CN118050832A - 保护装置 - Google Patents
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Abstract
本揭示提供一种保护装置，其包括保护基板。保护基板包括防眩结构、低折射率材料层以及高折射率材料层。低折射率材料层设置于防眩结构上。高折射率材料层设置于低折射率材料层上。低折射率材料层与防眩结构以及高折射率材料层接触，且防眩结构的厚度大于或等于100nm且小于或等于300nm。
Description
技术领域
本揭示涉及一种保护装置，尤其涉及一种包含保护基板的保护装置。
背景技术
保护装置可包括具有不同功能的光学结构层的保护基板，保护装置可设置于任何的电子装置上以提升装置的质量，然而如何提升上述不同功能的光学结构层之间或光学结构层与基板之间的结合性以减少剥离现象已成为现今需探讨的项目。
发明内容
根据本揭示的一些实施例提供的保护装置，其包括保护基板。保护基板包括防眩结构、低折射率材料层以及高折射率材料层。低折射率材料层设置于防眩结构上。高折射率材料层设置于低折射率材料层上。低折射率材料层与防眩结构以及高折射率材料层接触，且防眩结构的厚度大于或等于100nm且小于或等于300nm。
根据本揭示的另一些实施例提供的保护装置，其包括保护基板。保护基板包括基板、低折射率材料层以及高折射率材料层。低折射率材料层设置于基板上。高折射率材料层设置于低折射率材料层上。低折射率材料层与基板以及高折射率材料层接触，且基板的厚度大于或等于0.7mm且小于或等于2mm。
附图说明
包含附图以便进一步理解本揭示，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本揭示的实施例，并与描述一起用于解释本揭示的原理。
图1A为本揭示第一实施例的保护装置的局部剖面示意图；
图1B为本揭示第二实施例的保护装置的局部剖面示意图；
图2为本揭示第三实施例的保护装置的局部剖面示意图；
图3为本揭示第四实施例的保护装置的局部剖面示意图；
图4是本揭示的第一实施例的保护装置的制作方法的流程示意图；
图5是本揭示的第二实施例的保护装置的制作方法的流程示意图；
图6是本揭示的第三实施例的保护装置的制作方法的流程示意图；
图7是本揭示的第四实施例的保护装置的制作方法的流程示意图；
图8是本揭示的第五实施例的保护装置的制作方法的流程示意图；
图9是本揭示的第六实施例的保护装置的制作方法的流程示意图。
具体实施方式
现将详细地参考本发明的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同组件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本揭示，须注意的是，为了使读者能容易了解及附图的简洁，本揭示中的多张附图只绘出保护装置的一部分，且附图中的特定组件并非依照实际比例绘图。此外，图中各组件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本揭示的范围。
本揭示通篇说明书与后附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定组件。本领域技术人员应理解，保护装置或电子装置制造商可能会以不同的名称来指称相同的组件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的组件。在下文说明书与权利要求中，“包括”、“含有”、“具有”等词为开放式词语，因此其应被解释为“含有但不限定为…”之意。因此，当本揭示的描述中使用术语“包括”、“含有”和/或“具有”时，其指定了相应的特征、区域、步骤、操作和/或构件的存在，但不排除一个或多个相应的特征、区域、步骤、操作和/或构件的存在。
本文中所提到的方向用语，例如：“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明，而并非用来限制本揭示。在附图中，各附图示出的是特定实施例中所使用的方法、结构和/或材料的通常性特征。然而，这些附图不应被解释为界定或限制由这些实施例所涵盖的范围或性质。举例来说，为了清楚起见，各膜层、区域和/或结构的相对尺寸、厚度及位置可能缩小或放大。
本公开中所叙述的一结构(或层别、组件、基材)位于另一结构(或层别、组件、基材)之上/上方，可以指二结构相邻且直接连接，或是可以指二结构相邻而非直接连接。非直接连接是指二结构之间具有至少一中介结构(或中介层别、中介组件、中介基材、中介间隔)，一结构的下侧表面相邻或直接连接于中介结构的上侧表面，另一结构的上侧表面相邻或直接连接于中介结构的下侧表面。而中介结构可以是单层或多层的实体结构或非实体结构所组成，并无限制。在本公开中，当某结构设置在其它结构“上”时，有可能是指某结构“直接”在其它结构上，或指某结构“间接”在其它结构上，即某结构和其它结构间还夹设有至少一结构。
术语“等于”或“相同”、“实质上”或“大致上”一般解释为在所给定的值或范围的20％以内，或解释为在所给定的值或范围的10％、5％、3％、2％、1％或0.5％以内。
说明书与权利要求中所使用的序数例如“第一”、“第二”等的用词用以修饰组件，其本身并不意含及代表该(或该些)组件有任何之前的序数，也不代表某一组件与另一组件的顺序、或是制造方法上的顺序，该些序数的使用仅用来使具有某命名的组件得以和另一具有相同命名的组件能作出清楚区分。权利要求与说明书中可不使用相同用词，据此，说明书中的第一构件在权利要求中可能为第二构件。
须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本揭示的精神下，可将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。各实施例间特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。
本揭示中所叙述的电性连接或耦接，皆可以指直接连接或间接连接，于直接连接的情况下，两电路上组件的端点直接连接或以一导体线段互相连接，而于间接连接的情况下，两电路上组件的端点之间具有开关、二级管、电容、电感、其他适合的组件，或上述组件的组合，但不限于此。
