CN118199600A - 调谐开关电路及射频芯片 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种调谐开关电路及射频芯片，所述调谐开关电路包括依次连接的开关偏置单元、调谐开关单元以及调谐器件单元；所述开关偏置单元包括负压产生模块、第一正压产生模块、第二正压产生模块、电压驱动模块以及逻辑控制模块；所述调谐开关单元包括依次串联形成的多级堆叠式场效应管电路，每级所述堆叠式场效应管电路包括一个场效应管以及一个第一电阻。本发明中的调谐开关电路可以降低其导通电阻，且不会增加场效应管的面积。
Description
技术领域
本发明涉及无线通信技术领域，尤其涉及一种调谐开关电路及射频芯片。
背景技术
随着集成电路和无线通信技术的快速发展，手机成为了生活中的必需品，而进入5G时代后，由于用户对数据收发速度和稳定性的要求的不断提升，导致了智能手机运行所需的频段、功能和模式的数量不断增加。
对于上述需求，在无线通信领域一般使用CA (载波聚合)、MIMO（多输入多输出）以及新的宽带 5G 频段来提供更高的数据速率，因此在手机中需要采用更多的天线来实现；与此同时，更多的天线会导致单个天线的空间缩小，最终导致天线效率降低。
相关技术中，为了克服因天线面积和效率降低所导致的问题，主要的方法是使用天线调谐器件对天线进行调谐，而天线调谐开关是天线调谐器件中必不可缺的一部分；调谐（Tuner）开关的导通阻抗（Ron）和关断电容（Coff）乘积为一个定值，这个值定义为Fom（品质因数）。其中导通阻抗直接影响功率损耗，导通阻抗越小，功率损耗越低，天线效率越高。而关断电容不仅会影响天线的谐振频率，而且还会恶化天线的效率，所以低Fom值对于Tuner开关设计是极其重要的。
相关技术中，等效电阻的表达式如下：
；
其中，gm为场效应管的跨导，un为场效应管的载流子迁移率，Cox为场效应管的单位面积的栅氧化层电容，Vgs为场效应管的栅源电压，Vth为场效应管的阈值电压，W为场效应管的栅宽，L为场效应管的栅长。
通过该公式可以看出，工作在线性区的场效应管的导通阻抗与工艺参数（un，Cox），场效应管尺寸（W/L），过驱动电压（Vgs-Vth）有关，而工艺参数由工厂制备决定，设计人员无法修改，若场效应管尺寸越大，其导通阻抗则越小，相关技术一般通过增加场效应管尺寸的方式降低导通阻抗，但是此方式会导致场效应管的面积增大，更进一步会导致关断电容恶化。
发明内容
针对以上现有技术的不足，本发明提出了一种调谐开关电路及射频芯片，以解决相关技术中的天线调谐开关通过增加场效应管尺寸的方式降低导通阻抗，而导致场效应管的面积增大，致使关断电容恶化的问题。
为了解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：
第一方面，本发明提供了一种调谐开关电路，其包括依次连接的开关偏置单元、调谐开关单元以及调谐器件单元；
所述开关偏置单元包括负压产生模块、第一正压产生模块、第二正压产生模块、电压驱动模块以及逻辑控制模块；所述电压驱动模块的输入端分别连接至所述负压产生模块的输出端、第一正压产生模块的输出端以及第二正压产生模块的输出端，所述逻辑控制模块的输入端连接至所述电压驱动模块的输出端；所述负压产生模块用于产生负极偏置电压并输出至所述电压驱动模块，所述第一正压产生模块和所述第二正压产生模块分别用于产生第一正极偏置电压和第二正极偏置电压并输出至所述电压驱动模块，所述电压驱动模块用于根据所述负极偏置电压、所述第一正极偏置电压和所述第二正极偏置电压输出对应的驱动电压，所述逻辑控制模块用于接收所述驱动电压，并根据所述驱动电压输出体极控制信号和栅极控制信号；
