CN118020151A - 导热性膜 - Google Patents

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赤羽绘美
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Abstract

本发明涉及一种导热性膜，其特征在于，包含下述成分：100质量份的(A)选自DmTφ pDVi n或MLDxTφ qDVi y中的1种以上的在25℃下具有非流动性的有机硅树脂(其中，D为(CH3)2SiO2/2，Tφ为(C6H5)SiO3/2，DVi为(CH3)(CH2＝CH)SiO2/2表示的硅氧烷单元，m为35～55的整数，n为30～60的整数，p为40～70的整数，M为(CH3)3SiO1/2，L为10～30的整数，x为15～35的整数，y为40～60的整数，q为45～55的整数)，5～300质量份的(B)熔点为20～60℃的蜡，及1000～6000质量份的(C)导热性填充材料。由此，能够提供一种常温下为膜状且处理性好，并且可因热而软化的导热性膜。

Description

导热性膜
技术领域
本发明涉及适用于电子部件的冷却的导热性膜。
背景技术
以往，作为电子设备等中抑制电子部件的温度上升的方法，有直接对使用了热传导率高的金属的散热片(heat sink)导热的方法。该散热片将电子部件产生的热进行传导，并通过与外部空气的温度差将该热从表面释放出来。为了将电子部件产生的热高效地传递至散热片，需要使散热片与电子部件之间无空隙地密合。因此，会将具柔软性的低硬度导热片(sheet)与导热膏夹装在电子部件与散热片之间。
然而，虽然低硬度导热性片的处理操作性优异，但难以将其厚度薄化。此外，由于其无法追随电子部件或散热片表面的微细的凹凸，因此存在接触热阻变大，无法高效地传热的问题。
另一方面，由于能够将导热膏的厚度薄化，因此能够缩小电子部件与散热片的距离，进一步能够通过填埋表面的微细的凹凸而大幅地降低热阻。但是，导热膏存在处理性差从而会污染周围，且因热循环使得膏中的油分分离(溢出，pumping-out)从而热特性下降的问题。
近年来，作为具有低硬度导热片的操作性与导热膏的低热阻性这两种特性的导热性构件，提出了多种热软化性材料。这些热软化性材料的特征在于，其在室温下为处理性良好的固体状，并且会因电子部件产生的热而软化或熔融。
专利文献1中提出了由丙烯酸类压敏型粘着剂、α-烯烃类热塑剂及导热性填充材料构成的导热性材料、或者由石蜡类蜡与导热性填充材料构成的导热性材料。专利文献2中提出了一种由热塑性树脂、蜡及导热性填料构成的导热性组合物。专利文献3中提出了一种由丙烯酸等聚合物、碳原子数为12～16的醇、石油蜡等熔点成分及导热性填充材料构成的导热材料。专利文献4提出了一种由聚烯烃与导热性填充材料构成的热软化性散热片。
然而，这些材料均以有机物为基底，因此担心会在高温下劣化。
另一方面，作为耐热性、耐候性、阻燃性优异的材料，已知有有机硅，并且也提出了多种以有机硅为基底的相同的热软化性材料。
专利文献5中提出了一种由热塑性有机硅树脂、蜡状改性有机硅树脂及导热性填料构成的组合物。专利文献6中提出了一种由有机硅凝胶等粘结剂树脂、蜡及导热性填充材料构成的导热片。专利文献7中提出了一种由有机硅等高分子凝胶、改性有机硅或蜡等因加热而形成为液体的化合物及导热性填料构成的热软化散热片。
然而，若为它们的实施例中的导热性填充材料的添加量，则难以达到如本发明所规定的高热传导率。
此外，在专利文献8中，规定了基底中包含有机硅树脂的导热性填充材料的粒径和未过筛分率，实现了薄膜化。然而，根据其实施例，其热传导率为5W/m·K左右，可认为在6W/m·K以上的高导热区域中难以实现膜的处理性和柔软性。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特表2000-509209号公报
