CN117825917A - 芯片三温测试方法、装置、设备和存储介质 - Google Patents

芯片三温测试方法、装置、设备和存储介质 Download PDF

Info

Publication number
CN117825917A
CN117825917A CN202311796306.8A CN202311796306A CN117825917A CN 117825917 A CN117825917 A CN 117825917A CN 202311796306 A CN202311796306 A CN 202311796306A CN 117825917 A CN117825917 A CN 117825917A
Authority
CN
China
Prior art keywords
test
target
temperature
chip
value
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202311796306.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN117825917B (zh
Inventor
刘畅
张权
李建国
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xinzhou Technology Beijing Co ltd
Original Assignee
Xinzhou Technology Beijing Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xinzhou Technology Beijing Co ltd filed Critical Xinzhou Technology Beijing Co ltd
Priority to CN202311796306.8A priority Critical patent/CN117825917B/zh
Publication of CN117825917A publication Critical patent/CN117825917A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN117825917B publication Critical patent/CN117825917B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/2872Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
    • G01R31/2874Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

本公开的实施例提供的芯片三温测试方法、装置、设备和存储介质,包括:响应于接收到的目标对象触发的目标选择操作,输出目标控制信号至测试模块,以使测试模块在接收到目标控制信号后将测试腔体的温度上升至目标测试温度且待测试芯片接收到电信号;获取在目标测试温度下目标数量的待测试芯片的测试值;根据在目标测试温度下各测试芯片的测试值,确定与目标选择操作对应的测试方式在自动化测试中的测试数值范围。即通过芯片三温测试装置实现在芯片设计阶段确定芯片自动化测试阶段的测试数值范围,相比较现有技术中基于手动筛选测试,具有较好的测试精度和测试效率,且芯片研发公司无需购置Handler测试机器,降低芯片设计公司成本。

