CN117839402A - 废气处理装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种废气处理装置，能够不使装置大型化而对废气中含有的有毒气体效率良好地除害。废气处理装置(100)具备：形成有供液体流动的流路(1a)的主体(1)；与主体(1)连结并向供液体流动的流路(1a)供给废气的废气供给线路(2)；从废气供给线路(2)向流路(1a)吸引废气的吸引装置(3)；在流路(1a)产生低温等离子，分解有害气体的低温等离子产生装置(5)；及从主体(1)排出通过了低温等离子产生装置(5)的废气的排出线路(7)。

Description

废气处理装置
技术领域
本发明关于一种废气处理装置，该废气处理装置分解处理包含对人体有害的气体(例如，硅烷气体(SiH4))和/或对环境有害的气体(例如，全球变暖气体和臭氧层破坏气体)的废气。
背景技术
在各种产业领域中，使用对人体有害的气体和/或对环境有害的气体(以下，简单地统称为“有害气体”)。例如，从半导体制造装置排出含有出硅烷气体(SiH4)等具有可燃性的有害气体或者NF3、ClF3、SF6、CHF3、C2F6、CF4等卤素系的有害气体的废气。
这样的废气不能直接向大气排放。于是，一般将包含有害气体的废气导向废气处理装置，对有害气体进行无害化。作为对废气中的有害气体进行无害化处理的方法，例如使用由燃烧器产生的火焰使有害气体燃烧的燃烧处理(例如参照专利文献1)被广泛使用。另外，也已知有在等离子产生部产生热等离子并利用该热等离子分解有害气体的等离子处理。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2008-161861号公报
发明要解决的技术问题
不论是燃烧处理和等离子处理中的哪种情况，废气的处理部都成为高温。更具体而言，在燃烧处理中，形成火焰的燃烧器自身及其周围成为高温，燃烧器自身及燃烧器周围的设备的消耗变得显著。在等离子处理中，产生热等离子的等离子产生部及其周围成为高温，等离子电极等的等离子产生部自身及等离子产生部周围的设备的消耗变得显著。
另外，不论是燃烧处理和等离子处理中的哪种情况，由于处理后的废气都成为非常高温，因此，需要对处理后的废气进行冷却的设备(例如洗涤器)。另外，根据所处理的废气包含的有害气体的种类，燃烧处理后或等离子处理后的废气中含有粉尘(例如二氧化硅)和腐蚀性气体(例如氟化氢)等副生成物。也需要用于从处理后的废气去除这些副生成物的设备。因此，在以往的废气处理方法中，装置容易大型化，并且有废气处理装置成为高额的设备的担忧。
发明内容
于是，本发明的目的在于，提供一种废气处理装置，能够不使装置大型化而对废气中含有的有毒气体效率良好地除害。
用于解决技术问题的技术手段
在一个方式中，提供一种将废气中含有的有害气体无害化的废气处理装置，具备：主体，该主体形成有供液体流动的流路；废气供给线路，该废气供给线路与所述主体连结，并向供所述液体流动的流路供给所述废气；吸引装置，该吸引装置从所述废气供给线路向所述流路吸引所述废气；低温等离子产生装置，该低温等离子产生装置在所述流路产生低温等离子，分解所述有害气体；以及排出线路，该排出线路从所述主体排出通过了所述低温等离子产生装置的废气。
在一个方式中，提供一种将废气中含有的有害气体无害化的废气处理装置，具备：主体，该主体形成有供液体流动的流路；废气供给线路，该废气供给线路与所述主体连结，并向供所述液体流动的流路供给所述废气；吸引装置，该吸引装置从所述废气供给线路向所述流路吸引所述废气；低温等离子产生装置，该低温等离子产生装置在所述废气供给线路产生低温等离子，分解所述有害气体；以及排出线路，该排出线路从所述主体排出含有由所述低温等离子分解了的有害气体的废气。
在一个方式中，所述吸引装置包含喷射器，以所述液体的流动方向观察时，该喷射器在比所述低温等离子产生装置靠上游侧的位置配置于所述流路，所述喷射器的驱动流体是所述液体。