专利文献2：日本特开2000-336279号公报
专利文献3：日本特开2001-089756号公报
专利文献4：日本特开2002-121332号公报
专利文献5：日本特开2000-327917号公报
专利文献6：日本特开2001-291807号公报
专利文献7：日本特开2002-234952号公报
专利文献8：日本特开2007-059877号公报
发明内容
本发明要解决的技术问题
在现有技术中，存在在高导热区域中难以兼备膜的处理性与柔软性的问题。
本发明是为了解决上述问题而完成的，目的在于提供一种导热性膜，该导热性膜即使在热传导率大于6W/m·K这样的高导热区域中，也会在常温下为膜状且处理性良好，并且可因热而软化。
解决技术问题的技术手段
为了解决上述问题，本发明提供一种导热性膜，其特征在于，包含下述成分：
100质量份的(A)选自下述式(1)或(2)中的1种以上的在25℃下具有非流动性的有机硅树脂，
DmTφ pDVi n(1)
在式(1)中，D为(CH3)2SiO2/2，Tφ为(C6H5)SiO3/2，DVi为(CH3)(CH2＝CH)SiO2/2表示的硅氧烷单元，m为35～55的整数，n为30～60的整数，p为40～70的整数，并且，(m+n)/m＝1.0～4.0、(m+n)/p＝0.25～4.0，
MLDxTφ qDVi y(2)
在式(2)中，M为(CH3)3SiO1/2，D、Tφ、Dvi与上述D、Tφ、Dvi相同，L为10～30的整数，x为15～35的整数，y为40～60的整数，q为45～55的整数，并且，L/(x+y)＝0.001～0.4、(x+y)/x＝1.0～4.0、(x+y)/q＝0.25～4.0；
5～300质量份的(B)蜡，其依据日本工业标准JIS K7121:2012并利用差示扫描量热测定装置所测得的熔点为20～60℃；及
(C)导热性填充材料，其相对于100质量份的(A)成分为1000～6000质量份。
若为这样的本发明的导热性膜，则在热传导率大于6W/m·K这样的高导热区域，其在常温下为膜状且处理性良好，并且可因热而软化，能够追随电子部件或散热片表面的微细的凹凸，接触热阻变小，能够高效地传热。
此时，优选所述(A)成分的依据日本工业标准JIS K2207:1996并使用软化点测定装置所测得的软化点为30～65℃。
若为这样的本发明的导热性膜，则在成型为膜状时，常温下的柔软性优异，易于处理，形状保持性良好，处理性优异。
此外，优选所述(B)成分的蜡为选自石蜡、酯蜡、硅蜡中的1种以上。
包含这样的蜡的导热性膜，耐热性良好。
并且，优选本发明的导热性膜的所述(C)成分的导热性填充材料为选自银、铝、氧化铝、氮化铝、氢氧化铝、氧化镁、氧化锌中的1种以上。
在本发明中，能够适合含有这样的导热性填充材料。
发明效果
如上所述，若为本发明的导热性膜，则即使在热传导率大于6W/m·K这样的高导热区域，其常温下为膜状且处理性好，并且可因热而软化。
此外，本发明的导热性膜可因热而软化，因此能够追随发热元件及冷却构件的微细的凹凸，并且能够将厚度薄化，能够发挥良好的散热性能。
具体实施方式
如上所述，寻求开发出一种即使在高导热区域中也能够兼备膜的处理性与柔软性的导热性膜。
本申请的发明人针对上述问题进行了深入研究，结果发现若为以特定的比例包含具有特定的硅氧烷单元的非流动性的有机硅树脂、具有特定范围的熔点的蜡及导热性填充材料的导热性膜，则即使在高导热区域也能够兼备处理性与柔软性，进而完成了本发明。
即，本发明为一种导热性膜，其特征在于，包含下述成分：
100质量份的(A)选自下述式(1)或(2)中的1种以上的在25℃下具有非流动性的有机硅树脂，
DmTφ pDVi n(1)
在式(1)中，D为(CH3)2SiO2/2，Tφ为(C6H5)SiO3/2，DVi为(CH3)(CH2＝CH)SiO2/2表示的硅氧烷单元，m为35～55的整数，n为30～60的整数，p为40～70的整数，并且，(m+n)/m＝1.0～4.0、(m+n)/p＝0.25～4.0，