Description

芯片三温测试方法、装置、设备和存储介质
技术领域
本公开的实施例涉及芯片测试技术领域以及相关技术领域,具体地,涉及适用于一种芯片三温测试方法、装置、设备和存储介质。
背景技术
电源管理芯片(Power Management Integrated Circuits,PMIC),在电子设备系统中担负对电能的变换、分配、检测及其他电能管理的职责的芯片,主要负责识别CPU供电幅值,产生相应的短矩波,推动后级电路进行功率输出。
现有技术中,在制备完成电源管理芯片后,需要对电源管理芯片进行三温测试,也即低温、常温和高温测试,现有的电源管理芯片的三温测试方法普遍为在测试工厂内使用平移式三温Handler进行自动测试,但该方法只适用于电源管理芯片量产环节,进行大批量自动测试,对于芯片设计公司而言,更多是进行几十颗或几百颗的样品手动筛选测试,但是手动筛选测试的精度较低,而如果在芯片设计公司内进行Handler测试,需要芯片设计公司购入Handler测试机器,使得芯片设计公司成本提高。
发明内容
本文中描述的实施例提供了一种芯片三温测试方法、装置、设备和存储介质,解决现有技术存在的问题。
第一方面,根据本公开的内容,提供了一种芯片三温测试方法,包括:
响应于接收到的目标对象触发的目标选择操作,输出目标控制信号至测试模块,以使所述测试模块在接收到目标控制信号后将测试腔体的温度上升至目标测试温度且待测试芯片接收到电信号,其中,所述目标选择操作用于选择芯片的测试方式,芯片的测试方式包括低温测试、常温测试和高温测试;
获取在目标测试温度下目标数量的待测试芯片的测试值;
根据在目标测试温度下各测试芯片的测试值,确定与所述目标选择操作对应的测试方式在自动化测试中的测试数值范围。
在本公开的一些实施例中,所述根据在目标测试温度下各测试芯片的测试值,确定与所述目标选择操作对应的测试方式在自动化测试中的测试数值范围之前,还包括:
获取所述目标测试温度下设定的测试芯片的理论值;
所述根据在目标测试温度下各测试芯片的测试值,确定与所述目标选择操作对应的测试方式在自动化测试中的测试数值范围,包括:
根据在目标测试温度下各测试芯片的测试值与在所述目标测试温度下设定的测试芯片的理论值的关系,确定与所述目标选择操作对应的测试方式在自动化测试中的测试数值范围。
在本公开的一些实施例中,所述根据在目标测试温度下各测试芯片的测试值与所述目标测试温度下设定的测试芯片的理论值的关系,确定与所述目标选择操作对应的测试方式在自动化测试中的测试数值范围,包括:
基于在所述目标测试温度下设定的测试芯片的理论值,确定在目标测试温度下各测试芯片的测试值相对所述理论值的正态分布;
基于在目标测试温度下各测试芯片的测试值相对所述理论值的正态分布,确定与所述目标选择操作对应的测试方式在自动化测试中的测试数值范围。
在本公开的一些实施例中,所述根据在目标测试温度下所述目标数量的各测试芯片的测试值与所述目标测试温度下设定的测试芯片的理论值,确定与所述目标选择操作对应的测试方式在自动化测试中的测试数值范围之前,包括:
获取在所述目标测试温度下设定的接收阈值;
所述根据在目标测试温度下所述目标数量的各测试芯片的测试值与所述目标测试温度下设定的测试芯片的理论值,确定与所述目标选择操作对应的测试方式在自动化测试中的测试数值范围,包括:
根据在所述目标测试温度下设定的接收阈值,对在目标测试温度下各测试芯片的测试值进行处理得到目标测试值;
根据所述目标测试值和所述理论值,确定与所述目标选择操作对应的测试方式在自动化测试中的测试数值范围。
在本公开的一些实施例中,所述根据在所述目标测试温度下设定的接收阈值,对在目标测试温度下各测试芯片的测试值进行处理得到目标测试值,包括:
依次将各测试芯片对应的测试值与接收阈值的最大接收值和最小接收值进行比较,在所述测试芯片的测试值大于或等于最小接收值,且小于或等于最大接收值时,所述测试芯片对应的测试值为一个目标测试值。
在本公开的一些实施例中,所述测试模块包括测试仪和高低温冷热对冲仪;
所述响应于接收到的目标对象触发的目标选择操作,输出目标控制信号至测试模块,包括:
响应于接收到的目标对象触发的目标选择操作,输出目标电压信号至所述测试仪,以使所述待测试芯片接收到电信号;
响应于接收到的目标对象触发的目标选择操作,输出目标控制信号至高低温冷热对冲仪,以使所述高低温冷热对冲仪在接收到目标控制信号后将测试腔体的温度上升至目标测试温度。
在本公开的一些实施例中,所述测试仪包括温度传感器、载台和测试板,所述高低温冷热对冲仪包括测试腔体,所述载台承载所述测试板,所述测试腔体和所述载台形成密闭空间,所述待测试芯片与所述测试板通信连接,所述测试板和所述待测试芯片设置在所述密闭空间内。
第二方面,根据本公开的内容,提供了一种芯片三温测试装置,包括:
控制信号生成模块,用于响应于接收到的目标对象触发的目标选择操作,输出目标控制信号至测试模块,以使所述测试模块在接收到目标控制信号后将测试腔体的温度上升至目标测试温度,其中,所述目标选择操作用于选择芯片的测试方式,芯片的测试方式包括低温测试、常温测试和高温测试;
测试值获取模块,用于获取在目标测试温度下目标数量的待测试芯片的测试值;
测试数值范围确定模块,用于根据在目标测试温度下各测试芯片的测试值,确定与所述目标选择操作对应的测试方式在自动化测试中的测试数值范围。
第三方面,根据本公开的内容,提供了一种计算机设备,包括存储器和处理器,存储器中存储有计算机程序,处理器执行计算机程序时实现如以上任意一个实施例中方法的步骤。
第四方面,根据本公开的内容,提供了一种计算机可读存储介质,计算机可读存储介质上存储有计算机程序,计算机程序被处理器执行时实现如以上任意一个实施例中方法的步骤。
本公开实施例提供的芯片三温测试方法、装置、设备和存储介质,首先响应于接收到的目标对象触发的目标选择操作,输出目标控制信号至测试模块,以使测试模块在接收到目标控制信号后将测试腔体的温度上升至目标测试温度且待测试芯片接收到电信号;然后获取在目标测试温度下目标数量的待测试芯片的测试值;最后根据在目标测试温度下各测试芯片的测试值,确定与目标选择操作对应的测试方式在自动化测试中的测试数值范围。即通过芯片三温测试装置实现在芯片设计阶段确定芯片自动化测试阶段的测试数值范围,相比较现有技术中基于手动筛选测试确定芯片自动化测试阶段的测试数值范围,具有较好的测试精度,且芯片研发公司无需购置Handler测试机器,降低芯片设计公司成本,此外,通过芯片三温测试装置执行芯片三温测试方法,可以在芯片设计公司实现对小批量芯片的测试。
