CN117882201A - 半导体装置和半导体装置的制造方法 - Google Patents

半导体装置和半导体装置的制造方法 Download PDF

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Abstract

半导体装置(A10)包括第1引线(21)、第2引线(22)、发光元件(11)、受光元件(12)、透明树脂(5)和第1树脂(61)。所述第1引线(21)包含具有在厚度方向上彼此朝向相反侧的第1主面(211a)和第1背面(211b)的第1裸片焊盘(211)。所述第2引线(22)包含具有在所述厚度方向上朝向与所述第1主面(211a)相同侧的第2主面(221a)和在所述厚度方向上朝向与所述第1背面(211b)相同侧的第2背面(221b)的第2裸片焊盘(221)。所述发光元件(11)装载于所述第1主面(211a)。所述受光元件(12)装载于所述第2主面(221a)。所述透明树脂(5)覆盖所述发光元件(11)和所述受光元件(12)各自的至少一部分。所述第1树脂(61)覆盖所述透明树脂(5)。所述透明树脂(5)包括在所述厚度方向上朝向与所述第1主面(211a)相同侧的透明树脂主面(51)和在所述厚度方向上朝向与所述第1背面(211b)相同侧的透明树脂背面(52)。所述透明树脂背面(52)的表面粗糙度比所述透明树脂主面(51)大。

Description

半导体装置和半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及半导体装置和半导体装置的制造方法。
背景技术
现有技术中，已知有通过受光元件接收发光元件所发出的光来传输信号的光半导体组件。在专利文献1中公开了现有的光半导体组件的一例。该文献所公开的光半导体组件包括输入侧引线、输出侧引线、发光元件、受光元件、透明树脂和密封树脂。发光元件装载于输入侧引线，受光元件装载于输出侧引线。透明树脂覆盖发光元件和受光元件，密封树脂覆盖透明树脂。透明树脂形成覆盖发光元件的圆顶部和覆盖受光元件的圆顶部，通过一边使喷嘴在两圆顶间移动一边利用灌注了透明树脂的材料的桥接部进行连结而形成。透明树脂的桥接部的下表面与密封树脂的界面，与输入侧引线的下表面和输出侧引线的下表面齐平(或大致齐平)。在输入侧引线和输出侧引线中，电位大不相同。另外，树脂彼此的界面的绝缘耐压容易降低。在该光半导体组件中，在电位大不相同的引线之间，树脂彼此的界面直线地配置，所以绝缘耐压低。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2009-43821号公报。
发明内容
发明要解决的问题
本发明是基于上述情况而想出的，其一个问题在于提供一种提高了绝缘耐压的半导体装置。
用于解决问题的技术手段
由本发明提供的半导体装置包括：第1引线，其包含第1裸片焊盘，该第1裸片焊盘具有在厚度方向上彼此朝向相反侧的第1主面和第1背面；第2引线，其包含第2裸片焊盘，该第2裸片焊盘具有在所述厚度方向上朝向与所述第1主面相同的一侧的第2主面和在所述厚度方向上朝向与所述第1背面相同的一侧的第2背面；装载于所述第1主面的发光元件；装载于所述第2主面的受光元件；透明树脂，其覆盖所述发光元件和所述受光元件各自的至少一部分；和覆盖所述透明树脂的第1树脂。所述透明树脂包括在所述厚度方向上朝向与所述第1主面相同的一侧的透明树脂主面和在所述厚度方向上朝向与所述第1背面相同的一侧的透明树脂背面。所述透明树脂背面的表面粗糙度比所述透明树脂主面的表面粗糙度大。
发明效果
本发明的半导体装置的绝缘耐压得到提高。
本发明的其他特征和优点通过参照附图在以下进行的详细的说明而变得更加明确。
附图说明
图1是表示本发明的第1实施方式的半导体装置的平面图。
图2是图1所示的半导体装置的平面图，是透过了各树脂的图。
图3是图2的局部放大图。
图4是图1所示的半导体装置的主视图。
图5是图1所示的半导体装置的右侧视图。
图6是沿着图2的VI-VI线的截面图。
图7是图6的局部放大图。
图8是表示比较用的现有的半导体装置的局部放大截面图，是与图7对应的图。
图9是图8所示的半导体装置的局部放大平面图，是与图3对应的图。
图10是表示图1所示的半导体装置的制造方法的流程图的一例。
图11是表示图1的半导体装置的制造方法的工序的局部放大截面图。
图12是表示图1的半导体装置的制造方法的工序的局部放大截面图。
图13是表示图1的半导体装置的制造方法的工序的局部放大截面图。
图14是表示图1的半导体装置的制造方法的工序的局部放大截面图。
图15是表示本发明的第2实施方式的半导体装置的局部放大截面图。
图16是表示本发明的第3实施方式的半导体装置的局部放大截面图。
图17是表示本发明的第4实施方式的半导体装置的局部放大截面图。
图18是表示本发明的第5实施方式的半导体装置的局部放大截面图。
图19是表示本发明的第6实施方式的半导体装置的局部放大截面图。
图20是表示本发明的第7实施方式的半导体装置的局部放大平面图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的优选实施方式进行具体说明。
第1实施方式：
基于图1～图7，对本发明的第1实施方式的半导体装置A10进行说明。半导体装置A10包括发光元件11、受光元件12、导电支承部件2、多个导线4、透明树脂5、白色树脂61、62和密封树脂7。
图1是表示半导体装置A10的平面图。图2是半导体装置A10的平面图。在图2中，为了便于理解，透过了透明树脂5、白色树脂61、62和密封树脂7，用假想线(双点划线)表示各树脂的外形。图3是图2的局部放大图。图4是半导体装置A10的主视图。图5是半导体装置A10的右侧视图。图6是沿着图2的VI-VI线的截面图。图7是图6的局部放大图。
这些图所示的半导体装置A10是表面安装于各种设备的电路基板的装置。此外，半导体装置A10的用途、功能没有限定。半导体装置A10的封装形式是SOP(Small OutlinePackage)。此外，半导体装置A10的封装形式不限于SOP。从厚度方向看(俯视)半导体装置A10的被密封树脂7覆盖的部分的形状为矩形。为了便于说明，将半导体装置A10的厚度方向设为z方向，将与z方向正交的半导体装置A10的端子(后述的引线21的端子部212等)的延伸方向(图1～图3中的上下方向)设为y方向，将与z方向和y方向正交的方向(图1～图3中的左右方向)设为x方向。y方向是“第1方向”的一例，x方向是“第2方向”的一例。半导体装置A10的各尺寸没有特别限定。
导电支承部件2是构成发光元件11和受光元件12与安装半导体装置A10的电路基板的导电路径的导电部件。导电支承部件2是在制造半导体装置A10时使用的引线框的一部分。导电支承部件2的厚度没有特别限定，例如为200μm左右。导电支承部件2优选由Cu和Ni中的任一种或它们的合金或42合金等构成。导电支承部件2包含引线21～引线28。各引线21～引线28相互隔开间隔地配置。
