KR20230156205A - 표시 장치 및 이의 구동 방법 - Google Patents

표시 장치 및 이의 구동 방법 Download PDF

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Abstract

표시 장치는 픽셀들을 포함하는 표시 패널, 상기 픽셀들에 입력 영상 데이터를 기초로 생성된 데이터 전압들을 인가하는 데이터 드라이버, 상기 픽셀들 각각에 포함된 발광 소자를 초기화 시키는 초기화 전압을 생성하는 초기화 전압 생성부, 상기 입력 영상 데이터의 로드를 기초로 정전류 제어 신호를 생성하는 타이밍 컨트롤러, 및 상기 정전류 제어 신호에 응답하여 상기 초기화 전압 생성부에 정전류를 발생시키는 정전류 생성부를 포함할 수 있다. 따라서, 표시 장치는 초기화 전압을 입력 영상 데이터의 로드에 따라 조절함으로써, 초기화 전압의 리플(ripple)을 감소시키고, 초기화 전압의 리플이 감소함에 따라, 센싱 동작의 SNR(sinal-to-noise ratio) 특성이 개선될 수 있다.

Description

표시 장치 및 이의 구동 방법{DISPLAY APPARATUS AND METHOD OF OPERATING THE SAME}
본 발명은 표시 장치 및 이의 구동 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 센싱 동작을 수행하는 표시 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 표시 장치는 표시 패널, 게이트 드라이버, 데이터 드라이버, 및 타이밍 컨트롤러를 포함한다. 표시 패널은 복수의 게이트 라인들, 복수의 데이터 라인들, 및 복수의 게이트 라인들 및 복수의 데이터 라인들에 전기적으로 연결된 복수의 픽셀들을 포함한다. 게이트 드라이버는 게이트 라인들에 게이트 신호들을 제공하고, 데이터 드라이버는 데이터 라인들에 데이터 전압들을 제공하며, 타이밍 컨트롤러는 게이트 드라이버 및 데이터 드라이버를 제어한다.
표시 장치는 공정 편차 등의 이유로 픽셀마다 구동 트랜지스터의 문턱 전압 및 이동도 등과 같은 특성 차이가 발생할 수 있다. 따라서, 표시 품질을 높이기 위해 픽셀에 인가되는 데이터 전압의 보상(즉, 입력 영상 데이터의 보상)이 수행된다.
본 발명의 일 목적은 초기화 전압의 리플(ripple)을 감소시키는 표시 장치에 관한 것이다.
본 발명의 다른 목적은 표시 장치를 구동하는 표시 장치 구동 방법을 제공하는 것이다.
다만, 본 발명의 해결하고자 하는 과제는 상기 언급된 과제에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는 픽셀들을 포함하는 표시 패널, 상기 픽셀들에 입력 영상 데이터를 기초로 생성된 데이터 전압들을 인가하는 데이터 드라이버, 상기 픽셀들 각각에 포함된 발광 소자를 초기화 시키는 초기화 전압을 생성하는 초기화 전압 생성부, 상기 입력 영상 데이터의 로드를 기초로 정전류 제어 신호를 생성하는 타이밍 컨트롤러, 및 상기 정전류 제어 신호에 응답하여 상기 초기화 전압 생성부에 정전류를 발생시키는 정전류 생성부를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 픽셀들 각각은 제1 노드에 연결된 제어 전극, 제1 전원 전압을 수신하는 제1 전극, 및 제2 노드에 연결된 제2 전극을 포함하는 제1 트랜지스터, 제1 게이트 신호를 수신하는 제어 전극, 상기 데이터 전압들을 수신하는 제1 전극, 및 상기 제1 노드에 연결된 제2 전극을 포함하는 제2 트랜지스터, 제2 게이트 신호를 수신하는 제어 전극, 상기 초기화 전압을 수신하는 제1 전극, 상기 제2 노드에 연결된 제2 전극을 포함하는 제3 트랜지스터, 상기 제1 노드에 연결된 제1 전극 및 상기 제2 노드에 연결된 제2 전극을 포함하는 스토리지 커패시터, 및 상기 제2 노드에 연결된 제1 전극, 제2 전원 전압을 수신하는 제2 전극을 포함하는 상기 발광 소자를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 데이터 드라이버는 액티브 구간에서 상기 데이터 전압들을 상기 픽셀들에 기입하고, 상기 정전류 생성부는 블랭크 구간에서 상기 정전류를 발생시킬 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 데이터 드라이버는 상기 블랭크 구간에서 센싱 동작을 수행할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 타이밍 컨트롤러는 상기 로드를 기초로 결정된 설정 정전류 값에 상응하는 상기 정전류 제어 신호를 생성하고, 상기 정전류 생성부는 상기 설정 정전류 값을 갖는 상기 정전류를 발생시킬 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 설정 정전류 값은 정전류 룩업 테이블에 저장된 정전류 값들 중 상기 로드에 상응하는 정전류 값일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 설정 정전류 값은 상기 로드가 0일 때 0일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 설정 정전류 값은 상기 로드가 제1 기준 로드보다 작거나 같을 때보다 상기 로드가 상기 제1 기준 로드보다 클 때 더 클 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 설정 정전류 값은 상기 로드가 0보다 크고 제1 기준 로드보다 작거나 같을 때 제1 정전류 값이고, 상기 로드가 상기 제1 기준 로드보다 크고 제2 기준 로드보다 작거나 같을 때 상기 제1 정전류 값보다 큰 제2 정전류 값이며, 상기 로드가 상기 제2 기준 로드보다 클 때 상기 제2 정전류 값보다 큰 제3 정전류 값일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 정전류 제어 신호는 제1 기준 신호, 제2 기준 신호, 및 제3 기준 신호를 포함하고, 상기 제1 기준 신호는 상기 설정 정전류 값이 상기 제1 정전류 값보다 크거나 같을 때 활성화 레벨을 갖고, 상기 제2 기준 신호는 상기 설정 정전류 값이 상기 제2 정전류 값보다 크거나 같을 때 활성화 레벨을 가지며, 상기 제3 기준 신호는 상기 설정 정전류 값이 상기 제3 정전류 값보다 크거나 같을 때 활성화 레벨을 갖고, 상기 정전류 생성부는 상기 제1 기준 신호, 상기 제2 기준 신호, 및 상기 제3 기준 신호를 기초로 상기 정전류를 발생시킬 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 정전류 생성부는 상기 제1 기준 신호, 상기 제2 기준 신호, 및 상기 제3 기준 신호를 기초로 기준 전압을 결정하는 기준 전압 결정부, 및 상기 기준 전압을 기초로 상기 정전류를 발생시키는 정전류 발생 회로를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 정전류 발생 회로는 상기 기준 전압을 수신하는 제1 입력단, 제3 노드에 연결된 제2 입력단, 및 출력단을 포함하는 비교기, 상기 블랭크 구간에서 활성화 레벨을 갖는 블랭크 신호를 수신하는 제어 전극, 상기 초기화 전압 생성부의 출력단에 연결된 제1 전극, 제4 노드에 연결된 제2 전극을 포함하는 제4 트랜지스터, 상기 비교기의 상기 출력단에 연결된 제어 전극, 상기 제4 노드에 연결된 제1 전극, 및 제1 스위치의 제1 전극에 연결된 제2 전극을 포함하는 제5 트랜지스터, 상기 제1 기준 신호에 응답하여 스위칭하고, 상기 제5 트랜지스터의 상기 제2 전극에 연결된 제1 전극, 및 상기 제3 노드에 연결된 제2 전극을 포함하는 상기 제1 스위치, 상기 비교기의 상기 출력단에 연결된 제어 전극, 상기 제4 노드에 연결된 제1 전극, 및 제2 스위치의 제1 전극에 연결된 제2 전극을 포함하는 제6 트랜지스터, 상기 제2 기준 신호에 응답하여 스위칭하고, 상기 제6 트랜지스터의 상기 제2 전극에 연결된 제1 전극, 및 상기 제3 노드에 연결된 제2 전극을 포함하는 상기 제2 스위치, 상기 비교기의 상기 출력단에 연결된 제어 전극, 상기 제4 노드에 연결된 제1 전극, 및 제3 스위치의 제1 전극에 연결된 제2 전극을 포함하는 제7 트랜지스터, 상기 제3 기준 신호에 응답하여 스위칭하고, 상기 제7 트랜지스터의 상기 제2 전극에 연결된 제1 전극, 및 상기 제3 노드에 연결된 제2 전극을 포함하는 상기 제3 스위치, 및 상기 제3 노드에 연결된 제1 전극, 및 접지된 제2 전극을 포함하는 저항 소자를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 비교기의 상기 출력단의 전압은 상기 기준 전압이 클수록 크고, 상기 비교기는 상기 비교기의 상기 제1 입력단 및 상기 제2 입력단의 전압을 일치시킬 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 기준 전압 결정부는 상기 제1 기준 신호가 상기 활성화 레벨을 갖고 상기 제2 기준 신호 및 상기 제3 기준 신호가 비활성화 레벨을 갖는 경우, 상기 기준 전압을 제1 전압 값으로 결정하고, 상기 제1 기준 신호 및 상기 제2 기준 신호가 상기 활성화 레벨을 갖고, 상기 제3 기준 신호가 상기 비활성화 레벨을 갖는 경우, 상기 기준 전압을 상기 제1 전압 값보다 큰 제2 전압 값으로 결정하며, 상기 제1 기준 신호, 상기 제2 기준 신호, 및 상기 제3 기준 신호가 활성화 레벨을 갖는 경우 상기 기준 전압을 상기 제2 전압 값보다 큰 제3 전압 값으로 결정할 수 있다.
