CN117810250A - 增强型垂直hemt器件 - Google Patents
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Abstract
一种增强型垂直HEMT器件，其包括由下至上依次层叠设置的漏极结构、衬底层、缓冲层、沟道层和势垒层；间隔设置在势垒层上的栅极结构和源极结构；形成于缓冲层顶部的电流阻挡层，以及形成于电流阻挡层顶部的插入层，插入层的上表面与沟道层的下表面接触，插入层用于抬升插入层与沟道层的接触面上方的能带，以用于隔断源极结构下方的第一二维电子气与缓冲层与沟道层的接触面上方的第二二维电子气；插入层与沟道层的接触面位于栅极结构的下方。通过插入层抬升其上方的能带，以隔断第一二维电子气与第二二维电子气，使得源极结构处的电子无法通过二维电子气传输至缓冲层，进而无法与漏极结构连通，可以通过插入层可以使器件成为增强型器件。
Description
技术领域
本申请属于半导体技术领域，尤其涉及一种增强型垂直HEMT器件。
背景技术
目前，基于P型GaN电流阻挡层(CBL)的垂直型HEMT器件在进行结构优化后能够获得很好的功率特性，但该类型器件通常为耗尽型器件，存在导通电流较低的问题。
发明内容
本申请的目的在于提供一种增强型垂直HEMT器件，旨在解决传统的垂直型HEMT器件存在的导通电流较低的问题。
本申请实施例的第一方面提了一种增强型垂直HEMT器件，包括：由下至上依次层叠设置的漏极结构、衬底层、缓冲层、沟道层和势垒层；间隔设置在所述势垒层上的栅极结构和源极结构；形成于所述缓冲层顶部的电流阻挡层，所述电流阻挡层的上表面与所述沟道层的下表面接触，所述源极结构位于所述电流阻挡层与所述沟道层的接触面的上方；以及形成于所述电流阻挡层顶部的插入层，所述插入层的上表面与所述沟道层的下表面接触，所述插入层的厚度为所述势垒层的厚度的十倍以上，所述插入层用于抬升所述插入层与所述沟道层的接触面上方的能带，以用于隔断位于所述源极结构下方的第一二维电子气和位于所述缓冲层与所述沟道层的接触面上方的第二二维电子气；所述插入层与所述沟道层的接触面以及所述缓冲层与所述沟道层的接触面均位于所述栅极结构的下方。
其中一实施例中，所述栅极结构包括一个栅极金属层，所述插入层与所述沟道层的接触面位于所述栅极金属层的下方。
其中一实施例中，所述栅极结构包括多个栅极金属层，相邻的两个所述栅极金属层相互接触，相邻的两个所述栅极金属层的材料的功函数不相等，所述插入层与所述沟道层的接触面位于多个所述栅极金属层的下方。
其中一实施例中，所述栅极金属层与所述漏极结构之间的距离越小，所述栅极金属层的材料的功函数越小。
其中一实施例中，所述缓冲层与所述沟道层的接触面均位于所述栅极结构的下方。
其中一实施例中，所述源极结构包括两个源极金属层，两个所述源极金属层均与所述势垒层接触，两个所述源极金属层分别位于所述栅极结构的左右两侧；所述栅极结构包括五个栅极金属层，五个所述栅极金属层沿从左至右的方向依次排列，位于中间的所述栅极金属层的材料的功函数最高，位于两边的两个所述栅极金属层的材料的功函数最低且相等。
其中一实施例中，所述增强型垂直HEMT器件包括两个所述电流阻挡层和两个所述插入层，两个所述电流阻挡层与所述沟道层的接触面分别位于所述缓冲层与所述沟道层的接触面的两侧；两个所述插入层与所述沟道层的接触面分别位于所述缓冲层与所述沟道层的接触面的两侧。
其中一实施例中，所述势垒层的厚度为15nm~30nm，所述沟道层的厚度为15nm~30nm，所述插入层的厚度为300nm~450nm。
其中一实施例中，所述增强型垂直HEMT器件还包括钝化层，所述钝化层覆盖在所述势垒层的上表面。
其中一实施例中，所述电流阻挡层的材料为二氧化硅，所述插入层的材料为Ⅲ族氮化物。
本发明实施例与现有技术相比存在的有益效果是：沟道层和势垒层接触后，会生成二维电子气（2DEG），源极结构的电子可以依次通过二维电子气和缓冲层传输至漏极结构。在未对栅极结构施加正电压的情况下，通过插入层可以抬升插入层上方的能带，以形成高势垒峰隔断源极结构下方的第一二维电子气和缓冲层与沟道层的接触面上方的第二二维电子气，使得源极结构处的电子无法通过沟道层与势垒层形成的二维电子气传输至缓冲层，进而无法与漏极结构连通。同时，当对栅极结构施加正电压时，通过施加在栅极结构的电场可以降低插入层抬升的能带，恢复插入层上方的二维电子气，使第一二维电子气和第二二维电子气重新导通。通过插入层实可以使器件成为增强型器件。