MLDxTφ qDVi y(2)
在式(2)中，M为(CH3)3SiO1/2，D、Tφ、Dvi与上述D、Tφ、Dvi相同，L为10～30的整数，x为15～35的整数，y为40～60的整数，q为45～55的整数，并且，L/(x+y)＝0.001～0.4、(x+y)/x＝1.0～4.0、(x+y)/q＝0.25～4.0，
5～300质量份的(B)蜡，其依据日本工业标准JIS K7121:2012并利用差示扫描量热测定装置所测得的熔点为20～60℃；及
(C)导热性填充材料，其相对于100质量份的(A)成分为1000～6000质量份。
以下，对本发明进行详细说明，但本发明并不受此限定。
本发明的导热性膜的特征在于，包含下述成分：具有特定的硅氧烷单元的非流动性的有机硅树脂的(A)成分、具有特定的熔点的蜡的(B)成分、及导热性填充材料的(C)成分。除了这些必要成分以外，还可以包含任意成分。以下，对构成导热性膜的成分进行说明。
[(A)非流动性的有机硅树脂]
本发明的(A)成分为在25℃下具有非流动性的有机硅树脂，其形成本发明的导热性膜(散热构件)的基质。(A)成分为引起散热构件热软化的因素之一，还发挥作为对填充材料赋予加工性和操作性的粘结剂的作用，所述填充材料对散热构件赋予导热性。作为(A)成分，优选在一定的温度以上且因发热性电子部件的发热而到达的最高温度以下的温度范围内，发生热软化、低粘度化或溶解而流动化的物质。
具体而言，本发明的(A)成分为选自下述式(1)或(2)中的1种以上的在25℃下具有非流动性的有机硅树脂，
DmTφ pDVi n(1)
在式(1)中，D为(CH3)2SiO2/2，Tφ为(C6H5)SiO3/2，DVi为(CH3)(CH2＝CH)SiO2/2表示的硅氧烷单元，m为35～55的整数，n为30～60的整数，p为40～70的整数，并且，(m+n)/m＝1.0～4.0、(m+n)/p＝0.25～4.0，
MLDxTφ qDVi y(2)
在式(2)中，M为(CH3)3SiO1/2，D、Tφ、Dvi与上述D、Tφ、Dvi相同，L为10～30的整数，x为15～35的整数，y为40～60的整数，q为45～55的整数，并且，L/(x+y)＝0.001～0.4、(x+y)/x＝1.0～4.0、(x+y)/q＝0.25～4.0。
其中，“非流动性”是指不具有流动性的状态，具体而言，是指在静置的状态下不发生形状的变化、或例如即便经过8小时左右的长时间也能够保持形状的状态。
此外，所述(A)成分的软化点优选为30～65℃，更优选为45～60℃。若软化点为65℃以下，在成型为膜状时，常温下的柔软性优异，易于处理。此外，若软化点为30℃以上，则在成型为膜状时的常温下的形状保持性良好，处理性优异。
另外，在本发明中，软化点，是指依据日本工业标准JIS K2207:1996并使用软化点测定装置(第一理化株式会社制造)所测得的值。当(A)成分由多种有机硅树脂构成时，其软化点是指对混合物进行测定而得到的值。
式(1)(DmTφ pDVi n)表示的有机硅树脂为以特定组成而具有二官能度结构单元(D单元)及三官能度结构单元(T单元)的非流动性有机硅树脂。在式(1)中，D为(CH3)2SiO2/2，Tφ为(C6H5)SiO3/2，DVi为(CH3)(CH2＝CH)SiO2/2表示的硅氧烷单元。m为35～55的整数，优选35～45，n为30～60的整数，优选30～50，p为40～70的整数，优选40～60。
在所述式(1)中，(m+n)/p的摩尔比为0.25～4.0，优选0.8～3.0。此外，(m+n)/m的摩尔比为1.0～4.0，优选1.0～3.0。
作为式(1)表示的在25℃下为非流动性的有机硅树脂，能够例示出以下的示例。
D45Tφ 55DVi 55
D40Tφ 40DVi 40