본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 구동 방법은 입력 영상 데이터의 로드를 계산하는 단계, 상기 입력 영상 데이터의 로드를 기초로 설정 정전류 값을 결정하는 단계, 및 상기 설정 정전류 값을 갖는 정전류를 발광 소자를 초기화 시키는 초기화 전압을 생성하는 초기화 전압 생성부에 발생시키는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 표시 장치의 구동 방법은 액티브 구간에서 상기 발광 소자가 포함된 픽셀들에 상기 입력 영상 데이터를 기초로 생성된 데이터 전압들을 기입하는 단계를 더 포함하고, 상기 정전류는 블랭크 구간에서 발생될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 표시 장치의 구동 방법은 상기 블랭크 구간에서 센싱 동작을 수행하는 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 설정 정전류 값은 정전류 룩업 테이블에 저장된 정전류 값들 중 상기 로드에 상응하는 정전류 값일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 설정 정전류 값은 상기 로드가 제1 기준 로드보다 작거나 같을 때보다 상기 로드가 상기 제1 기준 로드보다 클 때 더 클 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 설정 정전류 값은 상기 로드가 0보다 크고 제1 기준 로드보다 작거나 같을 때 제1 정전류 값이고, 상기 로드가 상기 제1 기준 로드보다 크고 제2 기준 로드보다 작거나 같을 때 상기 제1 정전류 값보다 큰 제2 정전류 값이며, 상기 로드가 상기 제2 기준 로드보다 클 때 상기 제2 정전류 값보다 큰 제3 정전류 값일 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는 픽셀들을 포함하는 표시 패널, 픽셀들에 입력 영상 데이터를 기초로 생성된 데이터 전압들을 인가하는 데이터 드라이버, 픽셀들 각각에 포함된 발광 소자를 초기화 시키는 초기화 전압을 생성하는 초기화 전압 생성부, 입력 영상 데이터의 로드를 기초로 정전류 제어 신호를 생성하는 타이밍 컨트롤러, 및 정전류 제어 신호에 응답하여 상기 초기화 전압 생성부에 정전류를 발생시키는 정전류 생성부를 포함함으로써, 초기화 전압을 입력 영상 데이터의 로드에 따라 조절할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 구동 방법은 초기화 전압을 입력 영상 데이터의 로드에 따라 조절함으로써, 초기화 전압의 리플(ripple)을 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 센싱 동작의 SNR(sinal-to-noise ratio) 특성이 개선될 수 있다.
다만, 본 발명의 효과는 상술한 효과에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 블록도이다.
도 2는 도 1의 표시 장치의 픽셀들의 일 예를 나타내는 회로도이다.
도 3은 도 1의 표시 장치의 구동 타이밍을 나타내는 개념도이다.
도 4는 도 1의 표시 장치가 액티브 구간에서 동작하는 일 예를 나타내는 타이밍도이다.
도 5는 도 1의 표시 장치가 블랭크 구간에서 동작하는 일 예를 나타내는 타이밍도이다.
도 6은 도 1의 표시 장치의 초기화 전압 생성부로 흐르는 싱킹 전류의 일 예를 나타내는 회로도이다.
도 7은 도 1의 표시 장치의 타이밍 컨트롤러의 일 예를 나타내는 블록도이다.
도 8은 도 1의 표시 장치의 정전류 룩업 테이블의 일 예를 나타내는 표이다.
도 9는 도 1의 표시 장치의 정전류 생성부의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 10은 도 1의 표시 장치의 정전류 제어 신호의 일 예를 나타내는 표이다.
도 11은 도 1의 표시 장치의 액티브 구간에서의 정전류 생성부의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 12는 도 1의 표시 장치의 블랭크 구간에서의 정전류 생성부의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 13 내지 도 15는 도 1의 표시 장치의 초기화 전압의 일 예를 나타내는 도면들이다.
도 16은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 정전류 생성부의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 17은 도 16의 표시 장치의 정전류 룩업 테이블의 일 예를 나타내는 표이다.
도 18은 도 16의 표시 장치의 정전류 제어 신호의 일 예를 나타내는 표이다.
도 19는 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 구동 방법을 나타내는 순서도이다.
도 20는 본 발명의 실시예들에 따른 전자 기기를 나타내는 블록도이다.
도 21은 도 20의 전자 기기가 스마트폰으로 구현된 일 예를 나타내는 도면이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치(1000)를 나타내는 블록도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(1000)는 표시 패널(100), 타이밍 컨트롤러(200), 게이트 드라이버(300), 데이터 드라이버(400), 초기화 전압 생성부(500), 및 정전류 생성부(601)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 타이밍 컨트롤러(200) 및 데이터 드라이버(400)는 하나의 칩에 집적될 수 있다.
표시 패널(100)은 영상을 표시하는 표시부(AA) 및 표시부(AA)에 이웃하여 배치되는 주변부(PA)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 게이트 드라이버(300)는 주변부(PA)에 실장될 수 있다.
표시 패널(100)은 복수의 게이트 라인들(GL), 복수의 데이터 라인들(DL), 복수의 센싱 라인들(SL), 및 게이트 라인들(GL)과 데이터 라인들(DL)에 전기적으로 연결된 복수의 픽셀들(P)을 포함할 수 있다. 게이트 라인들(GL)은 제1 방향(D1)으로 연장되고, 데이터 라인들(DL) 및 센싱 라인들(SL)은 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)으로 연장될 수 있다.
타이밍 컨트롤러(200)는 호스트 프로세서(예를 들어, 그래픽 프로세싱 유닛(graphic processing unit; GPU) 등)로부터 입력 영상 데이터(IMG) 및 입력 제어 신호(CONT)를 수신할 수 있다. 예를 들어, 입력 영상 데이터(IMG)는 적색 영상 데이터, 녹색 영상 데이터 및 청색 영상 데이터를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 입력 영상 데이터(IMG)는 백색 영상 데이터를 더 포함할 수 있다. 다른 예를 들어, 입력 영상 데이터(IMG)는 마젠타색(magenta) 영상 데이터, 황색(yellow) 영상 데이터 및 시안색(cyan) 영상 데이터를 포함할 수 있다. 입력 제어 신호(CONT)는 마스터 클럭 신호, 데이터 인에이블 신호를 포함할 수 있다. 입력 제어 신호(CONT)는 수직 동기 신호 및 수평 동기 신호를 더 포함할 수 있다.
타이밍 컨트롤러(200)는 데이터 드라이버(400)로부터 센싱 데이터(SD)를 수신할 수 있다. 타이밍 컨트롤러는 센싱 데이터(SD)를 기초로 픽셀마다 발생되는 구동 트랜지스터의 문턱 전압, 이동도 등의 특성 차이를 보상할 수 있다. 즉, 타이밍 컨트롤러는 센싱 데이터(SD)를 기초로 입력 영상 데이터(IMG)를 보상할 수 있다.
타이밍 컨트롤러(200)는 입력 영상 데이터(IMG) 및 입력 제어 신호(CONT)에 기초하여 제1 제어 신호(CONT1), 제2 제어 신호(CONT2), 제3 제어 신호(CONT3), 및 데이터 신호(DATA)를 생성할 수 있다.
타이밍 컨트롤러(200)는 입력 제어 신호(CONT)에 기초하여 게이트 드라이버(300)의 동작을 제어하기 위한 제1 제어 신호(CONT1)를 생성하여 게이트 드라이버(300)로 출력할 수 있다. 제1 제어 신호(CONT1)는 수직 개시 신호 및 게이트 클럭 신호를 포함할 수 있다.
타이밍 컨트롤러(200)는 입력 제어 신호(CONT)에 기초하여 데이터 드라이버(400)의 동작을 제어하기 위한 제2 제어 신호(CONT2)를 생성하여 데이터 드라이버(400)로 출력할 수 있다. 제2 제어 신호(CONT2)는 수평 개시 신호 및 로드 신호를 포함할 수 있다.
타이밍 컨트롤러(200)는 입력 영상 데이터(IMG) 및 입력 제어 신호(CONT)를 수신하여 데이터 신호(DATA)를 생성할 수 있다. 타이밍 컨트롤러(200)는 데이터 신호(DATA)를 데이터 드라이버(400)로 출력할 수 있다.
타이밍 컨트롤러(200)는 입력 제어 신호(CONT)에 기초하여 정전류 생성부(601)의 동작을 제어하기 위한 제3 제어 신호(CONT3)를 생성하여 정전류 생성부(601)로 출력할 수 있다. 제3 제어 신호(CONT2)는 정전류 제어 신호(CCS) 및 블랭크 신호(VB)를 포함할 수 있다.
