CN1191680C - 表面声波滤波器模块 - Google Patents

表面声波滤波器模块 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种能够容易地促进小型化、不会对可靠性带来妨碍的表面声波滤波器模块。本发明的表面声波滤波器模块，将表面声波芯片(2)安装在基板(1)的凹部(1a)内，用密封板(5)覆盖该凹部(1a)，并在包含基板(1)的侧面的外表面设置端面电极(4)；在该表面声波滤波器模块中，在基板(1)的与密封板(5)侧相反侧的表面设置表面平滑的绝缘层(8)，在该绝缘层(8)的上表面形成电路元件等的薄膜电路(9)。由此，由于能够在绝缘层(8)上形成高精度的薄膜电路(9)、能够削减元件间节距制约大的芯片元件的数量，因此能够促进模块整体的小型化。

Description

表面声波滤波器模块
技术领域
本发明涉及一种面安装型表面声波滤波器模块，该面安装型表面声波滤波器模块将利用了压电基板上的表面声波(Surface Acoustic Wave：SAW)的电子元件的表面声波芯片作为天线开关电路等的滤波器进行了组合。
背景技术
在发送接收高频信号的天线开关电路等中，选择特定频率的信号使之通过的表面声波滤波器，近年被广泛用作发射用滤波器或接收用滤波器。这种表面声波滤波器，虽然与在水晶等压电基板的表面形成规定的电极图案而构成的表面声波芯片电连接，但由于表面声波芯片为比较大的芯片元件，因此在配设包括表面声波芯片的多个电路元件、制作天线电路单元等的表面声波滤波器模块时，将表面声波芯片安装到基板的外表面和该模块的小型化变得困难。
因此，以前提出过如图4所示，通过将表面声波芯片组合到基板的凹部内实现小型化的表面声波滤波器模块的方案。该图所示的表面声波滤波器模块主要用多层基板(LTCC)1、安装在该多层基板1的凹部1a内的表面声波芯片2、安装在多层基板1的上表面的芯片电阻或芯片电容等各种芯片元件3、从多层基板1的侧面向底面及上表面延伸的端面电极4、接合在覆盖多层基板1的凹部la位置的金属板等的密封板5构成。
多层基板1为层叠由低温烧结陶瓷材料形成的印刷电路基板(greensheet)在1000℃以下烧成的构件，安装在图中没有示出的母板上。表面声波芯片2通过连线6与引线图案7相连，该引线图案7通过图中没有示出的通孔向多层基板1的上表面导出。并且，通过使表面声波芯片2及各种芯片元件3在多层基板1的上表面与端面电极4导通，表面声波芯片2及各种芯片元件3通过端面电极4与外部电路电气连接。另外，表面声波芯片2粘结固定在多层基板1的凹部1a的顶板上，在凹部la内填充了氮等惰性气体。
但是，由于近年使芯片元件或半导体元件等电路元件小型化的技术显著进步，通过将这些超小型的电路元件高密度地安装在基板上，在图4所示的以前结构的表面声波滤波器模块中也能实现相当程度的小型化。但是，芯片元件及半导体元件等电路元件的小型化是有限度的，并且在将大量的电路元件安装到基板上时还要考虑使各电路元件的钎焊部不要短路，因此使元件间的节距变窄也是有限度的。因此，以前结构的表面声波滤波器模块存在难以实现近来要求的小型化的问题。并且存在由于安装芯片元件而难于薄型化的问题。
发明内容
本发明就是鉴于现有技术的实际情况，其目的是提供一种能够容易地促进小型化、薄型化，不会对可靠性带来妨碍的表面声波滤波器模块。
