CN118354645A - 显示面板及其制造方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种显示面板及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。显示面板，包括：基板、像素界定层、第一电极层、发光层、第二电极层、辅助电极和形变部。在形变部背离基板的一侧形成发光层后，可以控制形变部进行变形。在形变部的变形过程中，形变部能够带动发光层中与形变部接触的第一部分进行位移，以使发光层中的第一部分可以与发光层中与形变部未接触的第二部分之间形成隔断槽。为此，辅助电极中的部分可以通过该隔断槽裸露出来，使得第二电极层能够通过隔断槽与裸露出来的辅助电极进行搭接。如此，可以实现第二电极层与辅助电极之间的有效搭接，使得该显示面板的显示效果较好。

Description

显示面板及其制造方法、显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板及其制造方法、显示装置。

背景技术

目前的有机电致发光(英文：Organic Light-Emitting Diode简称：OLED)显示面板通常包括阳极层、有机发光层和阴极层。根据发光面不同可分为底发射型OLED显示面板和顶发射型OLED显示面板两种，而顶发射型OLED显示面板可以获得更大的开口率，近年来成为研究的热点。

顶发射型OLED显示面板需要薄且透明的阴极层和能够进行光反射的阳极层，以增加光的透过率，而薄且透明的阴极层普遍存在电阻值较高，电压降严重的问题。通常在阴极层中距离电源供给点越远的位置的电压降越明显，从而导致OLED显示面板有明显的发光不均匀的现象。

为了克服OLED显示面板中的阴极层中电压降严重的问题，需要在形成该OLED显示面板中的有机发光层和阴极层之前形成辅助电极，该辅助电极与后续形成的阴极层电连接，电源可以为辅助电极提供电信号，通过该辅助电极可以使阴极层中各个位置的电压相同。

在形成OLED显示面板中的阴极层之前，需要通过蒸镀工艺形成有机发光层。在通过蒸镀工艺形成有机发光层的过程中，该有机发光层容易附着在辅助电极上，影响辅助电极与后续形成的阴极层之间的电连接，进而导致该OLED显示面板的显示效果较差。

发明内容

本申请实施例提供了一种显示面板及其制造方法、显示装置。可以解决现有技术的OLED显示面板的显示效果较差的问题，所述技术方案如下：

一方面，提供了一种显示面板，包括：

基板；

位于所述基板上的像素界定层，所述像素界定层用于在所述基板上限定出多个像素区域，以及位于所述像素区域外围的非像素区域；

沿垂直且远离所述基板的方向层叠设置的第一电极层、发光层和第二电极层，所述第一电极层包括：至少部分位于所述像素区域内的第一电极；

位于所述非像素区域内的辅助电极，所述辅助电极与所述第一电极绝缘设置；

以及，位于所述辅助电极背离所述基板的一侧的形变部，所述形变部分布在所述发光层朝向所述基板的一侧，且所述形变部用于在变形过程中带动所述发光层中与所述形变部接触的第一部分进行位移，以使所述第一部分与发光层中与所述形变部未接触的第二部分之间形成隔断槽；

其中，所述第二电极层能够通过所述隔断槽与所述辅助电极搭接。

可选的，在所述形变部的变形过程中，所述形变部带动所述第一部分在平行于所述基板的方向上，沿背离所述第二部分的方向进行内缩变形。

可选的，所述形变部在所述基板上的正投影位于所述辅助电极在所述基板上的正投影内，且所述形变部在所述基板上的正投影的外边界，与所述辅助电极在所述基板上的正投影的外边界不重合。

可选的，所述辅助电极包括：与所述形变部接触设置的第一子辅助电极，以及未被所述形变部覆盖的第二子辅助电极；

其中，所述第二电极层能够通过所述隔断槽与所述第二子辅助电极搭接。

可选的，在所述形变部的变形过程中，所述形变部带动所述第一部分中的边缘部分沿背离所述基板方向进行弯曲变形。

可选的，所述形变部包括：与所述辅助电极接触设置的接触部，以及与所述辅助电极分离设置的翘曲部，所述翘曲部与所述辅助电极之间的距离沿朝向所述像素区域的方向逐渐增大；

其中，所述第二电极层能够通过所述隔断槽延伸至所述翘曲部与所述辅助电极之间，且与所述辅助电极搭接。

可选的，所述辅助电极背离所述基板的一侧与所述基板之间的距离，大于或等于所述像素界定层背离所述基板的一侧与所述基板之间的距离，且所述形变部的厚度大于所述发光层的厚度。

可选的，所述形变部用于在目标条件下进行变形，所述目标条件包括：受光照射条件和受热条件中的至少一个。

另一方面，还提供了一种显示面板的制造方法，所述方法包括：

在基板上形成像素界定层、第一电极层、发光层、第二电极层、辅助电极和形变部；

其中，所述像素界定层用于在所述基板上限定出多个像素区域，以及位于所述像素区域外围的非像素区域；

所述第一电极层、所述发光层和所述第二电极层沿垂直且远离所述基板的方向依次设置，所述第一电极层包括：至少位于所述像素区域内的第一电极；

所述辅助电极位于所述非像素区域内，且所述辅助电极与所述第一电极绝缘设置；

所述形变部位于所述辅助电极背离所述基板的一侧的，所述形变部分布在所述发光层朝向所述基板的一侧，且所述形变部用于在变形过程中带动所述发光层中与所述形变部接触的第一部分进行位移，以使所述第一部分与发光层中与所述形变部未接触的第二部分之间形成隔断槽；