上述说明仅是本申请实施例技术方案的概述,为了能够更清楚了解本申请实施例的技术手段,而可依照说明书的内容予以实施,并且为了让本申请实施例的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂,以下特举本申请的具体实施方式。
附图说明
为了更清楚地说明本公开的实施例的技术方案,下面将对实施例的附图进行简要说明,应当知道,以下描述的附图仅仅涉及本公开的一些实施例,而非对本公开的限制,其中:
图1是本公开实施例提供的一种芯片三温测试方法的流程示意图的流程示意图;
图2是本公开实施例提供的另一种芯片三温测试方法的流程示意图的流程示意图;
图3是本公开实施例提供的又一种芯片三温测试方法的流程示意图的流程示意图;
图4是本公开实施例提供的一种芯片三温测试装置的结构示意图;
图5是本公开实施例提供的一种计算机设备的结构示意图。
在附图中,最后两位数字相同的标记对应于相同的元素。需要注意的是,附图中的元素是示意性的,没有按比例绘制。
具体实施方式
为了使本公开的实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图,对本公开的实施例的技术方案进行清楚、完整的描述。显然,所描述的实施例是本公开的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例,本领域技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例,也都属于本公开保护的范围。
除非另外定义,否则在此使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本公开主题所属领域的技术人员所通常理解的相同含义。进一步将理解的是,诸如在通常使用的词典中定义的那些的术语应解释为具有与说明书上下文和相关技术中它们的含义一致的含义,并且将不以理想化或过于正式的形式来解释,除非在此另外明确定义。如在此所使用的,将两个或更多部分“连接”或“耦接”到一起的陈述应指这些部分直接结合到一起或通过一个或多个中间部件结合。
在本文中提及“实施例”意味着,结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语“实施例”并不一定均是指相同的实施例,也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是,本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
本文中术语“和/或”,仅仅是一种描述关联对象的关联关系,表示可以存在三种关系,例如,A和/或B,可以表示:存在A,同时存在A和B,存在B这三种情况。另外,本文中字符“/”,一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
此外,在本公开的所有实施例中,诸如“第一”和“第二”的术语仅用于将一个部件(或部件的一部分)与另一个部件(或部件的另一部分)区分开。
在本申请的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是指两个以上(包括两个),同理,“多组”指的是两组以上(包括两组)。
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案,下面将结合附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
本公开实施例提供的芯片三温测试方法应用于芯片三温测试装置,芯片三温测试装置可以为终端设备,该终端设备可以包括:智能手机、智能手表、笔记本电脑、平板电脑、行车记录仪、导航仪、头戴式设备等设备。
基于现有技术存在的问题,图1是本公开实施例提供的一种芯片三温测试方法的流程示意图,如图1所示,芯片三温测试方法的具体过程包括:
S110、响应于接收到的目标对象触发的目标选择操作,输出目标控制信号至测试模块,以使测试模块在接收到目标控制信号后将测试腔体的温度上升至目标测试温度且待测试芯片接收到电信号。
其中,目标选择操作用于选择芯片的测试方式,芯片的测试方式包括低温测试、常温测试和高温测试,示例性的,低温测试时待测试芯片的测试环境温度为-40摄氏度,常温测试时待测试芯片的测试环境温度为25摄氏度,高温测试时待测试芯片的测试环境温度为125摄氏度。
具体的,测试模块包括测试仪和高低温冷热对冲仪,其中,测试仪包括温度传感器、载台和测试板,高低温冷热对冲仪包括测试腔体,载台承载测试板,测试腔体和载台形成密闭空间,待测试芯片与测试板通信连接,测试板和待测试芯片设置在密闭空间内,温度传感器采集测试腔体的温度。
目标对象可以为芯片设计公司的芯片设计工程师,选择操作包括低温测试选择操作、常温测试选择操作和高温测试选择操作。
在具体的实施方式中,响应于接收到的目标对象触发的目标选择操作,输出目标电压信号至测试仪,以使待测试芯片接收到电信号;响应于接收到的目标对象触发的目标选择操作,输出目标控制信号至高低温冷热对冲仪,以使高低温冷热对冲仪在接收到目标控制信号后将测试腔体的温度上升至目标测试温度。
当芯片三温测试装置接收到目标对象触发的目标选择操作后,输出目标控制信号至测试模块的高低温冷热对冲仪,输出目标电压信号至测试仪,测试模块在接收芯片三温测试装置输出的目标控制信号后,高低温冷热对冲仪基于目标控制信号将测试仪载台上测试腔体内的温度上升至与测试方式对应的目标测试温度,测试仪将目标电压信号作用在测试板上,通过测试板将目标电压信号发送至待测试芯片。
