CN117816869A - 一种GaN HEMT器件引脚整形装置 - Google Patents
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- 238000007493 shaping process Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 17
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 23
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 21
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 18
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 18
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 16
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 11
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 6
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 claims description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 4
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 abstract description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 11
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 abstract description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 18
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 10
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 10
- 239000000306 component Substances 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910001152 Bi alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- JWVAUCBYEDDGAD-UHFFFAOYSA-N bismuth tin Chemical compound [Sn].[Bi] JWVAUCBYEDDGAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008358 core component Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 238000007581 slurry coating method Methods 0.000 description 1
- 230000008093 supporting effect Effects 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B21—MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
- B21F—WORKING OR PROCESSING OF METAL WIRE
- B21F11/00—Cutting wire
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B21—MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
- B21F—WORKING OR PROCESSING OF METAL WIRE
- B21F23/00—Feeding wire in wire-working machines or apparatus
- B21F23/002—Feeding means specially adapted for handling various diameters of wire or rod
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/49—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions wire-like arrangements or pins or rods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Power Engineering (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
本发明涉及金属线材加工技术领域，本发明公开了一种GaN HEMT器件引脚整形装置，包括顶梁、射流切割机、工位运转组件、预包覆组件和高温分离组件，所述射流切割机固定设于顶梁下方，所述射流切割机下方固定设有水刀切割头，所述工位运转组件设于顶梁下方，所述预包覆组件设于顶梁下方，所述高温分离组件设于顶梁下方，所述预包覆组件包括托举架、裹浆盒、高温容器、输送泵机、软管、三通管、半导体制冷片和出入协助单元。本发明具体提供了使用射流切割机来代替金属刀具并且不存在刀具磨损问题的GaN HEMT器件引脚整形装置。
Description
技术领域
本发明涉及金属线材加工技术领域，具体是指一种GaN HEMT器件引脚整形装置。
背景技术
GaN HEMT主要是指AIGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管。HEMT是在能够形成二维电子气（2DEG）的异质结上用类似于MESFET的工艺制成的一种场效应晶体管，因此也称为异质结场效应晶体管。AIGaN/GaN异质结因极化效应很容易在AIGaN势垒层中自然形成2DEG，是理想的HEMT器件。
GaN HEMT器件在封装成芯片后，还需进行引脚的整形处理。申请号为202011070541.3的一项发明专利公开了一种二三极管芯片加工引脚切断装置，并具体公开了“切断刀会与散落在两侧的废料产生多次摩擦，长时间的摩擦会严重影响切断刀的平稳运动”的技术问题以及“将散落在通槽两侧的废料吹进通槽内，使得下一次切断刀前进时不会与废料产生摩擦”的技术方案。虽然该申请的技术方案能够进行引脚整形，但对于芯片引脚的切断修整作业仍依靠金属刀具来实现，而长期运行的金属刀具磨损量会不断增大并对芯片引脚的整形切口平整度造成不利影响。
发明内容
针对上述情况，为克服现有技术的缺陷，本发明提供了一种GaN HEMT器件引脚整形装置，为了解决长期运行的金属刀具磨损量会不断增大并对芯片引脚的整形切口平整度造成不利影响的问题，本发明提出了使用射流切割机来代替金属刀具并且不存在刀具磨损问题的GaN HEMT器件引脚整形装置。
本发明采取的技术方案如下：包括顶梁、射流切割机、工位运转组件、预包覆组件和高温分离组件，所述射流切割机固定设于顶梁下方，所述射流切割机下方固定设有水刀切割头，所述工位运转组件设于顶梁下方，所述预包覆组件设于顶梁下方，所述高温分离组件设于顶梁下方，所述预包覆组件包括托举架、裹浆盒、高温容器、输送泵机、软管、三通管、半导体制冷片和出入协助单元。
进一步地，所述托举架位于顶梁下方，所述裹浆盒固定设于托举架上方，所述半导体制冷片固定设于裹浆盒外部，所述三通管固定设于裹浆盒外部并且与裹浆盒连通，所述高温容器固定设于顶梁下方，所述输送泵机固定设于高温容器下方，所述软管固定设于输送泵机和三通管之间，所述高温容器、输送泵机、软管、三通管和裹浆盒内均设有相变黏着填料。
进一步地，所述出入协助单元设于托举架上，所述出入协助单元包括弹性膜、协助横条、Z向协助电控推杆和连接弯柄，所述裹浆盒和托举架上竖直开设有贯通口，所述弹性膜固定设于裹浆盒内，所述弹性膜对相变黏着填料和贯通口具有分隔作用，所述协助横条固定设于弹性膜下方，所述Z向协助电控推杆固定设于托举架下方，所述连接弯柄穿过贯通口并且固定设于协助横条和Z向协助电控推杆之间。
进一步地，所述预包覆组件还包括单向阀和清空泵机，所述单向阀固定设于三通管和裹浆盒的连接处，所述清空泵机固定设于三通管一端。
进一步地，所述工位转运组件包括L形支架、方位调节轴、方位调节电机、蜗杆、蜗轮、T形支架、X向取放电控推杆和取放抓手，所述L形支架位于顶梁下方，所述L形支架一侧固定设有后连接耳板，所述方位调节轴转动设于后连接耳板上，所述方位调节电机固定设于L形支架顶端，所述蜗杆固定设于方位调节电机的输出端上，所述蜗轮固定设于方位调节轴上并且与蜗杆啮合连接，所述方位调节轴的端部固定设有前连接耳板，所述T形支架固定设于前连接耳板上，所述X向取放电控推杆和取放抓手均设有两组，两组所述X向取放抓手对称固定设于T形支架两侧，两组所述取放抓手分别和两组X向取放抓手固定连接，两组所述取放抓手内卡合设有芯片主体，所述芯片主体上贴合设有冻结塑形块，所述冻结塑形块由相变黏着填料冷却形成。
进一步地，所述裹浆盒左右两侧均开设有适配于取放抓手的抓手滑槽。
进一步地，所述预包覆组件还包括Z向分离电控推杆，所述Z向分离电控推杆固定设于顶梁和托举架之间。
进一步地，所述高温分离组件包括大悬挂支架、多孔漏板和电加热器，所述大悬挂支架固定设于顶梁下方，所述多孔漏板固定设于大悬挂支架底端，所述电加热器固定设于大悬挂支架上。
进一步地，所述工位运转组件还包括Y向电控推杆、X向轨道、行车和小悬挂支架，所述X向轨道固定设于顶梁下方，所述行车滑动设于X向轨道上，所述小悬挂支架固定设于行车下方，所述Y向电控推杆固定设于小悬挂支架底端，所述L形支架固定设于Y向电控推杆一端。