所述第二电极层能够通过所述隔断槽与所述辅助电极搭接。

又一方面，还提供了一种显示装置，包括：供电组件和显示面板，所述供电组件用于为所述显示面板供电，所述显示面板为上述任一所述的显示面板。

本申请实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：

一种显示面板，包括：基板、像素界定层、第一电极层、发光层、第二电极层、辅助电极和形变部。在形变部背离基板的一侧形成发光层后，可以控制形变部进行变形。在形变部的变形过程中，形变部能够带动发光层中与形变部接触的第一部分进行位移，以使发光层中的第一部分可以与发光层中与形变部未接触的第二部分之间形成隔断槽。为此，辅助电极中的部分可以通过该隔断槽裸露出来，使得第二电极层能够通过隔断槽与裸露出来的辅助电极进行搭接。如此，可以实现第二电极层与辅助电极之间的有效搭接。从而避免出现由于发光层附着在辅助电极上，导致的第二电极层与辅助电极无法正常搭接的现象。有效的提高了第二电极层与辅助电极之间的电连接性能，使得该显示面板的显示效果较好。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的一种显示面板的俯视图；

图2是图1示出的显示面板在A-A’处的膜层结构示意图；

图3是本申请实施例提供的一种发光层形成后且形变部变形前的显示面板的膜层结构示意图；

图4是本申请实施例提供的一种形变部变形后且第二电极层形成前的显示面板的膜层结构示意图；

图5是本申请实施例提供的另一种发光层形成后形变部变形前的显示面板的膜层结构示意图；

图6是本申请实施例提供的另一种形变部变形后且第二电极层形成前的显示面板的膜层结构示意图；

图7是本申请实施例提供的一种显示面板的膜层结构示意图；

图8是本申请实施例提供的又一种形变部变形后且第二电极层形成前的显示面板的膜层结构示意图；

图9是本申请实施例提供的另一种显示面板的膜层结构示意图；

图10是本申请实施例提供的又一种发光层形成后形变部变形前的显示面板的膜层结构示意图；

图11是本申请实施例提供的一种显示面板的制造方法的流程图。

具体实施方式

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请实施方式作进一步地详细描述。

本申请实施例提供了一种显示面板，请参考图1和图2，图1是本申请实施例提供的一种显示面板的俯视图，图2是图1示出的显示面板在A-A’处的膜层结构示意图。本申请实施例提供的一种显示面板的膜层结构示意图。该显示面板000可以包括：基板100、像素界定层200、第一电极层300、发光层400、第二电极层500、辅助电极600和形变部700。

显示面板000中的像素界定层200可以位于基板100上，且该像素界定层200用于在基板100上限定出多个像素区域100a，以及位于像素区域100a外围的非像素区域100b。

显示面板000中的第一电极层300、发光层400和第二电极层500可以沿垂直且远离基板100的方向层叠设置。这里，显示面板000中的第一电极层300可以包括：至少部分位于像素区域100a内的第一电极301。需要说明的是，本申请实施例提供的显示面板000可以为顶发射型的显示面板。也即是，显示面板000中的第一电极层300可以为能够进行光反射的阳极层，该第一电极层300中的第一电极301即为阳极，且第一电极层300可以为采用金属材料制成的电极层。显示面板000中的第二电极层500可以为薄且透明的阴极层，该第二电极层500通常可以为透明导电材料，例如，透明导电材料可以包括：ITO或IZO等。这里，第二电极层500通常存在电阻值较高电压降严重的问题，为此，需要将第二电极层500接入显示面板000中的电阻值较小的辅助电极600。

显示面板000中的辅助电极600可以位于非显示区域100b内，且该辅助电极600可以与第一电极层300中的第一电极301绝缘设置。

显示面板000中的形变部700可以位于辅助电极600背离基板100的一侧，且该形变部700可以分布在发光层400朝向基板100的一侧。也即是，显示面板000中的形变部700可以位于辅助电极600和发光层400之间。

这里，显示面板000内的发光层400中与形变部700接触的部分可以称为第一部分401，而发光层400中未与形变部700接触的部分可以称为第二部分402。显示面板000中的形变部700可以用于在形变部700的变形过程中带动发光层400中的第一部分401进行位移，以使发光层400中的第一部分401可以与发光层400中的第二部分502之间形成隔断槽K。这样，显示面板000中的第二电极层500能够通过该隔断槽K与辅助电极600搭接。

