CN1210603A - 电容数据卡及其读出装置 - Google Patents

Abstract

有关具有记忆电容数据记忆领域的数据卡片及其读出装置。卡片5具有记忆磁数据的磁记忆领域10和电容记忆领域12。在电容记忆领域12中设有用熔丝连接的多个电极,在熔丝完整状态和烧断状态下,记忆其位数数据。而这个数据的读出是通过在外部电极之间形成容量结合回路,根据检测其回路所流过的电流来实现。

Description

电容数据卡及其读出装置

技术领域

本发明是有关在卡片回路中装入熔丝，通过这个熔丝的状态来显示数据位数的电容数据卡的改进及其读出装置。

技术背景

在公用电话、停车计时器、自动售货机和交通工具等多方应用场所，多数使用不用找钱的数据卡(下称预付卡)，它不仅方便了使用者，而且由于受卡机不处理现金，也可避免以偷盗为目的破坏等受害事件发生，从而也有延长其装置寿命的好处。

在这种预付卡中，作为低价节能的数据卡来说，以由具有电容的回路一部份组成的电容数据卡一直被人们所注目。这种电容型预付卡是于1981年7月21日以美国专利No.4280119登记注册的。

此外于1995年5月26日，又在国际申请WO95/14285的申请书中记载了这种预付卡系统，它是在电容数据卡的回路中装入熔丝，当熔丝处于完整状态下，电流处于通过状态，而当熔丝处于溃断状态时，由于增大了实际电阻，从而形成了根据熔丝的电阻状态而显示位数的系统。

这种电容数据卡如图14所示，它是由卡片部1和在读出装置上所形成的传感部2成为一体，从而可使其形成最初带电容的回路3。

在卡片部1中，设有电阻R1和形成与该电阻R1各端接线连接的电容一部份的电极部1a、1b，而在传感部2设有形成与电源4的各端子接线连接的电容一部份的电极部2a、2b，当卡片部1和传感部2相装配时，如图所示，在各电极部之间则形成充具有夹着空气的空气电容3a,3b的回路。

这样，在被形成的回路3中，当在电阻R1上通过高压电流而被烧断时，则使用结束，而在未烧断的状态下，则成为未使用的位数，在一个闭合回路给一个位数的信号。因此，根据任意个数的闭合回路，即可形成可以记忆所需位数信号的数据卡。

然而，上述现有的电容数据卡，由于电阻R1被烧断需将位数从未使用变更为使用状态，所以这个反数据的再生很不容易。因此，由于数据不容易再生，所以有防止窜改而可靠性高的优点，但在卡片上更改记忆数据却受到一定限制，其利用价值也不能充分发挥。

本发明就是鉴于上述现状，提供一种利用价值高且可靠性好的电容数据卡及其读出装置。

发明目的

为达到上述目的，权利要求1所述的电容数据卡特征是，在卡内回路内装入熔丝，当熔丝处于完整状态时，电流处于通过状态，而当熔丝处于溃断状态下，由于增加了实际电阻，因此，根据熔丝的电阻状态，即形成了对电容数据位数进行记忆的电容记忆领域和对磁数据进行记忆的磁记忆领域。

权利要求2所述的电容数据卡特征是，设有记忆电容数据的电容记忆领域和记忆磁数据的磁记忆领域。在上述电容记忆领域，设有将卡片记忆的等价剩余量的概算，通过位数量显示出概算剩余量的记忆构件。

权利要求3所述的电容数据卡特征是，备有记忆电容数据的电容记忆领域和记忆磁数据的磁记忆领域，在薄板状基板表面，设有形成上述磁记忆领域的层，同时在这个形成磁记忆领域层的表面，再将上述形成电容记忆领域的层积层。

