CN117987783A - 一种提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法 - Google Patents
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- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 104
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 101
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 55
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 181
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 181
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 75
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 39
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 5
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 20
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 230000009194 climbing Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
- C23C14/30—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明涉及光电技术领域，具体涉及提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法。该方法包括以下步骤：对镀膜进行第一段预熔，其中第一段预熔的预熔功率为P1，所述P1＝P*50％±2％，所述P为平稳蒸镀阶段功率，第一段预熔的预熔时间1min‑2min；对完成第一段预熔的镀膜进行第二段预熔，其中第二段预熔的预熔功率为P2，所述P2＝P*150％±2％，第二段预熔的预熔时间0.5min‑1.5min；对完成第二段预熔的镀膜进行第三段预熔，其中第三段预熔的预熔功率为P3，所述P3＝第一段蒸镀功率±2％，第三段预熔的预熔时间0.5min‑1min；对完成第三段预熔后的镀膜进行蒸镀处理。本发明针对预熔参数和镀膜参数进行优化，降低金属靶材镀膜过程中溅源异常率、保证蒸镀过程中功率和镀率的稳定性和提高芯片可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及光电技术领域，尤其涉及提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法。
背景技术
LED作为第四代照明由于其功耗低、体积小、可靠性高、寿命高等优点，被广泛应用在车灯、显示、背光乃至光通信等领域。随着LED应用领域的不断发展，LED芯片的可靠性和散热性需要达到更高的标准，其中电极蒸镀膜层的稳定性直接影响了LED芯片的散热性和可靠性。
常见电极制备多采用Cr/Al/Ti/Ni/Pt/Au等金属，通过电子束蒸镀制作电极结构，其中底层一般使用粘附性较好的Cr、Ti等金属，保证电极与基板的粘附性，第二层采用反射率较高的Al、Ag等反射率较高的金属，提高芯片亮度；中间层采用Ti、Ni、Pt等用作缓冲层，增加电极的耐温性；最外层一般使用Au作为金属保护层。电子束蒸镀过程中易出现金属颗粒和杂质等，易导致电极结构出现孔洞和断裂等异常，从而导致漏电、死等和老化失效等现象，为了解决该技术问题现提出一种提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法。
发明内容
为了解决上述现有技术中存在的技术问题，本发明提供了一种提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法。
为实现上述目的，本发明实施例提供了如下的技术方案：
第一方面，在本发明提供的一个实施例中，提供了提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法，该方法包括以下步骤：