需要说明的是，如图3所示，图3是本申请实施例提供的一种发光层形成后且形变部变形前的显示面板的膜层结构示意图。显示面板000中的形变部700可以在发光层400形成后且第二电极层500形成前进行变形。这里，在形成发光层400后，发光层400在基板100上的正投影可以覆盖整个基板100，发光层400中与形变部700接触的第一部分401可以全部位于非像素区域100b内，发光层400中与形变部700未接触的第二部分402可以至少位于像素区域100a内。

还需要说明的是，如图4所示，图4是本申请实施例提供的一种形变部变形后且第二电极层形成前的显示面板的膜层结构示意图。在形变部700发生变形后，在发光层400中的第一部分401和第二部分402之间形成的隔断槽K是位于非像素区域100b内的。为此，在形变部700发生变形后，在非像素区域100b内形成的隔断槽K使得位于非像素区域100b内的辅助电极600中的一部分可以通过隔断槽K裸露出来。这样，在形成第二电极层500后，第二电极层500能够通过隔断槽K与裸露出的辅助电极600进行搭接。

这里，辅助电极600可以采用导电性较高的金属材料制成，该辅助电极600的电阻值较小。在第二电极层500通过隔断槽K与辅助电极600搭接后，通过该辅助电极600能够使第二电极层500中各个位置的电压相同，从而提高了显示面板的显示效果。

在本申请中，在形变部700背离基板100的一侧形成发光层400后，可以控制形变部700进行变形。在形变部700的变形过程中，形变部700能够带动发光层400中与形变部700接触的第一部分401进行位移，以使发光层400中的第一部分401可以与发光层400中与形变部700未接触的第二部分402之间形成隔断槽K。为此，辅助电极600中的部分可以通过该隔断槽K裸露出来，使得在形成第二电极层500的过程中，第二电极层500能够通过隔断槽K与裸露出来的辅助电极600进行搭接。如此，可以实现第二电极层500与辅助电极600之间的有效搭接。从而避免出现由于发光层400附着在辅助电极600上，导致的第二电极层500与辅助电极600无法正常搭接的现象。有效的提高了第二电极层500与辅助电极600之间的电连接性能，使得该显示面板000的显示效果较好。

综上所述，本申请实施例提供了一种显示面板，包括：基板、像素界定层、第一电极层、发光层、第二电极层、辅助电极和形变部。在形变部背离基板的一侧形成发光层后，可以控制形变部进行变形。在形变部的变形过程中，形变部能够带动发光层中与形变部接触的第一部分进行位移，以使发光层中的第一部分可以与发光层中与形变部未接触的第二部分之间形成隔断槽。为此，辅助电极中的部分可以通过该隔断槽裸露出来，使得在第二电极层的形成过程中，第二电极层能够通过隔断槽与裸露出来的辅助电极进行搭接。如此，可以实现第二电极层与辅助电极之间的有效搭接。从而避免出现由于发光层附着在辅助电极上，导致的第二电极层与辅助电极无法正常搭接的现象。有效的提高了第二电极层与辅助电极之间的电连接性能，使得该显示面板的显示效果较好。

在本申请中，第一电极层300中的位于像素区域100a内的第一电极301，发光层400中位于像素区域100a内的第二部分402，以及第二电极层500中位于像素区域100a内的部分，能够组成发光器件。需要说明的是，本申请实施例中的显示面板000中的发光器件的个数也为多个，且该多个发光器件可以与多个像素区域100a一一对应，每个发光器件可以位于对应的像素区域100a内。示例的，该发光器件可以为OLED发光器件，且该OLED发光器件可以为顶发射型的发光器件。还需要说明的是，显示面板000中的基板100可以包括：与多个发光器件一一对应电连接的多个像素驱动电路。例如，每个像素驱动电路可以与对应的发光器件中的第一电极301电连接，通过像素驱动电路可以驱动对应的发光器件发光。

在本申请中，如图5所示，图5是本申请实施例提供的另一种发光层形成后形变部变形前的显示面板的膜层结构示意图。在基板100上形成形变部700后，形变部700在基板100上的正投影可以与辅助电极600在基板100上的正投影重合。也即是，形变部700在基板100上的正投影的外边界可以与辅助电极600在基板100上的正投影的外边界完全重合。然后，可以通过蒸镀工艺形成发光层400，该发光层400会覆盖整个基板100。为此，发光层400中与形变部700接触的第一部分401在基板100上的正投影可以与形变部700在基板100上的正投影重合。也即是，在发光层400形成后且形变部700未变形前，发光层400中的第一部分401在基板100上的正投影的外边界与形变部700在基板100上的正投影的外边界完全重合，且与辅助电极600在基板100上的正投影的外边界完全重合。

需要说明的是，显示面板000中的形变部700可以具有不同的变形过程。形变部700的变形过程不同，变形后的形变部700的形态结构也不同，但变形后的形变部700均会带动着发光层400中的第一部分401进行位移，而不会带着辅助电极600进行位移，使得发光层400中的第一部分401与第二部分402之间能够形成隔断槽K，且辅助电极600中的一部分可以通过该隔断槽K露出。这里，针对形变部700不同的变形过程，本申请实施例将以以下两种可选的实现方式为例进行说明：