在本揭示中，厚度、长度、宽度与面积的测量方式可以是采用光学显微镜测量而得，厚度则可以由电子显微镜中的剖面图像测量而得，但不以此为限。另外，任两个用来比较的数值或方向，可存在着一定的误差。若第一值等于第二值，其隐含着第一值与第二值之间可存在着约10％的误差；若第一方向垂直于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于80度至100度之间；若第一方向平行于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于0度至10度之间。应理解的是，根据本揭示实施例，可使用光学显微镜(opticalmicroscope，OM)、扫描式电子显微镜(scanning electron microscope，SEM)、薄膜厚度轮廓测量仪(α-step)、椭圆测厚仪、或其他合适的方式测量各组件的深度、厚度、宽度或高度、或组件之间的间距或距离。根据一些实施例，可使用扫描式电子显微镜取得包含欲测量的组件的剖面结构图像，并测量各组件的深度、厚度、宽度或高度、或组件之间的间距或距离。
本揭示的保护装置可设置于任何的电子装置上，当电子装置为显示装置时，显示装置可为非自发光型显示装置或自发光型显示装置。显示装置可例如包括二级管、液晶(liquid crystal)、发光二级管(light emitting diode，LED)、量子点(quantum dot，QD)、荧光(fluorescence)、磷光(phosphor)、其他适合的显示介质或上述的组合。发光二级管可例如包括有机发光二级管(organic light emitting diode，OLED)、次毫米发光二级管(mini LED)、微型发光二级管(micro LED)或量子点发光二级管(QDLED)，但不以此为限。需注意的是，显示装置可为前述的任意排列组合，但不以此为限。此外，保护装置的外型可为矩形、圆形、多边形、具有弯曲边缘的形状或其他适合的形状。相似的，电子装置的外型可为矩形、圆形、多边形、具有弯曲边缘的形状或其他适合的形状。电子装置可以具有驱动系统、控制系统、光源系统等周边系统。
图1A为本揭示第一实施例的保护装置的局部剖面示意图。
本实施例的保护装置10a可设置于任何的电子装置上，电子装置可例如应用至数字画廊、移动手机、平板电脑、公共信息显示器和/或其馀可在户外或具有高强度的环境光线的环境下使用。在一些实施例中，保护装置可设置于电子装置上，电子装置(未示出)包括有显示面板(未示出)。上述显示面板可包括液晶显示面板、有机发光二级管显示面板、微发光二级管显示面板、反射式显示面板或其它合适的显示面板，本揭示不以此为限。
举例而言，显示面板可包括有基底(未示出)、组件层(未示出)以及显示介质(未示出)。显示面板的基底可例如包括可挠基底或不可挠基底，其中基底的材料可例如包括玻璃、塑胶或其组合。显示面板的组件层例如设置于基底上，且可例如包括电路结构以驱动显示介质。举例而言，显示面板的组件层可包括多条扫描线、多条数据线、绝缘层、电容、多个晶体管和/或多个电极等，但本揭示不以此为限。在一些实施例中，显示面板的组件层可以包括多条线路而不包括晶体管。显示面板的显示介质可例如设置于组件层上。在一些实施例中，显示面板的显示介质可包括多个发光组件，其可发出各种合适的颜色光(例如红光、绿光、蓝光、白光等颜色光)或UV光，但本揭示不以此为限。举例而言，显示面板的显示介质可包括自发光材料，其可包括二级管、有机发光二级管(organic light emitting diode，OLED)、无机发光二级管(inorganic light emitting diode，LED)，例如次毫米发光二级管(mini LED)或微发光二级管(micro LED)、量子点(quantum dot，QD)、量子点发光二级管(QLED、QDLED)、荧光(fluorescence)、磷光(phosphor)、其他适合的材料或上述材料的组合，但不以此为限。在另一些实施例中，显示面板的显示介质可包括非自发光材料，其可包括液晶分子、电泳显示介质或其它合适的显示介质，所述液晶分子为可被垂直电场转动或切换的液晶分子或者是可被横向电场转动或切换的液晶分子，本揭示不以此为限。
须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本公开的精神下，可将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。各实施例间特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。
除非另外定义，在此使用的全部用语(包含技术及科学用语)具有与本公开所属技术领域的技术人员通常理解的相同涵义。能理解的是，这些用语例如在通常使用的字典中定义用语，应被解读成具有与相关技术及本公开的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在本公开实施例有特别定义请参照图1A，在本实施例中，保护装置10a包括保护基板CG。在一些实施例中，保护基板CG包括基板SB、防眩结构AG、低折射率材料层BF1以及高折射率材料层HR1，但不限于此。
在一些实施例中，基板SB的材料可包括玻璃，陶瓷、有机材料或无机材料或其他合适材料。在一些实施例中，基板SB的材料可包括可例如包括树脂、压克力或其余合适的有机材料。在一些实施例中，基板SB的厚度TSB大于或等于0.7mm且小于或等于2mm(0.7nm≤TSB≤2nm)，但不限于此。在一些实施例中，基板SB的厚度TSB大于或等于0.8mm且小于或等于1.8mm(0.8nm≤TSB≤1.8nm)。在一些实施例中，基板SB的厚度TSB大于或等于0.9mm且小于或等于1.6mm(0.9nm≤TSB≤1.6nm)。在一些实施例中，基板SB的厚度TSB大于或等于1mm且小于或等于1.5mm(1nm≤TSB≤1.5nm)。
防眩结构AG例如设置于基板SB上，且例如具有粗糙的表面(未示出)。基于此，防眩结构AG可例如用以降低眩光，以提升用户观赏保护装置10a的舒适性。在一些实施例中，防眩结构AG可通过涂布工艺而形成，包括喷雾涂布工艺或其他合适方式所形成，但不以此为限。防眩结构AG的材料可例如包括树脂及多个微粒，树脂可包括光固化树脂、热固化树脂或其组合，且多个微粒包括无机粒子、有机粒子或其组合，但不限于此。防眩结构AG包括的多个微粒可例如在防眩结构AG远离基板SB的表面AG_S1上形成有多个不规则凸起(未示出)，以使其具有抗眩性，但不限于此。在一些实施例中，防眩结构AG的厚度TAG大于或等于100nm且小于或等于300nm(100nm≤TAG≤300nm)，但不限于此。在一些实施例中，防眩结构AG的厚度TAG大于或等于120nm且小于或等于250nm(120nm≤TAG≤250nm)。在一些实施例中，防眩结构AG的厚度TAG大于或等于150nm且小于或等于250nm(150nm≤TAG≤250nm)。在一些实施例中，防眩结构AG的厚度TAG大于或等于180nm且小于或等于220nm(180nm≤TAG≤220nm)。
