CN1209850C - 电介体谐振器、电介体滤波器及其发射接收器及通信装置 - Google Patents

电介体谐振器、电介体滤波器及其发射接收器及通信装置 Download PDF

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CN1209850C CNB031010261A CN03101026A CN1209850C CN 1209850 C CN1209850 C CN 1209850C CN B031010261 A CNB031010261 A CN B031010261A CN 03101026 A CN03101026 A CN 03101026A CN 1209850 C CN1209850 C CN 1209850C
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Abstract

本发明提供一种在容易获得任意电特性的同时，提高镀膜结合强度的使用高频用电介体陶瓷的电介体谐振器，使用镀膜结合强度大于70(N/2mm2)的第1陶瓷和镀膜结合强度小于70(N/2mm2)的第2陶瓷，在用A表示第1陶瓷的体积、用B表示第2陶瓷的体积时，按照10≤{A/(A+B)}×100＜100式所表示的体积比率进行混合。本发明还提供使用该电介体谐振器的装置。

Description

电介体谐振器、电介体滤波器及其发射接收器及通信装置
技术领域
本发明涉及在微波和毫米波等高频领域可应用的使用高频用电介体陶瓷构成的电介体谐振器、电介体滤波器、电介体发射接收器以及通信装置。
技术背景
作为构成被用在微波和毫米波等高频频段的电介体谐振器和电路基板等的材料，一般普遍使用电介体陶瓷。
而且，在上述电介体谐振器中，具有在其中的电介体陶瓷表面上形成镀铜导体的结构。但是如果构成这种镀铜导体的镀膜对电介体陶瓷没有高的结合强度，则电介体陶瓷与电镀膜的界面上就会产生间隙，因此将导致能量损耗的增多，使电介体的Q值不能提高。
如上所述，为提高镀铜膜的结合强度，通常是在陶瓷表面进行蚀刻，作为提高这种被蚀刻性能的技术，例如有，在特开平5-315821号公告中所公开的技术(第1以往技术)。
第1以往技术是关于使用ZrO2-SnO2-TiO2系陶瓷表面镀铜膜技术，在陶瓷材料中加入2-20％重量比氧化钴，在烧结后通过使氧化钴在表面析出，从而提高被蚀刻性能。采用蚀刻法去除氧化钴，因此陶瓷表面被粗化，这样就能提高镀膜的结合强度。
另一方面，特开平8-335810号公告中，公开了一种通过蚀刻方法使陶瓷表面均匀粗化，最大表面粗度按规定达到1.0-3.0μm，从而得到良好的被镀性能的技术(第2以往技术)。
但是，在第1以往技术中，受为获得陶瓷的煅烧温度及气氛的影响较大，在烧结后不容易析出一定量的氧化钴。其结果会增大镀膜结合强度的不均匀性。再有，由于根据不同的去除氧化钴时的蚀刻条件，而钴的被去除量不同，所以，可能会增大镀膜结合强度的不均匀性。
在第2以往技术中，只能对本来具有良好被蚀刻性的材料系，使其陶瓷表面粗糙化。因此，第2以往技术不能适用被蚀刻性能低的材料系，受到了陶瓷材料的限制。因此，对满足例如使电介体陶瓷达到所希望的比介电系数等的要求形成了阻碍。
发明内容
因此，本发明的目的是提供一种使用能够解决上述问题的高频用电介体陶瓷而构成的电介体谐振器、电介体滤波器、电介体发射接收器和通信装置。
本发明所使用的高频用电介体陶瓷，其特征是，为了解决上述技术问题，混合使用镀膜结合强度大于70(N/2mm2)的第1陶瓷和镀膜结合强度小于70(N/2mm2)的第2陶瓷。并选择该混合比，在用A表示第1陶瓷的体积、用B表示第2陶瓷的体积时，使体积比率能够用10≤{A/(A+B)}×100＜100表示。
作为上述第1陶瓷，最好选择BaO-RemOn-TiO2系陶瓷(其中，Re是从La、Pr、Ce、Nd、Sm、Gd、Er和Y中选择出的至少一种，当Re为La、Nd、Sm、Gd、Er和Y的各种情况下，m＝2及n＝3，当Re为Pr时，m＝6及n＝11，当Re为Ce时，m＝1及n＝2。)或使用MgO-TiO2系陶瓷。
作为第2陶瓷，最好使用从BaO-TiO2系陶瓷、SrO-TiO2系陶瓷、Al2O3系陶瓷、MgO-SiO2系陶瓷、Re2O3-Al2O3系陶瓷(其中，Re是从La、Nd和Sm中选择出的至少一种)、ZrO2-TiO2系陶瓷、SnO2-TiO2系陶瓷和ZrO2-SnO2-TiO2系陶瓷中选择出的至少一种。
