CN118076469A - 实施了滚花加工的长条状树脂薄膜 - Google Patents

实施了滚花加工的长条状树脂薄膜 Download PDF

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Abstract

提供：卷取为卷状的长条状薄膜，其中，滚花不易压扁、卷出时的带电被抑制直至卷芯部的长条状薄膜、进而保存时、输送时等的卷绕偏移、褶皱的发生被抑制、维持了高的平面性的长条状薄膜等。一种长条状树脂薄膜，其特征在于，其为卷取为卷状的长条状树脂薄膜，在薄膜宽度的两端部附近进行了滚花加工，对于右侧滚花和左侧滚花的右侧滚花和左侧滚花的任意者，表层部的每1个滚花的高度(Hnse)与每1个滚花的凸部面积(Anse)之比(Hnse/Anse)均为1.5×10‑5～17.5×10‑5/μm。需要说明的是，以观察者正对卷、从卷上部向靠近观察者侧卷出的方式卷出薄膜的情况下，将右侧端部的滚花作为右侧滚花、左侧端部的滚花作为左侧滚花。

Description

实施了滚花加工的长条状树脂薄膜
技术领域
本发明涉及卷取为卷状的长条状薄膜。本发明更详细地涉及实施了滚花加工的长条状薄膜。
背景技术
以往，已知通过将树脂薄膜卷取时对树脂薄膜的两端部进行滚花加工(增厚加工)，从而能实现稳定的卷取，防止卷绕偏移、划痕的技术。但已知的是：即便在进行滚花加工并卷取树脂薄膜的情况下，在卷的卷芯附近，滚花也被压扁，无法充分发挥出上述效果。为此提出了各种滚花加工技术，例如，控制滚花凸部的大小的方法(例如参照专利文献1)，在凹部设置增强部的方法(例如参照专利文献2)，通过非接触方式来设置滚花的方法(例如参照专利文献3)等。
另一方面，树脂薄膜在表面涂覆涂层的情况较多，在树脂薄膜的带电量大的情况下，存在如下问题：在涂覆时发生涂膜的排斥，涂膜的厚度不均变大，设置液晶化合物的取向膜时取向紊乱。涂覆时的树脂薄膜的带电通过在将树脂薄膜卷取时、卷出时进行除电等来控制，但在近年来要求高精度的涂膜的涂覆中无法充分应对。针对该问题还存在如下提案：进行滚花加工，抑制所卷取的树脂薄膜的相对移动，抑制所卷取的树脂薄膜的带电量(例如参照专利文献4)，但无法充分控制。尤其是，即便是进行了滚花加工的树脂薄膜也存在如下问题：越靠近卷的卷芯部则带电量变得越大，逐渐发生涂膜的紊乱。尤其是，在树脂薄膜的两个表面中的组成不同的情况下，卷出时的带电量变大，因上述问题而无法稳定地涂覆至卷取成卷状的树脂薄膜的最后，损失大。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：WO11/030684
专利文献2：日本特开2013-166317号公报
专利文献3：WO10/001752
专利文献4：日本特开昭63-74850号公报
发明内容
发明要解决的问题
本发明是以所述现有技术的课题为背景而进行的。本发明的主要目的在于，提供：卷取为卷状的长条状薄膜中，即使使用较容易加工的形状的滚花刀进行制作也可以抑制卷出时的带电直至卷芯部那样的具有不易被压扁的滚花的长条状薄膜；进而提供：保存时、输送时等的卷绕偏移、褶皱的发生被抑制、维持了高的平面性的长条状薄膜。
用于解决问题的方案
本发明人为了实现该目的而进行了深入研究，其结果完成了以下述为代表的发明。
项1.
一种长条状树脂薄膜，其特征在于，其为卷取为卷状的长条状树脂薄膜，
该长条状树脂薄膜在薄膜宽度的两端部附近进行了滚花加工，对于右侧滚花和左侧滚花的任意者，表层部的每1个滚花的高度(Hnse)与每1个滚花的凸部面积(Anse)之比(Hnse/Anse)均为1.5×10-5～17.5×10-5/μm。
需要说明的是，以观察者正对卷、从卷上部向靠近观察者侧卷出的方式卷出薄膜的情况下，将右侧端部的滚花作为右侧滚花、左侧端部的滚花作为左侧滚花。
项2.
根据项1所述的长条状树脂薄膜，其中，对于右侧滚花和左侧滚花的任意者，卷芯部的滚花高度(Hnb)均为0.5～4μm。
项3.
根据项1或2所述的长条状树脂薄膜，其中，对于右侧滚花和左侧滚花的任意者，卷芯部的滚花高度(Hnb)/表层部的滚花高度(Hne)均为0.3～0.9。
项4.
根据项1～3中任一项所述的长条状树脂薄膜，其中，表层部的滚花高度(Hne)为1.2～6μm。
项5.
根据项1～4中任一项所述的长条状树脂薄膜，其中，
将右侧滚花的卷芯部的滚花高度设为：Hnbr
左侧滚花的卷芯部的滚花高度设为：Hnbl
右侧滚花的表层部的滚花高度设为：Hner
左侧滚花的表层部的滚花高度设为：Hnel
的情况下，用(Hnbr-Hnbl)/〔(Hnbr+Hnbl)/2〕求出的卷芯部的左右的滚花高度均匀性的绝对值为0.3以下。
项6.
根据项1～5中任一项所述的长条状树脂薄膜，其中，将长条状树脂薄膜的卷绕外表面作为A面、卷绕内表面作为B面的情况下，A面与B面的组成不同。
项7.
根据项1～6中任一项所述的长条状树脂薄膜，其中，将长条状树脂薄膜的卷绕外表面作为A面、卷绕内表面作为B面的情况下，A面或B面中的至少一者为涂层。
项8.
根据项1～7中任一项所述的长条状树脂薄膜，其为拉伸聚酯薄膜。
项9.
一种层叠薄膜的制造方法，其包括如下工序：工序(A)，将项1～8中任一项所述的长条状树脂薄膜卷出；和，工序(B)，在卷出的前述长条状树脂薄膜的至少单面涂覆涂覆液。
项10.
根据项9所述的制造方法，其中，层叠薄膜为偏振片保护薄膜。
项11.