在一些实施例中，低折射率材料层BF1例如设置于防眩结构AG上。在本实施例中，低折射率材料层BF1与防眩结构AG的远离基板SB的表面AG_S1接触，低折射率材料层BF1可作为防眩结构AG与其它邻近防眩结构AG的层别(例如后续的高折射率材料层HR1)之间的中间层。在一些实施例中，低折射率材料层BF1包括在可见光照射下(例如波长550nm的可见光下)其折射率大于1且小于或等于1.6以下的材料。举例而言，低折射率材料层BF1的材料可包括氧化硅(SiOx，x≥1)或其它合适的材料，但不以此为限。在一些实施例中，低折射率材料层BF1的厚度TBF1大于或等于10nm且小于或等于200nm(10nm≤TBF1≤200nm)，但不限于此。在一些实施例中，低折射率材料层BF1的厚度TBF1大于或等于10nm且小于或等于150nm(10nm≤TBF1≤150nm)。在一些实施例中，低折射率材料层BF1的厚度TBF1大于或等于10nm且小于或等于100nm(10nm≤TBF1≤100nm)。在一些实施例中，低折射率材料层BF1的厚度TBF1大于或等于10nm且小于或等于50nm(10nm≤TBF1≤50nm)。在一些实施例中，低折射率材料层BF1的厚度TBF1大于或等于10nm且小于或等于30nm(10nm≤TBF1≤30nm)。
在一些实施例中，高折射率材料层HR1例如设置于低折射率材料层BF1上。在本实施例中，低折射率材料层BF1与高折射率材料层HR1的靠近基板SB的表面HR1_S1接触，低折射率材料层BF1可作为高折射率材料层HR1与其它邻近高折射率材料层HR1的层别(例如防眩结构AG)之间的中间层。在保护装置10a的法线方向n上，低折射率材料层BF1设置于防眩结构AG上，高折射率材料层HR1设置于低折射率材料层BF1上，即低折射率材料层BF1设置于防眩结构AG与高折射率材料层HR1之间，且与防眩结构AG与高折射率材料层HR1接触。在一些实施例中，高折射率材料层HR1的厚度THR1大于或等于10nm且小于或等于50nm(10nm≤THR1≤50nm)，但不限于此。在一些实施例中，高折射率材料层HR1的厚度THR1大于或等于10nm且小于或等于40nm(10nm≤THR1≤40nm)。在一些实施例中，高折射率材料层HR1的厚度THR1大于或等于10nm且小于或等于30nm(10nm≤THR1≤30nm)。
在一些实施例中，低折射率材料层BF1的厚度TBF1与防眩结构AG的厚度TAG的比值大于或等于0.033且小于或等于2，但不限于此。在一些实施例中，低折射率材料层BF1的厚度TBF1与防眩结构AG的厚度TAG的比值大于或等于0.033且小于或等于1.8。在一些实施例中，低折射率材料层BF1的厚度TBF1与防眩结构AG的厚度TAG的比值大于或等于0.033且小于或等于1.5。在一些实施例中，低折射率材料层BF1的厚度TBF1与防眩结构AG的厚度TAG的比值大于或等于0.033且小于或等于1.2。
在一些实施例中，低折射率材料层BF1的厚度TBF1与高折射率材料层HR1的厚度THR1的比值大于或等于0.2且小于或等于20，但不限于此。在一些实施例中，低折射率材料层BF1的厚度TBF1与高折射率材料层HR1的厚度THR1的比值大于或等于0.2且小于或等于18。在一些实施例中，低折射率材料层BF1的厚度TBF1与高折射率材料层HR1的厚度THR1的比值大于或等于0.2且小于或等于15。在一些实施例中，低折射率材料层BF1的厚度TBF1与高折射率材料层HR1的厚度THR1的比值大于或等于0.2且小于或等于10。在一些实施例中，低折射率材料层BF1的厚度TBF1与高折射率材料层HR1的厚度THR1的比值大于或等于0.2且小于或等于8。在厚度TBF1、厚度TAG和/或厚度THR1的比值设计介于上述范围时，可增加防眩结构AG与低折射率材料层BF1之间的结合性，或增加低折射率材料层BF1与高折射率材料层HR1之间的结合性，借此提升保护装置10a的可靠度，降低个膜层之间发生剥离。
在一些实施例中，保护装置10a包括有抗反射层AR，抗反射层AR设置于低折射率材料层BF1上，其中抗反射层AR包括多个高折射率子层(例如高折射率子层HR1、HR2和/或HR3，但不限于此)以及多个低折射率子层(例如低折射率子层LR1、LR2和/或LR3，但不限于此)，多个高折射率子层中的一者(例如高折射率子层HR1)为上述高折射率材料层(与低折射率材料层BF1接触的高折射率材料层)。低折射率材料层BF1在保护装置10a的法线方向n上设置于防眩结构AG与抗反射层AR之间。抗反射层AR可用于减少来自外界的环境光线的反射率，以提升保护装置10a显示的图像质量。
在一些实施例中，抗反射层AR例如包括交互堆叠的高折射率子层(例如高折射率子层HR1、HR2和/或HR3，但不限于此)与低折射率子层LR(例如低折射率子层LR1、LR2和/或LR3，但不限于此)，且多个高折射率子层HR与多个低折射率子层LR的子层总合的数量可例如大于或等于4，例如6，但本揭示不以此为限。举例而言，如图1A所示出，抗反射层AR可例如包括高折射率子层HR与低折射率子层LR相互交叠的六层膜层，但不以此为限。在一些实施例中，抗反射层AR例如包括偶数子层，但不限于此。在其它实施例中(未示出)，抗反射层AR例如包括奇数子层。高折射率子层和/或低折射率子层的形成方法可例如包括利用物理气相沉积法来形成，其可例如利用蒸镀法、离子镀复法、溅镀镀复法或其他合适的方法来形成，但不以此为限。在一些实施例中，高折射率子层HR包括在可见光照射下(例如波长550nm的可见光下)其折射率大于或等于1.9的材料。举例而言，高折射率子层HR的材料可包括氧化铌(Nb2O5)、其他适合的氧化物或者其组合，其馀氧化物可例如是氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化钽(Ta2O5)，本揭示不以此为限。另外，在一些实施例中，低折射率子层LR包括在可见光照射下(例如波长550nm的可见光下)其折射率大于1且小于或等于1.6以下的材料。举例而言，低折射率子层LR的材料可包括氧化硅(SiOx，x≥1)或其它合适材料，但不以此为限。