具体的,当芯片设计工程师在完成某一款芯片的设计后,首先抽取目标数量的待测试芯片,然后通过依次将抽取的待测试芯片放置在载台上与测试板通信连接,然后通过测试腔体将待测试芯片和测试板封闭在密闭空间内,最后通过在芯片三温测试装置的控制面板上触发目标选择操作,实现对待测试芯片的测试。示例性的,在芯片三温测试装置的控制面板上选择低温测试并触发,此时,芯片三温测试装置响应目标对象触发的目标选择操作,发送与目标选择操作对应的目标控制信号至高低温冷热对冲仪,使高低温冷热对冲仪基于目标控制信号将测试仪载台上测试腔体内的温度上升至-40摄氏度,此外,芯片三温测试装置响应目标对象触发的目标选择操作,发送与目标选择操作对应的目标电压信号至测试仪,使测试仪将目标电压信号通过测试板发送给待测试芯片。
S120、获取在目标测试温度下目标数量的待测试芯片的测试值。
在测试板将目标电压信号作用在待测试芯片后,芯片三温测试装置获取待测试芯片在目标测试温度环境中,目标电压信号作用后待测试芯片的测试值。示例性,依次获取各待测试芯片在目标测试温度为-40摄氏度,目标电压信号为10V时返回的第一测试值,获取各待测试芯片在目标测试温度为25摄氏度,目标电压信号为10V时返回的第二测试值,获取各待测试芯片在目标测试温度为125摄氏度,目标电压信号为10V时返回的第三测试值。
也即,若选取的待测试芯片的数量为10个时,获取的各待测试芯片在目标测试温度为-40摄氏度,目标电压信号为10V时返回的第一测试值的数量为10个,获取的各待测试芯片在目标测试温度为25摄氏度,目标电压信号为10V时返回的第二测试值的数量也为10个,获取各待测试芯片在目标测试温度为125摄氏度,目标电压信号为10V时返回的第三测试值的数量也为10个。
S140、根据在目标测试温度下各测试芯片的测试值,确定与目标选择操作对应的测试方式在自动化测试中的测试数值范围。
在获取到在目标测试温度下各测试芯片的测试值后,根据在目标测试温度下各测试芯片的测试值确定与目标选择操作对应的测试方式在自动化测试中的测试数值范围,也即根据获取的10个第一测试值确定与待测试芯片属于同一类型的芯片在自动化测试的低温测试中的测试数值范围,根据获取的10个第二测试值确定与待测试芯片属于同一类型的芯片在自动化测试的常温测试中的测试数值范围,根据获取的10个第三测试值确定与待测试芯片属于同一类型的芯片在自动化测试的高温测试中的测试数值范围。
本公开实施例提供的芯片三温测试方法,首先响应于接收到的目标对象触发的目标选择操作,输出目标控制信号至测试模块,以使测试模块在接收到目标控制信号后将测试腔体的温度上升至目标测试温度且待测试芯片接收到电信号;然后获取在目标测试温度下目标数量的待测试芯片的测试值;最后根据在目标测试温度下各测试芯片的测试值,确定与目标选择操作对应的测试方式在自动化测试中的测试数值范围。即通过芯片三温测试装置实现在芯片设计阶段确定芯片自动化测试阶段的测试数值范围,相比较现有技术中基于手动筛选测试确定芯片自动化测试阶段的测试数值范围,具有较好的测试精度,且芯片研发公司无需购置Handler测试机器,降低芯片设计公司成本,此外,通过芯片三温测试装置执行芯片三温测试方法,可以在芯片设计公司实现对小批量芯片的测试。
在上述实施例的基础上,图2是本公开实施例提供的另一种芯片三温测试方法的流程示意图,如图2所示,在执行步骤S140之前,还包括:
S130、获取目标测试温度下设定的测试芯片的理论值。
其中,测试芯片的理论值为在目标电压信号和目标测试温度下,测试芯片输出的理想信号,例如,在目标测试温度为-40摄氏度,目标电压信号为10V时对应的第一理论值应为50mA,在目标测试温度为25摄氏度,目标电压信号为10V时对应的第二理论值应为100mA,在目标测试温度为125摄氏度,目标电压信号为10V时对应的第三理论值应为120mA。
当芯片三温测试方法包括步骤S130时,步骤S140的具体实施过程为:
S142、根据在目标测试温度下各测试芯片的测试值与在目标测试温度下设定的测试芯片的理论值的关系,确定与目标选择操作对应的测试方式在自动化测试中的测试数值范围。
具体的,基于在目标测试温度下设定的测试芯片的理论值,确定在目标测试温度下各测试芯片的测试值相对理论值的正态分布;基于在目标测试温度下各测试芯片的测试值相对理论值的正态分布,确定与目标选择操作对应的测试方式在自动化测试中的测试数值范围。
正态分布(Normal distribution),也称“常态分布”,又名高斯分布(Gaussiandistribution)。若随机变量X服从一个数学期望为μ、方差为σ2的正态分布,记为N(μ,σ2),其概率密度函数为正态分布的期望值μ决定了其位置,其标准差σ决定了分布的幅度。也即,通过设定在目标测试温度和目标电压信号下测试芯片的理论值为数学期望,在目标测试温度和目标电压信号下各待测试芯片的测试值相对理论值的分布,确定与目标选择操作对应的测试方式在自动化测试中的测试数值范围。
示例性的,若在目标测试温度为-40摄氏度,目标电压信号为10V时对应的第一理论值应为50mA,此时,基于目标测试温度为-40摄氏度,目标电压信号为10V时的10个待测试芯片的第一测试值相对第一理论值的正态分布,确定低温测试方式在自动化测试中的测试数值范围;若在目标测试温度为25摄氏度,目标电压信号为10V时对应的第二理论值应为100mA,此时,基于目标测试温度为25摄氏度,目标电压信号为10V时的10个待测试芯片的第二测试值相对第二理论值的正态分布,确定常温测试方式在自动化测试中的测试数值范围;若在目标测试温度为125摄氏度,目标电压信号为10V时对应的第三理论值应为120mA,此时,基于目标测试温度为125摄氏度,目标电压信号为10V时的10个待测试芯片的第三测试值相对第三理论值的正态分布,确定高温测试方式在自动化测试中的测试数值范围。
在上述实施例的基础上,图3是本公开实施例提供的又一种芯片三温测试方法的流程示意图,如图3所示,在执行步骤S142之前,还包括:
S141、获取在目标测试温度下设定的接收阈值。
当芯片三温测试方法包括步骤S141时,步骤S142的具体实现方式为:
S1421、根据在目标测试温度下设定的接收阈值,对在目标测试温度下各测试芯片的测试值进行处理得到目标测试值。
S1422、根据目标测试值和所述理论值,确定与目标选择操作对应的测试方式在自动化测试中的测试数值范围。
具体的,依次将各测试芯片对应的测试值与接收阈值的最大接收值和最小接收值进行比较,在测试芯片的测试值大于或等于最小接收值,且小于或等于最大接收值时,测试芯片对应的测试值为一个目标测试值。