引线21支承发光元件11，与发光元件11导通。引线21包括第1裸片焊盘211和端子部212。
如图2所示，第1裸片焊盘211在半导体装置A10中靠近y方向y1侧，配置在x方向的中央(或大致中央)。第1裸片焊盘211装载有发光元件11。第1裸片焊盘211被透明树脂5、白色树脂61和密封树脂7覆盖。第1裸片焊盘211的z方向看的形状为矩形(或大致矩形)。如图3和图7所示，第1裸片焊盘211具有主面211a、背面211b、相对面211c和2个侧面211d。
如图6和图7所示，主面211a和背面211b在z方向上彼此朝向相反侧。主面211a朝向z2侧，背面211b朝向z1侧。主面211a和背面211b分别是平坦(或大致平坦)的。发光元件11与主面211a接合。如图7所示，相对面211c与主面211a和背面211b相连，朝向y方向y2侧。如图3和图7所示，相对面211c与后述的第2裸片焊盘221的相对面221c相对。如图3所示，2个侧面211d分别与主面211a、背面211b和相对面211c相连。一个侧面211d朝向x方向x1侧，另一个侧面211d朝向x方向x2侧。
如图2所示，端子部212与第1裸片焊盘211的y方向y1侧相连，向y方向y1侧延伸，一部分从密封树脂7露出。端子部212经由第1裸片焊盘211与发光元件11导通。在端子部212的被密封树脂7覆盖的部分设置有沿z方向贯通的贯通孔。该贯通孔是为了提高引线21与密封树脂7的紧贴性而设置的。如图6所示，端子部212的从密封树脂7露出的部分在x方向看时弯曲成钩状。另外，引线21的形状不限于上述形状。
引线23与发光元件11导通。引线23包括焊盘部231和端子部232。
如图2所示，焊盘部231配置在第1裸片焊盘211的x方向x2侧。焊盘部231经由导线4(后述的导线41)与发光元件11导通。焊盘部231被白色树脂61和密封树脂7覆盖。焊盘部231的z方向看的形状为矩形(或者大致矩形)。焊盘部231在朝向z方向z2侧的面上接合有导线41。
如图2所示，端子部232与焊盘部231的y方向y1侧相连，向y方向y1侧延伸，一部分从密封树脂7露出。端子部232经由焊盘部231和导线41与发光元件11导通。在端子部232的被密封树脂7覆盖的部分设置有沿z方向贯通的贯通孔。该贯通孔是为了提高引线23与密封树脂7的紧贴性而设置的。端子部232的从密封树脂7露出的部分在x方向看时弯曲成钩状。另外，引线23的形状不限于上述形状。
引线24是所谓的虚设端子，配置于引线21的x方向x1侧。引线24包括端子部242。如图2所示，端子部242向y方向y1侧延伸，一部分从密封树脂7露出。在端子部242的被密封树脂7覆盖的部分设置有沿z方向贯通的贯通孔。该贯通孔是为了提高引线24与密封树脂7的紧贴性而设置的。端子部242的从密封树脂7露出的部分在x方向看时弯曲成钩状。另外，引线24的形状并不限定于上述形状。
引线25是所谓的虚设端子，配置于引线23的x方向x2侧。引线25包括端子部252。如图2所示，端子部252向y方向y1侧延伸，一部分从密封树脂7露出。在端子部252的被密封树脂7覆盖的部分设置有沿z方向贯通的贯通孔。该贯通孔是为了提高引线25与密封树脂7的紧贴性而设置的。如图5所示，端子部252的从密封树脂7露出的部分在x方向看时弯曲成钩状。另外，引线25的形状不限于上述形状。
如图1所示，端子部242、212、232、252从密封树脂7的y方向y1侧的面(后述的树脂侧面75)突出，从x方向x1侧向x2侧依次等间隔地排列配置。
引线22支承受光元件12，与受光元件12导通。引线22包括第2裸片焊盘221和端子部222。
如图2所示，第2裸片焊盘221在半导体装置A10中靠近y方向y2侧，配置在x方向的中央(或大致中央)。第2裸片焊盘221装载有受光元件12。第2裸片焊盘221经由导线4(后述的导线43)与受光元件12导通。第2裸片焊盘221被透明树脂5和白色树脂61、62覆盖。第2裸片焊盘221的z方向看的形状为矩形(或大致矩形)。如图3和图7所示，第2裸片焊盘221具有主面221a、背面221b、相对面221c和2个侧面221d。
如图6和图7所示，主面221a和背面221b在z方向上彼此朝向相反侧。主面221a朝向z2侧，背面221b朝向z1侧。主面211a和背面211b分别是平坦(或大致平坦)的。受光元件12与主面221a接合。如图7所示，相对面221c与主面221a和背面221b相连，朝向y方向y1侧。如图3和图7所示，相对面221c与第1裸片焊盘211的相对面211c相对。如图3所示，2个侧面221d分别与主面221a、背面221b和相对面221c相连。一个侧面221d朝向x方向x1侧，另一个侧面221d朝向x方向x2侧。
如图2所示，端子部222与第2裸片焊盘221的x方向x2侧相连，向y方向y2侧延伸，一部分从密封树脂7露出。端子部222经由第2裸片焊盘221和导线43与受光元件12导通。在端子部222的被密封树脂7覆盖的部分设置有沿z方向贯通的贯通孔。该贯通孔是为了提高引线22与密封树脂7的紧贴性而设置的。如图5所示，端子部222的从密封树脂7露出的部分在x方向看时弯曲成钩状。另外，引线22的形状不限于上述形状。
引线26与受光元件12导通。引线26包括焊盘部261和端子部262。
如图2所示，焊盘部261配置在第2裸片焊盘221的x方向x1侧。焊盘部261经由导线4(后述的导线42)与受光元件12导通。焊盘部261被白色树脂61和密封树脂7覆盖。焊盘部261的z方向看的形状为矩形(或者大致矩形)。焊盘部261在朝向z方向z2侧的面上接合有导线42。
如图2所示，端子部262与焊盘部261的y方向y2侧相连，向y方向y2侧延伸，一部分从密封树脂7露出。端子部262经由焊盘部261和导线42与受光元件12导通。在端子部262的被密封树脂7覆盖的部分设置有沿z方向贯通的贯通孔。该贯通孔是为了提高引线26与密封树脂7的紧贴性而设置的。端子部262的从密封树脂7露出的部分在x方向看时弯曲成钩状。另外，引线26的形状不限于上述形状。
引线27与受光元件12导通。引线27包括焊盘部271和端子部272。
如图2所示，焊盘部271配置在第2裸片焊盘221的y方向y2侧。焊盘部271经由导线4(后述的导线44)与受光元件12导通。焊盘部271被密封树脂7覆盖。焊盘部271的z方向看的形状为矩形(或者大致矩形)。焊盘部271在朝向z方向z2侧的面上接合有导线44。
如图2所示，端子部272与焊盘部271的y方向y2侧相连，向y方向y2侧延伸，一部分从密封树脂7露出。端子部272经由焊盘部271和导线44与受光元件12导通。在端子部272的被密封树脂7覆盖的部分设置有沿z方向贯通的贯通孔。该贯通孔是为了提高引线27与密封树脂7的紧贴性而设置的。端子部272的从密封树脂7露出的部分在x方向看时弯曲成钩状。另外，引线27的形状不限于上述形状。