所述调谐开关单元包括依次串联形成的多级堆叠式场效应管电路，所述多级堆叠式场效应管电路的第一端接地；每级所述堆叠式场效应管电路包括一个场效应管以及一个第一电阻，每级所述堆叠式场效应管电路中的所述场效应管的体端分别连接至所述逻辑控制模块的体极控制端，每级所述堆叠式场效应管电路中的所述第一电阻的第一端连接至其所述场效应管的栅极，每级所述堆叠式场效应管电路中的所述第一电阻的第二端连接至所述逻辑控制模块的栅极控制端；所述调谐开关单元用于接收所述体极控制信号和所述栅极控制信号，并根据所述体极控制信号和所述栅极控制信号控制每级所述堆叠式场效应管的通断；
所述调谐器件单元的第一端连接至所述多级堆叠式场效应管电路的第二端，所述调谐器件单元的第二端用于连接天线。
优选的，所述负压产生模块包括振荡器电路、电荷泵以及第一电容；
所述电荷泵的输入端连接至所述振荡器电路的输出端，所述电荷泵的输出端作为所述负压产生模块的输出端；
所述第一电容的第一端连接至所述电荷泵的输出端，所述第一电容的第二端接地。
优选的，所述第一正压产生模块包括第一带隙基准、第一低压差线性稳压器以及第二电容；
所述第一低压差线性稳压器的输入端连接至所述第一带隙基准的输出端，所述第一低压差线性稳压器的输出端作为所述第一正压产生模块的输出端；
所述第二电容的第一端连接至所述第一低压差线性稳压器的输出端，所述第二电容的第二端接地。
优选的，所述第二正压产生模块包括第二带隙基准、第二低压差线性稳压器以及第三电容；
所述第二低压差线性稳压器的输入端连接至所述第二带隙基准的输出端，所述第二低压差线性稳压器的输出端作为所述第二正压产生模块的输出端；
所述第三电容的第一端连接至所述第二低压差线性稳压器的输出端，所述第三电容的第二端接地。
优选的，所述电压驱动模块包括第一缓冲器、第二缓冲器、第三缓冲器、第四缓冲器、第五缓冲器以及第六缓冲器；
所述第一缓冲器的输入端连接至所述负压产生模块的输出端；
所述第二缓冲器的输入端连接至所述第一缓冲器的输出端，所述第二缓冲器的输出端连接至所述电压驱动模块的输入端；
所述第三缓冲器的输入端连接至所述第一正压产生模块的输出端；
所述第四缓冲器的输入端连接至所述第三缓冲器的输出端，所述第四缓冲器的输出端连接至所述电压驱动模块的输入端；
所述第五缓冲器的输入端连接至所述第二正压产生模块的输出端；
所述第六缓冲器的输入端连接至所述第五缓冲器的输出端，所述第六缓冲器的输出端连接至所述电压驱动模块的输入端。
优选的，所述调谐开关单元还包括第二电阻；所述第二电阻的第一端分别连接至每级所述堆叠式场效应管电路中的所述第一电阻的第二端，所述第二电阻的第二端连接至所述逻辑控制模块的体栅极控制端。
优选的，所述调谐开关单元还包括第三电阻；所述第三电阻的第一端分别连接至每级所述堆叠式场效应管电路中的所述场效应管的体端，所述第三电阻的第二端连接至所述逻辑控制模块的体极控制端。
优选的，所述调谐器件单元为第四电容；所述第四电容的第一端作为所述调谐器件单元的第一端，所述第四电容的第二端作为所述调谐器件单元的第二端。
优选的，所述调谐器件单元为电感；所述电感的第一端作为所述调谐器件单元的第一端，所述电感的第二端作为所述调谐器件单元的第二端。
第二方面，本发明提供了一种射频芯片，其包括如上所述的调谐开关电路。
与相关技术相比，本发明中的调谐开关电路通过设计两个正压产生模块，即在相关技术的基础上新增了一个正压产生模块，这样逻辑控制模块便可以通过新增的正压产生模块产生的正极偏置电压来控制每级堆叠式场效应管中的场效应管的体端的阈值电压，从而降低调谐开关电路的导通阻抗，且不会增加场效应管的面积。
附图说明
下面结合附图详细说明本发明。通过结合以下附图所作的详细描述，本发明的上述或其他方面的内容将变得更清楚和更容易理解。附图中：
图1为本发明实施例提供的一种调谐开关电路的整体电路结构图。
图2为本发明实施例提供的一种调谐开关电路中开关偏置电路的电路结构图；
图3为本发明实施例提供的一种调谐开关电路中调谐开关单元的电路结构图。