게이트 드라이버(300)는 타이밍 컨트롤러(200)로부터 입력 받은 제1 제어 신호(CONT1)에 응답하여 게이트 라인들(GL)을 구동하기 위한 게이트 신호들을 생성할 수 있다. 게이트 드라이버(300)는 게이트 신호들을 게이트 라인들(GL)로 출력할 수 있다. 예를 들어, 게이트 드라이버(300)는 게이트 신호들을 게이트 라인들(GL)에 순차적으로 출력할 수 있다.
데이터 드라이버(400)는 타이밍 컨트롤러(200)로부터 제2 제어 신호(CONT2) 및 데이터 신호(DATA)를 입력 받을 수 있다. 데이터 드라이버(400)는 데이터 신호(DATA)를 아날로그 형태의 전압으로 변환한 데이터 전압들을 생성할 수 있다. 데이터 드라이버(400)는 데이터 전압들을 데이터 라인(DL)으로 출력할 수 있다.
데이터 드라이버(400)는 픽셀들(P)을 센싱하여 센싱 데이터(SD)를 생성할 수 있다. 데이터 드라이버(400)는 센싱 데이터(SD)를 타이밍 컨트롤러(200)로 출력할 수 있다.
초기화 전압 생성부(500)는 픽셀들(P) 각각에 포함된 발광 소자를 초기화시키는 초기화 전압을 생성할 수 있다. 초기화 전압 생성부(500)는 초기화 전압을 센싱 라인들(SL)에 출력할 수 있다.
정전류 생성부(601)는 타이밍 컨트롤러(200)로부터 입력 받은 제3 제어 신호(CONT3)에 응답하여 정전류를 생성할 수 있다. 예를 들어, 정전류 생성부(601)는 정전류 제어 신호(CCS)에 응답하여 초기화 전압 생성부(500)에 정전류를 발생시킬 수 있다. 이에 대한 구체적인 설명은 후술한다.
도 2는 도 1의 표시 장치(1000)의 픽셀들(P)의 일 예를 나타내는 회로도이다.
도 2를 참조하면, 픽셀들(P) 각각은 제1 노드(N1)에 연결된 제어 전극, 제1 전원 전압(ELVDD)(예를 들어, 고 전원 전압)을 수신하는 제1 전극, 및 제2 노드(N2)에 연결된 제2 전극을 포함하는 제1 트랜지스터(T1)(즉, 구동 트랜지스터), 제1 게이트 신호(S1)를 수신하는 제어 전극, 데이터 전압 (VDATA)을 수신하는 제1 전극, 및 제1 노드(N1)에 연결된 제2 전극을 포함하는 제2 트랜지스터(T2), 제2 게이트 신호(S2)를 수신하는 제어 전극, 초기화 전압(VINT)을 수신하는 제1 전극, 제2 노드(N2)에 연결된 제2 전극을 포함하는 제3 트랜지스터(T3), 제1 노드(N1)에 연결된 제1 전극 및 제2 노드(N2)에 연결된 제2 전극을 포함하는 스토리지 커패시터(CST), 및 제2 노드(N2)에 연결된 제1 전극(즉, 애노드 전극), 제2 전원 전압(ELVSS)(예를 들어, 저 전원 전압)을 수신하는 제2 전극(즉, 캐소드 전극)을 포함하는 발광 소자(EE)를 포함할 수 있다. 도 2에 나타난 바와 같이, 트랜지스터들은 NMOS 트랜지스터들로 구현될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
초기화 스위치(ISW)는 초기화 신호(IS)에 응답하여 턴-온 될 수 있다. 즉, 초기화 전압(VINT)은 초기화 신호(IS)에 응답하여 센싱 라인들(SL)을 통하여 픽셀들(P)에 인가될 수 있다.
도 3은 도 1의 표시 장치(1000)의 구동 타이밍을 나타내는 개념도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 액티브 구간(ACTIVE1, ACTIVE2, ACTIVE3)에서, 데이터 드라이버(400)는 픽셀들(P)에 입력 영상 데이터(IMG)를 기초로 생성된 데이터 전압들을 인가할 수 있다. 블랭크 구간(VBP1, VBP2, VBP3)에서, 데이터 드라이버(400)는 픽셀들(P) 중 일부를 센싱하여 센싱 데이터(SD)를 생성할 수 있다. 예를 들어, 하나의 블랭크 구간(VBP1, VBP2, VBP3)에서, 데이터 드라이버(400)는 하나의 픽셀 행에 포함된 픽셀들을 센싱하여 센싱 데이터(SD)를 생성할 수 있다. 일 실시예에서, 액티브 구간(ACTIVE1, ACTIVE2, ACTIVE3) 및 블랭크 구간(VBP1, VBP2, VBP3) 사이에 더미 구간이 포함될 수 있다.
표시 장치(1000)는 프레임 단위로 구동될 수 있다. 상기 프레임(FR1, FR2, FR3)은 액티브 구간(ACTIVE1, ACTIVE2, ACTIVE3) 및 블랭크 구간(VBP1, VBP2, VBP3)을 포함할 수 있다. 액티브 구간(ACTIVE1, ACTIVE2, ACTIVE3)에는 픽셀들(P)에 데이터 전압(VDATA)이 기입될 수 있다. 블랭크 구간(VBP1, VBP2, VBP3)에는 픽셀들(P)에 데이터 전압(VDATA)이 기입되지 않을 수 있다.
예를 들어, 센싱 동작(즉, 제2 노드(N2)의 신호를 기초로 센싱 데이터(SD)를 생성하는 동작)은 블랭크 구간(VBP1, VBP2, VBP3) 내에서 수행될 수 있다. 예를 들어, 제1 블랭크 구간(VBP1)에서 센싱 데이터(SD)가 생성되고, 제1 블랭크 구간(VBP1)에서 생성된 센싱 데이터(SD)를 기초로 제2 액티브 구간(ACTIVE2)에서 보상된 데이터 전압이 픽셀들(P)에 기입될 수 있다. 예를 들어, 제2 블랭크 구간(VBP2)에서 센싱 데이터(SD)가 생성되고, 제2 블랭크 구간(VBP2)에서 생성된 센싱 데이터(SD)를 기초로 제3 액티브 구간(ACTIVE3)에서 보상된 데이터 전압이 픽셀들(P)에 기입될 수 있다.
도 4는 도 1의 표시 장치(1000)가 액티브 구간(ACTIVE)에서 동작하는 일 예를 나타내는 타이밍도이다.
도 1, 2, 및 도 4를 참조하면, 데이터 드라이버(400)는 액티브 구간(ACTIVE)에서 데이터 라인(DL)을 통하여 픽셀들(P)에 데이터 전압(VDATA)을 인가할 수 있다. 표시 장치(1000)는 액티브 구간(ACTIVE)에서 표시 패널(100)에 입력 영상 데이터(IMG)에 상응하는 영상을 표시할 수 있다.
예를 들어, 액티브 구간(ATIVE)의 발광 초기화 구간(EIP)에서 제1 게이트 신호(S1) 및 제2 게이트 신호(S2)는 활성화 레벨을 가지고, 초기화 스위치(ISW)는 턴-온되며, 데이터 라인(DL)에 데이터 전압(VDATA)이 인가될 수 있다. 예를 들어, 액티브 구간(ACTIVE)의 발광 초기화 구간(EIP)에서 구동 트랜지스터(T1)의 제어 전극(즉, 제1 노드(N1))에 데이터 전압(VDATA)이 인가되고, 발광 소자(EE)의 애노드 전극(즉, 제2 노드(N2))에 초기화 전압(VINT)이 인가(즉, 발광 소자(EE)가 초기화될 수 있다.)될 수 있다. 따라서, 구동 트랜지스터(T1)의 게이트-소스 전압(즉, 구동 트랜지스터(T1)의 제어 전극과 제2 전극 사이의 전압)은 데이터 전압(VDATA)과 초기화 전압(VINT)의 차가 되고, 스토리지 커패시터(CST)는 데이터 전압(VDATA)과 초기화 전압(VINT)의 차에 해당하는 전압을 저장 할 수 있다.
예를 들어, 액티브 구간(ACTIVE)의 발광 구간(EP)에서 제1 게이트 신호(GS1) 및 제2 게이트 신호(GS2)는 비활성화 레벨을 갖고, 초기화 스위치(ISW)는 턴-오프 될 수 있다. 예를 들어, 액티브 구간(ACTIVE)의 발광 구간(EP)에서 구동 트랜지스터(T1)의 제1 전극에 제1 전원 전압(ELVDD)이 인가되어 구동 트랜지스터(T1)의 게이트-소스 전압(즉, 구동 트랜지스터(T1)의 제어 전극과 제2 전극 사이의 전압)에 상응하는 구동 전류가 발생될 수 있다. 상기 구동 전류가 발광 소자(EE)에 흘러 발광 소자(EE)는 발광할 수 있다.
도 5는 도 1의 표시 장치(1000)가 블랭크 구간(VBP)에서 동작하는 일 예를 나타내는 타이밍도이다. 다만, 도 5는 도 1의 표시 장치(1000)가 블랭크 구간(VBP)에서 센싱 동작을 수행하는 일 예를 나타내는 타이밍도이다. 예를 들어, 블랭크 구간(VBP)에서, 센싱 동작이 수행되지 않는 픽셀들(P)에 인가되는 제1 게이트 신호(S1) 및 제2 게이트 신호(S2)는 비활성화 레벨을 가지고, 데이터 라인(DL)에 센싱 전압(VSEN)이 인가되지 않을 수 있다.