在本实施例中，抗反射层AR举例包括在保护装置10a的法线方向n上以此顺序堆栈的高折射率材料层HR1、低折射率材料层LR1、高折射率材料层HR2、低折射率材料层LR2、高折射率材料层HR3以及低折射率材料层LR3，但不限于此。
在一些实施例中，低折射率材料层LR1的厚度TLR1大于或等于10nm且小于或等于50nm(10nm≤TLR1≤50nm)、或大于或等于10nm且小于或等于30nm(10nm≤TLR1≤30nm)，但不限于此。在一些实施例中，高折射率材料层HR2的厚度THR2大于或等于10nm且小于或等于120nm(10nm≤THR2≤120nm)、或大于或等于10nm且小于或等于100nm(10nm≤THR2≤100nm)，但不限于此。在一些实施例中，低折射率材料层LR2的厚度TLR2大于或等于10nm且小于或等于120nm(10nm≤TLR2≤120nm)、或大于或等于10nm且小于或等于100nm(10nm≤TLR2≤100nm)，但不限于此。在一些实施例中，高折射率材料层HR3的厚度THR3大于或等于10nm且小于或等于120nm(10nm≤THR3≤120nm)、或大于或等于10nm且小于或等于100nm(10nm≤THR3≤100nm)，但不限于此。在一些实施例中，且低折射率材料层LR3的厚度TLR3大于或等于70nm且小于或等于120nm(70nm≤TLR3≤120nm)、或大于或等于70nm且小于或等于100nm(70nm≤TLR3≤100nm)，但不限于此。抗反射层AR包括的各层的厚度可例如利用穿透式电子显微镜观察且利用椭偏仪测量而获得，但不以此为限。抗反射层AR包括的各层的厚度亦可通过其它测量厚度的仪器测量。
在一些实施例中，低折射率材料层BF1的厚度TBF1与抗反射层AR的厚度TAR的比值大于或等于0.017且小于或等于1.6，但不限于此。在一些实施例中，低折射率材料层BF1的厚度TBF1与抗反射层AR的厚度TAR的比值大于或等于0.02且小于或等于1.2。在一些实施例中，低折射率材料层BF1的厚度TBF1与抗反射层AR的厚度TAR的比值大于或等于0.05且小于或等于1.4，但不限于此。在一些实施例中，防眩结构AG的厚度TAG与抗反射层AR的厚度TAR的比值大于或等于0.1且小于或等于2.5，但不限于此。在一些实施例中，防眩结构AG的厚度TAG与抗反射层AR的厚度TAR的比值大于或等于0.2且小于或等于2。在一些实施例中，防眩结构AG的厚度TAG与抗反射层AR的厚度TAR的比值大于或等于0.3且小于或等于1.5。在抗反射层AR的厚度TAR与低折射率材料层BF1的厚度TBF1和/或防眩结构AG的厚度TAG的比值设计介于上述范围时，可经由低折射率材料层BF1以增加防眩结构AG与抗反射层AR的结合性，降低各层之间发生剥离，借此可提升保护装置10a的可靠度。
请继续参照图1A，在一些实施例中，保护装置10a还可包括另一低折射率材料层BF2。在保护装置10a的法线方向n上，低折射率材料层BF2例如设置于基板SB与防眩结构AG之间，且与SB基板以及防眩结构AG接触。在本实施例中，低折射率材料层BF2与防眩结构AG的靠近基板SB的表面AG_S2以和/或基板SB的靠近防眩结构AG的表面SB_S1接触，以作为防眩结构AG与基板SB之间的中间层。低折射率材料层BF2的材料、折射率、或是厚度可例如与低折射率材料层BF1相同或相似，但不以此为限。在一些实施例中，低折射率材料层BF2包括在可见光照射(550nm下)下其折射率大于1且小于或等于1.6的材料。举例而言，低折射率材料层BF2的材料可包括氧化硅(SiOx，x≥1)或其他合适材料，但不以此为限。在一些实施例中，低折射率材料层BF2的厚度TBF2大于或等于10nm且小于或等于200nm(10nm≤TBF2≤200nm)，但不限于此。在一些实施例中，低折射率材料层BF2的厚度TBF2大于或等于10nm且小于或等于150nm(10nm≤TBF2≤150nm)。在一些实施例中，低折射率材料层BF2的厚度TBF2大于或等于10nm且小于或等于120nm(10nm≤TBF2≤120nm)。在一些实施例中，低折射率材料层BF2的厚度TBF2大于或等于10nm且小于或等于80nm(10nm≤TBF2≤80nm)。在一些实施例中，低折射率材料层BF2的厚度TBF2大于或等于10nm且小于或等于30nm(10nm≤TBF2≤30nm)。在一些实施例中，低折射率材料层BF1的厚度TBF1与低折射率材料层BF2的厚度TBF2可例如相同或不同。
请继续参照图1A，在一些实施例中，保护装置10a还可包括抗污层AS。抗污层AS例如设置于抗反射层AR的远离基板SB的表面AR_S1上，抗污层AS可例如用以减少来自外界环境的污染的影响。抗污层AS可包括防尘、抗刮伤和/或防水气侵入等效果但不以此为限。在一些实施例中，抗污层AS的厚度TAS可介于3nm至8nm之间(3nm≤TAS≤8nm)，但不以此为限。在一些实施例中，抗污层AS的厚度TAS可介于3.5nm至7.5nm之间(3.5nm≤TAS≤7.5nm)。在一些实施例中，抗污层AS的厚度TAS可介于4nm至7nm之间(4nm≤TAS≤7nm)。
请继续参照图1A，在一些实施例中，保护装置10a可包括装饰层BM。装饰层BM例如设置于基板SB的远离防眩结构AG的表面SB_S2上，或者装饰层BM可例如设置于保护基板CG与显示面板(未示出)之间，但不限于此，装饰层BM可用以遮蔽在显示面板的周边区中设置的走线、电子组件或其余构件，但不以此为限。在本实施例中，装饰层BM可包括至少一层装饰子层。举例而言，装饰层BM可包括两层装饰子层，例如包括装饰子层BM1及装饰子层BM2，但不限于此。在一些实施例中，装饰子层BM1和/或装饰子层BM2可例如具有遮光或滤光特性，例如包括色阻、油墨、光阻、其它合适材料或上述的组合，但不限于此。在一些实施例中，装饰子层BM1和/或装饰子层BM2可例如选用不同的材料，举例两者可为不同颜色的色阻或不同遮光率的子层，但不以此为限。在一些实施例中，装饰子层BM1及装饰子层BM2可包括相同材料，但于不同的制程下所形成。在另一些实施例中，装饰层BM可选择性地包括更多或更少的装饰子层。在一些实施例中，装饰子层BM1和/或装饰子层BM2各自具有的厚度TBM1以及厚度TBM2，厚度TBM1和/或厚度TBM2可例如介于4nm至20nm之间(4nm≤TBM1≤20nm；4nm≤TBM2≤20nm)，但不以此为限。在一些实施例中，厚度TBM1和/或厚度TBM2可例如介于5nm至18nm之间(5nm≤TBM1≤18nm；5nm≤TBM2≤18nm)。在一些实施例中，厚度TBM1和/或厚度TBM2可例如介于7nm至16nm之间(7nm≤TBM1≤16nm；7nm≤TBM2≤16nm)。在一些实施例中，厚度TBM1和/或厚度TBM2可例如介于8nm至15nm之间(8nm≤TBM1≤15nm；8nm≤TBM2≤15nm)。在一些实施例中，厚度TBM1以及厚度TBM2可以相同或不同。