权利要求4所述的电容数据卡特征是，备有记忆电容数据的电容记忆领域和记忆磁数据的磁记忆领域，并在薄板状基板的一面侧设有形成上述电容记忆领域层的同时，而在上述薄板状基板的另一面侧，也可设有形成磁记忆领域的层。这种情况如权利要求5所述，在上述电容记忆领域层和磁记忆领域层的各表面侧上，再积一层由聚乙烯薄膜形成的薄膜状涂层，主要是为防止基板用反。

同时本发明也可将磁记忆领域所记忆的数据，如权利要求6所述，使其记忆在公知的IC芯片上，从而可形成电容数据卡。

而在权利要求7所述的电容数据卡读出装置特征是，其构成为：设有使数据记忆在电容数据卡的电容记忆领域中，或将记忆在同领域中的数据读出的第1输入输出构件，以及将数据记忆入磁记忆领域，或将记忆在同领域中的数据读出的第2输入输出构件。

在权利要求8所述的电容数据卡读出装置特征是，其构成为：设有使数据记忆在电容数据卡的电容记忆领域中，或将记忆在同领域中的数据读出的第1输入输出构件，将数据记忆在上述磁记忆领域中，或将记忆在同领域中的数据读出的第2输入输出构件，以及从上述电容记忆领域所读出的数据为预定的情况下，无论记忆在上述磁记忆领域的数据，都判断卡片无效的检索构件。

附图简要说明

图1是表示本发明第1实施例的电容数据卡的图；

图2是表示本实施例的电容记忆领域的回路构成方框图；

图3是表示本实施例的电容数据卡读出装置输入输出部的图；

图4是表示本实施例电容数据卡读出装置输入输出的处理部构成方框图；

图5是表示计算机中心处理装置(CPU)的处理的方框图；

图6是本发明第2实施例的电容数据卡的分解立体图；

图7是相同电容数据卡的纵截面图；

图8是相同电容数据卡的电容记忆领域的扩大纵截面图；

图9是本发明第3实施例的电容数据卡的扩大纵截面图；

图10是本发明第4实施例的电容数据卡的扩大纵截面图；

图11是表示本发明第5实施例的卡片读出装置的构成图；

图12是表示相同卡片读出装置输入输出部的方框图；

图13是表示相同卡片读出装置CPU部的处理的方框图；

图14是概略表示基本电容数据卡系统的概念说明图。

发明的最佳实施例

第1实施例

下面对本发明实施状态通过图示进行说明。

图1是表示本发明第1实施例的电容数据卡片5的组成图。在本卡片5中，设有起电容数据记忆作用的电容记忆领域12，与起磁数据记忆作用的磁记忆领域10，通常被用作「预付卡」。

在上述磁记忆领域10中，在卡片5的读写方向设有磁道11。这个磁道11的根数，在本实施例是设有3根，但不仅限于3根，可根据卡片5的使用目的，对应其记忆量来决定其根数。

上述磁道11的记忆是按信息的字符顺序进行，在所记录的有效数据中，设有检验读出用的循环冗余校验码(CRC码)。而在磁记忆领域10中的磁特性和信息记录方式，例如也可采取日本工业规格(JIS)。

上述电容记忆领域12如图2所示，在单面侧使其与后述输入输出部6的电极装配相一致，且将在单排所装配的多个第1电极31装在其表面上，同时在其表面也装配有与这个第1电极31排相平行装配的细长的第2电极32。

各第1电极31是通过熔丝33与第2电极32相连接。当这个熔丝33无损伤时，第1电极31和第2电极32之间有电流自由通过，其电阻处于非常小的状态，并产生当熔丝33溃断时，使电流减少的足够大增加电阻。

通常在「预付卡」所记录的卡片信息，其中包括有不可重记的固定信息，与在卡片使用时的可重记的可变信息。

上述固定信息，其中包括「卡片发行者号码」，「卡片发行年月日」，「卡片额面金额」，「卡片有效期」，「卡片可使用数据(卡片发行时，为表示可使用卡片而记入的符号)」，「暗证号码(辨别使用卡片者确是系统所记录的本人用的号码)」等，而可变信息，其中包括有「卡片前余额(清帐前金额)」，「卡片新余额(清帐后余额)」，「使用机器号码(已清帐机器号码)」，「使用店铺(已清帐店铺号码)」等。卡片的余额可根据卡片的使用目的而定，其金额例如象电话卡那样。