附图说明
图1为本申请一实施例提供的增强型垂直HEMT器件的结构示意图；
图2为本申请一实施例提供的增强型垂直HEMT器件的另一结构示意图。
具体实施方式
为了使本申请所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。
需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
图1示出了本申请一实施例提供的增强型垂直HEMT器件的结构示意图，为了便于说明，仅示出了与本实施例相关的部分，详述如下：
一种增强型垂直HEMT器件，包括：漏极结构100、衬底层200、缓冲层300、沟道层400、势垒层500、栅极结构600、源极结构700、电流阻挡层310和插入层320。
其中，漏极结构100、衬底层200、缓冲层300、沟道层400和势垒层500由下至上依次层叠设置。栅极结构600和源极结构700间隔设置在势垒层500上，即栅极结构600和源极结构700之间间隔一定的距离。电流阻挡层310形成于缓冲层300的顶部，电流阻挡层310的上表面与沟道层400的下表面接触，电流阻挡层310的其他表面则可以与缓冲层300接触，源极结构700位于电流阻挡层310与沟道层400的接触面的上方。插入层320形成于电流阻挡层310顶部，插入层320的上表面与沟道层400的下表面接触，插入层320的厚度为势垒层500的厚度的十倍以上，插入层320用于抬升插入层320与沟道层400的接触面上方的能带，以用于隔断位于源极结构700下方的第一二维电子气和位于缓冲层300与沟道层400的接触面上方的第二二维电子气。插入层320与沟道层400的接触面以及缓冲层300与沟道层400的接触面均位于栅极结构600的下方，可以理解的是，在插入层320隔断位于源极结构700下方的第一二维电子气和位于缓冲层300与沟道层400的接触面上方的第二二维电子气的情况下，源极结构700位于电流阻挡层310与沟道层400的接触面的上方。
需要说明的是，沟道层400和势垒层500接触后，会生成二维电子气，电子可以从源极结构700依次通过二维电子气和缓冲层300传输至漏极结构100。电流阻挡层310可以限制电子的流向，使电子集中到栅极结构600的下方，再通过施加至栅极结构600的电压使电子流向漏极结构100，以便于栅极结构600配合插入层320对器件的导通与关断进行控制。同时，通过嵌入插入层320实现了HEMT器件从耗尽型到增强型的转换。
在未对栅极结构600施加正电压的情况下，通过插入层320抬升其上方的能带，以形成高势垒峰隔断位于源极结构700下方的第一二维电子气与位于缓冲层300和沟道层400的接触面上方的第二二维电子气，使得位于源极结构700的电子无法通过插入层320上方传输至缓冲层300，进而源极结构700无法与漏极结构100连通。同时，当对栅极结构600施加正电压，通过施加在栅极结构600的电场可以降低插入层320抬升的能带，使第一二维电子气和第二二维电子气重新导通，通过插入层320实现了器件由耗尽型到增强型的转换，可以通过控制施加至栅极结构600的电压大小调节导通电流。
需要说明的是，插入层320与沟道层400形成的异质结产生的极化效应与势垒层500和沟道层400形成的异质结产生的极化效应方向相反，当插入层320的厚度远大于势垒层500的厚度，插入层320与沟道层400形成的异质结产生的极化效应将远大于势垒层500和沟道层400形成的异质结产生的极化效应，即将插入层320上方的能带拉高，从而使第一二维电子气和第二二维电子气之间断开。
在一实施例中，势垒层500的厚度为15nm~30nm，沟道层400的厚度为15nm~30nm，插入层320的厚度为300nm~450nm。
具体地，在一些实施例中，势垒层500的厚度为20nm，沟道层400的厚度为20nm，插入层320的厚度为400nm。
在一实施例中，栅极结构600包括一个栅极金属层，插入层320与沟道层400的接触面位于栅极金属层的下方。
