CN118155544A - 设置面板电压的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种设置面板电压的方法。该方法包括：设置第一参考电压、低于第一参考电压且高于面板缺省电压的第二参考电压以及参考电流；将第一参考电压施加到像素；通过测量响应于第一参考电压产生的显示面板的电流来获得第一测量电流；将第一测量电流与参考电流进行比较；当第一测量电流大于参考电流时，通过测量响应于第二参考电压产生的显示面板的电流来获得第二测量电流；将第二测量电流与参考电流进行比较；并且当第二测量电流小于或等于参考电流时，基于第一参考电压和第二参考电压来获得面板设置电压。

Description

设置面板电压的方法
技术领域
本发明构思的实施例涉及一种设置面板电压的方法。更具体地，本发明构思的实施例涉及一种设置面板电压的方法，用于通过补偿像素中的晶体管的栅-源电压来增强显示质量。
背景技术
通常，显示装置可以包括显示面板以及显示面板驱动器。显示面板包括栅线、数据线、发射线以及像素。显示面板驱动器可以包括用于将栅信号提供给栅线的栅驱动器、用于将数据电压提供给数据线的数据驱动器以及用于将发射信号提供给发射线的发射驱动器。显示面板驱动器可以包括用于将电源电压输出到显示面板的电源电压产生器。显示面板驱动器可以包括用于控制栅驱动器、数据驱动器、发射驱动器以及电源电压产生器的驱动控制器。
通常，在显示装置中包括的像素中的每一个可以包括发光元件、存储电容器、驱动晶体管、补偿晶体管、栅初始化晶体管。当晶体管的栅-源电压的裕度不足时，即使当晶体管截止时，泄漏电流也可能流过晶体管。存储电容器的电压(例如，驱动晶体管的栅电极的电压)可能由于泄漏电流而改变。因此，显示装置的显示质量可能劣化。
发明内容
本发明构思的实施例提供了一种设置面板电压的方法，以用于使由于泄漏电流引起的显示质量的劣化最小化。
在根据本发明构思的设置面板电压的方法的实施例中，该方法包括：设置第一参考电压、低于第一参考电压且高于面板缺省电压的第二参考电压以及参考电流；将第一参考电压施加到像素；通过测量响应于第一参考电压产生的显示面板的电流来获得第一测量电流；将第一测量电流与参考电流进行比较；当第一测量电流大于参考电流时，通过测量响应于第二参考电压产生的显示面板的电流来获得第二测量电流；将第二测量电流与参考电流进行比较；并且当第二测量电流小于或等于参考电流时，基于第一参考电压和第二参考电压来获得面板设置电压。
在实施例中，当面板设置电压被施加到显示面板时的像素的泄漏电流小于当面板缺省电压被施加到显示面板时的像素的泄漏电流。
在实施例中，该方法可以进一步包括：当第一测量电流小于或等于参考电流时，将面板缺省电压施加到显示面板。
在实施例中，该方法可以进一步包括：当第二测量电流大于参考电流时，重置第二参考电压。
在实施例中，被重置后的第二参考电压可以低于被重置前的第二参考电压。
在实施例中，像素中的每一个可以包括：第一晶体管，包括连接到第二节点的栅电极、连接到第一节点的第一电极和连接到第三节点的第二电极；第二晶体管，包括接收第一栅信号的栅电极、连接到数据线的第一电极和连接到第一节点的第二电极；第三晶体管，包括接收第二栅信号的栅电极、连接到第三节点的第一电极和连接到第二节点的第二电极；第四晶体管，包括接收第三栅信号的栅电极、接收第一初始化电压的第一电极和连接到第二节点的第二电极；第五晶体管，包括接收发射信号的栅电极、接收第一电源电压的第一电极和连接到第一节点的第二电极；第六晶体管，包括接收发射信号的栅电极、连接到第三节点的第一电极和连接到第四节点的第二电极；第七晶体管，包括接收第四栅信号的栅电极、接收第二初始化电压的第一电极和连接到第四节点的第二电极；第八晶体管，包括接收第四栅信号的栅电极、接收偏置电压的第一电极和连接到第一节点的第二电极；存储电容器，包括接收第一电源电压的第一电极和连接到第二节点的第二电极；以及发光元件，包括连接到第四节点的第一电极和接收比第一电源电压低的第二电源电压的第二电极。
在实施例中，第三晶体管和第四晶体管可以是N沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管。