通过设定接收阈值,当对待测试芯片进行测试时,若在目标测试温度下,芯片三温测试装置接收到的待测试芯片的测试值大于接收阈值的最大值或小于接收阈值的最小值,此时,该测试芯片的测试值为不合格的测试值,将该测试值剔除,若在目标测试温度下,芯片三温测试装置接收到的待测试芯片的测试值小于或等于接收阈值的最大值且大于或等于接收阈值的最小值,此时,该测试芯片的测试值为合格的测试值,将该测试值保留。
本公开实施例中,通过对获取的在目标测试温度下目标数量的待测试芯片的测试值与接收阈值进行比对,选择满足接收阈值的测试值作为目标测试值,进而基于目标测试值与理论值的关系,确定与目标选择操作对应的测试方式在自动化测试中的测试数值范围,提高测试精度。
在上述实施例的基础上,本公开实施例还提供一种芯片三温测试装置,如图4所示,芯片三温测试装置包括:
控制信号生成模块410,用于响应于接收到的目标对象触发的目标选择操作,输出目标控制信号至测试模块,以使测试模块在接收到目标控制信号后将测试腔体的温度上升至目标测试温度,其中,目标选择操作用于选择芯片的测试方式,芯片的测试方式包括低温测试、常温测试和高温测试;
测试值获取模块420,用于获取在目标测试温度下目标数量的待测试芯片的测试值;
测试数值范围确定模块430,用于根据在目标测试温度下各测试芯片的测试值,确定与目标选择操作对应的测试方式在自动化测试中的测试数值范围。
本公开实施例提供的芯片三温测试装置,首先控制信号生成模块响应于接收到的目标对象触发的目标选择操作,输出目标控制信号至测试模块,以使测试模块在接收到目标控制信号后将测试腔体的温度上升至目标测试温度且待测试芯片接收到电信号;然后测试值获取模块获取在目标测试温度下目标数量的待测试芯片的测试值;最后测试数值范围确定模块根据在目标测试温度下各测试芯片的测试值,确定与目标选择操作对应的测试方式在自动化测试中的测试数值范围。即通过芯片三温测试装置实现在芯片设计阶段确定芯片自动化测试阶段的测试数值范围,相比较现有技术中基于手动筛选测试确定芯片自动化测试阶段的测试数值范围,具有较好的测试精度,且芯片研发公司无需购置Handler测试机器,降低芯片设计公司成本,此外,通过芯片三温测试装置执行芯片三温测试方法,可以在芯片设计公司实现对小批量芯片的测试。
在具体的实施方式中,所述根据在目标测试温度下各测试芯片的测试值,确定与所述目标选择操作对应的测试方式在自动化测试中的测试数值范围之前,还包括:
获取所述目标测试温度下设定的测试芯片的理论值;
所述根据在目标测试温度下各测试芯片的测试值,确定与所述目标选择操作对应的测试方式在自动化测试中的测试数值范围,包括:
根据在目标测试温度下各测试芯片的测试值与在所述目标测试温度下设定的测试芯片的理论值的关系,确定与所述目标选择操作对应的测试方式在自动化测试中的测试数值范围。
在具体的实施方式中,所述根据在目标测试温度下各测试芯片的测试值与所述目标测试温度下设定的测试芯片的理论值的关系,确定与所述目标选择操作对应的测试方式在自动化测试中的测试数值范围,包括:
基于在所述目标测试温度下设定的测试芯片的理论值,确定在目标测试温度下各测试芯片的测试值相对所述理论值的正态分布;
基于在目标测试温度下各测试芯片的测试值相对所述理论值的正态分布,确定与所述目标选择操作对应的测试方式在自动化测试中的测试数值范围。
在具体的实施方式中,所述根据在目标测试温度下所述目标数量的各测试芯片的测试值与所述目标测试温度下设定的测试芯片的理论值,确定与所述目标选择操作对应的测试方式在自动化测试中的测试数值范围之前,包括:
获取在所述目标测试温度下设定的接收阈值;
所述根据根据在目标测试温度下所述目标数量的各测试芯片的测试值与所述目标测试温度下设定的测试芯片的理论值,确定与所述目标选择操作对应的测试方式在自动化测试中的测试数值范围,包括:
根据在所述目标测试温度下设定的接收阈值,对在目标测试温度下各测试芯片的测试值进行处理得到目标测试值;
根据所述目标测试值和所述理论值,确定与所述目标选择操作对应的测试方式在自动化测试中的测试数值范围。
在具体的实施方式中,所述根据在所述目标测试温度下设定的接收阈值,对在目标测试温度下各测试芯片的测试值进行处理得到目标测试值,包括:
依次将各测试芯片对应的测试值与接收阈值的最大接收值和最小接收值进行比较,在所述测试芯片的测试值大于或等于最小接收值,且小于或等于最大接收值时,所述测试芯片对应的测试值为一个目标测试值。
在具体的实施方式中,所述测试模块包括测试仪和高低温冷热对冲仪;
所述响应于接收到的目标对象触发的目标选择操作,输出目标控制信号至测试模块,包括:
响应于接收到的目标对象触发的目标选择操作,输出目标电压信号至所述测试仪,以使所述待测试芯片接收到电信号;
响应于接收到的目标对象触发的目标选择操作,输出目标控制信号至高低温冷热对冲仪,以使所述高低温冷热对冲仪在接收到目标控制信号后将测试腔体的温度上升至目标测试温度。
在具体的实施方式中,所述测试仪包括温度传感器、载台和测试板,所述高低温冷热对冲仪包括测试腔体,所述载台承载所述测试板,所述测试腔体和所述载台形成密闭空间,所述待测试芯片与所述测试板通信连接,所述测试板和所述待测试芯片设置在所述密闭空间内。
本申请实施例还提供了一种计算机设备。具体请参阅图5,图5为本实施例计算机设备基本结构框图。
计算机设备包括通过系统总线相互通信连接存储器510和处理器520。需要指出的是,图中仅示出了具有组件510-520的计算机设备,但是应理解的是,并不要求实施所有示出的组件,可以替代的实施更多或者更少的组件。其中,本技术领域技术人员可以理解,这里的计算机设备是一种能够按照事先设定或存储的指令,自动进行数值计算和/或信息处理的设备,其硬件包括但不限于微处理器、专用集成电路(Application SpecificIntegrated Circuit,ASIC)、可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array,FPGA)、数字处理器(Digital Signal Processor,DSP)、嵌入式设备等。