도 1, 2, 및 5를 참조하면, 데이터 드라이버(400)는 블랭크 구간(VBP)에서 센싱 동작이 수행되는 픽셀들(P)에 센싱 전압(VSEN)을 인가하여 구동 트랜지스터(T1)의 구동 전류에 상응하는 센싱 데이터(SD)를 생성할 수 있다. 일 실시예에서, 타이밍 컨트롤러(200)는 데이터 드라이버(400)로부터 센싱 데이터(SD) 수신하여 구동 트랜지스터(T1)의 이동도 값을 계산하고, 상기 이동도 값을 기초로 입력 영상 데이터(IMG)를 보상할 수 있다. 즉, 표시 장치(1000)는 센싱 데이터(SD)를 기초로 구동 트랜지스터(T1)의 이동도를 센싱할 수 있다. 다만, 센싱 동작은 이동도 센싱에 한정되지 않는다. 예를 들어, 센싱 동작을 통하여 구동 트랜지스터의 문턱 전압 또는 발광 소자의 특성이 센싱 될 수 있다.
예를 들어, 센싱 초기화 구간(SIP)에서 제1 게이트 신호(GS1) 및 제2 게이트 신호(GS2)는 활성화 레벨을 가지고, 초기화 스위치(ISW)는 턴-온 되며, 데이터 라인(DL)에 센싱 전압(VSEN)이 인가될 수 있다. 예를 들어, 센싱 초기화 구간(SIP)에서 구동 트랜지스터(T1)의 제어 전극(즉, 제1 노드(N1))에 센싱 전압(VSEN)이 인가되고, 발광 소자(EE)의 애노드 전극(즉, 제2 노드(N2))에 초기화 전압(VINT)이 인가(즉, 발광 소자(EE)가 초기화될 수 있다.)될 수 있다.
예를 들어, 센싱 구간(SP)에서 제1 게이트 신호(GS1)는 비활성화 레벨을 가지고, 제2 게이트 신호(GS2)는 활성화 레벨을 가지며, 초기화 스위치(ISW)는 턴-오프 될 수 있다. 예를 들어, 센싱 구간(SP)에서 구동 트랜지스터(T1)의 제1 전극에 제1 전원 전압(ELVDD)이 인가되어 구동 트랜지스터(T1)의 게이트-소스 전압(즉, 구동 트랜지스터(T1)의 제어 전극과 제2 전극 사이의 전압)에 상응하는 구동 전류가 발생될 수 있다. 구동 전류는 센싱 라인(SL)을 통하여 데이터 드라이버(400)로 인가될 수 있다. 데이터 드라이버(400)는 상기 구동 전류에 상응하는 센싱 데이터(SD)를 생성할 수 있다.
도 6은 도 1의 표시 장치(1000)의 초기화 전압 생성부(500)로 흐르는 싱킹 전류(sinking current)의 일 예를 나타내는 회로도이다.
도 1, 및 도 4 내지 도 6을 참조하면, 액티브 구간(ACTIVE)의 발광 초기화 구간(EIP)에서, 구동 트랜지스터(T1)의 제어 전극에 데이터 전압(VDATA)이 인가됨에 따라 싱킹 전류가 발생될 수 있다. 싱킹 전류는 제3 트랜지스터 및 센싱 라인(SL)을 통하여 초기화 전압 생성부(500)에 인가될 수 있다. 그리고, 싱킹 전류로 인하여 초기화 전압(VINT)은 낮아질 수 있다.
예를 들어, 싱킹 전류는 데이터 전압(VDATA)이 클수록 커질 수 있다. 그리고, 초기화 전압(VINT)은 싱킹 전류가 클수록 낮아질 수 있다.
블랭크 구간(VBP)의 센싱 초기화 구간(SIP)에서도 싱킹 전류가 발생될 수 있다. 다만, 센싱 동작은 픽셀들(P) 중 일부에서 수행되므로 싱킹 전류가 초기화 전압(VINT)에 미치는 영향은 미미할 수 있다. 따라서, 표시 장치(1000)가 입력 영상 데이터(IMG)의 로드에 따라 초기화 전압 생성부(500)에 정전류를 발생시킴으로써, 액티브 구간(ACTIVE)과 블랭크 구간(VBP) 사이의 싱킹 전류로 인하여 발생되는 초기화 전압(VINT)의 차이가 감소될 수 있다. 이하 구체적으로 설명한다.
도 7은 도 1의 표시 장치(1000)의 타이밍 컨트롤러(200)의 일 예를 나타내는 블록도이고, 도 8은 도 1의 표시 장치(1000)의 정전류 룩업 테이블(CC LUT)의 일 예를 나타내는 표이다.
도 1, 도 7, 및 도 8을 참조하면, 타이밍 컨트롤러(200)는 로드 계산부(210) 및 정전류 결정부(220)를 포함할 수 있다.
로드 계산부(210)는 입력 영상 데이터(IMG)의 로드(LD)를 계산할 수 있다. 로드 계산부(210)는 로드(LD)를 정전류 결정부(220)에 출력할 수 있다.
예를 들어, 로드(LD)는 0%에서 100%까지의 값을 가지도록 정규화될 수 있다. 예를 들어, 입력 영상 데이터(IMG)가 풀 화이트(full white) 영상인 경우, 로드(LD)는 100%일 수 있다. 예를 들어, 입력 영상 데이터(IMG)가 풀 블랙(full black) 영상인 경우, 로드(LD)는 0%일 수 있다.
정전류 결정부(220)는 로드(LD)를 기초로 결정된 설정 정전류 값에 상응하는 정전류 제어 신호(CCS)를 생성할 수 있다. 설정 정전류 값은 정전류 룩업 테이블(CC LUT)에 저장된 정전류 값들(CCV) 중 로드(LD)에 상응하는 정전류 값(CCV)일 수 있다.
일 실시예에서, 설정 정전류 값은 로드(LD)가 0(즉, 0%)일 때, 0일 수 있다. 설정 정전류 값은 로드(LD)가 제1 기준 로드(RLD1)보다 작거나 같을 때보다 로드(LD)가 제1 기준 로드(RLD1)보다 클 때 더 클 수 있다. 예를 들어, 설정 정전류 값은 로드(LD)가 0보다 크고 제1 기준 로드(RLD1)보다 작거나 같을 때 제1 정전류 값(CCV1)이고, 로드(LD)가 제1 기준 로드(RLD1)보다 크고 제2 기준 로드(RLD2)보다 작거나 같을 때 제1 정전류 값(CCV1)보다 큰 제2 정전류 값(CCV2)이며, 로드(LD)가 제2 기준 로드(RLD2)보다 클 때 제2 정전류 값(CCV2)보다 큰 제3 정전류 값(CCV3)일 수 있다.
예를 들어, 도 8에 나타난 바와 같이, 로드(LD)가 0%일 때, 설정 정전류 값은 0mA일 수 있다. 로드(LD)가 0%보다 크고 30%보다 작거나 같을 때, 설정 정전류 값은 100mA일 수 있다. 로드(LD)가 30%보다 크고 60%보다 작거나 같을 때, 설정 정전류 값은 200mA일 수 있다. 로드(LD)가 60%보다 클 때, 설정 정전류 값은 300mA일 수 있다.
도 9는 도 1의 표시 장치(1000)의 정전류 생성부(601)의 일 예를 나타내는 도면이고, 도 10은 도 1의 표시 장치(1000)의 정전류 제어 신호(CCS)의 일 예를 나타내는 표이며, 도 11은 도 1의 표시 장치(1000)의 액티브 구간(ACTIVE)에서의 정전류 생성부(601)의 일 예를 나타내는 도면이고, 도 12는 도 1의 표시 장치(1000)의 블랭크 구간(VBP)에서의 정전류 생성부(601)의 일 예를 나타내는 도면이며, 도 13 내지 도 15는 도 1의 표시 장치(1000)의 초기화 전압(VINT)의 일 예를 나타내는 도면들이다. 도 10에서 활성화 레벨은 하이 전압 레벨(HIGH)로 나타내고, 비활성화 레벨은 로우 전압 레벨(LOW)로 나타냈다.
도 1, 도 5, 도 9 내지 도 12를 참조하면, 정전류 생성부(601)는 정전류 제어 신호(CCS)에 응답하여 초기화 전압 생성부(500)에 정전류(CC)를 발생시킬 수 있다. 정전류 생성부(601)는 제1 기준 신호(B1), 제2 기준 신호(B2), 및 제3 기준 신호(B3)를 기초로 기준 전압(VREF)을 결정하는 기준 전압 결정부(610), 및 기준 전압(VREF)을 기초로 정전류(CC)를 발생시키는 정전류 발생 회로(620)를 포함할 수 있다.
