en) 2002-09-05 2005-08-30 Molecular Imprints, Inc. Functional patterning material for imprint lithography processes
GB0229191D0 (en) * 2002-12-14 2003-01-22 Plastic Logic Ltd Embossing of polymer devices
US6951173B1 (en) 2003-05-14 2005-10-04 Molecular Imprints, Inc. Assembly and method for transferring imprint lithography templates
US6805054B1 (en) 2003-05-14 2004-10-19 Molecular Imprints, Inc. Method, system and holder for transferring templates during imprint lithography processes
KR100868887B1 (ko) * 2004-01-12 2008-11-17 더 리전트 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 나노 규모의 전기 석판 인쇄술
US7730834B2 (en) * 2004-03-04 2010-06-08 Asml Netherlands B.V. Printing apparatus and device manufacturing method
WO2005104756A2 (en) * 2004-04-27 2005-11-10 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Composite patterning devices for soft lithography
US8075298B2 (en) * 2004-09-08 2011-12-13 Nil Technology Aps Flexible nano-imprint stamp
US7676088B2 (en) * 2004-12-23 2010-03-09 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US20060144814A1 (en) * 2004-12-30 2006-07-06 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
CN100541326C (zh) * 2004-12-30 2009-09-16 中国科学院电工研究所 纳米级别图形的压印制造方法及其装置
US7490547B2 (en) * 2004-12-30 2009-02-17 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US20060144274A1 (en) * 2004-12-30 2006-07-06 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US7686970B2 (en) * 2004-12-30 2010-03-30 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US7354698B2 (en) * 2005-01-07 2008-04-08 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US7922474B2 (en) * 2005-02-17 2011-04-12 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US7329115B2 (en) * 2005-02-18 2008-02-12 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Patterning nanoline arrays with spatially varying pitch
US7523701B2 (en) * 2005-03-07 2009-04-28 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography method and apparatus
US7611348B2 (en) * 2005-04-19 2009-11-03 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US7762186B2 (en) * 2005-04-19 2010-07-27 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US7442029B2 (en) * 2005-05-16 2008-10-28 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US7692771B2 (en) * 2005-05-27 2010-04-06 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US20060267231A1 (en) 2005-05-27 2006-11-30 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US7708924B2 (en) * 2005-07-21 2010-05-04 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US7418902B2 (en) * 2005-05-31 2008-09-02 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography including alignment
US7377764B2 (en) * 2005-06-13 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US20070023976A1 (en) * 2005-07-26 2007-02-01 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US8011915B2 (en) * 2005-11-04 2011-09-06 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US7878791B2 (en) * 2005-11-04 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
EP1795958A1 (en) * 2005-12-07 2007-06-13 Electronics And Telecommunications Research Institute Method of fabricating nanoimprint mold
US7517211B2 (en) * 2005-12-21 2009-04-14 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US20070138699A1 (en) * 2005-12-21 2007-06-21 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
CN100396595C (zh) * 2005-12-27 2008-06-25 北京大学 应用纳米压印和反应离子刻蚀术制备纳米悬臂结构的方法
US20070134943A2 (en) * 2006-04-02 2007-06-14 Dunnrowicz Clarence J Subtractive - Additive Edge Defined Lithography
US20070290282A1 (en) * 2006-06-15 2007-12-20 Nanochip, Inc. Bonded chip assembly with a micro-mover for microelectromechanical systems
US20070121477A1 (en) * 2006-06-15 2007-05-31 Nanochip, Inc. Cantilever with control of vertical and lateral position of contact probe tip
US20070291623A1 (en) * 2006-06-15 2007-12-20 Nanochip, Inc. Cantilever with control of vertical and lateral position of contact probe tip
US20080023885A1 (en) * 2006-06-15 2008-01-31 Nanochip, Inc. Method for forming a nano-imprint lithography template having very high feature counts
US8015939B2 (en) 2006-06-30 2011-09-13 Asml Netherlands B.V. Imprintable medium dispenser
US8318253B2 (en) * 2006-06-30 2012-11-27 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
JP5061525B2 (ja) * 2006-08-04 2012-10-31 株式会社日立製作所 インプリント方法及びインプリント装置
US20080074792A1 (en) * 2006-09-21 2008-03-27 Nanochip, Inc. Control scheme for a memory device
US20080074984A1 (en) * 2006-09-21 2008-03-27 Nanochip, Inc. Architecture for a Memory Device
US20090038636A1 (en) * 2007-08-09 2009-02-12 Asml Netherlands B.V. Cleaning method
US7854877B2 (en) 2007-08-14 2010-12-21 Asml Netherlands B.V. Lithography meandering order
US8144309B2 (en) 2007-09-05 2012-03-27 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US7906274B2 (en) 2007-11-21 2011-03-15 Molecular Imprints, Inc. Method of creating a template employing a lift-off process
EP2563453B1 (en) 2010-04-28 2017-02-08 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Nanopatterned medical device with enhanced cellular interaction and method for its forming
KR20140079429A (ko) 2011-10-27 2014-06-26 킴벌리-클라크 월드와이드, 인크. 생체활성 제제를 전달하기 위한 이식형 기구
TW201445246A (zh) * 2013-05-31 2014-12-01 Nanocrystal Asia Inc 無缺陷模仁之製造方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3954469A (en) * 1973-10-01 1976-05-04 Mca Disco-Vision, Inc. Method of creating a replicating matrix
US4336320A (en) * 1981-03-12 1982-06-22 Honeywell Inc. Process for dielectric stenciled microcircuits
JPH01171817A (ja) * 1987-12-28 1989-07-06 Canon Inc 情報記録媒体用基板の製造方法
JPH085072B2 (ja) * 1987-12-29 1996-01-24 キヤノン株式会社 情報記録媒体用基板の製造方法
JPH01309989A (ja) * 1988-06-09 1989-12-14 Asahi Glass Co Ltd 樹脂またはガラス基板成型用スタンパー
JPH02149952A (ja) * 1988-11-30 1990-06-08 Sharp Corp スタンパー製造方法
DE3937308C1 (zh) * 1989-11-09 1991-03-21 Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe, De
JPH04109536A (ja) * 1990-08-29 1992-04-10 Mitsubishi Electric Corp プラズマデイスプレイの製造方法
JPH04147101A (ja) * 1990-10-09 1992-05-20 Brother Ind Ltd マイクロレンズアレイ及びその製造方法
JP3077188B2 (ja) * 1990-10-22 2000-08-14 ブラザー工業株式会社 光導波路の製造方法
US5298366A (en) * 1990-10-09 1994-03-29 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Method for producing a microlens array
DE4219667C2 (de) 1992-06-16 1994-12-01 Kernforschungsz Karlsruhe Werkzeug und Verfahren zur Herstellung einer mikrostrukturierten Kunststoffschicht
US5512131A (en) 1993-10-04 1996-04-30 President And Fellows Of Harvard College Formation of microstamped patterns on surfaces and derivative articles
US5494782A (en) * 1994-07-29 1996-02-27 Sony Corporation Direct to stamper/mother optical disk mastering
DE19510096A1 (de) * 1995-03-20 1996-09-26 Leybold Ag Matrize zum Abformen von Schallaufzeichnungen und Verfahren zu ihrer Herstellung
US5944974A (en) * 1995-07-01 1999-08-31 Fahrenberg; Jens Process for manufacturing mold inserts
US5645977A (en) 1995-09-22 1997-07-08 Industrial Technology Research Institute Method of making molds for manufacturing multiple-lead microstructures
US5772905A (en) * 1995-11-15 1998-06-30 Regents Of The University Of Minnesota Nanoimprint lithography
DE19755712B4 (de) * 1997-12-15 2005-09-01 Industrial Technology Research Institute, Chutung Verfahren zum Erzeugen von Stanzstempeln für gestanzte IC-Mikrostrukturen
DE19815130A1 (de) 1998-04-03 1999-10-14 Bosch Gmbh Robert Herstellung eines metallischen Stempels zur Definition von Nanostrukturen
EP1171800B1 (en) * 2000-02-07 2006-04-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Stamp for use in a lithographic process, method of manufacturing a stamp, and method of manufacturing a patterned layer on a substrate
WO2003099536A1 (en) * 2002-05-24 2003-12-04 Chou Stephen Y Methods and apparatus of field-induced pressure imprint lithography