在实施例中，第一参考电压或第二参考电压可以是通过从第三晶体管的栅电极的电压中减去第三晶体管的第一电极的电压而获得的电压。
在实施例中，第一参考电压或第二参考电压可以是通过从第四晶体管的栅电极的电压中减去第四晶体管的第一电极的电压而获得的电压。
在实施例中，面板设置电压可以通过使用等式“VPS＝VPD–VR1+VR2”来确定。VPS表示面板设置电压，VPD表示面板缺省电压，VR1表示第一参考电压，并且VR2表示第二参考电压。
依据根据实施例的设置面板电压的方法，该方法可以设置第一参考电压、第二参考电压和参考电流，可以将响应于第一参考电压产生的第一测量电流和响应于第二参考电压产生的第二测量电流与参考电流进行比较，可以基于第一参考电压和第二参考电流来设置面板设置电压，并且可以将面板设置电压施加到像素中的晶体管。相应地，可以防止晶体管的栅-源电压的裕度不足，并且即使当晶体管截止时，也可以使流过晶体管的泄漏电流最小化，从而可以增强显示装置的显示质量。
附图说明
通过参考附图来详细地描述本发明构思的实施例，本发明构思的实施例的以上以及其他的特征将变得更显而易见，在附图中：
图1是图示根据实施例的显示装置的框图；
图2是图示图1的像素的示例的电路图；
图3是图示被施加到图2的像素的输入信号的时序图；
图4是图示根据图2的晶体管的栅-源电压的电流特性的常规曲线图；
图5是图示根据实施例的设置面板电压的方法的流程图；
图6A至图6C是图示根据图4的晶体管的栅-源电压的电流特性的示例的图；
图7是图示其中面板缺省电压被补偿的示例的图；
图8A和图8B是图示其中面板设置电压被施加的示例的图；
图9A和图9B是图示其中面板设置电压被施加的示例的图；
图10A和图10B是图示其中面板设置电压被施加的示例的图；
图11是图示电子装置的框图；并且
图12是图示其中图11的电子装置被实现为智能电话的实施例的图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图详细地描述本发明构思的实施例。
图1是图示根据实施例的显示装置10的框图。
参考图1，显示装置10可以包括显示面板100和显示面板驱动器800。显示面板驱动器800可以包括驱动控制器200、栅驱动器300、伽马参考电压产生器400、数据驱动器500、发射驱动器600以及电源电压产生器700。
例如，驱动控制器200和数据驱动器500可以一体形成。例如，驱动控制器200、伽马参考电压产生器400和数据驱动器500可以一体形成。例如，驱动控制器200、伽马参考电压产生器400、数据驱动器500和发射驱动器600可以一体形成。例如，驱动控制器200、伽马参考电压产生器400、数据驱动器500、发射驱动器600和电源电压产生器700可以一体形成。至少包括一体形成的驱动控制器200和数据驱动器500的驱动模块可以被称为时序控制器嵌入式数据驱动器(TED)。
例如，显示面板100可以是包括有机发光二极管的有机发光二极管显示面板。例如，显示面板100可以是包括有机发光二极管和量子点滤色器的量子点有机发光二极管显示面板。例如，显示面板100可以是包括纳米发光二极管和量子点滤色器的量子点纳米发光二极管显示面板。
显示面板100可以包括显示图像的显示区以及与显示区邻近设置的外围区PA。
显示面板100可以包括栅线GL、数据线DL、发射线EL以及电连接到栅线GL、数据线DL和发射线EL的像素P。
驱动控制器200可以从外部主处理器(例如，图形处理单元(GPU)、应用处理器或图形卡)接收输入图像数据IMG和输入控制信号CONT。例如，输入图像数据IMG可以包括红色图像数据、绿色图像数据和蓝色图像数据。输入图像数据IMG可以包括白色图像数据。输入图像数据IMG可以包括品红色图像数据、黄色图像数据和青色图像数据。输入控制信号CONT可以包括主时钟信号和数据使能信号。输入控制信号CONT可以进一步包括垂直同步信号和水平同步信号。
驱动控制器200可以基于输入图像数据IMG和输入控制信号CONT产生第一控制信号CONT1、第二控制信号CONT2、第三控制信号CONT3、第四控制信号CONT4、第五控制信号CONT5和数据信号DATA。
驱动控制器200可以基于输入控制信号CONT产生用于控制栅驱动器300的操作的第一控制信号CONT1，并且将第一控制信号CONT1输出到栅驱动器300。第一控制信号CONT1可以包括垂直起始信号和栅时钟信号。
