CN117795668A - 半导体装置 - Google Patents

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Abstract

半导体装置具备半导体元件、与上述半导体元件导通的导电部件、以及覆盖上述半导体元件的封固树脂。上述导电部件具备：具有搭载有上述半导体元件的搭载部和与上述搭载部连接的第一端子的第一引线；以及具有第二端子的第二引线。上述第一端子以及上述第二端子分别包括在x方向上从上述封固树脂突出的部分。上述封固树脂具备在z方向上彼此朝向相反侧的树脂主面以及树脂背面。另外，上述封固树脂具备树脂端面，该树脂端面与上述树脂主面以及上述树脂背面连接，而且朝向上述第一端子以及上述第二端子突出的方向。在上述树脂端面中，上述第一端子以及上述第二端子在y方向以及z方向上相互隔开间隔。

Description

半导体装置
技术领域
本公开涉及半导体装置。
背景技术
具备半导体元件的半导体装置提出过各种结构。在专利文献1中公开了现有的半导体装置的一例。该文献所公开的半导体装置具备半导体元件、多个引线、以及封固树脂。半导体元件搭载于第一引线，背面的集电极电极与第一引线导通。另外，半导体元件的主面的发射极电极与第三引线导通。封固树脂覆盖多个引线的各一部分和半导体元件。第一引线具备从封固树脂突出从第一端子，第三引线具备从封固树脂突出的第三端子。若在该半导体装置的第一端子与第三端子之间施加高电压(例如数千V)，则在第一端子与第三端子之间的封固树脂的表面上引起放电，有第一端子与第三端子短路的情况。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2018－14490号公报
发明内容
发明所要解决的课题
本公开是以上述的事情为基础研究出的方案，其课题之一是提供一种能够实现高耐电压化的半导体装置。
用于解决课题的方案
由本公开提供的半导体装置具备：半导体元件；导电部件，其与上述半导体元件导通；以及封固树脂，其覆盖上述半导体元件，上述导电部件具备：第一引线，其具有搭载有上述半导体元件的搭载部、和与上述搭载部连接的第一端子；以及第二引线，其具有第二端子，上述第一端子以及上述第二端子分别包括在与上述搭载部的厚度方向正交的第一方向上从上述封固树脂突出的部分，上述封固树脂具备：树脂主面以及树脂背面，其在上述厚度方向上彼此朝向相反侧；以及树脂端面，其与上述树脂主面以及上述树脂背面连接，并且朝向上述第一端子以及上述第二端子突出的方向，上述第一端子以及上述第二端子在上述树脂端面中在与上述厚度方向以及上述第一方向正交的第二方向上彼此隔开间隔，并且在上述厚度方向上彼此隔开间隔。
发明的效果
本公开的半导体装置能够实现高耐电压化。
本公开的其它特征以及优点通过参照附图在以下进行的详细的说明将更加清楚。
附图说明
图1是表示本公开的第一实施方式的半导体装置的立体图。
图2是图1所示的半导体装置的立体图，是透过了封固树脂的图。
图3是图1所示的半导体装置的俯视图，是透过了封固树脂的图。
图4是图1所示的半导体装置的仰视图。
图5是图1所示的半导体装置的主视图。
图6是沿图3的VI－VI线的剖视图。
图7是沿图3的VII－VII线的剖视图。
图8是表示第一实施方式的第一变形例的半导体装置的仰视图。
图9是图8所示的半导体装置的剖视图。
图10是表示第一实施方式的第二变形例的半导体装置的剖视图。
图11是表示第一实施方式的第三变形例的半导体装置的剖视图。
图12是表示第一实施方式的第四变形例的半导体装置的仰视图。
图13是表示图12所示的半导体装置的剖视图。
图14是表示第一实施方式的第五变形例的半导体装置的剖视图。
图15是表示第一实施方式的第六变形例的半导体装置的剖视图。
图16是表示第一实施方式的第七变形例的半导体装置的剖视图。
图17是表示第一实施方式的第八变形例的半导体装置的俯视图，是透过了封固树脂的图。
图18是表示本公开的第二实施方式的半导体装置的剖视图。
图19是表示图18所示的半导体装置的主视图。
图20是表示第二实施方式的第一变形例的半导体装置的剖视图。
图21是表示本公开的第三实施方式的半导体装置的剖视图。