进一步地，所述弹性膜选用柔性石墨盘根材质，所述相变黏着填料选用低熔点合金材质，所述低熔点合金的熔点为70℃~80℃。
采用上述结构本发明取得的有益效果如下：
1、本发明摒弃了传统半导体器件引脚整形所使用的金属刀具，并彻底避免了金属刀具磨损导致的引脚整形切口平整度问题。同时，本发明在以射流切割机作为金属刀具代替品这一基础思想上进行了拓展完善，在射流切割机应用前后分别设置了预包覆组件和高温分离组件，使得射流切割机和水刀切割头对GaN HEMT器件的引脚整形工序能够准确、快捷地进行。
2、在以裹浆盒、高温容器、相变黏着填料和半导体制冷片为核心元器件的预包覆组件中，本发明还设置了由弹性膜、协助横条和Z向协助电控推杆等零部件构成的出入协助单元。而出入协助单元具有以下两个功能：一是通过协助横条和弹性膜的支撑作用为GaNHEMT器件封塑成的芯片提供临时定位，在取放抓手由裹浆盒中夹持芯片前避免芯片掉落至裹浆盒底部；二是当相变黏着填料在裹浆盒中冷却成冻结塑形块后，不断伸缩的Z向协助电控推杆能够作为动力源，并通过连接弯柄和协助横条的传动作用拉动弹性膜产生震荡，有助于分离冻结塑形块和裹浆盒。
附图说明
图1为本发明的GaN HEMT器件引脚整形装置的立体示意图；
图2为本发明的工位运转组件的立体示意图；
图3为本发明在图2中A部分的局部放大图；
图4为本发明的芯片主体、冻结塑形块和取放抓手的立体示意图；
图5为本发明的预包覆组件的立体示意图；
图6为本发明在图5中B部分的局部放大图；
图7为本发明的裹浆盒、三通管、清空泵机和单向阀的剖面示意图；
图8为本发明的出入协助单元的立体示意图；
图9为本发明的高温分离组件的立体示意图；
图10为本发明的高温容器和相变黏着填料的剖面示意图。
其中，1、顶梁，2、射流切割机，3、水刀切割头，4、芯片主体，5、冻结塑形块，6、工位运转组件，601、Y向电控推杆，602、L形支架，603、方位调节轴，6031、后连接耳板，6032、前连接耳板，604、方位调节电机，605、蜗杆，606、蜗轮，607、T形支架，608、X向取放电控推杆，609、取放抓手，610、X向轨道，611、行车，612、小悬挂支架，7、预包覆组件，701、Z向分离电控推杆，702、托举架，703、裹浆盒，7031、抓手滑槽，704、高温容器，7041、相变黏着填料，705、输送泵机，706、软管，707、三通管，708、单向阀，709、清空泵机，710、半导体制冷片，8、出入协助单元，801、贯通口，802、弹性膜，803、协助横条，804、Z向协助电控推杆，805、连接弯柄，9、高温分离组件，901、大悬挂支架，902、多孔漏板，903、电加热器。
附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例；基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
如图1~图10所示，包括顶梁1、射流切割机2、工位运转组件6、预包覆组件7和高温分离组件9，射流切割机2固定设于顶梁1下方，射流切割机2下方固定设有水刀切割头3，工位运转组件6设于顶梁1下方，预包覆组件7设于顶梁1下方，高温分离组件9设于顶梁1下方，预包覆组件7包括托举架702、裹浆盒703、高温容器704、输送泵机705、软管706、三通管707、半导体制冷片710和出入协助单元8。
如图5、图6、图7、图8和图10所示，托举架702位于顶梁1下方，裹浆盒703固定设于托举架702上方，半导体制冷片710固定设于裹浆盒703外部，三通管707固定设于裹浆盒703外部并且与裹浆盒703连通，高温容器704固定设于顶梁1下方，输送泵机705固定设于高温容器704下方，软管706固定设于输送泵机705和三通管707之间，高温容器704、输送泵机705、软管706、三通管707和裹浆盒703内均设有相变黏着填料7041。
如图5~图8所示，出入协助单元8设于托举架702上，出入协助单元8包括弹性膜802、协助横条803、Z向协助电控推杆804和连接弯柄805，裹浆盒703和托举架702上竖直开设有贯通口801，弹性膜802固定设于裹浆盒703内，弹性膜802对相变黏着填料7041和贯通口801具有分隔作用，协助横条803固定设于弹性膜802下方，Z向协助电控推杆804固定设于托举架702下方，连接弯柄805穿过贯通口801并且固定设于协助横条803和Z向协助电控推杆804之间。
如图5~图7所示，预包覆组件7还包括单向阀708和清空泵机709，单向阀708固定设于三通管707和裹浆盒703的连接处，清空泵机709固定设于三通管707一端。