驱动控制器200可以基于输入控制信号CONT产生用于控制数据驱动器500的操作的第二控制信号CONT2，并且将第二控制信号CONT2输出到数据驱动器500。第二控制信号CONT2可以包括水平起始信号和负载信号。
驱动控制器200可以基于输入图像数据IMG产生数据信号DATA。驱动控制器200可以将数据信号DATA输出到数据驱动器500。
驱动控制器200可以基于输入控制信号CONT产生用于控制伽马参考电压产生器400的操作的第三控制信号CONT3，并且将第三控制信号CONT3输出到伽马参考电压产生器400。
驱动控制器200可以基于输入控制信号CONT产生用于控制发射驱动器600的操作的第四控制信号CONT4，并且将第四控制信号CONT4输出到发射驱动器600。
驱动控制器200可以基于输入控制信号CONT产生用于控制电源电压产生器700的操作的第五控制信号CONT5，并且将第五控制信号CONT5输出到电源电压产生器700。
栅驱动器300可以响应于从驱动控制器200接收的第一控制信号CONT1产生用于驱动栅线GL的栅信号。栅驱动器300可以将栅信号输出到栅线GL。
在实施例中，栅驱动器300可以集成在显示面板100的外围区PA上。
伽马参考电压产生器400可以响应于从驱动控制器200接收的第三控制信号CONT3产生伽马参考电压VGREF。伽马参考电压产生器400可以将伽马参考电压VGREF提供给数据驱动器500。伽马参考电压VGREF可以具有与每个数据信号DATA相对应的值。
在实施例中，伽马参考电压产生器400可以设置在驱动控制器200中或数据驱动器500中。
数据驱动器500可以从驱动控制器200接收第二控制信号CONT2和数据信号DATA，并且从伽马参考电压产生器400接收伽马参考电压VGREF。数据驱动器500可以使用伽马参考电压VGREF将数据信号DATA转换为模拟形式的数据电压。数据驱动器500可以将数据电压输出到数据线DL。
发射驱动器600可以响应于从驱动控制器200接收的第四控制信号CONT4产生用于驱动发射线EL的发射信号。发射驱动器600可以将发射信号输出到发射线EL。
电源电压产生器700可以响应于第五控制信号CONT5产生第一电源电压ELVDD，并且将第一电源电压ELVDD输出到显示面板100。电源电压产生器700可以响应于第五控制信号CONT5产生第二电源电压ELVSS，并且将第二电源电压ELVSS输出到显示面板100。电源电压产生器700可以产生用于驱动栅驱动器300的栅驱动电压，将栅驱动电压输出到栅驱动器300，产生用于驱动数据驱动器500的数据驱动电压，并且将数据驱动电压输出到数据驱动器500。第一电源电压ELVDD可以是被施加到显示面板100的像素P的高电源电压，并且第二电源电压ELVSS可以是被施加到显示面板100的像素P的低电源电压。
图2是图示图1的像素P的示例的电路图。
参考图1和图2，图2的像素P可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7、第八晶体管T8、存储电容器CST以及发光元件ED。
第一晶体管T1可以基于第二节点N2的电压(即，存储电容器CST的第二电极的电压)产生驱动电流。在实施例中，第一晶体管T1可以包括连接到第二节点N2的栅电极、连接到第一节点N1的第一电极以及连接到第三节点N3的第二电极。第一晶体管T1的第一电极可以是源电极，并且第一晶体管T1的第二电极可以是漏电极。
第二晶体管T2可以响应于第一栅信号GW将数据线DL的数据电压VDATA提供给第一节点N1。在实施例中，第二晶体管T2可以包括接收第一栅信号GW的栅电极、连接到数据线DL的第一电极以及连接到第一节点N1的第二电极。第二晶体管T2的第一电极可以是源电极，并且第二晶体管T2的第二电极可以是漏电极。
第三晶体管T3可以响应于第二栅信号GC将第一晶体管T1二极管连接。在实施例中，第三晶体管T3包括接收第二栅信号GC的栅电极、连接到第三节点N3的第一电极以及连接到第二节点N2的第二电极。第三晶体管T3的第一电极可以是源电极，并且第三晶体管T3的第二电极可以是漏电极。