图22是表示本公开的第四实施方式的半导体装置的俯视图。
图23是表示图22所示的半导体装置的主视图。
图24是沿图22的xXIV－XXIV线的剖视图。
图25是表示本公开的第五实施方式的半导体装置的俯视图。
图26是表示图25所示的半导体装置的主视图。
图27是表示第五实施方式的第一变形例的半导体装置的主视图。
图28是表示本公开的第六实施方式的半导体装置的俯视图。
图29是表示图28所示的半导体装置的主视图。
图30是表示第六实施方式的第一变形例的半导体装置的主视图。
图31是表示本公开的第七实施方式的半导体装置的俯视图。
图32是图31所示的半导体装置的主视图。
具体实施方式
以下，参照附图对本公开的优选的实施方式进行具体说明。
在本公开中，“某物A形成于某物B”以及“某物A形成于某物B上”，只要没有特别说明，则包含“某物A直接形成于某物B”、以及“在某物A与某物B之间夹设有其它物并且某物A形成于某物B”。同样，“某物A配置于某物B”以及“某物A配置于某物B上”，只要没有特别说明，则包含“某物A直接配置于某物B”、以及“在某物A与某物B之间夹设有其它物并且某物A配置于某物B”。同样，“某物A位于某物B上”，只要没有特别说明，则包含“某物A与某物B相接，某物A位于某物B上”，以及“在某物A与某物B之间夹设有其它物并且某物A位于某物B上”。另外，“某物A与某物B在某方向上观察时重叠”，只要没有特别说明，则包含“某物A与某物B全部重叠”、以及“某物A与某物B的一部分重叠”。
第一实施方式：
基于图1～图7，对本公开的第一实施方式的半导体装置A10进行说明。半导体装置A10具备导电部件5、半导体元件6、导线71、72、以及封固树脂8。
图1是表示半导体装置A10的立体图。图2是半导体装置A10的立体图。在图2中，为了便于理解，透过了封固树脂8。图3是半导体装置A10的俯视图。在图3中，为了便于理解，透过封固树脂8而用想象线(双点划线)示出封固树脂8的外形。图4是半导体装置A10的仰视图。图5是半导体装置A10的主视图。图6是沿图3的VI－VI线的剖视图。图7是沿图3的VII－VII线的剖视图。
这些图所示的半导体装置A10是安装于各种设备的电路基板上的装置。此外，半导体装置A10的用途、功能没有限定。半导体装置A10的封装形式是SIP(Single InlinePackage，单列直插式封装)。此外，半导体装置A10的封装形式并不限定于SIP。半导体装置A10的被封固树脂8覆盖的部分的厚度方向观察时的形状是矩形形状。为了便于说明，将半导体装置A10的厚度方向(俯视方向)设为z方向，将与z方向正交的半导体装置A10的端子(第一引线1、第二引线2、以及第三引线3)延伸的方向(图3以及图4中的上下方向)设为x方向，将与z方向以及x方向正交的方向(图3以及图4中的左右方向)设为y方向。x方向是“第一方向”的一例，y方向是“第二方向”的一例。半导体装置A10的各尺寸没有限定。
导电部件5与半导体元件6导通，当半导体装置A10安装在电路基板上时，构成半导体元件6与电路配线的导通路径。导电部件5例如通过对金属板实施冲裁加工、折弯加工等而形成。导电部件5由金属构成，优选由Cu以及Ni的任一个、或者它们的合金、42合金等构成。在本实施方式中，以导电部件5为由Cu构成的情况为例进行说明。导电部件5的厚度没有特别限定。导电部件5具备第一引线1、第二引线2、以及第三引线3。
第一引线1支撑半导体元件6，并且与半导体元件6导通。第一引线1具备搭载部110以及第一端子120。
搭载部110是搭载半导体元件6的部分，在z方向观察时呈矩形形状(或者大致矩形形状)。搭载部110具备搭载部主面111、搭载部背面112、搭载部端面114、以及搭载部贯通孔113。搭载部主面111以及搭载部背面112在z方向上彼此朝向相反侧。搭载部主面111朝向z方向z2侧。搭载部主面111接合有半导体元件6。搭载部背面112朝向z方向z1侧。搭载部背面112从封固树脂8露出，成为背面端子。搭载部端面114与搭载部主面111以及搭载部背面112连接，是朝向x方向x1侧的面。搭载部贯通孔113是从搭载部主面111与z方向平行地贯通至搭载部背面112的孔。搭载部贯通孔113配置在搭载部110的y方向中央、而且偏靠x方向x2侧(在图3以及图4中偏靠上侧)，在z方向观察时呈圆形状。此外，搭载部贯通孔113的位置以及形状没有限定。