예를 들어, 정전류 발생 회로(620)는 기준 전압(VREF)을 수신하는 제1 입력단, 제3 노드(N3)에 연결된 제2 입력단, 및 출력단을 포함하는 비교기(COMP), 블랭크 구간(VBP)에서 활성화 레벨을 갖는 블랭크 신호(VB)를 수신하는 제어 전극, 초기화 전압 생성부(500)의 출력단에 연결된 제1 전극, 제4 노드(N4)에 연결된 제2 전극을 포함하는 제4 트랜지스터(T4), 비교기(COMP)의 출력단에 연결된 제어 전극, 제4 노드(N4)에 연결된 제1 전극, 및 제1 스위치(SW1)의 제1 전극에 연결된 제2 전극을 포함하는 제5 트랜지스터(T5), 제1 기준 신호(B1)에 응답하여 스위칭하고, 제5 트랜지스터(T5)의 제2 전극에 연결된 제1 전극, 및 제3 노드(N3)에 연결된 제2 전극을 포함하는 제1 스위치(SW1), 비교기(COMP)의 출력단에 연결된 제어 전극, 제4 노드(N4)에 연결된 제1 전극, 및 제2 스위치(SW2)의 제1 전극에 연결된 제2 전극을 포함하는 제6 트랜지스터(T6), 제2 기준 신호(B2)에 응답하여 스위칭하고, 제6 트랜지스터(T6)의 제2 전극에 연결된 제1 전극, 및 제3 노드(N3)에 연결된 제2 전극을 포함하는 제2 스위치(SW2), 비교기(COMP)의 출력단에 연결된 제어 전극, 제4 노드(N4)에 연결된 제1 전극, 및 제3 스위치(SW3)의 제1 전극에 연결된 제2 전극을 포함하는 제7 트랜지스터(T7), 제3 기준 신호(B3)에 응답하여 스위칭하고, 제7 트랜지스터(T7)의 제2 전극에 연결된 제1 전극, 및 제3 노드(N3)에 연결된 제2 전극을 포함하는 제3 스위치(SW3), 및 제3 노드(N3)에 연결된 제1 전극, 및 접지된 제2 전극을 포함하는 저항 소자(R)를 포함할 수 있다. 도 9에 나타난 바와 같이, 트랜지스터들은 NMOS 트랜지스터들로 구현될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
비교기(COMP)의 출력단의 전압(VFB)은 기준 전압(VREF)이 클수록 크고, 비교기(COMP)는 비교기(COMP)의 제1 입력단 및 제2 입력단의 전압을 일치시킬 수 있다. 예를 들어, 비교기(COMP)는 제3 노드(N3)의 전압(VFB)을 기준 전압(VREF)과 일치시킬 수 있다. 따라서, 정전류 생성부(601)는 기준 전압(VREF) 및 저항 소자(R)에 의해 정전류(CC)를 발생시키고, 정전류(CC)는 기준 전압(VREF)이 클수록 커질 수 있다.
정전류 생성부(601)는 설정 정전류 값을 갖는 정전류(CC)를 발생시킬 수 있다. 정전류 제어 신호(CCS)는 제1 기준 신호(B1), 제2 기준 신호(B2), 및 제3 기준 신호(B3)를 포함할 수 있다. 정전류 생성부(601)는 제1 기준 신호(B1), 제2 기준 신호(B2), 및 제3 기준 신호(B3)를 기초로 정전류(CC)를 발생시킬 수 있다.
예를 들어, 제1 기준 신호(B1)는 설정 정전류 값이 제1 정전류 값(CCV1)보다 크거나 같을 때 활성화 레벨을 갖고, 제2 기준 신호(B2)는 설정 정전류 값이 제2 정전류 값(CCV2)보다 크거나 같을 때 활성화 레벨을 가지며, 제3 기준 신호(B3)는 설정 정전류 값이 제3 정전류 값(CCV3)보다 크거나 같을 때 활성화 레벨을 가질 수 있다. 기준 전압 결정부(610)는 제1 기준 신호(B1)가 활성화 레벨을 갖고 제2 기준 신호(B2) 및 제3 기준 신호(B3)가 비활성화 레벨을 갖는 경우, 기준 전압(VREF)을 제1 전압 값으로 결정하고, 제1 기준 신호(B1) 및 제2 기준 신호(B2)가 활성화 레벨을 갖고, 제3 기준 신호(B3)가 비활성화 레벨을 갖는 경우, 기준 전압(VREF)을 제1 전압 값보다 큰 제2 전압 값으로 결정하며, 제1 기준 신호(B1), 제2 기준 신호(B2), 및 제3 기준 신호(B3)가 활성화 레벨을 갖는 경우 기준 전압(VREF)을 제2 전압 값보다 큰 제3 전압 값으로 결정할 수 있다. 상술하였듯이, 정전류(CC)는 기준 전압(VREF)이 클수록 커질 수 있다. 따라서, 정전류(CC)는 활성화 레벨을 갖는 기준 신호의 개수가 늘어날수록 커질 수 있다.
예를 들어, 도 10에 나타난 바와 같이, 제1 기준 신호(B1), 제2 기준 신호(B2), 제3 기준 신호(B3)가 비활성화 레벨을 갖는 경우, 정전류(CC)는 0mA일 수 있다. 제1 기준 신호(B1)가 활성화 레벨을 갖고, 제2 기준 신호(B2) 및 제3 기준 신호(B3)가 비활성화 레벨을 갖는 경우, 정전류(CC)는 100mA일 수 있다. 제1 기준 신호(B1) 및 제2 기준 신호(B2)가 활성화 레벨을 갖고, 제3 기준 신호(B3)가 비활성화 레벨을 갖는 경우, 정전류(CC)는 200mA일 수 있다. 제1 기준 신호(B1), 제2 기준 신호(B2), 및 제3 기준 신호(B3)가 활성화 레벨을 갖는 경우, 정전류(CC)는 300mA일 수 있다.
정전류 생성부(601)는 블랭크 구간(VBP)에서 정전류(CC)를 발생시킬 수 있다. 일 실시예에서, 정전류 생성부(601)는 블랭크 구간(VBP) 및 더미 구간에서 정전류(CC)를 발생시킬 수 있다.
예를 들어, 도 11에 나타난 바와 같이, 액티브 구간(ACTIVE)에서, 제4 트랜지스터(T4)는 턴-오프되므로, 정전류 생성부(601)는 초기화 전압 생성부(500)에 정전류(CC)를 발생시킬 수 없다.
예를 들어, 도 12에 나타난 바와 같이, 블랭크 구간(VBP)에서, 제4 트랜지스터(T4)가 턴-온되므로, 정전류 생성부(601)는 초기화 전압 생성부(500)에 정전류(CC)를 발생시킬 수 있다. 정전류 생성부(601)는 로드(LD)에 기초하여 정전류(CC)의 크기를 결정함으로써, 액티브 구간(ACTIVE)의 싱킹 전류와 유사한 크기의 정전류(CC)를 초기화 전압 생성부(500)에 발생시킬 수 있다.
예를 들어, 도 13에 나타난 바와 같이, 로드(LD)가 0%인 경우, 싱킹 전류가 발생하지 않을 수 있다 (또는, 싱킹 전류가 매우 작을 수 있다.). 센싱 동작이 수행되는 픽셀들(P)에서 싱킹 전류가 발생될 수 있으나, 센싱 동작이 수행되는 픽셀들(P)은 일부이므로 무시하도록 한다. 따라서, 액티브 구간(ACTIVE)과 블랭크 구간(VBP) 사이의 싱킹 전류로 인하여 발생되는 초기화 전압(VINT)의 차이가 없을 수 있다 (또는, 차이가 매우 작을 수 있다.).
예를 들어, 도 14에 나타난 바와 같이, 로드(LD)가 20%인 경우, 싱킹 전류가 발생할 수 있다. 따라서, 액티브 구간(ACTIVE)과 블랭크 구간(VBP) 사이의 싱킹 전류로 인하여 발생되는 초기화 전압(VINT)의 차이가 존재할 수 있다. 다만, 정전류(CC)를 발생시킴으로써, 상기 차이가 없어질 수 있다 (또는, 매우 작아질 수 있다.).
예를 들어, 도 15에 나타난 바와 같이, 로드(LD)가 100%인 경우, 로드(LD)가 20%인 경우보다 큰 싱킹 전류가 발생할 수 있다. 따라서, 액티브 구간(ACTIVE)과 블랭크 구간(VBP) 사이의 싱킹 전류로 인하여 발생되는 초기화 전압(VINT)의 차이가 로드(LD)가 20%인 경우보다 클 수 있다. 다만, 로드(LD)가 20%인 경우보다 큰 정전류(CC)를 발생시킴으로써, 상기 차이가 없어질 수 있다 (또는, 매우 작아질 수 있다.).
즉, 로드(LD)가 클수록 데이터 전압들이 커지므로, 로드(LD)가 클수록 싱킹 전류가 커질 수 있다. 이에 따라, 싱킹 전류로 인하여 발생되는 초기화 전압(VINT)의 하강은 커질 수 있다. 따라서, 표시 장치(1000)가 로드(LD)가 커질수록 더 큰 정전류를 발생시킴으로써, 액티브 구간(ACTIVE)과 블랭크 구간(VBP) 사이의 싱킹 전류로 인하여 발생되는 초기화 전압(VINT)의 차이가 감소될 수 있다.
도 7 내지 도 15는 4개의 정전류 값들(CCV)로 설명하였지만, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 정전류 값들(CCV)의 개수는 2개, 3개, 5개 등이 될 수 있다. 이하 도 16 내지 도 18을 통하여 5개의 정전류 값들(CCV)을 갖는 경우를 설명한다.