根据项9所述的制造方法，其中，层叠薄膜用于薄膜层转印。
发明的效果
根据本发明的卷取为卷状的长条状薄膜，保存时、输送时等的卷绕偏移、褶皱的发生被抑制，没有薄膜表面的划痕，平面性优异。另外，根据本发明的卷取为卷状的长条状薄膜，卷出时的带电量小，进行涂覆加工的情况下，涂膜的缩孔少，可以设置长条状薄膜直至最后厚度精度优异的涂膜。
具体实施方式
(薄膜)
本发明中，薄膜优选卷取为卷状的长条状薄膜。薄膜优选树脂薄膜，作为该树脂，优选选自聚酯、聚环烯烃、三乙酸纤维素、丙烯酸类、聚碳酸酯、聚酰胺、聚酰亚胺、和聚丙烯中的至少一种，更优选选自聚酯、聚环烯烃、和三乙酸纤维素中的至少一种，进一步优选聚酯。为聚酯的情况下，优选选自聚对苯二甲酸乙二醇酯、和聚萘二甲酸乙二醇酯中的至少一种。
薄膜可以为未拉伸薄膜，也可以为拉伸薄膜(单轴拉伸或双轴拉伸薄膜)。优选拉伸薄膜、特别优选拉伸聚酯薄膜。
薄膜宽度的下限优选500mm、更优选800mm、进一步优选1000mm、特别优选1200mm。薄膜宽度的上限优选4000mm、更优选3500mm、进一步优选3000mm、特别优选2700mm、最优选2500mm。
薄膜长度的下限优选1000m、更优选1500m、进一步优选2000m。薄膜长度的上限优选20000m、更优选15000m、进一步优选10000m、特别优选7000m。
薄膜厚度的下限优选25μm、更优选30μm、进一步优选35μm、特别优选40μm、最优选45μm。通过设为上述以上，从而可以有效地防止褶皱，或可以防止卷绕偏移。薄膜厚度的上限优选200μm、更优选150μm、进一步优选100μm、特别优选90μm、最优选80μm。通过设为上述以下，从而操作性变得容易。
将薄膜的卷绕外表面作为A面、卷绕内表面作为B面的情况下，A面与B面的组成可以相同也可以不同。A面与B面的组成不同的情况下，将薄膜卷出时的带电容易变大。本发明优选用于这种A面与B面的组成不同的薄膜。
A面与B面中组成不同的情况下，例如可以举出以共挤出层叠不同种类的原料树脂的情况、仅在A面或B面的单面设置涂层的情况、在A面与B面这两个面组成彼此不同的涂层，本发明适合用于任意情况。特别优选构成A面和B面的层的树脂组成不同的情况。
(涂层)
作为涂层，可以举出易粘接层、易滑动层、平滑化层、硬涂层、取向控制层等作为优选例。
作为涂层，可以在制膜时通过在线方式来设置，也可以在制膜后通过离线方式来设置。
作为涂层中使用的树脂，可列举出聚酯、丙烯酸类、聚氨酯(聚酯聚氨酯、聚碳酸酯聚氨酯、聚醚聚氨酯等)、乙烯乙酸乙烯酯共聚物、聚酰胺、苯乙烯丙烯酸类共聚物、聚乙烯醇等作为优选例。另外，涂层可以为硬涂层等由光固化性树脂构成的层。该光固化性树脂可以为含双键的化合物的单体、低聚物。
涂层中使用的树脂还优选含有交联剂。作为交联剂，可列举出异氰酸酯、三聚氰胺等氨基树脂、噁唑啉化合物、环氧树脂作为优选例。在光固化性树脂的情况下，可以为三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、丙烯酸类改性聚氨酯、丙烯酸类改性环氧树脂等含有多个双键的化合物的单体、低聚物。
涂层中可以包含颗粒、表面活性剂、流平剂、抗静电剂、催化剂等作为添加剂。
涂布厚度的下限优选0.001μm、更优选0.005μm、进一步优选0.01μm、特别优选0.02μm。涂布厚度的上限优选10μm、更优选5μm、进一步优选3μm、特别优选2μm、最优选1μm。
薄膜的至少一个面的算术平均粗糙度(Sa)的上限优选15nm、更优选10nm、进一步优选5nm、特别优选4nm、最优选3nm。薄膜的至少一个面的Sa的下限优选0.2nm、更优选0.4nm、进一步优选0.5nm。
薄膜的至少一个面的均方根粗糙度(Sq)的上限优选30nm、更优选20nm、进一步优选15nm、特别优选10nm、最优选7nm。薄膜的至少一个面的Sq的下限优选0.3nm、更优选0.5nm、进一步优选0.7nm。
薄膜的两面的Sa和Sq更优选上述范围。
通过使薄膜的Sa和Sq为上述范围，从而在保管中、输送中等在卷芯部滚花少许被压扁的情况下，也可以抑制剥离带电的过度的上升，且提供均匀的滑动性，由此可以减少卷形状的异常。另外，作为光学薄膜、脱模薄膜使用的情况下，可以确保高的透明性，且涂覆在薄膜上的情况下在涂膜中也可以不易产生坏点。
为了使薄膜的Sa和Sq为上述范围，优选适宜采用下述方法。
·制造原料树脂时使用高精度的过滤器，或制膜时使用高精度的过滤器，来减少薄膜中的异物。
·减少薄膜制膜时使用的、冷却辊、输送辊等的粗糙度。
·设置涂层时调配涂覆液(涂布液)后使用高精度的过滤器，或涂覆时使用高精度的过滤器，来减少涂层中的异物。
需要说明的是，Sa和Sq如实施例中记载，依据ISO 25178，用非接触表面形状测量系统(Ryoka Systems Inc.制、VertScan R550H-M100)来测定。
(滚花加工)
薄膜优选在其两端部实施了滚花加工后卷取为卷状。滚花加工的方法没有特别限定，可列举出：按压于滚花刀而使薄膜变形的方法；照射激光而在孔的周围部制作隆起的方法；利用喷墨等方法来设置紫外线固化树脂、热熔树脂的点的方法等。利用这些方法，能够在薄膜表面设置点状的凸部。
滚花加工优选设置于薄膜宽度方向的两端部。薄膜的端部与滚花位置的间隔的下限优选0.5mm、更优选1mm。薄膜的端部与滚花位置的间隔的上限优选20mm、更优选15mm、进一步优选10mm。通过设为上述范围，从而可以对薄膜端部进行稳定的滚花加工，且可以确保薄膜的有效宽度。
滚花加工部的宽度的下限优选3mm、更优选5mm、进一步优选7mm。通过设为上述以上，从而可以不易压扁滚花。滚花宽度的上限优选30mm、更优选25mm、进一步优选20mm。通过设为上述以下，从而可以使滚花压扁程度优化，且可以确保薄膜的有效宽度。
滚花的凸部的间隔的下限优选0.5mm、更优选0.6mm、进一步优选0.7mm。滚花的凸部的间隔的上限优选3mm、更优选2.5mm、进一步优选2mm、特别优选1.5mm。需要说明的是，滚花的凸部的间隔为凸部的中心点的间隔。
滚花的凸部的密度的下限优选10个/cm2、更优选15个/cm2、进一步优选25个/cm2、特别优选40个/cm2、最优选60个/cm2。滚花的凸部的密度的上限优选400个/cm2、更优选300个/cm2、进一步优选250个/cm2、特别优选200个/cm2、最优选160个/cm2。根据滚花的凸部的密度，可以调整滚花的压扁难易度，通过设为上述范围内，从而变得容易以较简便的滚花加工进行压扁难易度的调整而不对装置施加过度的负载。另外，在适当的每1个滚花的高度与凸部面积之比的范围内，变得容易进行不易被压扁的滚花加工。
作为滚花的凸部的配置，没有特别限定，可以为：沿着纵向和横向整齐排列的配置、相邻的凹凸排列错开半个周期的交错状配置、以及相邻的凹凸排列错开1/3或1/4的斜形配置中的任意者。
(滚花刀)