在一个方式中，所述吸引装置包含喷射器，该喷射器配置于所述排出线路，通过向所述喷射器供给驱动流体，将所述主体的内部空间減压，从所述废气供给线路向所述主体吸引所述废气。
在一个方式中，所述废气处理装置还具备环流机构，该环流机构用于使流动于所述流路的液体和废气的一部分逆流，增加所述液体和所述废气停留于所述低温等离子产生装置的时间，所述环流机构包含：第一锥形管，该第一锥形管与所述流路的壁面连结，朝着所述液体的流动方向的上游侧缩径；以及第二锥形管，以所述液体的流动方向观察时，该第二锥形管在比所述第一锥形管靠上游侧的位置与所述流路隔开间隙地配置，并将所述液体与所述废气分割为朝向所述流路的壁面的第一流和流经所述流路的中央的第二流，通过所述第一锥形管使所述第一流朝向所述第二流在所述流路逆流。
在一个方式中，所述等离子产生装置包含：高压电源装置；以及配置于所述流路的至少一对第一电极和第二电极，通过所述高压电源在所述第一电极与所述第二电极之间产生低温等离子。
在一个方式中，所述等离子产生装置包含：微波产生装置，该微波产生装置能够放射微波；导波部，该导波部用于传播所述微波；整合部，该整合部配置于导波部内，调整所述微波的阻抗；以及缝隙天线，该缝隙天线集中所述微波产生的电场，在所述缝隙天线的表面使所述液体中的废气低温等离子化。
在一个方式中，所述第一电极和/或所述第二电极的外表面的一部分或全部由电介质覆盖。
在一个方式中，所述有害气体是氟化合物、氮化合物或硅烷系化合物，所述液体是纯水、超纯水、离子交换水或电解液。
在一个方式中，在处理所述废气期间，主体的内部空间的氛围气体被维持在大气压或准大气压。
在一个方式中，所述废气供给线路从与半导体制造装置的工艺腔室连结的真空泵向所述主体延伸，或者从与所述真空泵连结的废气处理装置向所述主体延伸。
在一个方式中，所述废气供给线路内置于与半导体制造装置的工艺腔室连结的真空泵，或者与所述真空泵一体化，所述主体与所述真空泵直接连结。
在一个方式中，所述排出线路从所述主体延伸至湿式废气处理装置、燃烧式废气处理装置或干式废气处理装置。
在一个方式中，在所述第二电极形成有向所述液体导入所述废气的至少一个废气导入口，所述废气供给线路与形成有所述废气导入口的所述第二电极连结。
在一个方式中，所述等离子产生装置具备多对第一电极和第二电极，或者具备第二电极和具有多个电极棒的第一电极。
发明的效果
根据本发明，能够利用低温等离子分解有害气体，因此，不需要以往的废气处理装置所需的冷却设备(例如洗涤器)，能够使废气处理装置小型化。
附图说明
图1是表示一个实施方式涉及的废气处理装置的示意图。
图2是表示一个实施方式涉及的低温等离子产生部的示意图。
图3是表示另一实施方式涉及的低温等离子产生装置的示意图。
图4是表示配置于主体的环流机构的一例的示意图。
图5是另一实施方式涉及的废气处理装置的示意图。
图6的(a)是表示第二电极的另一例的立体图，图6的(b)是表示第二电极的又一例的立体图。
图7的(a)是表示第一电极的另一例的立体图，图7的(b)是表示第一电极的又一例的立体图。
图8是又一实施方式涉及的废气处理装置的示意图。
图9是表示配置有废气处理装置的废气处理工艺系统的一例的图。
符号说明
1主体
1a流路
2 废气供给线路
3 吸引装置
5 低温等离子产生装置
6 反应器
7 排出线路
9 控制板
10液体供给线路
11高压电源装置
12高压电源
14第一电极
14a 第一电极保持架
14b 电极棒
15第二电极
15a 第二电极主体
15b 喷嘴部
15c 废气导入口
17微波产生装置
18导波管(导波部)
25环流机构
26第一锥形管
27第二锥形管
50工艺腔室
51真空泵
100、200、300、400废气处理装置。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。
