CN1213214A - 功率分流/合并电路、大功率放大器和平衡不平衡转换电路 - Google Patents

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Abstract

一种大功率放大器,包括有一同相输出端以及第一、二反相输出端的第一平衡不平衡转换器,第一、二反相输出端的信号比同相输出端的信号滞后180度;与第一、二反相输出端连接的其特性相同的第一、二功率放大器电路;与同相输出端连接的第三功率放大器电路,其输出功率是第一、二功率放大器电路的两倍;第二平衡不平衡转换器,包括第一、第二反相输入端和一同相输入端,将接收的第一、第二和第三功率放大器电路的输出合并并传送出去。

Description

功率分流/合并电路、大功率放大器和平衡不平衡转换电路
本发明涉及主要应用在蜂窝电话基地台上的大功率放大器和大功率放大器用的平衡不平衡转换器电路。
能够传送数十至数百瓦功率的大功率放大器已经被应用在数字移动通讯基地台。这种大功率放大器包括为获取大功率的多个并行组合的推挽放大器,其中,每一个推挽放大器包括两个并联的相同晶体管,提供的信号相互具有180度位相差。Butterworth/Heinamann出版的由Norm Dye和Helge Granberg编写的“射频晶体管”第113至116页中给出了对推挽放大器的描述。因此,这里不作详细描述。这种功率放大器电路需要一个功率分流器/合并器电路以及电路的每个输入和输出端有一个平衡不平衡转换器。
下面将参照图11描述传统的大功率放大器。在图11中,标号501表示n路功率分流器,标号502表示n路功率合并器,标号503、504表示n个平衡不平衡转换器,标号505表示n对推挽放大器。下面将参照图12和13对这一结构中采用的功率分流器/合并器电路进行描述。图12和13示出威尔金森功率分流器电路的结构。图12A示出一般的威尔金森功率分流器电路。标号601表示输入端,标号602表示n条四分之一波长线,标号603表示n个隔离电阻,标号604表示n个输出端。图12B示出能够被配置成平面电路的2路分流器的树形结构。标号605表示输入端,标号606表示两条四分之一波长线,标号607表示一个隔离电阻,标号608表示四条四分之一波长线,标号609表示两个隔离电阻,标号610表示四个输出端。此外,图13示出一种非对称型分流器。标号611表示输入端,标号612、613、616、617表示特征阻抗相互不同的四分之一波长线,标号614和618表示隔离电阻,标号615、619和620表示阻抗变换电路。在Sogo Denshi出版的由Yoshihiro Konishi编写的“微波电路及其应用基础”第205至210页中已经对威尔金森功率合并器作了描述。因此,这里不作详细描述。
图14示出传统的平衡不平衡转换器的结构。标号701表示不平衡端,标号702表示特征阻抗为50Ω的四分之一波长同轴线,标号703表示同相输出端,标号704表示反相输出端。Butterworth/Heinamann出版的由Norm Dye和HelgeGranberg编写的“射频晶体管”一书第179至181页中给出了对平衡不平衡转换器的描述。因此,这里不作详细描述。
根据上述结构,传统的大功率放大器通过将多个推挽放大器的输出功率合并已获得基地台发射所需的大功率。
尽管图12A所示的威尔金森功率分流器电路一次能够将功率分流为n路端口,但是这种电路不能作为平面电路来获得。为此,通常采用图12B和13所示的结构。然而,图12B所示的结构由于较长的传输路程在分流器/合并器中产生较大的损耗。此外,这种结构还存在一个通用性差的问题,因为功率只能按照2n路被分流和传送。另外,图13所示的结构存在一个功率分流不平衡的问题,因为输出的传输路程长度相互不同。再有,由于采用了同轴线,图14所示的平衡不平衡转换器的电路较大,因此存在难以小型化的问题。
为了解决传统大功率放大器电路中所碰到的这些问题,本发明的一个目的是提供一种因采用较少数目的元件而大大缩小电路尺寸的大功率放大器电路。
例如,根据本发明的大功率放大器电路在一块由多块电介质板叠合形成的多层板上包括威尔金森n路分流器/n路合并器电路和各有一个输入端、一个同相输出端和两个反相输出端的平衡不平衡转换器。
在本发明的大功率放大器中,通过采用一块多层板以及通过将隔离电阻经通孔连接到公共端可获得以往难以作为平面电路获得的四路或更多路分流的威尔金森功率分流器。此外,通过采用一块多层板以及通过在条带线的上下层中设置耦合线,从而获得两个反相输出,可以构造出以往采用同轴线构造的平衡不平衡转换器。采用这一结构,能够把功率分流器/合并器电路和平衡不平衡转换器形成在单块多层板上,因此能够大大缩小大功率放大器电路的体积。此外,由于平衡不平衡转换器能够传送两个反相输出,分流的数目被减少,因此分流器的电路尺寸可以做得很小。此外,由于一次能够进行n路分流/n路合并,可以减少损耗,因此能够提高功率放大器的效率。
此外,本发明的另一个目的是使电路进一步缩小。
为了实现这些目的,本发明提供这样一个大功率放大器,它包括:
把输入信号的一半传送到同相输出端以及还把所述输入信号的四分之一传送到第一和第二反相输出端的第一平衡不平衡转换器,传送到所述第一和第二反相输出端的所述信号比传送到所述同相输出端的所述信号滞后180度;
与所述第一平衡不平衡转换器的所述第一和第二反相输出端连接的并具有相同特性的第一和第二功率放大器电路;
与所述第一平衡不平衡转换器的所述同相输出端连接的第三功率放大器电路,其输出功率基本是所述第一和第二功率放大器电路的两倍;
第二平衡不平衡转换器,具有接收所述第一和第二功率放大器电路输出的第一和第二反相输入端和接收所述第三功率放大器电路输出的同相输入端,将所述第一、第二和第三功率放大器电路的输出合并,并将合并输出传送出去。
图1示出根据本发明第一实施例的大功率放大器的结构。
图2A是表明根据第一实施例的大功率放大器的平衡不平衡转换器的截面图;图2B是表明平衡不平衡转换器导体图案的视图;图2C是说明平衡不平衡转换器工作的视图。图2D是表明包含两个功率分流器/合并器电路和四个平衡不平衡转换器的传统大功率放大器的示意图。
图3示出根据本发明第二实施例的大功率放大器的结构。
图4A是表明根据第二实施例的大功率放大器的4路功率分流器的截面图;图4B示出4路功率分流器的导体图案;图4C是4路功率分流器的电路图。
图5示出根据第二实施例的第二个例子的6路功率分流器的导体图案。
图6示出根据本发明第三实施例的平衡不平衡转换器的结构。
图7示出根据本发明第四实施例的平衡不平衡转换器的结构。
图8示出根据本发明第五实施例的平衡不平衡转换器的结构。
图9示出本发明平衡不平衡转换器中一部分主线与耦合线之间配置关系的一个例子。
图10示出本发明平衡不平衡转换器中一部分主线与耦合线之间配置关系的另一个例子。