도 16은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 정전류 생성부(602)의 일 예를 나타내는 도면이고, 도 17은 도 16의 표시 장치의 정전류 룩업 테이블(CC LUT)의 일 예를 나타내는 표이며, 도 18은 도 16의 표시 장치의 정전류 제어 신호(CCS)의 일 예를 나타내는 표이다. 도 18에서 활성화 레벨은 하이 전압 레벨(HIGH)로 나타내고, 비활성화 레벨은 로우 전압 레벨(LOW)로 나타냈다.
본 실시예들에 따른 표시 장치는 정전류 값들(CCV)의 개수에 따른 구성들을 제외하고, 도 1의 표시 장치(1000)의 구성과 실질적으로 동일하므로, 동일 또는 유사한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 번호 및 참조 기호를 사용하고, 중복되는 설명은 생략한다.
도 1 및 도 16을 참조하면, 정전류 발생 회로(620)는 기준 전압(VREF)을 수신하는 제1 입력단, 제3 노드(N3)에 연결된 제2 입력단, 및 출력단을 포함하는 비교기(COMP), 블랭크 구간(VBP)에서 활성화 레벨을 갖는 블랭크 신호(VB)를 수신하는 제어 전극, 초기화 전압 생성부(500)의 출력단에 연결된 제1 전극, 제4 노드(N4)에 연결된 제2 전극을 포함하는 제4 트랜지스터(T4), 비교기(COMP)의 출력단에 연결된 제어 전극, 제4 노드(N4)에 연결된 제1 전극, 및 제1 스위치(SW1)의 제1 전극에 연결된 제2 전극을 포함하는 제5 트랜지스터(T5), 제1 기준 신호(B1)에 응답하여 스위칭하고, 제5 트랜지스터(T5)의 제2 전극에 연결된 제1 전극, 및 제3 노드(N3)에 연결된 제2 전극을 포함하는 제1 스위치(SW1), 비교기(COMP)의 출력단에 연결된 제어 전극, 제4 노드(N4)에 연결된 제1 전극, 및 제2 스위치(SW2)의 제1 전극에 연결된 제2 전극을 포함하는 제6 트랜지스터(T6), 제2 기준 신호(B2)에 응답하여 스위칭하고, 제6 트랜지스터(T6)의 제2 전극에 연결된 제1 전극, 및 제3 노드(N3)에 연결된 제2 전극을 포함하는 제2 스위치(SW2), 비교기(COMP)의 출력단에 연결된 제어 전극, 제4 노드(N4)에 연결된 제1 전극, 및 제3 스위치(SW3)의 제1 전극에 연결된 제2 전극을 포함하는 제7 트랜지스터(T7), 제3 기준 신호(B3)에 응답하여 스위칭하고, 제7 트랜지스터(T7)의 제2 전극에 연결된 제1 전극, 및 제3 노드(N3)에 연결된 제2 전극을 포함하는 제3 스위치(SW3), 제3 노드(N3)에 연결된 제1 전극, 및 접지된 제2 전극을 포함하는 저항 소자(R), 비교기(COMP)의 출력단에 연결된 제어 전극, 제4 노드(N4)에 연결된 제1 전극, 및 제4 스위치(SW4)의 제1 전극에 연결된 제2 전극을 포함하는 제8 트랜지스터(T8), 제4 기준 신호(B3)에 응답하여 스위칭하고, 제8 트랜지스터(T8)의 제2 전극에 연결된 제1 전극, 및 제3 노드(N3)에 연결된 제2 전극을 포함하는 제4 스위치(SW4) 비교기(COMP)의 출력단에 연결된 제어 전극, 제5 노드(N5)에 연결된 제1 전극, 및 제5 스위치(SW5)의 제1 전극에 연결된 제2 전극을 포함하는 제9 트랜지스터(T9), 및 기준 신호(B5)에 응답하여 스위칭하고, 제9 트랜지스터(T9)의 제2 전극에 연결된 제1 전극, 및 제5 노드(N5)에 연결된 제2 전극을 포함하는 제5 스위치(SW5)를 포함할 수 있다. 도 13에 나타난 바와 같이, 트랜지스터들은 NMOS 트랜지스터들로 구현될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
예를 들어, 설정 정전류 값은 로드(LD)가 0보다 크고 제1 기준 로드(RLD1)보다 작거나 같을 때 제1 정전류 값(CCV1)이고, 로드(LD)가 제1 기준 로드(RLD1)보다 크고 제2 기준 로드(RLD2)보다 작거나 같을 때 제1 정전류 값(CCV1)보다 큰 제2 정전류 값(CCV2)이며, 로드(LD)가 제2 기준 로드(RLD2)보다 크고 제3 기준 로드(RLD3) 작거나 같을 때 제2 정전류 값(CCV2)보다 큰 제3 정전류 값(CCV3)이고, 로드(LD)가 제3 기준 로드(RLD3)보다 크고 제4 기준 로드(RLD4)보다 작거나 같을 때 제3 정전류 값(CCV3)보다 큰 제4 정전류 값(CCV4)이며, 로드(LD)가 제4 기준 로드(RLD4)보다 클 때 제4 정전류 값(CCV4)보다 큰 제5 정전류 값(CCV5)일 수 있다.
예를 들어, 도 17에 나타난 바와 같이, 로드(LD)가 0%일 때, 설정 정전류 값은 0mA일 수 있다. 로드(LD)가 0%보다 크고 20%보다 작거나 같을 때, 설정 정전류 값은 100mA일 수 있다. 로드(LD)가 20%보다 크고 40%보다 작거나 같을 때, 설정 정전류 값은 200mA일 수 있다. 로드(LD)가 40%보다 크고 60%보다 작거나 같을 때, 설정 정전류 값은 300mA일 수 있다. 로드(LD)가 60%보다 크고 80%보다 작거나 같을 때, 설정 정전류 값은 400mA일 수 있다. 로드(LD)가 80%보다 클 때, 설정 정전류 값은 500mA일 수 있다.
정전류 생성부(602)는 설정 정전류 값을 갖는 정전류(CC)를 발생시킬 수 있다. 정전류 제어 신호(CCS)는 제1 기준 신호(B1), 제2 기준 신호(B2), 제3 기준 신호(B3), 제4 기준 신호(B4), 및 제5 기준 신호(B5)를 포함할 수 있다. 정전류 생성부(602)는 제1 기준 신호(B1), 제2 기준 신호(B2), 제3 기준 신호(B3), 제4 기준 신호(B4), 및 제5 기준 신호(B5)를 기초로 정전류(CC)를 발생시킬 수 있다.
예를 들어, 제1 기준 신호(B1)는 설정 정전류 값이 제1 정전류 값(CCV1)보다 크거나 같을 때 활성화 레벨을 갖고, 제2 기준 신호(B2)는 설정 정전류 값이 제2 정전류 값(CCV2)보다 크거나 같을 때 활성화 레벨을 가지며, 제3 기준 신호(B3)는 설정 정전류 값이 제3 정전류 값(CCV3)보다 크거나 같을 때 활성화 레벨을 가지며, 제4 기준 신호(B4)는 설정 정전류 값이 제4 정전류 값(CCV4)보다 크거나 같을 때 활성화 레벨을 가지고, 제5 기준 신호(B5)는 설정 정전류 값이 제5 정전류 값(CCV5)보다 크거나 같을 때 활성화 레벨을 가질 수 있다. 기준 전압 결정부(610)는 제1 기준 신호(B1)가 활성화 레벨을 갖고 제2 기준 신호(B2), 제3 기준 신호(B3), 제4 기준 신호(B4), 및 제5 기준 신호(B5)가 비활성화 레벨을 갖는 경우, 기준 전압(VREF)을 제1 전압 값으로 결정하고, 제1 기준 신호(B1) 및 제2 기준 신호(B2)가 활성화 레벨을 갖고, 제3 기준 신호(B3), 제4 기준 신호(B4), 및 제5 기준 신호(B5)가 비활성화 레벨을 갖는 경우, 기준 전압(VREF)을 제1 전압 값보다 큰 제2 전압 값으로 결정하며, 제1 기준 신호(B1), 제2 기준 신호(B2), 및 제3 기준 신호(B3)가 활성화 레벨을 갖고, 제4 기준 신호(B4) 및 제5 기준 신호(B5)가 비활성화 레벨을 갖는 경우, 기준 전압(VREF)을 제2 전압 값보다 큰 제3 전압 값으로 결정하고, 제1 기준 신호(B1), 제2 기준 신호(B2), 제3 기준 신호(B3), 제4 기준 신호(B4)가 활성화 레벨을 갖고, 제5 기준 신호(B4)가 비활성화 레벨을 갖는 경우, 기준 전압(VREF)을 제3 전압 값보다 큰 제4 전압 값으로 결정하고, 제1 기준 신호(B1), 제2 기준 신호(B2), 제3 기준 신호(B3), 제4 기준 신호(B4), 및 제5 기준 신호(B5)가 활성화 레벨을 갖는 경우, 기준 전압(VREF)을 제4 전압 값보다 큰 제5 전압 값으로 결정할 수 있다.