图1是表示一个实施方式涉及的废气处理装置的示意图。图1所示的废气处理装置是用于将废气中含有的有害气体无害化的装置。废气例如从半导体制造装置的工艺腔室排出，导入废气处理装置。有害气体例如是CF4、C2F6、SF6、NF3、ClF3、HF等氟化合物；HBr、Cl2等卤素化合物；NH3、NOx等氮化合物；或者SiH4、DCS(dichlorosilane：二氯硅烷)、TEOS(Tetraethyl orthosilicate：硅酸乙酯)等硅烷系化合物。
图1所示的废气处理装置100具备：主体1，该主体1形成有供液体流动的流路1a；液体供给线路10，该液体供给线路10与主体1连结，并向流路1a供给液体；废气供给线路2，该废气供给线路2与主体1连结，并向供液体流动的流路1a供给废气；吸引装置3，该吸引装置3从废气供给线路2向流路1a吸引废气；低温等离子产生装置5，该低温等离子产生装置5在流路1a产生低温等离子，分解有害气体；以及排出线路7，该排出线路7从主体1排出通过了低温等离子产生装置5的废气。经由液体供给线路10向主体1的流路1a供给液体。向流路1a供给的液体的种类根据从废气供给线路2被吸入流路1a的废气中的有害气体适当选择。作为液体的例子，可列举出纯水、超纯水以及离子交换水。在一个实施方式中，液体也可以是电解液或醇。在本实施方式中，排出线路7不仅排出处理后的废气，也排出液体。
图1所示的主体1具有沿铅直方向延伸的圆筒形状，流路1a也在主体1内沿铅直方向延伸。在本实施方式中，吸引装置3配置于主体1，是将流动于流路1a的液体作为驱动流体使用的喷射器。废气供给线路2经由吸引装置3与主体1连结。在作为喷射器的吸引装置3中，流动于废气供给线路2的废气作为吸引装置3的吸引气体被处理。即，通过使液体流向吸引装置3，废气经由废气供给线路2被吸入主体1的流路1a，并在吸引装置3中与液体混合。此时，废气成为气泡而与液体混合，含有成为了气泡的废气的液体从吸引装置3向流路1a排出。在本实施方式中，处于主体1的内部空间的流路1a的氛围气体被维持在大气压或准大气压。
另外，在图1中描绘了两根废气供给线路2，但废气供给线路2的数量只要根据吸引装置3对废气的吸引能力和低温等离子产生装置5对有害气体的处理能力(分解能力)适当决定即可。换言之，废气处理装置100具备至少一个废气供给线路2。
以流动于流路1a的液体的流动方向观察时，低温等离子产生装置5设置于吸引装置3的下游侧的主体1，并在流动于流路1a的液体中的废气产生低温等离子。图2是表示一个实施方式涉及的低温等离子产生部的示意图。图2所示的低温等离子产生装置5包含高压电源装置11以及配置在流动于流路1a的液体内的第一电极14和第二电极15。第一电极14和第二电极15分别与高压电源装置11连接。通过操作高压电源装置11，从而在流动于第一电极14与第二电极15之间的液体中的废气产生低温等离子。
低温等离子通常因为等离子中的电子密度或中性粒子的密度较低，因此电子的平均自由程较长，是电子具有1～10eV(与10000～100000K相当)的高能量但中性粒子保持室温程度的、所谓的“弱电离等离子”。利用用于在液体中产生这样的低温等离子的高压电源装置11而在第一电极14与第二电极15之间产生的放电现象，例如是辉光放电。
为了在第一电极14与第二电极15之间产生放电现象，高压电源装置11包含高压电源12，该高压电源12对第一电极14和第二电极15施加具有脉冲波形的电压。作为高压电源12的例子，可列举出直流电源、交流电源、双极电源、单极电源、脉冲电源或者高频电源。根据高压电源12的种类，高压电源装置11也可以包含脉冲发生器(未图示)。
如图2中的假想线(虚线)所示，低温等离子产生装置5可以具有多对(在图2中为三对)第一电极14和第二电极15。在图2所示的例中，高压电源12向全部或任意对的第一电极14和第二电极15供给脉冲电压。虽然没有图示，但低温等离子产生装置5也可以具备向各对第一电极14和第二电极15供给脉冲电压的多个高压电源12。
通过低温等离子产生装置5从而在流动于流路1a的液体中的废气中产生低温等离子，通过该低温等离子分解废气中的有害气体。在本实施方式中，主体1作为用于通过低温等离子分解流动于形成于其内部的流路1a的液体中的有害气体的反应器发挥功能。由于通过在液中产生的低温等离子分解有害气体，因此，处理后的废气立即被液体冷却。因此，不需要以往的废气处理装置中所需的冷却设备(例如水壁或洗涤器)，能够使废气处理装置小型化。另外，通过分解有害气体而生成的粉尘以及腐蚀性气体等副生成物也与流动于流路1a的液体一起立即从主体1排出。例如，通过分解有害气体而产生的氢氟酸等酸性气体立即在液体中溶解而被稀释，向排出线路7排出。因此，抑制向废气处理装置100的构成要素的腐蚀伤害和粉尘的粘着。另外，用于分解有害气体的等离子自身为低温，并且通过流动于流路1a的流水冷却第一电极14和第二电极15。因此，能够抑制热溶解和腐蚀对电极14、15的消耗，降低废气处理装置100的运行成本。
在一个实施方式中，可以通过电介质覆盖第一电极14和/或第二电极15的外表面的一部分或全部。通过电介质，能够保护第一电极14和/或第二电极15不受废气中含有的有害气体以及通过分解有害气体生成的副生成物的影响。另外，通过电介质，第一电极14和/或第二电极15的导体部不与等离子直接接触，因此，能够抑制第一电极14和/或第二电极15的局部的消耗。
图3是表示另一实施方式涉及的低温等离子产生装置的示意图。图3所示的低温等离子产生装置5包含：微波产生装置17，该微波产生装置17能够放射微波；导波管(导波部)18，该导波管18用于传播从微波产生装置17放射的微波；整合部(隔离器)19，该整合部19配置于导波管18内，用于调整微波的阻抗；缝隙天线20，该缝隙天线20集中导波管18内的微波形成的电场。缝隙天线20配置于主体1的流路1a内。在本实施方式中，通过集中于缝隙天线20的表面的微波而产生电子振动，在流动于流路1a的废气(的气泡)中产生低温等离子。废气中的有害气体由低温等离子分解。
如图3所示，低温等离子产生装置5也可以具备在主体1的流路1a产生气泡的气泡产生机构40。图3所示的气泡产生机构40包含：气泡线路41，该气泡线路41与主体1的流路1a连通，并向流路1a供给成为气泡的气体；以及气泡产生器42，该气泡产生器42配置于气泡线路41。作为气泡产生器42的例子，可列举出微泡产生器、超声波振动器等。废气被供给至气泡线路41，废气经由气泡线路41被供给至主体1的流路1a。
图4是表示配置于主体的环流机构的一例的示意图。环流机构是为了效率良好地分解废气中含有的有害气体而用于使流动于流路1a的液体的一部分逆流而增加液体和废气停留于低温等离子产生装置5的时间的机构。
图4所示的环流机构25具备第一锥形管26和第二锥形管27，该第一锥形管26与主体1的流路1a的壁面连结，以流动于流路1a的液体的流动方向观察时，该第二锥形管27配置于第一锥形管26的上游侧。第一锥形管26具有在其中央部具备开口的圆锥形状，第一锥形管26的末端与流路1a的壁面以不隔开间隙的方式连结。第一锥形管26的末端是具有第一锥形管26的最大直径的部分。另一方面，第二锥形管27也具有在其中央部具备开口的圆锥形状，第二锥形管27的末端与流路1a的壁面隔开间隙地配置。在本实施方式中，第二锥形管27通过未图示的支承件与主体1连结，当从流路1a的纵剖面观察时，第一锥形管26和第二锥形管27配置为同心状。
在液体和废气通过第二锥形管27时，液体和废气被分割为通过第二锥形管27的外表面朝向流路1a的壁面的第一流F1和通过第二锥形管27的中央部开口流经流路1a的中央的第二流F2。第一流F1直接流过流路1a的情况被第一锥形管26阻碍，从而沿着第一锥形管26的外表面(上表面)在流路1a逆流。其结果是，第一流F1与流过了流路1a的中央的第二流F2合流并阻碍该第二流F2。在本实施方式中，等离子产生装置5构成为，在第一流F1与第二流F2的合流部产生低温等离子。具体而言，第一电极14和第二电极15贯通第二锥形管27的壁面地延伸，低温等离子产生于第二锥形管27的内侧。根据这样的环流机构25，能够增加废气停留在使该废气低温等离子化的第一电极14和第二电极15周围的时间，其结果是，能够有效地分解废气中的有害气体。
如图4所示，也可以按照低温等离子产生装置5所具备的第一电极14和第二电极15的对数设置环流机构25。
图5是另一实施方式涉及的废气处理装置的示意图。没有特别说明的本实施方式的构成与上述的实施方式相同，因此省略其重复说明。
图5所示的废气处理装置200具有主体1，该主体1作为具备溢流堰1b的槽而构成。主体1的内部空间由溢流堰1b划分为配置有低温等离子产生装置5的处理部1c和与排出线路7连结的排出部1d。在本实施方式中，溢流堰1b是从主体1的底壁的上表面向上方延伸的板体，在溢流堰1b的上端与主体1的上壁的下表面之间形成有间隙。形成于主体1的液体的流路1a是包含处理部1c和排出部1d的主体1的内部空间整体。
液体供给线路10贯通主体1的上部(在本实施方式中为上壁)而延伸至处理部1c。排出液体的液体供给线路10的顶端位于比溢流堰1b的上端低的位置。从主体1的上部向主体1的处理部1c供给液体。供给至主体1的处理部1c的液体贮留于处理部1c直到其液面越过溢流堰1b，之后，越过溢流堰1b而向排出部1d流出。向排出部1d流出的液体经由排出线路7从主体1排出。因此，在比主体1的溢流堰1b靠上方的空间被气体(大气)充满。
在图5所示的废气处理装置200中，低温等离子产生装置5在充满处理部1c的液体中的气体内产生低温等离子。更具体而言，低温等离子产生装置5的第一电极14由第一电极保持架14a和安装于第一电极保持架14a的至少一个电极棒14b构成，第二电极15具有第二电极主体15a和配置于第二电极主体15a的喷嘴部15b。在喷嘴部15b形成有用于向流动于流路1a的液体供给废气的至少一个废气导入口15c。另外，第一电极14的电极棒14b的顶端在处理部1c内被配置在比溢流堰1b的上端低的位置，形成于第二电极15的喷嘴部15b的废气导入口15c在比第一电极14的电极棒14b的顶端低的位置在处理部1c开口。
另外，废气供给线路2与第二电极15连结，并经由第二电极15的第二电极主体15a与形成于第二电极15的喷嘴部15b的废气导入口15c连通。
本实施方式的吸引装置3具备：吸引线路3a，该吸引线路3a与主体1的上部(在本实施方式中为上壁)连结，用于吸引主体1内的气体；喷射器3b，该喷射器3b配置于吸引线路3a；以及驱动流体线路3c，该驱动流体线路3c用于向喷射器3b供给驱动流体。当经由驱动流体线路3c向喷射器3b供给驱动流体时，经由吸引线路3a而主体1的内部空间即流路1a的氛围气体成为负压。其结果是，废气经由废气供给线路2被吸引至形成于主体1的流路1a。虽然没有图示，但吸引装置3也可以具有吸引泵来代替喷射器3b。在该情况下，驱动流体线路3c被省略。
当启动吸引装置3时，废气经由废气供给线路2从第二电极15的废气导入口15c被吸入流路1a，与此同时，通过由低温等离子产生装置5在废气中产生的低温等离子分解废气中的有害气体。处理后的废气与液体一起越过溢流堰1b向排出部1d流出，通过吸引线路3a从主体1排出。在本实施方式中，向流路1a导入废气的废气导入口15c与第二电极15一体化。因此，被吸引至流动于流路1a的液体的全部废气与第二电极15接触，其结果是，被低温等离子化的废气的比例增加。因此，能够提高废气中含有的有害气体的分解率(处理效率)。
在本实施方式中，在流动于流路1a的液体中的废气产生低温等离子，通过该低温等离子分解废气中的有害气体。用于通过在液体中产生的低温等离子分解有害气体，因此，处理后的废气立即被液体冷却。因此，不需要以往的废气处理装置中所需的冷却设备(例如洗涤器)，能够使废气处理装置小型化。另外，通过分解有害气体而生成的粉尘以及腐蚀性气体等副生成物也与流动于流路1a的液体一起立即从主体1排出。另外，用于分解有害气体的等离子自身为低温，并且通过流动于流路1a的流水冷却第一电极14和第二电极15。因此，能够抑制热溶解和腐蚀对电极14、15的消耗，降低废气处理装置200的运行成本。