第一端子120与搭载部110连接，经由搭载部110而与半导体元件6导通。如图3所示，第一端子120的宽度尺寸(y方向的尺寸)比搭载部110的宽度尺寸(y方向的尺寸)小。另外，如图6所示，第一端子120的厚度尺寸(z方向的尺寸)比搭载部110的厚度尺寸(z方向的尺寸)小。若反过来说，则搭载部110的厚度尺寸比第一端子120的厚度尺寸大。在本实施方式中，第一端子120如图3所示那样连接于搭载部端面114的y方向中央、而且如图6所示那样连接于搭载部端面114的z方向z2侧的端部。此外，第一端子120的位置没有限定。第一端子120在x方向上延伸，包括从封固树脂8突出的部分。第一端子120从与搭载部110连接的位置至从封固树脂8稍微露出的部分为止，宽度尺寸比前端侧的部分大。此外，第一引线1的形状并不限定于上述的形状。例如，为了防止第一引线1从封固树脂8向z方向z1侧脱落，搭载部110也可以在搭载部背面112的周围形成从搭载部背面112向搭载部主面111侧凹陷且被封固树脂8覆盖的背面侧凹部。
第二引线2与半导体元件6导通。第二引线2从第一引线1隔开间隔地配置。如图3所示，第二引线2在第一引线1的搭载部110的x方向x1侧配置在第一端子120的y方向y1侧。另外，如图5以及图6所示，第二引线2相对于第一引线1配置在z方向z2侧。第二引线2具备第二焊盘部210以及第二端子220。
第二焊盘部210是供导线71键合的部分，在z方向观察时呈在y方向上较长的矩形形状(或者大致矩形形状)。如图7所示，第二焊盘部210具有第二焊盘部主面211以及第二焊盘部背面212。第二焊盘部主面211以及第二焊盘部背面212在z方向上彼此朝向相反侧。第二焊盘部主面211朝向z方向z2侧。第二焊盘部主面211供导线71接合。第二焊盘部背面212朝向z方向z1侧。第二焊盘部210遍及整体地被封固树脂8覆盖。
第二端子220与第二焊盘部210连接，经由第二焊盘部210以及导线71而与半导体元件6导通。如图3所示，第二端子220的宽度尺寸(y方向的尺寸)比第二焊盘部210的宽度尺寸(y方向的尺寸)小。另外，如图7所示，第二端子220的厚度尺寸(z方向的尺寸)与第二焊盘部210的厚度尺寸(z方向的尺寸)相同，并与第一端子120的厚度尺寸相同。如图3所示，第二端子220在第二焊盘部210的x方向x1侧配置在偏靠y方向y1侧。此外，第二端子220的位置没有限定。但是，第一端子120与第二端子220优选在y方向上分离。第二端子220在x方向上延伸，包括从封固树脂8突出的部分。第二端子220从与第二焊盘部210连接的位置至从封固树脂8稍微露出的部分为止，宽度尺寸比前端侧的部分大。此外，第二引线2的形状并不限定于上述的形状。
第三引线3与半导体元件6导通。第三引线3从第一引线1以及第二引线2隔开间隔地配置。如图3所示，第三引线3在第一引线1的搭载部110的x方向x1侧配置在第一端子120的y方向y2侧。另外，如图5所示，第三引线3相对于第一引线1配置在z方向z2侧。在本实施方式中，第二引线2以及第三引线3在z方向上的位置相同。第三引线3具备第三焊盘部310以及第三端子320。
第三焊盘部310是供导线72键合的部分，在z方向观察时呈在y方向上较长的矩形形状(或者大致矩形形状)。第三焊盘部310具有第三焊盘部主面311以及第三焊盘部背面312。第三焊盘部主面311以及第三焊盘部背面312在z方向上彼此朝向相反侧。第三焊盘部主面311朝向z方向z2侧。第三焊盘部主面311供导线72接合。第三焊盘部背面312朝向z方向z1侧。第三焊盘部310遍及整体地被封固树脂8覆盖。