对镀膜进行第一段预熔，其中第一段预熔的预熔功率为P1，所述P1＝P*50％±2％，所述P为平稳蒸镀阶段功率，第一段预熔的预熔时间1min-2min；
对完成第一段预熔的镀膜进行第二段预熔，其中第二段预熔的预熔功率为P2，所述P2＝P*150％±2％，第二段预熔的预熔时间0.5min-1.5min；
对完成第二段预熔的镀膜进行第三段预熔，其中第三段预熔的预熔功率为P3，所述P3＝第一段蒸镀功率±2％，第三段预熔的预熔时间0.5min-1min；
对完成第三段预熔后的镀膜进行蒸镀处理，其中蒸镀处理根据镀率选择进行分段蒸镀。
作为本发明的进一步方案，对镀膜进行第一段预熔，其中第一段预熔的预熔功率为P1，所述P1＝P*50％±1％，所述P为平稳蒸镀阶段功率，第一段预熔的预熔时间1.25min-1.75min；
对完成第一段预熔的镀膜进行第二段预熔，其中第二段预熔的预熔功率为P2，所述P2＝P*150％±1％，第二段预熔的预熔时间0.75min-1.25min；
对完成第二段预熔的镀膜进行第三段预熔，其中第三段预熔的预熔功率为P3，所述P3＝第一段蒸镀功率±1％，第三段预熔的预熔时间0.6min-9min；
对完成第三段预熔后的镀膜进行蒸镀处理，其中蒸镀处理根据镀率选择进行分段蒸镀。
作为本发明的进一步方案，对镀膜进行第一段预熔，其中第一段预熔的预熔功率为P1，所述P1＝P*50％，所述P为平稳蒸镀阶段功率，第一段预熔的预熔时间1.5min；
对完成第一段预熔的镀膜进行第二段预熔，其中第二段预熔的预熔功率为P2，所述P2＝P*150％，第二段预熔的预熔时间1min；
对完成第二段预熔的镀膜进行第三段预熔，其中第三段预熔的预熔功率为P3，所述P3＝第一段蒸镀功率，第三段预熔的预熔时间0.75min；
对完成第三段预熔后的镀膜进行蒸镀处理，其中蒸镀处理根据镀率选择进行分段蒸镀。
作为本发明的进一步方案，所述蒸镀处理根据镀率选择进行分段蒸镀，包括：
若蒸镀处理的镀率选择以下时，则进行一段蒸镀；
若蒸镀处理的镀率在时，进行分段蒸镀。
作为本发明的进一步方案，所述若蒸镀处理的镀率在时，进行分段蒸镀，包括：
相邻两段蒸镀镀率增加量
作为本发明的进一步方案，对完成第三段预熔后的镀膜进行蒸镀处理，其中蒸镀处理根据镀率选择进行分段蒸镀，包括：
所述蒸镀处理过程中光斑使用点状光斑。
作为本发明的进一步方案，所述光斑扫描面积设定为坩埚半径的20％-30％。
作为本发明的进一步方案，所述光斑扫描面积设定为坩埚半径的22％-28％。
作为本发明的进一步方案，所述光斑扫描面积设定为坩埚半径的25％。
作为本发明的进一步方案，若蒸镀处理的镀率在时，进行三段蒸镀，且每段镀率依次是/>和/>
本发明提供的技术方案，具有如下有益效果：本发明针对预熔参数和镀膜参数进行优化，降低金属靶材镀膜过程中溅源异常率、保证蒸镀过程中功率和镀率的稳定性和提高芯片可靠性。
本发明的这些方面或其他方面在以下实施例的描述中会更加简明易懂。应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本发明。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的实施例。
图1为本发明实施例6的提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法的的功率散点图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明提供一种提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法，该提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法基于富临金属蒸镀机台；该提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法包括如下步骤：
步骤S1、对镀膜进行第一段预熔，其中第一段预熔的预熔功率为P1，所述P1＝P*50％±2％，所述P为平稳蒸镀阶段功率，第一段预熔的预熔时间1min-2min。
需要说明的是，第一段预熔主要为靶材预热阶段，低功率一方面保证靶材预热充分，另一方面以低功率缓慢爬升，保护电子枪使用寿命。所述P为平稳蒸镀阶段功率可以预先获取。
步骤S2、对完成第一段预熔的镀膜进行第二段预熔，其中第二段预熔的预熔功率为P2，所述P2＝P*150％±2％，第二段预熔的预熔时间0.5min-1.5min.