在本实施例中，上述固定信息记录了磁记忆领域10和电容记忆领域12。并且在电容记忆领域12中，设有表示卡片等价剩余量概算的概算余量记忆部13。

该概算余额记忆部13的使用状态，例如预付卡的额面金额是一千日元，那么就需确保电容数据有10个熔丝(10个位数)，随着卡片5使用时的余量减少，在所规定单位熔丝逐个溃断(烧断)。当所有10个熔丝33均被溃断时，则其余额成为零，而丧失卡片5的价值。

而且当熔丝被烧断时，在熔丝的周围界区必有热量产生，因此，根据在相应部位所用的由热而变色的材料，也可通过目视确认其概算余额。

在上述磁记忆领域10中，被记录加入上述固定信息的上述可变信息。在这个可变信息内，尤其是「卡片新余额(清帐后余额)」，它是表示这个卡片5价值的重要信息。因此在本实施例中，使这个「卡片新余额」的余额与上述概算余额记忆部13的「概算余额」连动，进行更新。

例如卡片新余额，一方面用卡片5使用次数和计价额相同的一元单位进行更新，而另一方面对于概算余额记忆部13，是在百元单位烧断熔丝使其概算余额下降。这时将等于卡片新余额或比其多的金额作为概算余额进行记忆，例如将卡片新余额和用概算余额所表示的氽额相比较，当卡片新余额多时，或概算余额虽为零而卡片新金额仍有余额时，均可作为不良卡片来进行检验。

概算余额不需要在每个一定单位金额进行更新，如果随余额减少而「更新金额」单位也减小，则需要者通过自视上述概算金额可很方便地确认。

在磁记忆领域10中，除上述固定信息和可变信息外，还可将相应使用目的各种信息，例如可记录交通工具乘车区间和高速公路利用区间等信息。

下面对上述卡片5的读出装置进行说明。这个卡片5读出装置的输入输出部，如图3所示，它是由装有卡片5传送到可读写位置的卡片传送台21，从这个卡片传送台21的上方对卡片5施以传送力，作为使其移到可读写位置的传送装置的传送滚筒22，对这个传送滚筒22供以转动的旋转动力的卡片牵引马达23，对磁记忆领域10进行磁数据读写的磁头19，设在卡片传送台21的终端所设输入输出部6的正上面、作为对卡片5进行压紧的紧压部件的缓冲橡胶外壳8，设在这个缓冲橡胶外壳8上面、作为紧压构件的变换紧压方向部件的斜度板8a，将斜度板8a从上方装有紧压滚筒25、25’、作为紧压构件臂部的拉杆26，作为驱动这个拉杆26的紧压构件动作部的螺线管27，以及作为在输入输出部6端缘部对卡片移出进行检验构件的嵌入传感器28或光传感器29构成的。

在上述输入输出部6中，如图4所示，它是在卡片插入位置设有接口垫片41，在这个接口垫片41中装入与上述卡片5的第1电极31同数目的第1电极42，并使其单排安装，同时与上述卡片5的第2电极32同样，使第2电极43成为细长状，卡片5的第1电极31和第2电极32，每个均可进行连接，并对应各电极31和32的位置，将各电极42和43装配在垫片表面上。

第1电极42和第2电极43，分别并联在开关网络44上。在这个开关网络44上，对其应供给模拟电压的供给端进行选择的转换，但对选择电极42的任一个或电极43要供给所必需的电压。

在上述输入输出部6中，除第1电极42和第2电极43，以及开关网络44之外，借助于这个开关网络44向第1电极42和第2电极43供给所需电压的同时，还需设有供给检测输出电压的电压发生器45，以及对磁头19进行控制的读写驱动器48和输入输出部6各种机器的必需电压电源47。