第三端子320与第三焊盘部310连接，经由第三焊盘部310以及导线72而与半导体元件6导通。如图3所示，第三端子320的宽度尺寸(y方向的尺寸)比第三焊盘部310的宽度尺寸(y方向的尺寸)小。另外，第三端子320的厚度尺寸(z方向的尺寸)与第三焊盘部310的厚度尺寸(z方向的尺寸)相同，并与第一端子120的厚度尺寸相同。如图3所示，第三端子320在第三焊盘部310的x方向x1侧配置在偏靠y方向y2侧。此外，第三端子320的位置没有限定。但是，第一端子120与第三端子320优选在y方向上分离。第三端子320在x方向上延伸，包括从封固树脂8突出的部分。第三端子320从与第三焊盘部310连接的位置至从封固树脂8稍微露出的部分为止，宽度尺寸比前端侧的部分大。此外，第三引线3的形状并不限定于上述的形状。
第一端子120、第二端子220、以及第三端子320的从封固树脂8露出的部分成为同样的形状。第一端子120的前端(与连接于搭载部110的部分相反的一侧的端部)、第二端子220的前端(与连接于第二焊盘部210的部分相反的一侧的端部)、以及第三端子320的前端(与连接于第三焊盘部310的部分相反的一侧的端部)在x方向上处于同样的位置。
在第一引线1、第二引线2、以及第三引线3的从封固树脂8露出的部分，例如也可以形成有外层镀敷层，该外层镀敷层由以Sn为主成分的合金构成。另外，在第一引线1的搭载部主面111中供半导体元件6接合的区域、第二引线2的第二焊盘部主面211中供导线71接合的区域、以及第三引线3的第三焊盘部主面311中供导线72接合的区域，例如也可以形成有由Ag构成的内层镀敷层。
半导体元件6是半导体装置A10的发挥电气功能的要素。半导体元件6的种类没有特别限定。在本实施方式中，半导体元件6是MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)等晶体管。半导体元件6具备元件主体60、第一电极63、第二电极64、以及第三电极65。
元件主体60是z方向观察时呈矩形形状的板状。元件主体60由半导体材料构成，在本实施方式中，由Si(硅)构成。此外，元件主体60的材料没有限定，例如也可以是SiC(碳化硅)、GaN(氮化镓)等其它材料。元件主体60具有元件主面61以及元件背面62。元件主面61以及元件背面62在z方向上彼此朝向相反侧。元件主面61朝向z方向z2侧。元件背面62朝向z方向z1侧。第二电极64以及第三电极65配置在元件主面61。第一电极63配置在元件背面62。在本实施方式中，第一电极63是漏极电极，第二电极64是源极电极，第三电极65是栅极电极。
如图3所示，半导体元件6搭载于搭载部主面111的y方向中央、且偏靠x方向x1侧。在z方向观察时，半导体元件6配置在不与搭载部贯通孔113接触的位置。如图6以及图7所示，半导体元件6使元件背面62朝向搭载部主面111，并经由接合材料69接合于搭载部主面111。在本实施方式中，接合材料69是导电性的接合材料，例如是焊锡。此外，接合材料69也可以是银糊料以及烧结银接合材料等其它导电性接合材料。由此，半导体元件6的第一电极63通过接合材料69接合于搭载部主面111，与第一引线1电连接。
导线71与半导体元件6的第二电极64和第二引线2的第二焊盘部主面211接合。由此，半导体元件6的第二电极64与第二引线2电连接。导线72与半导体元件6的第三电极65和第三引线3的第三焊盘部主面311接合。由此，半导体元件6的第三电极65与第三引线3电连接。此外，导线71、72的材料或粗细、数量没有限定。另外，半导体元件6与第二引线2以及第三引线3也可以由导线72、73以外的具有导电性的连接部件(例如金属板以及金属带等)连接。与第一电极63导通的第一引线1的第一端子120作为半导体装置A10的漏极端子发挥功能，与第二电极64导通的第二引线2的第二端子220作为半导体装置A10的源极端子发挥功能，与第三电极65导通的第三引线3的第三端子320作为半导体装置A10的栅极端子发挥功能。从外部向第一端子120(漏极端子)与第二端子220(源极端子)之间施加高电压。另外，第一端子120(漏极端子)与第三端子320(栅极端子)之间的电位差也与施加的高电压相应地而变大。
封固树脂8覆盖第一引线1、第二引线2及第三引线3的各一部分、以及半导体元件6及导线71、72的整体。封固树脂8例如由黑色的环氧树脂构成。此外，封固树脂8的材料没有限定。封固树脂8例如通过使用了模具的传递成形而形成。