进而，对通常广泛进行的、按压于滚花刀薄膜而使薄膜变形的方法详细地进行说明。
滚花刀的材质优选为金属。作为该金属，可列举出例如：SUS、不锈钢、铝、钛、硬质铬等。可以对滚花刀的表面进行镀敷。
滚花刀的直径下限优选为3cm，更优选为5cm。滚花刀的直径上限优选为30cm，更优选为25cm，进一步优选为20cm。通过设为上述范围，从而能够制成尺寸适当的滚花加工装置。
滚花刀的厚度下限优选为3mm，更优选为5mm，进一步优选为7mm。滚花刀的厚度上限优选为50mm，更优选为40mm，进一步优选为30mm。
在滚花刀的外周部，根据想要赋予的滚花的凸部的配置，优选设置突起。滚花刀的突起的高度的下限优选0.05mm、更优选0.1mm、进一步优选0.15mm、特别优选0.2mm。滚花刀的突起的高度的上限优选3mm、更优选2.5mm、进一步优选2mm、特别优选1.5mm。
从上方来看，滚花刀的突起的形状可列举出圆形、椭圆形、三角形、正方形、长方形、菱形、梯形、五边形、六边形、六边以上的多边形等，其中，优选为正方形、长方形、菱形。另外，作为立体的形状，可以为圆锥、多棱锥等锥形，也可以为截头圆锥、截头多棱锥等截头锥形。以截头锥形设置的滚花有不易压扁的倾向，可以适宜选择。
滚花刀的突起为截头锥形的情况下，滚花刀的突起的上表面的平坦部的各面积优选40000μm2以上、更优选50000μm2以上、进一步优选60000μm2以上、特别优选70000μm2以上、最优选80000μm2以上。滚花刀的突起的上表面的平坦部的各面积优选200000μm2以下、更优选170000μm2以下、进一步优选150000μm2以下、特别优选130000μm2以下。
通过通过将滚花刀按压于薄膜，从而在突起的上表面的平坦部薄膜的分子被拉伸，相应地，在相反侧隆起而形成突起，但平坦部的面积越大，分子被拉伸的面积越大，被按压的部分的应变越大，因此认为形成不易压扁的突起。
滚花刀的突起为截头锥形的情况下，滚花刀的突起的斜面的角度优选25度以上且低于90度、更优选30度以下且80度以下、进一步优选40度以上且70度以下。滚花刀的突起的斜面的角度为45度以下的情况下，滚花刀的突起的上表面的平坦部的各面积可以为10000μm2以上且低于40000μm2。需要说明的是，滚花刀的突起为截头多棱锥的情况下，滚花刀的突起的斜面的角度是成为角度最大的面的角度。
滚花刀的突起为截头锥形的情况下，滚花刀的突起的上表面的平坦部的总面积相对于设有突起的滚花刀外周部的面积，优选1％以上、更优选3％以上、进一步优选5％以上、特别优选8％以上、最优选10％以上。该总面积优选50％以下、更优选40％以下、进一步优选30％以下、特别优选20％以下。通过设为上述范围，从而可以更确实地发挥截头锥形的效果，在适当的每1个滚花的高度与凸部面积之比的范围内，变得容易进行不易被压扁的滚花加工。另外，也可以抑制滚花加工部的伸长所导致的起皱。
锥形的情况下，有峰顶部的角度越大，滚花越不易压扁的倾向。峰顶部的角度优选30度以上、更优选60度以上、进一步优选80度以上、特别优选90度以上、最优选100度以上。需要说明的是，峰顶部的角度如下：通过峰顶的纵向取截面的情况下，为峰顶的角度成为最小的截面处的峰顶的角度。需要说明的是，峰顶也有时带有弧度，峰顶的角度设为：连接峰顶与从峰顶向左右的峰腹下50μm的点的2条直线的角度。
锥形的情况也同样地，峰顶部的角度越大，分子被拉伸的面积越大，被按压的部分的应变越大，因此认为，形成不易压扁的突起。
(滚花加工条件)
进行滚花加工的情况下，可以用滚花刀夹持薄膜，对两面进行滚花加工。该情况下，可以是滚花刀彼此的凹凸相互咬合那样的滚花刀组，也可以是不相互咬合而是彼此独立地进行滚花加工的滚花刀组。另外，滚花刀的相反侧可以使用平滑的辊仅对单面进行滚花加工。滚花加工时，从对于相同的滚花高度产生更大的应变、形成不易压扁的突起的观点出发，更优选在滚花刀的相反侧用平滑的辊仅对单面进行滚花加工的方法。
滚花加工需要将薄膜强烈地按压于滚花刀，可以以该按压力调节滚花的高度。按压力的下限优选20N、更优选40N、进一步优选50N。按压力的上限优选2000N、更优选1500N、进一步优选1000N。通过设为上述范围，从而可以进行滚花加工而不使用过度的设备。需要说明的是，按压可以使滚花刀或平滑辊中的任一者移动来进行按压。另外，也可以使两者移动来进行按压。
通过滚花刀进行滚花加工的情况下，有：不对滚花刀进行加热而进行的方法(冷滚花法)、和将滚花刀加热至薄膜的软化温度(例如玻璃化转变温度(Tg))以上而进行的方法(热滚花法)，可以适宜选择。热滚花法有滚花不易压扁的倾向，但需要控制符合滚花加工速度的滚花刀表面温度，或由于断裂等停工的情况下需要以薄膜不发生熔接的方式使滚花刀退避时，变得需要复杂的工序控制。根据本发明，通过适宜选择滚花刀的突起形状，从而以冷滚花法也可以形成不易被压扁的滚花，从工序控制的简便性的观点出发，优选冷滚花法。
滚花刀的表面温度的下限优选10℃、更优选20℃。热滚花法的情况下，滚花刀的表面温度优选为薄膜的树脂的Tg以上、更优选为(Tg+20℃)以上、进一步优选为(Tg+50℃)以上。滚花刀的表面温度优选为熔点以下、更优选为(熔点-10℃)以下、进一步优选为(熔点-20℃)以下。通过设为上述范围内，从而能效率良好地进行滚花加工，可以抑制树脂熔融而在滚花部产生须状物、薄膜在滚花部成为起皱的状态。
具体而言，聚对苯二甲酸乙二醇酯的情况下，滚花刀的表面温度优选80～250℃、进一步优选100～240℃、进一步优选120～230℃。
滚花刀的加热使用的是，向滚花刀内流入油等加热流体的方法、感应加热、红外线加热、热风等。另外，也可以将薄膜的端部在红外线、热风下进行预加热。
滚花加工的速度的下限优选20m/分钟、更优选30m/分钟、进一步优选50m/分钟。滚花加工的速度的上限优选800m/分钟、更优选600m/分钟、进一步优选500m/分钟。
通过设为上述范围，从而能进行生产率高的滚花加工，另外，在适当的条件下能进行稳定的滚花加工。
需要说明的是，滚花加工的速度因裁切、涂布等滚花加工所附带的加工速度而受到限制。另外，例如通过调节滚花刀等的按压压力、滚花刀表面温度、滚花加工的速度，从而可以调节滚花高度。
(初始滚花高度)
刚刚进行滚花加工后的滚花高度(初始滚花高度)的下限优选1.5μm、更优选2μm、进一步优选2.5μm。刚刚进行滚花加工后的滚花高度的上限优选15μm、更优选12μm、进一步优选10μm、特别优选7μm、最优选6μm。
刚刚滚花加工后的滚花可能具有卷取为卷状的情况下容易压扁的部分。认为这是由于，冷滚花的情况下，由于滚花刀的突起而薄膜向滚花刀的相反侧被挤出成为滚花，但即使为被挤出的滚花，也容易由压力而具有凹陷的部分，热滚花的情况下，在滚花刀的相反侧形成的突起也同样地压扁，在滚花刀的突起的周边形成树脂的隆起，但该隆起也不是均匀的高度的隆起，是不均匀的高度，因此，隆起高的部分即使在低的压力下也容易压扁等。