第四晶体管T4可以响应于第三栅信号GI将第一初始化电压VINT1提供给第二节点N2。在实施例中，第四晶体管T4包括接收第三栅信号GI的栅电极、接收第一初始化电压VINT1的第一电极以及连接到第二节点N2的第二电极。第四晶体管T4的第一电极可以是源电极，并且第四晶体管T4的第二电极可以是漏电极。
第五晶体管T5可以响应于发射信号EM将第一电源电压ELVDD提供给第一节点N1。在实施例中，第五晶体管T5可以包括接收发射信号EM的栅电极、接收第一电源电压ELVDD的第一电极以及连接到第一节点N1的第二电极。第五晶体管T5的第一电极可以是源电极，并且第五晶体管T5的第二电极可以是漏电极。
第六晶体管T6可以响应于发射信号EM将第一晶体管T1和发光元件ED连接。当第六晶体管T6导通时，由第一晶体管T1产生的驱动电流可以被提供给发光元件ED。在实施例中，第六晶体管T6可以包括接收发射信号EM的栅电极、连接到第三节点N3的第一电极以及连接到第四节点N4的第二电极。第六晶体管T6的第一电极可以是源电极，并且第六晶体管T6的第二电极可以是漏电极。
第七晶体管T7可以响应于第四栅信号GB执行将第二初始化电压VINT2提供给发光元件ED的第一电极(即，阳极)的阳极初始化操作。在实施例中，第七晶体管T7可以包括接收第四栅信号GB的栅电极、接收第二初始化电压VINT2的第一电极以及连接到第四节点N4的第二电极。第七晶体管T7的第一电极可以是源电极，并且第七晶体管T7的第二电极可以是漏电极。
第八晶体管T8可以响应于第四栅信号GB将偏置电压VBIAS提供给第一节点N1。在实施例中，第八晶体管T8可以包括接收第四栅信号GB的栅电极、接收偏置电压VBIAS的第一电极以及连接到第一节点N1的第二电极。第八晶体管T8的第一电极可以是源电极，并且第八晶体管T8的第二电极可以是漏电极。
在实施例中，第三晶体管T3和第四晶体管T4可以是N沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管。
存储电容器CST可以连接在第一电源电压ELVDD的线与第二节点N2之间。在实施例中，存储电容器CST可以包括接收第一电源电压ELVDD的第一电极和连接到第二节点N2的第二电极。
当第六晶体管T6导通时，发光元件ED可以基于由第一晶体管T1产生的驱动电流而发光。例如，发光元件ED可以是有机发光二极管(OLED)，但不限于此。例如，发光元件ED可以是纳米发光二极管(NED)、量子点(QD)发光二极管、微米发光二极管、无机发光二极管或任何其他适当的发光器件。发光元件ED可以包括在发光元件ED的阳极与第二电源电压ELVSS的线之间形成的寄生电容器CED。寄生电容器CED可以通过阳极初始化操作被初始化或被放电。在实施例中，发光元件ED可以包括连接到第四节点N4的第一电极和接收比第一电源电压ELVDD低的第二电源电压ELVSS的第二电极。
图3是图示被施加到图2的像素P的输入信号的时序图。
参考图1至图3，在第一时段DU1中，第四栅信号GB可以具有激活电平。例如，第四栅信号GB的激活电平可以是低电平。当第四栅信号GB具有激活电平时，第七晶体管T7可以导通，使得第二初始化电压VINT2可以被施加到第四节点N4，第八晶体管T8可以导通，并且偏置电压VBIAS可以被施加到第一节点N1。
在第二时段DU2中，第三栅信号GI可以具有激活电平。例如，第三栅信号GI的激活电平可以是高电平。当第三栅信号GI具有激活电平时，第四晶体管T4可以导通，使得第一初始化电压VINT1可以被施加到第二节点N2。
在第三时段DU3中，第二栅信号GC可以具有激活电平。例如，第二栅信号GC的激活电平可以是高电平。当第二栅信号GC具有激活电平时，第三晶体管T3可以导通，使得第一晶体管T1可以被二极管连接。
在第四时段DU4中，第一栅信号GW可以具有激活电平。例如，第一栅信号GW的激活电平可以是低电平。当第一栅信号GW具有激活电平时，第二晶体管T2导通，使得数据电压VDATA可以被施加到第一节点N1。
在第五时段DU5中，发射信号EM可以具有激活电平。例如，发射信号EM的激活电平可以是低电平。当发射信号EM具有激活电平时，第五晶体管T5和第六晶体管T6可以导通。
