CN118231553A - 显示装置 - Google Patents

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CN118231553A CN202311133713.0A CN202311133713A CN118231553A CN 118231553 A CN118231553 A CN 118231553A CN 202311133713 A CN202311133713 A CN 202311133713A CN 118231553 A CN118231553 A CN 118231553A
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林希珍
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LG Display Co Ltd
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Abstract

公开了一种显示装置。该显示装置包括:基板,其设置有多个子像素;发光二极管,其形成在基板上的多个子像素中的每一个子像素中;以及光学膜,其在基板的整个表面上方形成在发光二极管上,其中,光学膜包括具有不同材料的第一区域和第二区域。

Description

显示装置
技术领域
本公开涉及一种显示装置,更具体地,例如但不限于,涉及一种使用发光二极管的显示装置。
背景技术
除了电视或监视器的显示屏之外,显示装置还广泛用作膝上型计算机、平板计算机、智能电话、便携式显示装置和便携式信息装置显示装置(例如,可穿戴装置)的显示屏。液晶显示装置和有机发光显示装置通过使用用作开关元件的薄膜晶体管来显示图像。因为液晶显示装置不是处于自发光方式,所以液晶显示装置通过使用从设置在液晶显示面板下方的背光单元照射的光来显示图像。由于液晶显示装置具有背光单元,所以在设计上存在限制,并且亮度和响应速度可能降低。由于有机发光显示装置包括有机材料,所以有机发光显示装置易受湿气影响,由此其可靠性和寿命可能劣化。
近来,已经进行了使用微型发光二极管的发光二极管显示装置的研究和开发,并且该发光二极管显示装置具有高质量和高可靠性,由此其作为下一代显示装置而备受关注。特别地,进行了研究以通过微型发光二极管实现双视图装置。
在背景技术部分的描述中提供的描述不应仅仅因为其在背景技术部分的描述中被提及或其与背景技术部分的描述相关联而被假设为现有技术。背景技术部分的描述可以包括描述主题技术的一个或更多个方面的信息,并且在这部分的描述不限制本发明。
发明内容
发明人已经认识到上述要求和与背景技术相关联的其它限制。因此,鉴于上述要求和限制做出了本公开,并且本公开的目的是提供一种能够实现双视图并且提高亮度的显示装置。
根据本公开的一个方面,上述和其它目的可以通过提供一种显示装置来实现,该显示装置包括:基板,其设置有多个子像素;发光二极管,其形成在基板上的多个子像素中的每一个子像素中;以及光学膜,其在基板的整个表面上方形成在发光二极管上,其中,光学膜包括第一区域和第二区域,第一区域和第二区域包括不同的材料。
示例性实施方式的其它详细内容包括在详细描述和附图中。
根据本公开,可以提高光分布的均匀性和显示装置的亮度,同时实现稳定的双视图。
将理解除了如上所述的本公开的效果之外,本领域技术人员将会从本公开的以上描述中清楚地理解本公开的附加优点和特征。
附图说明
本公开的上述和其它目的、特征和其它优点将从以下结合附图的详细描述中更清楚地得到理解,其中:
图1A和图1B是例示根据本公开的示例性实施方式的显示装置的平面图;
图2是例示根据本公开的示例性实施方式的显示装置的截面图;并且
图3是例示根据本公开的另一示例性实施方式的显示装置的截面图。
在整个附图和详细描述中,除非另有描述,否则相同的附图标记应理解为指代相同的元件、特征和结构。为了清晰、说明和方便,这些元件的相对大小和描述可能会被夸大。
具体实施方式