本发明所使用的高频电介体陶瓷，其平均晶粒尺寸最好在10μm以下。
本发明还涉及到通过使电介体陶瓷对输入输出端子的电磁场耦合而进行动作的电介体谐振器。与本发明的电介体谐振器的特征是，电介体陶瓷由上述高频用电介体陶瓷组成，并且在电介体陶瓷表面行形成镀铜导体。
而且，本发明还涉及到具有上述电介体谐振器和与该电介体谐振器的输入输出端子连接的外部结合部件的电介体滤波器。
而且，本发明还涉及到具有至少2个电介体滤波器、分别与电介体滤波器连接的输入输出连接部件及与电介体滤波器共通连接的天线连接部件的电介体发射接收器。本发明的电介体发射接收器的特征是，其中的至少有一个电介体滤波器是上述本发明的电介体滤波器。
并且，本发明还涉及到具有上述电介体发射接收器、至少与该电介体发射接收器的一个输入输出连接部件连接的信号发射电路、连接在与该信号发射电路连接的上述输入输出部件不同的至少1个输入输出连接部件上的信号接收电路及与电介体发射接收器的天线连接部件连接的天线的通信装置。
附图说明
图1是表示本发明一实施例的电介体谐振器1的立体图。
图2是图1所示的电介体谐振器1中央截断面的俯视图。
图3是表示本发明一实施例的电介体滤波器11的立体图。
图4是表示本发明一实施例的电介体发射接收器21的立体图。
图5是表示由图1所示用电介体谐振器1构成的通信装置31的流程图。
图6是表示为说明镀膜结合强度的测定方法的试验装置的俯视图。
图中：1-电介体谐振器，3、13、33-电介体陶瓷，11、39、40-电介体滤波器，16、41-外部结合部件，21、32-电介体发射接收器，26、36-输入连接部件，27、37-输出连接部件，28、38-天线连接部件，31-通信装置，33-信号发射电路，34-信号接收电路，35-天线，44-镀膜，
具体实施方式
首先就关于能适用上述高频用电介体陶瓷的电介体谐振器，电介体滤波器，电介体发射接收器以及通信装置加以说明。
图1是用上述高频用电介体陶瓷构成的电介体谐振器一例的立体图，图2是表示图1的电介体谐振器1的中央截断面的俯视图。
电介体谐振器1备有形成有贯通孔2的棱柱状电介体陶瓷3。在电介体陶瓷3贯通孔2的内面上形成内导体4，在电介体陶瓷3的外面上形成外导体5。
通过使电介体陶瓷3与输入输出端子，即外部结合部件构成电磁场的耦合，使电介体谐振器1作为谐振器而动作。
置于这种电介体谐振器1中的电介体陶瓷3由上述高频用电介体陶瓷构成。
再有，内导体4和外导体5通过镀铜膜形成。以此可以达到提高生产率并且降低生产成本的目的。
另外，图1所示的电介体谐振器1备有棱柱状的电介体陶瓷3，这是TEM方式的电介体谐振器的一例，对于其它形状，其它TEM方式和TM方式，TE方式等的电介体谐振器，作为其中装备的电介体陶瓷能同样使用上述的高频用电介体陶瓷。
图3是用上述高频用电介体陶瓷构成的电介体滤波器一个示例的立体图。
图3所示的电介体滤波器11备有形成有贯通孔12的电介体陶瓷13。在电介体陶瓷13的贯通孔12的内面上形成由镀铜膜构成的内导体14，在电介体陶瓷13的外面上形成由相同镀铜膜构成的外导体15。
由上述电介体陶瓷13及内导体14和外导体15构成电介体谐振器，在该电介体谐振器上形成有外部结合部件16，由此构成电介体滤波器11。
在这种电介体滤波器11中，电介体陶瓷13是由上述高频用电介体陶瓷构成。
图3所示的电介体滤波器11是块状型的，对于分立型的电介体滤波器能同样使用上述高频用电介体陶瓷。
图4是表示一例使用上述高频用电介体陶瓷构成的电介体发射接收器的立体图。
图4所示的电介体发射接收器21备有有贯通孔22的电介体陶瓷23。在电介体陶瓷23的贯通孔内面上形成有由镀铜膜组成的内导体24，另外，在电介体陶瓷23的外面上形成有由相同镀铜膜组成的外导体25。
上述电介体陶瓷23和通过内导体24和外导体25构成备有电介体谐振器的2个电介体滤波器。而且，电介体发射接收器21还装备有与一侧的电介体滤波器连接的输入连接部件26和与另一侧的电介体滤波器连接的输出连接部件27和与这些电介体滤波器共通连接的天线连接部件28。
在这种电介体发射接收器21中的电介体陶瓷23由上述高频用电介体陶瓷构成。