驱动电流可以以第五晶体管T5、第一晶体管T1和第六晶体管T6的顺序流动，以驱动发光元件ED。驱动电流的强度可以通过数据电压VDATA的电平来确定。发光元件ED的亮度可以通过驱动电流的强度来确定。
图4是图示根据图2的晶体管T3或T4的栅-源电压的电流特性的常规曲线图。
参考图1至图4，根据第三晶体管T3和第四晶体管T4的栅-源电压的电流可以被表示为以下等式1。
[等式1]
在等式1中，μ是第三晶体管T3或第四晶体管T4的迁移率，Cox是第三晶体管T3或第四晶体管T4的单位面积电容，并且W/L是第三晶体管T3或第四晶体管T4的宽度与长度之比，Vgs是第三晶体管T3或第四晶体管T4的源电极与栅电极之间的电压，并且Vth是第三晶体管T3或第四晶体管T4的阈值电压。
同时，当晶体管的栅-源电压的裕度不足时，即使当晶体管截止时，泄漏电流也可能流过该晶体管。
例如，当第三晶体管T3或第四晶体管T4的栅-源电压的裕度不足时，即使第三晶体管T3或第四晶体管T4截止，泄漏电流也通过第三晶体管T3或第四晶体管T4产生。因此，根据第三晶体管T3或第四晶体管T4的栅-源电压的电流的曲线图50和60可能被改变。
图5是图示根据实施例的设置面板电压的方法的流程图。图6A至图6C是图示根据图4的晶体管的栅-源电压Vgs的电流特性的示例的图。图7是图示其中面板缺省电压VPD被补偿的示例的图。图8A和图8B是图示其中面板设置电压VPS被施加的示例的图。图9A和图9B是图示其中面板设置电压VPS被施加的示例的图。图10A和图10B是图示其中面板设置电压VPS被施加的示例的图。
参考图1至图10B，设置面板电压的方法可以包括：设置第一参考电压VR1、低于第一参考电压VR1且高于面板缺省电压VPD的第二参考电压VR2以及参考电流IR(S100)；将第一参考电压VR1施加到像素P(S200)；通过测量响应于第一参考电压VR1产生的显示面板100的电流来获得第一测量电流IM1(S210)；将第一测量电流IM1与参考电流IR进行比较(S220)；当第一测量电流IM1大于参考电流IR时，通过测量响应于第二参考电压VR2产生的显示面板100的电流来获得第二测量电流IM2(S300)；将第二测量电流IM2与参考电流IR进行比较(S310)；并且当第二测量电流IM2小于或等于参考电流IR时，基于第一参考电压VR1和第二参考电压VR2来获得面板设置电压VPS(S400)。
设置面板电压的方法可以包括：设置第一参考电压VR1、低于第一参考电压VR1且高于面板缺省电压VPD的第二参考电压VR2以及参考电流IR(S100)；将第一参考电压VR1施加到像素P(S200)；通过测量响应于第一参考电压VR1产生的显示面板100的电流来获得第一测量电流IM1(S210)；并且将第一测量电流IM1与参考电流IR进行比较(S220)。
例如，驱动控制器200可以控制栅-源电压Vgs，以便使流过第三晶体管T3或第四晶体管T4的泄漏电流Ids最小化。
第一参考电压VR1可以是用于确定晶体管是否具有泄漏电流Ids的电压。第一参考电压VR1可以是用于当泄漏电流Ids流过晶体管时补偿面板缺省电压VPD的电压。
第二参考电压VR2可以是用于确定晶体管是否具有泄漏电流Ids的电压。第二参考电压VR2可以是用于当泄漏电流Ids流过晶体管时补偿面板缺省电压VPD的电压。
在实施例中，第一参考电压VR1或第二参考电压VR2是通过从第三晶体管T3的栅电极的电压中减去第三晶体管T3的第一电极的电压而获得的电压。第三晶体管T3的第一电极可以是源电极。通过从第三晶体管T3的栅电极的电压中减去第三晶体管T3的第一电极的电压而获得的电压可以是第三晶体管T3的栅-源电压Vgs。因此，第一参考电压VR1和第二参考电压VR2可以是第三晶体管T3的栅-源电压Vgs。
在实施例中，第一参考电压VR1或第二参考电压VR2是通过从第四晶体管T4的栅电极的电压中减去第四晶体管T4的第一电极的电压而获得的电压。第四晶体管T4的第一电极可以是源电极。通过从第四晶体管T4的栅电极的电压中减去第四晶体管T4的第一电极的电压而获得的电压可以是第四晶体管T4的栅-源电压Vgs。因此，第一参考电压VR1和第二参考电压VR2可以是第四晶体管T4的栅-源电压Vgs。
在实施例中，第二参考电压VR2可以低于第一参考电压VR1且高于面板缺省电压VPD。