第一种可选的实现方式，请参考图5和图6，图6是本申请实施例提供的另一种形变部变形后且第二电极层形成前的显示面板的膜层结构示意图。在显示面板000中的形变部700的变形过程中，形变部700可以带动发光层400中的第一部分401在平行于基板100的方向上，沿背离发光层400中的第二部分402的方向进行内缩变形。也即是，在形变部700的变形过程中，形变部700在基板100上的正投影面积会逐渐缩小，在形变部700变形完成后，形变部700在基底100上的正投影的面积，小于辅助电极600在基板100上的正投影面积，且变形后的形变部700在基板100上的正投影的面积可以全部位于辅助电极600在基板100上的正投影内。

这里，在形变部700的变形作用下，发光层400中与形变部700接触的第一部分401和与形变部700未接触的第二部分402之间会断开，并逐渐在二者之间形成隔断槽K。在形变部700变形完成后，发光层400中与形变部700接触的第一部分401在基板100上的正投影面积仍可以与形变部700在基板100上的正投影面积重合，以使在发光层400中的第一部分401和第二部分402之间形成的隔断槽K可以位于非像素区域100b内。为此，在形变部700变形完成后，辅助电极600中的部分可以通过该隔断槽K裸露出来。这样，如图7所示，图7是本申请实施例提供的一种显示面板的膜层结构示意图，在后续形成第二电极层500的过程中，第二电极层500可以通过该隔断槽K与裸露出的辅助电极600搭接。

在本申请中，如图6所示，在形变部700带动发光层400中的第一部分401在平行于基板100的方向上，沿背离发光层400中的第二部分402的方向进行内缩变形后，形变部700在基板100上的正投影可以位于辅助电极600在基板100上的正投影内，且形变部700在基板100上的正投影边界与辅助电极600在基板100上的正投影边界不重合。例如，形变部700在基板100上的正投影边界与辅助电极600在基板100上的正投影边界之间的间隙范围可以为2纳米至3纳米。也即是，在平行于基板100的方向上，形变部700靠近像素区域100a的一侧与辅助电极600靠近像素区域100a的一侧之间的距离D1处于2纳米至3纳米之间，以保证辅助电极600中可以存在未被形变部700覆盖的部分，后续第二电极层500即可通过隔断槽K与辅助电极600中未被形变部700覆盖的部分搭接。

示例性的，如图6所示，在形变部700带动发光层400中的第一部分401在平行于基板100的方向上，沿背离发光层400中的第二部分402的方向进行内缩变形后，辅助电极600可以包括：与形变部700接触设置的第一子辅助电极601，以及未被形变部700覆盖的第二子辅助电极602。其中，显示面板000中的第二电极层500可以通过隔断槽K与辅助电极600中的第二子辅助电极602搭接。

这里，在形变部700发生变形后，辅助电极600通过隔断槽K裸露出的部分即为辅助电极600中的第二子辅助电极602。也即是，通过形变部700带动发光层400中的第一部分401的位移后，原本被形变部700覆盖的辅助电极600中的第二子辅助电极602可以裸露出来，以使第二电极层500可以通过隔断槽K与辅助电极600中的第二子辅助电极602搭接。且辅助电极600裸露出来的第二子辅助电极602在平行于基板100的方向上的宽度也即为形变部700靠近像素区域100a的一侧与辅助电极600靠近像素区域100a的一侧之间的距离D1。

第二种可选的实现方式，请参考图8，图8是本申请实施例提供的又一种形变部变形后且第二电极层形成前的显示面板的膜层结构示意图。在形变部700的变形过程中，形变部700可以带动发光层400中与形变部700接触的第一部分401中的边缘部分沿背离基板100的方向进行弯曲变形。也即是，在形变部700的变形过程中，形变部700的边缘部分可以沿背离辅助电极600的方向逐渐翘起，以带动发光层400中的第一部分401的边缘部分沿背离辅助电极600的方向逐渐翘起，使得发光层400中与形变部700接触的第一部分401和与形变部700未接触的第二部分402之间会断开，并逐渐在二者之间形成隔断槽K。

在形变部700变形完成后，发光层400中与形变部700接触的第一部分401在基板100上的正投影仍然全部位于非像素区域100b内，以使在发光层400中的第一部分401和第二部分402之间形成的隔断槽K可以位于非像素区域100b内。且在形变部700变形完成后，形变部700的边缘部分与辅助电极600之间具有一定空隙，以保证辅助电极600中的部分可以通过此空隙和隔断槽K裸露出来。如此，如图9所示，图9是本申请实施例提供的另一种显示面板的膜层结构示意图，第二电极层500可以通过隔断槽K与辅助电极600搭接。

可选的，如图8和图9所示，在形变部700带动发光层400中与形变部700接触的第一部分401中的边缘部分沿背离基板100的方向进行弯曲变形后，形变部700可以包括：与辅助电极600接触设置的接触部701，以及与辅助电极600分离设置的翘曲部702。形变部700中的翘曲部702与辅助电极600之间的距离可以沿朝向像素区域100a1的方向逐渐增大。也即是，形变部700中的翘曲部702与辅助电极600之间可以具有一定的空隙。其中，第二电极层500能够通过该隔断槽K延伸至翘曲部702和辅助电极600之间，且与辅助电极600搭接。