其中，100、调谐开关电路；1、开关偏置单元；11、负压产生模块；111、振荡器电路；112、电荷泵；12、第一正压产生模块；121、第一带隙基准；122、第一低压差线性稳压器；13、第二正压产生模块；131、第二带隙基准；132、第二低压差线性稳压器；14、电压驱动模块；141、第一缓冲器；142、第二缓冲器；143、第三缓冲器；144、第四缓冲器；145、第五缓冲器；146、第六缓冲器；15、逻辑控制模块；2、调谐开关单元；3、调谐器件单元；4、天线。
具体实施方式
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同；本文中在申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请；本申请的说明书和权利要求书及上述附图说明中的术语 “包括”和“具有”以及它们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。本申请的说明书和权利要求书或上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。
在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供了一种调谐开关电路100，结合图1至图3所示，其包括依次连接的开关偏置单元1、调谐开关单元2以及调谐器件单元3。
具体地，开关偏置单元1包括负压产生模块11、第一正压产生模块12、第二正压产生模块13、电压驱动模块14以及逻辑控制模块15；电压驱动模块14的输入端分别连接至负压产生模块11的输出端、第一正压产生模块12的输出端以及第二正压产生模块13的输出端，逻辑控制模块15的输入端连接至电压驱动模块14的输出端；负压产生模块11用于产生负极偏置电压并输出至电压驱动模块14，第一正压产生模块12和第二正压产生模块13分别用于产生第一正极偏置电压和第二正极偏置电压并输出至电压驱动模块14，电压驱动模块14用于根据负极偏置电压、第一正极偏置电压和第二正极偏置电压输出对应的驱动电压（VNEG、VDDH、VDDL），逻辑控制模块15用于接收驱动电压，并根据驱动电压输出体极控制信号（Vbody）和栅极控制信号（Vgate）。
本实施例中，负压产生模块11包括振荡器电路111（Oscillator Circuit）、电荷泵112（Charge Pump）以及第一电容C1。
电荷泵112的输入端连接至振荡器电路111的输出端，电荷泵112的输出端作为负压产生模块11的输出端；第一电容C1的第一端连接至电荷泵112的输出端，第一电容C1的第二端接地。
振荡器电路111用于输出时钟信号（CLK），电荷泵112用于根据时钟信号输出负极偏置电压（VNEG）。
本实施例中，第一正压产生模块12包括第一带隙基准121（Band Gap1）、第一低压差线性稳压器122（LDO1）以及第二电容C2。
第一低压差线性稳压器122的输入端连接至第一带隙基准121的输出端，第一低压差线性稳压器122的输出端作为第一正压产生模块12的输出端；第二电容C2的第一端连接至第一低压差线性稳压器122的输出端，第二电容C2的第二端接地。
第一带隙基准121用于输出参考电压（vref），第一低压差线性稳压器122用于根据参考电压输出第一正极偏置电压（ VLDO1）。
本实施例中，第二正压产生模块13包括第二带隙基准131（Band Gap2）、第二低压差线性稳压器132（LDO2）以及第三电容C3。
第二低压差线性稳压器132的输入端连接至第二带隙基准131的输出端，第二低压差线性稳压器132的输出端作为第二正压产生模块13的输出端；第三电容C3的第一端连接至第二低压差线性稳压器132的输出端，第三电容C3的第二端接地。
第二带隙基准131也用于输出参考电压，第而低压差线性稳压器用于根据参考电压输出第二正极偏置电压（VLDO2）。