引线28与受光元件12导通。引线28包括焊盘部281和端子部282。
如图2所示，焊盘部281在第2裸片焊盘221的y方向y2侧配置于焊盘部271的x方向x2侧。焊盘部281经由导线4(后述的导线45)与受光元件12导通。焊盘部281被密封树脂7覆盖。焊盘部281的z方向看的形状为矩形(或者大致矩形)。焊盘部281在朝向z方向z2侧的面上接合着导线45。
如图2所示，端子部282与焊盘部281的y方向y2侧相连，向y方向y2侧延伸，一部分从密封树脂7露出。端子部282经由焊盘部281和导线45与受光元件12导通。在端子部282的被密封树脂7覆盖的部分设置有沿z方向贯通的贯通孔。该贯通孔是为了提高引线28与密封树脂7的紧贴性而设置的。端子部282的从密封树脂7露出的部分在x方向看时弯曲成钩状。另外，引线28的形状不限于上述形状。
如图1所示，端子部262、272、282、222从密封树脂7的y方向y2侧的面(后述的树脂侧面76)突出，从x方向x1侧向x2侧依次等间隔地排列配置。
在引线21～引线28的从密封树脂7露出的部分，例如也可形成包含以Sn为主成分的合金的镀层。此外，也可以在第1裸片焊盘211的主面211a的接合发光元件11的区域、第2裸片焊盘221的主面221a的接合受光元件12或导线43的区域和焊盘部231、261、271、281的接合导线4的区域中，形成例如由Ag构成的镀层。
发光元件11例如是LED芯片，构成为能够发出一定波长的光。发光元件11的构成材料包含半导体材料。发光元件11是从z方向看呈矩形的板状。如图7所示，发光元件11包括主面111和背面112。主面111和背面112在z方向上彼此朝向相反侧。主面111朝向z方向z2侧。背面112朝向z方向z1侧。发光元件11包括配置于主面111的阴极电极(未图示)和配置于背面112的阳极电极(未图示)。
如图7所示，发光元件11经由未图示的接合材料与第1裸片焊盘211的主面211a接合。接合材料是导电性的接合材料，没有特别限定，例如是焊料。发光元件11通过接合材料将背面112与第1裸片焊盘211的主面211a接合。发光元件11的阳极电极经由接合材料与第1裸片焊盘211导通连接。由此，引线21的端子部212与发光元件11的阳极电极导通，作为阳极端子发挥功能。如图3所示，发光元件11的阴极电极经由导线41与引线23的焊盘部231导通连接。由此，引线23的端子部232与发光元件11的阴极电极导通，作为阴极端子发挥功能。
发光元件11整体被透明树脂5覆盖。发光元件11根据在阳极电极与阴极电极之间施加电压而流动的电流来发光。发光元件11发出的光在透明树脂5内行进。由于发光元件11的整体被透明树脂5覆盖，所以发光元件11发出的光被高效地送到受光元件12。
受光元件12接收发光元件11发出的光。受光元件12的构成材料包含半导体材料。受光元件12是从z方向看呈矩形的板状。如图7所示，受光元件12包括主面121和背面122。主面121和背面122在z方向上彼此朝向相反侧。主面121朝向z方向z2侧。背面122朝向z方向z1侧。
如图7所示，受光元件12经由未图示的接合材料与第2裸片焊盘221的主面221a接合。接合材料没有特别限定，例如为绝缘性接合材料。受光元件12的背面122通过接合材料与第2裸片焊盘221的主面221a接合。发光元件11和受光元件12在y方向上排列。
如图3和图7所示，在受光元件12的主面121配置有受光部121a和电路形成部121b。受光部121a配置在主面121的y方向y1侧附近。受光部121a例如具有光电二极管，产生与接收到的光的光量对应的电动势。受光元件12的主面121中的配置有受光部121a的区域整体被透明树脂5覆盖。由此，受光部121a能够经由透明树脂5适当地接收来自发光元件11的光。
电路形成部121b从主面121的y方向中央配置于y2侧。在电路形成部121b形成有包含晶体管等的电路。电路形成部121b将通过受光部121a接收光而产生的电动势放大并输出。在电路形成部121b配置有多个电极。如图3所示，各电极经由导线4与引线22、引线26、引线27、引线28导通连接。具体而言，受光元件12的电源电极经由导线42与引线26的焊盘部261导通连接。由此，引线26的端子部262与受光元件12的电源电极导通，作为电源端子发挥功能。受光元件12的接地电极经由导线43与第2裸片焊盘221导通连接。由此，引线22的端子部222与受光元件12的接地电极导通，作为接地端子发挥功能。受光元件12的输出电极经由导线44与引线27的焊盘部271导通连接。由此，引线27的端子部272与受光元件12的输出电极导通，作为输出端子发挥功能。受光元件12包括在电源电压降低的情况下停止输出的低电压误动作防止功能。受光元件12包括输出表示电源电压降低的低电压检测信号的检测电极。该检测电极经由导线45与引线28的焊盘部281导通连接。由此，引线28的端子部282与受光元件12的检测电极导通，作为检测端子发挥功能。
受光元件12的主面121中的配置有电路形成部121b的区域从透明树脂5露出，整体被白色树脂61或白色树脂62覆盖。由此，发光元件11发出的光不照射到电路形成部121b。
当在端子部212与端子部222之间施加电压时，在发光元件11的阳极电极与阴极电极之间施加电压而流动电流，发光元件11发光。受光元件12的受光部121a在接收到光时，产生与接收到的光的光量对应的电动势。该电动势在电路形成部121b中被供给到端子部262与端子部222之间的电源放大，并从端子部272输出。这样，半导体装置A10能够在输入侧(端子部212和端子部232)与输出侧(端子部272)电绝缘的状态下，从输入侧向输出侧传输信号。
如图2和图3所示，多个导线4是与导电支承部件2一起构成发光元件11和受光元件12与电路基板的导电路径的导电部件。多个导线4各自的构成材料例如是包含Au、Cu或Al的金属。多个导线4包含导线41～导线45。
导线41构成发光元件11与引线23的导电路径。导线41与发光元件11的阴极电极和引线23的焊盘部231接合。此外，导线41的数量没有限定。导线42构成受光元件12与引线26的导电路径。导线42与受光元件12的电源电极和引线26的焊盘部261接合。另外，导线42的数量没有限定。导线43构成受光元件12与引线22的导电路径。导线43与受光元件12的接地电极和第2裸片焊盘221接合。此外，导线43的数量没有限定。导线44构成受光元件12与引线27的导电路径。导线44与受光元件12的输出电极和引线27的焊盘部271接合。此外，导线44的数量没有限定。导线45构成受光元件12与引线28的导电路径。导线45与受光元件12的检测电极和引线28的焊盘部281接合。另外，导线45的数量没有限定。