需要说明的是，第二段预熔功率大于稳定镀膜时实际功率，保证靶材充分预熔，同时高功率预熔可降低预熔时间，提高机台产能。
步骤S3、对完成第二段预熔的镀膜进行第三段预熔，其中第三段预熔的预熔功率为P3，所述P3＝第一段蒸镀功率±2％，第三段预熔的预熔时间0.5min-1min.其中第一段蒸镀功率预先获取的。
需要说明的是，第三段预熔功率与第一段蒸镀功率相当，避免第一段蒸镀过程过冲，保证镀率与功率平稳上升。
步骤S4、对完成第三段预熔后的镀膜进行蒸镀处理，其中蒸镀处理根据镀率选择进行分段蒸镀。
所述蒸镀处理根据镀率选择进行分段蒸镀，包括：
若蒸镀处理的镀率选择以下时，则进行一段蒸镀；
若蒸镀处理的镀率在时，进行分段蒸镀。其中，镀率设置方式不唯一，可合理配置，如：/>等。
需要说明的是，相邻两段蒸镀镀率增加量保证每段蒸镀功率平稳上升。
步骤S4、对完成第三段预熔后的镀膜进行蒸镀处理，其中蒸镀处理根据镀率选择进行分段蒸镀，包括：
所述蒸镀处理过程中，光斑使用点状光斑，且光斑扫描面积设定为坩埚半径的20％-30％。点状光斑能量更集中不易分散，可实现更低功率蒸镀；但因点状光斑面积较小，易导致蒸镀材料受热不均，因此需要设定一定的扫描范围，保证扫描质量。
本发明针对预熔参数和镀膜参数进行优化，降低金属靶材镀膜过程中溅源异常率、保证蒸镀过程中功率和镀率的稳定性和提高芯片可靠性。
实施例1
一种提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法，该提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法包括如下步骤：
步骤S1、对镀膜进行第一段预熔，其中第一段预熔的预熔功率为P1，所述P1＝P*50％+2％，所述P为平稳蒸镀阶段功率，第一段预熔的预熔时间2min。
需要说明的是，第一段预熔主要为靶材预热阶段，低功率一方面保证靶材预热充分，另一方面以低功率缓慢爬升，保护电子枪使用寿命。所述P为平稳蒸镀阶段功率可以预先获取。
步骤S2、对完成第一段预熔的镀膜进行第二段预熔，其中第二段预熔的预熔功率为P2，所述P2＝P*150％+2％，第二段预熔的预熔时间1.5min.
需要说明的是，第二段预熔功率大于稳定镀膜时实际功率，保证靶材充分预熔，同时高功率预熔可降低预熔时间，提高机台产能。
步骤S3、对完成第二段预熔的镀膜进行第三段预熔，其中第三段预熔的预熔功率为P3，所述P3＝第一段蒸镀功率+2％，第三段预熔的预熔时间1min.其中第一段蒸镀功率预先获取的。
需要说明的是，第三段预熔功率与第一段蒸镀功率相当，避免第一段蒸镀过程过冲，保证镀率与功率平稳上升。
步骤S4、对完成第三段预熔后的镀膜进行蒸镀处理，其中蒸镀处理根据镀率选择进行分段蒸镀。
所述蒸镀处理根据镀率选择进行分段蒸镀，包括：
若蒸镀处理的镀率选择以下时，则进行一段蒸镀；
若蒸镀处理的镀率在时，进行分段蒸镀。其中，镀率设置方式不唯一，可合理配置，如：/>等。
需要说明的是，相邻两段蒸镀镀率增加量保证每段蒸镀功率平稳上升。
步骤S4、对完成第三段预熔后的镀膜进行蒸镀处理，其中蒸镀处理根据镀率选择进行分段蒸镀，包括：
所述蒸镀处理过程中，光斑使用点状光斑，且光斑扫描面积设定为坩埚半径的30％。点状光斑能量更集中不易分散，可实现更低功率蒸镀；但因点状光斑面积较小，易导致蒸镀材料受热不均，因此需要设定一定的扫描范围，保证扫描质量。
实施例2
一种提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法，该提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法包括如下步骤：
步骤S1、对镀膜进行第一段预熔，其中第一段预熔的预熔功率为P1，所述P1＝P*50％-2％，所述P为平稳蒸镀阶段功率，第一段预熔的预熔时间1min。
需要说明的是，第一段预熔主要为靶材预热阶段，低功率一方面保证靶材预热充分，另一方面以低功率缓慢爬升，保护电子枪使用寿命。所述P为平稳蒸镀阶段功率可以预先获取。
步骤S2、对完成第一段预熔的镀膜进行第二段预熔，其中第二段预熔的预熔功率为P2，所述P2＝P*150％-2％，第二段预熔的预熔时间0.5min.