如图2、图3和图4所示，工位转运组件包括L形支架602、方位调节轴603、方位调节电机604、蜗杆605、蜗轮606、T形支架607、X向取放电控推杆608和取放抓手609，L形支架602位于顶梁1下方，L形支架602一侧固定设有后连接耳板6031，方位调节轴603转动设于后连接耳板6031上，方位调节电机604固定设于L形支架602顶端，蜗杆605固定设于方位调节电机604的输出端上，蜗轮606固定设于方位调节轴603上并且与蜗杆605啮合连接，方位调节轴603的端部固定设有前连接耳板6032，T形支架607固定设于前连接耳板6032上，X向取放电控推杆608和取放抓手609均设有两组，两组X向取放抓手609对称固定设于T形支架607两侧，两组取放抓手609分别和两组X向取放抓手609固定连接，两组取放抓手609内卡合设有芯片主体4，芯片主体4上贴合设有冻结塑形块5，冻结塑形块5由相变黏着填料7041冷却形成。
如图7所示，裹浆盒703左右两侧均开设有适配于取放抓手609的抓手滑槽7031。
如图5所示，预包覆组件7还包括Z向分离电控推杆701，Z向分离电控推杆701固定设于顶梁1和托举架702之间。
如图9所示，高温分离组件9包括大悬挂支架901、多孔漏板902和电加热器903，大悬挂支架901固定设于顶梁1下方，多孔漏板902固定设于大悬挂支架901底端，电加热器903固定设于大悬挂支架901上。
如图2和图3所示，工位运转组件6还包括Y向电控推杆601、X向轨道610、行车611和小悬挂支架612，X向轨道610固定设于顶梁1下方，行车611滑动设于X向轨道610上，小悬挂支架612固定设于行车611下方，Y向电控推杆601固定设于小悬挂支架612底端，L形支架602固定设于Y向电控推杆601一端。
如图1~图10所示，弹性膜802选用柔性石墨盘根材质，相变黏着填料7041选用低熔点合金材质，低熔点合金的熔点为70℃~80℃，低熔点合金选用熔点为70℃的锡铋合金。
具体使用时，芯片主体4最初位于裹浆盒703中并与弹性膜802相接触，协助横条803对弹性膜802和芯片主体4提供支撑力。工位运转组件6中的取放抓手609夹持芯片主体4两侧后，预包覆组件7中的相变黏着填料7041对芯片主体4的引脚部分进行包覆处理并冷却形成冻结塑形块5。随后工位运转组件6将芯片主体4运转至射流切割机2下方，由水刀切割头3喷出的高压水流对冻结塑形块5和芯片主体4的引脚进行切割整形。最后，工位运转组件6将芯片主体4运送到高温分离组件9中的多孔漏板902上，由电加热器903提供的高温熔化掉芯片主体4上包覆的冻结塑形块5，从而得到引脚整形合格的GaN HEMT器件的封塑芯片。
预包覆组件7的具体工作流程为：在芯片主体4搁放在弹性膜802上方，且取放抓手609穿过抓手滑槽7031并夹持定位芯片主体4后，输送泵机705抽取高温容器704中的相变黏着填料7041，并经软管706和三通管707输送至裹浆盒703中。当裹浆盒703中的相变黏着填料7041液面没过芯片主体4的引脚后，输送泵机705停止作业，清空泵机709于三通管707的一端抽取三通管707和软管706中的相变黏着填料7041并向外排放（这一步的目的是避免相变黏着填料7041在预包覆组件7未被使用的时间段内逐渐冻结并毁坏三通管707和软管706），因三通管707和裹浆盒703的连接处设置有单向阀708，因此清空泵机709的抽吸力不会影响裹浆盒703内的相变黏着填料7041。清空泵机709停止作业后，附着于裹浆盒703外壁上的半导体制冷片710开始降温，并迫使裹浆盒703内的相变黏着填料7041冷却形成冻结塑形块5。随后出入协助单元8中的Z向协助电控推杆804不断伸缩，通过连接弯柄805和协助横条803的传动作用带动弹性膜802不断震荡，使得冻结塑形块5和裹浆盒703的接触位置连接松动，有助于促使冻结塑形块5和裹浆盒703分离。在冻结塑形块5和裹浆盒703的连接关系足够松动后，Z向分离电控推杆701伸长，带动托举架702和裹浆盒703下移，使得冻结塑形块5和芯片主体4能停留在取放抓手609内，完成与预包覆组件7的分离。
工位运转组件6的具体工作流程为：行车611沿X向轨道610任意移动，通过小悬挂支架612牵引Y向电控推杆601、L形支架602、方位调节轴603、T形支架607、X向取放电控推杆608和取放抓手609做X向移动，使取放抓手609能携带芯片主体4在预包覆组件7、射流切割机2和高温分离组件9之间移动。在取放抓手609携带芯片主体4和冻结塑形块5离开预包覆组件7后，方位调节电机604开始运行，通过蜗杆605和蜗轮606的传动作用带动方位调节轴603旋转，方位调节轴603、T形支架607和取放抓手609同步转动，并通过取放抓手609使原先竖直朝下的芯片主体4和冻结塑形块5保持侧立的状态。Y向电控推杆601适当伸长，推动侧立的芯片主体4于Y方向上靠近水刀切割头3。随后，行车611驱动侧立的芯片主体4和冻结塑形块5X向移动并通过水刀切割头3下方，由水刀切割头3喷射出的高压水流对冻结塑形块5进行切割，同时对芯片主体4的引脚部分进行修剪整形。射流切割机2与水刀切割头3完成引脚整形后，方位调节电机604反向运行，使芯片主体4和冻结塑形块5再度保持竖直朝下的状态。最后，行车611沿X向轨道610继续移动，使芯片主体4到达多孔漏板902上方，即可控制X向取放电控推杆608伸长，使取放抓手609放下芯片主体4。
值得指出的是，在水刀切割头3修剪芯片主体4的引脚部分时，冻结塑形块5与芯片主体4的引脚形成了一个坚硬的金属混合物，并且具有较高的刚性。冻结塑形块5的作用在于：避免芯片主体4的引脚部分单独受到水刀切割头3的修剪整形，避免刚性差的芯片主体4引脚直接受到高压水流的压力并发生大幅形变甚至损坏。