参考电流IR可以是用于通过将参考电流IR与是响应于第一参考电压VR1产生的显示面板100的电流的第一测量电流IM1进行比较来确定是否产生了晶体管的泄漏电流Ids的电流。参考电流IR可以是用于通过将参考电流IR与是响应于第二参考电压VR2产生的显示面板100的电流的第二测量电流IM2进行比较来确定是否产生了晶体管的泄漏电流Ids的电流。
在实施例中，设置面板电压的方法可以进一步包括：当第一测量电流IM1小于或等于参考电流IR时，将面板缺省电压VPD施加到显示面板100(S600)。
例如，如图6A中所示，当第一测量电流IM1小于或等于参考电流IR时，晶体管的泄漏电流Ids可以是小的。因此，面板缺省电压VPD可以在没有补偿的情况下被施加到显示面板100。
设置面板电压的方法可以包括：当第一测量电流IM1大于参考电流IR时，通过测量响应于第二参考电压VR2产生的显示面板100的电流来获得第二测量电流IM2(S300)；将第二测量电流IM2与参考电流IR进行比较(S310)；并且当第二测量电流IM2小于或等于参考电流IR时，基于第一参考电压VR1和第二参考电压VR2来获得面板设置电压VPS(S400)。
设置面板电压的方法可以进一步包括：当第二测量电流IM2大于参考电流IR时，重置第二参考电压VR2(S700)。
如图6B和图6C中所示，在电流对栅-源电压的曲线图60中，当第三晶体管T3或第四晶体管T4的栅-源电压Vgs是栅-源电压Vgs的缺省电压VGSD时，泄漏电流Ids可能流过第三晶体管T3或第四晶体管T4。
例如，当第一测量电流IM1大于参考电流IR时，可能需要补偿面板缺省电压VPD。然而，如图6B中所示，当第二测量电流IM2大于参考电流IR时，与第二测量电流IM2相对应的第二参考电压VR2对用于补偿面板缺省电压VPD来说可能是大的。因此，第二参考电压VR2可能需要被重置。
被重置后的第二参考电压VR2可以低于被重置前的第二参考电压VR2。例如，被重置前的第二参考电压VR2对用于补偿面板缺省电压VPD来说可能是高的，所以，被重置后的第二参考电压VR2可以低于被重置前的第二参考电压VR2。
如图6C中所示，当第二测量电流IM2小于或等于参考电流IR时，与第二测量电流IM2相对应的第二参考电压VR2对用于补偿面板缺省电压VPD来说是足够小的。因此，面板设置电压VPS可以基于第一参考电压VR1和第二参考电压VR2来获得。
在实施例中，如图7中所示，面板设置电压VPS可以通过使用等式410“VPS＝VPD–VR1+VR2”来确定。这里，VPS表示面板设置电压，VPD表示面板缺省电压，VR1表示第一参考电压，并且VR2表示第二参考电压。第二参考电压VR2可以低于第一参考电压VR1。因此，面板设置电压VPS可以低于面板缺省电压VPD。
在这种情况下，如图8A中所示，面板设置电压VPS可以被施加到第三晶体管T3的栅电极或第四晶体管T4的栅电极。如图8B中所示，面板缺省电压VPD可以是第二栅信号GC的具有禁用电平的电压或者是第三栅信号GI的具有禁用电平的电压。也就是说，第三晶体管T3的栅电极的电压或第四晶体管T4的栅电极的电压可以从面板缺省电压VPD被改变至面板设置电压VPS，使得第三晶体管T3的栅-源电压Vgs或第四晶体管T4的栅-源电压Vgs可以被降低。
这样，当面板设置电压VPS被施加到显示面板100时的像素P的泄漏电流Ids可以小于当面板缺省电压VPD被施加到显示面板100时的像素P的泄漏电流Ids。
相应地，可以防止晶体管的栅-源电压Vgs的裕度不足，并且即使当晶体管截止时，也可以使流过晶体管的泄漏电流Ids最小化，从而可以增强显示装置10的显示质量。
在实施例中，如图7中所示，面板设置电压VPS可以通过使用等式420“VPS＝VPD+VR1-VR2”来确定。这里，VPS表示面板设置电压，VPD表示面板缺省电压，VR1表示第一参考电压，并且VR2表示第二参考电压。因此，面板设置电压VPS可以低于面板缺省电压VPD。
在这种情况下，如图9A中所示，面板设置电压VPS可以被施加到第三晶体管T3的第一电极。如图9B中所示，面板缺省电压VPD可以是第二电源电压ELVSS。也就是说，第三晶体管T3的第一电极的电压可以从面板缺省电压VPD被改变至面板设置电压VPS，使得第三晶体管T3的栅-源电压Vgs可以被降低。
