CN1206743C - 一种晶体硅太阳电池的制作方法 - Google Patents

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Abstract

一种晶体硅太阳电池制备工艺，属于太阳能应用领域。本发明制备晶体硅太阳电池工艺按工艺线的生产顺序分为如下六个步骤：对硅片进行前道化学预处理；在硅片上制作PN结；用电感耦合等离子刻蚀硅片周边；在电池的正面淀积氮化硅薄膜；采用丝网印刷工艺在太阳电池的正、背面制作电极；正、背面电极金属化及氮化硅薄膜烧穿。本发明将原来的两到三次的电极烧结工艺简化成一次完成，降低了的成本，提高了太阳电池效率。面积为103×103mm2的单晶硅太阳电池效率达15.7%，此工艺也适用多晶硅太阳电池，多晶硅太阳电池效率达14.0%以上(AM1.5，光照强度100mW/cm2，25℃)。

Description

一种晶体硅太阳电池的制作方法
技术领域
本发明涉及的是一种太阳电池制备方法，特别是一种高效低成本大面积晶体硅太阳电池的制备工艺和方法，属于太阳能应用领域。
背景技术
晶体硅太阳电池产量和销售量在过去的20年时间内获得指数式增长的基础是晶体硅太阳电池生产工艺技术的改进和发展、生产成本的持续降低。在现有的科技杂志和世界各国的专利文献中，有关晶体硅太阳电池的工艺报道很多，仔细分析，不尽相同，每种专门的工艺过程都具有自身的特点和得以支撑的技术装备背景及适用范围，绝大部分报道的是单项工艺过程的研究。经文献检索发现，James Amick，Princeton，N.J.等申请的美国专利“太阳电池及制作方法”，专利申请号：US005320684A，该专利背面用丝网印带小窗口的铝浆作背电极，铝浆小窗口处先印上比铝浆小窗口略为大一点的银浆焊脚，靠近正面的PN结结深为0.5μm，该专利解决了背面的欧姆电极接触、铝背场和适合引出电极焊结的焊脚设计及具体的工艺实现。该技术没有考虑到铝浆小窗口处印刷纯银浆所带来的对铝背场的影响。铝浆小窗口处也没有实现背面三价铝对五价磷的补偿作用。另外，该技术也没有考虑到，在烧穿氮化硅薄膜工艺中，正面的PN结需要重新设计。
通常是采用等离子增强化学汽相沉积工艺(PECVD)沉积氮化硅薄膜在电池的正面沉积氮化硅薄膜，但不同工艺条件沉积出的材料的性能是有区别的，沉积的氮化硅薄膜质量越好的，越能够耐得住高温烧穿工艺，银原子扩散进入氮化硅薄膜下面的PN区的机率低，扩散距离就小，对PN结损伤就少，将我们沉积的氮化硅薄膜用在硅太阳电池上，可以将太阳电池的PN设计成深度小于0.3微米的超浅结构，尽可能减弱电池表面的“死层”效应，由于超浅结的应用，电池的性能得到改善。我们还发现，真空溅射工艺沉积氮化硅薄膜与PECVD工艺相比要更有优势。
发明内容
本发明的目的在于克服现有生产技术中的不足，提供了一种晶体硅太阳电池制备方法，简化了现有太阳电池生产工艺，降低了成本，使太阳电池的生产过程更有效合理。
本发明是通过以下技术方案实现的，本发明晶体硅太阳电池制备方法按工艺生产的顺序分为如下六个步骤：对硅片进行前道化学预处理；在硅片上制作半导体PN结；采用电感耦合等离子(ICP)对硅片的周边进行刻蚀；在制作好PN结的硅片正表面用等离子增强化学汽相沉积工艺或真空溅射工艺淀积氮化硅薄膜；在淀积好氮化硅薄膜的硅片正面和背面用丝网印刷工艺制作正、背面电极；正、背面电极金属化的同时完成氮化硅薄膜的烧穿工艺。
丝网印刷的背面铝浆电极开有小窗口，小窗口处印刷银铝浆，保证了小窗口也同样可以获得铝背场的结构，同时也实现了铝浆小窗口处的三价铝原子对五价磷原子的补偿作用。
本发明针对硅电池正面氮化硅薄膜工艺烧穿工艺，对PN结结深作了重新设计，采用了深度小于0.3微米的超浅的PN结构。