图11示出传统的大功率放大器的结构。
图12A是一般的威尔金森(Wilkinson)功率分流器的电路图;图12B是包含威尔金森2路功率分流器的一路输入、多路分流器的电路图。
图13是包含威尔金森非对称功率分流器的一路输入、多路分流器的电路图。
图14示出大功率放大器的传统平衡不平衡转换器的结构。
图中标号分别表示:
101、102平衡不平衡转换器
207主线
208第一耦合线
209第二耦合线
214同相输出端
215第一反相输出端
216第二反相输出端
301、302 4路功率分流器
303大功率放大器
407-410第一至第四四分之一波长线
411-414第一至第四隔离电阻器
421-424第一至第四4路分流输出端
501 n路功率分流器
502 n路功率合并器
503、504平衡不平衡转换器
505推挽放大器
1010、1020、2010-2040、3010-3050介电层
1030、2050、3060输入线
1040主线
1050、1060、2080、2090、3090、3100耦合线
1070、1080、2100、2110、3110、3120输出线对
1090、1100、2120-2160、3130-3170通孔
1110-1130、2170-2210、3180-3220接地导体
2060、2070、3070、3080主线部分
3230屏蔽导体层
7040、8040部分主线
7050、8050耦合线
从以下参照说明本发明实施例的附图给出对本发明的描述。
(实施例1)
图1示出根据本发明的第一实施例的大功率放大器的结构。参照图1,标号101、102表示平衡不平衡转换器,标号103、104表示具有相同特性的功率放大器,标号105表示输出功率为功率放大器103或104输出功率两倍的功率放大器,标号106表示输入端,标号107表示输出端。
在这一结构中,参照图2A至2C将详细描述本发明所采用的平衡不平衡转换器。图2A是表明由电介质多层板所形成的平衡不平衡转换器的截面图,图2B是表明每个导体图案层上导体图案的视图,图2C是说明平衡不平衡转换器工作情况的图。
参考图2A,标号201至203表示第一至第三导体图案层,标号204、205表示第一和第二电介质层。参考图2B,上图示出第一导体图案层201,中图示出第二导体图案层202,下图示出第三导体图案层203。标号206表示设置在第二导体图案层202上的向其输入信号的输入端。标号207表示与输入端连接的主线。在主线的另一端,形成第一通孔212。标号208表示设置在第一导体图案层201上的第一耦合线。标号209表示设置在第三导体图案层203上的第二耦合线。主线和耦合线形成在处于相互面对面关系并产生电磁耦合的位置上。标号210表示设置在第一导体图案层201上的第一接地导体,标号211表示设置在第三导体图案层203上的第二接地导体。接地导体210、211分别与耦合线208、209连接。标号212表示在主线207的另一端上形成的第一通孔,标号213表示在第二耦合线209的另一端上形成的第二通孔。标号214表示在第一导体图案层201上形成的与第一通孔连接的同相输出端。标号215表示在第一导体图案层201上第一耦合线的另一端形成的第一反相输出端。标号216表示在第一导体图案层201上形成的并与第二通孔213连接的第二反相输出端。参考图2C,标号217表示输入端,标号218表示主线,标号219、220分别表示第一和第二耦合线。标号221表示同相输出端,标号222、223分别表示第一和第二反相输出端。
参考图2C,从输入端217输入的射频信号按功率分流并传送到第一耦合线210和第二耦合线220,它们按一定的耦合程度相耦合。通过让第一和第二耦合线的输入端接地,第一和第二反相输出端的输出信号与输入信号位相相差180耦合程度是根据电介质的介电常数和厚度和主线和耦合线的宽度确定的。在本实施例中,在实施例的输入和输出端上采用具有上述结构并能够从一个输入获得一个同相输出和两个反相输出的平衡不平衡转换器。因此,在本实施例的大功率放大器中的元件数目可以少于图2D所示的传统大功率放大器的元件数目。它包括两个功率分流器电路和四个平衡不平衡转换器,由此可以使功率放大器的电路更小。
(实施例2)
图3示出根据本发明的第二实施例的大功率放大器的结构。参考图3,标号301、302表示4路功率分流器,标号303表示第一实施例中所述的大功率放大器,标号304表示输入端,标号305表示输出端。
在这一结构中,下面将参考图4A至4C详细描述本发明采用的4路功率分流器。图4A是表明由电介质多层板形成的4路功率分流器的截面图。图4B是表明多层板上各导体图案层的导体图案图。图4C是4路分流器的电路图。参考图4A,标号401至403表示第一至第三导体图案层,标号404、405表示第一和第二电介质层。参考图4B,标号406表示输入端,标号407至410表示第一至第四四分之一波长线,标号411至414表示第一至第四隔离电阻,标号415表示第一通孔,标号416表示公共端,标号417至419表示第二至第四通孔,标号420表示屏蔽导体,标号421至424表示第一至第四分流输出端。参考图4C,标号425表示输入端,标号426表示四分之一波长线,标号427表示隔离电阻,标号428表示分流输出端。
此外,标号407a表示第一四分之一波长线407的远离输入端406的一端。标号408a表示第二四分之一波长线408的远离输入端406的一端。标号429a表示第一输出线,标号429b表示第二输出线。
此外,标号409a表示第三四分之一波长线409的一端,设置在与第一通孔415相反一侧。标号410a表示第四四分之一波长线410的一端,设置在与第一通孔415相反一侧。标号430a表示第三输出线,标号430b表示第四输出线。
以下将描述通过采用如图4A所示的三层电介质板实现如图4C所示的非平面威尔金森4路功率分流器的方法。
参考图4B将描述如图4A所示的第一至第三导体图案层。从输入端406输入的信号被分流并传送到第一四分之一波长线407和第二四分之一波长线408,二者具有相同的特性阻抗,通过第一通孔415还被分流和传送到第三四分之一波长线409和第四四分之一波长线410。此外,四分之一波长线407至410的另一端分别借助第一至第四隔离电阻411至414与公共端416-a和公共端416-b连接,公共端416-b通过第二通孔417与公共端416-a连接。这些分流输出从第一至第四分流输出端421至424传送出去。
此外,在第一导体图案层410与第三导体图案层403之间的第二导体图案层402上设置了环绕通孔挖空的屏蔽导体420,防止第一导体图案层401与第三导体图案层403之间信号干扰。采用具有上述结构的4路分流器和第一实施例中公开的平衡不平衡转换器在同一电介质多层板上形成大功率放大器。因此,本发明实施例的大功率放大器中元件数目可以比包括两个8路分流器电路(14个2路功率分流器)和16个平衡不平衡的传统大功率放大器中元件数目少,因此电路能够做得更小。此外,由于4路分流和4路合并是一次进行的,可以减少损失,提高功率放大器的效率。