需要说明的是，第二段预熔功率大于稳定镀膜时实际功率，保证靶材充分预熔，同时高功率预熔可降低预熔时间，提高机台产能。
步骤S3、对完成第二段预熔的镀膜进行第三段预熔，其中第三段预熔的预熔功率为P3，所述P3＝第一段蒸镀功率-2％，第三段预熔的预熔时间0.5min.其中第一段蒸镀功率预先获取的。
需要说明的是，第三段预熔功率与第一段蒸镀功率相当，避免第一段蒸镀过程过冲，保证镀率与功率平稳上升。
步骤S4、对完成第三段预熔后的镀膜进行蒸镀处理，其中蒸镀处理根据镀率选择进行分段蒸镀。
所述蒸镀处理根据镀率选择进行分段蒸镀，包括：
若蒸镀处理的镀率选择以下时，则进行一段蒸镀；
若蒸镀处理的镀率在时，进行分段蒸镀。其中，镀率设置方式不唯一，可合理配置，如：/>等。
需要说明的是，相邻两段蒸镀镀率增加量保证每段蒸镀功率平稳上升。
步骤S4、对完成第三段预熔后的镀膜进行蒸镀处理，其中蒸镀处理根据镀率选择进行分段蒸镀，包括：
所述蒸镀处理过程中，光斑使用点状光斑，且光斑扫描面积设定为坩埚半径的20％。点状光斑能量更集中不易分散，可实现更低功率蒸镀；但因点状光斑面积较小，易导致蒸镀材料受热不均，因此需要设定一定的扫描范围，保证扫描质量。
实施例3
一种提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法，该提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法包括如下步骤：
步骤S1、对镀膜进行第一段预熔，其中第一段预熔的预熔功率为P1，所述P1＝P*50％+1％，所述P为平稳蒸镀阶段功率，第一段预熔的预熔时间1.75min。
需要说明的是，第一段预熔主要为靶材预热阶段，低功率一方面保证靶材预热充分，另一方面以低功率缓慢爬升，保护电子枪使用寿命。所述P为平稳蒸镀阶段功率可以预先获取。
步骤S2、对完成第一段预熔的镀膜进行第二段预熔，其中第二段预熔的预熔功率为P2，所述P2＝P*150％+1％，第二段预熔的预熔时间1.25min.
需要说明的是，第二段预熔功率大于稳定镀膜时实际功率，保证靶材充分预熔，同时高功率预熔可降低预熔时间，提高机台产能。
步骤S3、对完成第二段预熔的镀膜进行第三段预熔，其中第三段预熔的预熔功率为P3，所述P3＝第一段蒸镀功率+1％，第三段预熔的预熔时间0.9min.其中第一段蒸镀功率预先获取的。
需要说明的是，第三段预熔功率与第一段蒸镀功率相当，避免第一段蒸镀过程过冲，保证镀率与功率平稳上升。
步骤S4、对完成第三段预熔后的镀膜进行蒸镀处理，其中蒸镀处理根据镀率选择进行分段蒸镀。
所述蒸镀处理根据镀率选择进行分段蒸镀，包括：
若蒸镀处理的镀率选择以下时，则进行一段蒸镀；
若蒸镀处理的镀率在时，进行分段蒸镀。其中，镀率设置方式不唯一，可合理配置，如：/>等。
需要说明的是，相邻两段蒸镀镀率增加量保证每段蒸镀功率平稳上升。
步骤S4、对完成第三段预熔后的镀膜进行蒸镀处理，其中蒸镀处理根据镀率选择进行分段蒸镀，包括：
所述蒸镀处理过程中，光斑使用点状光斑，且光斑扫描面积设定为坩埚半径的28％。点状光斑能量更集中不易分散，可实现更低功率蒸镀；但因点状光斑面积较小，易导致蒸镀材料受热不均，因此需要设定一定的扫描范围，保证扫描质量。
实施例4
一种提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法，该提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法包括如下步骤：
步骤S1、对镀膜进行第一段预熔，其中第一段预熔的预熔功率为P1，所述P1＝P*50％-1％，所述P为平稳蒸镀阶段功率，第一段预熔的预熔时间1.25min。
需要说明的是，第一段预熔主要为靶材预热阶段，低功率一方面保证靶材预热充分，另一方面以低功率缓慢爬升，保护电子枪使用寿命。所述P为平稳蒸镀阶段功率可以预先获取。
步骤S2、对完成第一段预熔的镀膜进行第二段预熔，其中第二段预熔的预熔功率为P2，所述P2＝P*150％-％，第二段预熔的预熔时间0.75min.