本实施例中，电压驱动模块14包括第一缓冲器141、第二缓冲器142、第三缓冲器143、第四缓冲器144、第五缓冲器145以及第六缓冲器146。
第一缓冲器141的输入端连接至负压产生模块11的输出端；第二缓冲器142的输入端连接至第一缓冲器141的输出端，第二缓冲器142的输出端连接至电压驱动模块14的输入端。
第三缓冲器143的输入端连接至第一正压产生模块12的输出端；第四缓冲器144的输入端连接至第三缓冲器143的输出端，第四缓冲器144的输出端连接至电压驱动模块14的输入端。
第五缓冲器145的输入端连接至第二正压产生模块13的输出端；第六缓冲器146的输入端连接至第五缓冲器145的输出端，第六缓冲器146的输出端连接至电压驱动模块14的输入端。
第二正极偏置电压的电压值相对于第一正极偏置电压1的电压值更低，一般处于0.3V-0.5V之间，即第一正极偏置电压依次通过第三缓冲器143和第四缓冲器144后输出高正极偏置电压（VLDH），第二正极偏置电压依次通过第五缓冲器145和第六缓冲器146后输出低正极偏置电压（VLDL）。
具体地，调谐开关单元2包括依次串联形成的多级堆叠式场效应管电路，多级堆叠式场效应管电路的第一端接地GND；每级堆叠式场效应管电路包括一个场效应管以及一个第一电阻，每级堆叠式场效应管电路中的场效应管的体端分别连接至逻辑控制电路的体极控制端，每级堆叠式场效应管电路中的第一电阻的第一端连接至其场效应管的栅极，每级堆叠式场效应管电路中的第一电阻的第二端连接至逻辑控制电路的栅极控制端；调谐开关单元2用于接收体极控制信号和栅极控制信号，并根据体极控制信号和栅极控制信号控制每级堆叠式场效应管的通断。
多级堆叠式场效应管电路依次为Stack1（L1，W1）、Stack2（L1，W1）- Stack n-1（L1，W1）、Stack n（L1，W1）；多级堆叠式场效应管电路中的场效应管依次为M1、M2-Mn-1、Mn；多级堆叠式场效应管电路中的第一电阻依次为R11、R12-Rn-1、Rn。
本实施例中，调谐开关单元2还包括第二电阻R2；第二电阻R2的第一端分别连接至每级堆叠式场效应管电路中的第一电阻的第二端，第二电阻R2的第二端连接至逻辑控制模块15的体栅极控制端。
本实施例中，调谐开关单元2还包括第三电阻R3；第三电阻R3的第一端分别连接至每级堆叠式场效应管电路中的场效应管的体端，第三电阻R3的第二端连接至逻辑控制模块15的体极控制端。
具体地，调谐器件单元3的第一端连接至多级堆叠式场效应管电路的第二端，调谐器件单元3的第二端用于连接天线4。
本实施例中，调谐器件单元3为第四电容C4；第四电容C4的第一端作为调谐器件单元3的第一端，第四电容C4的第二端作为调谐器件单元3的第二端。
另外，根据实际需求，调谐器件单元3还可以设计为电感；电感的第一端作为调谐器件单元3的第一端，电感的第二端作为调谐器件单元3的第二端。当然，根据实际需求，调谐器件单元3还可以设计为电容和电感的组合电路。
本实施例中的调谐开关电路100，在不影响关断电容的前提小，通过改变每级堆叠式场效应管电路中的场效应管的体端电位（Vb），使其稍大于0V，处于0.3-0.5V之间，这样根据场效应管的体效应，对于场效应管来说，若导通状态下体端电位稍高于0V，那么场效应管的耗尽层减小，阈值电压会降低，通过等效电阻的表达式可以看出，场效应管的阈值电压减小，过驱动电压增加，从而在场效应管尺寸相同的情况下，提高体端电位的场效应管的导通电阻会低于采用单个正压产生模块的场效应管的导通电阻。
本实施例中的调谐开关电路100通过设计两个正压产生模块，即在相关技术的基础上新增了一个正压产生模块，这样逻辑控制模块15便可以通过新增的正压产生模块产生的正极偏置电压来控制每级堆叠式场效应管中的场效应管的体端的阈值电压，从而降低调谐开关电路100的导通阻抗，且不会增加场效应管的面积。