为了达到上述目的，本发明的表面声波滤波器模块这样构成：包括：安装在母板上的具有凹部的基板，安装在该基板的上述凹部内的表面声波芯片，与上述基板结合、覆盖上述凹部的密封板，设置在上述基板的与上述密封板侧相反侧的面上、表面平滑的绝缘层，在该绝缘层上薄膜形成的电路元件，设置在包括上述基板的侧面的外表面上、与上述表面声波芯片及上述电路元件导通的外部电极；通过上述表面声波芯片使特定的信号通过。
这样构成的表面声波滤波器模块，由于不仅能在基板的单面设置绝缘层使表面平滑，而且能够用薄膜技术在该绝缘层上高精度地形成电容或感应元件等电路元件，因此能够削减元件间节距制约大的芯片元件的数量，促进模块整体的小型化、薄型化变得容易。
在上述结构中，如果不仅设置贯通上述基板及上述绝缘层、使上述电路元件与上述端面电极导通的第1通孔，同时设置贯通上述基板及上述绝缘层、使上述表面声波芯片与上述电路元件导通的第2通孔，则不仅使端面电极、电路元件和表面声波芯片之间互相连接，而且不会对模块整体的小型化带来妨碍、确保连接的可靠性变得容易。例如，在绝缘层上薄膜形成构成天线开关电路的多个电路元件、使与这些电路元件导通的表面声波芯片起滤波器的作用，在这样的天线电路单元中，通过采用设置第1及第2通孔的结构，使促进小型化和提高可靠性变得容易。
并且，这些通孔中贯通上述绝缘层的部分可以在在基板上形成绝缘层之前设置，也可以在在基板上形成绝缘层之后设置。即，如果在绝缘层形成之前预先在各通孔的电路元件一侧的端部电镀加工设置凸出形成的电镀部，通过在基板上除该电镀部以外的区域被覆绝缘层，结果该电镀部处于贯通绝缘层的状态。或者，也可以预先在基板的整个上表面被覆绝缘层，然后通过用激光微调法在绝缘层上加工穿孔，追加形成相当于各通孔的电路元件一侧的端部的部分。
在上述结构中，如果将包括表面声波芯片的所有芯片元件都安装在基板的上述凹部内，则由于能够使多层基板的外表面完全没有芯片元件，因此能够促进表面声波滤波器模块的薄型化。
附图说明
图1与本发明的第1实施形态有关的表面声波滤波器模块的剖视图
图2图1所示的表面声波滤波器模块的电路说明图
图3与本发明的第2实施形态有关的表面声波滤波器模块的剖视图
图4与以前的表面声波滤波器模块的剖视图
具体实施方式
如果参照附图说明本发明的实施形态，图1为与第1实施形态有关的表面声波滤波器模块的剖视图，图2为该模块的电路说明图，与图4相对应的部分使用相同的附图标记。
图1所示的表面声波滤波器模块为用作天线开关电路的接收单元的构件，虽然在将具有接收用滤波器功能的表面声波芯片2安装在多层基板1的凹部1a内这一点上与以前的实施例相同，但在用薄膜技术形成电路元件这一点上与以前实施例具有很大的不同。即，该表面声波滤波器模块大体由以下部分构成：安装在图中没有示出的母板上的多层基板1；安装在凹部1a内、用连线6与引线图案7相连的表面声波芯片2；从多层基板1的侧面向底面延伸的端面电极4；与多层基板1的底侧面结合、覆盖凹部la的金属板等的密封板5；被覆在多层基板l的上侧面的绝缘层8、由薄膜形成在该绝缘层8上表面的电容或感应元件等各种电路元件形成的薄膜电路9；安装在绝缘层8的上表面、通过连线10与薄膜电路9连接的二极管等半导体芯片11；贯通多层基板1及绝缘层8的第1和第2通孔12、13；半导体芯片11用封装剂(potting)密封。