采用真空溅射工艺淀积氮化硅薄膜的主要优势是：(1)真空溅射工艺用硅靶作为硅的原料，无毒无危险，省略了PECVD中昂贵的硅烷气体，硅烷气是有毒的、可自燃、自爆的危险气体；(2)真空溅射工艺很容易在大面积上沉积薄膜；(3)真空溅射设备可以在一个月清洗一次；(4)氮化硅薄膜对硅片的钝化、和电池的光学减反射效果看，真空溅射沉积的氮化硅薄膜至少与PECVD沉积的薄膜的效果相同，所以在晶体硅太阳电池制备方法中采用真空溅射工艺制备氮化硅薄膜是硅太阳电池制备技术上的一大进步。
以下对本发明步骤作进一步详细描述，具体内容如下：
一、对硅片进行前道化学预处理
选电阻率在0.6～2Ωcm的p型导电硅晶片，采用半导体的清洗工艺，用碱溶液对硅片腐蚀、减薄，除去硅片生产时的切片过程带来的损伤层，减薄后的硅片厚度达300μm，用重量百分比为1.25％的稀释氢氧化钠溶液进行硅片表面的织构化处理，将硅片放置在盐酸水溶液(体积比为H2O∶HCl∶H2O2＝6∶1∶1)中煮沸两次，每次10分钟，用体积百分比为5％的稀氢氟酸水溶液漂去硅片表面的氧化硅层，在每道化学处理工序完成后，用去离子水清洗数遍，最后用冷、热去离子水清洗数遍，红外灯烘干备用。
二、在硅片上制作PN结，制作步骤如下：
采用半导体高温扩散工艺，对硅片进行磷原子的扩散，在硅片的表面形成PN结，以POCl3蒸汽为扩散用的磷源，采用半导体工业的扩散设备，用铂铑热电偶探测扩散炉的温度，并采用半导体自动控温装置对扩散炉的温度进行自动控温；单晶硅太阳电池PN结制作的恒温区的温度为900～950℃，多晶硅太阳电池PN结制作的恒温区的温度为850～900℃，恒温区的长度为110cm；首先对硅片进行5分钟预加热，预加热时，对扩散炉内通入氮气和氧气，氮气流量为300ml/min，氧气流量为85ml/min；再进行10～20分钟的恒源扩散，恒源扩散时，对扩散炉内通入携源氮气和氧气，氧气流量为85ml/min，携源氮气流量为70ml/min；然后进行20～40分钟的定源推进，定源推进时，对扩散炉内通入氮气和氧气，氮气流量为300ml/min，氧气流量为85ml/min；扩散时，为了降低背面的N+层的磷杂质的浓度。将硅片在石英管中两两背靠背放置。
三、电感耦合(ICP)等离子刻蚀硅片的周边，具体如下：
采用四氟化碳(CF4)和氧气(O2)作为工作气体，电感耦合等离子发生器产生对硅片具有刻蚀作用的等离子，在反应室中预先垒放好第二步扩散好的硅片，四氟化碳和氧气等离子对硅片作周边刻蚀，除去了硅片周边的可引起正背面短路的PN结。
四、在太阳电池的正面淀积氮化硅薄膜
氮化硅薄膜在半导体器件工艺中是常用的荫蔽扩散和钝化薄膜，在晶体硅太阳电池工艺中，也选用氮化硅薄膜对太阳电池的正表面进行钝化，以降低表面的光生少数载流子的复合速度，同时，控制氮化硅薄膜的光学折射率和厚度，与织构化的硅表面相配合，形成入射光的光陷阱，使其达到最佳光学减反射作用，增强了进入硅片的光入射量。
本发明采用等离子增强化学汽相沉积工艺在太阳电池的正面沉积氮化硅钝化、减反射薄膜，也可用真空溅射工艺。采用高频等离子(13.56MHz)的等离子增强化学汽相沉积工艺(PECVD)，制备氮化硅薄膜的工艺条件如下：高频功率为100W，本底真空为0.5Pa，硅源气体的流量为400ml/min，，其中SiH4的体积百分比为5％，N2的体积百分比为95％，采用高纯氨气NH3作为氮源，氨气NH3气体流量为40ml/min，反应气体压强为10Pa，淀积时间由沉积薄膜的速度而定，衬底温度为350℃，控制氮化硅薄膜的厚度在70～80nm，此膜厚是以四分之一蓝色光波长(480nm)为光程而确定的，太阳电池的表面现深蓝色。
也可用真空溅射工艺淀积晶体硅太阳电池用的氮化硅钝化、减反射薄膜。具体的工艺可以是射频溅射和直流溅射，或者用射频磁控溅射和直流磁控溅射。采用真空溅射沉积的氮化硅薄膜作为太阳电池的钝化、减反射薄膜，可以获得采用PECVD沉积的薄膜时的同样效果。
五、丝网印刷正、背面电极
硅太阳电池的正面为受光照面，正面电极既要能将光生电流引出，又不至于遮挡太多的阳光、减少了光照的面积，正面采用栅线加汇流条结构，栅线的宽度为0.4～0.1mm，汇流条的宽度为2～3mm，正面栅线所用的材料为银浆；硅太阳电池的背面电极用铝浆制备，为了后道的焊接工序，用银铝浆做出焊脚条，焊脚条的银铝浆先于铝电极的铝浆印刷在电池的背面，背面印刷的铝浆电极有多个作用：第一，形成背面的PP+同型结，即铝背场，提高电池的开路电压；第二，形成铝硅合金层具有对背表面钝化及背面掺磷N层的补偿作用，考虑到高温下铝浆和银铝浆在烧结成形过程中热膨胀系数不同，将背面的银铝浆焊脚条印在铝浆的下面。背面的铝浆在下一步烧结时，与硅形成铝硅合金，同时三价的铝原子扩散进入硅形成P+层，P+层在P型硅片的背面形成PP+同型结，铝硅合金层的形成对硅的背表面具有钝化作用，也起到对扩磷时形成的N层补偿作用。印刷铝浆时在每条银铝浆焊脚条的位子处开一长条形窗口，长条形窗口的尺寸为宽3～5mm，长10mm，焊脚条的宽度为5～7mm，长12mm，该窗口的长宽要略小于银铝浆焊脚条的长宽，在铝浆电极的长条形窗口处，露出银铝浆焊脚条，铝电极和焊脚条有0.5～2mm宽度的搭界，以提高背面的导电性。
六、正、背面电极金属化及氮化硅薄膜烧穿
正、背面电极金属化的一次性烧结，同时进行氮化硅薄膜烧穿工艺，简化了晶体硅太阳电池的制作过程，降低了能耗和生产周期，同时进行氮化硅薄膜烧穿工艺，既可在金属化时，保护太阳电池表面不受污染，又实现了晶体硅太阳电池的超浅PN结结结构，以及正表面的钝化，提高了太阳电池的输出功率。该过程是采用链式隧道烧结炉设备完成的，具体的工艺条件是：烧结单晶硅太阳电池的电极时，高温区最高温度为850℃，烧结多晶硅太阳电池的电极时，高温区最高温度为750～800℃，传动电机的转速为1250转/分钟，硅片在链式传动装置带动下走完隧道炉全程约需4分钟，单晶硅太阳电池在炉内850℃高温区滞留时间，和多晶硅太阳电池在炉内750～800℃高温区滞留时间都少于30秒。
本发明正、背面电极的一次烧结金属化技术，及同时银浆烧穿氮化硅钝化薄膜技术，银原子扩散穿过氮化硅薄膜，与氮化硅薄膜下面的硅表面形成欧姆接触，同时，太阳电池的背面铝浆与硅形成硅铝合金和具有背场效应的PP+同型结，以及欧姆接触的铝硅合金背电极。背面铝金属浆料的金属化烧结过程的同时也对硅的背面进行钝化，和对磷掺杂N层进行补偿。
本发明具有实质性特点和显著进步，本发明采用电感耦合(ICP)等离子刻蚀硅片的周边；等离子增强化学汽相沉积工艺和真空溅射工艺淀积氮化硅薄膜作为太阳电池正表面的钝化、减反射薄膜；背面采用丝网印带小窗口的铝浆作背电极，铝浆小窗口处先印上比铝浆小窗口略为大一点的银铝混合浆焊脚；正、背面电极一次烧结和同时氮化硅薄膜的烧穿工艺，使得正面的PN结结深可做到0.3μm以下。提高了太阳电池的性能，简化了太阳电池工艺、将原来两到三次的电极烧结工艺简化成一次完成，降低了的成本，提高了太阳电池效率。铝浆小窗口处印刷银铝浆，保证了小窗口也同样获得铝背场的结构，并且实现了铝浆小窗口处的三价铝对五价磷的补偿作用，开路电压可以达到610mV以上。本专利也对烧穿氮化硅薄膜工艺中的硅电池正面PN结结深作了进一步设计。采用此工艺，可以使得面积为103×103mm2的单晶硅太阳电池的效率达15.7％以上，此工艺也适用于多晶硅太阳电池，多晶硅太阳电池效率可达14.0％以上，(AM1.5，光照强度100mW/cm2，25℃)。
具体实施方式
结合本发明工艺的内容提供以下实施例：
实施例一
采用上述的步骤一对硅片进行前道化学预处理；硅片上制作半导体PN结的工艺是：单晶硅太阳电池PN结制作的恒温区的温度为900℃，多晶硅太阳电池PN结制作的恒温区的温度为850℃，首先对硅片进行5分钟预加热，预加热时，对扩散炉内通入氮气和氧气，氮气流量为300ml/min，氧气流量为85ml/min；再进行10分钟的恒源扩散，恒源扩散时，对扩散炉内通入携源氮气和氧气，氧气流量为85ml/min，携源氮气流量为70ml/min；然后进行20分钟的定源推进，定源推进时，对扩散炉内通入氮气和氧气，氮气流量为300ml/min，氧气流量为85ml/min。
采用上述的步骤三和步骤四进行电感耦合等离子硅片周边刻蚀及氮化硅薄膜的沉积；采用上述的步骤五进行丝网印刷正、背面电极，正面栅线所用的材料为银浆。硅太阳电池的背面电极用铝浆制备，用银铝浆做出焊脚条，焊脚条的银铝浆先于铝电极的铝浆印刷在电池的背面，将背面的银铝浆焊脚条印在铝浆的下面，该窗口的宽度要略小于银铝浆焊脚条的宽度，在铝电极的窗口处，露出焊脚条，铝电极和焊脚条有0.5mm宽度的搭界；正、背面电极金属化一次性烧结及氮化硅薄膜烧穿工艺过程，高温区最高温度850℃，烧结多晶硅太阳电池电极高温区最高温度略低于单晶硅太阳电池的烧结温度，为750℃，转速为1100转/分钟，走完全程需4.5分钟，高温区滞留时间少于30秒。
实施效果：单晶硅太阳电池的效率达14.6％，多晶硅太阳电池的效率达14.0％。
实施例二
采用上述的步骤一进行对硅片进行前道化学预处理；硅片上制作半导体PN结的工艺是：单晶硅太阳电池PN结制作的恒温区的温度为950℃，多晶硅太阳电池PN结制作的恒温区的温度为900℃，首先对硅片进行5分钟预加热，预加热时，对扩散炉内通入氮气和氧气，氮气流量为300ml/min，氧气流量为85ml/min，再进行15分钟的恒源扩散，恒源扩散时，对扩散炉内通入携源氮气和氧气，氧气流量为85ml/min，携源氮气流量为70ml/min；然后进行30分钟的定源推进，定源推进时，对扩散炉内通入氮气和氧气，氮气流量为300ml/min，氧气流量为85ml/min。
采用上述的步骤三和步骤四进行电感耦合等离子硅片周边刻蚀及氮化硅薄膜的沉积；采用上述的步骤五进行丝网印刷正、背面电极，正面栅线所用的材料为银浆。硅太阳电池的背面电极用铝浆制备，用银铝浆做出焊脚条，焊脚条的银铝浆先于铝电极的铝浆印刷在电池的背面。将背面的银铝浆焊脚条印在铝浆的下面，铝浆形成的背面铝电极在每条焊脚条的位子处开一长条形窗口，该窗口要略小于银铝浆焊脚条，在铝电极的窗口处，露出焊脚条，铝电极和焊脚条有0.5mm宽度的搭界；；正、背面电极金属化一次性烧结及氮化硅薄膜烧穿工艺过程，高温区最高温度850℃，烧结多晶硅太阳电池电极高温区最高温度略低于单晶硅太阳电池的烧结温度，为800℃，转速为1200转/分钟，走完全程需4分钟，高温区滞留时间少于25秒。
实施效果：单晶硅太阳电池的效率达15％，多晶硅太阳电池的效率达14.0％。
实施例三
采用上述的步骤一对硅片进行前道化学预处理，半导体PN结制作工艺是：恒温区的温度为930℃，多晶硅太阳电池PN结制作的恒温区的温度略低于单晶硅太阳电池PN结制作温度，为880℃，首先对硅片进行5分钟预加热，预加热时，对扩散炉内通入氮气和氧气，氮气流量为300ml/min，氧气流量为85ml/min，再进行20分钟的恒源扩散，恒源扩散时，对扩散炉内通入携源氮气和氧气，氧气流量为85ml/min，携源氮气流量为70ml/min；然后进行40分钟的定源推进，定源推进时，对扩散炉内通入氮气和氧气，氮气流量为300ml/min，氧气流量为85ml/min。
采用上述的步骤三和步骤四进行电感耦合等离子硅片周边刻蚀及氮化硅薄膜的沉积；采用上述的步骤五进行丝网印刷正、背面电极，正面栅线所用的材料为银浆。硅太阳电池的背面电极用铝浆制备，用银铝浆做出焊脚条，焊脚条的银铝浆先于铝电极的铝浆印刷在电池的背面。将背面的银铝浆焊脚条印在铝浆的下面，在铝电极的窗口处，露出焊脚条，铝电极和焊脚条有0.5mm宽度的搭界；正、背面电极金属化一次性烧结及氮化硅薄膜烧穿工艺过程，高温区最高温度850℃，烧结多晶硅太阳电池电极高温区最高温度略低于单晶硅太阳电池的烧结温度，为750℃，转速为1300转/分钟，走完全程需2.8分钟，高温区滞留时间少于15秒。
实施效果：单晶硅太阳电池的效率达15.7％，多晶硅太阳电池的效率达14.5％。

Claims (9)

1、一种晶体硅太阳电池制备方法，其特征在于：按工艺线的生产顺序分为如下六个步骤：对硅片进行前道化学预处理；在硅片上制作半导体PN结；用电感耦合等离子刻蚀硅片的周边；在制作好PN结的硅片正表面用等离子增强化学汽相沉积工艺和真空溅射工艺淀积氮化硅薄膜；在淀积好氮化硅薄膜的硅片正面和背面用丝网印刷工艺制作正、背面电极；正、背面电极金属化的同时进行氮化硅薄膜的烧穿工艺。
2、根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池制备方法，其特征是所述的对硅片进行的前道化学预处理具体如下：
选电阻率在0.6～2Ωcm的硅晶片，用重量百分比为50％的碱溶液，对硅片进行腐蚀减薄，除去硅片生产时的切片工艺产生的损伤层，减薄后的硅片厚度达300μm；用重量百分比为1.25％的稀释氢氧化钠溶液，对硅片进行表面织构化处理；将硅片放置在体积比为H2O∶HCl∶H2O2＝6∶1∶1的盐酸水溶液中，用电炉将盐酸水溶液煮沸两次，每次10分钟；用体积百分比为5％的稀氢氟酸水溶液除去硅表面的氧化硅层，每道化学处理工序完成后，都要用去离子水清洗数遍，最后用冷、热去离子水清洗数遍，红外灯烘干备用。
3、根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池制备方法，其特征是所述的在硅片上制作PN结，制作具体如下：
采用半导体高温扩散工艺，对硅片进行磷原子的扩散，在硅片的表面形成PN结，以POCl3蒸汽为扩散用的磷源，采用半导体工业的扩散设备，用铂铑热偶探测扩散炉的温度，并采用半导体自动控温装置对扩散炉的温度进行自动控温；单晶硅太阳电池PN结制作的恒温区的温度为900～950℃，多晶硅太阳电池PN结制作的恒温区的温度为850～900℃，恒温区的长度为110cm；首先对硅片进行5分钟预加热，预加热时，对扩散炉内通入氮气和氧气，氮气流量为300ml/min，氧气流量为85ml/min；再进行10～20分钟的恒源扩散，恒源扩散时，对扩散炉内通入携源氮气和氧气，氧气流量为85ml/min，携源氮气流量为70ml/min；然后进行20～40分钟的定源推进，定源推进时，对扩散炉内通入氮气和氧气，氮气流量为300ml/min，氧气流量为85ml/min扩散时，为了降低背面的N+层的磷杂质的浓度，将硅片在石英管中两两背靠背放置。
4、根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池制备方法，其特征是所述的电感耦合等离子刻蚀硅片的周边，具体如下：
采用四氟化碳和氧气作为工作气体，电感耦合等离子发生器产生对硅片具有刻蚀作用的等离子，在反应室中预先垒放好硅片，四氟化碳和氧气等离子对硅片作周边刻蚀，除去了硅片周边的可引起正背面短路的PN结。
5、根据权利要求1所述晶体硅太阳电池制备方法，其特征是所述淀积氮化硅薄膜的方法有两种，第一是等离子增强化学汽相沉积工艺，第二是真空溅射沉积工艺，具体如下：
采用等离子增强化学汽相沉积工艺沉积氮化硅钝化、减反射薄膜，具体工艺条件如下：高频功率为100W，本底真空为0.5Pa，硅源气体的流量为400ml/min，其中SiH4的体积百分比为5％，N2的体积百分比为95％，采用高纯氨气NH3作为氮源，氨气NH3气体流量为40ml/min，反应气体压强为10Pa，淀积时间由沉积薄膜的速度而定，衬底温度为350℃，控制氮化硅薄膜的厚度在70～80nm，以四分之一蓝色光波长(480nm)为光程确定此膜厚的，正表面沉积上具有这样厚度的减反射薄膜的太阳电池显深蓝色；
也可用真空溅射工艺淀积晶体硅太阳电池用的氮化硅钝化、减反射薄膜，具体的工艺可以是射频溅射和直流溅射，或者用射频磁控溅射和直流磁控溅射。
6、根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池制备方法，其特征是所述的丝网印刷正、背面电极具体特征如下：正面采用栅线加汇流条结构，栅线的宽度为0.4～0.1mm，汇流条的宽度为2～3mm，正面栅线所用的材料为银浆；硅太阳电池的背面电极用铝浆制备，用银铝浆做出焊脚条，焊脚条的银铝浆先于铝电极的铝浆印刷在电池的背面，背面的铝浆在下一步烧结时，与硅形成铝硅合金，同时三价的铝原子扩散进入硅形成P+层，P+层在P型硅片的背面形成PP+同型结，铝硅合金层的形成对硅的背表面具有钝化作用，也起到对扩磷时形成的N层补偿作用，将背面的银铝浆焊脚条印在铝浆的下面，印刷铝浆时在每条银铝浆焊脚条的位子处开一长条形窗口，长条形窗口的尺寸为宽3～5mm，长10mm，焊脚条的宽度为5～7mm，长12mm，该窗口的长宽要略小于银铝浆焊脚条的长宽，在铝浆电极的长条形窗口处，露出银铝浆焊脚条，铝电极和焊脚条有0.5～2mm宽度的搭界。
7、根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池制备方法，其特征是所述的正、背面电极金属化，同时进行氮化硅薄膜烧穿的具体工艺如下：
正、背面电极金属化的一次性烧结，同时进行氮化硅薄膜烧穿工艺，是采用链式隧道烧结炉设备完成的，具体的工艺条件是：烧结单晶硅太阳电池的电极时，高温区最高温度为850℃，烧结多晶硅太阳电池的电极时，高温区最高温度为750～800℃，传动电机的转速为1250转/分钟，硅片在链式传动装置带动下走完隧道炉全程约需4分钟，单晶硅太阳电池在炉内850℃高温区滞留时间，和多晶硅太阳电池在炉内750～800℃高温区滞留时间都少于30秒。
8、根据权利要求8所述的晶体硅太阳电池制备方法，其特征是正、背面电极一次性金属化烧结的同时完成对氮化硅薄膜烧穿，烧穿氮化硅薄膜的同时也对晶体硅太阳电池的正、背面进行了钝化，正、背面电极的一次烧结金属化技术，同时太阳电池的正面银浆烧穿氮化硅薄膜时，银原子扩散通过氮化硅薄膜，银原子与氮化硅薄膜下面的硅表面接触，形成银—硅欧姆接触的正面电极，太阳电池的背面铝浆与硅形成硅铝合金和具有背场效应的PP+同型结，以及欧姆接触的铝硅合金背电极。
9、根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池制备方法，其特征是背面铝金属浆料的金属化烧结过程的同时也对硅的背面进行了钝化，同时也对磷掺杂N层进行补偿，形成了PP+同型结。
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