上述第二实施例中采用的功率放大器是4路功率分流器型的。然而,通过增加电介质板的层数,能够获得4路或更多路分流。例如,图5示出由五层电介质板形成的6路功率分流器电路。
参考图5,标号451表示输入端,标号452至457表示第一至第六四分之一波长线,标号458至463表示第一至第六隔离电阻,标号464表示第一通孔,标号465-a、465-b表示公共端,标号466至472表示第二至第八通孔,标号473、474表示第一和第二屏蔽导体,标号475至480表示第一至第六分流输出端。
采用这一结构,与第二实施例的4路功率分流电路中恰好一样,从输入端451输入的信号被分流并经第一通孔464传送到六个四分之一线452至457。此外,四分之一线452至457的另一端分别通过第一至第六隔离电阻458至463与公共端465-a和公共端465-b连接,公共端465-b经第二通孔466与公共端465-a连接。第三导体图案层的隔离电阻460、461分别经第三和第四通孔467、468引至第一导体图案层并与公共端465-a连接。尽管在以上描述中第三和第四隔离电阻460、461被引至第一导体图案层,但是当把这些电阻引至第五导体图案层并与公共端465-b连接时可获得同样的电路。
此外,通过对这一结构进行扩展,能够形成特定分流数目的功率分流器。采用这种结构,与采用第二实施例的4路功率分流器电路的情况一样,能够使分流数目较大的大功率放大器做得更小,减少元件数目,由此能够进一步提高功率放大器的效率。
如上所述,在本发明的大功率放大器中,功率分流器电路及其平衡不平衡转换器是在电介质多层板上形成的,因此,提供了能够减少元件数目和使电路做得很小的优点,而不象传统的功率分流器电路和平衡不平衡转换器那样尺寸较大。
根据上述本发明高输出放大器电路的分流器(合并器)和平衡不平衡转换器以及传统的大输出放大器电路是相互独立形成的。
然而,需要具体实施的是具有分流器(合并器)功能的平衡不平衡转换器电路,而不是独立形成。
(实施例3)
图6示出根据本发明第三实施例的平衡不平衡转换器的结构。参考图6,标号1010、1020表示第一和第二电介质层,标号1030表示输入线,标号1040表示主线,标号1050、1060表示第一和第二耦合线,标号1070、1080表示第一和第二输出线对,标号1090、1100表示第一和第二通孔,标号1110至1130表示第一至第三接地导体。假设:第一至第三接地导体1110至1130经通孔或类似物(未示出)已经相互电连接。在上述电极和线路中,设置在同一平面上的电极和线路形成每一层,这些层对应于本发明的导体图案层。这些导体图案层与第一和第二电介质层交替层叠,形成本发明的多层。
下面将描述具有上述结构的平衡不平衡转换器的工作情况。
当射频信号输入到输入线1030时,在主线1040与第一耦合线1050之间以及主线1040与第二耦合线1060之间产生电磁耦合,第一和第二耦合线1050、1060设置在主线1040附近。当二者的耦合程度相同时,射频信号被等量地分流并传送到第一和第二耦合线1050、1060。分流信号被进一步分流成两个相等的信号,这两个信号被传送到分别与第一耦合线1050两端连接的第一输出线对1070的两条线上。两个信号间相位相互相差180度。以同样的方式,两个等量的相互间相位相差180度的分流射频信号也被传送到分别与第二耦合线1060两端连接的第二输出线对1080的两条线上。换句话说,如图6所示的平衡不平衡转换器电路具有2路功率分流器的功能以及平衡不平衡转换器的功能。此外,主线1040与第一和第二耦合线1050、1060之间的耦合程度是根据主线1040与第一和第二耦合线1050、1060之间第一电介质层的介电常数和厚度以及主线1040和第一和第二耦合线1050、1060的宽度确定的。
采用如图6所示的结构,同分流器(合并器)和平衡不平衡转换器相互单独形成的结构相比,能够进一步使电路做得小得多。
在本发明的上述实施例中采用两条耦合线,根据本发明的平衡不平衡转换器具有2路分流的功能,对此已作说明。然而,除了这些结构以外,也可以采用具有三条或更多条耦合线和N路分流功能的平衡不平衡转换器电路。
此外,已经说明,根据本发明的本实施例的两条耦合线是在同一导体图案层上形成的。然而,除了这种结构外,两条耦合线可以分别在形成有主线的导体图案层之外的不同导体图案层上形成。
另外,已经说明,根据本发明的本实施例的主线仅仅在一个导体图案层上形成。然而,主线也可以在多个导体图案层上形成。
再有,已经说明,主线与两条耦合线中一条耦合线之间的耦合程度同主线与另一条耦合线之间的耦合程度相同。然而,可以采用不同的耦合程度来形成具有非对称分流功能的平衡不平衡转换器。
(实施例4)
接着,将参考附图说明本发明的第四实施例。图7示出根据本发明第四实施例的平衡不平衡转换器。参考图7,标号2010至2040表示第一至第四电介质层,标号2050表示输入线,标号2060、2070表示第一和第二主线部分,标号2080、2090表示第一和第二耦合线,标号2100、2110表示第一和第二输出线对,标号2120至2160表示第一至第五通孔,标号2170至2210表示第二至第五接地导体。第一至第五接地导体2170至2210应当经通孔或类似物(未示出)相互电连接。在上述电极和线路中,设置在同一平面上的电极和线路形成每一层,这些层对应于本发明的导体图案层。这些导体图案层与第一至第四电介质层2010至2040交替层叠,形成本发明的多层。此外,第一和第二主线部分2060、2070和用于连接第一和第二主线部分的第二通孔2130形成本发明的主线。第一主线部分2060与第一耦合线2080之间的耦合程度应当同第二主线部分2070与第二耦合线2090之间的耦合程度相同。
具有上述结构的平衡不平衡转换器的工作情况与第三实施例的情况相同。
采用如图7所示的结构,平衡不平衡转换器的安装面积可以比第一和第二耦合线形成在同一平面上的第三实施例的平衡不平衡转换器电路更小。
在本发明的上述实施例中采用两条耦合线,根据本发明的平衡不平衡转换器具有2路分流的功能,对此已作说明。然而,除了这些结构以外,也可以采用具有三条或更多条耦合线和N路分流功能的平衡不平衡转换器电路。在这种情况下,可以把多个主线部分设置在同一个导体图案层上,其中多个主线部分在该导体图案层上可以不直接相互连接。
此外,在本发明的上述实施例中,已经说明在一个导体图案层上仅形成一条耦合线。然而,除了这种结构外,在一个导体图案层上可以形成两条或更多条耦合线。