在一些实施例中，装饰层BM的轮廓可例如成环状设计，即装饰层BM可沿着基板SB的边缘设置，但不限于此。在其它实施例中，装饰层BM的轮廓可例如成其它形状的设计。在一些实施例中，在保护装置10a的法线方向n上，装饰层BM可未重叠或部分重叠显示面板(未示出)的显示区(未示出)，但不以此为限。
本实施例的保护装置10a包括有低折射率材料层BF1，低折射率材料层BF1设置于防眩结构AG与高折射率材料层HR1之间，且低折射率材料层BF1与防眩结构AG以及高折射率材料层HR1接触。通过使本实施例的保护装置10a具有上述设计中间层，使得防眩结构AG与高折射率材料层HR1(或抗反射层AR)之间不易产生剥离现象，提升保护基板CG的品质表现，进而提升保护装置10a的可靠度。
图1B为本揭示第二实施例的保护装置的局部剖面示意图。须说明的是，图1B的实施例可沿用图1A的实施例的组件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的组件，并且省略相同技术内容的说明。
请参照图1B，本实施例的保护装置10b与上述的保护装置10a的主要差异在于：保护装置10b中的保护基板CG’包括抗反射层AR’，抗反射层AR’还包括至少一中折射率子层(例如中折射率子层MR1、中折射率子层MR2和/或中折射率子层MR3)，中折射率子层设置于多个高折射率子层中的一者与低折射率子层中的一者之间。中折射率子层(例如中折射率子层MR1、中折射率子层MR2和/或中折射率子层MR3)的形成方法可例如是利用物理气相沉积法来形成，其可例如利用蒸镀法、离子镀覆法、溅镀镀覆法或其他合适的方法来形成，但不以此为限。在一些实施例中，中折射率子层MR包括在可见光(波长550nm)照射下其折射率大于1.6且小于1.9的材料。举例而言，中折射率子层MR的材料可包括氮化硅、氧化铝或氮氧化硅，但不以此为限。
在本实施例中，抗反射层AR’可包括在保护装置10b的法线方向n上以此顺序堆栈的高折射率材料层HR1、中折射率材料层MR1、低折射率材料层LR1、高折射率材料层HR2、中折射率材料层MR2、低折射率材料层LR2、高折射率材料层HR3、中折射率材料层MR3以及低折射率材料层LR3，但不限于此。基于此，抗反射层AR’可例如包括高折射率子层、中折射率子层及低折射率子层相互交叠的九层膜层，但不以此为限，上述高折射率子层、中折射率子层及低折射率子层的排列方式可根据需求而调整。在一些实施例中(未示出)，可省略上述其中一个层或选择性加入其它层。
同前述，上述些低折射率材料层包括在可见光照射下(例如波长550nm的可见光下)的折射率大于1且小于或等于1.6的材料。同前述，上述些高折射率材料层包括在可见光照射下(例如波长550nm的可见光下)的折射率大于或等于1.9的材料。同前述，上述些中折射率材料层包括在可见光照射下(例如波长550nm的可见光下)的折射率大于1.6且小于1.9的材料。
上述些低折射率材料层可选择性选性相同或不相同的材料。上述些高折射率材料层可选择性选性相同或不相同的材料。上述些中折射率材料层可选择性选性相同或不相同的材料。
在一些实施例中，中折射率材料层MR1的厚度TMR1、中折射率材料层MR2的厚度TMR2和/或中折射率材料层MR3的厚度TMR3大于或等于10nm且小于或等于120nm(10nm≤TMR1≤120nm；10nm≤TMR2≤120nm；10nm≤TMR3≤120nm)，但不限于此。在一些实施例中，中折射率材料层MR1的厚度TMR1、中折射率材料层MR2的厚度TMR2和/或中折射率材料层MR3的厚度TMR3大于或等于20nm且小于或等于100nm(20nm≤TMR1≤100nm；20nm≤TMR2≤100nm；20nm≤TMR3≤100nm)，但不限于此。在一些实施例中，中折射率材料层MR1的厚度TMR1、中折射率材料层MR2的厚度TMR2和/或中折射率材料层MR3的厚度TMR3大于或等于20nm且小于或等于80nm(20nm≤TMR1≤80nm；20nm≤TMR2≤80nm；20nm≤TMR3≤80nm)，但不限于此。在一些实施例中，中折射率材料层MR1的厚度TMR1、中折射率材料层MR2的厚度TMR2和/或中折射率材料层MR3的厚度TMR3可例如彼此相同或至少两者间不同。
本实施例的保护装置10b包括低折射率材料层BF1，低折射率材料层BF1可设置于防眩结构AG与高折射率材料层HR1之间，且低折射率材料层BF1与防眩结构AG及高折射率材料层HR1接触。通过使本实施例的保护装置10b具有上述设计的低折射率材料层BF1，低折射率材料层BF1可作为防眩结构AG与高折射率材料层HR1(或者抗反射层AR)之间的中间层，使得防眩结构AG与高折射率材料层HR1(或者抗反射层AR)之间不易产生剥离的现象，进而提升保护装置10b的可靠度。
本实施例的保护装置10b包括低折射率材料层BF2，低折射率材料层BF2可设置于防眩结构AG与基板SB之间，且低折射率材料层BF2与防眩结构AG及基板SB接触。通过使本实施例的保护装置10b具有上述设计的低折射率材料层BF2，低折射率材料层BF2可作为防眩结构AG与基板SB之间的中间层，使得防眩结构AG与基板SB之间不易产生剥离的现象，进而提升保护装置10b的可靠度。
图2为本揭示第三实施例的保护装置的局部剖面示意图。须说明的是，图2的实施例可沿用图1A的实施例的组件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的组件，并且省略相同技术内容的说明。
请参照图2，本实施例的保护装置10c与上述的保护装置10a的主要差异在于：保护装置10c中的保护基板CG”未包括防眩结构AG及低折射率材料层BF2。