因此，在刚刚卷取为卷状后，初始滚花高度利用从最表层的薄膜采集的样品来测定。
另外，考虑上述情况，初始滚花高度优选以成为后述的表层部、卷芯部的滚花高度的方式进行调整。
(卷取)
经滚花加工的薄膜优选在圆筒状的芯上卷取成卷状。此时，卷取张力的下限优选50N/m、更优选60N/m、进一步优选70N/m、特别优选80N/m、最优选90N/m。卷取张力的上限优选330N/m、更优选300N/m、进一步优选270N/m、特别优选250N/m、最优选230N/m。通过设为上述范围，从而能够优化滚花压扁程度，可以防止保存时、输送时等的卷绕偏移、褶皱、平面性的劣化等。
在卷取时，优选边推压辊而去除所卷入的空气，边进行卷取。该情况下，接触辊的卷取接触压力的下限优选为30N/m，更优选为40N/m，进一步优选为50N/m，特别优选为60N/m。接触辊的卷取接触压力的上限优选为600N/m，更优选为500N/m，进一步优选为400N/m，特别优选为300N/m。通过设为上述范围，从而能够优化滚花压扁程度，可以防止保存时、输送时等的卷绕偏移、褶皱、平面性的劣化等。
(卷取为卷状的长条状薄膜的每1个滚花的高度、每1个滚花的凸部面积、滚花高度)
卷取为卷状的长条状薄膜在表层部、卷芯部分别优选右侧、左侧的滚花为下述中说明的状态。需要说明的是，右侧、左侧、表层部、卷芯部如以下所述。
右侧：以观察者正对卷、从卷上部向靠近观察者侧卷出的方式卷出薄膜的情况下的右侧端部。
左侧：以观察者正对卷、从卷上部向靠近观察者侧卷出的方式卷出薄膜的情况下的左侧端部。
表层部：距离卷取为卷状的薄膜的卷绕终点为100±1m的部位。
卷芯部：距离卷取为卷状的薄膜的卷绕起点为100±1m的部位。
各个部位的滚花高度的简称如下所示。
表层部右侧滚花高度：Hner
表层部左侧滚花高度：Hnel
需要说明的是，Hne不特别限定左右，表示表层部的滚花高度。
卷芯部右侧滚花高度：Hnbr
卷芯部左侧滚花高度：Hnbl
需要说明的是，Hnb不特别限定左右，表示卷芯部的滚花高度。
表层部右侧每1个滚花的高度：Hnser
表层部左侧每1个滚花的高度：Hnsel
需要说明的是，Hnse不特别限定左右，表示表层部的每1个滚花的高度。
表层部右侧每1个滚花的凸部面积：Anser
表层部左侧每1个滚花的凸部面积：Ansel
另外，Anse不特别限定左右，表示表层部的每1个滚花的凸部面积。
基于滚花刀的滚花加工中，通常由滚花刀的峰部压入薄膜，分子伸长，在滚花刀的相反侧作为凸部形成滚花。本发明中所谓每1个滚花的高度和每1个滚花的凸部面积可以用形成于该滚花刀的相反侧的滚花测定。需要说明的是，将滚花刀加热而进行滚花加工的情况下，通常树脂也向滚花刀侧挤出，在滚花刀的峰的周边部分形成凸形状，但在滚花刀的相反侧也形成凸部。也可以将本发明的每1个滚花的高度和凸部面积的关系用于该滚花刀的相反侧的凸部。
对于表层部的每1个滚花的高度(Hnse)与每1个滚花的凸部面积(Anse)之比(Hnse/Anse)的下限，右侧和左侧的滚花这两者优选1.5×10-5/μm、更优选1.7×10-5/μm、进一步优选2×10-5/μm、特别优选2.3×10-5/μm、最优选2.5×10-5/μm。对于表层部的每1个滚花的高度与每1个滚花的凸部面积之比(Hnse/Anse)的上限，右侧和左侧的滚花这两者优选17.5×10-5/μm、更优选15×10-5/μm、进一步优选12×10-5/μm、特别优选10×10-5/μm、最优选7×10-5/μm。
表层部的滚花的凸部的密度的下限优选10个/cm2、更优选15个/cm2、进一步优选25个/cm2、特别优选40个/cm2、最优选60个/cm2。表层部的滚花的凸部的密度的上限优选400个/cm2、更优选300个/cm2、进一步优选250个/cm2、特别优选200个/cm2、最优选160个/cm2。
根据表层部的每1个滚花的高度与每1个滚花的凸部面积之比(Hnse/Anse)，可以调整滚花的压扁容易性和薄膜卷的外观。通过将表层部的每1个滚花的高度与每1个滚花的凸部面积之比(Hnse/Anse)设为上述范围，从而可以有效地抑制卷芯部中的滚花的压扁，降低卷出带电量，防止薄膜表面的划伤，且可以防止卷绕偏移、褶皱，确保平面性。另外，即使使用较容易加工的形状的滚花刀，也可以进行状态稳定的滚花加工。
为了将表层部的每1个滚花的高度与每1个滚花的凸部面积之比(Hnse/Anse)调整至上述优选范围，优选增大滚花加工时的薄膜与滚花刀突起部的接触面积，例如优选使滚花刀的突起形状形成截头锥形，特别优选增大锥形突起的前端角度、增大梯形突起的前端面积。
表层部的每1个滚花的高度(Hnse)的下限优选2nm、更优选2.5μm、进一步优选3nm、特别优选3.5nm、最优选4nm。
表层部的每1个滚花的高度(Hnse)的上限优选12nm、更优选10nm、进一步优选9nm、特别优选8nm、最优选7nm。
通过设为上述范围，从而可以确保卷芯部中的滚花的高度，抑制保管中、输送中等的卷绕偏移、褶皱的发生、平面性的恶化。另外，可以通过赋予适当的初始滚花来确保卷芯部的滚花。
表层部每1个滚花的凸部面积的下限优选20000μm2、更优选40000μm2、进一步优选60000μm2、特别优选70000μm2。
表层部每1个滚花的凸部面积的上限优选300000μm2、更优选270000μm2、进一步优选250000μm2、特别优选230000μm2、最优选220000μm2。通过设为上述范围，从而可以确保卷芯部中的滚花的高度，可以形成滚花而不施加过度的按压。
每单位面积的表层部滚花凸部面积的比例的下限优选0.05、更优选0.06、进一步优选0.07、特别优选0.08。每单位面积的表层部滚花凸部面积的比例的上限优选0.35、更优选0.3、进一步优选0.25、特别优选0.2。通过设为上述范围，从而可以确保卷芯部中的滚花的高度，可以形成滚花而不施加过度的按压。另外，可以通过赋予适当的初始滚花来确保卷芯部的滚花高度。
每单位面积的滚花凸部面积的比例可以由每1个滚花的凸部面积×每单位面积的滚花凸部的个数(滚花凸部的个数/单位面积；滚花凸部的密度)求出。例如，每1个滚花的凸部面积为Aμm2、每单位面积的滚花凸部的个数为N个/μm2(例如具有实施例的A型的突起的滚花刀的情况下，为10-6个/μm2)时，每单位面积的滚花凸部面积的比例可以由A×N求出。
通常从得到基于滚花加工部彼此的层叠的卷绕偏移防止效果的观点出发，优选增大每单位面积的的滚花凸部面积。其可以由通过增大滚花加工部彼此的接触面积从而能有效地发挥摩擦力来理解。另一方面，本发明人等进行了深入研究，结果发现：从抑制滚花压扁的观点出发，优选增大每1个滚花的凸部面积。即，发现：从减少对于各滚花凸部的压缩应力、抑制滚花压扁的观点出发，仅凭借每单位面积的滚花凸部面积高(例如，仅以高密度配置凸部面积小的滚花)是并不充分的，优选增大各滚花凸部面积。进而本发明人等发现：随着各滚花凸部面积的增大而滚花高度也增大，可能使薄膜卷的卷绕外观恶化，发现：更优选将表层部的每1个滚花的高度与每1个滚花的凸部面积之比调整至上述范围。