再有，图4所示的电介体的发射接收器21是块状类型，在分立类型电介体发射接收器中也能使用上述高频用电介体陶瓷。在分立类型的电介体发射接收器的情况下，没有必要在全部的多个整体电介体滤波器中都使用上述高频用电介体陶瓷，即只要至少在1个电介体滤波器中使用上述高频用电介体陶瓷即可。
图5是采用上述图4所示的电介体发射接收器构成的通信装置一例的方框图。
图5所示的通信装置31包括电介体发射接收器32、信号发射电路33、信号接收电路34和天线35。
信号发射电路33与电介体发射接收器32的输入连接部件36连接，信号接收电路34与电介体发射接收器32的输出连接部件37连接。天线35与电介体发射接收器32的天线连接部件38连接。
电介体发射接收器32包括2个电介体滤波器39和40。电介体滤波器39和40是通过把外部结合部件与电介体谐振器连接而构成。在图示的实施例中，例如，通过使图1所示的电介体谐振器1分别连接在外部结合部件41上，而构成电介体滤波器39和40。而且，一侧的电介体滤波器39被连接在输入连接部件36与另一侧的电介体滤波器40之间，另一侧的电介体滤波器40被连接在一侧的电介体滤波器39与输出连接部件37之间。
以下将对图1所示的电介体陶瓷3，图3电介体滤波器39所示的电介体陶瓷13和图4所示的电介体陶瓷23等为构成它们有利地应用上述高频用电介体陶瓷做进一步的说明。
上述高频用电介体陶瓷的特征是，混合使用镀膜结合强度大于70(N/2mm2)的第1陶瓷和镀膜结合强度小于70(N/2mm2)的第2陶瓷。在此，当把第1陶瓷的体积表示为A，把第2陶瓷的体积表示为B时，可选择体积的比率，使混合比率满足10≤{A/(A+B)}×100＜100式。
关于上述镀膜的结合强度，作为区别第1陶瓷与第2陶瓷的临界值，选为70(N/2mm2)，这是因为实际应用上足够的镀膜结合强度标准是70(N/2mm2)以上。
在此说明书中所谓“镀膜结合强度”是基于JIS(日本工业标准)H8504的“镀膜结合性试验方法”求得的数值。更具体说是根据图6所示锡焊试验方法为基础求得的数值。
参照图6，准备形成了具有要求的结合强度的镀膜44的试验料45。再准备好弯曲成L字状的金属丝46。通过金属丝46的弯曲部把一侧锡焊在镀膜44上的2mm2面积上，通过金属丝46弯曲部，用夹钳47夹持住另一侧。然后，一边固定试验料45，一边根据夹钳47的指针48所示的垂直方向使其移动，拉伸金属丝46，其结果为镀膜44被拉剥落时那点所具有载荷就规定为结合强度。
上述的高频用电介体陶瓷所包括的作为镀膜结合强度70(N/2mm2)以上的第1陶瓷最好使用BaO-RemOn-TiO2系陶瓷(其中，Re是从La、Pr、Ce、Nd、Sm、Gd、Er和Y中选择出的至少一种，在Re为La、Nd、Sm、Gd、Er和Y的各条件时m＝2和n＝3，在Re为Pr时m＝6和n＝11，在Re为Ce时m＝1和n＝2)或使用MgO-TiO2系陶瓷。
另一方面，作为第2陶瓷最好使用BaO-TiO2系陶瓷，SrO-TiO2系陶瓷，Al2O3系陶瓷，MgO-SiO2系陶瓷，Re2O3-Al2O3系陶瓷(其中，Re是从La、Nd和Sm中选择出的至少一种)，或从ZrO2-TiO2系陶瓷，SnO2-TiO2系陶瓷和ZrO2-SnO2-TiO2系陶瓷中选择出的至少一种。
上述高频电介体陶瓷是经过焙烧具有特定组成的焙烧物而得到的烧结体，为了得到这种焙烧物，可以把第1和第2陶瓷的初始原料在混合的状态下进行焙烧，也可以将第1陶瓷用初始原料和第2陶瓷用初始原料分别进行焙烧，然后将第1陶瓷的焙烧物和第2陶瓷的焙烧物进行混合。由于如前者那样地在把所有初始原料混合进行焙烧的情况下，是首先生成第1陶瓷及第2陶瓷的任意一方的化合物，然后生成另一方的化合物，所以其结果可以得到与采用后面方法所得到的相同的焙烧物。
上述高频用电介体陶瓷的晶粒尺寸最好在10μm以下。当平均晶粒尺寸超过10μm时，随着尺寸的增大，相对于第2陶瓷的第1陶瓷的分散性降低，这是由于镀膜结合强度产生不均匀性的原因。
当在上述高频用电介体陶瓷上形成镀膜时，作为预处理要实施蚀刻处理。当进行该蚀刻处理时，例如，将电介体陶瓷在含有0.025-1.000克分子/公升的氟酸和0.250-3.000克分子/公升盐酸，并且温度设定在30-80℃的蚀刻液中进行5-20分钟的浸渍处理。再有，为形成镀膜，例如也可以进行无电解镀。