详细地说，保护装置10c中的保护基板CG”包括基板SB、低折射率材料层BF1以及高折射率材料层HR1，其中低折射率材料层BF1例如设置于基板SB上，高折射率材料层HR1设置于低折射率材料层BF1上，即低折射率材料层BF1例如设置于基板SB与高折射率材料层HR1之间。在本实施例中，低折射率材料层BF1与基板SB以及高折射率材料层HR1接触，以作为高折射率材料层HR1(或者抗反射层AR)与基板SB之间的中间层。详细来说在，低折射率材料层BF1与高折射率材料层HR1的靠近基板SB的表面HR1_S1以及基板SB的表面SB_S1接触，以作为高折射率材料层HR1(或者抗反射层AR)与基板SB之间的中间层，使得基板SB与高折射率材料层HR1(或者抗反射层AR)之间不易产生剥离的现象，进而提升保护装置10c的可靠度。
图3为本揭示第四实施例的保护装置的局部剖面示意图。须说明的是，图3的实施例可沿用图1A的实施例的组件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的组件，并且省略相同技术内容的说明。
请参照图3，本实施例的保护装置10d与上述的保护装置10a的主要差异在于：保护装置10d中的保护基板CG”’包括防眩层AGL、抗反射层AR与抗污层AS中的至少一者，且其可被整合为光学组件OU。
在本实施例中，光学组件OU在保护装置10d的法线方向n上可依序包括黏合层AL、承载基板BS、防眩层AGL、低折射率材料层BF1、抗反射层AR和/或抗污层AS，但不以此为限。在一些实施例中(未示出)，光学组件OU可未包括抗反射层AR和/或抗污层AS。在一些实施例中(未示出)，光学组件OU可于上述层别中选择性插入或移除适当的层别。
在一些实施例中，承载基板BS包括表面BS_S1以及与其相对的表面BS_S2，承载基板BS可例如用以承载设置于其上的膜层，承载基板BS的表面BS_S2可例如通过黏合层AL与基板SB的表面SB_S1黏合。在一些实施例中，承载基板BS的厚度TBS可例如大于或等于60nm且小于或等于80nm，(60nm≤TBS≤80nm)、大于或等于62nm且小于或等于78nm(62nm≤TBS≤78nm)或大于或等于65nm且小于或等于75nm(65nm≤TBS≤75nm)，但不以此为限。在一些实施例中，黏合层AL的厚度TAL可例如大于或等于15nm且小于或等于20nm(15nm≤TAL≤20nm)、大于或等于15.5nm且小于或等于19.5nm(15.5nm≤TAL≤19.5nm)或大于或等于16nm且小于或等于19nm(16nm≤TAL≤19nm)，但不以此为限。
在一些实施例中，承载基板BS的材料可包括三醋酸纤维素(triacetatecellulose；TAC)或聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate；PET)，但不以此为限。在一些实施例中，黏合层AL的材料可例如包括感压胶(pressure sensitiveadhesive；PSA)，但不以此为限。在一些实施例中，设置于承载基板BS上的防眩层AGL可例如通过黏合层AL与基板SB黏合，此时保护装置10d中的防眩层AGL与基板SB之间可选择性不设置低折射率材料层BF2，但不限于此。
在一些实施例中，防眩层AGL例如设置于承载基板BS的表面BS_S1上。在一些实施例中，防眩层AGL的厚度TAGL可例如大于或等于2um且小于或等于10um，(2um≤TAGL≤10um)、大于或等于2.5um且小于或等于9.5um，(2.5um≤TAGL≤9.5um)或大于或等于3um且小于或等于9um，(3um≤TAGL≤9um)或大于或等于4um且小于或等于8um，(4um≤TAGL≤8um)，但不以此为限。在一些实施例中，防眩层AGL可包括硬涂层(未示出)以及分布于其中的多个微粒(未示出)，硬涂层的材料包括可固化树脂(例如是光固化树脂或热固化树脂)，且多个微粒的材料包括无机粒子、有机粒子或其组合，但不限于此。
于本实施例的保护装置10d，将低折射率材料层BF1设置于防眩层AGL与高折射率材料层HR1之间，且低折射率材料层BF1与防眩层AGL及高折射率材料层HR1接触，使得防眩层AGL与高折射率材料层HR1(或者抗反射层AR)之间不易产生剥离的现象，进而提升保护装置10d的可靠度。
图4是本揭示的第一实施例的保护装置的制作方法的流程示意图。
请参照图4，其介绍包括以下步骤的保护装置20a的制作流程示意图，但本揭示不以此为限。
步骤(1)：提供母板MB。母板MB的材料可与前述实施例的基板SB的材料相似，于此不再赘述。
步骤(2)：对母板MB进行切割工艺CP，以形成多个基板SBa。在一些实施例中，切割工艺CP可包括进行激光(例如激光)切割工艺、刀轮切割工艺或其组合，本揭示不以此为限。
步骤(3)：对基板SBa进行磨边工艺GP，以形成磨边后的基板SBb。在本实施例中，通过磨边工艺GP可去除因切割工艺CP在基板SBa上产生的裂痕或缺陷，或降低经切割工艺后之基板SBa边的尖锐角，以提升基板SBb的强度和/或可靠度，但不限于此。
步骤(4)：对基板SBb进行强化(例如化学强化或其他强化方式)工艺CSP，以形成经强化后的基板SBc，但不限于此。
步骤(5)：对基板SBc进行清洗工艺WP，例如可移除前述工艺时所产生的污物等而形成基板SB。在一些实施例中，可将基板SBc放入容纳有水性洗涤液WD的容器中，水性洗涤液WD可例如包括有界面活性剂，但不以此为限。在一些实施例中，水性洗涤液WD包括pH值介于9-16的碱性洗涤液、9-14的碱性洗涤液、11-14的碱性洗涤液、10-16的碱性洗涤液，但不以此为限。在一些实施例中，水性洗涤液WD的温度介于30℃-80℃或40℃-70℃，但不以此为限。在一些实施例中，可对放入容器中的基板SBc进行超音波清洗工艺，但不以此为限。在一些实施例中，通过清洗工艺WP可使基板SB具有更佳的亲水性，提升基板SB与其余膜层的结合性。
步骤(6)：在基板SB(例如表面SB_S1)上形成低折射率材料层BF2。在一些实施例中，可通过物理气相沉积法以形成低折射率材料层BF2，可例如利用蒸镀法、离子镀覆法、溅镀镀覆法或其他合适的方法(例如喷墨打印)来形成，但不以此为限。在一些实施例中，通过溅镀工艺以形成低折射率材料层BF2，在溅镀工艺中使用的功率可为8kW-30kW、11kW-27kW或10kW-25kW，但不以此为限。低折射率材料层BF1的材料、厚度与折射率可参照前述实施例，于此不再赘述。