这里，在形变部700发生变形后，形变部700中的翘曲部702不再与辅助电极600进行接触，使得翘曲部702与辅助电极600之间能够形成一定的空隙，且可以保证发光层400中的第一部分401和第二部分402之间能够形成隔断槽K。这样，辅助电极600中的一部分可以通过这个空隙和隔断槽K裸露出来，而第二电极层500中的一部分能够穿过隔断槽K以分布在形变部700中的翘曲部702与辅助电极600之间的空隙内，进而可以在这个空隙内与辅助电极600搭接。

在本申请中，针对上述第二种可选的实现方式，请参考图10，图10是本申请实施例提供的又一种发光层形成后形变部变形前的显示面板的膜层结构示意图。显示面板000中的辅助电极600背离基板100的一侧与基板100之间的距离D2，可以大于或者等于像素界定层200背离基板100的一侧与基板100之间的距离D3，且形变部700的厚度D4可以大于发光层400的厚度D5。这样，形变部700背离基板100的一侧与基板100之间的距离可以大于发光层400中的第二部分402背离基板100的一侧与基板100之间的距离。如此，在形变部700的边缘部分发生弯曲变形后，可以保证形变部700中的翘曲部702与辅助电极600之间的空隙可以通过隔断槽K与外界连通，进而保证了在第二电极层500的形成过程中，第二电极层500能够通过隔断槽K伸入至翘曲部702与辅助电极600之间，以与辅助电极600搭接。

需要说明的是，针对上述第一种可选的实现方式，由于在形变部700的变形过程中，形变部700是带动发光层400中的第一部分401在平行于基板100的方向上，沿背离发光层400中的第二部分402的方向进行内缩变形的。为此，在第一种可选的实现方式中，无论辅助电极600背离基板100的一侧与基板100之间的距离是否大于像素界定层200背离基板100的一侧与基板100之间的距离，并且无论形变部700的厚度是否大于发光层400中的第二部分402的厚度，在形变部700带动发光层400中的第一部分401在平行于基板100的方向上，沿背离发光层400中的第二部分402的方向进行内缩变形后，辅助电极600中的第二子辅助电极602均会通过隔断槽K裸露出来，第二电极层500均可以与辅助电极600进行搭接。

还需要说明的是，针对上述第一种可选的实现方式，显示面板000中的辅助电极600可以与第一电极层300同层设置，且该辅助电极600和第一电极层300可以由同一种材料制成。为此，该辅助电极600和第一电极层300是由用一导电层制造得到的，也即是该辅助电极600和第一电极层300是通过相同的构图工艺形成的。

还需要说明的是，无论是在第一种可选的实现方式中，还是在第二种可选的实现方式中，形变部700的厚度均可以处于50纳米至100纳米之间，发光层400的厚度均可以处于20纳米至50纳米之间。

在本申请中，显示面板000中的形变部700可以用于在目标条件下进行变形，这里的目标条件可以包括：受光照射条件和受热条件中的至少一个。

示例的，在目标条件包括受光照射条件的情况下，显示面板000中的形变部700能够在光照作用下进行变形。例如，显示面板000中的形变部700的材料可以包括为偶氮苯分子十二丙烯酸脂。在形变部700受到波长为365纳米的紫外光线照射后，形变部700可以带动发光层400中的第一部分401在平行于基板100的方向上，沿背离发光层400中的第二部分402的方向进行内缩变形，以使辅助电极600中的中的部分可以通过隔断槽K裸出，进而使得在后续形成第二电极层500的过程中，第二电极层500可以通过隔断槽K与辅助电极600搭接。

又例如，显示面板000中的形变部700的材料可以包括光敏翘曲材料。这样形变部700在相对湿度大于百分之二十的条件下，受到波长为450纳米的光照后，可以带动发光层400中的第一部分401中的边缘部分沿背离基板100的方向进行弯曲变形。形变部700中的翘曲部702与辅助电极600之间的空隙可以通过隔断槽K与外界连通，以使辅助电极600中的部分可以裸出，进而使得在后续形成第二电极层500的过程中，第二电极层500可以通过隔断槽K延伸至翘曲部702与辅助电极600之间的空隙内与辅助电极600搭接。

在目标条件包括受热条件的情况下，显示面板000中的形变部700能够在受热作用下进行变形。例如，显示面板000中的形变部700的材料可以包括Mn₃ZnN和ZrW₂O₈，Mn₃ZnN和ZrW₂O₈均为负膨胀材料，且Mn₃ZnN和ZrW₂O₈的负膨胀系数均处于-8.8×10^-6K^-1至-4×10^-6K^-1之间。这样，在形变部700受到温度处于80°至100°之内的加热后，形变部700也可以带动发光层400中的第一部分401在平行于基板100的方向上，沿背离发光层400中的第二部分402的方向进行内缩变形，以使辅助电极600中的部分可以通过隔断槽K裸出，进而使得在后续形成第二电极层500的过程中，第二电极层500可以通过隔断槽K与辅助电极600搭接。