예를 들어, 도 18에 나타난 바와 같이, 예를 들어, 제1 기준 신호(B1)는 설정 정전류 값이 제1 정전류 값(CCV1)보다 크거나 같을 때 활성화 레벨을 갖고, 제2 기준 신호(B2)는 설정 정전류 값이 제2 정전류 값(CCV2)보다 크거나 같을 때 활성화 레벨을 가지며, 제3 기준 신호(B3)는 설정 정전류 값이 제3 정전류 값(CCV3)보다 크거나 같을 때 활성화 레벨을 가지며, 제4 기준 신호(B4)는 설정 정전류 값이 제4 정전류 값(CCV4)보다 크거나 같을 때 활성화 레벨을 가지고, 제5 기준 신호(B5)는 설정 정전류 값이 제5 정전류 값(CCV5)보다 크거나 같을 때 활성화 레벨을 가질 수 있다.
예를 들어, 제1 기준 신호(B1), 제2 기준 신호(B2), 제3 기준 신호(B3), 제4 기준 신호(B4), 및 제5 기준 신호(B5)가 비활성화 레벨을 갖는 경우, 정전류(CC)는 0mA일 수 있다. 제1 기준 신호(B1)가 활성화 레벨을 갖고 제2 기준 신호(B2), 제3 기준 신호(B3), 제4 기준 신호(B4), 및 제5 기준 신호(B5)가 비활성화 레벨을 갖는 경우, 정전류(CC)는 100mA일 수 있다. 제1 기준 신호(B1) 및 제2 기준 신호(B2)가 활성화 레벨을 갖고, 제3 기준 신호(B3), 제4 기준 신호(B4), 및 제5 기준 신호(B5)가 비활성화 레벨을 갖는 경우, 정전류(CC)는 200mA일 수 있다. 제1 기준 신호(B1), 제2 기준 신호(B2), 및 제3 기준 신호(B3)가 활성화 레벨을 갖고, 제4 기준 신호(B4) 및 제5 기준 신호(B5)가 비활성화 레벨을 갖는 경우, 정전류(CC)는 300mA일 수 있다. 제1 기준 신호(B1), 제2 기준 신호(B2), 제3 기준 신호(B3), 제4 기준 신호(B4)가 활성화 레벨을 갖고, 제5 기준 신호(B4)가 비활성화 레벨을 갖는 경우, 정전류(CC)는 400mA일 수 있다. 제1 기준 신호(B1), 제2 기준 신호(B2), 제3 기준 신호(B3), 제4 기준 신호(B4), 및 제5 기준 신호(B5)가 활성화 레벨을 갖는 경우, 정전류(CC)는 500mA일 수 있다.
도 19는 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 구동 방법을 나타내는 순서도이다.
도 19를 참조하면, 도 19의 표시 장치의 구동 방법은 입력 영상 데이터의 로드를 계산(S110)하고, 입력 영상 데이터의 로드를 기초로 설정 정전류 값을 결정(S120)하며, 설정 정전류 값을 갖는 정전류를 발광 소자를 초기화시키는 초기화 전압을 생성하는 초기화 전압 생성부에 발생(S130)시킬 수 있다. 도 19의 표시 장치의 구동 방법은 액티브 구간에서 발광 소자가 포함된 픽셀들에 입력 영상 데이터를 기초로 생성된 데이터 전압들을 기입하고, 블랭크 구간에서 센싱 동작을 수행할 수 있다. 그리고, 정전류는 블랭크 구간에서 발생될 수 있다.
구체적으로, 도 19의 표시 장치의 구동 방법은 입력 영상 데이터의 로드를 기초로 설정 정전류 값을 결정(S120)할 수 있다. 설정 정전류 값은 정전류 룩업 테이블에 저장된 정전류 값들 중 로드에 상응하는 정전류 값일 수 있다. 설정 정전류 값은 로드가 제1 기준 로드보다 작거나 같을 때보다 로드가 제1 기준 로드보다 클 때 더 클 수 있다.
예를 들어, 설정 정전류 값은 상기 로드가 0(즉, 0%)보다 크고 제1 기준 로드보다 작거나 같을 때 제1 정전류 값이고, 로드가 제1 기준 로드보다 크고 제2 기준 로드보다 작거나 같을 때 제1 정전류 값보다 큰 제2 정전류 값이며, 로드가 제2 기준 로드보다 클 때 제2 정전류 값보다 큰 제3 정전류 값일 수 있다.
도 20은 본 발명의 실시예들에 따른 전자 기기를 나타내는 블록도이고, 도 21은 도 20의 전자 기기가 텔레비전으로 구현된 일 예를 나타내는 도면이다.
도 12 및 도 13를 참조하면, 전자 기기(2000)는 프로세서(2010), 메모리 장치(2020), 스토리지 장치(2030), 입출력 장치(2040), 파워 서플라이(2050) 및 표시 장치(2060)를 포함할 수 있다. 이 때, 표시 장치(2060)는 도 1의 표시 장치(1000)일 수 있다. 또한, 전자 기기(2000)는 비디오 카드, 사운드 카드, 메모리 카드, USB 장치 등과 통신하거나, 또는 다른 시스템들과 통신할 수 있는 여러 포트(port)들을 더 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 도 21에 도시된 바와 같이, 전자 기기(2000)는 텔레비전으로 구현될 수 있다. 다만, 이것은 예시적인 것으로서, 전자 기기(2000)가 그에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 전자 기기(2000)는 휴대폰, 비디오폰, 스마트패드, 스마트 워치, 태블릿 PC, 차량용 네비게이션, 컴퓨터 모니터, 노트북, 헤드 마운트 디스플레이 장치 등으로 구현될 수도 있다.
프로세서(2010)는 특정 계산들 또는 태스크(task)들을 수행할 수 있다. 실시예에 따라, 프로세서(2010)는 마이크로프로세서(micro processor), 중앙 처리 유닛(central processing unit), 어플리케이션 프로세서(application processor) 등일 수 있다. 프로세서(2010)는 어드레스 버스(address bus), 제어 버스(control bus) 및 데이터 버스(data bus) 등을 통해 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다. 실시예에 따라, 프로세서(2010)는 주변 구성 요소 상호 연결(Peripheral Component Interconnect; PCI) 버스와 같은 확장 버스에도 연결될 수 있다.
메모리 장치(2020)는 전자 기기(2000)의 동작에 필요한 데이터들을 저장할 수 있다. 예를 들어, 메모리 장치(2020)는 이피롬(Erasable Programmable Read-Only Memory; EPROM) 장치, 이이피롬(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory; EEPROM) 장치, 플래시 메모리 장치(flash memory device), 피램(Phase Change Random Access Memory; PRAM) 장치, 알램(Resistance Random Access Memory; RRAM) 장치, 엔에프지엠(Nano Floating Gate Memory; NFGM) 장치, 폴리머램(Polymer Random Access Memory; PoRAM) 장치, 엠램(Magnetic Random Access Memory; MRAM), 에프램(Ferroelectric Random Access Memory; FRAM) 장치 등과 같은 비휘발성 메모리 장치 및/또는 디램(Dynamic Random Access Memory; DRAM) 장치, 에스램(Static Random Access Memory; SRAM) 장치, 모바일 DRAM 장치 등과 같은 휘발성 메모리 장치를 포함할 수 있다.
스토리지 장치(2030)는 솔리드 스테이트 드라이브(Solid State Drive; SSD), 하드 디스크 드라이브(Hard Disk Drive; HDD), 씨디롬(CD-ROM) 등을 포함할 수 있다.
입출력 장치(2040)는 키보드, 키패드, 터치패드, 터치스크린, 마우스 등과 같은 입력 수단 및 스피커, 프린터 등과 같은 출력 수단을 포함할 수 있다. 실시예에 따라, 표시 장치(2060)가 입출력 장치(2040)에 포함될 수도 있다.
파워 서플라이(2050)는 전자 기기(2000)의 동작에 필요한 파워를 공급할 수 있다. 예를 들어, 파워 서플라이(2050)는 전력 관리 집적 회로(power management integrated circuit; PMIC)일 수 있다.
표시 장치(2060)는 전자 기기(2000)의 시각적 정보에 해당하는 이미지를 표시할 수 있다. 이 때, 표시 장치(2060)는 유기 발광 표시 장치 또는 퀀텀닷 발광 표시 장치일 수 있으나 그에 한정되지 않는다. 표시 장치(2060)는 상기 버스들 또는 다른 통신 링크를 통해서 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다. 이 때, 표시 장치(2060)는 초기화 전압을 입력 영상 데이터의 로드에 따라 조절함으로써, 초기화 전압의 리플(ripple)을 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 센싱 동작의 SNR(sinal-to-noise ratio) 특성이 개선될 수 있다.
본 발명은 표시 장치 및 이를 포함하는 전자 기기에 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 디지털 TV, 3D TV, 휴대폰, 스마트 폰, 태블릿 컴퓨터, VR 기기, PC, 가정용 전자기기, 노트북 컴퓨터, PDA, PMP, 디지털 카메라, 음악 재생기, 휴대용 게임 콘솔, 내비게이션 등에 적용될 수 있다.
이상 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
2000: 전자기기 2010: 프로세서
2020: 메모리 장치 2030: 스토리지 장치
2040: 입출력 장치 2050: 파워 서플라이 장치
2060, 1000: 표시 장치 1100: 표시 패널 구동부
100: 표시 패널 200: 타이밍 컨트롤러
300: 게이트 드라이버 400: 데이터 드라이버
500: 초기화 전압 생성부 600: 정전류 생성부
610: 기준 전압 결정부 620: 정전류 발생 회로

Claims (20)

  1. 픽셀들을 포함하는 표시 패널;
    상기 픽셀들에 입력 영상 데이터를 기초로 생성된 데이터 전압들을 인가하는 데이터 드라이버;
    상기 픽셀들 각각에 포함된 발광 소자를 초기화 시키는 초기화 전압을 생성하는 초기화 전압 생성부;
    상기 입력 영상 데이터의 로드를 기초로 정전류 제어 신호를 생성하는 타이밍 컨트롤러; 및
    상기 정전류 제어 신호에 응답하여 상기 초기화 전압 생성부에 정전류를 발생시키는 정전류 생성부를 포함하는 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 픽셀들 각각은
    제1 노드에 연결된 제어 전극, 제1 전원 전압을 수신하는 제1 전극, 및 제2 노드에 연결된 제2 전극을 포함하는 제1 트랜지스터;
    제1 게이트 신호를 수신하는 제어 전극, 상기 데이터 전압들을 수신하는 제1 전극, 및 상기 제1 노드에 연결된 제2 전극을 포함하는 제2 트랜지스터;
    제2 게이트 신호를 수신하는 제어 전극, 상기 초기화 전압을 수신하는 제1 전극, 상기 제2 노드에 연결된 제2 전극을 포함하는 제3 트랜지스터;
    상기 제1 노드에 연결된 제1 전극 및 상기 제2 노드에 연결된 제2 전극을 포함하는 스토리지 커패시터; 및
    상기 제2 노드에 연결된 제1 전극, 제2 전원 전압을 수신하는 제2 전극을 포함하는 상기 발광 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 데이터 드라이버는 액티브 구간에서 상기 데이터 전압들을 상기 픽셀들에 기입하고,
    상기 정전류 생성부는 블랭크 구간에서 상기 정전류를 발생시키는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 데이터 드라이버는 상기 블랭크 구간에서 센싱 동작을 수행하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  5. 제 3 항에 있어서, 상기 타이밍 컨트롤러는 상기 로드를 기초로 결정된 설정 정전류 값에 상응하는 상기 정전류 제어 신호를 생성하고,
    상기 정전류 생성부는 상기 설정 정전류 값을 갖는 상기 정전류를 발생시키는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 설정 정전류 값은 정전류 룩업 테이블에 저장된 정전류 값들 중 상기 로드에 상응하는 정전류 값인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  7. 제 5 항에 있어서, 상기 설정 정전류 값은 상기 로드가 0일 때 0인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  8. 제 5 항에 있어서, 상기 설정 정전류 값은 상기 로드가 제1 기준 로드보다 작거나 같을 때보다 상기 로드가 상기 제1 기준 로드보다 클 때 더 큰 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  9. 제 5 항에 있어서, 상기 설정 정전류 값은 상기 로드가 0보다 크고 제1 기준 로드보다 작거나 같을 때 제1 정전류 값이고, 상기 로드가 상기 제1 기준 로드보다 크고 제2 기준 로드보다 작거나 같을 때 상기 제1 정전류 값보다 큰 제2 정전류 값이며, 상기 로드가 상기 제2 기준 로드보다 클 때 상기 제2 정전류 값보다 큰 제3 정전류 값인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 정전류 제어 신호는 제1 기준 신호, 제2 기준 신호, 및 제3 기준 신호를 포함하고,
    상기 제1 기준 신호는 상기 설정 정전류 값이 상기 제1 정전류 값보다 크거나 같을 때 활성화 레벨을 갖고,
    상기 제2 기준 신호는 상기 설정 정전류 값이 상기 제2 정전류 값보다 크거나 같을 때 활성화 레벨을 가지며,
    상기 제3 기준 신호는 상기 설정 정전류 값이 상기 제3 정전류 값보다 크거나 같을 때 활성화 레벨을 갖고,
    상기 정전류 생성부는 상기 제1 기준 신호, 상기 제2 기준 신호, 및 상기 제3 기준 신호를 기초로 상기 정전류를 발생시키는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 정전류 생성부는
    상기 제1 기준 신호, 상기 제2 기준 신호, 및 상기 제3 기준 신호를 기초로 기준 전압을 결정하는 기준 전압 결정부; 및
    상기 기준 전압을 기초로 상기 정전류를 발생시키는 정전류 발생 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 정전류 발생 회로는
    상기 기준 전압을 수신하는 제1 입력단, 제3 노드에 연결된 제2 입력단, 및 출력단을 포함하는 비교기;
    상기 블랭크 구간에서 활성화 레벨을 갖는 블랭크 신호를 수신하는 제어 전극, 상기 초기화 전압 생성부의 출력단에 연결된 제1 전극, 제4 노드에 연결된 제2 전극을 포함하는 제4 트랜지스터;
    상기 비교기의 상기 출력단에 연결된 제어 전극, 상기 제4 노드에 연결된 제1 전극, 및 제1 스위치의 제1 전극에 연결된 제2 전극을 포함하는 제5 트랜지스터;
    상기 제1 기준 신호에 응답하여 스위칭하고, 상기 제5 트랜지스터의 상기 제2 전극에 연결된 제1 전극, 및 상기 제3 노드에 연결된 제2 전극을 포함하는 상기 제1 스위치;
    상기 비교기의 상기 출력단에 연결된 제어 전극, 상기 제4 노드에 연결된 제1 전극, 및 제2 스위치의 제1 전극에 연결된 제2 전극을 포함하는 제6 트랜지스터;
    상기 제2 기준 신호에 응답하여 스위칭하고, 상기 제6 트랜지스터의 상기 제2 전극에 연결된 제1 전극, 및 상기 제3 노드에 연결된 제2 전극을 포함하는 상기 제2 스위치;
    상기 비교기의 상기 출력단에 연결된 제어 전극, 상기 제4 노드에 연결된 제1 전극, 및 제3 스위치의 제1 전극에 연결된 제2 전극을 포함하는 제7 트랜지스터;
    상기 제3 기준 신호에 응답하여 스위칭하고, 상기 제7 트랜지스터의 상기 제2 전극에 연결된 제1 전극, 및 상기 제3 노드에 연결된 제2 전극을 포함하는 상기 제3 스위치; 및
    상기 제3 노드에 연결된 제1 전극, 및 접지된 제2 전극을 포함하는 저항 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 비교기의 상기 출력단의 전압은 상기 기준 전압이 클수록 크고,
    상기 비교기는 상기 비교기의 상기 제1 입력단 및 상기 제2 입력단의 전압을 일치시키는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 기준 전압 결정부는
    상기 제1 기준 신호가 상기 활성화 레벨을 갖고 상기 제2 기준 신호 및 상기 제3 기준 신호가 비활성화 레벨을 갖는 경우, 상기 기준 전압을 제1 전압 값으로 결정하고,
    상기 제1 기준 신호 및 상기 제2 기준 신호가 상기 활성화 레벨을 갖고, 상기 제3 기준 신호가 상기 비활성화 레벨을 갖는 경우, 상기 기준 전압을 상기 제1 전압 값보다 큰 제2 전압 값으로 결정하며,
    상기 제1 기준 신호, 상기 제2 기준 신호, 및 상기 제3 기준 신호가 활성화 레벨을 갖는 경우 상기 기준 전압을 상기 제2 전압 값보다 큰 제3 전압 값으로 결정하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  15. 입력 영상 데이터의 로드를 계산하는 단계;
    상기 입력 영상 데이터의 로드를 기초로 설정 정전류 값을 결정하는 단계; 및
    상기 설정 정전류 값을 갖는 정전류를 발광 소자를 초기화 시키는 초기화 전압을 생성하는 초기화 전압 생성부에 발생시키는 단계를 포함하는 표시 장치의 구동 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    액티브 구간에서 상기 발광 소자가 포함된 픽셀들에 상기 입력 영상 데이터를 기초로 생성된 데이터 전압들을 기입하는 단계를 더 포함하고,
    상기 정전류는 블랭크 구간에서 발생되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 구동 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 블랭크 구간에서 센싱 동작을 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 구동 방법.
  18. 제 15 항에 있어서, 상기 설정 정전류 값은 정전류 룩업 테이블에 저장된 정전류 값들 중 상기 로드에 상응하는 정전류 값인 것을 특징으로 하는 표시 장치의 구동 방법.
  19. 제 15 항에 있어서, 상기 설정 정전류 값은 상기 로드가 제1 기준 로드보다 작거나 같을 때보다 상기 로드가 상기 제1 기준 로드보다 클 때 더 큰 것을 특징으로 하는 표시 장치의 구동 방법.
  20. 제 15 항에 있어서, 상기 설정 정전류 값은 상기 로드가 0보다 크고 제1 기준 로드보다 작거나 같을 때 제1 정전류 값이고, 상기 로드가 상기 제1 기준 로드보다 크고 제2 기준 로드보다 작거나 같을 때 상기 제1 정전류 값보다 큰 제2 정전류 값이며, 상기 로드가 상기 제2 기준 로드보다 클 때 상기 제2 정전류 값보다 큰 제3 정전류 값인 것을 특징으로 하는 표시 장치의 구동 방법.
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