式(2)(MLDxTφ qDVi y)表示的有机硅树脂为以特定组成而具有单官能度结构单元(M单元)、二官能度结构单元(D单元)及三官能度结构单元(T单元)的非流动性有机硅树脂。在式(2)中，M为(CH3)3SiO1/2，D、Tφ、Dvi与上述D、Tφ、Dvi相同，L为10～30的整数，优选10～20，x为15～35的整数，优选15～25，y为40～60的整数，优选40～50，q为45～55的整数，优选45～50。
在所述式(2)中，(x+y)/q的摩尔比为0.25～4.0，优选0.8～3.0。此外，(x+y)/x的摩尔比为1.0～4.0，优选1.0～3.0，进一步，L/(x+y)的摩尔比为0.001～0.4，优选0.1～0.4。
作为式(2)表示的在25℃下为非流动性的有机硅树脂，能够例示以下的示例。
M20D25Tφ 55DVi 50
M15D20Tφ 45DVi 40
若(A)成分为除上述式(1)或式(2)所示的有机硅树脂以外(例如由M单元与Q单元构成的MQ树脂)的树脂，则导热性膜缺乏柔软性、处理性变差。
此外，对于本发明的(A)成分，可分别单独使用所述式(1)或式(2)所示的有机硅树脂，也可以混合使用式(1)或式(2)所示的有机硅树脂。
[(B)蜡]
本发明的(B)成分为熔点为20～60℃的蜡。所述熔点优选为20～40℃。若熔点大于60℃，则在成型为膜状时会缺乏常温下的柔软性，难以进行处理。此外，若熔点小于20℃，则在成型为膜状时会缺乏常温下的形状保持性，难以进行处理。
(B)成分只要是熔点为20～60℃的蜡，则没有特别限定，但若考虑到本发明的导热性膜的耐热性，则作为所述蜡，优选为选自石蜡、酯蜡、硅蜡中的1种以上，也可以为2种以上的混合物或组合(共聚物等)。作为这样的蜡，更优选硅蜡，进一步优选丙烯酸聚合物与聚硅氧烷的接枝共聚物蜡。
例如，作为石蜡，可列举出Paraffin Wax115、Paraffin Wax120、ParaffinWax125、Paraffin Wax130、Paraffin Wax135(以上为NIPPON SEIRO CO.,LTD.制造)等；作为酯蜡，可列举出碳原子数为6以上的羧酸与醇的酯、碳原子数为6以上的一元羧酸与多元醇的酯、碳原子数为6以上的多元羧酸与碳原子数为6以上的一元醇的酯等；作为硅蜡，可列举出烷基改性硅蜡、丙烯酸聚合物与聚硅氧烷的接枝共聚物蜡等；作为丙烯酸聚合物与聚硅氧烷的接枝共聚物蜡，可列举出KP-561P(硬脂基改性丙烯酸酯有机硅，Shin-EtsuChemical Co.,Ltd.制造)等。
另外，在本发明中，熔点是指依据日本工业标准JIS K7121:2012并利用差示扫描量热测定装置所测得的值。
相对于100质量份的(A)成分，(B)成分为5～300质量份，优选10～200质量份，更优选10～100质量份。若少于5质量份，则在成型为膜状时，常温下的柔软性欠缺，生产性、处理性差。此外，若大于300质量份，则在成型为膜状时常温下的形状保持性欠缺，难以处理。
[(C)导热性填充材料]
本发明的(C)成分为导热性填充材料，具体而言，可列举出非磁性的铜或铝等金属；氧化铝、二氧化硅、氧化镁、三氧化二铁、氧化铍、二氧化钛、氧化锆等金属氧化物；氮化铝、氮化硅、氮化硼等金属氮化物；氢氧化铝、氢氧化镁等金属氢氧化物；人造钻石或碳化硅等。其中，优选银、铝、氧化铝、氮化铝、氢氧化铝、氧化镁、氧化锌。此外，所述导热性填充材料的平均粒径优选为0.1～200μm，可单独使用1种，也可以将2种以上进行复合使用。当将2种以上进行复合使用时，可以将不同种的导热性填充材料进行复合，也可以将相同种类但平均粒径不同的导热性填充材料进行复合。
此外，作为导热性填充材料的形状，存在球状和类球状、破碎状、鳞片状、纤维状等各种形状，没有特别限定。
当然，也可以规定导热性填充材料的粒径或未过筛分率，来控制压接后的导热性膜的厚度。
上述平均粒径为使用MicrotracBEL Corp.制造的粒度分析仪即MicrotracMT3300EX通过激光衍射-散射法(Microtrac法)所测定出的体积基准的累积平均粒径(中值粒径)的值。