需要说明的是，第二段预熔功率大于稳定镀膜时实际功率，保证靶材充分预熔，同时高功率预熔可降低预熔时间，提高机台产能。
步骤S3、对完成第二段预熔的镀膜进行第三段预熔，其中第三段预熔的预熔功率为P3，所述P3＝第一段蒸镀功率-1％，第三段预熔的预熔时间0.6min.其中第一段蒸镀功率预先获取的。
需要说明的是，第三段预熔功率与第一段蒸镀功率相当，避免第一段蒸镀过程过冲，保证镀率与功率平稳上升。
步骤S4、对完成第三段预熔后的镀膜进行蒸镀处理，其中蒸镀处理根据镀率选择进行分段蒸镀。
所述蒸镀处理根据镀率选择进行分段蒸镀，包括：
若蒸镀处理的镀率选择以下时，则进行一段蒸镀；
若蒸镀处理的镀率在时，进行分段蒸镀。其中，镀率设置方式不唯一，可合理配置，如：/>等。
需要说明的是，相邻两段蒸镀镀率增加量保证每段蒸镀功率平稳上升。
步骤S4、对完成第三段预熔后的镀膜进行蒸镀处理，其中蒸镀处理根据镀率选择进行分段蒸镀，包括：
所述蒸镀处理过程中，光斑使用点状光斑，且光斑扫描面积设定为坩埚半径的22％。点状光斑能量更集中不易分散，可实现更低功率蒸镀；但因点状光斑面积较小，易导致蒸镀材料受热不均，因此需要设定一定的扫描范围，保证扫描质量。
实施例5
一种提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法，该提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法包括如下步骤：
步骤S1、对镀膜进行第一段预熔，其中第一段预熔的预熔功率为P1，所述P1＝P*50％，所述P为平稳蒸镀阶段功率，第一段预熔的预熔时间1.5min。
需要说明的是，第一段预熔主要为靶材预热阶段，低功率一方面保证靶材预热充分，另一方面以低功率缓慢爬升，保护电子枪使用寿命。所述P为平稳蒸镀阶段功率可以预先获取。
步骤S2、对完成第一段预熔的镀膜进行第二段预熔，其中第二段预熔的预熔功率为P2，所述P2＝P*150％，第二段预熔的预熔时间1min.