通过参照附图描述的以下实施方式,将阐明本公开的优点和特征及其实现方法。然而,本公开可以以不同的形式实施,并且不应被解释为限于本文阐述的实施方式。相反,提供这些实施方式是为了使本公开彻底和完整,并且将本公开的范围完全传达给本领域技术人员。此外,本公开仅由权利要求及其等同物的范围限定。
用于描述本公开的示例性实施方式的附图中公开的形状、大小、面积、比率、角度和数量等仅仅是示例,因此,本公开不限于所示的细节。在整个说明书中,相似的附图标记始终表示相似的元件。在以下描述中,当确定相关已知功能或配置的详细描述不必要地模糊了本公开的要点时,将省略或可以简要提供该详细描述。
当使用本说明书中描述的“包括”、“具有”、“含有”、“构成”、“由...制成”、“由...形成”、“由...组成”和“包含”时,除非使用诸如“仅”的术语,否则可以添加另一部件。除非有相反的规定,否则单数形式的术语可以包括复数形式。
在组件的分析中,应理解即使在没有对其明确说明的情况下,组件也包括误差范围或公差范围。。
在描述位置关系时,例如,当使用诸如“在...上”、“在...之上”、“在...上方”、“在...下面”、“在...下方”、“在...旁边”、“在...之下”、“在...附近”、“靠近”、“邻近”、“在...侧”、“接近”等的术语来描述两个部件之间的位置关系时,除非使用这些术语时用了诸如“紧接”、“紧密”或“直接”之类的术语,否则在该两个部件之间可以定位有一个或更多个部件。
当一个元件或层被设置在另一元件或层“上”时,另一层或另一元件可以直接插置于其它元件上或该一个元件与其它元件之间。
在描述时间关系时,例如,当诸如“之后”、“随后”、“接下来”、“接着”和“之前”的时间相对术语用于限定时间关系时,可以包括不连续的情况,除非使用诸如“紧接”、“恰好”或“直接”之类的更限制性的术语。
应理解,尽管术语“第一”、“第二”、“A”、“B”、“(a)”和“(b)”等可以在本文中用来描述各种元件,但这些元件不应受到这些术语限制。这些术语仅用于区分一个元件和另一元件。例如,在不脱离本公开的范围的情况下,第一元件可以称为第二元件,并且类似地,第二元件可以称为第一元件。
另外,当描述本公开的组件时,在本文中可以使用诸如第一、第二、A、B、(a)、(b)等之类的术语。这些术语中的每一个都不用于限定相应组件的本质、顺序或次序,而仅用于将相应的组件与其它组件区分开来。在描述某一结构元件或层被“连接”、“联接”、“粘接”或“接合”到另一结构元件或层的情况下,通常解释为另一结构元件或层可以直接或间接地“连接”、“联接”、“粘接”或“接合”到该结构元件或层。
术语“至少一个”通常被理解为包括一个或更多个相关联组件的任何和所有组合。例如,“第一组件、第二组件和第三组件中的至少一个”的含义表示第一组件、第二组件和第三组件中的两个或更多个组件的组合以及各个单独的组件第一组件、第二组件或第三组件。
本文中使用的术语“装置”可以指包括显示面板和用于驱动显示面板的驱动器的显示装置。显示装置的示例可以包括发光二极管(LED)等。另外,装置的示例可以包括笔记本电脑、电视、计算机监视器、汽车装置、可穿戴装置和汽车设备装置、以及分别包括LED等作为完整的产品或最终产品成套电子装置(或设备)或成套装置(或设备),例如,诸如智能手机或电子平板之类的移动电子装置,但本公开的实施方式不限于此。
为了便于描述,例示了附图中所示的每个组件的大小和厚度,并且本公开不限于所示组件的大小和厚度。
如本领域技术人员能够充分理解的那样,本公开的各种实施方式的特征可以部分地或整体地彼此联接或组合,并且可以彼此进行各种互操作并且在技术上进行驱动。本公开的实施方式可以彼此独立地执行,或者可以以相互依赖的关系一起执行。
除非另有限定,否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与示例实施方式所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。将进一步理解,术语,例如常用词典中定义的术语,应被解释为具有例如与其在相关技术的上下文中的含义一致的含义,并且不应以理想化或过于正式的意义解释,除非在本文中明确如此定义。