多层基板1为层叠由低温烧结陶瓷形成的印刷电路基板、在1000℃以下烧结成的构件，其凹部1a内填充了氮等惰性气体。表面声波芯片2为在水晶等压电基板的表面形成规定的电极图案形成的构件，粘结固定在凹部1a的顶板面上。如图2所示，该表面声波芯片2设于作为薄膜电路9的一部分的LC滤波器17与接收电路19之间，起接收用的表面声波滤波器18的作用。另外，在图2中，符号15表示输入端子，16表示相位电路，20表示输出端子。
绝缘层8由玻璃釉或聚酰亚胺等形成，通过将这些材料被覆在多层基板1的上表面，能够形成平滑度极高的平坦的绝缘层8。即，由于多层基板1的表面粗糙，因此直接在多层基板1上形成薄膜电路9不理想，但如果预先用绝缘层8被覆多层基板1，则能够比较简单地形成精度极高的薄膜电路9。该薄膜电路9通过第1通孔12及引线图案14与端面电极4相连，并且，薄膜电路9通过第2通孔13及引线图案7与表面声波芯片2相连。因此，薄膜电路9中的各种电路元件与表面声波芯片2及半导体芯片11等通过端面电极4与外部电路电连接。
并且，第1及第2通孔12、13中贯通绝缘层8的部分可以在绝缘层8形成之前设置，也可以在绝缘层8形成之后设置。即，如果在绝缘层8形成之前预先在各通孔12、13的上端部电镀加工设置凸出形成的电镀部，通过在多层基板1上的除该电镀部以外的区域被覆绝缘层8，结果该电镀部处于贯通绝缘层8的状态。或者，也可以预先在多层基板1的整个上表面被覆绝缘层8，然后通过用激光微调法在绝缘层8上加工穿孔，追加形成各通孔12、13的上端部，然后在该上端部内填充导电性材料。
这样构成的表面声波滤波器模块，由于是在多层基板1的上表面设置绝缘层8使表面平滑化、并且在该绝缘层8的上表面形成高精度的薄膜电路9构成的，除半导体芯片11以外不必在多层基板1的外表面搭载芯片元件，所以能够显著削减元件间节距制约大的芯片元件的数量，促进模块整体的小型化变得容易。并且，为了使薄膜电路9与端面电极4导通，设置了第1通孔12，为了使表面声波芯片2与薄膜电路9导通，设置了第2通孔13，由于采用了这样的结构，不仅使端面电极4与薄膜电路9及表面声波芯片2互相连接，而且也不会给模块整体的小型化带来妨碍、确保连接的可靠性变得容易。
图3为与第2实施形态有关的表面声波滤波器模块的剖视图，与图1相对应的部分使用相同的附图标记。
本实施形态与上述第1实施形态的不同点为将难以变成薄膜元件的半导体芯片11安装在多层基板1的凹部1a内，其他的结构基本相同。即，如图3所示，半导体芯片11安装在多层基板1的凹部1a内、通过连线10与引线图案21相连，薄膜电路9通过第3通孔22及引线图案21与半导体芯片11连接。如果这样将表面声波芯片2和半导体芯片11安装在多层基板1的凹部1a内，由于能够使多层基板1的外表面完全没有芯片元件，因此不仅能够实现极薄型的表面声波滤波器模块，而且由于不需要用于密封半导体芯片11的封装，因此能够简化制造工艺。
发明效果
本发明用以上说明的形态实施，起到以下叙述的效果：
由于不仅能够在基板的单面设置绝缘层使表面平滑，而且能够用薄膜技术在该绝缘层上高精度地形成电容器或感应元件等电路元件，因此能够削减元件间节距制约大的芯片元件，其结果，能够提供容易地促进小型化、不会对可靠性带来妨碍的表面声波滤波器模块。