表层部的每1个滚花的高度(Hnse)和每1个滚花的凸部面积(Anse)可以使用扫描型白色干涉显微镜而求出。详细的测定方法在实施例中后述。
卷取为卷状的长条状薄膜在表层部、卷芯部分别优选右侧、左侧的滚花为下述中说明的状态。
需要说明的是，右侧、左侧、表层部、卷芯部如以下所述。
右侧：以观察者正对卷、从卷上部向靠近观察者侧卷出的方式卷出薄膜的情况下的右侧端部。
左侧：以观察者正对卷、从卷上部向靠近观察者侧卷出的方式卷出薄膜的情况下的左侧端部。
表层部：距离卷取为卷状的薄膜的卷绕终点为100±1m的部位。
卷芯部：距离卷取为卷状的薄膜的卷绕起点为100±1m的部位。
对于卷芯部的滚花高度(Hnb)的下限，右侧和左侧的滚花这两者优选0.5μm、更优选0.7μm、进一步优选0.9μm、特别优选1μm、最优选1.1μm。对于卷芯部的滚花高度(Hnb)的上限，右侧和左侧的滚花这两者优选4μm、更优选3.5μm、进一步优选3.2μm、特别优选3μm。
对于表层部的滚花高度(Hne)的下限，右侧和左侧的滚花这两者优选1.2μm、更优选1.3μm、进一步优选1.4μm、特别优选1.5μm、最优选1.6μm。对于表层部的滚花高度(Hne)的上限，右侧和左侧的滚花这两者优选6μm、更优选5μm、进一步优选4μm、特别优选3.7μm、最优选3.5μm。
需要说明的是，滚花的压扁通常在卷取为卷状后1个月成为基本稳定状态。因此，这些每1个滚花的高度、每1个滚花的凸部面积、滚花高度优选测定的是卷取为卷状后经过1个月以上者。
对于滚花残留率(Hnb/Hne)的下限，右侧和左侧的滚花这两者优选0.3、更优选0.35、进一步优选0.4、特别优选0.45。对于滚花残留率(Hnb/Hne)的上限，右侧和左侧的滚花这两者优选0.9、更优选0.85、进一步优选0.8、特别优选0.75、最优选0.7。滚花残留率(Hnb/Hne)可以根据滚花种类、初始滚花高度、滚花形状、滚花宽度、滚花高度均匀性、卷绕张力、卷绕长度等而可以成为范围内。
对于滚花减少量(Hne-Hnb)的下限，右侧和左侧的滚花这两者优选0.2μm、更优选0.23μm、进一步优选0.25μm、特别优选0.28μm、最优选0.3μm。对于滚花减少量(Hne-Hnb)的上限，右侧和左侧的滚花这两者优选3μm、更优选2.7μm、进一步优选2.5μm、特别优选2.2μm、最优选2μm。滚花减少量(Hne-Hnb)除根据每1个滚花的高度与每1个滚花的凸部面积之比之外，还根据滚花种类、初始滚花高度、滚花形状、滚花宽度、滚花高度均匀性、卷绕张力、卷绕长度等而可以成为范围内。
通过将卷芯部的滚花高度、和滚花残留率设为上述范围，从而可以降低卷出带电量，防止薄膜表面的划伤，且防止卷绕偏移、褶皱，确保平面性。这些效果通过进而将表层部的滚花高度、和滚花减少量也设为上述范围，从而可以在更优选的方向上改善。卷芯部的滚花高度、表层部的滚花高度除根据每1个滚花的高度与每1个滚花的凸部面积之比之外，还根据滚花的种类、初始滚花高度、滚花形状、滚花宽度、卷绕张力、卷取接触压力、卷绕长度等而可以成为范围内。
卷芯部的左侧与右侧的滚花高度均匀性(|(Hnbr-Hnbl)/〔(Hnbr+Hnbl)/2〕|)的下限优选0、更优选0.01。卷芯部的左侧与右侧的滚花高度均匀性(|(Hnbr-Hnbl)/〔(Hnbr+Hnbl)/2〕|)的上限优选0.3、更优选0.25、进一步优选0.2、特别优选0.15。
表层部的左侧与右侧的滚花高度均匀性(|(Hner-Hnel)/〔(Hner+Hnel)/2〕|)的下限优选0、更优选0.01。表层部的左侧与右侧的滚花高度均匀性(|(Hner-Hnel)/〔(Hner+Hnel)/2〕|)的上限优选0.3、更优选0.25、进一步优选0.2、特别优选0.15。
通过将卷芯部、表层部的左侧与右侧的滚花高度均匀性设为上述范围，从而可以进一步降低卷出带电量，进一步防止薄膜表面的划伤、卷绕偏移、褶皱，进一步确保平面性，且防止从卷卷出而对薄膜进行加工时的锯齿形、松弛。
滚花高度因薄膜的宽度方向上的长度差异、弹性模量等物性差异、卷取时的宽度方向上的张力差异而容易在左右产生差异。通过精密地控制直至薄膜卷取为止的输送辊等的平行，以拉伸、热固定等制膜时不出现物性差异的方式进行温度等的控制等，从而可以减小左右的差异。
关于本发明的卷取为卷状的长条状薄膜，卷出时的带电量直至卷芯部为止均被维持为较低，因此，在卷出而进行涂覆等加工时，不易产生涂覆液的排斥、厚度不均，能够得到没有缺陷的涂覆膜。
(卷出带电量)
卷芯部的卷出带电量的上限以绝对值计优选为25kV，更优选为20kV，进一步优选为15kV，特别优选为12kV。卷芯部的卷出带电量的下限以绝对值计优选为0.1kV，更优选为0.5kV。
(层叠薄膜)
本发明的层叠薄膜优选为在长条状树脂薄膜的至少单面涂布涂覆液而层叠涂膜者。层叠薄膜的制造方法优选包括如下工序：工序(A)，将长条状树脂薄膜卷出；和，工序(B)，在卷出的前述长条状树脂薄膜的至少单面涂覆涂覆液。
作为涂覆液中使用的树脂，如果设置聚酯、丙烯酸类树脂、聚氨酯(聚酯聚氨酯、聚碳酸酯聚氨酯、聚醚聚氨酯)、乙烯乙酸乙烯酯共聚物、聚酰胺、苯乙烯丙烯酸类共聚物、聚乙烯醇等树脂、辐射线固化性的涂膜，则优选使用丙烯酸类单体、丙烯酸类低聚物、聚合性液晶化合物。其中，优选使用丙烯酸类单体、丙烯酸类低聚物、聚合性液晶化合物。
作为涂覆液的溶剂，优选甲苯、醇、酮、酯，如果为辐射线固化性的涂覆液则可以为无溶剂。
得到的涂膜的干燥后的厚度的下限优选0.001μm、更优选0.005μm、进一步优选0.01μm、特别优选0.02μm。得到的涂膜的干燥后的厚度的上限优选20μm、更优选15μm、进一步优选10μm、特别优选7μm、最优选5μm。
作为得到的涂膜，优选硬涂层、防眩层、防反射层、低反射层、相位差层等光学功能性涂膜。另外，得到的涂膜也可以为粘接剂层、粘合剂层。
作为设有涂膜的薄膜的用途，优选防眩性薄膜、低反射薄膜、防反射薄膜、透明导电性薄膜基材、偏振片保护薄膜、相位差层由液晶化合物形成的相位差薄膜、用于转印这些功能层的薄膜层转印用薄膜等。
实施例
(1)每1个滚花的高度和凸部面积
使用扫描型白色显微镜(Hitachi High-Tech Corporation制VS1530)和数字照相机(Sony制XCL-C32 1/2inch)。光学条件设为：相机速度：1.0倍、物镜：二光束干涉物镜10XDI、镜筒：0.5倍、变焦透镜：1.0倍、光源：530White。测定条件设为：测定器件：压电、测定模式：Wave、测定尺寸：640×480像素、扫描范围(起始)：10μm、扫描范围(端部)：-10μm、平均次数：1次。