在下文中,将参照附图描述根据本公开的显示装置。
图1A和图1B是例示根据本公开的示例性实施方式的显示装置的平面图。根据本公开的所有实施方式的每个显示装置的所有组件都是可操作地联接和配置的。
参照图1A,基板110可以包括多个子像素P1-P8。多个子像素P1-P8可以沿着第一方向D1和垂直于第一方向D1的第二方向D2形成为矩阵型。多个子像素P1-P8中的每一个可以包括发光二极管LED。发光二极管LED形成在基板110上,并且被配置为发光。
参照图1B,光学膜300可以形成在发光二极管LED上,并且可以覆盖整个基板110。光学膜300可以包括第一区域310和第二区域320。第一区域310和第二区域320可以沿着第一方向D1交替形成。此外,第一区域310和第二区域320中的每一个可以具有沿着第二方向D2延伸的形状。第一区域310可以包括光阻挡材料(例如,第一区域310可以包括黑色染料),并且可以形成为与发光二极管LED交叠。此外,第二区域320可以包括透明绝缘材料(例如,聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、环烯烃聚合物(COP)或环烯烃共聚物COC)),并且可以形成在子像素P的边界区域中。但是,本公开的实施方式不限于此。
图2是例示根据本公开的示例性实施方式的显示装置的截面图。图2例示了彼此相邻的第一子像素P1和第二子像素P2。
参照图2,显示装置包括基板110、缓冲层111、栅极绝缘层112、第一层间绝缘层113、第二层间绝缘层114、第三层间绝缘层400、第一平坦化层115、第四层间绝缘层401、粘合层116、第二平坦化层117、第三平坦化层118、第四平坦化层119、光学膜300、驱动晶体管DT、发光二极管LED,第一反射电极RE1、第二反射电极RE2、第一连接电极CE1、第二连接电极CE2、遮光层LS、辅助电极LE和堤部BM,但不限于此。
基板110可以由玻璃、金属箔或塑料形成(例如,诸如PET或PEN的聚合物),但不限于此。根据本公开的示例性实施方式的显示装置可以通过发射的光朝向上部发射的顶部发射类型、底部发射类型或双发射类型来配置。因此,在顶部发射类型显示装置中,透明材料和不透明材料可以用作基板110的材料。在底部发射类型中,从像素阵列层发出的光可以照射到基板后面的后方区域以允许显示图像,因此,透明材料可以用作基板110的材料。
遮光层LS形成在基板110上,并且可以形成在第一子像素P1和第二子像素P2中的每一个中。遮光层LS可以阻挡从基板110的下部入射到晶体管上的光以减少或最小化漏电流。例如,遮光层LS阻挡从基板110的下部入射到驱动晶体管DT的有源层ACT的光,从而减少或最小化漏电流。
缓冲层111可以形成在基板110和遮光层LS上。缓冲层111可以减少湿气或杂质通过基板110的渗透。例如,缓冲层111可以由氧化硅SiOx或氮化硅SiNx的单层或多层构成,但不限于此。然而,取决于基板110的类型或晶体管的类型,可以省略缓冲层111,但不限于此。
驱动晶体管DT可以形成在缓冲层111上。驱动晶体管DT可以包括有源层ACT、栅极电极GE、源极电极SE和漏极电极DE。
有源层ACT可以形成在缓冲层111上。有源层ACT可以由诸如氧化物半导体、非晶硅或多晶硅之类的半导体材料形成,但不限于此。有源层ACT可以是多晶半导体。多晶半导体可以由具有高迁移率的低温多晶硅(LTPS)形成,但不限于此。例如,有源层ACT可以由氧化物半导体形成或包括氧化物半导体,例如,有源层ACT可以由铟镓锌氧化物(IGZO)、铟锌氧化物(IZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)和铟镓氧化物(IGO)中的任何一种形成,但不限于此。另选地,有源层ACT可以由各种有机半导体形成,例如非晶硅(a-Si)、多晶硅(poly-Si)或并五笨等,但不限于此。