如图3和图7所示，透明树脂5覆盖导电支承部件2的一部分、发光元件11的整体、受光元件12的一部分(配置有受光部121a的部分)和导线41的一部分。透明树脂5具有电绝缘性。透明树脂5例如包含透明的环氧树脂。另外，透明树脂5的构成材料只要是具有透光性的材料即可，没有限定。如后所述，透明树脂5通过在成为导电支承部件2的引线框的z方向z1侧配置模具，从z方向z2侧灌注透明树脂5的材料而形成。
如图7所示，透明树脂5是向z方向z2侧鼓出的圆顶形状。透明树脂5在z方向看时的第1裸片焊盘211与第2裸片焊盘221之间，包含位于比背面211b和背面221b靠z方向z1侧的部分。另外，透明树脂5覆盖背面211b和背面221b各自的一部分。另外，透明树脂5也可以覆盖背面211b或背面221b的整个面。透明树脂5中的形成于导电支承部件2的z方向z1侧的部分距导电支承部件2的高度(z方向的尺寸)的最大值，与形成于导电支承部件2的z方向z2侧的部分距导电支承部件2的高度(z方向的尺寸)的最大值相比足够小。即，透明树脂5形成为在导电支承部件2的z方向z2侧厚，在z1侧薄。透明树脂5中的形成于导电支承部件2的z方向z1侧的部分由模具形成，所以形成为规定的形状。
如图7所示，透明树脂5包括透明树脂主面51和透明树脂背面52。透明树脂主面51和透明树脂背面52在z方向上相互朝向相反侧。透明树脂主面51朝向z方向z2侧，透明树脂背面52朝向z方向z1侧。透明树脂主面51是向z方向z2侧鼓出的圆顶形的曲面。透明树脂背面52是位于比背面211b和背面221b靠z方向z1侧的部分(包括覆盖背面211b和背面221b的部分)的表面。在透明树脂背面52形成有凹凸。该凹凸的形状、配置和凹凸差没有限定。该凹凸由形成于模具的凹凸形成。另一方面，透明树脂主面51通过灌注中的透明树脂5的材料的表面张力而形成，所以平滑。因此，透明树脂背面52与透明树脂主面51相比，表面粗糙度大。
如图3所示，透明树脂5在z方向看时为在x方向上较长的椭圆形状(或者大致椭圆形状)。透明树脂5的y方向的尺寸W1优选较小，x方向的尺寸W2优选较大。尺寸W2优选大于尺寸W1，更优选为尺寸W1的1.5倍以上。透明树脂5分别覆盖第1裸片焊盘211的相对面211c和第2裸片焊盘221的相对面221c的整个面。另外，在z方向看时，透明树脂5与白色树脂61的界面比第1裸片焊盘211的2个侧面211d更向外侧突出。
白色树脂61、62具有电绝缘性，是着色为白色的例如硅树脂。另外，白色树脂61、62的构成材料并无限定。白色树脂61覆盖透明树脂5的整体。发光元件11发出的光在透明树脂5与白色树脂61的界面反射，在透明树脂5的内部行进。如图3所示，白色树脂61在z方向看时为在x方向上较长的椭圆形状(或大致椭圆形状)。白色树脂61的x方向的尺寸W4优选较大。尺寸W4优选大于y方向的尺寸W3，更优选为尺寸W 3的1.5倍以上。白色树脂61覆盖第2裸片焊盘221的2个侧面221d各自的整个面。白色树脂61通过灌注白色树脂61的材料而形成为覆盖透明树脂5的整体。白色树脂61的表面通过灌注中的白色树脂61的材料的表面张力而形成，所以是平滑的。
白色树脂62与受光元件12的主面121接触，在主面121的y方向上的中央(或大致中央)以覆盖x方向的整体的方式配置。白色树脂62以不覆盖受光部121a的方式形成在电路形成部121b上。此外，白色树脂62与透明树脂5和白色树脂61两者接触。白色树脂62通过灌注白色树脂62的材料而形成。白色树脂62在形成透明树脂5之前形成，在形成透明树脂5时，阻挡流动化的透明树脂5的材料的流动。由此，透明树脂5形成为覆盖受光部121a且不覆盖电路形成部121b。白色树脂61和白色树脂62的构成材料优选为相同的材料，但未必需要相同。
另外，也可以使用白色以外的颜色的树脂来代替白色树脂61、62。只要是能够在与透明树脂5的界面反射发光元件11发出的光的树脂，则其颜色没有限定。但是，为了高效地反射光，优选为白色。
密封树脂7覆盖导电支承部件2的一部分、发光元件11、受光元件12、各导线4、透明树脂5和白色树脂61、62的整体。密封树脂7具有电绝缘性。密封树脂7例如包含黑色的环氧树脂。另外，密封树脂7的构成材料没有限定。密封树脂7例如通过使用模具的模塑成型而形成。在z方向看时，密封树脂7为矩形。
密封树脂7包括树脂顶面71、树脂底面72和树脂侧面73～76。树脂顶面71和树脂底面72在z方向上彼此朝向相反侧。树脂顶面71朝向z方向z2侧，树脂底面72朝向z方向z1侧。树脂顶面71和树脂底面72是平坦(或者大致平坦)的。
树脂侧面73～76分别与树脂顶面71和树脂底面72相连，并且在z方向上被树脂顶面71与树脂底面72夹持。树脂侧面73和树脂侧面74在x方向上彼此朝向相反侧。树脂侧面73朝向x方向的x1侧，树脂侧面74朝向x方向x2侧。树脂侧面75和树脂侧面76在y方向上彼此朝向相反侧。树脂侧面75朝向y方向的y1侧，树脂侧面76朝向y方向y2侧。如图1所示，端子部242、212、232、252各自的一部分从树脂侧面75突出。另外，端子部262、272、282、222各自的一部分从树脂侧面76突出。导电支承部件2未从树脂侧面73和树脂侧面74露出。
如图4和图5所示，树脂侧面73～76分别包括与树脂顶面71相连且以越朝向树脂顶面71越相互接近的方式倾斜的面。即，密封树脂7中的被与这些树脂顶面71相连并倾斜的面包围的部分是xy平面上的截面积越朝向树脂顶面71越小的锥形状。另外，树脂侧面73～76分别包括与树脂底面72相连且以越朝向树脂底面72越相互接近的方式倾斜的面。即，密封树脂7中的被与这些树脂底面72相连并倾斜的面包围的部分是xy平面上的截面积越朝向树脂底面72越小的锥形状。此外，图1、图4和图5所示的密封树脂7的形状是一个例子。密封树脂7的形状并不限定于例示的形状。
接着，以下参照图10～图14对半导体装置A10的制造方法的一例进行说明。
图10是表示半导体装置A10的制造方法的流程图的一例。图11～图14是表示半导体装置A10的制造方法的工序的局部放大截面图，是与图7对应的图。此外，图11～图14所示的x方向、y方向和z方向表示与图1～图7相同的方向。
如图10所示，半导体装置A10的制造方法包括引线框形成工序S10、裸片键合工序S20、导线键合工序S30、阻挡树脂形成工序S40、透明树脂形成工序S50、白色树脂形成工序S60、密封树脂形成工序S70和切断工序S80。
引线框形成工序S10是由金属板形成引线框的工序。在该工序中，首先，准备成为引线框的材料的金属板。然后，通过对金属板实施冲裁加工或蚀刻处理等，形成引线框91。引线框91具有在z方向上彼此朝向相反侧的主面911和背面912(参照图11)。
裸片键合工序S20是在引线框91上接合发光元件11和受光元件12的工序。在该工序中，在引线框91的主面911的成为第1裸片焊盘211的部分，经由接合材料接合发光元件11(参照图11)。另外，在引线框91的主面911的成为第2裸片焊盘221的部分，经由接合材料接合受光元件12(参照图11)。另外，裸片键合工序S20中的发光元件11和受光元件12的接合方法没有限定。