计算机设备可以是桌上型计算机、笔记本、掌上电脑及云端服务器等计算设备。计算机设备可以与用户通过键盘、鼠标、遥控器、触摸板或声控设备等方式进行人机交互。
存储器510至少包括一种类型的可读存储介质,可读存储介质包括非易失性存储器(non-volatile memory)或易失性存储器,例如,闪存(flashmemory)、硬盘、多媒体卡、卡型存储器(例如,SD或DX存储器等)、随机访问存储器(random access memory,RAM)、只读存储器(read-only memory,ROM)、可擦写可编程只读存储器(erasable programmable read-onlymemory,EPROM)、电可擦写可编程只读存储器(electrically erasable programmableread-onlymemory,EEPROM)、可编程只读存储器(programmable read-only memory,PROM)、磁性存储器、磁盘、光盘等,RAM可以包括静态RAM或动态RAM。在一些实施例中,存储器510可以是计算机设备的内部存储单元,例如,该计算机设备的硬盘或内存。在另一些实施例中,存储器510也可以是计算机设备的外部存储设备,例如该计算机设备上配备的插接式硬盘、智能存储卡(Smart Media Card,SMC)、安全数字(Secure Digital,SD)卡或闪存卡(FlashCard)等。当然,存储器510还可以既包括计算机设备的内部存储单元也包括其外部存储设备。本实施例中,存储器510通常用于存储安装于计算机设备的操作系统和各类应用软件,例如上述方法的程序代码等。此外,存储器510还可以用于暂时地存储已经输出或者将要输出的各类数据。
处理器520通常用于执行计算机设备的总体操作。本实施例中,存储器510用于存储程序代码或指令,程序代码包括计算机操作指令,处理器520用于执行存储器510存储的程序代码或指令或者处理数据,例如运行上述方法的程序代码。
本文中,总线可以是工业标准体系结构(Industry StandardArchitecture,ISA)总线、外设部件互连标准(Peripheral Component Interconnect,PCI)总线或扩展工业标准结构(Extended Industry Standard Architecture,EISA)总线等。该总线系统可以分为地址总线、数据总线、控制总线等。为便于表示,图中仅用一条粗线表示,但并不表示仅有一根总线或一种类型的总线。
本申请的另一实施例还提供一种计算机可读介质,计算机可读介质可以是计算机可读信号介质或者计算机可读介质。计算机中的处理器读取存储在计算机可读介质中的计算机可读程序代码,使得处理器能够执行在上述方法中每个步骤、或各步骤的组合中规定的功能动作;生成实施在框图的每一块、或各块的组合中规定的功能动作的装置。
计算机可读介质包含但不限于电子、磁性、光学、电磁、红外的存储器或半导体系统、设备或者装置,或者前述的任意适当组合,存储器用于存储程序代码或指令,程序代码包括计算机操作指令,处理器用于执行存储器存储的上述方法的程序代码或指令。
存储器和处理器的定义,可以参考前述计算机设备实施例的描述,在此不再赘述。
在本申请所提供的几个实施例中,应该理解到,所揭露的系统、装置和方法,可以通过其它的方式实现。例如,以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的,例如,模块或单元的划分,仅仅为一种逻辑功能划分,实际实现时可以有另外的划分方式,例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统,或一些特征可以忽略,或不执行。另一点,所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口,装置或单元的间接耦合或通信连接,可以是电性,机械或其它的形式。
在本申请各个实施例中的各功能单元或模块可以集成在一个处理单元中,也可以是各个单元单独物理存在,也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现,也可以采用软件功能单元的形式实现。
集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时,可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解,本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来,该计算机软件产品存储在一个存储介质中,包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机,服务器,或者网络设备等)或处理器(processor)执行本申请各个实施例方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括:U盘、移动硬盘、只读存储器(Read-OnlyMemory,ROM)、随机存取存储器(Random Access Memory,RAM)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
除非上下文中另外明确地指出,否则在本文和所附权利要求中所使用的词语的单数形式包括复数,反之亦然。因而,当提及单数时,通常包括相应术语的复数。相似地,措辞“包含”和“包括”将解释为包含在内而不是独占性地。同样地,术语“包括”和“或”应当解释为包括在内的,除非本文中明确禁止这样的解释。在本文中使用术语“示例”之处,特别是当其位于一组术语之后时,所述“示例”仅仅是示例性的和阐述性的,且不应当被认为是独占性的或广泛性的。
适应性的进一步的方面和范围从本文中提供的描述变得明显。应当理解,本申请的各个方面可以单独或者与一个或多个其它方面组合实施。还应当理解,本文中的描述和特定实施例旨在仅说明的目的并不旨在限制本申请的范围。
以上对本公开的若干实施例进行了详细描述,但显然,本领域技术人员可以在不脱离本公开的精神和范围的情况下对本公开的实施例进行各种修改和变型。本公开的保护范围由所附的权利要求限定。