另外,在上述实施例中已经说明,主线部分和耦合线全都形成在不同导体图案层上。然而,可以将相互不耦合的主线部分和耦合线形成在同一导体图案层上。采用这一结构,可以减少相互层叠的电介质层的数目和导体图案层的数目。
再有,已经说明,两个主线部分中一个主线部分与两条耦合线中一条耦合线之间的耦合程度同另一主线部分与另一条耦合线之间的耦合程度相同。然而,可以采用不同的耦合程度来形成具有非对称分流功能的平衡不平衡转换器。
(实施例5)
接着,将参考附图说明本发明的第五实施例。图8示出根据本发明第五实施例的平衡不平衡转换器的结构。参考图8,标号3010至3050表示第一至第五电介质层,标号3060表示输入线,标号3070、3080表示第一和第二主线部分,标号3090、3100表示第一和第二耦合线,标号3110、3120表示第一和第二输出线对,标号3130至3170表示第一至第五通孔,标号3180至3220表示第二至第五接地导体,标号3230表示屏蔽导体层。第一至第五接地导体应当经通孔或类似物(未示出)与屏蔽导体层3230电连接。在上述电极和线路中,设置在同一平面上的电极和线路形成每一层,这些层对应于本发明的导体图案层。这些导体图案层和屏蔽导体层3230与第一至第五电介质层3010至3050交替层叠,形成本发明的多层。此外,第一和第二主线部分3070、3080和用于相互连接第一和第二主线部分的第二通孔3140形成本发明的主线。第一主线部分3070与第一耦合线3090之间的耦合程度同第二主线部分3080与第二耦合线3100之间的耦合程度相同。
具有上述结构的平衡不平衡转换器的工作情况同第三实施例的情况相同,不同的只是有关屏蔽导体层3230的工作情况。
本发明设置屏蔽导体层3230是为了阻止第一主线部分3070与第二主线部分3080之间不希望有的耦合、第一主线部分3070与第二耦合线3100之间不希望有的耦合、以及第二主线部分3080与第一耦合线3090之间不希望有的耦合。
在本发明的上述实施例中采用了两条耦合线,根据本发明的平衡不平衡转换器具有2路分流的功能,对此已作说明。然而,除了这些结构以外,也可以采用具有三条或更多条耦合线和N路分流功能的平衡不平衡转换器电路。在这种情况下,可以把多个主线部分设置在同一个导体图案层上,其中多个主线部分在该导体图案层上可以不直接相互连接。
此外,在上述实施例中,已经说明在一个导体图案层上仅形成一条耦合线。然而,除了这种结构外,在一个导体图案层上可以形成两条或更多条耦合线。
另外,在上述实施例中已经说明,主线部分和耦合线全都形成在不同导体图案层上。然而,可以将相互不耦合的主线部分和耦合线形成在同一导体图案层上。采用这一结构,可以减少层叠的电介质层的数目和导体图案层的数目。
再有,已经说明,两个主线部分中一个主线部分与两条耦合线中一条耦合线之间的耦合程度同另一主线部分与另一条耦合线之间的耦合程度相同。然而,可以采用不同的耦合程度来形成具有非对称分流功能的平衡不平衡转换器。
还有,已经说明根据本发明上述实施例的屏蔽导体层是在一个导体图案层的整个表面上形成的,然而,除了这种结构外,屏蔽导体可以形成在多个导体图案层上,或者形成在其上形成有其它电极和线路的一个导体图案层的部分表面上,只要将设置屏蔽导体的导体图案层夹在设置主线的多个导体图案层中至少两个层当中。
此外,已经说明在上述本发明第三至第五实施例中所有的主线和耦合线部分由直线形成。然而,除了这种结构外,这些线路的部分或全部可以由曲线形成,只要设置一部分的主线与耦合线相互构成面对面的关系,从而在垂直导体图案层表面的方向上相互重叠,象图9中所示的主线部分7040与耦合线7050之间的关系那样。另外,可以将相互构成面对面的关系的一部分主线和耦合线如此设置,从而当耦合线在垂直主线长度方向的方向上平移但不旋转时相互重叠,象图10中所示的主线部分8040与耦合线8050之间的关系那样。总之,面向一部分主线的耦合线应当仅设置在除了设置有该部分主线的导体图案层之外的导体图案层上,从而与耦合线面向的该部分主线产生电磁耦合。然而,在将耦合线设置成当耦合线在垂直部分主线长度方向的方向上平移但不旋转时相互重叠的情况中,其耦合程度要比耦合线与部分主线在垂直导体图案层表面方向上完全相互重叠的情况中的耦合程度小。
通过以上描述作了清楚地公开,本发明提供一种通过注入分流器(合并器)功能而使电路做得很小的平衡不平衡转换器。因此,本发明在使大功率放大器小型化方面是有效的,其中将多个推挽放大器并行组合。

Claims (13)

1.一种大功率放大器,其特征在于它包括:
把输入信号的一半传送到同相输出端以及还把所述输入信号的四分之一传送到第一和第二反相输出端的第一平衡不平衡转换器,传送到所述第一和第二反相输出端的所述信号比传送到所述同相输出端的所述信号滞后180度;
与所述第一平衡不平衡转换器的所述第一和第二反相输出端连接的并具有相同特性的第一和第二功率放大器电路;
与所述第一平衡不平衡转换器的所述同相输出端连接的第三功率放大器电路,其输出功率基本是所述第一和第二功率放大器电路的两倍;
第二平衡不平衡转换器,具有接收所述第一和第二功率放大器电路输出的第一和第二反相输入端和接收所述第三功率放大器电路输出的同相输入端,将所述第一、第二和第三功率放大器电路的输出合并,并将合并输出传送出去。
2.如权利要求1所述的大功率放大器,其特征在于:所述第一和第二平衡不平衡转换器各包括:
至少两个叠合的电介质板,即第一和第二电介质板、由所述第一电介质板与所述第二电介质板之间的导体图案形成的四分之一波长主线(218)、由所述第一电介质板与所述主线相反一面上导体图案形成的第一四分之一波长耦合线(219)、以及由所述第二电介质板与所述主线相反一面上导体图案形成的第二四分之一波长耦合线(220),
所述第一和第二耦合线(219、220)是这样形成的,使它们与所述主线(218)产生电磁耦合,
所述主线的一端用作信号输入端,与所述主线的所述输入端相对应的所述第一和第二耦合线的端部接地,所述主线的另一端用作同相输出端,所述第一耦合线的另一端用作第一反相输出端,所述第二耦合线的另一端用作第二反相输出端。
3.一种大功率放大器,包括将输入信号分流为至少四路输出的功率分流器电路、所述大功率放大器电路和将所述大功率放大器电路的输出进行合并的功率合并器电路,根据权利要求1的所述大功率放大器电路与所述功率分流器电路的输出端连接,所述功率合并器电路的输入端与所述大功率放大器电路的所述输出端连接并合并大功率放大器电路的输出。
4.如权利要求3所述的大功率放大器,其特征在于:所述功率分流器电路和所述第一平衡不平衡转换器和/或所述第二平衡不平衡转换器和所述功率合并器电路是在同一电介质多层板上形成的并合并大功率放大器电路的输出。
5.一种功率分流器或合并器电路,包括:
至少两个叠合的电介质板,即第一和第二电介质板;
在所述第一与第二电介质板之间形成的屏蔽接地导体;