用扫描型白色显微镜观察滚花的宽度的中央部分，将滚花凸部1点配置在观察视野的中心，实施扫描测定。对于扫描数据，选择除滚花凸部之外的区域，进行4次的面校正后，对视野整体进行完全补充的处理。读取视野内的面粗糙度参数中的Peak值，将对于薄膜的右侧、左侧的各自，以约5cm的间隔、沿MD总计每7个点进行测定而得到的平均值作为每1个滚花的高度(Hnse)。另外，与高度测定同时地以阈值为0.5μm进行视野内的面积测定，将对于薄膜的右侧、左侧各自，以约5cm的间隔、沿MD总计每7个点进行测定而得到的平均值作为每1个滚花的凸部面积(Anse)。测定中使用的样品如下：卷取为卷状，卷出在常温下保管1个月后的薄膜，从其表层部采集。
需要说明的是，右侧、左侧、表层部如以下所述。
右侧：以观察者正对卷、从卷上部向靠近观察者侧卷出的方式卷出薄膜的情况下的右侧端部。
左侧：以观察者正对卷、从卷上部向靠近观察者侧卷出的方式卷出薄膜的情况下的左侧端部。
表层部：距离卷取为卷状的薄膜的卷绕起点为100m的部位。
各部位的每1个滚花的高度、每1个滚花的凸部面积、和它们的比的简称如以下所述。
表层部右侧每1个滚花的高度：Hnser
表层部左侧每1个滚花的高度：Hnsel
表层部右侧每1个滚花的凸部面积：Anser
表层部左侧每1个滚花的凸部面积：Ansel
表层部右侧每1个滚花的高度与凸部面积之比：Hnser/Anser
表层部左侧每1个滚花的高度与凸部面积之比：Hnsel/Ansel
(2)滚花高度
使用数字测微计(Sony Manufacturing Systems公司，μ-mate M-30)。
将滚花的宽度的中央部分以约5cm的间隔、沿MD测定10个点，将其平均值作为滚花部厚度，
将距离滚花为约1cm的内侧以约5cm的间隔、沿MD测定10个点，将其平均值作为薄膜部厚度，将滚花部厚度-薄膜部厚度作为滚花高度。
测定如下进行：卷取为卷状，卷出在常温下保管1个月后的薄膜，在薄膜的右侧、左侧的各自，在表层部和卷芯部的总计4个部位进行。
需要说明的是，右侧、左侧、表层部、卷芯部如以下所述。
右侧：以观察者正对卷、从卷上部向靠近观察者侧卷出的方式卷出薄膜的情况下的右侧端部。
左侧：以观察者正对卷、从卷上部向靠近观察者侧卷出的方式卷出薄膜的情况下的左侧端部。
表层侧：距离卷取为卷状的薄膜的卷绕终点为100m的部位。
卷芯部：距离卷取为卷状的薄膜的卷绕起点为100m的部位。
各部位的滚花高度的简称如以下所述。
表层部右侧滚花高度：Hner
表层部左侧滚花高度：Hnel
卷芯部右侧滚花高度：Hnbr
卷芯部左侧滚花高度：Hnbl
(3)滚花残留率
如以下所述。
右侧滚花残留率：Hnbr/Hner
左侧滚花残留率：Hnbl/Hnel
(4)滚花减少量
如以下所述。
右侧滚花减少量：Hner-Hnbr
左侧滚花减少量：Hnel-Hnbl
(5)滚花高度均匀性
如以下所述。
卷芯部左右滚花高度均匀性：(Hnbr-Hnbl)/〔(Hnbr+Hnbl)/2〕的绝对值
表层部左右滚花高度均匀性：(Hner-Hnel)/〔(Hner+Hnel)/2〕的绝对值
(6)卷出带电量
将保管1个月后的卷状薄膜从表层以100m/分钟的速度卷出，测定卷芯部的薄膜中央部的薄膜带电量。测定使用春日电机公司制的KSD-0103，测定刚刚从薄膜卷上剥离后的部分。
(7)卷绕偏移
观察保管1个月后的卷状薄膜的端面。
◎：与卷取后的状态无异，没有凹凸。
○：略微观察到凹凸的增加或竹笋状变形。
△：观察到凹凸的增加或竹笋状变形，但是为在实际使用方面没有问题的水平。
×：观察到无法实际使用的水平的凹凸的增加或竹笋状变形。
(8)褶皱
将保管1个月后的卷状薄膜卷出，观察全部长度的褶皱。
◎：完全没有褶皱。
○：在全部长度中的一部分略微观察到褶皱。
△：在全部长度中的一部分观察到少量的褶皱，但是为没有问题的水平。
×：在全部长度中的一部分观察到无法实际使用的水平的褶皱。
(9)薄膜平面性
将保管1个月后的卷状薄膜卷出，将距离表层为80～90m的位置处的薄膜切取3m长，放置在表面为消光的黑色且具有平坦顶板的桌子上，通过映在薄膜上的顶棚的荧光灯的形状来评价平面性。需要说明的是，与刚刚卷取后的薄膜的平面状态加以观察对比。
◎：与刚刚卷取后的样品无异。
○：平面性略微恶化。
△：平面性发生恶化，但是为没有问题的水平。
×：平面性发生恶化，是无法实际使用的水平。
(10)Sa和Sq
依据ISO 25178，用非接触表面形状测量系统(Ryoka Systems Inc.制、VertScanR550H-M100)，在下述条件下进行测定。采用5个点的样品的平均值。
(测定条件)
测定模式：WAVE模式
物镜：10倍
0.5×Tube透镜
测定面积：936μm×702μm
(解析条件)
面校正：4次校正
插值处理：完全插值
ISO参数处理：S-Filter 10μm指定
(易粘接层成分的制造)
(聚酯树脂的聚合)
向具备搅拌机、温度计和部分回流式冷凝器的不锈钢制高压釜中投入对苯二甲酸二甲酯194.2质量份、邻苯二甲酸二甲酯184.5质量份、间苯二甲酸二甲酯-5-磺酸钠14.8质量份、二乙二醇233.5质量份、乙二醇136.6质量份和钛酸四正丁酯0.2质量份，以160℃～220℃的温度耗费4小时进行酯交换反应。接着，将混合物升温至255℃，将反应体系缓缓地减压后，在30Pa的减压下使其反应1小时30分钟，得到共聚酯树脂。所得共聚酯树脂为淡黄色透明状。测定共聚酯树脂的比浓粘度，结果为0.70dl/g。基于DSC的玻璃化转变温度为40℃。
(聚酯水分散体的制备)
向具备搅拌机、温度计和回流装置的反应器中投入聚酯树脂30质量份和乙二醇正丁醚15质量份，边以110℃进行加热边搅拌，由此将树脂溶解。在树脂完全溶解后，在将聚酯溶液搅拌的同时，缓缓地添加水55质量份。在添加结束后，在将混合液搅拌的同时冷却至室温，得到固体成分为30质量％的乳白色聚酯水分散体。
(聚乙烯醇水溶液的制备)
向具备搅拌机和温度计的容器中投入水90质量份，边搅拌边缓缓地添加聚乙烯醇树脂(KURARAY公司制、聚合度为500且皂化度为74％)10质量份。在添加结束后，边将混合液搅拌边加热至95℃，使树脂溶解。在树脂溶解后，边将混合液搅拌边冷却至室温，得到固体成分为10质量％的聚乙烯醇水溶液。
(易粘接层P1中使用的封端多异氰酸酯交联剂的聚合)
向具备搅拌机、温度计和回流冷凝管的烧瓶中投入以六亚甲基二异氰酸酯作为原料的具有异氰脲酸酯结构的多异氰酸酯化合物(旭化成化学公司制、DURANATE TPA)100质量份、丙二醇单甲醚乙酸酯55质量份和聚乙二醇单甲醚(平均分子量为750)30质量份，在氮气气氛下以70℃保持4小时。其后，将反应液的温度降低至50℃，滴加甲乙酮肟47质量份。测定反应液的红外光谱，确认异氰酸酯基的吸收已消失，进一步添加水，得到固体成分为40质量％的封端多异氰酸酯水分散液。
(易粘接层P1用涂覆液的制备)