这样，当面板设置电压VPS被施加到显示面板100时的像素P的泄漏电流Ids可以小于当面板缺省电压VPD被施加到显示面板100时的像素P的泄漏电流Ids。
相应地，可以防止晶体管的栅-源电压Vgs的裕度不足，并且即使当晶体管截止时，也可以使流过晶体管的泄漏电流Ids最小化，从而可以增强显示装置10的显示质量。
在一些情况下，如图10A中所示，面板设置电压VPS可以被施加到第四晶体管T4的第一电极。如图10B中所示，面板缺省电压VPD可以是第一初始化电压VINT1。也就是说，第四晶体管T4的第一电极的电压可以从面板缺省电压VPD被改变至面板设置电压VPS，使得第四晶体管T4的栅-源电压Vgs可以被降低。
这样，当面板设置电压VPS被施加到显示面板100时的像素P的泄漏电流Ids可以小于当面板缺省电压VPD被施加到显示面板100时的像素P的泄漏电流Ids。
相应地，可以防止晶体管的栅-源电压Vgs的裕度不足，并且即使当晶体管截止时，也可以使流过晶体管的泄漏电流Ids最小化，从而可以增强显示装置10的显示质量。
图11是图示电子装置1000的框图。图12是图示其中图11的电子装置1000被实现为智能电话的实施例的图。
参考图11和图12，电子装置1000可以包括处理器1010、存储器装置1020、储存装置1030、输入/输出(I/O)装置1040、电源1050以及显示装置1060。显示装置1060可以是图1的显示装置10。此外，电子装置1000可以进一步包括用于与显卡、声卡、存储卡、通用串行总线(USB)装置和其他电子装置等进行通信的多个端口。
在实施例中，如图12中图示的，电子装置1000可以被实现为智能电话。然而，电子装置1000不限于此。例如，电子装置1000可以被实现为蜂窝电话、视频电话、智能平板、智能手表、平板PC、汽车导航系统、计算机监视器、膝上型计算机和头戴式显示器(HMD)装置等。
处理器1010可以执行各种计算功能。处理器1010可以是微处理器、中央处理单元(CPU)和应用处理器(AP)等。处理器1010可以经由地址总线、控制总线和数据总线等被耦接到其他部件。进一步地，处理器1010可以耦接到诸如外围部件互连(PCI)总线的扩展总线。
存储器装置1020可以存储用于电子装置1000的操作的数据。例如，存储器装置1020可以包括至少一个诸如可擦除可编程只读存储器(EPROM)装置、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)装置、闪存装置、相变随机存取存储器(PRAM)装置、电阻随机存取存储器(RRAM)装置、纳米浮栅存储器(NFGM)装置、聚合物随机存取存储器(PoRAM)装置、磁性随机存取存储器(MRAM)装置和铁电随机存取存储器(FRAM)装置等的非易失性存储器装置和/或至少一个诸如动态随机存取存储器(DRAM)装置、静态随机存取存储器(SRAM)装置和移动DRAM装置等的易失性存储器装置。
储存装置1030可以包括固态驱动器(SSD)装置、硬盘驱动器(HDD)装置和CD-ROM装置等。
I/O装置1040可以包括诸如键盘、小键盘、鼠标装置、触摸板和触摸屏等的输入装置以及诸如打印机和扬声器等的输出装置。在一些实施例中，I/O装置1040可以包括显示装置1060。
电源1050可以为电子装置1000的操作提供电力。
显示装置1060可以通过总线或其他通信链路连接到其他部件。
本发明构思可以应用于任何显示装置和包括触摸面板的任何电子装置。例如，本发明构思可以应用于移动电话、智能电话、平板计算机、数字电视(TV)、3D TV、个人计算机(PC)、家用电器、膝上型计算机、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)、数码相机、音乐播放器、便携式游戏控制台、导航装置等。
前述是本发明构思的例示，并且不应被解释为对本发明构思的限制。尽管已经描述了本发明构思的若干实施例，但是本领域技术人员将容易理解，对实施例的许多修改是可能的，而不实质上脱离本发明构思的新颖教导和优点。相应地，所有这样的修改旨在被包括在如权利要求中限定的本发明构思的范围内。在权利要求中，手段加功能的句式旨在覆盖在本文中被描述为执行所列举的功能的结构，并且不仅覆盖结构等同，还覆盖等同结构。因此，应理解，前述是本发明构思的例示，并且不应被解释为限于所公开的特定实施例，并且对所公开的实施例的修改以及其他实施例都旨在被包括在权利要求的范围内。本发明构思由权利要求限定，而权利要求的等同被包括在本文中。