步骤(7)：在低折射率材料层BF2上形成防眩结构AG。在一些实施例中，可通过先在低折射率材料层BF2上进行涂布工艺涂，涂布工艺可包括喷雾涂布工艺、其他合适方法(例如喷墨打印)，但不以此为限。防眩结构AG的材料、厚度与折射率可参照前述实施例，于此不再赘述。
步骤(8)：在基板SB(例如表面SB_S2)上形成装饰层BM。在一些实施例中，可通过镀膜工艺、涂布工艺、网印工艺、其他合适方法(例如喷墨打印)或上述的组合在基板SB上形成装饰层BM，但不以此为限。装饰层BM的材料与厚度可参照前述实施例，于此不再赘述。
步骤(9)：在防眩结构AG的表面AG_S2上形成低折射率材料层BF1。在一些实施例中，可通过物理气相沉积法形成低折射率材料层BF1，其可例如利用蒸镀法、离子镀覆法、溅镀镀覆法或其他合适(例如喷墨打印)的方法来形成，但不以此为限。低折射率材料层BF1的材料、厚度与折射率可参照前述实施例，于此不再赘述。
步骤(10)：在低折射率材料层BF1上依序形成抗反射层AR及抗污层AS，但不限于此，可选择性省略任一层或增加其它层。在一些实施例中，可通过蒸镀工艺、离子镀覆工艺、溅镀工艺或其他合适的工艺(例如喷墨打印)在低折射率材料层BF1上形成抗反射层AR，但不以此为限。在本实施例中，通过溅镀工艺以形成抗反射层AR，在溅镀工艺中形成高折射率子层时使用的功率可例如为5kW-20kW或7kW-18kW，且形成低折射率子层时使用的功率可例如为10kW-25kW或11kW-23kW，但不以此为限，通过上述功率例如提高所形成的各膜层的致密性或附着力。抗反射层AR的材料、厚度与折射率可参照前述实施例，于此不再赘述。在一些实施例中，可通过涂布工艺、喷涂工艺、网印工艺或其余合适的工艺在抗反射层AR上形成抗污层AS，但不以此为限。抗污层AS的厚度可参照前述实施例，于此不再赘述。
值得说明的是，步骤(5)至步骤(10)的相邻二步骤之间可选择性地进行等离子体清洗工艺，在等离子体清洗工艺中使用的功率可例如为450W-2000W或500W-1800W，但不以此为限。在本实施例中，通过进行等离子体清洗工艺可例如使基板SB具有更佳的亲水性，以提升基板SB与其余膜层的结合性。
另外，步骤(8)中形成装饰层BM不限于在步骤(7)之后进行，其可在步骤(5)、步骤(6)、步骤(9)或步骤(10)之后进行，但不以此为限。
图5是本揭示的第二实施例的保护装置的制作方法的流程示意图。须说明的是，图5的实施例可沿用图4的实施例的组件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的组件，并且省略相同技术内容的说明。
请参照图5，本实施例的保护装置20b的制作方法与上述的保护装置20保护装置20a的制作方法的主要差异在于：保护装置20b为弯曲保护装置。
详细地说，本实施例的保护装置20b的制作方法还包括进行步骤(3.5)，步骤(3.5)可介于步骤(3)与步骤(4)之间，但不限于此。
在步骤(3.5)中，对在步骤(3)中形成的磨边后的基板SBb进行弯曲工艺TP，以形成经弯曲的基板SBb’，图5中的基板SBb弯曲的方式仅为举例，可根据需求弯曲成其它外型(例如部分平坦部分弯折型、波浪型、L型或其他具有弧边或转折的外型。在一些实施例中，弯曲工艺TP例如通过热弯方式以使基板SBb可被弯曲至所欲形状，而形成经弯曲的基板SBb’，但不以此为限，在其他实施例亦可通过其他方式(例如冷弯方式弯曲)。之后，可进行步骤(4)对经弯曲的基板SBb’进行强化(例如化学强化或其他强化方式)工艺CSP，以形成经强化后的基板SBc’；且可进行步骤(5)对经强化后的基板SBc’进行清洗工艺WP，以形成基板SB’。
在本实施例中，步骤(9)中的形成低折射率材料层BF1先于步骤(8)中的形成装饰层BM进行，但不以此为限。后续，例如进行步骤(10)，即在低折射率材料层BF1上依序形成抗反射层AR及抗污层AS，但不限于此。须注意的是，内文提及步骤的顺序并非是一定须按照步骤(1)至步骤(N)的顺序。
图6是本揭示的第三实施例的保护装置的制作方法的流程示意图。须说明的是，图6的实施例可沿用图4的实施例的组件标号与部分内容，采用相同或近似的标号来表示相同或近似的组件，并且省略相同技术内容的说明。
请参照图6，本实施例的保护装置20c的制作方法与上述的保护装置20保护装置20a的制作方法的主要差异在于：保护装置20c中的防眩结构AG例如是通过进行蚀刻工艺(或激光工艺)而形成。
详细地说，本实施例的保护装置20b的制作方法还包括进行步骤(1.5)，其中步骤(1.5)可介于步骤(1)与步骤(2)之间，但不限于此。
在步骤(1.5)中，对在步骤(1)中提供的母板MB进行蚀刻工艺(或激光工艺)EP，以使母板MBa的表面形成防眩结构AG’。在一些实施例中，可通过湿式蚀刻工艺使母板MBa具有粗糙表面的防眩结构AG’，在湿式蚀刻工艺中例如使用的蚀刻液包括氢氟酸，但不以此为限。之后，可对经蚀刻的母板MBa进行步骤(2)中的切割工艺CP，以形成包括防眩结构AG’的多个基板SBa，但不以此为限。在此情况下，本实施例的保护装置20c的制作方法可不选择性进行步骤(6)中的在基板SB(例如表面SB_S1)上形成低折射率材料层BF2和/或步骤(7)中的在低折射率材料层BF2上形成防眩结构AG。须注意的是，内文提及步骤的顺序并非是一定须按照步骤(1)至步骤(N)的顺序。
图7是本揭示的第四实施例的保护装置的制作方法的流程示意图。须说明的是，图7的实施例可沿用图6的实施例的组件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的组件，并且省略相同技术内容的说明。
请参照图7，本实施例的保护装置20d的制作方法与上述的保护装置20c的制作方法的主要差异在于：保护装置20d为弯曲保护装置。
详细地说，本实施例的保护装置20d的制作方法还包括进行步骤(3.5)，其中步骤(3.5)可介于步骤(3)与步骤(4)之间，但不限于此。
在步骤(3.5)中，对在步骤(3)中形成的磨边后的基板SBb进行弯曲工艺TP，以形成经弯曲的基板SBb’。在一些实施例中，弯曲工艺TP的方式可参考前述图5。之后，可进行步骤(4)对经弯曲的基板SBb’进行强化(例如化学强化或其他强化方式)工艺CSP或其他强化基板的工艺，以形成经强化后的基板SBc’；且可进行步骤(5)对经强化后的基板SBc’进行清洗工艺WP，以形成基板SB’。