导线键合工序S30是形成导线4的工序。在该工序中，在发光元件11的阴极电极和引线框91的主面911的成为焊盘部231的部分接合导线41。另外，在受光元件12的各电极和引线框91的主面911的规定位置分别接合导线42～45。另外，导线键合工序S30中的导线4的形成方法没有限定。
阻挡树脂形成工序S40是形成白色树脂62的工序。在该工序中，如图11所示，通过在与引线框91的主面911接合的受光元件12的主面121上灌注白色树脂62的材料并使其固化，从而形成白色树脂62。白色树脂62形成为不覆盖受光元件12的受光部121a。
透明树脂形成工序S50是形成透明树脂5的工序。在该工序中，首先，如图12所示，在模具92的载置面921上以背面912朝下的方式载置引线框91。模具92包括从载置面921向z方向z1侧凹陷的凹部922。凹部922包含在z方向看时位于发光元件11与受光元件12之间的部分。另外，在凹部922形成有凹凸。接着，如图13所示，通过从引线框91的主面911侧(z方向z2侧)灌注透明树脂5的材料并使其固化，形成透明树脂5。透明树脂5的材料以覆盖发光元件11的整体和受光元件12的一部分的方式被灌注。此时，透明树脂5的材料的流动被白色树脂62阻挡，所以透明树脂5形成为覆盖受光部121a且不覆盖电路形成部121b。透明树脂5的透明树脂背面52成为由模具92的凹部922规定的形状。因此，在透明树脂背面52形成凹凸。另一方面，透明树脂5的透明树脂主面51由于灌注中的透明树脂5的材料的表面张力而成为向z方向z2侧鼓出的圆顶形的平滑的曲面。调整透明树脂5的材料的粘度和滴下量，以使透明树脂主面51的形状成为所期望的形状。
白色树脂形成工序S60是形成白色树脂61的工序。在该工序中，如图14所示，灌注白色树脂61的材料，覆盖透明树脂5的整体并使其固化，由此形成白色树脂61。白色树脂61的表面由于灌注中的白色树脂61的材料的表面张力而成为平滑的曲面。调整白色树脂61的材料的粘度和滴下量，以使白色树脂61的形状成为所希望的形状。
密封树脂形成工序S70是形成密封树脂7的工序。在该工序中，通过使密封树脂7的材料固化，形成覆盖引线框91的一部分、发光元件11、受光元件12、各导线4、透明树脂5和白色树脂61、62的整体的密封树脂7。该工序例如通过使用模具的公知的传递模塑成型来进行。具体而言，将形成有白色树脂61的引线框91设置于模具成形机。接着，使流动化的白色树脂61的材料流入模具内的型腔，进行模塑成形并使其固化。由此，形成密封树脂7。另外，密封树脂形成工序S70中的密封树脂7的形成方法没有限定。
切断工序S80是切断引线框91的工序。在该工序中，例如使用刀片将引线框91切断而单片化。由此，形成要成为半导体装置A10的单片。另外，切断工序S80中的切断方法没有限定。接着，对各端子部212、222、232、242、252、262、272、282中的从密封树脂7突出的部分进行弯曲加工。经过以上的工序，制造上述的半导体装置A10。
接着，对半导体装置A10的作用效果进行说明。
根据本实施方式，在透明树脂背面52形成有凹凸。因此，与未形成凹凸的情况相比，第1裸片焊盘211与第2裸片焊盘221之间的、透明树脂背面52与白色树脂61的界面(以下记载为“背面侧界面”)的界面距离较大。由此，半导体装置A10的绝缘耐压提高。此外，透明树脂5在z方向看时的第1裸片焊盘211与第2裸片焊盘221之间，包含位于比背面211b及背面221b靠z方向z1侧的部分。因此，与透明树脂背面52和背面211b及背面221b齐平的情况相比，背面侧界面的界面距离较大。由此，半导体装置A10的绝缘耐压进一步提高。另外，透明树脂5覆盖背面211b和背面221b各自的一部分。因此，与透明树脂背面52未覆盖背面211b和背面221b的情况相比，背面侧界面的界面距离较大。由此，半导体装置A10的绝缘耐压进一步提高。
图8和图9是表示比较用的现有的半导体装置A100的图。图8是半导体装置A100的局部放大截面图，是与图7对应的图。图9是半导体装置A100的局部放大平面图，是与图3对应的图。半导体装置A100的透明树脂5的形状与半导体装置A10不同。如图8所示，在半导体装置A100中，透明树脂背面52与背面211b及背面221b齐平。由于背面侧界面(参照图8的粗线箭头d5’)直线配置，所以背面侧界面的界面距离短。半导体装置A10通过使透明树脂5成为上述结构，背面侧界面(参照图7的粗线箭头d5)的界面距离与半导体装置A100的情况(参照图8的粗线箭头d5’)相比变大。由此，半导体装置A10的绝缘耐压提高。
另外，根据本实施方式，透明树脂5在z方向看时为在x方向上较长的椭圆形状(或者大致椭圆形状)。因此，与透明树脂5在z方向看时为圆形状或在y方向上较长的椭圆形状(或大致椭圆形状)的情况相比，第1裸片焊盘211与第2裸片焊盘221之间的、透明树脂5与白色树脂61的界面中的x方向两端侧的界面(以下记载为“侧面侧界面”)的界面距离较大。特别是，根据本实施方式，透明树脂5分别覆盖第1裸片焊盘211的相对面211c和第2裸片焊盘221的相对面221c的整个面。因此，各侧面侧界面与第1裸片焊盘211的侧面211d和第2裸片焊盘221的侧面221d相连(参照图3的粗线箭头d1、d2)。另一方面，如图9所示，在比较用半导体装置A100中，第1裸片焊盘211的相对面211c和第2裸片焊盘221的相对面221c具有未被透明树脂5覆盖的部分。在图9中，x方向x1侧的侧面侧界面(参照图9的粗线箭头d1’)与第1裸片焊盘211的相对面211c和第2裸片焊盘221的相对面221c相连。另外，x方向x2侧的侧面侧界面(参照图9的粗线箭头d2’)与第1裸片焊盘211的x方向x2侧的侧面211d和第2裸片焊盘221的相对面221c相连。这样，半导体装置A10通过透明树脂5分别覆盖相对面211c和相对面221c的整个面，各侧面侧界面(参照图3的粗线箭头d1、d2)的界面距离与半导体装置A100的情况(参照图9的粗线箭头d1’、d2’)相比变大。由此，半导体装置A10的绝缘耐压提高。
另外，根据本实施方式，白色树脂61在z方向看时为在x方向上较长的椭圆形状(或大致椭圆形状)。因此，与白色树脂61在z方向看时为圆形状或在y方向上较长的椭圆形状(或大致椭圆形状)的情况相比，输入侧的导电支承部件2(第1裸片焊盘211和引线23的焊盘部231)与输出侧的导电支承部件2(第2裸片焊盘221和引线26的焊盘部261)之间的、白色树脂61与密封树脂7的界面中的x方向两端侧的界面的界面距离较大。比较图3和图9，半导体装置A10的白色树脂61与密封树脂7的界面中的x方向x1侧的界面(参照图3的粗线箭头d3)的界面距离比半导体装置A100的情况(参照图9的粗线箭头d3’)大。另外，半导体装置A10中，白色树脂61与密封树脂7的界面中的x方向x2侧的界面(参照图3的粗线箭头d4)的界面距离与半导体装置A100的情况(参照图9的粗线箭头d4’)相比变大。由此，半导体装置A10的绝缘耐压提高。
另外，根据本实施方式，受光元件12的受光部121a被透明树脂5覆盖，且电路形成部121b被白色树脂61或白色树脂62覆盖。因此，受光部121a能够经由透明树脂5适当地接收来自发光元件11的光。另外，电路形成部121b不被照射发光元件11发出的光。因此，形成于电路形成部121b的电路能够抑制由光引起的劣化。根据本实施方式，白色树脂62形成为在形成透明树脂5之前不覆盖受光部121a，在形成透明树脂5时，阻挡流动化的透明树脂5的材料。由此，透明树脂5形成为覆盖受光部121a且不覆盖电路形成部121b。
此外，根据本实施方式，透明树脂5通过在引线框91的z方向z1侧配置模具92，并从引线框91的主面911侧(z方向z2侧)灌注透明树脂5的材料而形成。在透明树脂5的形成中，在不使用模具92而通过灌注形成的情况下，难以将透明树脂5调整为期望的形状。特别是在引线框架91的主面911侧形成圆顶状的鼓出部分的情况下，引线框架91的背面912侧的部分的形状难以调整。另外，引线框91的背面912侧的部分由于材料的表面张力而成为平滑的曲面。在本实施方式中，通过使用模具92，透明树脂5的透明树脂背面52的形状由凹部922规定，形成为期望的形状。
另外，根据本实施方式，端子部242、212、232、252各自的一部分从树脂侧面75露出。另外，端子部262、272、282、222各自的一部分从树脂侧面76露出。另一方面，导电支承部件2未从树脂顶面71、树脂底面72、树脂侧面73和树脂侧面74露出。即，在电位差大的输入侧的端子与输出侧的端子之间，不存在从密封树脂7露出的导电支承部件2的金属部分。因此，输入侧的端子与输出侧的端子的绝缘距离(将输入侧的端子的从密封树脂7露出的露出部分和输出侧的端子的从密封树脂7露出的露出部分沿着密封树脂7的表面连结的距离即爬电距离)变长。由此，半导体装置A10与支承引线等导电支承部件2从树脂侧面73或树脂侧面74露出的情况相比，绝缘耐压提高。
此外，在本实施方式中，说明了半导体装置A10包括白色树脂61、62的情况，但不限于此。也可以不设置白色树脂61，透明树脂5被密封树脂7覆盖。另外，也可以不设置白色树脂62。
图15至图19表示了本发明的另一实施方式。此外，在这些图中，对与上述实施方式相同或类似的要素，标注与上述实施方式相同的附图标记，并省略重复的说明。
第2实施方式：
图15是用于说明本发明的第2实施方式的半导体装置A20的图。图15是表示半导体装置A20的局部放大截面图，是与图7对应的图。本实施方式的半导体装置A20在不包括白色树脂62这一点上与第1实施方式的半导体装置A10不同。本实施方式的其他部分的结构和动作与第1实施方式相同。此外，上述的第1实施方式的各部也可以任意地组合。
在本实施方式中，半导体装置A20不包括白色树脂62。半导体装置A20通过调整透明树脂5的材料的粘度和滴下量，形成为透明树脂5不覆盖受光元件12的电路形成部121b。
在本实施方式中，在透明树脂背面52也形成有凹凸。此外，透明树脂5在z方向看时的第1裸片焊盘211与第2裸片焊盘221之间，包含位于比背面211b和背面221b靠z方向z1侧的部分。另外，透明树脂5覆盖背面211b和背面221b各自的一部分。半导体装置A20与半导体装置A100相比，背面侧界面的界面距离大，所以绝缘耐压提高。此外，在本实施方式中，透明树脂5也通过在引线框91的z方向z1侧配置模具92，并从引线框91的主面911侧灌注透明树脂5的材料而形成。因此，透明树脂5的透明树脂背面52的形状由凹部922规定，形成为所希望的形状。另外，半导体装置A20通过与半导体装置A10共通的结构，起到与半导体装置A10同等的效果。
第3实施方式：
图16是用于说明本发明的第3实施方式的半导体装置A30的图。图16是表示半导体装置A30的局部放大截面图，是与图7对应的图。本实施方式的半导体装置A30在不包括白色树脂61这一点上与第1实施方式的半导体装置A10不同。本实施方式的其他部分的结构和动作与第1实施方式相同。此外，上述的第1～2实施方式的各部也可以任意地组合。
在本实施方式中，半导体装置A30不包括白色树脂61。半导体装置A30不是用白色树脂61覆盖透明树脂5，而是用密封树脂7覆盖。发光元件11发出的光在透明树脂5与密封树脂7的界面反射，被受光元件12接收。此外，半导体装置A30也可以与半导体装置A20同样地不包括白色树脂62。
在本实施方式中，在透明树脂背面52也形成有凹凸。此外，透明树脂5在z方向看时的第1裸片焊盘211与第2裸片焊盘221之间，包含位于比背面211b和背面221b靠z方向z1侧的部分。另外，透明树脂5覆盖背面211b和背面221b各自的一部分。半导体装置A30与半导体装置A100相比，背面侧界面的界面距离大，所以绝缘耐压提高。此外，在本实施方式中，透明树脂5也通过在引线框91的z方向z1侧配置模具92，并从引线框91的主面911侧灌注透明树脂5的材料而形成。因此，透明树脂5的透明树脂背面52的形状由凹部922规定，形成为所希望的形状。另外，半导体装置A30通过与半导体装置A10共通的结构，起到与半导体装置A10同等的效果。
第4实施方式：
图17是用于说明本发明的第4实施方式的半导体装置A40的图。图17是表示半导体装置A40的局部放大截面图，是与图7对应的图。本实施方式的半导体装置A40在透明树脂背面52未形成凹凸这一点上与第1实施方式的半导体装置A10不同。本实施方式的其他部分的结构和动作与第1实施方式相同。此外，上述的第1～3实施方式的各部也可以任意地组合。
本实施方式的透明树脂5在透明树脂背面52未形成凹凸。透明树脂5使用在凹部922未形成凹凸的模具92而形成。
在本实施方式中，透明树脂5也包括在z方向看时的第1裸片焊盘211与第2裸片焊盘221之间位于比背面211b和背面221b靠z方向z1侧的部分。另外，透明树脂5覆盖背面211b和背面221b各自的一部分。半导体装置A40即使在透明树脂背面52未形成凹凸，与半导体装置A100相比，背面侧界面的界面距离也大，所以绝缘耐压提高。此外，在本实施方式中，透明树脂5也通过在引线框91的z方向z1侧配置模具92，并从引线框91的主面911侧灌注透明树脂5的材料而形成。因此，透明树脂5的透明树脂背面52的形状由凹部922规定，形成为所希望的形状。另外，半导体装置A40通过与半导体装置A10共同的结构，起到与半导体装置A10同等的效果。
第5实施方式：
图18是用于说明本发明的第5实施方式的半导体装置A50的图。图18是表示半导体装置A50的局部放大截面图，是与图7对应的图。本实施方式的半导体装置A50的透明树脂5的形状与第1实施方式的半导体装置A10不同。本实施方式的其他部分的结构和动作与第1实施方式相同。此外，也可以任意地组合上述的第1～4实施方式的各部。