Claims (10)

1.一种芯片三温测试方法,其特征在于,包括:
响应于接收到的目标对象触发的目标选择操作,输出目标控制信号至测试模块,以使所述测试模块在接收到目标控制信号后将测试腔体的温度上升至目标测试温度且待测试芯片接收到电信号,其中,所述目标选择操作用于选择芯片的测试方式,芯片的测试方式包括低温测试、常温测试和高温测试;
获取在目标测试温度下目标数量的待测试芯片的测试值;
根据在目标测试温度下各测试芯片的测试值,确定与所述目标选择操作对应的测试方式在自动化测试中的测试数值范围。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据在目标测试温度下各测试芯片的测试值,确定与所述目标选择操作对应的测试方式在自动化测试中的测试数值范围之前,还包括:
获取所述目标测试温度下设定的测试芯片的理论值;
所述根据在目标测试温度下各测试芯片的测试值,确定与所述目标选择操作对应的测试方式在自动化测试中的测试数值范围,包括:
根据在目标测试温度下各测试芯片的测试值与在所述目标测试温度下设定的测试芯片的理论值的关系,确定与所述目标选择操作对应的测试方式在自动化测试中的测试数值范围。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述根据在目标测试温度下各测试芯片的测试值与所述目标测试温度下设定的测试芯片的理论值的关系,确定与所述目标选择操作对应的测试方式在自动化测试中的测试数值范围,包括:
基于在所述目标测试温度下设定的测试芯片的理论值,确定在目标测试温度下各测试芯片的测试值相对所述理论值的正态分布;
基于在目标测试温度下各测试芯片的测试值相对所述理论值的正态分布,确定与所述目标选择操作对应的测试方式在自动化测试中的测试数值范围。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述根据在目标测试温度下所述目标数量的各测试芯片的测试值与所述目标测试温度下设定的测试芯片的理论值,确定与所述目标选择操作对应的测试方式在自动化测试中的测试数值范围之前,包括:
获取在所述目标测试温度下设定的接收阈值;
所述根据在目标测试温度下所述目标数量的各测试芯片的测试值与所述目标测试温度下设定的测试芯片的理论值,确定与所述目标选择操作对应的测试方式在自动化测试中的测试数值范围,包括:
根据在所述目标测试温度下设定的接收阈值,对在目标测试温度下各测试芯片的测试值进行处理得到目标测试值;
根据所述目标测试值和所述理论值,确定与所述目标选择操作对应的测试方式在自动化测试中的测试数值范围。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述根据在所述目标测试温度下设定的接收阈值,对在目标测试温度下各测试芯片的测试值进行处理得到目标测试值,包括:
依次将各测试芯片对应的测试值与接收阈值的最大接收值和最小接收值进行比较,在所述测试芯片的测试值大于或等于最小接收值,且小于或等于最大接收值时,所述测试芯片对应的测试值为一个目标测试值。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述测试模块包括测试仪和高低温冷热对冲仪;
所述响应于接收到的目标对象触发的目标选择操作,输出目标控制信号至测试模块,包括:
响应于接收到的目标对象触发的目标选择操作,输出目标电压信号至所述测试仪,以使所述待测试芯片接收到电信号;
响应于接收到的目标对象触发的目标选择操作,输出目标控制信号至高低温冷热对冲仪,以使所述高低温冷热对冲仪在接收到目标控制信号后将测试腔体的温度上升至目标测试温度。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述测试仪包括温度传感器、载台和测试板,所述高低温冷热对冲仪包括测试腔体,所述载台承载所述测试板,所述测试腔体和所述载台形成密闭空间,所述待测试芯片与所述测试板通信连接,所述测试板和所述待测试芯片设置在所述密闭空间内。
8.一种芯片三温测试装置,其特征在于,包括:
控制信号生成模块,用于响应于接收到的目标对象触发的目标选择操作,输出目标控制信号至测试模块,以使所述测试模块在接收到目标控制信号后将测试腔体的温度上升至目标测试温度,其中,所述目标选择操作用于选择芯片的测试方式,芯片的测试方式包括低温测试、常温测试和高温测试;
测试值获取模块,用于获取在目标测试温度下目标数量的待测试芯片的测试值;
测试数值范围确定模块,用于根据在目标测试温度下各测试芯片的测试值,确定与所述目标选择操作对应的测试方式在自动化测试中的测试数值范围。
9.一种计算机设备,其特征在于,包括:
一个或多个处理器;
存储装置,用于存储一个或多个程序,
当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行,使得所述一个或多个处理器实现如权利要求1~7中任一所述的方法。
10.一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,该程序被处理器执行时实现如权利要求1~7中任一所述的方法。
CN202311796306.8A 2023-12-25 2023-12-25 芯片三温测试方法、装置、设备和存储介质 Active CN117825917B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202311796306.8A CN117825917B (zh) 2023-12-25 2023-12-25 芯片三温测试方法、装置、设备和存储介质