相对于100质量份的(A)成分，导热性填充材料为1000～6000质量份，优选1000～4000质量份。更优选1000～3000质量份。若少于1000质量份，则无法发挥充分的热传导率。此外，若大于6000质量份，则填充本身变得困难。
[其他添加剂]
除了(A)、(B)、(C)的必要成分以外，还可以根据目的而添加阻燃赋予剂、润滑剂、耐热增强剂、塑化剂、硅烷偶联剂等表面处理剂等的添加剂。
[导热性膜]
本发明的导热性膜为包含上述(A)～(C)成分且具有低硬度导热片的处理性与导热膏的低热阻性这两种特性的导热性构件，其具有下述特征：其在室温下为处理性良好的固体状，可因电子部件产生的热而软化。
并且，通过这些特征，能够解决现有技术中的下述问题：虽然低硬度导热片中的处理操作性优异，但难以将厚度薄化，无法追随电子部件或散热片的表面的微细的凹凸，从而接触热阻变大，无法高效地传导热。
[导热性膜的制造方法]
本发明的导热性膜的制造方法没有特别限定，根据公知的方法进行制造即可。例如，提供本发明的导热性膜的热软化性导热性组合物，能够通过使用粉料调水混合机(dough mixer)(捏合机)、门式搅拌机、行星式搅拌机等橡胶混练机将上述各成分进行掺合及捏合而容易地进行制造。
接着，将上述热软化性导热性组合物成型为膜状。其中，膜状用作指包含片状、带状的含义。作为成型为膜状的方法，例如可列举出通过挤出成型、压延成型、辊压成型、压制成型等方法将上述捏合后的组合物进行成型的方法，以及将溶解于溶剂中的该组合物进行涂布的方法等。
以上述方式制造的导热性膜的厚度优选为20～200μm，更优选为20～100μm，特别优选为30～80μm。若该厚度在该范围内，则易于良好地保持处理性及散热性能。
本发明的导热性膜能够以下述方式进行制造。
使用如行星式搅拌机或捏合机这样的捏合装置，将(A)有机硅树脂、(B)蜡及(C)导热性填充材料等成分制备成导热性组合物。向导热性组合物中添加甲苯或二甲苯等有机溶剂并进一步捏合，从而制备涂布液，并涂布于脱模膜上。(A)成分可预先溶解于上述有机溶剂中制成包含规定的不挥发成分的溶液。对于涂布方法，可通过棒涂法、旋涂法等进行涂布后，使有机溶剂挥发，获得目标的导热性膜。
[热传导率]
所述导热性膜的热传导率优选为6W/m·K以上。更优选为7W/m·K。若为6W/m·K以上的热传导率，则能够应对近年来具有增加倾向的散热性的要求，故而优选。
热传导率能够通过下述方式而求出。
以两片圆板状的标准铝板(纯度：99.99％，直径：约12.7mm，厚度：约1.0mm)夹持上述制作的导热性膜，施加压力与温度进行压接，接着，包括两片标准铝板在内的整体厚度，然后减去预先已知的标准铝板的厚度，由此测定出压接后的导热性膜的厚度。另外，在厚度测定中，能够使用千分尺(Mitutoyo Corporation制造，型号：M820-25VA)。此外，能够使用微闪(Microflash)测定机(NETZSCH Japan K.K.制造)测定上述标准铝板夹持状态下的热阻，然后减去铝板部分的热阻，由此算出导热性膜的热阻。并且，能够通过事先测定出的导热性膜厚度除以热阻而算出导热性膜的热传导率。
如上所述，若为本发明的导热性膜，则即使在热传导率大于6W/m·K这样的高导热区域，其也在常温下为膜状且处理性好，并且能够因热而软化，能够追随发热元件及冷却构件的微细的凹凸，且能够将厚度薄化，接触热阻变小，并且，能够高效地传热，因此能够发挥良好的散热性能。
实施例
以下，示出实施例及比较例，对本发明进行具体说明，但本发明不受下述实施例的限定。另外，以下示出的运动粘度是利用日本工业标准JIS Z 8803:2011中记载的方法进行测定的且在25℃下使用坎能-芬斯克粘度计(Cannon-Fenske viscometers)所测出的测定值。此外，不挥发部分是通过在6cmΦ的铝盘中精密称量10g样品并利用下述公式由在150℃下加热3小时前后的质量而计算出的值。