本实施方式的透明树脂5在z方向看时的第1裸片焊盘211与第2裸片焊盘221之间，不包含位于比背面211b和背面221b靠z方向z1侧的部分。另外，透明树脂5不具有覆盖背面211b或背面221b的一部分的部分。透明树脂5使用未形成凹部922且在载置面921形成有凹凸的模具92而形成。
在本实施方式中，在透明树脂背面52也形成有凹凸。因此，半导体装置A50与半导体装置A100相比，背面侧界面的界面距离大，所以绝缘耐压提高。此外，在本实施方式中，透明树脂5也通过在引线框91的z方向z1侧配置模具92，并从引线框91的主面911侧灌注透明树脂5的材料而形成。因此，透明树脂5的透明树脂背面52的形状由模具92规定，形成为所希望的形状。另外，半导体装置A50通过与半导体装置A10共同的结构，起到与半导体装置A10同等的效果。另外，根据本实施方式，半导体装置A50在背面211b和背面221b侧没有形成透明树脂5，所以能够减小密封树脂7的z方向的尺寸。
第6实施方式：
图19是用于说明本发明的第6实施方式的半导体装置A60的图。图19是表示半导体装置A60的局部放大截面图，是与图7对应的图。本实施方式的半导体装置A60的透明树脂5的形状与第1实施方式的半导体装置A10不同。本实施方式的其他部分的结构和动作与第1实施方式相同。此外，上述的第1～5实施方式的各部也可以任意地组合。
本实施方式的透明树脂5不具有覆盖背面211b或背面221b的一部分的部分。即，透明树脂5不覆盖背面211b和背面221b。
在本实施方式中，透明树脂5也包括在z方向看时的第1裸片焊盘211与第2裸片焊盘221之间位于比背面211b和背面221b靠z方向z1侧的部分。另外，在透明树脂背面52形成有凹凸。半导体装置A60即使透明树脂5不覆盖背面211b和背面221b，与半导体装置A100相比，背面侧界面的界面距离也大，所以绝缘耐压提高。此外，在本实施方式中，透明树脂5也通过在引线框91的z方向z1侧配置模具92，并从引线框91的主面911侧灌注透明树脂5的材料而形成。因此，透明树脂5的透明树脂背面52的形状由模具92规定，形成为所希望的形状。另外，半导体装置A60通过与半导体装置A10共通的结构，起到与半导体装置A10同等的效果。
如上述第1、4～6实施方式所示，半导体装置A10、A40、A50、A60通过模具92的设计，能够自由地调整透明树脂背面52的形状。
第7实施方式：
图20是用于说明本发明的第7实施方式的半导体装置A70的图。图20是表示半导体装置A70的局部放大平面图，是与图3对应的图。在图20中，为了便于理解，透过透明树脂5、白色树脂61、62和密封树脂7，用假想线(双点划线)表示各自的外形。本实施方式的半导体装置A70的透明树脂5的形状与第1实施方式的半导体装置A10不同。本实施方式的其他部分的结构和动作与第1实施方式相同。此外，上述的第1～6实施方式的各部也可以任意地组合。
本实施方式的第1裸片焊盘211的相对面211c的整个面未被透明树脂5覆盖，一部分被白色树脂61覆盖。此外，第2裸片焊盘221的相对面221c也没有被透明树脂5整面覆盖，一部分被白色树脂61覆盖。即，透明树脂5仅覆盖相对面211c和相对面221c各自的一部分。x方向x1侧的侧面侧界面与第1裸片焊盘211的相对面211c和第2裸片焊盘221的侧面221d相连(参照图20的粗线箭头d1)。另外，x方向x2侧的侧面侧界面与第1裸片焊盘211的侧面211d和第2裸片焊盘221的相对面221c相连(参照图20的粗线箭头d2)。但是，与第1实施方式的半导体装置A10同样，侧面侧界面均比第1裸片焊盘211的2个侧面211d更向外侧突出。
在本实施方式中，在透明树脂背面52也形成有凹凸。此外，透明树脂5在z方向看时的第1裸片焊盘211与第2裸片焊盘221之间，包含位于比背面211b和背面221b靠z方向z1侧的部分。另外，透明树脂5覆盖背面211b和背面221b各自的一部分。半导体装置A70与半导体装置A100相比，背面侧界面的界面距离大，所以绝缘耐压提高。
另外，根据本实施方式，透明树脂5没有覆盖第1裸片焊盘211的相对面211c和第2裸片焊盘221的相对面221c各自的整个面，但侧面侧界面都比第1裸片焊盘211的2个侧面211d向外侧突出。因此，侧面侧界面(参照图20的粗线箭头d1、d2)的界面距离与半导体装置A100的情况(参照图9的粗线箭头d1’、d2’)相比变大。由此，半导体装置A70的绝缘耐压提高。
此外，在本实施方式中，透明树脂5也通过在引线框91的z方向z1侧配置模具92，并从引线框91的主面911侧灌注透明树脂5的材料而形成。因此，透明树脂5的透明树脂背面52的形状由凹部922规定，形成为所希望的形状。另外，半导体装置A70通过与半导体装置A10共通的结构，起到与半导体装置A10同等的效果。
本发明的半导体装置和半导体装置的制造方法不限于上述实施方式。本发明的半导体装置的各个部分的具体配置和本发明的半导体装置的制造方法的各个工序的具体方法可以以各种方式修改设计。本发明包括以下的附记所记载的实施方式。
附记1.(图7)
一种半导体装置，其包括：
第1引线(21)，其包含第1裸片焊盘(211)，该第1裸片焊盘(211)具有在厚度方向(z方向)上彼此朝向相反侧的第1主面(211a)和第1背面(211b)；
第2引线(22)，其包含第2裸片焊盘(221)，该第2裸片焊盘(221)具有在所述厚度方向上朝向与所述第1主面相同的一侧的第2主面(221a)和在所述厚度方向上朝向与所述第1背面相同的一侧的第2背面(221b)；
装载于所述第1主面的发光元件(11)；
装载于所述第2主面的受光元件(12)；
透明树脂(5)，其覆盖所述发光元件和所述受光元件各自的至少一部分；和
覆盖所述透明树脂的第1树脂(61)，
所述透明树脂包括在所述厚度方向上朝向与所述第1主面相同的一侧的透明树脂主面(51)和在所述厚度方向上朝向与所述第1背面相同的一侧的透明树脂背面(52)，
所述透明树脂背面的表面粗糙度比所述透明树脂主面的表面粗糙度大。
附记2.
根据附记1所述的半导体装置，其中，所述透明树脂包含在所述厚度方向看时的所述第1裸片焊盘与所述第2裸片焊盘之间位于比所述第1背面靠所述第1背面所朝向的一侧的部分。
附记3.
根据附记2所述的半导体装置，其中，所述透明树脂覆盖所述第1背面和所述第2背面各自的至少一部分。
附记4.(图3、图7)
根据附记1～3中任一项所述的半导体装置，其中，所述受光元件的一部分从所述透明树脂露出。
附记5.(图3、图7)
根据附记4所述的半导体装置，其还包括第2树脂(62)，
所述受光元件包括朝向与所述第1主面相同的一侧的元件主面(121)，
所述第2树脂与所述元件主面接触地配置，且与所述透明树脂和所述第1树脂接触。
附记6.