在上述电介体陶瓷中，把所述第1和第2陶瓷作为主成分，但仍可以向其中添加Nb2O5、Sb2O5、CuO、ZnO、SnO2、Al2O3、Fe2O3、Bi2O3、PbO、SiO2、B2O3等。这些添加成分根据其种类，一般能按5％重量比以下添加。在这些添加物中，特别是添加0.001-0.5重量％的Nb2O5或SiO2时，与无添加条件相比能降低焙结温度，能够降低电特性，特别是谐振频率的温度系数τf受煅烧温度的影响。
以上说明了把上述高频用电介体陶瓷应用在电介体谐振器，电介体滤波器，或电介体发射接收器上的情况，只要是能满足作为电介体材料的电特性，也可适用于其它的电介体基板和电容器等。
以下，对为确认使用上述高频用电介体陶瓷而获得效果的具体实施试验例加以说明。
作为电介体陶瓷的初始原料，准备有BaCO3、La2O3、Pr6O11、CeO2、Nd2O3、Sm2O3、Gd2O3、Er2O3、Y2O3、Dy2O3、MgO、TiO2、SrO、Al2O3、SiO2、ZrO2和SnO2的各种粉末。
为了获得根据表1和表2所示的体积比率混合第1和第2陶瓷的各试验料的电介体陶瓷，调合上述初始原料粉末，混合后在大气中1000-1200℃焙烧1小时以上。接着把各焙烧物粉碎混合，加入有机粘合剂。
接着，将上述加有有机粘合剂的焙烧物加工成形为直径12mm、厚度6mm的圆柱后，在大气中1200-1400℃温度下焙烧，得到圆柱状的烧结体。
对于这样获得的各试验料的圆柱状烧结体，分别求得在温度为25℃并测定频率在3-7GHz附近的比介电系数εr和在温度为25-55℃时谐振频率的温度系数τf。这些结果示于表1和表2。
另外，把所述加有有机结合剂的焙烧物加工成形为3mm×3mm×6mm尺寸的棱筒状物后在大气中1200-1400℃温度下焙烧，得到棱筒状烧结体。
将这样得到的各试验料棱筒状的烧结体按所述方法进行蚀刻处理，然后通过无电解铜镀膜，形成厚度为2-5μm的镀膜。
接着对各试验料为达到所期望的频率数进行调谐，在求得无负荷Q值的同时，按前图6所示方法测定镀膜的结合强度。这些结果也示于表1和表2。
表1
试验料编号            第1陶瓷A系数为克分子比      第2陶瓷B系数为克分子比   体积比率A/(A+B)(体积％) εr   τf(ppm/℃) 无负荷Q 粘合强度(N/2mm□)
    *1 0.15BaO-0.17Sm2O3-0.68BiO2  0.18BaO-0.82TiO2     5 40.1     5     195     52
    *2     8 41.3     4     250     66
    3     10 42.5     4     430     75
    4     15 43.6     3     460     84
    5     25 45.1     3     455     94
    6     35 47.3     5     450     117
    7     50 60.0     5     435     119
    8     75 71.2     5     425     122
    9 0.15BaO-0.17La2O3-0.68TiO2     25 47.5     48     420     82
    10 0.17BaO-0.07Pr6O11-0.76TiO2     25 46.2     15     430     85
    11 0.13BaO-0.30CeO2-0.57TiO2     25 59.5     89     310     74
    12 0.15BaO-0.17Nd2O3-0.68TiO2     25 46.0     9     440     91
    13 0.15BaO-0.17Gd2O3-0.68TiO2     25 39.5     46     370     84
    *14 0.15BaO-0.17Dy2O3-0.68TiO2     25 48.0     55     250     58
    15 0.15BaO-0.17Er2O3-0.68TiO2     25 40.4     49     365     80
    16 0.15BaO-0.17Y2O3-0.68TiO2     25 48.0     55     390     88
表2