这样，被构成的上述输入输出部6，可通过CPU46进行控制。这个CPU46如图5所示，它是由对电容数据读写进行控制的电容读写处理部51，对磁数据读写进行控制的磁读写处理部52，对数据内容进行检验的数据检验部53，以及由对上述这些进行综合控制的控制部54等装置构成的。

下面，对上述读出装置的作用进行说明。当将卡片5从卡片传送台21向输入输出部6侧插入时，则通过卡片牵引马达23被驱动转动的滚筒22、22，从卡片5的背面给予传送力，并通过磁头19，这时，上述磁头19从磁道11读出磁数据。而这个磁数据借助于读写驱动器48送向磁读写处理部52。接着上述卡片5进行传送，当该卡片5到达输入输出部6时，则根据嵌入传感器28或光传感器29，对卡片5插入规定位置进行检测，使螺线管27通电。

当螺线管27被通电，该螺线管27将拉杆26使其向动作方向移动，并使拉杆26以支点26a为中心进行转动，使滚筒25、25转动，并使斜度板8a上方向高的方向移动，这样一方面紧压斜度面，同时也对缓冲橡胶外壳8向下方进行紧压，而且借助于缓冲橡胶7将一样的紧压力也施加于卡片5。

这样，卡片5到达输入输出部6，当检验卡片5被插入的规定位置时，在开关网络44和CPU46上有信号输出，通知已处于可读写状态。而且卡片5和输入输出部6之间，根据由空气电容形成闭合回路，由输入输出部6可进行数据的读写。

在读取上述数据时，根据来自电容读出处理部51的读出控制信号，将与上述第2电极43相连接的一对第1电极42、42的信号输出，使其指定为「通电电极」，通电后即可读取其位数的信息。这种程序反复进行，且对所有第2电极43，以及接在这个第2电极43上的所有一对第1电极42、42进行指定，这样通电后即可读取卡片5的全部记录内容。

从卡片5读取完毕时，通过数据检验部53，对数据内容的正确性，按下面顺序进行检验。

首先确认在概算余额记忆部13所有的位数数据是否为零(熔丝烧断)，当所有均为零时，则断定卡片5的价值已不存在，通过图未示出的回收部件，对卡片5采取回收措施。这时在磁记忆领域10被记忆的「卡片新余额」的内容，则作为无效的数据处理。

对磁记忆领域10的「卡片新余额」和概算余额记忆部13的「概算氽额」进行比较，当「概算余额」比「卡片新余额」还要多的情况，即判断为无效卡片，需采取卡片回收等处理。而且当出现这种情况，就需注意对卡片的管理，注意其「概算余额」是否经常与「卡片新余额」相等或比其余额还多。

同时根据需要，对于磁记忆领域10的固定信息，要与相应电容记忆领域12所记忆的固定信息进行比较，如果不相一致，则作为不良卡片按规定进行处理。尤其是磁记忆领域10的磁数据，很容易受磁的影响，有易被消去的可能。

当检验结果判断其为有效卡片5时，则可发挥其预付卡的功能，可进行卡片精算的处理，而重新使「卡片新余额」和「概算余额」的写入，在各磁记记忆领域10和电容记忆领域12进行。

在进行精算的同时，向卡片5进行数据写入，根据来自电容读出处理部51的写入控制信号，对第2电极43和与这个第2电极43相连接的一对第1电极42、42进行指定，当写入电流通过则指定的熔丝烧断。这样在形成熔丝33烧断回路时，位数数据为「0」，而在熔丝33未烧断的闭合回路情况，则其位数数据为「1」，所要的二进制数据被写入卡片。

此后，随着卡片5返回传送时，根据来自磁读出处理部52的写入控制信号，上述读写驱动器48对磁头19供给写入数据，将新的数据写入磁记忆领域10，卡片5被返回。

因此，根据这个实施例，由于卡片5除设有电容记忆领域12外，还设有磁记忆领域10，所以就这个磁记忆领域10而言，可自由地改写所需要的数据，使用价值高，而且对规定数据，如将其记忆在电容记忆领域12时，因数据不容易进行再生，而可防止数据的改窜和提高卡片的可靠性。此外读出装置，当来自概算余额记忆构件13的读出数据为等价余额「0」的情况下，不论记忆在磁记忆领域的数据也判断卡片无效，因此可对卡片的有效和无效进行准确的判断，以防止不良卡片的使用。

第2实施例

下面对本发明实施的第2实施例进行说明，图6所示是本实施例的电容数据卡的分解状态的立体图。图7所示是电容数据卡的纵截面图。

在本实施例的电容数据卡片5，是由记忆电容数据的电容记忆领域65，与记忆磁数据的磁记忆领域64组成的，例如可用其作为预付卡。

上述电容记忆领域65和磁记忆领域64的构成为：如图6和图7所示，构成电容数据卡片5的合成树脂等材料制成的薄板状基板63表面上，设有形成上述磁记忆领域64的层，同时在形成这个磁记忆领域64的层的表面上，积层有形成上述电容记忆领域65的层。

这个电容记忆领域65，如图8所示，在导体镀层65a的表面上加以聚乙烯薄膜层65b，使其形成积层，在如此构成的电容记忆领域65的表面上，再设有涂层66。

在上述磁记忆领域64上，设有符合卡片5读写方向的磁道，或在上述电容记忆领域65上设有上述电极等，其电容数据卡的基本结构，与上述第1实施例相同。

在上述每个记忆领域64和65两方，写入上述固定信息和可变信息的情况，也与上述第1实施例相同。

在上述构成的本实施例的电容数据卡片5中，其被记忆的各种数据，如读出和写入时的作用，或插入上述第1实施例的读出装置，与上述第1实施例同样进行。尤其是本实施例的电容数据卡片5，正如上所述，由于在电容记忆领域64的表面上积层磁记忆领域65，所以磁记忆领域64的记忆容量和电容记忆领域65的记忆容量，两者任何一个均可增大。

但是，作为这个第2实施例的变形例，例如在上述基板63的表面上，设有电容记忆领域65，在这个电容记忆领域65表面积层磁记忆领域64的构造，就需考虑使各记忆领域64和65所占面积增大的构件。

而且在这个第2实施例变形结构的情况下，由于磁记忆领域64是处于卡片的表面侧，当插入读出装置时，其读出结果，通常是导通和开断之中的导通(1和0之中的1)。象这样结构的卡片由于可永久使用，因此预付卡不能采用。

另外，在本实施例结构的情况下，在读出装置的读出磁头15和磁记忆领域64之间被介入上述电容记忆领域65，这与现有的结构情况相比较，该磁头和磁记忆领域64是处于隔离状态。为此，为了实现正确的读出，该磁头15和卡片5表面之间的间隙尺寸就成为关键。

上述间隙的尺寸，它是由该磁头的性能和磁记忆领域64构成的各磁道的磁力决定的。因此，为了进行正确的读写，可加强上述磁力，也可提高第2实施例对电容数据卡片5进行读写的读出装置磁头的性能，或者也可采取保持其上述间隙尺寸尽量小等方法，其中这些方法，至少要采取其中的一种。但是，为设计这些方法所需一定程度的技术，在此不作特别说明。

第3实施例

图9所示是本发明第3实施例，本实施例的电容数据卡片5，它是在由合成树脂制成的薄板状基板63的一面侧上，设有形成上述电容记忆领域65的层，并在该电容记忆领域65的表面上积层并形成涂层66，另外在上述基板63的另一面侧设有形成上述磁记忆领域64的层，并在这个形成磁记忆领域64的表面上，再加以印刷层67。在这个实施例下，其基板63、磁记忆领域64和电容记忆领域65的构成，与上述第2实施例的电容数据卡片5相同。