在所述第一电介质板上与所述屏蔽接地导体相反一面上的导体图案形成的传输线,其一端为输入端(406),其另一端为第一通孔(415);
第一和第二四分之一波长线(407、408),其一端共同与所述传输线连接,其另一端(407a、408a)分别设置为第一和第二输出线(429a、429b);
分别与所述第一和第二四分之一波长线的所述另一端(407a、408a)连接的第一和第二吸收电阻(411、412);
与所述第一和第二吸收电阻另一端连接的公共端(416-a),并设置第二通孔(417);
相互平行的第三和第四四分之一波长线(409、410),各由所述第二电介质板上与所述屏蔽接地导体相反一面上的导体图案形成,其一端通过所述第一通孔(415)共同电连接;
分别与所述第三和第四四分之一波长线(409、410)另一端(409a、410a)连接的第三和第四输出线(430a、430b);
分别与所述第三和第四四分之一波长线的所述另一端(409a、410a)连接的第三和第四隔离电阻(413、414);
与所述第三和第四吸收电阻的另一端连接的公共端(416-b),设置一个与所述第二通孔(417)连接的通孔。
6.如权利要求5所述的功率分流器或合并器电路,其特征在于:由导体图案形成的所有的所述线路和电阻不是都设置在所述第一电介质板上与所述屏蔽接地导体相反一面上,而是其中有一些设置在所述第一电介质板上,其余的设置在通过另一屏蔽接地导体叠合在所述第一电介质板上的第三电介质板上。
7.一种平衡不平衡转换器,包括:
由电介质层和导体图案层交替叠合形成的多层;
设置在所述导体图案层上的主线;
面向一部分所述主线的多条耦合线,设置在不同于设置有所述主线的所述导体图案层的所述导体图案层上,从而与所述主线的所述部分电磁耦合,以及电接地;
设置在所述导体图案层中一层上的输入线;
输出线对,每一对跨接在所述耦合线中每一条线的两端上,
其特征在于所述主线的一端与所述输入线连接,其另一端电接地,输入到所述输入线的信号功率被分流并通过每一条所述耦合线传送到每一对所述输出端上,从所述一对输出线的一个输出线传出的信号与从另一个输出线传出的另一个信号相位相差180度。
8.如权利要求7所述的平衡不平衡转换器,其特征在于:所有的所述耦合线设置在同一导体图案层上。
9.如权利要求7所述的平衡不平衡转换器,其特征在于:所述耦合线中至少有一个设置在不同于设置有另一耦合线的所述导体图案层的所述导体图案层上。
10.如权利要求7至9中任何一项所述的平衡不平衡转换器,其特征在于:所述主线设置在所述多个导体图案层上。
11.如权利要求10所述的平衡不平衡转换器,其特征在于:一部分所述主线和除了面向所述主线部分的所述耦合线以外的所述耦合线设置在同一导体图案层上。
12.如权利要求10或11所述的平衡不平衡转换器,其特征在于:设置在所述同一导体图案层上的所述主线包括多个在所述导体图案层上不相互直接连接的部分。
13.如权利要求10至12中任何一项所述的平衡不平衡转换器,其特征在于:其上设置有所述主线的所述多个导体图案层中至少有两个将所述另一导体图案层夹在当中,所述另一导体图案层有一屏蔽导体位于其部分或全部表面,用于防止所述耦合线与除了面向所述耦合线和/或所述其它耦合线的所述主线部分以外的所述主线部分之间的耦合程度的增大。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104617365A (zh) * 2014-12-10 2015-05-13 嘉兴佳利电子有限公司 一种ltcc蛇形线功分器
WO2020172896A1 (zh) * 2019-02-28 2020-09-03 清华大学 一种射频功率放大器及基站
CN116566329A (zh) * 2022-01-27 2023-08-08 锐石创芯(深圳)科技股份有限公司 巴伦、射频前端芯片和射频前端模组

Families Citing this family (66)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6201439B1 (en) * 1997-09-17 2001-03-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Power splitter/ combiner circuit, high power amplifier and balun circuit
JP2001352206A (ja) * 2000-06-07 2001-12-21 Mitsubishi Electric Corp 高周波回路装置
US6424227B1 (en) 2001-05-23 2002-07-23 National Scientific Corporation Monolithic balanced RF power amplifier
JP2003008311A (ja) * 2001-06-22 2003-01-10 Mitsubishi Electric Corp バランおよび該バランを有する半導体装置
US6515545B1 (en) * 2001-08-17 2003-02-04 Harris Corporation RF power amplifier transistor quiescent current checking and adjusting
AU2003225618A1 (en) * 2002-04-30 2003-11-17 Bermai, Inc. Multi-layer balun transformer
US6759920B1 (en) * 2002-04-30 2004-07-06 Bermai, Inc. Multi-layer balun transformer
US6982609B1 (en) * 2002-05-15 2006-01-03 Zeevo System method and apparatus for a three-line balun with power amplifier bias
US7138884B2 (en) * 2002-08-19 2006-11-21 Dsp Group Inc. Circuit package integrating passive radio frequency structure
JP2004266673A (ja) * 2003-03-03 2004-09-24 Mitsubishi Electric Corp 高周波電力増幅器
WO2004109843A1 (ja) * 2003-06-03 2004-12-16 Nec Corporation 電力分配合成回路