通过控制对栅极金属层施加的电压可以实现对增强型垂直HEMT器件的导通与关断的控制。
当对栅极金属层施加正电压时，可以降低插入层320抬升的能带，恢复沟道，使源极结构700下方的第一二维电子气与缓冲层300与沟道层400的接触面上方的第二二维电子气连通，进而使增强型垂直HEMT器件导通。
在一实施例中，如图2所示，栅极结构600包括多个栅极金属层610，相邻的两个栅极金属层610相互接触，相邻的两个栅极金属层610的材料的功函数不相等，插入层320与沟道层400的接触面位于多个栅极金属层610的下方。
需要说明的是，由于当相邻的两个栅极金属层610的材料的功函数不相等时，不同材料接触界面电场会发生突变，有利于提高沟道载流子的移动速度，使电子更快的移动到栅极结构600下方，再快速从缓冲层300中的垂直导电路径通过，提高导通电流。
在一实施例中，栅极金属层610与漏极结构100之间的距离越小，栅极金属层610的材料的功函数越小。
其中，各个栅极金属层610的材料、结构可以根据实际需求进行配置。
在一实施例中，如图2所示，缓冲层300与沟道层400的接触面均位于栅极结构600的下方。
当对栅极结构600施加正电压时，一方面可以使断开的第一二维电子气与第二二维电子气连通，另一方面可以使电子快速的移动到栅极下方，再快速从缓冲层300中的垂直导电路径通过。
在一实施例中，如图2所示，源极结构700包括两个源极金属层710，两个源极金属层710均与势垒层500接触，两个源极金属层710分别位于栅极结构600的两侧。
具体地，在一些实施例中，一个源极金属层710位于栅极结构600的左侧，另一个源极金属层710位于栅极结构600的右侧。两个源极金属层710与栅极结构600之间的间距相等。
在一实施例中，如图2所示，栅极结构600包括五个栅极金属层610，五个栅极金属层610沿从左至右的方向依次排列。其中，位于最中间的栅极金属层610的材料的功函数最大，位于两边的栅极金属层610的材料的功函数最低且相等。对称设置的栅极结构600可以使电子从两个源极结构700到栅极结构600的速度保持一致。
栅极金属层610的具体数量和尺寸可以根据实际需求进行配置。
在一实施例中，如图2所示，增强型垂直HEMT器件包括两个电流阻挡层310，两个电流阻挡层310与沟道层400的接触面分别位于缓冲层300与沟道层400的接触面的两侧。
可以理解的是，两个源极金属层710分别位于两个电流阻挡层310的上方。电流阻挡层310可以限制电子的传输路径，位于源极金属层710的电子无法通过电流阻挡层310传输至缓冲层300，需要横向传输至缓冲层300与沟道层400的接触面，才能将电子通过缓冲层300传输至漏极结构100。
在一实施例中，如图2所示，增强型垂直HEMT器件包括两个插入层320，两个插入层320与沟道层400的接触面分别位于缓冲层300与沟道层400的接触面的两侧。
通过栅极结构600和插入层320控制第一二维电子气与第二二维电子气之间的连接，即可控制增强型垂直HEMT器件的导通与关断。
在一实施例中，如图2所示，增强型垂直HEMT器件还包括钝化层800，钝化层800覆盖在势垒层500的上表面。
其中，钝化层800的材料为氮化硅。钝化层800用于实现电力隔离，并保护势垒层500。
在一实施例中，电流阻挡层310的材料为二氧化硅（SiO2），插入层320的材料为Ⅲ族氮化物。
具体地，在一些实施例中，插入层320的材料为氮化铝（AlN）。
需要说明的是，传统的电流阻挡层的材料通常为P型重掺杂材料，在传统工艺中，P型重掺杂材料需要用Mg离子注入得到，还需要快速退火(Rapid Thermal Annealing；RTA)等手段激活Mg 离子，增加了工艺的复杂度，同时高能离子注入也会引入大量晶格损伤和缺陷，降低了二次外延沟道层和势垒层的生长质量，直接影响二维电子气浓度和电子迁移率，影响器件的电学特性。当器件关断且漏极结构100被施加过高电压时，采用P型重掺杂材料的电流阻挡层会产生一定的漏电流。使用二氧化硅构造电流阻挡层310，不会在漏极结构100被施加过高电压时产生漏电，提高了器件的开关比(IO N/I OFF Ratio)， 降低电路的功耗，同时可以避免P型重掺杂材料所需的高能离子注入工序，缓解了P型重掺杂材料对缓冲层300（尤其对两个电流阻挡层310中间的缓冲层300的电流孔径）造成的导通电阻明显增大的问题。