需要说明的是，在形变部700发生变形后，可以采用溅射工艺来形成第二电极层500。由于溅射工艺所形成的膜层的扩散性较好，因此，在通过溅射工艺形成第二电极层500时，可以保证该第二电极层500能够渗透至隔断槽K内，以使第二电极层500可以通过隔断槽K与辅助电极600搭接。

可选的，在像素界定层200和辅助电极600形成后且形变部700形成前，可以对已形成像素界定层200和辅助电极600的基板000进行氟离子处理。经过氟离子处理的该基板000上的像素界定层200和辅助电极600表面的亲液性可以减弱，以使在形变部700形成后控制形变部700的变形过程中，形变部700与像素界定层200和辅助电极600接触的部分能够更加容易的脱离像素界定层200和辅助电极600，进而使得形变部700能够更加容易的进行变形。

在本申请中，显示面板可以具有透明区域。该显示面板000中的辅助电极600是设置在两个相邻的像素区域100a之间的非像素区域100b内的。为此，该显示面板000中的辅助电极600并不会占用显示面板000中的透明区域，使得该显示面板000的透明度不会受到影响，进而使得该显示面板000的透明效果较好。

综上所述，本申请实施例提供了一种显示面板，包括：基板、像素界定层、第一电极层、发光层、第二电极层、辅助电极和形变部。在形变部背离基板的一侧形成发光层后，可以控制形变部进行变形。在形变部的变形过程中，形变部能够带动发光层中与形变部接触的第一部分进行位移，以使发光层中的第一部分可以与发光层中与形变部未接触的第二部分之间形成隔断槽。为此，辅助电极中的部分可以通过该隔断槽裸露出来，使得第二电极层能够通过隔断槽与裸露出来的辅助电极进行搭接。如此，可以实现第二电极层与辅助电极之间的有效搭接。从而避免出现由于发光层附着在辅助电极上，导致的第二电极层与辅助电极无法正常搭接的现象。有效的提高了第二电极层与辅助电极之间的电连接性能，使得该显示面板的显示效果较好。

本申请实施例还提供了一种显示面板的制造方法，该显示面板的制造方法用于制造上述显示面板，该显示面板的制造方法可以包括：

在基板上形成像素界定层、第一电极层、发光层、第二电极层、辅助电极和形变部。

其中，该像素界定层用于在基板上限定出多个像素区域，以及位于像素区域外围的非像素区域；第一电极层、发光层和第二电极层沿垂直且远离基板的方向依次设置，第一电极层包括：至少位于像素区域内的第一电极；辅助电极位于非像素区域内，且辅助电极与第一电极绝缘设置；形变部位于辅助电极背离基板的一侧的，形变部分布在发光层朝向基板的一侧，且形变部用于在变形过程中带动发光层中与形变部接触的第一部分进行位移，以使发光层中的第一部分与发光层中与形变部未接触的第二部分之间形成隔断槽；第二电极层能够通过该隔断槽与辅助电极搭接。

请参考图11，图11是本申请实施例提供的一种显示面板的制造方法的流程图。该显示面板的制造方法可以包括：

步骤S1、提供基板。

在本申请中，基板内可以包括：多个像素驱动电路，该多个像素驱动电路可以与后续形成的多个发光器件一一对应电连接。

步骤S2、在基板上形成第一电极层。

在本申请中，可以在基板上形成第一导电图形，该第一导电图形可以包括：第一电极层；示例的，在基板上形成第一导电图形可以包括以下几个步骤：

步骤A、在基板上形成第一子导电薄膜。

可选的，该第一子导电薄膜可以包括：金属铝、金属钼、金属银或合金等金属材料。可以在基板上通过沉积、涂敷和溅射等多种方式中的任一种形成第一导电薄膜。

步骤B、在第一导电薄膜上形成光刻图案。

可选的，可以在第一导电薄膜上涂敷一层光刻胶薄膜，然后对该光刻胶薄膜进行曝光处理和显影处理，以在第一导电薄膜上形成光刻胶图案。

步骤C、对第一导电薄膜进行刻蚀处理，以形成第一电极层。

可选的，可以对带有光刻胶图案的第一导电薄膜进行刻蚀处理，以形成包括第一电极层的第一导电图形。其中，该第一电极层包括：第一电极，该第一电极即为阳极。

示例的，可以采用用于刻蚀金属材料的刻蚀液对第一导电薄膜进行刻蚀处理，以形成包括第一电极的第一导电图形。

步骤D、剥离光刻胶图案，以在基板上形成第一导电图形。

可选的，可以对光刻胶图案进行剥离处理，以在基板上形成第一导电图形，其中，该第一导电图形包括第一电极层，且第一电极层包括：第一电极。

步骤S3、在基板上形成辅助电极。

在本申请中，针对上述第一种可选的实现方式，该辅助电极可以与第一电极层同层设置，且该辅助电极和第一电极层可以由同一种材料制成。为此，该辅助电极和第一电极层是由同一导电层制造得到的。也即是，上述步骤S2中形成的第一导电图形可以包括：第一电极层和辅助电极。

针对上述第二种可选的实现方式，该辅助电极与第一电极层不是同层设置，但该辅助电极和第一电极层可以由同一种材料制成。这样，在上述步骤S2中形成第一导电图形后，可以在基板上形成第二导电图形，该第二导电图形可以包括：辅助电极。在基板上形成第二导电图形的步骤与上述在基板上形成第一导电图形的步骤相同。

步骤S4、在形成有第一电极层和辅助电极的基板上形成像素界定层。

可选的，该像素界定层的材料可以包括：选自基于聚甲基丙烯酸甲酯和聚苯乙烯的聚合物、基于苯酚基团的聚合物和衍生物，基于亚克力的聚合物、基于对二甲苯的聚合物、基于芳醚的聚合物、基于酰胺的聚合物、基于氟化物的聚合物、基于对二甲苯的聚合物乙烯醇的聚合物中的至少一种。

在本申请中，可以在形成有第一电极层和辅助电极的基板上通过沉积、涂敷和溅射等多种方式中的任一种形成像素界定薄膜，然后对该像素界定薄膜执行一次构图工艺形成像素界定层。其中，该一次构图工艺可以包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。

该像素界定层用于将基板划分为多个像素区域，以及位于像素区域外围的非像素区域。其中，第一电极层可以位于该像素区域内，辅助电极可以位于该非像素区域内。

步骤S5、在形成有像素界定层的基板上形成形变部。

在本申请中，可以在形成有像素界定层的基板上形成形变部，该形变部在基板上的正投影可以与辅助电极在基板上的正投影完全重合，也即是该形变部在基板上的正投影的外边界可以与辅助电极在基板上的正投影的外边界完全重合。

需要说明的是，在经过上述步骤S1、S2和S3，在基板上形成第一电极层、辅助电极和像素界定层后且形变部形成前，可以对已形成像素界定层和辅助电极的基板进行氟离子处理。经过氟离子处理的该基板上的像素界定层和辅助电极表面的亲液性可以减弱，以使在后续形变部形成后控制形变部的变形过程中，形变部与像素界定层和辅助电极接触的部分能够更加容易的脱离像素界定层和辅助电极，进而使得形变部能够更加容易的进行变形。

步骤S6、在形成有像素界定层和形变部的基板上形成发光层。

可选的，该发光层的材料可以包括磷光或荧光发光材料。

在本申请中，可以在形成有像素界定层的基板上通过蒸镀工艺形成发光层。该发光层可以覆盖整个基板。发光层可以包括位于非像素区域内且与形变部接触的第一部分，以及位于像素区域内且与形变部未接触的第二部分。发光层中与形变部接触的第一部分在基板上的正投影可以与形变部在基板上的正投影完全重合，也即是发光层中与形变部接触的第一部分在基板上的正投影的外边界可以与形变部在基板上的正投影的外边界完全重合。

步骤S7、控制形变部进行变形。

在本申请中，形变部可以在受光照射条件下或者受热条件下进行变形。

在受光照射条件下，形变部能够在光照作用下进行变形。例如，形变部的材料可以包括偶氮苯分子十二丙烯酸脂，这样，形变部可以在波长为365纳米的紫外光的照射下，带动发光层中的第一部分在平行于基板的方向上，沿背离发光层中的第二部分的方向进行内缩变形，以使发光层中的第一部分与发光层中的第二部分之间可以形成隔断槽。

又例如，形变部的材料可以包括光敏翘曲材料。这样，形变部在相对湿度大于百分之二十的条件下，受到波长为450纳米的光照后，可以带动发光层中的第一部分中的边缘部分沿背离基板的方向进行弯曲变形。形变部中的翘曲部与辅助电极之间的空隙可以通过隔断槽与外界连通，以使辅助电极中的部分可以裸出，进而使得在后续形成第二电极层的过程中，第二电极层可以通过隔断槽延伸至翘曲部与辅助电极之间的空隙内与辅助电极搭接。

在受热条件下，形变部能够在受热作用下进行变形。例如，形变部的材料可以包括Mn₃ZnN和ZrW₂O₈，Mn₃ZnN和ZrW₂O₈均为负膨胀材料，且Mn₃ZnN和ZrW₂O₈的负膨胀系数均处于-8.8×10^-6K^-1至-4×10^-6K^-1之间。这样，形变部在受到温度处于80°至100°之内的加热后，可以带动发光层中的第一部分在平行于基板的方向上，沿背离发光层中的第二部分的方向进行内缩变形，以使辅助电极中的部分可以通过隔断槽裸出，进而使得在后续形成第二电极层的过程中，第二电极层可以通过隔断槽与辅助电极搭接。