不挥发部分(％)＝[1-{(加热前的秤量值(g)-加热后的秤量值(g))/加热前的秤量值(g)}]/100
以下示出的平均粒径是使用MicrotracBEL Corp.制造的粒度分析仪即MicrotracMT3300EX通过激光衍射-散射法(Microtrac法)所测定出的体积基准的累积平均粒径(中值粒径)的值。此外，以下示出的熔点是依据日本工业标准JIS K7121:2012并利用差示扫描量热测定装置所测得的值。
[(A)非流动性的有机硅树脂]
(A-1)式(1)的甲苯溶液(不挥发部分85％，运动粘度500mm2/s)
DmTφ pDVi n(1)
m＝45、n＝55、p＝55
软化点：50℃
(A-2)式(2)的甲苯溶液(不挥发部分85％，运动粘度700mm2/s)
MLDxTφ qDVi y(2)
L＝20、x＝25、y＝50、q＝55
软化点：60℃
(A-3)仅由M单元与Q单元构成的有机硅树脂(M/Q摩尔比为1.15)的甲苯溶液(不挥发部分70％，运动粘度30mm2/s)
软化点：120℃以上
[(B)蜡]
(B-1)
KP-561P(硬脂基改性丙烯酸酯有机硅，Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.制造)
熔点：30℃
(B-2)
Paraffin Wax115(NIPPON SEIRO CO.,LTD.制造)
熔点：48℃
(B-3)
Paraffin Wax155(NIPPON SEIRO CO.,LTD.制造)
熔点：70℃
[(C)导热性填充材料]
(C-1)平均粒径10μm球状铝粉
(C-2)平均粒径1μm球状铝粉
(C-3)平均粒径0.5μm氧化锌粉
(C-4)平均粒径45μm球状氧化铝粉
(C-5)平均粒径10μm球状氧化铝粉
(C-6)平均粒径1μm破碎状氧化铝粉
[其他添加剂]
(D)KBM-3103(3,3,3-三氟丙基三甲氧基硅烷，Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.制造)
(E)KF-54(甲基苯基硅油，Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.制造)
[实施例1-8、比较例1-4]
以下述方式制备导热性组合物，得到实施例1-8、比较例1-4的导热性膜。对所得到的导热性膜分别进行下述评价。将结果示于表1。
[制备方法]
按照表1所记载的比例将上述成分加入行星式搅拌机中，进行搅拌使其均匀化，得到导热性组合物。向该组合物中添加适量的甲苯从而使稀释后的粘度在1000～5000Pa·s之间，进一步进行搅拌使其均匀化，得到涂布液。
使用逗号涂布机(comma coater)将上述涂布液涂布在含氟脱模膜上，以80℃/15分钟且继而以100℃/10分钟的条件使所包含的溶剂挥发，从而得到导热性膜。进一步，使用层压装置在80℃、0.3Mpa、1m/分钟的条件下将含氟脱模膜热压接在导热性膜上。
去除含氟脱模膜，以膜的厚度为250μm的方式使导热性膜成型。
另外，上述稀释后的粘度(绝对粘度)是依据日本工业标准JIS K7117-1:1999中记载的方法通过旋转粘度计而测得的25℃下的值。
[评价方法]
(热传导率)
以两片圆板状的标准铝板(纯度：99.99％，直径：约12.7mm，厚度：约1.0mm)夹持上述制作的导热性膜，施加压力与温度进行压接，接着，测定包括两片标准铝板在内的整体厚度，然后减去预先已知的标准铝板的厚度，由此测定出压接后的导热性膜的厚度。另外，在厚度测定中，能够使用千分尺(Mitutoyo Corporation制造，型号：M820-25VA)。此外，能够使用微闪(Microflash)测定机(NETZSCH Japan K.K.制造)测定上述标准铝板夹持状态下的热阻，然后减去铝板部分的热阻，由此算出导热性膜的热阻。并且，能够通过事先测定出的导热性膜厚度除以热阻而算出导热性膜的热传导率。