US6965279B2 (en) * 2003-07-18 2005-11-15 Ems Technologies, Inc. Double-sided, edge-mounted stripline signal processing modules and modular network
US6882228B2 (en) * 2003-09-08 2005-04-19 Broadcom Corp. Radio frequency integrated circuit having an antenna diversity structure
JP4079173B2 (ja) * 2004-02-06 2008-04-23 株式会社村田製作所 平衡型分配器
US7999613B2 (en) 2004-07-08 2011-08-16 Amalfi Semiconductor, Inc. Method and apparatus for an improved power amplifier
US7332960B2 (en) * 2004-07-08 2008-02-19 Amalfi Semiconductor, Inc. Method and apparatus for an improved power amplifier
US7242245B2 (en) * 2004-07-08 2007-07-10 Amalfi Semiconductor, Inc. Method and apparatus for an improved power amplifier
US20060006945A1 (en) * 2004-07-08 2006-01-12 Burns Lawrence M Parallel amplifier configuration with power combining and impedance transformation
JP4379254B2 (ja) * 2004-08-16 2009-12-09 ソニー株式会社 分配器および通信方法
WO2006088605A2 (en) * 2005-02-16 2006-08-24 Amalfi Semiconductor, Inc. Method and apparatus for an improved power amplifier
US7336127B2 (en) * 2005-06-10 2008-02-26 Rf Micro Devices, Inc. Doherty amplifier configuration for a collector controlled power amplifier
US7920035B2 (en) * 2005-11-30 2011-04-05 Selex Galileo Ltd. Microwave power splitter/combiner
DE102006028690A1 (de) * 2006-06-22 2008-01-03 Siemens Ag Verstärkereinrichtung für eine Modenantenne
US20080018344A1 (en) * 2006-07-21 2008-01-24 Jachim Stephen P RF Bridge Circuit Without Balun Transformer
US20080143455A1 (en) * 2006-12-14 2008-06-19 Art Ross Dynamic power splitter
US7855612B2 (en) 2007-10-18 2010-12-21 Viasat, Inc. Direct coaxial interface for circuits
DE102007020783A1 (de) * 2007-05-03 2008-11-06 Epcos Ag Elektrisches Vielschichtbauelement
DE102007031510A1 (de) * 2007-07-06 2009-01-08 Epcos Ag Elektrisches Vielschichtbauelement
US7782156B2 (en) * 2007-09-11 2010-08-24 Viasat, Inc. Low-loss interface
US8212631B2 (en) * 2008-03-13 2012-07-03 Viasat, Inc. Multi-level power amplification system
US20090273413A1 (en) * 2008-05-01 2009-11-05 Wen Hui Zhang Power divider integrated circuit
US7772941B2 (en) * 2008-06-12 2010-08-10 Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Co., Ltd. Ultra-wideband/dualband broadside-coupled coplanar stripline balun
US7970037B2 (en) 2009-06-10 2011-06-28 Coherent, Inc. Arrangement for RF power delivery to a gas discharge laser with cascaded transmission line sections
FR2947959B1 (fr) * 2009-07-07 2011-07-29 Thales Sa Coupleur de wilkinson integre dans un circuit imprime et dispositif hyperfrequence comportant un tel coupleur
US8319583B2 (en) * 2009-08-24 2012-11-27 Raytheon Company Multi-layer radial power divider/combiner
US20110285473A1 (en) 2010-05-24 2011-11-24 Coherent, Inc. Impedance-matching transformers for rf driven co2 gas discharge lasers
FR2962646B1 (fr) 2010-07-16 2012-06-22 Sofradim Production Prothese avec element radio-opaque