在一些实施例中，衬底层200和缓冲层300的材料为N型氮化镓（N-GaN），缓冲层300的离子浓度小于衬底层200的离子浓度，沟道层400的材料均为氮化镓（GaN）、势垒层500的材料为氮化铝镓（AlGaN）。
需要说明的是，沟道层400与插入层320接触并形成异质结，由AlN与GaN形成的异质结会在插入层320的上表面产生高浓度的负极化电荷，其表现为在沟道层400下表面出现高浓度的二维电子气，同时，GaN/AIN异质结产生的极化效应比AlGaN/GaN异质结产生的极化效应大且方向相反，足够将插入层320上方的沟道层400内的二维电子气耗尽（即提高插入层320上方的能带），在未对栅极结构600施加正电压的情况下，使器件关断。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为了描述的方便和简洁，仅以上述各功能单元、模块的划分进行举例说明，实际应用中，可以根据需要而将上述功能分配由不同的功能单元、模块完成，即将所述装置的内部结构划分成不同的功能单元或模块，以完成以上描述的全部或者部分功能。实施例中的各功能单元、模块可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中，上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。另外，各功能单元、模块的具体名称也只是为了便于相互区分，并不用于限制本申请的保护范围。上述系统中单元、模块的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述或记载的部分，可以参见其它实施例的相关描述。
在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露的装置/终端设备和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置/终端设备实施例仅仅是示意性的，例如，所述模块或单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通讯连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通讯连接，可以是电性，机械或其它的形式。
以上所述实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种增强型垂直HEMT器件，其特征在于，包括：
由下至上依次层叠设置的漏极结构、衬底层、缓冲层、沟道层和势垒层；
间隔设置在所述势垒层上的栅极结构和源极结构；
形成于所述缓冲层顶部的电流阻挡层，所述电流阻挡层的上表面与所述沟道层的下表面接触，所述源极结构位于所述电流阻挡层与所述沟道层的接触面的上方；以及
形成于所述电流阻挡层顶部的插入层，所述插入层的上表面与所述沟道层的下表面接触，所述插入层的厚度为所述势垒层的厚度的十倍以上，所述插入层用于抬升所述插入层与所述沟道层的接触面上方的能带，以用于隔断位于所述源极结构下方的第一二维电子气和位于所述缓冲层与所述沟道层的接触面上方的第二二维电子气；
所述插入层与所述沟道层的接触面以及所述缓冲层与所述沟道层的接触面均位于所述栅极结构的下方。
2.如权利要求1所述的增强型垂直HEMT器件，其特征在于，所述栅极结构包括一个栅极金属层，所述插入层与所述沟道层的接触面位于所述栅极金属层的下方。
3.如权利要求1所述的增强型垂直HEMT器件，其特征在于，所述栅极结构包括多个栅极金属层，相邻的两个所述栅极金属层相互接触，相邻的两个所述栅极金属层的材料的功函数不相等，所述插入层与所述沟道层的接触面位于多个所述栅极金属层的下方。
4.如权利要求3所述的增强型垂直HEMT器件，其特征在于，所述栅极金属层与所述漏极结构之间的距离越小，所述栅极金属层的材料的功函数越小。
5.如权利要求1至4任一项所述的增强型垂直HEMT器件，其特征在于，所述缓冲层与所述沟道层的接触面均位于所述栅极结构的下方。
6.如权利要求5所述的增强型垂直HEMT器件，其特征在于，所述源极结构包括两个源极金属层，两个所述源极金属层均与所述势垒层接触，两个所述源极金属层分别位于所述栅极结构的左右两侧；
所述栅极结构包括五个栅极金属层，五个所述栅极金属层沿从左至右的方向依次排列，位于中间的所述栅极金属层的材料的功函数最高，位于两边的两个所述栅极金属层的材料的功函数最低且相等。
7.如权利要求6所述的增强型垂直HEMT器件，其特征在于，所述增强型垂直HEMT器件包括两个所述电流阻挡层和两个所述插入层，两个所述电流阻挡层与所述沟道层的接触面分别位于所述缓冲层与所述沟道层的接触面的两侧；两个所述插入层与所述沟道层的接触面分别位于所述缓冲层与所述沟道层的接触面的两侧。
8.如权利要求1至4任一项所述的增强型垂直HEMT器件，其特征在于，所述势垒层的厚度为15nm~30nm，所述沟道层的厚度为15nm~30nm，所述插入层的厚度为300nm~450nm。
9.如权利要求1至4任一项所述的增强型垂直HEMT器件，其特征在于，所述增强型垂直HEMT器件还包括钝化层，所述钝化层覆盖在所述势垒层的上表面。
10.如权利要求1至4任一项所述的增强型垂直HEMT器件，其特征在于，所述电流阻挡层的材料为二氧化硅，所述插入层的材料为Ⅲ族氮化物。
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|---|---|---|---|---|
| US20060219997A1 (en) * | 2005-03-31 | 2006-10-05 | Eudyna Devices Inc. | Semiconductor device and fabrication method of the same |
| JP2008177515A (ja) * | 2006-12-21 | 2008-07-31 | Toyota Central R&D Labs Inc | 半導体装置とその製造方法 |
| CN110875372A (zh) * | 2018-09-03 | 2020-03-10 | 苏州捷芯威半导体有限公司 | 场效应晶体管及制作方法 |
| CN111463260A (zh) * | 2020-03-10 | 2020-07-28 | 芜湖启迪半导体有限公司 | 垂直型高电子迁移率场效应晶体管及其制备方法 |
| CN113972268A (zh) * | 2020-07-23 | 2022-01-25 | 芜湖启迪半导体有限公司 | 隧穿增强型垂直结构的hemt器件 |
| WO2023236523A1 (zh) * | 2022-06-08 | 2023-12-14 | 东南大学 | 一种增强型N沟道和P沟道GaN器件集成结构 |
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060219997A1 (en) * | 2005-03-31 | 2006-10-05 | Eudyna Devices Inc. | Semiconductor device and fabrication method of the same |
| JP2008177515A (ja) * | 2006-12-21 | 2008-07-31 | Toyota Central R&D Labs Inc | 半導体装置とその製造方法 |
| CN110875372A (zh) * | 2018-09-03 | 2020-03-10 | 苏州捷芯威半导体有限公司 | 场效应晶体管及制作方法 |
| CN111463260A (zh) * | 2020-03-10 | 2020-07-28 | 芜湖启迪半导体有限公司 | 垂直型高电子迁移率场效应晶体管及其制备方法 |
| CN113972268A (zh) * | 2020-07-23 | 2022-01-25 | 芜湖启迪半导体有限公司 | 隧穿增强型垂直结构的hemt器件 |
| WO2023236523A1 (zh) * | 2022-06-08 | 2023-12-14 | 东南大学 | 一种增强型N沟道和P沟道GaN器件集成结构 |
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