本发明还提供了一种射频芯片的实施例，该射频芯片包括上述实施例中的调谐开关电路100。由于本实施例中的射频芯片包括了上述实施例中的调谐开关电路100，因此其也能达到上述实施例中调谐开关电路100所达到的技术效果，在此不作赘述。
需要说明的是，以上参照附图所描述的各个实施例仅用以说明本发明而非限制本发明的范围，本领域的普通技术人员应当理解，在不脱离本发明的精神和范围的前提下对本发明进行的修改或者等同替换，均应涵盖在本发明的范围之内。此外，除上下文另有所指外，以单数形式出现的词包括复数形式，反之亦然。另外，除非特别说明，那么任何实施例的全部或一部分可结合任何其它实施例的全部或一部分来使用。
Claims (10)
1.一种调谐开关电路，其特征在于，所述调谐开关电路包括依次连接的开关偏置单元、调谐开关单元以及调谐器件单元；
所述开关偏置单元包括负压产生模块、第一正压产生模块、第二正压产生模块、电压驱动模块以及逻辑控制模块；所述电压驱动模块的输入端分别连接至所述负压产生模块的输出端、第一正压产生模块的输出端以及第二正压产生模块的输出端，所述逻辑控制模块的输入端连接至所述电压驱动模块的输出端；所述负压产生模块用于产生负极偏置电压并输出至所述电压驱动模块，所述第一正压产生模块和所述第二正压产生模块分别用于产生第一正极偏置电压和第二正极偏置电压并输出至所述电压驱动模块，所述电压驱动模块用于根据接收的所述负极偏置电压、所述第一正极偏置电压和所述第二正极偏置电压输出对应的驱动电压，所述逻辑控制模块用于接收所述驱动电压，并根据所述驱动电压输出体极控制信号和栅极控制信号；
所述调谐开关单元包括依次串联形成的多级堆叠式场效应管电路，所述多级堆叠式场效应管电路的第一端接地；每级所述堆叠式场效应管电路包括一个场效应管以及一个第一电阻，每级所述堆叠式场效应管电路中的所述场效应管的体端分别连接至所述逻辑控制模块的体极控制端，每级所述堆叠式场效应管电路中的所述第一电阻的第一端连接至其所述场效应管的栅极，每级所述堆叠式场效应管电路中的所述第一电阻的第二端连接至所述逻辑控制模块的栅极控制端；所述调谐开关单元用于接收所述体极控制信号和所述栅极控制信号，并根据所述体极控制信号和所述栅极控制信号控制每级所述堆叠式场效应管的通断；
所述调谐器件单元的第一端连接至所述多级堆叠式场效应管电路的第二端，所述调谐器件单元的第二端用于连接天线。
2.如权利要求1所述的调谐开关电路，其特征在于，所述负压产生模块包括振荡器电路、电荷泵以及第一电容；
所述电荷泵的输入端连接至所述振荡器电路的输出端，所述电荷泵的输出端作为所述负压产生模块的输出端；
所述第一电容的第一端连接至所述电荷泵的输出端，所述第一电容的第二端接地。
3.如权利要求2所述的调谐开关电路，其特征在于，所述第一正压产生模块包括第一带隙基准、第一低压差线性稳压器以及第二电容；
所述第一低压差线性稳压器的输入端连接至所述第一带隙基准的输出端，所述第一低压差线性稳压器的输出端作为所述第一正压产生模块的输出端；
所述第二电容的第一端连接至所述第一低压差线性稳压器的输出端，所述第二电容的第二端接地。
4.如权利要求3所述的调谐开关电路，其特征在于，所述第二正压产生模块包括第二带隙基准、第二低压差线性稳压器以及第三电容；
所述第二低压差线性稳压器的输入端连接至所述第二带隙基准的输出端，所述第二低压差线性稳压器的输出端作为所述第二正压产生模块的输出端；
所述第三电容的第一端连接至所述第二低压差线性稳压器的输出端，所述第三电容的第二端接地。
5.如权利要求1至4任意一项所述的调谐开关电路，其特征在于，所述电压驱动模块包括第一缓冲器、第二缓冲器、第三缓冲器、第四缓冲器、第五缓冲器以及第六缓冲器；
所述第一缓冲器的输入端连接至所述负压产生模块的输出端；
所述第二缓冲器的输入端连接至所述第一缓冲器的输出端，所述第二缓冲器的输出端连接至所述电压驱动模块的输入端；
所述第三缓冲器的输入端连接至所述第一正压产生模块的输出端；
所述第四缓冲器的输入端连接至所述第三缓冲器的输出端，所述第四缓冲器的输出端连接至所述电压驱动模块的输入端；
所述第五缓冲器的输入端连接至所述第二正压产生模块的输出端；
所述第六缓冲器的输入端连接至所述第五缓冲器的输出端，所述第六缓冲器的输出端连接至所述电压驱动模块的输入端。
6.如权利要求1所述的调谐开关电路，其特征在于，所述调谐开关单元还包括第二电阻；所述第二电阻的第一端分别连接至每级所述堆叠式场效应管电路中的所述第一电阻的第二端，所述第二电阻的第二端连接至所述逻辑控制模块的体栅极控制端。
7.如权利要求1所述的调谐开关电路，其特征在于，所述调谐开关单元还包括第三电阻；所述第三电阻的第一端分别连接至每级所述堆叠式场效应管电路中的所述场效应管的体端，所述第三电阻的第二端连接至所述逻辑控制模块的体极控制端。
8.如权利要求1所述的调谐开关电路，其特征在于，所述调谐器件单元为第四电容；所述第四电容的第一端作为所述调谐器件单元的第一端，所述第四电容的第二端作为所述调谐器件单元的第二端。
9.如权利要求1所述的调谐开关电路，其特征在于，所述调谐器件单元为电感；所述电感的第一端作为所述调谐器件单元的第一端，所述电感的第二端作为所述调谐器件单元的第二端。
10.一种射频芯片，其特征在于，所述射频芯片包括如权利要求1至9任意一项所述的调谐开关电路。
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140049311A1 (en) * | 2012-08-16 | 2014-02-20 | Triquint Semiconductor, Inc. | Switching device with non-negative biasing |
| CN111971899A (zh) * | 2018-03-28 | 2020-11-20 | 派赛公司 | 具有可选dc阻断电路的正逻辑开关 |
| CN112908249A (zh) * | 2021-02-10 | 2021-06-04 | 深圳市美矽微半导体有限公司 | 一种led芯片及led芯片的级联系统 |
| WO2022035603A1 (en) * | 2020-07-31 | 2022-02-17 | Psemi Corporation | Switch fet body current management devices and methods |
-
2024
- 2024-05-15 CN CN202410599856.9A patent/CN118199600B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140049311A1 (en) * | 2012-08-16 | 2014-02-20 | Triquint Semiconductor, Inc. | Switching device with non-negative biasing |
| CN111971899A (zh) * | 2018-03-28 | 2020-11-20 | 派赛公司 | 具有可选dc阻断电路的正逻辑开关 |
| WO2022035603A1 (en) * | 2020-07-31 | 2022-02-17 | Psemi Corporation | Switch fet body current management devices and methods |
| CN112908249A (zh) * | 2021-02-10 | 2021-06-04 | 深圳市美矽微半导体有限公司 | 一种led芯片及led芯片的级联系统 |
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