(处理性)
将所得到的导热性膜裁切为20×50mm的形状，然后剥除其中一面的含氟脱模膜，以500mm/秒的速度以2kgf橡胶辊对铝板推挤2次后，评价导热性膜是否密合于铝板且是否能够剥除所残留的相反面的含氟脱模膜。
上述表中的(A)成分的量为各聚合物溶液中的纯聚合物成分的量。
比较例1-3无法进行膜的热传导率测定。
比较例4无法进行膜成型，从而未评价热传导率与处理性。
由表1可知，若为本发明的导热性膜(实施例1-8)，则热传导率能够大于6W/m·K，即使在这样的高导热区域，其也在常温下为膜状且处理性好，并且可因热而软化。特别是，即使相对于100质量份的(A)成分，(C)导热性填充材料为1100～1300质量份左右的少量，也能够实现大于7W/m·K的导热性(实施例4、5)，即使在接近于6000质量份的高度填充时，也能够在保持良好的处理性的状态下实现大于10W/m·K的高导热性(实施例7)。
另一方面，如比较例1所示，当过量添加(B)成分时，则虽然能够成型为膜形状，但缺乏形状保持性，处理性不合格，难以进行热传导率的评价。如比较例2所示，若使用所述式(1)或(2)以外的物质作为(A)成分，则虽然能够成型为膜形状，但缺乏柔软性，处理性不合格，难以测定热传导率。如比较例3所示，若(B)成分的熔点大于60℃，则虽然能够成型为膜状，但缺乏柔软性，处理性不合格，难以测定热传导率。如比较例4所示，若导热性填充材料的填充量大于6000质量份，则原本即已难以填充从而无法进行膜成型。
如上所述，本发明的导热性膜将在25℃下为非流动性的有机硅树脂与熔点在20℃～60℃之间的蜡作为聚合物成分，并填充导热性填充材料，从而即使在热传导率为6W/m·K以上的情况下，处理性仍优异。
另外，本发明并不限定于上述实施方案。上述实施方案仅为例示，与本发明的权利要求书所记载的技术构思具有实质相同的组成并发挥相同作用效果的方案均包含在本发明的技术范围内。

Claims (4)

1.一种导热性膜，其特征在于，包含下述成分：
100质量份的(A)选自下述式(1)或(2)中的1种以上的在25℃下具有非流动性的有机硅树脂，
DmTφ pDVi n (1)
在式(1)中，D为(CH3)2SiO2/2，Tφ为(C6H5)SiO3/2，DVi为(CH3)(CH2＝CH)SiO2/2表示的硅氧烷单元，m为35～55的整数，n为30～60的整数，p为40～70的整数，并且，(m+n)/m＝1.0～4.0、(m+n)/p＝0.25～4.0，
MLDxTφ qDVi y (2)
在式(2)中，M为(CH3)3SiO1/2，D、Tφ、Dvi与上述D、Tφ、Dvi相同，L为10～30的整数，x为15～35的整数，y为40～60的整数，q为45～55的整数，并且，L/(x+y)＝0.001～0.4、(x+y)/x＝1.0～4.0、(x+y)/q＝0.25～4.0，
5～300质量份的(B)蜡，其依据日本工业标准JIS K7121:2012并利用差示扫描量热测定装置所测得的熔点为20～60℃；及
(C)导热性填充材料，其相对于100质量份的(A)成分为1000～6000质量份。
2.根据权利要求1所述的导热性膜，其特征在于，所述(A)成分的依据日本工业标准JISK2207：1996并使用软化点测定装置所测得的软化点为30～65℃。
3.根据权利要求1或2所述的导热性膜，其特征在于，所述(B)成分的蜡为选自石蜡、酯蜡、硅蜡中的1种以上。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的导热性膜，其特征在于，所述(C)成分的导热性填充材料为选自银、铝、氧化铝、氮化铝、氢氧化铝、氧化镁、氧化锌中的1种以上。
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