如图5所示，也可以与废气导入口15c相对地设置抑制废气的流动的控制板9。控制板9降低从废气导入口15c吸入的废气从处理部1c到越过溢流堰1b为止的流速，增加废气停留在使该废气低温等离子化的第一电极14与第二电极15之间的时间。因此，能过通过控制板9增加废气的处理效率。图5所示的控制板9具有朝向第二电极15开口的圆弧形状，但控制板9的形状不限定于该例。例如，控制板9也可以具有碗形状或漏斗形状。在第一电极14的电极棒14b为单个的情况下，第一电极14的电极棒14b优选贯通控制板9的中心。
图6的(a)是表示第二电极的另一例的立体图，图6的(b)是表示第二电极的又一例的立体图。图7的(a)是表示第一电极的另一例的立体图，图7的(b)是表示第一电极的又一例的立体图。如图6的(a)和图6的(b)所示，第二电极15也可以具有多个废气导入口15c。图6的(a)所示的第二电极15具有两个废气导入口15c。图6的(b)所示的第二电极15具有三个废气导入口15c，并且整体配置为三角形状。另外，虽然没有图示，但第二电极15的废气导入口15c的数量也可以是三个以上。例如，也可以将多个废气导入口15c整体作为椭圆状或三角形状配置于第二电极15。
图6的(a)所示的第二电极15与图7的(a)所示的具有两根电极棒14b的第一电极14对应。这样，第二电极15优选具有与第一电极14的电极棒14b的数量为相同数量的废气导入口15c。在该情况下，电极棒14b的顶端优选位于废气导入口15c的中心轴线上。在图6的(a)中，各废气导入口15c构成为从喷嘴部15b的上表面延伸的筒状体。高压电源装置11(参照图5)可以对两根电极棒14b同时施加脉冲电压，同时产生两个低温等离子，也可以对两根电极棒14b交替地施加脉冲电压，使两个低温等离子在不同位置交替地产生。
同样，图6的(b)所示的第二电极15与图7的(b)所示的具有三根电极棒14b的第一电极14对应。即，第二电极15具有与第一电极14的电极棒14b的数量为相同数量的废气导入口15c，各电极棒14b的顶端位于各废气导入口15c的中心轴线上。在图6的(b)中，各废气导入口15c形成于喷嘴部15b的上表面。高压电源装置11(参照图5)可以对三根电极棒14b同时施加脉冲电压，同时产生三个低温等离子，也可以对三根电极棒14b交替地施加脉冲电压，使三个低温等离子在不同位置交替地产生。
这样，通过使低温等离子产生装置5具备具有多个电极棒14b的第一电极14和具有与电极棒14b相同数量的废气导入口15c的第二电极15，从而能够增加成为低温等离子的废气的量，其结果是，能够提高废气中含有的有害气体的分解率(处理效率)。
图8是又一实施方式涉及的废气处理装置的示意图。没有特别说明的本实施方式的构成与上述的实施方式相同，因此省略其重复说明。图8所示的废气处理装置300在分解废气的低温等离子不是在液体中而是在气体氛围中产生这点上与上述的实施方式不同。
图8所示的废气处理装置300具备配置在形成于主体1的流路1a的反应器6。废气供给线路2与反应器6连结，将废气供给至该反应器6内。在本实施方式中，废气供给线路2贯通反应器6的壁面地延伸，废气供给线路2的顶端在反应器6的内部开口。
在反应器6的上壁形成有用于向流路1a排放废气的至少一个排放口6a。从废气供给线路2供给至反应器6的内部空间的废气通过排放口6a向流路1a排放。
图8所示的低温等离子产生装置5具有与参照图3进行了说明的低温等离子产生装置5相同的构成。用于传播从微波产生装置17放射的微波的导波管(导波部)18的顶端贯通主体1和反应器6而位于反应器6的内部。
在图8所示的例子中，低温等离子产生装置5是利用从微波产生装置17产生的微波而在废气中产生低温等离子的装置，但本实施方式不限定于该例。例如，低温等离子产生装置5可以是具有至少一对第一电极14和第二电极15的装置。在该情况下，可以通过电介质覆盖第一电极14和/或第二电极15的外表面的一部分或全部。
液体供给线路10和排出线路7贯通主体1的侧壁而延伸至主体1的内部。从液体供给线路10向主体1的流路1a供给的液体的流量和/或从排出线路7排出的液体的流量被调整为液体不完全充满流路1a。即，在流路1a的上部的空间存在气体(大气)。
本实施方式的吸引装置3具有与参照图5进行了说明的吸引装置3相同的构成。即，吸引装置3具备：吸引线路3a，该吸引线路3a与主体1的上部(在本实施方式中为上壁)连结，用于吸引主体1内的气体；喷射器3b，该喷射器3b配置于吸引线路3a；以及驱动流体线路3c，该驱动流体线路3c用于向喷射器3b供给驱动流体。当经由驱动流体线路3c向喷射器3b供给驱动流体时，经由吸引线路3a而主体1的内部空间即流路1a的氛围气体成为负压。其结果是，经由废气供给线路2，废气经由反应器6被吸引至形成于主体1的流路1a。另外，通过吸引装置3从废气供给线路2供给的废气的流量被调整为流动于流路1a的液体不浸入反应器6。虽然没有图示，但吸引装置3也可以具有吸引泵来代替喷射器3b。在该情况下，驱动流体线路3c被省略。
当启动吸引装置3时，废气经由废气供给线路2被吸入反应器6，与此同时，被由低温等离子产生装置5产生的低温等离子分解。处理后的废气经由反应器6的排放口6a立即向流路1a排放，并立即被流动于流路1a的液体冷却。因此，不需要以往的废气处理装置中所需的冷却设备(例如洗涤器)，能够使废气处理装置小型化。另外，通过分解有害气体而生成的粉尘以及腐蚀性气体等副生成物也与流动于流路1a的液体一起立即从主体1排出。另外，由于用于分解有害气体的等离子自身为低温，因此能够抑制反应器6的消耗，降低废气处理装置300的运行成本。
图9是表示配置有废气处理装置的废气处理工艺系统的一例的图。在图9所示的废气处理工艺系统中，利用真空泵51从半导体制造装置的工艺腔室50排出废气。废气供给线路2从真空泵51向废气处理装置100(或200或300)的主体1延伸。在图9所示的例子中，一个工艺腔室50与多个(四个)废气处理装置100(或200或300)连结，但废气处理工艺系统所具有的工艺腔室50的数量和废气处理装置100(或200或300)的数量不限定于该例。例如，也可以是一个工艺腔室50与一个废气处理装置100(或200或300)连结，也可以是多个工艺腔室50与一个废气处理装置100(或200或300)连结。
另外，在图9所示的例子中，四个废气处理装置100(或200或300)与一个高压电源装置11连结，但废气处理工艺系统所具有的高压电源装置11的数量不限定于该例。例如，也可以是一个废气处理装置100(或200或300)与一个高压电源装置11连结。
另外，如图9所示，废气处理装置100(或200或300)的废气线路7也可以与其他的废气处理装置400连结。作为其他的废气处理装置400的例子，为湿式废气处理装置、燃烧式废气处理装置或者干式废气处理装置。湿式废气处理装置例如是洗涤器，干式废气处理装置例如是具备填充了吸附有害气体的吸附剂的处理槽的废气处理装置。
虽然没有图示，但也可以将真空泵51与湿式废气处理装置、燃烧式废气处理装置或者干式废气处理装置等废气处理装置400连结，将废气处理装置100(或200或300)与该废气处理装置400连结。在该情况下，废气供给线路2从废气处理装置400向废气处理装置100(或200或300)的主体1延伸，废气处理装置100(或200或300)对由废气处理装置400处理了的废气进行处理。
另外，虽然没有图示，但可以将废气供给线路2内置于真空泵51或者与真空泵51一体化。在这些情况下，废气处理装置100(或200或300)的主体1与真空泵51直接连结。
上述的实施方式是以本发明所属的技术领域的具有通常知识的人能够实施本发明为目的而记载的。上述实施方式的各种变形例是本领域技术人员当然能够做的，本发明的技术思想也能够应用于其他的实施方式。因此，本发明不限定于所记载的实施方式，而是被解释为根据由权利要求定义的技术思想的最广范围。

Claims (15)

1.一种废气处理装置，将废气中含有的有害气体无害化，其特征在于，具备：
主体，该主体形成有供液体流动的流路；
废气供给线路，该废气供给线路与所述主体连结，并向供所述液体流动的流路供给所述废气；
吸引装置，该吸引装置从所述废气供给线路向所述流路吸引所述废气；
低温等离子产生装置，该低温等离子产生装置在所述流路产生低温等离子，分解所述有害气体；以及
排出线路，该排出线路从所述主体排出通过了所述低温等离子产生装置的废气。
2.一种废气处理装置，将废气中含有的有害气体无害化，其特征在于，具备：
主体，该主体形成有供液体流动的流路；
废气供给线路，该废气供给线路与所述主体连结，并向供所述液体流动的流路供给所述废气；
吸引装置，该吸引装置从所述废气供给线路向所述流路吸引所述废气；
低温等离子产生装置，该低温等离子产生装置在所述废气供给线路产生低温等离子，分解所述有害气体；以及
排出线路，该排出线路从所述主体排出含有由所述低温等离子分解了的有害气体的废气。
3.根据权利要求1所述的废气处理装置，其特征在于，
所述吸引装置包含喷射器，以所述液体的流动方向观察时，该喷射器在比所述低温等离子产生装置靠上游侧的位置配置于所述流路，
所述喷射器的驱动流体是所述液体。
4.根据权利要求1所述的废气处理装置，其特征在于，
所述吸引装置包含喷射器，该喷射器配置于所述排出线路，
通过向所述喷射器供给驱动流体，将所述主体的内部空间減压，从所述废气供给线路向所述主体吸引所述废气。
5.根据权利要求3所述的废气处理装置，其特征在于，
还具备环流机构，该环流机构用于使流动于所述流路的液体和废气的一部分逆流，增加所述液体和所述废气停留于所述低温等离子产生装置的时间，
所述环流机构包含：
第一锥形管，该第一锥形管与所述流路的壁面连结，朝着所述液体的流动方向的上游侧缩径；以及
第二锥形管，以所述液体的流动方向观察时，该第二锥形管在比所述第一锥形管靠上游侧的位置与所述流路隔开间隙地配置，并将所述液体与所述废气分割为朝向所述流路的壁面的第一流和流经所述流路的中央的第二流，
通过所述第一锥形管使所述第一流朝向所述第二流在所述流路逆流。
6.根据权利要求3或4所述的废气处理装置，其特征在于，
所述等离子产生装置包含：
高压电源装置；以及
配置于所述流路的至少一对第一电极和第二电极，
通过所述高压电源在所述第一电极与所述第二电极之间产生低温等离子。
7.根据权利要求3或4所述的废气处理装置，其特征在于，
所述等离子产生装置包含：
微波产生装置，该微波产生装置能够放射微波；
导波部，该导波部用于传播所述微波；
整合部，该整合部配置于导波部内，调整所述微波的阻抗；以及
缝隙天线，该缝隙天线集中所述微波产生的电场，
在所述缝隙天线的表面使所述液体中的废气低温等离子化。
8.根据权利要求6所述的废气处理装置，其特征在于，
所述第一电极和/或所述第二电极的外表面的一部分或全部由电介质覆盖。
9.根据权利要求1或2所述的废气处理装置，其特征在于，
所述有害气体是氟化合物、氮化合物或硅烷系化合物，
所述液体是纯水、超纯水、离子交换水或电解液。
10.根据权利要求1或2所述的废气处理装置，其特征在于，
在处理所述废气期间，主体的内部空间的氛围气体被维持在大气压或准大气压。
11.根据权利要求1或2所述的废气处理装置，其特征在于，
所述废气供给线路从与半导体制造装置的工艺腔室连结的真空泵向所述主体延伸，或者从与所述真空泵连结的废气处理装置向所述主体延伸。
12.根据权利要求1或2所述的废气处理装置，其特征在于，
所述废气供给线路内置于与半导体制造装置的工艺腔室连结的真空泵，或者与所述真空泵一体化，
所述主体与所述真空泵直接连结。
13.根据权利要求11所述的废气处理装置，其特征在于，
所述排出线路从所述主体延伸至湿式废气处理装置、燃烧式废气处理装置或干式废气处理装置。
14.根据权利要求6所述的废气处理装置，其特征在于，
在所述第二电极形成有向所述液体导入所述废气的至少一个废气导入口，
所述废气供给线路与形成有所述废气导入口的所述第二电极连结。
15.根据权利要求6所述的废气处理装置，其特征在于，
所述等离子产生装置具备多对第一电极和第二电极，或者具备第二电极和具有多个电极棒的第一电极。
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