本实施例的电电容数据卡片5，由于是按上述结构形成的，因此要使上述磁记忆领域64和磁头之间的间隙尺寸，可比第2实施例的电容数据卡片5还要靠进，可见可使用与过去相同的磁头，结果也使读出装置简单化，系统的成本降低，同时在基板63的表裹面，均可形成构成上述磁记忆领域64的层和构成电容记忆领域层65的层。

第4实施例

图10示出本发明第4实施例，这种实施例的电容数据卡片5，它是在由合成树脂制成的薄板状基板63的一面侧上，设有形成上述电容记忆领域65的层，同时在该电容记忆领域65的表面上，再形成涂层66并积层，另外在上述基板63的另一面侧上，设有形成上述磁记忆领域64的层，同时在这个磁记忆领域64层的表面上，涂上一层薄膜状的聚乙烯薄膜层68，又在该聚乙烯薄膜层68的表面上，加一层印刷层67。而且这种实施例下的基板63和磁记忆领域64，以及电容记忆领域65的结构，与上述第2状态的电容数据卡片5相同。

本实施例的电容数据卡片5，由于是由上述结构形成的，因此它具有上述第2实施例电容数据卡片5的作用和效果，从而可有效地防止基板63被用反。

第5实施例

图11至图13是表示本发明第5实施例的卡片读出装置，该卡片读出装置如第12图所示，它与第1实施例所述的读出装置相同，也设有对装置整体进行控制的CPU(微型计算机)部46，而在这个CPU部46中，装有上述第1电极42和第2电极43以及开关网络44，借助于开关网络44，对第1电极42或第2电极43，供给其所需电压，同时将检测输出电压的电压发生器45和磁头19，以及对IC卡的集成电路，与赋予电功能的接口回路77相互连接，使这些环节根据CPU部46的指令进行动作。

上述CPU部46，如图13所示，具有判断电容数据读写处理和读出是否正常的电容数据读出部72，判断磁数据读写处理和读出是否正常的磁数据读出部71，以及判别IC读写处理和读出是否正常的IC数据读出部73。

CPU部46，还具有根据上述各读出部71、72和73的卡片数据读出结果，判断插入读出装置卡片5种类的卡片种类判断部74，根据读出卡片数据规定处理的卡片处理部75，以及对上述进行综合控制的控制部76。而在本实施例CPU46的各读出部71、72和卡片种类判断部74，以及卡片数据处理部75和控制部76的结构，与在第1实施例形成的卡片读出装置CPU46的电容读出处理部51和磁读出处理部52，以及卡片数据处理部53和控制部54的结构相同，因此关于其结构的构成和作用，在此省略其详细说明。

但是本实施例与第1实施例所不同的结构是当上述卡片种类判断部74，判断在其磁数据和电容数据中究竟包含哪一个数据的情况下，或当判断其含有磁数据的情况下，由于所插入的卡片5有可能是IC卡，因此可继续移向IC卡的读出动作。况且也预想将发行包含所有磁数据和电容数据以及IC卡数据的卡片，或者包含其中两种数据的卡片，因此在这种情况下，如在读出装置设定其规定模式时，例如可采取所有数据的读出。

当进行IC卡数据读出时，通过滚筒(图未示出)使卡片5更进一步传送，根据嵌入传感器31或光传感器32，对到达输入输出部6端缘部的卡片5进行检验。并在这个位置上，通过IC卡接口回路77，使卡片5上的端子与读出装置进行电连接。

同时根据IC数据读出部73的指令，IC卡接口回路77将地址信息从卡片5的存储器读出其数据。并用IC数据读出部73，对这个数据读出结果的可否进行数据分析。根据这个读出结果的可否信息，卡片种类判断部74，当判断插入的卡片5包含或不包含IC卡数据，或判断其包含有IC卡数据的情况下，则即可通过卡片数据处理部75，对IC卡进行数据处理。而其它的处理，与第1实施例卡片读出装置相同，在此不作详细说明。

用于产业上的可能性

正如以上所说明的，由于权利要求1所述的电容数据卡片是具有电容记忆领域和磁记忆领域的结构，所以可自由进行所需数据的改写，使用价值高，而且规定数据也不容易再生，具有防止数据窜改和可靠性好的效果，多用于预付卡，其使用价值比较高。

在权利要求2所述发明中，由于在电容记忆领域，设有在卡片上被记录等价余额的概算可用位数量来表示概算余额记忆的构件，因此与磁记忆领域相同，也可自由地改写所需数据，而且也可使卡片的等价余额用少的位数进行表示，尤其是这个余额数据不容易再生，从而可提高卡片的可靠性。

在权利要求3和4所述本发明的电容数据卡片，对电容记忆领域和磁记忆领域中的任何一记忆容量，均可使其增大，除具有防止窜改过去电容数据卡片数据的效果外，还可用于需要更多信息的领域。

当然，这个发明如权利要求5所述，也是IC卡并用，例如可使电容记忆领域，用于为防止IC卡窜改的安全领域中。

另外在权利要求6和7所述的电容数据卡片读出装置是，当由概算余额记忆构件所读出的数据为一定时，无论磁记忆领域所记忆的数据也判断卡片无效的结构，因此可对卡片的有效和无效进行确切的判断，除防止不良卡片使用外，如使用权利要求7的方法，对IC卡来说，就不需对每个卡片种类用读出装置来进行区别，从而可解脱很多烦琐的操作，可得到良好的效果。

Claims (8)

1．一种电容数据卡片，其特征在于，它设有记忆电容数据的电容记忆领域，以及记忆磁数据的磁记忆领域。

2．一种电容数据卡片，其特征在于，具有记忆电容数据的电容记忆领域和记忆磁数据的磁记忆领域，并在上述电容记忆领域设有将记录在卡片上的等价余额的概算用位数量来表示的概算余额记忆构件。

3．一种电容数据卡片，其特征在于，备有记忆电容数据的电容记忆领域和记忆磁数据的磁记忆领域，并在薄板状基板的表面上设有形成上述磁记忆领域的层，同时在形成这个磁记忆领域的层的表面上，再积层形成电容记忆领域的层。

4．一种电容数据卡片，其特征在于，在备有记忆电容数据的电容记忆领域和记忆磁数据的磁记忆领域的电容数据卡片上，使薄板状基板的一面侧，设有形成上述电容记忆领域层，同时使上述薄板状基板的另一面侧设有形成磁记忆领域的层。

5．一种电容数据卡片，其特征在于，在备有记忆电容数据的电容记忆领域和记忆磁数据的磁记忆领域的电容数据卡片上，使薄板状基板的一面侧设有形成上述电容记忆领域的层，同时在该电容记忆领域层的表面上附以涂层，另外在上述薄板状基板的另一面侧设有形成磁记忆领域的层，而且在上述磁记忆领域层的表面再加以涂层并积层。

6．一种权利要求1至5中任何一个所述电容数据卡片，其特征在于，在上述磁记忆领域所记忆的数据，均包含有IC芯片上所记忆的状态。

7．一种电容数据卡片读出装置，其特征在于，设有使权利要求1至6中任何一个所述电容数据卡片的电容记忆领域记忆数据，或将记忆在同领域的数据读出的第1输入输出构件，以及使磁记忆领域记忆数据，或将记忆在同领域中的数据读出的第2输入输出构件。

8．一种电容数据卡片读出装置，其特征在于，设有使权利要求2至6中任何一个所述的电容数据卡片的电容记忆领域记忆数据，或将记忆在同领域中的数据读出的第1输入输出构件，与使上述磁记忆领域记忆数据，或将记忆在同领域中的数据读出的第2输入输出构件，以及在由上述概算余额记忆构件读出的数据为一定的情况下，无论记忆在上述磁记忆领域中的数据，也判断卡片无效的检验构件。

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