Claims (5)

1.一种表面声波滤波器模块，其特征在于，包括：安装在母板上的具有凹部的基板；安装在该基板的上述凹部内的表面声波芯片；与上述基板结合、覆盖上述凹部的密封板；设置在上述基板的与上述密封板侧相反侧的面上的、表面平滑的绝缘层；在该绝缘层上以薄膜方式形成的电路元件；和设置在包括上述基板的侧面的外表面上、与上述表面声波芯片及上述电路元件导通的端面电极；贯通上述基板及上述绝缘层，使上述电路元件与上述端面电极导通的第1通孔；贯通上述基板及上述绝缘层，使上述表面声波芯片与上述电路元件导通的第2通孔，
通过上述表面声波芯片使特定的信号通过。
2.如权利要求1所述的表面声波滤波器模块，其特征在于，在上述绝缘层上形成薄膜形式的构成天线开关电路的多个上述电路元件。
3.如权利要求1所述的表面声波滤波器模块，其特征在于，上述各通孔的上述电路元件侧的一个端部，具有在上述绝缘层形成前电镀加工并凸出形成的电镀部。
4.如权利要求1所述的表面声波滤波器模块，其特征在于，上述各通孔的上述电路元件侧的一个端部在上述绝缘层形成后，在该绝缘层上穿孔加工而形成。
5.如权利要求1所述的表面声波滤波器模块，其特征在于，包括上述表面声波芯片的所有芯片元件都安装在上述基板的上述凹部内。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004215226A (ja) * 2002-12-17 2004-07-29 Seiko Epson Corp 弾性表面波装置の周波数調整方法および電子機器
US7015718B2 (en) * 2003-04-21 2006-03-21 International Buisness Machines Corporation Register file apparatus and method for computing flush masks in a multi-threaded processing system
JP4177182B2 (ja) * 2003-06-13 2008-11-05 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波デバイス、そのパッケージ及びその製造方法
US7012839B1 (en) * 2004-08-19 2006-03-14 International Business Machines Corporation Register file apparatus and method incorporating read-after-write blocking using detection cells
TWI250629B (en) * 2005-01-12 2006-03-01 Ind Tech Res Inst Electronic package and fabricating method thereof
WO2006106831A1 (ja) * 2005-04-01 2006-10-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 弾性表面波デバイスおよびその製造方法
US20070076664A1 (en) * 2005-09-30 2007-04-05 Yafan An Handoff decision making for heterogeneous network environments
US8405115B2 (en) * 2009-01-28 2013-03-26 Maxim Integrated Products, Inc. Light sensor using wafer-level packaging
DE102009023854B4 (de) * 2009-06-04 2023-11-09 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauelement
JP5241909B2 (ja) * 2011-12-22 2013-07-17 太陽誘電株式会社 回路基板
JP5241910B2 (ja) * 2011-12-22 2013-07-17 太陽誘電株式会社 回路基板

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2673993B2 (ja) * 1990-07-02 1997-11-05 日本無線株式会社 表面弾性波装置
JPH05152881A (ja) * 1991-11-28 1993-06-18 Hitachi Ltd 弾性表面波素子モジユールの製造方法
JPH05235688A (ja) * 1992-02-20 1993-09-10 Hitachi Ltd 弾性表面波装置及びこれを用いた移動無線端末
JPH05235689A (ja) * 1992-02-25 1993-09-10 Soshin Denki Kk 高周波デバイス
US5786738A (en) * 1995-05-31 1998-07-28 Fujitsu Limited Surface acoustic wave filter duplexer comprising a multi-layer package and phase matching patterns
JP3222072B2 (ja) * 1996-10-15 2001-10-22 富士通株式会社 分波器パッケージ
JPH10200370A (ja) * 1997-01-10 1998-07-31 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波フィルタ
JPH11127055A (ja) * 1997-10-23 1999-05-11 Murata Mfg Co Ltd 複合電子部品
US6229404B1 (en) * 1998-08-31 2001-05-08 Kyocera Corporation Crystal oscillator
US6570469B2 (en) * 2000-06-27 2003-05-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Multilayer ceramic device including two ceramic layers with multilayer circuit patterns that can support semiconductor and saw chips
JP4049239B2 (ja) * 2000-08-30 2008-02-20 Ｔｄｋ株式会社 表面弾性波素子を含む高周波モジュール部品の製造方法
JP2002330050A (ja) 2001-05-07 2002-11-15 Nrs Technology Kk 中空樹脂モールド弾性表面波フィルタ

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