根据附记1～5中任一项所述的半导体装置，其中，所述第1树脂为白色树脂。
附记7.(图3)
根据附记1～6中任一项所述的半导体装置，其中，所述第1裸片焊盘包括：与所述第2裸片焊盘相对的第1相对面(211c)；和与所述第1主面、所述第1背面和所述第1相对面相连的2个第1侧面(211d)，
在所述厚度方向看时，所述透明树脂与所述第1树脂的界面比所述2个第1侧面向外侧突出。
附记8.(图3)
根据附记7所述的半导体装置，其中，所述透明树脂覆盖所述第1相对面的整个面。
附记9.(图3)
根据附记1～8中任一项所述的半导体装置，其中，所述第2裸片焊盘包括与所述第1裸片焊盘相对的第2相对面(221c)，
所述透明树脂覆盖所述第2相对面的整个面。
附记10.(图3)
根据附记1～9中任一项所述的半导体装置，其中，所述透明树脂的作为与所述厚度方向正交且所述发光元件和所述受光元件排列的方向的第1方向(y方向)的第1尺寸(W1)，比与所述厚度方向和所述第1方向正交的第2方向(x方向)的第2尺寸(W2)小。
附记11.(图3)
根据附记10所述的半导体装置，其还包括覆盖所述第1树脂的整体的第3树脂(7)，
所述第1树脂的所述第1方向的第3尺寸(W3)比所述第2方向的第4尺寸(W4)小。
附记12.(图10、图12～图14)
一种半导体装置的制造方法，其包括：
形成具有在厚度方向上彼此朝向相反侧的主面(911)和背面(912)的引线框(91)的工序(S10)；
在所述引线框上接合发光元件(11)和受光元件(12)的工序(S20)；形成覆盖所述发光元件和所述受光元件各自的至少一部分的透明树脂(5)的工序(S50)；和
形成覆盖所述透明树脂的第1树脂(61)的工序(S60)，
在形成所述透明树脂的工序中，在所述引线框的背面侧配置模具(92)，从所述引线框的主面侧灌注所述透明树脂的材料，
在所述模具的载置所述引线框的载置面(921)形成有凹部(922)，该凹部包含在所述厚度方向看时位于所述发光元件与所述受光元件之间的部分。
附记13.(图12)
根据附记12所述的半导体装置的制造方法，其中，在所述凹部形成有凹凸。
附记14.(图11)
根据附记12或13所述的半导体装置的制造方法，其中，在形成所述透明树脂的工序之前，还包括在朝向与所述引线框的所述主面相同的一侧的所述受光元件的元件主面形成第2树脂(62)的工序(S40)，
在形成所述透明树脂的工序中，通过所述第2树脂来阻挡所述透明树脂的材料的流动。
附记15.
根据附记12～14中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，在形成所述第1树脂的工序之后，还包括形成覆盖所述第1树脂的第3树脂(7)的工序(S70)，
所述第1树脂为白色树脂。
附图标记的说明
A10、A20、A30、A40、A50、A60、A70：半导体装置，
11：发光元件，111：主面，112：背面，
12：受光元件，121：主面，121a：受光部，
121b：电路形成部，122：背面，2：导电支承部件，
21：引线，211：第1裸片焊盘，211a：主面，
211b：背面，211c：相对面，211d：侧面，
212：端子部，22：引线，221：第2裸片焊盘，
221a：主面，221b：背面，221c：相对面，
221d：侧面，222：端子部，23：引线，
231：焊盘部，232：端子部，24：引线，
242：端子部，25：引线，252：端子部，
26：引线，261：焊盘部，262：端子部，
27：引线，271：焊盘部，272：端子部，
28：引线，281：焊盘部，282：端子部，
4、41～45：导线，5：透明树脂，51：透明树脂主面，
52：透明树脂背面，61、62：白色树脂，7：密封树脂，
71：树脂顶面，72：树脂底面，73～76：树脂侧面，
91：引线框，911：主面，912：背面，
92：模具，921：载置面，922：凹部。

Claims (15)

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
第1引线，其包含第1裸片焊盘，该第1裸片焊盘具有在厚度方向上彼此朝向相反侧的第1主面和第1背面；
第2引线，其包含第2裸片焊盘，该第2裸片焊盘具有在所述厚度方向上朝向与所述第1主面相同的一侧的第2主面和在所述厚度方向上朝向与所述第1背面相同的一侧的第2背面；
装载于所述第1主面的发光元件；
装载于所述第2主面的受光元件；
透明树脂，其覆盖所述发光元件和所述受光元件各自的至少一部分；和
覆盖所述透明树脂的第1树脂，
所述透明树脂包括在所述厚度方向上朝向与所述第1主面相同的一侧的透明树脂主面和在所述厚度方向上朝向与所述第1背面相同的一侧的透明树脂背面，
所述透明树脂背面的表面粗糙度比所述透明树脂主面的表面粗糙度大。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
所述透明树脂包含在所述厚度方向看时的所述第1裸片焊盘与所述第2裸片焊盘之间位于比所述第1背面靠所述第1背面所朝向的一侧的部分。
3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：
所述透明树脂覆盖所述第1背面和所述第2背面各自的至少一部分。
4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于：
所述受光元件的一部分从所述透明树脂露出。
5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：
还包括第2树脂，
所述受光元件包括朝向与所述第1主面相同的一侧的元件主面，
所述第2树脂与所述元件主面接触地配置，且与所述透明树脂和所述第1树脂接触。
6.如权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其特征在于：
所述第1树脂为白色树脂。
7.如权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其特征在于：
所述第1裸片焊盘包括：与所述第2裸片焊盘相对的第1相对面；和与所述第1主面、所述第1背面和所述第1相对面相连的2个第1侧面，
在所述厚度方向看时，所述透明树脂与所述第1树脂的界面比所述2个第1侧面向外侧突出。
8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于：
所述透明树脂覆盖所述第1相对面的整个面。
9.如权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，其特征在于：
所述第2裸片焊盘包括与所述第1裸片焊盘相对的第2相对面，
所述透明树脂覆盖所述第2相对面的整个面。
10.如权利要求1～9中任一项所述的半导体装置，其特征在于：
所述透明树脂的作为与所述厚度方向正交且所述发光元件和所述受光元件排列的方向的第1方向的第1尺寸，比与所述厚度方向和所述第1方向正交的第2方向的第2尺寸小。
11.如权利要求10所述的半导体装置，其特征在于：
还包括覆盖所述第1树脂的整体的第3树脂，
所述第1树脂的所述第1方向的第3尺寸比所述第2方向的第4尺寸小。
12.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
形成具有在厚度方向上彼此朝向相反侧的主面和背面的引线框的工序；
在所述引线框上接合发光元件和受光元件的工序；
形成覆盖所述发光元件和所述受光元件各自的至少一部分的透明树脂的工序；和
形成覆盖所述透明树脂的第1树脂的工序，
在形成所述透明树脂的工序中，在所述引线框的背面侧配置模具，从所述引线框的主面侧灌注所述透明树脂的材料，
在所述模具的载置所述引线框的载置面形成有凹部，该凹部包含在所述厚度方向看时位于所述发光元件与所述受光元件之间的部分。
13.如权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
在所述凹部形成有凹凸。
14.如权利要求12或13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
在形成所述透明树脂的工序之前，还包括在朝向与所述引线框的所述主面相同的一侧的所述受光元件的元件主面形成第2树脂的工序，
在形成所述透明树脂的工序中，通过所述第2树脂来阻挡所述透明树脂的材料的流动。
15.如权利要求12～14中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
在形成所述第1树脂的工序之后，还包括形成覆盖所述第1树脂的第3树脂的工序，
所述第1树脂为白色树脂。
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