栅极绝缘层112可以形成在有源层ACT上。栅极绝缘层112是用于将有源层ACT和栅极电极GE彼此绝缘的绝缘层,并且可以由氧化硅SiOx或氮化硅SiNx的单层或多层构成,但不限于此。
栅极电极GE可以形成在栅极绝缘层112上并且可以电连接到扫描线。栅极电极GE可以由导电材料形成,例如,铜Cu、铝Al、钼Mo、镍Ni、钛Ti、铬Cr或其合金,但不限于此。
第一层间绝缘层113和第二层间绝缘层114可以形成在栅极电极GE上。通过形成在第一层间绝缘层113和第二层间绝缘层114中的每一个中的接触孔,源极电极SE和漏极电极DE的每一个可以电连接到有源层ACT。第一层间绝缘层113和第二层间绝缘层114是用于保护设置在第一层间绝缘层113和第二层间绝缘层114下方的配置(例如,设置在第一层间绝缘层113和第二层间绝缘层114下方的组件)的绝缘层,并且可以由氧化硅SiOx或氮化硅SiNx的单层或多层构成,但不限于此。
电连接到有源层ACT的源极电极SE和漏极电极DE设置在第二层间绝缘层114上。源极电极SE和漏极电极DE可以由导电材料形成,例如,铜Cu、铝Al、钼Mo、镍Ni、钛Ti、铬Cr或其合金,但不限于此。
此外,如图2所示,第一层间绝缘层113和第二层间绝缘层114(即,多个绝缘层)设置在栅极电极GE、源极电极SE和漏极电极DE的彼此之间,但是也可以仅一个绝缘层或n个绝缘层(例如,n是大于2的整数)设置在栅极电极GE、源极电极SE和漏极电极DE的彼此之间,例如,第一层间绝缘层113或第二层间绝缘层114设置在栅极电极GE、源极电极SE和漏极电极DE的彼此之间,或者三层或更多层设置在栅极电极GE、源极电极SE和漏极电极DE的彼此之间,但不限于此。
具体地,如图2所示,当诸如第一层间绝缘层113和第二层间绝缘层114的多个绝缘层设置在栅极电极GE、源极电极SE和漏极电极DE的彼此之间时,可以在第一层间绝缘层113和第二层间绝缘层114之间另外形成电极,并且另外形成的电极可以形成与设置在第一层间绝缘层113下方或设置在第二层间绝缘层114上方的元件不同的电容器元件。
辅助电极LE可以形成在栅极绝缘层112上。辅助电极LE可以将遮光层LS电连接到源极电极SE和漏极电极DE中的任何一个。因此,由于遮光层LS通过源极电极SE或漏极电极DE而没有操作为浮置栅极,所以可以减小或最小化由浮置的遮光层LS引起的驱动晶体管DT的阈值电压的变化。在图2中,遮光层LS通过穿过缓冲层111和栅极绝缘层112的第一接触孔CH1以及穿过第一层间绝缘层113和第二层间绝缘层114的第四接触孔CH4连接到漏极电极DE,然而,遮光层LS也可以连接到源极电极SE,但不限于此。
源极电极SE、漏极电极DE、第一电力线VDD和第二电力线VSS可以形成在第二层间绝缘层114上。第一电力线VDD与驱动晶体管DT一起电连接到发光二极管LED,从而发射发光二极管LED的光。第一电力线VDD和第二电力线VSS可以由导电材料制成,例如,铜Cu、铝Al、钼Mo、镍Ni、钛Ti、铬Cr或其合金,但不限于此。
第三层间绝缘层400可以形成在驱动晶体管DT、第一电力线VDD和第二电力线VSS上。第三层间绝缘层400是用于保护设置在第三层间绝缘层400下方的配置(例如,设置在第三层间绝缘层400下方的组件)的绝缘层,并且可以由氧化硅SiOx或氮化硅SiNx的单层或多层构成,但不限于此。
第一平坦化层115可以形成在第三层间绝缘层400上。第一平坦化层115可以使设置有驱动晶体管DT的基板110的上部平坦化。第一平坦化层115可以由单层或多层形成,并且例如可以由光刻胶或丙烯基有机材料形成,但不限于此。
第一反射电极RE1和第二反射电极RE2可以形成在第一平坦化层115上,并且可以布置成彼此间隔开。第一反射电极RE1和第二反射电极RE2将发光二极管LED电连接到第一电力线VDD和驱动晶体管DT,并且用作将从发光二极管LED发射的光反射到发光二极管LED的上部的反射器。第一反射电极RE1和第二反射电极RE2由具有优异反射特性的导电材料形成,并且可以将从发光二极管LED发射的光朝向发光二极管LED的上部反射。