Claims (10)

1.一种设置被施加到显示面板的像素的面板电压的方法，包括：
设置第一参考电压、低于所述第一参考电压且高于面板缺省电压的第二参考电压以及参考电流；
将所述第一参考电压施加到所述像素；
通过测量响应于所述第一参考电压产生的所述显示面板的电流来获得第一测量电流；
将所述第一测量电流与所述参考电流进行比较；
当所述第一测量电流大于所述参考电流时，通过测量响应于所述第二参考电压产生的所述显示面板的电流来获得第二测量电流；
将所述第二测量电流与所述参考电流进行比较；并且
当所述第二测量电流小于或等于所述参考电流时，基于所述第一参考电压和所述第二参考电压来获得面板设置电压。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，
当所述面板设置电压被施加到所述显示面板时的所述像素的泄漏电流小于当所述面板缺省电压被施加到所述显示面板时的所述像素的泄漏电流。
3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：
当所述第一测量电流小于或等于所述参考电流时，将所述面板缺省电压施加到所述显示面板。
4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：
当所述第二测量电流大于所述参考电流时，重置所述第二参考电压。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，
被重置后的所述第二参考电压低于被重置前的所述第二参考电压。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，所述像素中的每一个包括：
第一晶体管，包括连接到第二节点的栅电极、连接到第一节点的第一电极和连接到第三节点的第二电极；
第二晶体管，包括接收第一栅信号的栅电极、连接到数据线的第一电极和连接到所述第一节点的第二电极；
第三晶体管，包括接收第二栅信号的栅电极、连接到所述第三节点的第一电极和连接到所述第二节点的第二电极；
第四晶体管，包括接收第三栅信号的栅电极、接收第一初始化电压的第一电极和连接到所述第二节点的第二电极；
第五晶体管，包括接收发射信号的栅电极、接收第一电源电压的第一电极和连接到所述第一节点的第二电极；
第六晶体管，包括接收所述发射信号的栅电极、连接到所述第三节点的第一电极和连接到第四节点的第二电极；
第七晶体管，包括接收第四栅信号的栅电极、接收第二初始化电压的第一电极和连接到所述第四节点的第二电极；
第八晶体管，包括接收所述第四栅信号的栅电极、接收偏置电压的第一电极和连接到所述第一节点的第二电极；
存储电容器，包括接收所述第一电源电压的第一电极和连接到所述第二节点的第二电极；以及
发光元件，包括连接到所述第四节点的第一电极和接收比所述第一电源电压低的第二电源电压的第二电极。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，
所述第三晶体管和所述第四晶体管是N沟道金属氧化物半导体晶体管。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，
所述第一参考电压或所述第二参考电压是通过从所述第三晶体管的所述栅电极的电压中减去所述第三晶体管的所述第一电极的电压而获得的电压。
9.根据权利要求7所述的方法，其中，
所述第一参考电压或所述第二参考电压是通过从所述第四晶体管的所述栅电极的电压中减去所述第四晶体管的所述第一电极的电压而获得的电压。
10.根据权利要求7所述的方法，其中，
所述面板设置电压通过使用等式“VPS＝VPD–VR1+VR2”来确定，
其中VPS表示所述面板设置电压，VPD表示所述面板缺省电压，VR1表示所述第一参考电压，并且VR2表示所述第二参考电压。
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