将下述原料混合制成涂布液。涂布液用10μm的过滤器、截留掉95％的标称过滤精度为10μm颗粒)进行过滤。
水 40.61质量％
异丙醇 30.00质量％
聚酯水分散体 11.67质量％
聚乙烯醇水溶液 15.00质量％
封端异氰酸酯系交联剂(水溶液) 0.67质量％
颗粒(平均粒径100nm的硅溶胶、固体成分浓度40质量％)
1.25质量％
催化剂(有机锡系化合物固体成分浓度14质量％)0.3质量％
表面活性剂(硅系、固体成分浓度10质量％)0.5质量％
(易粘接层P2中使用的聚氨酯树脂的聚合)
利用如下的步骤来制作以脂肪族系聚碳酸酯多元醇作为构成成分的聚氨酯树脂。向具备搅拌机、蛇形冷凝器、氮气导入管、硅胶干燥管和温度计的四颈烧瓶中投入4,4-二苯基甲烷二异氰酸酯43.75质量份、二羟甲基丁酸12.85质量份、数均分子量为2000的聚六亚甲基碳酸酯二醇153.41质量份、二月桂酸二丁基锡0.03质量份和作为溶剂的丙酮84.00质量份，在氮气气氛下以75℃搅拌3小时，确认反应液达到规定的胺当量。接着，将该反应液的温度降低至40℃后，添加三乙胺8.77质量份，得到聚氨酯预聚物溶液。接着，向具备能够高速搅拌的均质分散器的反应容器中添加水450g，调整至25℃，边进行搅拌混合，边添加聚氨酯预聚物溶液，从而使其分散。其后，在减压下从混合液中去除丙酮和水的一部分，从而制备固体成分35％的水溶性聚氨酯树脂。得到的以脂肪族系聚碳酸酯多元醇为构成成分的聚氨酯树脂的玻璃化转变温度为-30℃。
(易粘接层P2中使用的噁唑啉系交联剂的聚合)
向具备温度计、氮气导入管、回流冷凝器、滴液漏斗和搅拌机的烧瓶中投入作为水性介质的离子交换水58质量份与异丙醇58质量份的混合物、以及聚合引发剂(2,2’-偶氮双(2-脒基丙烷)二盐酸盐)4质量份。另一方面，向滴液漏斗中投入作为具有噁唑啉基的聚合性不饱和单体的2-异丙烯基-2-噁唑啉16质量份、甲氧基聚乙二醇丙烯酸酯(乙二醇的平均加成摩尔数为9摩尔、新中村化学公司制)32质量份和甲基丙烯酸甲酯32质量份的混合物，在氮气气氛下以70℃耗费1小时进行滴加。在滴加结束后，通过将反应溶液搅拌9小时并冷却，从而得到固体成分浓度为40质量％的具有噁唑啉基的水溶性树脂。
(易粘接层P2的涂布液的制备)
将下述原料混合，制成用于形成与功能性层的粘接性优异的涂布层的涂布液。涂布液用10μm的过滤器、截留掉95％的标称过滤精度为10μm的颗粒)进行过滤。
水 55.62质量％
异丙醇 30.00质量％
聚氨酯树脂水溶液 11.29质量％
噁唑啉系交联剂水溶液 2.26质量％
颗粒(平均粒径40nm的硅溶胶、固体成分浓度40质量％)
0.71质量％
颗粒(平均粒径450nm的硅溶胶、固体成分浓度40质量％)
0.07质量％
表面活性剂(硅系、固体成分浓度100质量％)0.05质量％
(基材薄膜用聚酯树脂的制造)
(制造例1-聚酯)
将酯化反应罐升温，在达到200℃的时刻，投入对苯二甲酸86.4质量份和乙二醇64.6质量份，边搅拌边投入作为催化剂的三氧化锑0.017质量份、乙酸镁四水合物0.064质量份、三乙胺0.16质量份。接着，进行加压升温，在表压为0.34MPa、240℃的条件下进行加压酯化反应后，将酯化反应罐恢复至常压，添加磷酸0.014质量份。进而，耗费15分钟升温至260℃，添加磷酸三甲酯0.012质量份。接着，在15分钟后，利用高压分散机进行分散处理，在15分钟后，将所得酯化反应产物转移至缩聚反应罐中，以280℃在减压下进行缩聚反应。
在缩聚反应结束后，利用95％截留直径为5μm的Naslon制过滤器进行过滤处理，从喷嘴以股线状进行挤出，使用预先进行了过滤处理(孔径：1μm以下)的冷却水而使其冷却和固化，并切割成粒料状。所得聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂的特性粘度为0.68dL/g，实质上不含非活性颗粒和内部析出颗粒(以下简写为PET)。需要说明的是，特性粘度是利用苯酚/四氯乙烷＝60/40(质量比)溶液并假设Huggins常数为0.38而测得的值。
(薄膜A的制造)
作为薄膜原料，将PET的粒料以135℃减压干燥6小时(1Torr)后，供给至挤出机中，以285℃进行溶解。将该熔融聚合物分别用不锈钢烧结体的滤材(截留掉95％的标称过滤精度为5μm的颗粒)进行过滤，由管头制成片状并挤出后，使用静电施加流延法，卷绕于表面温度为30℃的流延转筒，进行冷却和固化，制作未拉伸薄膜。使用流延转筒的表面粗糙度Ra为2nm以下、Rz为15nm以下者。
接着，以干燥后的涂布量均达到0.12g/m2的方式，在该未拉伸PET薄膜的单面涂布P1，在相反面涂布P2后，导入至干燥机中，以80℃使其干燥20秒。
将形成有该涂布层的未拉伸薄膜导入至拉幅拉伸机中，将薄膜的端部用夹具夹持，并且，导入至温度为135℃的热风区中，沿着宽度方向拉伸至4.0倍。接着，在保持沿着宽度方向拉伸得到的宽度的状态下，以225℃的温度处理30秒，其后，将冷却至130℃的薄膜的两端部用剪切刀进行切割，以0.5kg/mm2的张力切掉边部后进行卷取，得到薄膜厚度为70μm的单轴取向PET薄膜A。需要说明的是，薄膜整体的特性粘度为0.65dL/g。将所得薄膜A裁切成1300mm宽，对两端进行滚花加工后，以抵接滚花刀的面为外侧并进行卷取，得到长度为3500m的卷。将卷放入聚乙烯的袋中，用橡胶扎紧口部，向芯的两端部分嵌入比卷的外径大的侧板，在25℃的场所进行保管。薄膜A的Sa在P1面为1.0nm、在P2面为1.2nm，Sq在P1面为1.3nm、在P2面为1.5nm。
(薄膜B)
不进行使用了涂布液P1的涂布(在单面仅涂布P2)，使厚度为50μm，除此之外，与薄膜A同样地进行制造薄膜B，同样地进行裁切、滚花加工，得到卷。需要说明的是，涂覆中使涂布液通过10μm的过滤器并循环。薄膜B的Sa在非涂布面为0.8nm、在P2面为1.2nm，Sq在P1面为1.1nm、在P2面为1.5nm。
(滚花加工)
滚花加工通过使裁切得到的薄膜的左右两端部在经滚花刀加工的上辊与镜面加工的下辊之间穿过来进行，调整上辊的按压压力来调节滚花部的高度。滚花刀的加热通过感应加热来进行。
滚花加工部与距离薄膜端部的间隔：3mm
滚花加工速度：185m/分钟
(滚花刀)
其是厚度20mm、直径100mm的圆盘状，在外周表面上倾斜45度地沿着10mm的长度排列有下述形状10个突起(相对于10mm×10mm而言，为10个×10个的突起)。
四棱锥型(A型)：底边长度1000μm×1000μm、高度900μm
四棱锥型(B型)：底边长度1000μm×1000μm、高度330μm
截头四棱锥型(F型)：对四棱锥型(A型)进行研磨直至高度600μm
截头四棱锥型(G型)：对四棱锥型(A型)进行研磨直至高度700μm
或者，其是厚度20mm、直径100mm的圆盘状，在外周表面上倾斜45度地沿着10mm的长度排列有下述形状的20个突起(相对于10mm×10mm而言，为20个×20个的突起)。