第一反射电极RE1可以电连接驱动晶体管DT和发光二极管LED。第一反射电极RE1可以通过形成在第一平坦化层115中的接触孔连接到驱动晶体管DT的源极电极SE或漏极电极DE。第一反射电极RE1可以通过后面将描述的第一连接电极CE1电连接到发光二极管LED的第一电极124和第一半导体层121,但不限于此。
第二反射电极RE2可以电连接第一电力线VDD和发光二极管LED。第二反射电极RE2通过形成在第一平坦化层115中的第六接触孔CH6连接到第一电力线VDD,并且可以通过后面将描述的第二连接电极CE2电连接到发光二极管LED的第二电极125和第二半导体层123,但不限于此。
第四层间绝缘层401可以形成在第一反射电极RE1和第二反射电极RE2上。第四层间绝缘层401是用于保护设置在第四层间绝缘层401下方的配置(例如,设置在第四层间绝缘层401下方的组件)的绝缘层,并且可以由氧化硅SiOx或氮化硅SiNx的单层或多层构成,但不限于此。
粘合层116可以形成在第四层间绝缘层401上。粘合层116涂覆在基板110的整个表面上,从而固定设置在粘合层116上的发光二极管LED。例如,粘合层116可以选自粘合聚合物、环氧抗蚀剂、UV树脂、聚酰亚胺基材料、丙烯酸酯基材料、聚氨酯基材料或聚二甲基硅氧烷基PDMS材料中的任何一种或更多种,但不限于此。
多个发光二极管LED形成在粘合层116上,并且可以形成在第一子像素P1和第二子像素P2中的每一个中。多个发光二极管LED可以包括发射红光、绿光、蓝光等的发光二极管LED以作为通过电流发光的元件,并且可以通过其组合实现包括白光的各种颜色的光。例如,多个发光二极管LED可以是发光二极管LED或微型LED,但不限于此。发光二极管LED可以包括第一半导体层121、发光层122、第二半导体层123、第一电极124、第二电极125和封装膜126或封装层126。
第一半导体层121形成在粘合层116上,并且可以向发光层122提供空穴。第一半导体层121可以由诸如GaN、AlGaN、InGaN或A1InGaN之类的p-GaN基半导体材料形成。此外,用于掺杂第一半导体层121的杂质可以是Mg、Zn或Be等,但不限于此。
发光层122形成在第一半导体层121上,并且可以是用于发光的发光层。发光层122可以具有多量子阱MQW结构,该结构具有阱层和带隙高于阱层的带隙的势垒层。例如,发光层122可以具有InGaN/GaN的多量子阱结构,但不限于此。
第二半导体层123形成在发光层122上,并且可以向发光层122提供电子。第二半导体层123可以由诸如GaN、A1GaN、InGaN或A1InGaN之类的n-GaN基半导体材料形成。此外,用于掺杂第二半导体层123的杂质可以是Si、Ge、Se、Te或C等,但不限于此。
顺序层叠第一半导体层121、发光层122和第二半导体层123,然后蚀刻其预定部分以形成第一电极124和第二电极125,从而制造发光二极管LED。提供蚀刻部分以使第一电极124和第二电极125彼此间隔开,并且可以蚀刻预定部分以暴露第一半导体层121的一部分。也就是说,第一电极124和第二电极125可以形成在不同高度。
然后,封装膜126或封装层126可以形成为围绕第一半导体层121、发光层122、第二半导体层123、第一电极124和第二电极125。封装膜126或封装层126由绝缘材料制成,并且被配置为保护第一半导体层121、发光层122和第二半导体层123。暴露第一电极124和第二电极125的接触孔形成在封装膜126或封装层126中,由此第一连接电极CE1和第二连接电极CE2可以电连接到第一电极124和第二电极125。第一电极124和第二电极125中的每一个可以包括诸如Au、W、Pt、Si、Ir、Ag、Cu、Ni、Ti或Cr及其合金的金属材料。另选地,第一电极124和第二电极125中的每一个可以包括诸如铟锡氧化物ITO或铟锌氧化物IZO之类的透明导电材料。