Also Published As

Publication number Publication date
US7022465B2 (en) 2006-04-04
AU2001247025A1 (en) 2001-12-03
SE0001931D0 (sv) 2000-05-24
US20030139042A1 (en) 2003-07-24
DE60142393D1 (de) 2010-07-29
SE0001931L (sv) 2001-11-25
ATE471533T1 (de) 2010-07-15
EP1290497B1 (en) 2010-06-16
SE516414C2 (sv) 2002-01-15
HK1052978B (zh) 2010-09-17
CN1434930A (zh) 2003-08-06
HK1052978A1 (en) 2003-10-03
JP2003534651A (ja) 2003-11-18
EP1290497A1 (en) 2003-03-12
WO2001090816A1 (en) 2001-11-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1236359C (zh) 有关模板的制造方法和制成的模板
EP1656242B1 (en) Capillary imprinting technique
US6817293B2 (en) Patterning method with micro-contact printing and its printed product
US6270946B1 (en) Non-lithographic process for producing nanoscale features on a substrate
Li et al. Fabrication of circular optical structures with a 20 nm minimum feature size using nanoimprint lithography
CN102540702B (zh) 压印引导的嵌段共聚物图案化的系统和方法
EP1633545B1 (en) Method to reduce adhesion between a conformable region and a pattern of a mold
EP1816518A2 (en) Mold for imprint, process for producing minute structure using the mold, and process for producing the mold
CN1871556A (zh) 具有对准标记的刻印平板印刷模板
WO2003084863A1 (en) A method for making a nano-stamp and for forming, with the stamp, nano-size elements on a substrate
CN1800984A (zh) 一种负型纳米压印方法
US20100140218A1 (en) Positive Tone Bi-Layer Method
WO2003053845A2 (en) Chemical functionalization nanolithography
DE60218755T2 (de) Verfahren zur herstellung von strukturen auf nanomassstab in lichtaushärtbaren zusammensetzungen mit einem elektrischen feld
Anderson et al. Advances in nanolithography using molecular rulers
CN1619417A (zh) 多层超微压印平版印刷
Janicki et al. Selective electric field assisted dissolution as a technique for micro and nano structuring of metal thin films
KR101049218B1 (ko) 적용 가압력 제거를 이용한 미세 패턴 형성 방법
US7320283B2 (en) Nanoprinting method
US20030228418A1 (en) Replication of nanoperiodic surface structures
US7261830B2 (en) Applying imprinting material to substrates employing electromagnetic fields
Xia Soft lithography: micro-and nanofabrication based on microcontact printing and replica molding
Ruiz Molina et al. Method for providing a thin film having a chemical composition thar is spatially structured on a micrometric or nanometric scale on a substrate.
Schumaker et al. Applying imprinting material to substrates employing electromagnetic fields
WO2005043241A2 (en) Method for simultaneous patterning of features with nanometer scale gaps

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20060111

Termination date: 20110410