需要说明的是，第二段预熔功率大于稳定镀膜时实际功率，保证靶材充分预熔，同时高功率预熔可降低预熔时间，提高机台产能。
步骤S3、对完成第二段预熔的镀膜进行第三段预熔，其中第三段预熔的预熔功率为P3，所述P3＝第一段蒸镀功率，第三段预熔的预熔时间0.75min.其中第一段蒸镀功率预先获取的。
需要说明的是，第三段预熔功率与第一段蒸镀功率相当，避免第一段蒸镀过程过冲，保证镀率与功率平稳上升。
步骤S4、对完成第三段预熔后的镀膜进行蒸镀处理，其中蒸镀处理根据镀率选择进行分段蒸镀。
所述蒸镀处理根据镀率选择进行分段蒸镀，包括：
若蒸镀处理的镀率选择以下时，则进行一段蒸镀；
若蒸镀处理的镀率在时，进行分段蒸镀。其中，镀率设置方式不唯一，可合理配置，如：/>等。
需要说明的是，相邻两段蒸镀镀率增加量保证每段蒸镀功率平稳上升。
步骤S4、对完成第三段预熔后的镀膜进行蒸镀处理，其中蒸镀处理根据镀率选择进行分段蒸镀，包括：
所述蒸镀处理过程中，光斑使用点状光斑，且光斑扫描面积设定为坩埚半径的25％。点状光斑能量更集中不易分散，可实现更低功率蒸镀；但因点状光斑面积较小，易导致蒸镀材料受热不均，因此需要设定一定的扫描范围，保证扫描质量。
实施例6
参见图1，其示出了本实施例的提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法的功率散点图。需要说明的是，图1所示的散点图，横坐标无单位，纵坐标为对应功率的百分比，数值为机台转换数据，无实际单位。
本实施例基于富临金属蒸镀机台，机台参数均为原厂标准参数，以Ni材料蒸镀为例；该提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法包括如下步骤：
步骤S1、对镀膜进行第一段预熔，其中第一段预熔的预熔功率为富临金属蒸镀机台的15％，第一段预熔的预熔时间1min。
步骤S2、对完成第一段预熔的镀膜进行第二段预熔，其中第二段预熔的预熔功率为富临金属蒸镀机台的35％，第二段预熔的预熔时间1.5min.
步骤S3、对完成第二段预熔的镀膜进行第三段预熔，其中第三段预熔的预熔功率为富临金属蒸镀机台的22％，第三段预熔的预熔时间1min。
步骤S4、对完成第三段预熔后的镀膜进行蒸镀处理，其中设定蒸镀镀率为爬升时间1min，蒸镀厚度设定为/>控制模式为膜厚控制。
实施例7
一种提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法，本实施例基于富临金属蒸镀机台，机台参数均为原厂标准参数，以Pt材料蒸镀为例；该提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法包括如下步骤：
步骤S1、对镀膜进行第一段预熔，其中第一段预熔的预熔功率为富临金属蒸镀机台的10％，第一段预熔的预熔时间1min。
步骤S2、对完成第一段预熔的镀膜进行第二段预熔，其中第二段预熔的预熔功率为富临金属蒸镀机台的30％，第二段预熔的预熔时间0.5min.
步骤S3、对完成第二段预熔的镀膜进行第三段预熔，其中第三段预熔的预熔功率为富临金属蒸镀机台的20％，第三段预熔的预熔时间1min。
步骤S4、对完成第三段预熔后的镀膜进行蒸镀处理，其中设定蒸镀镀率为2A/S，爬升时间30s，蒸镀厚度设定为所需镀膜厚度。
实施例8
一种提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法，本实施例基于富临金属蒸镀机台，机台参数均为原厂标准参数，以Pt材料蒸镀为例；该提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法包括如下步骤：
步骤S1、对镀膜进行第一段预熔，其中第一段预熔的预熔功率为富临金属蒸镀机台的10％，第一段预熔的预熔时间1min。
步骤S2、对完成第一段预熔的镀膜进行第二段预熔，其中第二段预熔的预熔功率为富临金属蒸镀机台的20％，第二段预熔的预熔时间0.5min.