以上，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1. 一种GaN HEMT器件引脚整形装置，其特征在于：包括顶梁（1）、射流切割机（2）、工位运转组件（6）、预包覆组件（7）和高温分离组件（9），所述射流切割机（2）固定设于顶梁（1）下方，所述射流切割机（2）下方固定设有水刀切割头（3），所述工位运转组件（6）设于顶梁（1）下方，所述预包覆组件（7）设于顶梁（1）下方，所述高温分离组件（9）设于顶梁（1）下方，所述预包覆组件（7）包括托举架（702）、裹浆盒（703）、高温容器（704）、输送泵机（705）、软管（706）、三通管（707）、半导体制冷片（710）和出入协助单元（8）。
2. 根据权利要求1所述的一种GaN HEMT器件引脚整形装置，其特征在于：所述托举架（702）位于顶梁（1）下方，所述裹浆盒（703）固定设于托举架（702）上方，所述半导体制冷片（710）固定设于裹浆盒（703）外部，所述三通管（707）固定设于裹浆盒（703）外部并且与裹浆盒（703）连通，所述高温容器（704）固定设于顶梁（1）下方，所述输送泵机（705）固定设于高温容器（704）下方，所述软管（706）固定设于输送泵机（705）和三通管（707）之间，所述高温容器（704）、输送泵机（705）、软管（706）、三通管（707）和裹浆盒（703）内均设有相变黏着填料（7041）。
3. 根据权利要求2所述的一种GaN HEMT器件引脚整形装置，其特征在于：所述出入协助单元（8）设于托举架（702）上，所述出入协助单元（8）包括弹性膜（802）、协助横条（803）、Z向协助电控推杆（804）和连接弯柄（805），所述裹浆盒（703）和托举架（702）上竖直开设有贯通口（801），所述弹性膜（802）固定设于裹浆盒（703）内，所述弹性膜（802）对相变黏着填料（7041）和贯通口（801）具有分隔作用，所述协助横条（803）固定设于弹性膜（802）下方，所述Z向协助电控推杆（804）固定设于托举架（702）下方，所述连接弯柄（805）穿过贯通口（801）并且固定设于协助横条（803）和Z向协助电控推杆（804）之间。
4. 根据权利要求3所述的一种GaN HEMT器件引脚整形装置，其特征在于：所述预包覆组件（7）还包括单向阀（708）和清空泵机（709），所述单向阀（708）固定设于三通管（707）和裹浆盒（703）的连接处，所述清空泵机（709）固定设于三通管（707）一端。
5. 根据权利要求4所述的一种GaN HEMT器件引脚整形装置，其特征在于：所述工位转运组件包括L形支架（602）、方位调节轴（603）、方位调节电机（604）、蜗杆（605）、蜗轮（606）、T形支架（607）、X向取放电控推杆（608）和取放抓手（609），所述L形支架（602）位于顶梁（1）下方，所述L形支架（602）一侧固定设有后连接耳板（6031），所述方位调节轴（603）转动设于后连接耳板（6031）上，所述方位调节电机（604）固定设于L形支架（602）顶端，所述蜗杆（605）固定设于方位调节电机（604）的输出端上，所述蜗轮（606）固定设于方位调节轴（603）上并且与蜗杆（605）啮合连接，所述方位调节轴（603）的端部固定设有前连接耳板（6032），所述T形支架（607）固定设于前连接耳板（6032）上，所述X向取放电控推杆（608）和取放抓手（609）均设有两组，两组所述X向取放抓手（609）对称固定设于T形支架（607）两侧，两组所述取放抓手（609）分别和两组X向取放抓手（609）固定连接，两组所述取放抓手（609）内卡合设有芯片主体（4），所述芯片主体（4）上贴合设有冻结塑形块（5），所述冻结塑形块（5）由相变黏着填料（7041）冷却形成。
6. 根据权利要求5所述的一种GaN HEMT器件引脚整形装置，其特征在于：所述裹浆盒（703）左右两侧均开设有适配于取放抓手（609）的抓手滑槽（7031）。
7. 根据权利要求6所述的一种GaN HEMT器件引脚整形装置，其特征在于：所述预包覆组件（7）还包括Z向分离电控推杆（701），所述Z向分离电控推杆（701）固定设于顶梁（1）和托举架（702）之间。
8. 根据权利要求7所述的一种GaN HEMT器件引脚整形装置，其特征在于：所述高温分离组件（9）包括大悬挂支架（901）、多孔漏板（902）和电加热器（903），所述大悬挂支架（901）固定设于顶梁（1）下方，所述多孔漏板（902）固定设于大悬挂支架（901）底端，所述电加热器（903）固定设于大悬挂支架（901）上。
9. 根据权利要求8所述的一种GaN HEMT器件引脚整形装置，其特征在于：所述工位运转组件（6）还包括Y向电控推杆（601）、X向轨道（610）、行车（611）和小悬挂支架（612），所述X向轨道（610）固定设于顶梁（1）下方，所述行车（611）滑动设于X向轨道（610）上，所述小悬挂支架（612）固定设于行车（611）下方，所述Y向电控推杆（601）固定设于小悬挂支架（612）底端，所述L形支架（602）固定设于Y向电控推杆（601）一端。