四棱锥型(C型)：底边长度500μm×500μm、高度900μm
或者，其是厚度20mm、直径100mm的圆盘状，在外周表面上倾斜45度地沿着10mm的长度排列有下述形状的21个突起(相对于10mm×10mm而言，为21个×21个的突起)。
四棱锥型(D型)：底边长度400μm×400μm、高度900μm
或者，其是厚度20mm、直径100mm的圆盘状，在外周表面上倾斜45度地沿着10mm的长度排列有下述形状的8个突起(相对于10mm×10mm而言，为8个×8个的突起)。
四棱锥型(E型)：底边长度1250μm×1250μm、高度300μm
实施例1～13、比较例1～2
将使用薄膜A和薄膜B并在各条件下进行滚花加工而得到的结果作为实施例、比较例示于表1。另外，在薄膜A和薄膜B上，如下所述地设置涂膜。需要说明的是，利用相同条件准备两个卷取成卷状的薄膜，一个用于滚花高度的测定和卷出带电量的测定、卷的卷绕状态的评价，另一个用于涂料的涂覆评价。需要说明的是，卷取张力是在对薄膜两端进行滚花加工后，将薄膜在圆筒状的芯上卷取为卷状时的张力，设为150N/m。另外，在卷取时边推压辊边进行卷取，卷取接触压力是此时的接触辊的卷取接触压力，设为130N/m。
将薄膜A的卷卷出，利用凹版涂布机在易粘接层P2面涂布下述组成的防眩层用涂料，用90℃的烘箱进行干燥后，照射紫外线而使涂膜固化，设置防眩层。
(防眩层用涂料的组成)
KAYARAD PET-30 日本化药公司制 38.7质量份
Viscoat#360 大阪有机化学工业公司制 9.7质量份
EPOSTAR MA1006 日本触媒公司制 0.1质量份
Irgacure 184 1.5质量份
甲基异丁基酮 30.0质量份
甲乙酮 20.0质量份
氟系表面活性剂 0.02质量份
(薄膜A的涂膜均匀性评价)
观察从薄膜A的卷的卷绕起点至100m～150m的部分的防眩层的状态，作为涂膜均匀性评价。
◎：在50m中没有不均，是均匀的。
○：在50m中存在多处被认为是略微不均或排斥的部位。
△：在50m中存在多处被认为是明显不均或排斥的部位。
×：在50m中频繁观察到不均或排斥。
将薄膜B的卷卷出，在未设置易粘接层的面上，利用凹版涂布机来涂布下述组成的光取向层用涂料，以80℃进行干燥后，形成厚度150nm的膜。接着，照射偏振UV光，得到层叠有光取向层的基材薄膜。UV光的偏振方向相对于薄膜B的长度方向设为45度。
(光取向层用涂料)
根据日本特开2013-33248号公报的实施例1、实施例2和实施例3的记载，制造下述式(1)所示的聚合物在环戊酮中的5质量％溶液。
(取向液晶化合物取向层的成形)
接着，利用棒涂法在光取向层面上涂布下述组成的取向液晶化合物层形成用溶液。以110℃干燥3分钟，照射紫外线而使其固化，在薄膜上形成取向液晶化合物层(λ/4层)。
(取向液晶化合物层形成用溶液)
棒状液晶化合物(BASF公司制的LC242)95质量份
三羟甲基丙烷三丙烯酸酯 5质量份
Irgacure 379 3质量份
表面活性剂 0.1质量份
甲乙酮 250质量份
(薄膜B的涂膜均匀性评价)
观察从薄膜B的卷的卷绕起点至100m～150m的部分的λ/4相位差层的状态。在观察中，在将作为照明器具的荧光灯型LED设置于顶棚的室内，在表面呈现镜面的铝板上以λ/4相位差层面朝下的方式放置层叠有λ/4相位差层的薄膜B，进而，在其上方以薄膜B的长度方向与偏振板的消光轴方向(吸收轴方向)平行的方式设置偏振板，从上方观察作为圆偏振板的防反射的均匀性，作为涂膜均匀性评价。
◎：在50m中没有不均，是均匀的防反射状态。
○：在50m中存在多处防反射状态略微降低的部位。
△：在50m中存在多处防反射状态明显降低的部位。
×：在50m中频繁存在防反射状态降低的部位。
[表1]
产业上的可利用性
根据本发明，可以提供：保存时、输送时等的卷绕偏移、褶皱的发生被抑制、没有薄膜表面的划痕、薄膜的平面性优异的薄膜。另外，根据本发明，可以提供：将薄膜卷出时的带电量小、涂覆加工为薄膜的情况下涂膜的缩孔少、可以设置直至薄膜的最后为止厚度精度优异的涂膜的薄膜。

Claims (11)

1.一种长条状树脂薄膜，其特征在于，其为卷取为卷状的长条状树脂薄膜，
该长条状树脂薄膜在薄膜宽度的两端部附近进行了滚花加工，对于右侧滚花和左侧滚花的任意者，表层部的每1个滚花的高度(Hnse)与每1个滚花的凸部面积(Anse)之比(Hnse/Anse)均为1.5×10-5～17.5×10-5/μm，
需要说明的是，以观察者正对卷、从卷上部向靠近观察者侧卷出的方式卷出薄膜的情况下，将右侧端部的滚花作为右侧滚花、左侧端部的滚花作为左侧滚花。
2.根据权利要求1所述的长条状树脂薄膜，其中，对于右侧滚花和左侧滚花的任意者，卷芯部的滚花高度(Hnb)均为0.5～4μm。
3.根据权利要求1或2所述的长条状树脂薄膜，其中，对于右侧滚花和左侧滚花的任意者，卷芯部的滚花高度(Hnb)/表层部的滚花高度(Hne)均为0.3～0.9。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的长条状树脂薄膜，其中，表层部的滚花高度(Hne)为1.2～6μm。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的长条状树脂薄膜，其中，
将右侧滚花的卷芯部的滚花高度设为：Hnbr
左侧滚花的卷芯部的滚花高度设为：Hnbl
右侧滚花的表层部的滚花高度设为：Hner
左侧滚花的表层部的滚花高度设为：Hnel的情况下，用(Hnbr-Hnbl)/〔(Hnbr+Hnbl)/2〕求出的卷芯部的左右的滚花高度均匀性的绝对值为0.3以下。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的长条状树脂薄膜，其中，将长条状树脂薄膜的卷绕外表面作为A面、卷绕内表面作为B面的情况下，A面与B面的组成不同。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的长条状树脂薄膜，其中，将长条状树脂薄膜的卷绕外表面作为A面、卷绕内表面作为B面的情况下，A面或B面中的至少一者为涂层。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的长条状树脂薄膜，其为拉伸聚酯薄膜。
9.一种层叠薄膜的制造方法，其包括如下工序：工序(A)，将权利要求1～8中任一项所述的长条状树脂薄膜卷出；和，工序(B)，在卷出的所述长条状树脂薄膜的至少单面涂覆涂覆液。
10.根据权利要求9所述的制造方法，其中，层叠薄膜为偏振片保护薄膜。
11.根据权利要求9所述的制造方法，其中，层叠薄膜用于薄膜层转印。
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