试验料编号     第1陶瓷A系数为克分子比     第2陶瓷B系数为克分子比   体积比率A/(A+B)(体积％)   εr    τf(ppm/℃) 无负荷Q 粘合强度(N/2mm□)
  17   0.15BaO-0.17Sm2O3-0.68TiO2   0.40ZrO2-0.10SnO2-0.50TiO2     25  48.5   2     460     90
  18   0.50SnO2-0.50TiO2     25  52.3   185     450     82
  19   0.50ZrO2-0.50TiO2     25  51.5   39     445     85
  20   0.50SrO-0.50TiO2     75  136.2   410     350     81
  21   Al2O3     25  27.4   -44     550     80
  22   0.50MgO-0.50SiO2     25  24.8   -55     530     82
  23   0.50LaO3/2-0.50AlO3/2     25  37.2   -39     480     85
  24   0.50NdO3/2-0.50AlO3/2     25  36.9   -33     475     87
  25   0.50SmO3/2-0.50AlO3/2     25  35.0   -44     485     86
  26   0.49MgO-0.51TiO2   0.18BaO-0.82TiO2     25  32.8   -11     550     82
  27   0.40ZrO2-0.10SnO2-0.50TiO2     25  35.0   -10     510     78
  28   0.50SnO2-0.50TiO2     25  36.5   176     490     86
  29   0.50ZrO2-0.50TiO2     25  34.5   30     500     79
  30   0.50SrO-0.50TiO2     75  90.3   384     380     80
  31   Al2O3     25  11.6   -53     560     81
  32   0.50MgO-0.50SiO2     25  9.1   -64     580     80
  33   0.50LaO3/2-0.50AlO3/2     25  21.5   -46     520     87
  34   0.50NdO3/2-0.50AlO3/2     25  20.8   -40     490     82
  35   0.50SmO3/2-0.50AlO3/2     25  19.3   -47     495     85
在表1中附有*的编号的试验料是上述高频用电介体陶瓷范围以外的试验料。
在表1和表2中，注意体积百分率时，对于该体积百分率小于10体积％的试验料1和2，无负荷Q值低，小于300，还有，结合强度也偏低小于70(N/2mm2)。这是因为体积百分率小于10体积％，相对所得到的电介体陶瓷的表面积，通过蚀刻能粗面化的面积小，这是镀膜结合强度产生分散的原因。
对此，按照体积百分率在10体积％以上的试验料3-13和15-25在实用上都得到充分的70(N/2mm2)以上的结合强度，并且无负荷Q值也增大。
表1所示的试验料3～8其体积百分率在10～75体积％范围内变化。用这些3～8之间的试验料进行比较，根据体积百分率的变化谐振频率的温度系数τf虽然在0附近，但将比介电系数εr有可能调整到约40～70范围内的任意值。
表1所示试验料5和试验料9-16除在第1陶瓷所含的RemOn中Re的种类有不同外，实质上相互是同样的。这些试验料5和9～16之中，作为Re分别采用Sm、La、Pr、Ce、Nd、Gd、Er和Y的试验料5、9～13、15和16在实用上得到充分的结合强度，无负荷Q值也变大，但作为Re使用Dy的试验料14，其无负荷Q值和结合强度都变低。
表2所示试验料17～25，在这些试验料之间第2陶瓷的材料系不同，对表1所示的试验料3～8和第2陶瓷的材料系更不相同。还有，表2所示的试验料26～35，在这些试验料之间第2陶瓷的材料系都不相同。
把这些试验料17～25之间进行比较，将试验料26～35之间进行比较，再进一步将试验料15～25对试验料3～8进行比较，虽然第2陶瓷的材料系不同，但在实用上得到充分的结合强度，而且在无负荷Q值也增大的同时，比介电系数εr和谐振频率的温度系数τf能进行种种调整。
表2所示试验料17所含的第2陶瓷相当于试验料18和19所各含第2陶瓷之和。同样，表2所示试验料27所含第2陶瓷相当于试验料28和29所各含第2陶瓷之和。这种含有合并式第2陶瓷的试验料17和27在实用上得到充分的结合强度，并且无负荷Q值也增大。
以下调查是对电介体陶瓷的平均晶粒尺寸和结合强度之间的关系。
为得到与表1所示试验料5有相同组成的电介体陶瓷，把经过调配的初始原料焙烧而得到的焙烧物进行煅烧，根据煅烧温度从1200到1450℃范围内变化，像表3所示，得到具有不同平均晶粒尺寸的烧结体。然后，按所述图6所示方法测定镀膜的结合度强度。其结果示于表3。
表3
试验料编号 平均晶粒尺寸(μm)   结合强度(N/2mm2)
    51     2     110
    52     5     92
    53     10     80
    54     15     55
从表3可以看出试验料54的平均晶粒尺寸超过10μm，所以结合强度降低小于70(N/2mm2)。
与此相反，如试验料51～53那样，平均晶粒尺寸在10μm以下，实用上得到充分的结合强度。
像以上那样，根据上述高频用电介体陶瓷要求镀膜结合强度70(N/2mm2)以上的第1陶瓷A和镀膜结合强度70(N/2mm2)以下的第2陶瓷B，应用10≤{A/(A+B)}×100＜100表示的体积百分率混合，所以在第1陶瓷提供的电特性和第2陶瓷提供的电特性之间能够实现任意的电特性，同时，至少第1陶瓷具有较高的镀膜结合强度，所以能提高作为整体电介体陶瓷镀膜的结合强度。
再有，上述电介体陶瓷所包括的第1和第2陶瓷的任意一方即使是被蚀刻性低的材料系，那么将任意一方做成被蚀刻性高的材料系，选择这种被蚀刻性高的材料系因为能进行蚀刻，所以即使对以往形成镀膜困难的被蚀刻性低的材料系也能变得容易形成镀膜。
这样，当镀膜结合强度能提高时，电介体陶瓷和镀膜间的界面空隙减少，因此在应用于电介体谐振器，电介体滤波器或电介体发射接收器的条件下，能减少能量损耗，因此，能提高无负荷Q值。
再有，根据上述高频用电介体陶瓷，第1和第2陶瓷以所规定的体积百分率混合在一起，所以能使被蚀刻性高的材料系，不论烧结等条件，在一定量的表面上形成。还有，因第1和第2陶瓷在电介体陶瓷中是均匀混合在一起的，所以由于电介体陶瓷表面蚀刻情况，引起的电特性变化能达到忽略的水平，即使发生了变化，通过调整第1和第2陶瓷的体积百分率能控制住变化。
因此，在应用上述高频用电介体陶瓷构成的电介体谐振器，用它构成的电介体滤波器，用它构成的电介体发射接收器，用它构成的通信装置方面都具有从上述高频用电介体陶瓷而得到的益处。

Claims (10)

1.一种电介体谐振器，是一种通过电磁场耦合于输入输出端子使电介体陶瓷产生动作的电介体谐振器，其特征在于：所述电介体陶瓷是通过把高频用电介体陶瓷的镀膜结合强度大于70(N/2mm2)的第1陶瓷和镀膜结合强度小于70(N/2mm2)的第2陶瓷，当用A表示所述第1陶瓷的体积、用B表示所述第2陶瓷的体积时，按照满足10≤{A/(A+B)}×100＜100的体积比率混合而成，并且在所述电介体陶瓷的表面上形成镀铜导体。
2.根据权利要求1所述的电介体谐振器，其特征在于：第1陶瓷是BaO-RemOn-TiO2系陶瓷或MgO-TiO2系陶瓷，其中，在BaO-RemOn-TiO2系陶瓷中，Re是从La、Pr、Ce、Nd、Sm、Gd、Er和Y中选择出的至少一种，在Re为La、Nd、Sm、Gd、Er和Y的各种情况下，m＝2、n＝3，在Re为Pr的情况下，m＝6、n＝11，在Re为Ce的情况下，m＝1、n＝2，。
3.根据权利要求1或2所述的电介体谐振器，其特征在于：第2陶瓷是从BaO-TiO2系陶瓷、SrO-TiO2系陶瓷、Al2O3系陶瓷、MgO-SiO2系陶瓷、Re2O3-Al2O3系陶瓷、ZrO2-TiO2系陶瓷、SnO2-TiO2系陶瓷及ZrO2-SnO2-TiO2系陶瓷中选择出的至少一种，其中在所述Re2O3-Al2O3系陶瓷中，Re是从La、Nd和Sm中选择出的至少一种。
4.根据权利要求3所述的电介体谐振器，其特征在于：所述电介体陶瓷的平均晶粒尺寸小于10μm。
5.根据权利要求1或2所述的电介体谐振器，其特征在于：所述电介体陶瓷的平均晶粒尺寸小于10μm。
6.一种电介体滤波器，具有权利要求1或2所述的电介体谐振器和与所述电介体谐振器的输入输出端子连接的外部结合部件。
7.一种电介体滤波器，具有权利要求3所述的电介体谐振器和与所述电介体谐振器的输入输出端子连接的外部结合部件。
8.一种电介体发射接收器，具有至少2个电介体滤波器、与所述电介体滤波器分别连接的输入输出连接部件及与所述电介体滤波器共通连接的天线连接部件，所述电介体滤波器中至少有一个是权利要求6所述的电介体滤波器。
9.一种电介体发射接收器，具有至少2个电介体滤波器、与所述电介体滤波器分别连接的输入输出连接部件及与所述电介体滤波器共通连接的天线连接部件，所述电介体滤波器中至少有一个是权利要求7中所述的电介体滤波器。
10.一种通信装置，具有权利要求8或9所述的电介体发射接收器、与所述电介体发射接收器中至少1个输入输出连接部件连接的信号发射电路、与所述信号发射电路连接的输入输出部件不同的至少1个与输入输出连接部件连接的信号接收电路以及与所述电介体发射接收器的天线连接部件连接的天线。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006232575A (ja) * 2005-02-22 2006-09-07 Murata Mfg Co Ltd 高周波用誘電体磁器組成物、誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサ、および通信機装置
KR101084518B1 (ko) * 2005-06-23 2011-11-18 우베 고산 가부시키가이샤 기지국 통신장치용 유전체 필터
CN104157951B (zh) * 2012-11-27 2016-08-17 张家港保税区灿勤科技有限公司 通信基站波导滤波器的制造方法
EP3032636B1 (en) * 2014-12-08 2020-06-17 Nokia Solutions and Networks Oy Radio frequency resonator assembly
TWI649193B (zh) 2017-12-07 2019-02-01 財團法人工業技術研究院 陶瓷元件及其製造方法
US11239563B2 (en) * 2018-05-01 2022-02-01 Rogers Corporation Electromagnetic dielectric structure adhered to a substrate and methods of making the same

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63112449A (ja) * 1986-10-29 1988-05-17 沖電気工業株式会社 複合誘電体セラミツクスの製造方法
JP2663001B2 (ja) * 1988-11-01 1997-10-15 ティーディーケイ株式会社 マイクロ波誘電体セラミック上の電極形成方法
JPH05315821A (ja) 1992-05-12 1993-11-26 Sanyo Electric Co Ltd 同軸誘電体共振器の製造方法
JPH08335810A (ja) 1995-06-07 1996-12-17 Tokin Corp 同軸型誘電体共振器及びその製造方法
JP3485241B2 (ja) * 1997-11-14 2004-01-13 Ｔｄｋ株式会社 ブロック型誘電体フィルタ及びその製造方法
JP2000007429A (ja) * 1998-06-16 2000-01-11 Ngk Spark Plug Co Ltd 誘電体材料及びその製造方法
CN1256735C (zh) * 2000-04-26 2006-05-17 古河电气工业株式会社 介电陶瓷、树脂－陶瓷复合材料、电气部件和天线及其制造方法

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