第二平坦化层117和第三平坦化层118可以形成在多个发光二极管LED上。第二平坦化层117和第三平坦化层118布置成覆盖多个发光二极管LED,从而固定和保护多个发光二极管LED。第二平坦化层117和第三平坦化层118可以由单层或多层(例如,光刻胶或丙烯基有机材料)构成,但不限于此。同时,本公开公开了第二平坦化层117和第三平坦化层118设置成覆盖多个发光二极管LED,但不一定如此。例如,覆盖多个发光二极管LED的平坦化层可以形成为单层或n层(例如,n是大于2的整数),但不限于此。此外,第三平坦化层118可以仅位于与发光二极管LED相邻的区域中。
在沉积第三平坦化层118之后,可以形成第一连接电极CE1和第二连接电极CE2。
第一连接电极CE1设置在第一子像素P1和第二子像素P2中的每一个中,并且被配置为将发光二极管LED和驱动晶体管DT彼此电连接。第一连接电极CE1可以通过穿过绝缘层的接触孔连接到第一反射电极RE1,例如,第一连接电极CE1可以通过形成在第三平坦化层118、第二平坦化层117和粘合层116中的接触孔连接到第一反射电极RE1,但不限于此。因此,第一连接电极CE1可以通过第一反射电极RE1电连接到驱动晶体管DT的源极电极SE和漏极电极DE中的任何一个。第一连接电极CE1可以通过形成在第三平坦化层118中的接触孔连接到多个发光二极管LED中的每一个中的n型电极。因此,第一连接电极CE1可以将驱动晶体管DT电连接到多个发光二极管LED的n型电极和n型半导体层。
第二连接电极CE2可以将发光二极管LED电连接到第一电力线VDD。第二连接电极CE2可以通过穿过绝缘层的接触孔连接到第二反射电极RE2,例如,第二连接电极CE2可以通过形成在第三平坦化层118、第二平坦化层117和粘合层116中的接触孔连接到第二反射电极RE2,但不限于此。因此,第二连接电极CE2可以通过第二反射电极RE2电连接到第一电力线VDD。第二连接电极CE2可以通过形成在第三平坦化层118中的接触孔连接到多个发光二极管LED中的每一个中的p型电极。因此,第二连接电极CE2可以将第一电力线VDD电连接到多个发光二极管LED的p型电极和p型半导体层。
用于将设置在第一子像素P1和第二子像素P2中的每一个中的驱动晶体管DT连接到发光二极管LED的第一连接电极CE1可以单独设置在第一子像素P1和第二子像素P2中的每一个中。设置在第一子像素P1和第二子像素P2中的每一个中并且被配置为将第一电力线VDD和发光二极管LED连接的第二连接电极CE2可以彼此连接。也就是说,由于第一电力线VDD的电力电压共同施加到第一子像素P1和第二子像素P2的多个发光二极管LED,所以单个第二连接电极CE2可以设置在第一子像素P1和第二子像素P2中。
堤部BM形成在第三平坦化层118上,并且被配置为限定发光区域。堤部BM可以由无机绝缘材料或有机绝缘材料形成。此外,堤部BM可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等的有机膜形成,并且可以包括用于吸收光的黑色材料,但不限于此。
第四平坦化层119可以形成在堤部BM和发光二极管LED上。第四平坦化层119形成为覆盖基板110的整个表面,从而使发光二极管LED的上部平坦化。第四平坦化层119可以由诸如氧化硅SiOx或氮化硅SiNx的无机绝缘材料形成。另选地,第四平坦化层119可以包括诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机绝缘材料,但不限于此。另选地,第四平坦化层119可以形成为更多层。
光学膜300形成在第四平坦化层119上,并且被配置为覆盖整个基板110。光学膜300可以包括第一区域310和第二区域320。
第一区域310可以包括光阻挡材料。例如,第一区域310可以包括黑色染料。此外,第一区域310可以与第一子像素P1和第二子像素P2中的每一个中的发光二极管LED交叠。