步骤S3、对完成第二段预熔的镀膜进行第三段预熔，其中第三段预熔的预熔功率为富临金属蒸镀机台的15％，第三段预熔的预熔时间1min。
步骤S4、对完成第三段预熔后的镀膜进行蒸镀处理，其中设定蒸镀镀率为8A/S，爬升时间1min，蒸镀厚度设定为所需镀膜厚度。
上面对本发明的较佳实施方式作了详细说明，但是本发明并不限于上述实施方式，在本领域的普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本发明宗旨的前提下作出各种变化。
Claims (10)
1.一种提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法，其特征在于，该方法包括：
对镀膜进行第一段预熔，其中第一段预熔的预熔功率为P1，所述P1＝P*50％±2％，P为平稳蒸镀阶段功率，第一段预熔的预熔时间1min-2min；
对完成第一段预熔的镀膜进行第二段预熔，其中第二段预熔的预熔功率为P2，所述P2＝P*150％±2％，第二段预熔的预熔时间0.5min-1.5min；
对完成第二段预熔的镀膜进行第三段预熔，其中第三段预熔的预熔功率为P3，所述P3＝第一段蒸镀功率±2％，第三段预熔的预熔时间0.5min-1min；
对完成第三段预熔后的镀膜进行蒸镀处理，其中蒸镀处理根据镀率选择进行分段蒸镀。
2.如权利要求1所述的提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法，其特征在于，该方法包括：
对镀膜进行第一段预熔，其中第一段预熔的预熔功率为P1，所述P1＝P*50％±1％，所述P为平稳蒸镀阶段功率，第一段预熔的预熔时间1.25min-1.75min；
对完成第一段预熔的镀膜进行第二段预熔，其中第二段预熔的预熔功率为P2，所述P2＝P*150％±1％，第二段预熔的预熔时间0.75min-1.25min；
对完成第二段预熔的镀膜进行第三段预熔，其中第三段预熔的预熔功率为P3，所述P3＝第一段蒸镀功率±1％，第三段预熔的预熔时间0.6min-9min；
对完成第三段预熔后的镀膜进行蒸镀处理，其中蒸镀处理根据镀率选择进行分段蒸镀。
3.如权利要求1所述的提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法，其特征在于，该方法包括：
对镀膜进行第一段预熔，其中第一段预熔的预熔功率为P1，所述P1＝P*50％，所述P为平稳蒸镀阶段功率，第一段预熔的预熔时间1.5min；
对完成第一段预熔的镀膜进行第二段预熔，其中第二段预熔的预熔功率为P2，所述P2＝P*150％，第二段预熔的预熔时间1min；
对完成第二段预熔的镀膜进行第三段预熔，其中第三段预熔的预熔功率为P3，所述P3＝第一段蒸镀功率，第三段预熔的预熔时间0.75min；
对完成第三段预熔后的镀膜进行蒸镀处理，其中蒸镀处理根据镀率选择进行分段蒸镀。
4.如权利要求1所述的提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法，其特征在于，所述蒸镀处理根据镀率选择进行分段蒸镀，包括：
若蒸镀处理的镀率选择以下时，则进行一段蒸镀；
若蒸镀处理的镀率在时，进行分段蒸镀。
5.如权利要求4所述的提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法，其特征在于，所述若蒸镀处理的镀率在时，进行分段蒸镀，包括：
相邻两段蒸镀镀率增加量
6.如权利要求1所述的提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法，其特征在于，对完成第三段预熔后的镀膜进行蒸镀处理，其中蒸镀处理根据镀率选择进行分段蒸镀，包括：
所述蒸镀处理过程中光斑使用点状光斑。
7.如权利要求6所述的提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法，其特征在于，所述光斑扫描面积设定为坩埚半径的20％-30％。
8.如权利要求6所述的提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法，其特征在于，所述光斑扫描面积设定为坩埚半径的22％-28％。
9.如权利要求6所述的提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法，其特征在于，所述光斑扫描面积设定为坩埚半径的25％。
10.如权利要求4所述的提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法，其特征在于，若蒸镀处理的镀率在时，进行三段蒸镀，且每段镀率依次是/>和/>
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202410155210.1A CN117987783A (zh) | 2024-02-02 | 2024-02-02 | 一种提高镀膜稳定性的电子束蒸镀方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| Country | Link |
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| CN (1) | CN117987783A (zh) |
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