在本实施例中，步骤(9)中的形成低折射率材料层BF1例如先于步骤(8)中的形成装饰层BM进行，但不以此为限。须注意的是，内文提及步骤的顺序并非是一定须按照步骤(1)至步骤(N)的顺序。
图8是本揭示的第五实施例的保护装置的制作方法的流程示意图。须说明的是，图8的实施例可沿用图4的实施例的组件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的组件，并且省略相同技术内容的说明。
请参照图8，本实施例的保护装置20e的制作方法与上述的保护装置20保护装置20a的制作方法的主要差异在于：保护装置20e中的防眩结构AG”、抗反射层AR与抗污层AS中的至少一者可例如被整合为光学组件OU。
详细地说，保护装置20e的制作方法包括步骤(1)至步骤(5)、步骤(8)以及步骤(A)，其中步骤(1)至步骤(5)以及步骤(8)可参照前述实施例，于此不再赘述。
步骤(1)：提供母板MB。母板MB的材料可与前述实施例的基板SB的材料相似，于此不再赘述。
步骤(2)：对母板MB进行切割工艺CP，以形成多个基板SBa。
步骤(3)：对基板SBa进行磨边工艺GP，以形成磨边后的基板SBb。
步骤(4)：对基板SBb进行强化(例如化学强化或其他强化方式)工艺CSP，以形成经强化后的基板SBc，但不限于此。
步骤(5)：对基板SBc进行清洗工艺WP，例如可移除前述工艺时所产生的污物等而形成基板SB。
步骤(8)：在基板SB(例如表面SB_S2)上形成装饰层BM。
另外，在步骤(A)中，可在基板SB(例如表面SB_S1)上形成光学组件OU，光学组件OU，光学组件OU包括前述的黏合层AL，光学组件OU通过黏合层AL与基板SB黏合。光学组件OU的具体结构可参照前述实施例，于此不再赘述。须注意的是，步骤(8)或步骤(A)可根据需求调换顺序。
图9是本揭示的第六实施例的保护装置的制作方法的流程示意图。须说明的是，图9的实施例可沿用图8的实施例的组件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的组件，并且省略相同技术内容的说明。
请参照图9，本实施例的保护装置20f的制作方法与上述的保护装置20e的制作方法的主要差异在于：保护装置20f为弯曲保护装置。
详细地说，本实施例的保护装置20f的制作方法还包括进行步骤(3.5)，其中步骤(3.5)可介于步骤(3)与步骤(4)之间，但不限于此。
在步骤(3.5)中，对在步骤(3)中形成的磨边后的基板SBb进行弯曲工艺TP，以形成经弯曲的基板SBb’。弯曲工艺TP可参考如上说明。之后，可进行步骤(4)对基板SBb’进行强化(例如化学强化或其他强化方式)工艺CSP，以形成经强化后的基板SBc’；且可进行步骤(5)对经强化(例如化学强化或其他强化方式)后的基板SBc’进行清洗工艺WP，以形成基板SB’。之后，可进行步骤(8)：在基板SB’(例如表面SB_S2)上形成装饰层BM。
之后，可进行步骤(A)，在基板SB’(例如表面SB_S1)上形成光学组件OU，光学组件OU，光学组件OU包括黏合层AL，光学组件OU可通过黏合层AL与基板SB黏合。
综上所述，在本揭示一些实施例提供的保护装置中，通过使低折射率材料层与防眩结构及高折射率材料层接触，可使低折射率材料层例如作为防眩结构与高折射率材料层(或者抗反射层)之间的中间层，使得防眩结构与高折射率材料层(或者抗反射层)之间不易产生剥离现象，提升v装置的可靠度。
在一些实施例的保护装置中，通过使低折射率材料层与基板以及高折射率材料层(或者抗反射层)接触，可使低折射率材料层作为基板与高折射率材料层(或者抗反射层)之间的中间层，使得基板与高折射率材料层(或者抗反射层)之间不易产生剥离的现象，提升保护装置的可靠度。
在本揭示一些实施例的保护装置中，其包括的低折射率材料层的厚度与防眩结构的厚度的比值大于或等于0.033且小于或等于2，和/或低折射率材料层的厚度与高折射率材料层的厚度的比值大于或等于0.2且小于或等于20。通过使低折射率材料层的厚度与防眩结构的厚度和/或高折射率材料层的厚度的比值介于上述范围时，可增加防眩结构与高折射率材料层(或者抗反射层)的结合性，提升保护装置的可靠度。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (11)
1.一种保护装置，其特征在于，包括：
保护基板，包括：
防眩结构；
低折射率材料层，设置于所述防眩结构上；以及
高折射率材料层，设置于所述低折射率材料层上，
其中所述低折射率材料层与所述防眩结构以及所述高折射率材料层接触，且所述防眩结构的厚度大于或等于100nm且小于或等于300nm。
2.根据权利要求1所述的保护装置，其中所述低折射率材料层的厚度与所述防眩结构的所述厚度的比值大于或等于0.033且小于或等于2。
3.根据权利要求1所述的保护装置，其中所述低折射率材料层的厚度与所述高折射率材料层的厚度的比值大于或等于0.2且小于或等于20。
4.根据权利要求1所述的保护装置，其中所述低折射率材料层包括氧化硅。
5.根据权利要求1所述的保护装置，其中所述低折射率材料层的厚度大于或等于10nm且小于或等于200nm。
6.根据权利要求1所述的保护装置，其中所述低折射率材料层的折射率在波长550nm的可见光下是大于1且小于或等于1.6。
7.根据权利要求1所述的保护装置，其中所述高折射率材料层的折射率在波长550nm的可见光下是大于或等于1.9。
8.根据权利要求1所述的保护装置，其中所述保护基板还包括：
基板，设置于所述防眩结构下；以及
另一低折射率材料层，设置于所述基板与所述防眩结构之间，且与所述基板以及所述防眩结构接触。
9.根据权利要求1所述的保护装置，还包括：
抗反射层，设置于所述低折射率材料层上，其中所述抗反射层包括多个高折射率子层以及多个低折射率子层，且所述多个高折射率子层中的一者为所述高折射率材料层。
10.根据权利要求9所述的保护装置，其中所述抗反射层更包括中折射率子层，所述中折射率子层设置于所述多个高折射率子层中的一者与所述低折射率子层中的一者之间。
11.一种保护装置，其特征在于，包括：
保护基板，包括：
基板；
低折射率材料层，设置于所述基板上；以及
高折射率材料层，设置于所述低折射率材料层上，
其中所述低折射率材料层与所述基板以及所述高折射率材料层接触，且所述基板的厚度大于或等于0.7mm且小于或等于2mm。
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