10. 根据权利要求9所述的一种GaN HEMT器件引脚整形装置，其特征在于：所述弹性膜（802）选用柔性石墨盘根材质，所述相变黏着填料（7041）选用低熔点合金材质。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311804272.2A CN117816869B (zh) | 2023-12-26 | 2023-12-26 | 一种GaN HEMT器件引脚整形装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202311804272.2A CN117816869B (zh) | 2023-12-26 | 2023-12-26 | 一种GaN HEMT器件引脚整形装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117816869A true CN117816869A (zh) | 2024-04-05 |
| CN117816869B CN117816869B (zh) | 2024-07-02 |
Family
ID=90512795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN202311804272.2A Active CN117816869B (zh) | 2023-12-26 | 2023-12-26 | 一种GaN HEMT器件引脚整形装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117816869B (zh) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1703774A (zh) * | 2002-09-13 | 2005-11-30 | 东和－英特康科技公司 | 基片的喷射分割 |
| JP2017228419A (ja) * | 2016-06-22 | 2017-12-28 | 古河電気工業株式会社 | 端子付き電線の製造方法および製造装置 |
| CN209859923U (zh) * | 2019-06-27 | 2019-12-27 | 遂宁合芯半导体有限公司 | 一种封装芯片引脚处理装置 |
| CN110976708A (zh) * | 2019-12-16 | 2020-04-10 | 宁波荣集锦科技有限公司 | 一种电子元件引脚切割装置 |
| CN210498138U (zh) * | 2019-10-07 | 2020-05-12 | 刘运君 | 一种建筑工程用钢筋水切割装置 |
| CN117000908A (zh) * | 2023-10-07 | 2023-11-07 | 苏州砺宏电子设备有限公司 | 线圈引脚的加工设备 |
| CN220028524U (zh) * | 2023-06-28 | 2023-11-17 | 泰州友润电子科技股份有限公司 | 一种引线框架用引脚裁切设备 |
-
2023
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Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1703774A (zh) * | 2002-09-13 | 2005-11-30 | 东和－英特康科技公司 | 基片的喷射分割 |
| JP2017228419A (ja) * | 2016-06-22 | 2017-12-28 | 古河電気工業株式会社 | 端子付き電線の製造方法および製造装置 |
| CN209859923U (zh) * | 2019-06-27 | 2019-12-27 | 遂宁合芯半导体有限公司 | 一种封装芯片引脚处理装置 |
| CN210498138U (zh) * | 2019-10-07 | 2020-05-12 | 刘运君 | 一种建筑工程用钢筋水切割装置 |
| CN110976708A (zh) * | 2019-12-16 | 2020-04-10 | 宁波荣集锦科技有限公司 | 一种电子元件引脚切割装置 |
| CN220028524U (zh) * | 2023-06-28 | 2023-11-17 | 泰州友润电子科技股份有限公司 | 一种引线框架用引脚裁切设备 |
| CN117000908A (zh) * | 2023-10-07 | 2023-11-07 | 苏州砺宏电子设备有限公司 | 线圈引脚的加工设备 |
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|---|---|
| CN117816869B (zh) | 2024-07-02 |
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