步骤S8、在形成有发光层且形变部变形后的基板上形成第二电极层。

在本申请中，可以采用溅射工艺来形成第二电极层。由于溅射工艺所形成的膜层的扩散性较好，因此，在通过溅射工艺形成第二电极层时，可以保证该第二电极层能够渗透至隔断槽内，以使第二电极层可以通过隔断槽与辅助电极搭接。

综上所述，本申请实施例提供了一种显示面板的制备方法，可以在基板上形成像素界定层、第一电极层、发光层、第二电极层、辅助电极和形变部。在形变部背离基板的一侧形成发光层后，可以控制形变部进行变形。在形变部的变形过程中，形变部能够带动发光层中与形变部接触的第一部分进行位移，以使发光层中的第一部分可以与发光层中与形变部未接触的第二部分之间形成隔断槽。为此，辅助电极中的部分可以通过该隔断槽裸露出来，使得第二电极层能够通过隔断槽与裸露出来的辅助电极进行搭接。如此，可以实现第二电极层与辅助电极之间的有效搭接。从而避免出现由于发光层附着在辅助电极上，导致的第二电极层与辅助电极无法正常搭接的现象。有效的提高了第二电极层与辅助电极之间的电连接性能，使得该显示面板的显示效果较好。

本申请实施例还提供了一种显示装置，该显示装置可以包括：供电组件和显示面板，显示装置中的供电组件可以用于为显示面板进行供电，该显示面板可以为上述显示面板。

示例的，该显示装置可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间唯一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。

在本申请中，术语“第一”和“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“多个”指两个或两个以上，除非另有明确的限定。

本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分步骤可以通过硬件来完成，也可以通过程序来指令相关的硬件完成，所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中，上述提到的存储介质可以是只读存储器，磁盘或光盘等。

以上所述仅为本申请的可选的实施例，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

基板；

位于所述基板上的像素界定层，所述像素界定层用于在所述基板上限定出多个像素区域，以及位于所述像素区域外围的非像素区域；

沿垂直且远离所述基板的方向层叠设置的第一电极层、发光层和第二电极层，所述第一电极层包括：至少部分位于所述像素区域内的第一电极；

位于所述非像素区域内的辅助电极，所述辅助电极与所述第一电极绝缘设置；

以及，位于所述辅助电极背离所述基板的一侧的形变部，所述形变部分布在所述发光层朝向所述基板的一侧，且所述形变部用于在变形过程中带动所述发光层中与所述形变部接触的第一部分进行位移，以使所述第一部分与发光层中与所述形变部未接触的第二部分之间形成隔断槽；

其中，所述第二电极层能够通过所述隔断槽与所述辅助电极搭接。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在所述形变部的变形过程中，所述形变部带动所述第一部分在平行于所述基板的方向上，沿背离所述第二部分的方向进行内缩变形。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述形变部在所述基板上的正投影位于所述辅助电极在所述基板上的正投影内，且所述形变部在所述基板上的正投影的外边界，与所述辅助电极在所述基板上的正投影的外边界不重合。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述辅助电极包括：与所述形变部接触设置的第一子辅助电极，以及未被所述形变部覆盖的第二子辅助电极；

其中，所述第二电极层能够通过所述隔断槽与所述第二子辅助电极搭接。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在所述形变部的变形过程中，所述形变部带动所述第一部分中的边缘部分沿背离所述基板方向进行弯曲变形。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述形变部包括：与所述辅助电极接触设置的接触部，以及与所述辅助电极分离设置的翘曲部，所述翘曲部与所述辅助电极之间的距离沿朝向所述像素区域的方向逐渐增大；

其中，所述第二电极层能够通过所述隔断槽延伸至所述翘曲部与所述辅助电极之间，且与所述辅助电极搭接。

7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述辅助电极背离所述基板的一侧与所述基板之间的距离，大于或等于所述像素界定层背离所述基板的一侧与所述基板之间的距离，且所述形变部的厚度大于所述发光层的厚度。

8.根据权利要求1至7任一所述的显示面板，其特征在于，所述形变部用于在目标条件下进行变形，所述目标条件包括：受光照射条件和受热条件中的至少一个。

9.一种显示面板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在基板上形成像素界定层、第一电极层、发光层、第二电极层、辅助电极和形变部；

其中，所述像素界定层用于在所述基板上限定出多个像素区域，以及位于所述像素区域外围的非像素区域；

所述第一电极层、所述发光层和所述第二电极层沿垂直且远离所述基板的方向依次设置，所述第一电极层包括：至少位于所述像素区域内的第一电极；

所述辅助电极位于所述非像素区域内，且所述辅助电极与所述第一电极绝缘设置；

所述形变部位于所述辅助电极背离所述基板的一侧的，所述形变部分布在所述发光层朝向所述基板的一侧，且所述形变部用于在变形过程中带动所述发光层中与所述形变部接触的第一部分进行位移，以使所述第一部分与发光层中与所述形变部未接触的第二部分之间形成隔断槽；

所述第二电极层能够通过所述隔断槽与所述辅助电极搭接。

10.一种显示装置，其特征在于，包括：供电组件和显示面板，所述供电组件用于为所述显示面板供电，所述显示面板为权利要求1至8任一所述的显示面板。