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202311796306.8A CN117825917B (zh) 2023-12-25 2023-12-25 芯片三温测试方法、装置、设备和存储介质

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN117825917A true CN117825917A (zh) 2024-04-05
CN117825917B CN117825917B (zh) 2024-08-20

Family

ID=90509081

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202311796306.8A Active CN117825917B (zh) 2023-12-25 2023-12-25 芯片三温测试方法、装置、设备和存储介质

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN117825917B (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105004985A (zh) * 2015-06-30 2015-10-28 深圳市芯海科技有限公司 一种用于多温度测试的芯片自动测试方法
US20210019245A1 (en) * 2019-07-17 2021-01-21 One Test Systems Memory test method
CN113433446A (zh) * 2021-05-21 2021-09-24 芯天下技术股份有限公司 一种三温测试系统及控制方法
CN114636917A (zh) * 2022-03-04 2022-06-17 长鑫存储技术有限公司 芯片的测试方法、系统、设备及存储介质

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105004985A (zh) * 2015-06-30 2015-10-28 深圳市芯海科技有限公司 一种用于多温度测试的芯片自动测试方法
US20210019245A1 (en) * 2019-07-17 2021-01-21 One Test Systems Memory test method
CN113433446A (zh) * 2021-05-21 2021-09-24 芯天下技术股份有限公司 一种三温测试系统及控制方法
CN114636917A (zh) * 2022-03-04 2022-06-17 长鑫存储技术有限公司 芯片的测试方法、系统、设备及存储介质

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
张靓 等: "航天器用集成电路参数一致性分析技术研究", 中国航天, no. 1, 4 September 2020 (2020-09-04), pages 104 - 107 *
戴强: "基于Castle型机械手的三温量产测试平台实现", 数字技术与应用, no. 4, 5 April 2018 (2018-04-05), pages 110 - 111 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN117825917B (zh) 2024-08-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20210016271A (ko) 자동 회로기판 테스트 시스템 및 이에 응용되는 자동 회로기판 테스트 방법
CN111400169B (zh) 一种自动化生成用于测试软硬件的网表文件的方法及系统
CN115841046B (zh) 基于维纳过程的加速退化试验数据处理方法和装置
CN112996020A (zh) 一种基于蓝牙的自动化测试方法、装置及蓝牙测试终端
CN115598505A (zh) 一种芯片检测方法、装置、设备和存储介质
CN113744797A (zh) 基于固态硬盘的nand测试分析方法、装置及计算机设备
CN108877969B (zh) 核功率理论模型建立及验证方法、系统及终端设备
CN111638439B (zh) 通信模块测试方法、装置、计算机设备和存储介质
CN106205736A (zh) 一种测试方法及测试设备
CN117825917B (zh) 芯片三温测试方法、装置、设备和存储介质
CN101017496A (zh) 基于最佳匹配测试结果类型自动格式化数据的方法和装置
EP2772861A1 (en) Semiconductor test device and semiconductor test method
CN100375196C (zh) 并列测试及烧录系统中读取半导体晶元数据的方法
CN113779926B (zh) 一种电路的检测方法、装置、电子设备及可读存储介质
KR101963811B1 (ko) 명령어 기반의 보스트 회로 장치
US20210264342A1 (en) Method, Computer Apparatus, And Storage Medium For Evaluating Product Reliability
US11953518B2 (en) Switching matrix system and operating method thereof for semiconductor characteristic measurement
CN115470125A (zh) 基于日志文件的调试方法、设备以及存储介质
Li et al. Board-level Functional Test Selection Based on Fault Tree Analysis
CN114779039A (zh) 一种半导体自动化测试系统、方法及电子设备
US10691249B2 (en) Touch host controller
CN112463484A (zh) 一种数字输入输出电路测试方法、系统、终端及存储介质
CN112307131B (zh) 设备巡检方法、系统、电子设备及存储介质
CN116540293B (zh) 探测器的测试方法、装置和系统
CN116298825B (zh) 芯片测试系统和方法、设备、驱动访问装置和方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant