CN1202042C - 高品质因数的微波陶瓷介质及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种微波陶瓷介质,具有(Zr,Sn)TiO4系统材料,其特征在于,外加添加剂为ZnO和MoO3或ZnO、MoO3和V2O5,其制造方法是,采用ZrO2、SnO2和TiO2组分,外加添加剂后,将原料经湿磨混合,烘干制成混合粉料,于1000-1200℃煅烧,再经球磨粉碎后加入PVA水溶液,压制成型,于1250-1400℃烧成。本发明可广泛用于各种介质谐振器、滤波器等微波器件的制造,可满足移动通信、电缆电视、卫星通信等系统应用的技术需要。
Description
技术领域
本发明是关于以成分为特征的陶瓷组合物,更确切地说,是关于一种以钛酸盐为基料的陶瓷组合物。
背景技术
随着移动通讯、电缆电视、卫星通信系统的迅速发展,对介质基片、介质天线、谐振器、滤波器等微波陶瓷器件的需求量日益增大。(Zr,Sn)TiO4材料是一种性能优异的钛酸盐微波陶瓷,它的介电常数适中,品质因数Q值高,温度稳定性好,主要用于4-8GHz的微波范围。自问世以来,解决了窄带谐振器的频率漂移问题,后来更是广泛用于制作各种介质谐振器和滤波器。
(Zr,Sn)TiO4系陶瓷主要通过固相反应方法制备,该方法工艺简单,易于工业化生产,材料性能稳定。但是纯(Zr,Sn)TiO4陶瓷很难充分致密化,若无烧结助剂,烧结温度高达1700℃。一些研究者考察了Cu、Fe、La、Ni、Cd、Zn等离子对(Zr,Sn)TiO4陶瓷显微结构和介电性能的影响,并尝试采用溶胶-凝胶法、共沉淀法、水热合成法等新工艺制备粉料。如《美国陶瓷协会》杂志(the Journal of America Ceramic Society)在1985年5月的一篇文章《低温烧结(Zr,Sn)TiO4粉末的制备与介电性能》[Preparationand Dielectric properties of Low-temperature-sinterable(Zr0.8,Sn0.2)TiO4 Powder]中报道:采用化学纯度的ZrOCL2·8H2O、TiCl、SnO2利用共沉淀法制备(Zr0.8,Sn0.2)TiO4粉末,900℃予烧2小时后,添加3mol%的Zn(NO3)2或ZnO作助剂,在1200℃-1400℃下烧结。取得结果:ετ=40.9,Qf(GHz)=49000,τf=-2×10-6/K。
目前(Zr,Sn)TiO4陶瓷仍存在的主要问题是(1)粉末制备方法影响因素较多,产品烧结温度高,难以控制,制备周期长,操作复杂。(2)某些添加剂的降温效果不明显,或影响材料的介电性能及性能稳定。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术的不足,提供一种在降低烧结温度的同时,工艺简单,成本较低,具有高品质因数且温度稳定性好的微波介质陶瓷。
本发明通过下列方案予以实现。
本发明的微波陶瓷介质,具有(Zr,Sn)TiO4系统材料,其组分包括ZrO2、SnO2和TiO2;外加添加剂包括ZnO和MoO3,外加添加剂的原料重量百分比含量为ZnO 0.1-6%,MoO3 0.1-3.0%。
所述的外加添加剂还包括V2O5,其原料重量百分比含量为0.5-1.5%。
本发明微波陶瓷介质的制造方法,采用ZrO2、SnO2和TiO2组分,其制造方法是:原料中外加添加剂ZnO和MoO3,其原料重量百分比含量为ZnO 0.1-6%,MoO3 0.1-3.0%,经湿磨混合,烘干制成混合粉料,于1000-1200℃煅烧,再经球磨粉碎后外加PVA水溶液,造粒,压制成型,于1250-1400℃烧成,制成微波陶瓷介质。
所述的外加添加剂还包括V2O5,其原料重量百分比含量为0.5-1.5%。
所述的煅烧时间为2-4小时。
所述的烧成时间为2-4小时。
所述的压制成型的成型压力为200-300Mpa。
所述的PVA水溶液为7%PVA的水溶液,外加原料重量百分比含量为14-28%,
本发明的有益效果是在降低了瓷料烧结温度的同时,简化了工艺,降低了成本,提高了陶瓷介质的品质因数,并且增加了陶瓷介质的温度稳定性。
具体实施方式
本发明是对传统固相反应法进行改进,采用ZnO、MoO3、V2O5及其复合添加的方法,在降低烧结温度的同时,制得高品质因数和温度稳定性好的微波介质陶瓷。
本发明选用化学纯的TiO2、SnO2、ZrO2原料,以(Zr 1-x Sn x)TiO4组成配比为主要成分,其中X=0.1-0.5,添加0.1-6.0wt%的ZnO、0.1-3.0的wt%的MoO3,或0.1-6.0wt%的ZnO、0.1-3.0的wt%的MoO3、0.5-1.5的wt%V2O5。
添加剂也可采用WO3、CuO、MgO,湿磨混料,烘干后制成混合粉料;粉料于1000-1200℃煅烧,2-4小时;再经球磨粉碎后加入7%PVA水溶液14-28%,造粒,于200-300MPa压制成型;于1250-1400℃烧成,2-4小时,制成微波陶瓷介质。可用于制造厘米波段的介质滤波器等
具体实施例如下:
组成 | ZrO2 | SnO2 | TiO2 | ZnO | MoO3 | V2O5 |
1 | 52g | 14g | 38g | 1.8g | 0.1g | |
2 | 49g | 15g | 40g | 1.0g | 0.7g | |
3 | 52g | 14g | 38g | 1.5g | 0.5g | 1.2g |
合 成 温 度: 1100℃,3小时。
7% PVA水溶液: 19g。
成 型 压 力: 250Mpa
烧 成 温 度: 1300℃,3小时。
本发明于10Ghz下的介电性能检测结果:
组成 | ετ | Qf(GHz) | τf=10-6/K |
1 | 39.3 | 52000 | -2.18 |
2 | 37.4 | 71210 | -2.32 |
3 | 38.4 | 51210 | -2.94 |
本发明可广泛用于各种介质谐振器、滤波器等微波器件的制造,可满足移动通信、电缆电视、卫星通信等系统应用的技术需要。
Claims (8)
1.一种微波陶瓷介质,具有(Zr,Sn)TiO4系统材料,其组分包括ZrO2、SnO2和TiO2;外加添加剂包括ZnO和MoO3,外加添加剂及其原料重量百分比含量为ZnO 0.1-6%,MoO30.1-3.0%。
2.根据权利要求1所述的微波陶瓷介质,所述的外加添加剂还包括V2O5,其原料重量百分比含量为0.5-1.5%。
3.权利要求1所述的微波陶瓷介质的制造方法,采用ZrO2、SnO2和TiO2组分,其制造方法是:原料中外加添加剂ZnO和MoO3,其原料重量百分比含量为ZnO 0.1-6%,MoO30.1-3.0%,经湿磨混合,烘干制成混合粉料,于1000-1200℃煅烧,再经球磨粉碎后外加PVA水溶液,压制成型,于1250-1400℃烧成,制成微波陶瓷介质。
4.根据权利要求3所述的制造方法,所述的外加添加剂还包括V2O5,其原料重量百分比含量为0.5-1.5%。
5.根据权利要求3所述的制造方法,所述的煅烧时间为2-4小时。
6.根据权利要求3所述的制造方法,所述的烧成时间为2-4小时。
7.根据权利要求3所述的制造方法,所述的压制成型的成型压力为200-300Mpa。
8.根据权利要求3所述的制造方法,其特征在于,所述的PVA水溶液为7%PVA的水溶液,外加原料重量百分比含量为14-28%。
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