DE102010032077B4 (de) 2010-07-23 2013-07-11 Siemens Aktiengesellschaft Leistungsverstärker für eine Magnetresonanzeinrichtung, Sendeeinheit und Magnetresonanzeinrichtung
US8648665B2 (en) 2010-10-06 2014-02-11 Coherent, Inc. Impedance-matching circuits for multi-output power supplies driving CO2 gas-discharge lasers
US9861590B2 (en) 2010-10-19 2018-01-09 Covidien Lp Self-supporting films for delivery of therapeutic agents
KR101059166B1 (ko) 2011-04-05 2011-08-25 (주)앤트테크놀로지 가변 주파수의 선형화 및 증폭이 가능한 대전력 증폭기
FR2977790B1 (fr) 2011-07-13 2013-07-19 Sofradim Production Prothese pour hernie ombilicale
US9005308B2 (en) 2011-10-25 2015-04-14 Covidien Lp Implantable film/mesh composite for passage of tissue therebetween
CN104145191B (zh) * 2012-03-02 2019-12-10 皇家飞利浦有限公司 用于放大射频信号的装置和方法
RU2014139849A (ru) * 2012-03-02 2016-04-27 Конинклейке Филипс Н.В. Устройство и способ для усиления радиочастотного сигнала
US10206769B2 (en) 2012-03-30 2019-02-19 Covidien Lp Implantable devices including a film providing folding characteristics
FR2992662B1 (fr) 2012-06-28 2014-08-08 Sofradim Production Tricot avec picots
FR2992547B1 (fr) 2012-06-29 2015-04-24 Sofradim Production Prothese pour hernie
US9685686B2 (en) * 2012-10-25 2017-06-20 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Power divider and method of fabricating the same
TWI566462B (zh) * 2014-12-30 2017-01-11 鴻海精密工業股份有限公司 功率處理電路、二路放大電路及多路放大電路
US9949361B1 (en) * 2015-05-08 2018-04-17 Scientific Components Corporation Geometrically inverted ultra wide band microstrip balun
WO2017023060A1 (ko) * 2015-07-31 2017-02-09 송영희 에지에 사이드 패드를 포함하는 패키지 기판, 칩 스택, 반도체 패키지 및 이를 포함하는 메모리 모듈
CN105846301B (zh) * 2016-06-04 2018-08-14 清华大学深圳研究生院 一种大功率小体积射频电源
CN107039733B (zh) * 2016-06-08 2022-04-29 深圳振华富电子有限公司 叠层片式功率分配模块及其制造方法
US10199710B2 (en) * 2016-09-01 2019-02-05 Wafer Llc Variable dielectric constant-based devices
US10009711B2 (en) * 2016-09-06 2018-06-26 Tivo Solutions Inc. Multi-input directional coupler printed circuit
US10103759B2 (en) 2016-09-30 2018-10-16 Silicon Laboratories Inc. Multiple power transmitter for RF receiver or the like
US10153731B2 (en) 2016-10-24 2018-12-11 RF Pixels, Inc. Apparatus and method for operating a power amplifier array with enhanced efficiency at back-off power levels
US20180159239A1 (en) * 2016-12-07 2018-06-07 Wafer Llc Low loss electrical transmission mechanism and antenna using same
TWI632769B (zh) * 2017-04-17 2018-08-11 國立暨南國際大學 Multiple power amplifier circuit
CN107453731A (zh) * 2017-08-16 2017-12-08 湖南时变通讯科技有限公司 一种射频功率合成装置
CN107947744B (zh) * 2017-11-28 2021-04-16 广东工业大学 一种功率合成型的功率放大器及毫米波芯片
CN111059488B (zh) * 2018-10-15 2022-03-15 深圳市绎立锐光科技开发有限公司 照明装置及照明系统
CN110277619B (zh) * 2019-06-18 2024-01-19 深圳振华富电子有限公司 巴伦变压器
TWI730354B (zh) * 2019-07-19 2021-06-11 國立暨南國際大學 功率分配/結合裝置
US11322815B2 (en) * 2020-04-22 2022-05-03 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. Prematched power resistance in lange couplers and other circuits

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8599A (en) * 1851-12-16 Improvement in processes for smelting copper ores
PL141094B1 (en) * 1983-12-09 1987-06-30 Polska Akad Nauk Centrum Microwave balun transformer,especially for mixers and modulators
US4647868A (en) * 1985-03-25 1987-03-03 General Electric Company Push-pull radio-frequency power splitter/combiner apparatus
US4739289A (en) * 1986-11-24 1988-04-19 Celeritek Inc. Microstrip balun having improved bandwidth
JPH0221006U (zh) * 1988-07-29 1990-02-13
US4916410A (en) * 1989-05-01 1990-04-10 E-Systems, Inc. Hybrid-balun for splitting/combining RF power
FR2652197B1 (fr) 1989-09-18 1992-09-18 Motorola Semiconducteurs Borde Transformateurs du type symetrique-dissymetrique perfectionnes.
US5017886A (en) * 1989-12-12 1991-05-21 Comsat RF power combiner using baluns
JP2800864B2 (ja) * 1992-01-08 1998-09-21 株式会社村田製作所 積層電子部品
JP2773617B2 (ja) * 1993-12-17 1998-07-09 株式会社村田製作所 バルントランス
US5467064A (en) * 1994-01-28 1995-11-14 Motorola, Inc. Embedded ground plane for providing shielded layers in low volume multilayer transmission line devices
US5451914A (en) * 1994-07-05 1995-09-19 Motorola, Inc. Multi-layer radio frequency transformer
JP3227311B2 (ja) 1994-07-21 2001-11-12 日野自動車株式会社 点検穴用プラグ
US5523728A (en) * 1994-08-17 1996-06-04 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Microstrip DC-to-GHZ field stacking balun
US6265937B1 (en) * 1994-09-26 2001-07-24 Endgate Corporation Push-pull amplifier with dual coplanar transmission line
US5644272A (en) * 1996-03-05 1997-07-01 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson High frequency balun provided in a multilayer substrate
US6201439B1 (en) * 1997-09-17 2001-03-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Power splitter/ combiner circuit, high power amplifier and balun circuit
US5982252A (en) * 1998-04-27 1999-11-09 Werlatone, Inc. High power broadband non-directional combiner
US6381212B1 (en) * 1998-06-17 2002-04-30 Radio Frequency Systems, Inc. Power sharing amplifier system for amplifying multiple input signals with shared power amplifiers
US20020005899A1 (en) * 1998-11-24 2002-01-17 John B. Fekas Identification transaction recording system
US6246299B1 (en) * 1999-07-20 2001-06-12 Werlatone, Inc. High power broadband combiner having ferrite cores
US6486749B1 (en) * 2000-05-05 2002-11-26 Ophir Rf, Inc. Four-way power combiner/splitter
EP1293009A4 (en) * 2000-06-09 2004-06-09 Synergy Microwave Corproation MULTI-LAYERED MICROWAVE CIRCUITS AND METHODS OF MAKING SAME

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104617365A (zh) * 2014-12-10 2015-05-13 嘉兴佳利电子有限公司 一种ltcc蛇形线功分器
CN104617365B (zh) * 2014-12-10 2019-05-21 嘉兴佳利电子有限公司 一种ltcc蛇形线功分器
WO2020172896A1 (zh) * 2019-02-28 2020-09-03 清华大学 一种射频功率放大器及基站
CN116566329A (zh) * 2022-01-27 2023-08-08 锐石创芯(深圳)科技股份有限公司 巴伦、射频前端芯片和射频前端模组

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