此外,第二区域320可以包括透明绝缘材料。例如,第二区域320可以包括诸如氧化硅SiOx或氮化硅SiNx的无机绝缘材料。另选地,第二区域320可以包括诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机绝缘材料,但不限于此。此外,第二区域320可以形成在相邻的第一区域310之间。也就是说,第二区域320可以形成在第一子像素P1和第二子像素P2的边界区域中。
如上所述,由于第一区域310阻挡光,所以可以通过透射通过第二区域320的光来显示显示装置的图像。也就是说,通过第二区域320,从发光二极管LED产生的光可以在相对于光学膜300的上表面倾斜的方向上发射。例如,从第一子像素P1的发光二极管LED产生的光可以发射到第一观察区域A,并且从第二子像素P2的发光二极管LED产生的光可以发射到第二观察区域B,但不限于此。也就是说,第一子像素P1和第二子像素P2可以在不同的方向上发射光。
在这种情况下,当第一子像素P1和第二子像素P2显示不同的图像时,在第一观察区域A和第二观察区域B中显示的图像可以彼此不同。因此,由于可以在一个显示装置上显示两个或更多的图像,所以可以提供根据本公开的使用发光二极管LED的双视图显示装置。
在这种情况下,当从形成在第一子像素P1中的第一区域310的中心到形成在第二子像素P2中的第一区域310的中心的距离为X时,X的值可以遵循式1。在这种情况下,“L”可以为第一子像素P1的中心与第二子像素P2的中心之间的距离,“v”可以为图像的数量,并且“E”可以为第一观察区域A与第二观察区域B之间的距离。根据图2公开的双视图,“v”的值可以为2,但不限于此,例如,“v”的值也可以为≥3。
此外,第二区域320的宽度可以是X的约0.5倍,但不限于此。
此外,当从发光二极管LED到光学膜300的上表面的距离为Y时,Y的值可以遵循式2。在本文中,“n”可以为构成第四平坦化层119的材料的折射率,并且“D”可以为从光学膜300的上表面到第一观察区域A和第二观察区域B的距离。例如,“n”的值可以为1.5,但不限于此。
图3是根据本公开的另一示例性实施方式的显示装置的截面图。
与图2相比,除了光学膜300的结构之外,图3公开了基本相同的结构。因此,与图2所示的显示装置的元件相同的元件用相同的附图标记表示,并且省略其重复描述。
参照图3,光学膜300可以包括第一区域310和第二区域320。
如上所述,第一区域310可以包括光阻挡材料。例如,第一区域310可以包括黑色染料。此外,第一区域310可以形成为与第一子像素P1和第二子像素P2中的每一个中的发光二极管LED交叠。此外,第二区域320可以包括透明绝缘材料。例如,第二区域320可以包括诸如氧化硅SiOx或氮化硅SiNx之类的无机绝缘材料。另选地,第二区域320可以包括诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂之类的有机绝缘材料,但不限于此。此外,第二区域320可以形成在相邻的第一区域310之间。也就是说,第二区域320可以形成在第一子像素P1和第二子像素P2的边界区域中。
第二区域320还可以包括散射材料325。因此,穿过第二区域320的光可以散射。散射材料325可以是由诸如聚甲基丙烯酸甲酯PMMA、聚甲基丙烯酸丁酯PBMA、聚苯乙烯PS等树脂制成的珠子的形式。第二区域320的透射率可以是90%以上,但不限于此。
当用户在与第二区域320而非第一区域310相邻的位置观察图像时,由于从第一子像素P1和第二子像素P2发射的部分光的交叠,可能会出现模糊图像。然而,由于在第二区域320中设置了散射材料325,所以本公开可以分散穿过第二区域320的光。因此,可以减少从第一子像素P1和第二子像素P2发射的光的交叠。因此,本公开可以进一步提高光分布的均匀性和显示装置的亮度,同时实现稳定的双视图。
根据本公开,通过包括光阻挡材料和散射材料的光学膜,可以实现双视图并提高显示装置的亮度。
本公开的示例性实施方式还可以描述如下:
根据本公开的一个方面,提供了一种显示装置。该显示装置可以包括:基板,该基板设置有多个子像素;发光二极管,该发光二极管形成在所述基板上的多个子像素中的每一个子像素中;以及光学膜,该光学膜在发光二极管上方形成在基板上,其中,光学膜包括第一区域和第二区域,第一区域和第二区域包括不同的材料。
从发光二极管产生的光可以在相对于光学膜的上表面倾斜的方向上发射。
第一区域可以包括光阻挡材料,并且第二区域包括透明绝缘材料。
光阻挡材料可以包括黑色染料。
第二区域还可以包括散射材料。
散射材料可以为由树脂制成的珠子形式。
散射材料可以为由聚甲基丙烯酸甲酯PMMA、聚甲基丙烯酸丁酯PBMA和聚苯乙烯PS中的一种或更多种制成的珠子形式。
多个子像素可以沿着第一方向和垂直于所述第一方向的第二方向布置成矩阵型,第一区域和第二区域可以在第一方向上交替布置,并且第一区域和第二区域中的每一个可以在第二方向上延伸。
多个子像素可以包括在所述第一方向上彼此相邻的第一子像素和第二子像素,第一区域可以与形成在第一子像素和第二子像素中的每一个子像素中的发光二极管交叠,并且第二区域可以形成在第一子像素和第二子像素的边界区域中。
从第一子像素和第二子像素发射的光可以在不同的方向上发射。
第一子像素和第二子像素可以显示不同的图像。
对于本领域技术人员来说显而易见的是,在不脱离本公开的精神和范围的情况下,在本公开的范围内可以进行各种替换、更改和变型。因此,本公开的范围由权利要求表示,并且从权利要求的含义、范围和等同概念得出的所有更改或变型都应被解释为包括在本公开的范围内。

Claims (11)

1.一种显示装置,该显示装置包括:
基板,所述基板设置有多个子像素;
发光二极管,所述发光二极管形成在所述基板上的所述多个子像素中的每一个子像素中;以及
光学膜,所述光学膜在所述发光二极管上方形成在所述基板上,
其中,所述光学膜包括第一区域和第二区域,所述第一区域和所述第二区域包括不同的材料。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,从所述发光二极管产生的光在相对于所述光学膜的上表面倾斜的方向上发射。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一区域包括光阻挡材料,并且所述第二区域包括透明绝缘材料。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述光阻挡材料包括黑色染料。
5.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述第二区域还包括散射材料。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述散射材料为由树脂制成的珠子形式。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述散射材料为由聚甲基丙烯酸甲酯PMMA、聚甲基丙烯酸丁酯PBMA和聚苯乙烯PS中的一种或更多种制成的珠子形式。
8.根据权利要求3所述的显示装置,
其中,所述多个子像素沿着第一方向和垂直于所述第一方向的第二方向布置成矩阵型,
所述第一区域和所述第二区域在所述第一方向上交替布置,并且
所述第一区域和所述第二区域中的每一个在所述第二方向上延伸。
9.根据权利要求8所述的显示装置,
其中,所述多个子像素包括在所述第一方向上彼此相邻的第一子像素和第二子像素,
所述第一区域与形成在所述第一子像素和所述第二子像素中的每一个子像素中的所述发光二极管交叠,并且
所述第二区域形成在所述第一子像素和所述第二子像素的边界区域中。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,从所述第一子像素和所述第二子像素发射的光在不同的方向上发射。
11.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述第一子像素和所述第二子像素显示不同的图像。
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