封固树脂8具备树脂主面81、树脂背面82、树脂端面83、树脂第一侧面84、树脂第二侧面85、以及树脂第三侧面86。树脂主面81和树脂背面82在z方向上彼此朝向相反侧。树脂主面81朝向z方向z2侧，树脂背面82朝向z方向z1侧。如图4、图6、以及图7所示，第一引线1的搭载部背面112遍及整体地从树脂背面82露出，树脂背面82与搭载部背面112彼此成为表面一致。
树脂端面83以及树脂第一侧面84是分别与树脂主面81以及树脂背面82连接的面。树脂端面83以及树脂第一侧面84在x方向上彼此朝向相反侧。树脂端面83是配置在x方向x1侧并朝向x方向x1侧的面。树脂第一侧面84是配置在x方向x2侧并朝向x方向x2侧的面。树脂第二侧面85以及树脂第三侧面86是分别与树脂主面81、树脂背面82、树脂端面83、以及树脂第一侧面84连接的面。树脂第二侧面85以及树脂第三侧面86在y方向上彼此朝向相反侧。树脂第二侧面85是配置在y方向y1侧并朝向y方向y1侧的面。树脂第三侧面86是配置在y方向y2侧并朝向y方向y2侧的面。
树脂端面83、树脂第一侧面84、树脂第二侧面85、以及树脂第三侧面86分别具备与树脂主面81连接且以越朝向树脂主面81则越相互接近的方式倾斜的面。也就是，封固树脂8中的这些与树脂主面81连接且被倾斜的面包围的部分是在xy平面的剖面面积越朝向树脂主面81则越小的锥形形状。另外，树脂端面83、树脂第一侧面84、树脂第二侧面85、以及树脂第三侧面86分别具备与树脂背面82连接且以越朝向树脂背面82则越相互接近的方式倾斜的面。也就是，封固树脂8中的这些与树脂主面81连接且被倾斜的面包围的部分是在xy平面的剖面面积越朝向树脂背面82则越小的锥形形状。此外，树脂端面83、树脂第一侧面84、树脂第二侧面85、以及树脂第三侧面86的形状没有限定。
树脂端面83是朝向第一端子120、第二端子220、以及第三端子320突出的方向的面。也就是，第一端子120、第二端子220、以及第三端子320从树脂端面83突出。如图5所示，第二端子220、第一端子120、以及第三端子320在树脂端面83在y方向上彼此隔开间隔，并以该顺序从y方向y1侧向y2侧排列。也就是，第三端子320在树脂端面83中相对于第一端子120位于y方向上的与第二端子220相反的一侧。另外，第一端子120与第二端子220以及第三端子320在树脂端面83中在z方向上彼此隔开间隔。第二端子220以及第三端子320在树脂端面83中位于z方向上的相同位置。第一端子120在树脂端面83中相对于第二端子220以及第三端子320位于z方向上的树脂背面82侧(z方向z2侧)。
如图5所示，与第一端子120和第二端子220配置于z方向上的相同位置的情况比较，树脂端面83中的第一端子120与第二端子220的最短距离(沿面距离)D大。将树脂端面83中的第一端子120与第二端子220在y方向上的分离距离设为Dy，将在z方向上的分离距离设为Dz。在第一端子120与第二端子220配置于z方向上的相同位置的情况下，树脂端面83中的第一端子120与第二端子220的沿面距离成为分离距离Dy。另一方面，沿面距离D成为同样，与第一端子120和第三端子320配置于z方向上的相同位置的情况比较，树脂端面83中的第一端子120与第三端子320的沿面距离也大。
导电部件5仅从树脂背面82以及树脂端面83露出，不从树脂主面81、树脂第一侧面84、树脂第二侧面85、以及树脂第三侧面86露出。
另外，在本实施方式中，封固树脂8具备树脂贯通孔88。树脂贯通孔88是从树脂主面81与z方向平行地贯通至树脂背面82的贯通孔。树脂贯通孔88配置在封固树脂8的y方向中央、而且偏靠x方向x2侧(在图3中偏靠上侧)，在z方向观察时呈圆形状。在本实施方式中，树脂贯通孔88的中心与搭载部贯通孔113的中心相同。另外，树脂贯通孔88的直径比搭载部贯通孔113的直径小。因此，如图3、图4、以及图6所示，树脂贯通孔88位于搭载部贯通孔113的内侧，树脂贯通孔88的孔壁全部由封固树脂8形成。也就是，搭载部110不会从树脂贯通孔88的孔壁露出。树脂贯通孔88例如用于通过使螺钉等连结部件插通来将散热部件安装于半导体装置A10。搭载部背面112通过经由电绝缘片等而与散热部件连接，从而从半导体元件6产生的热经由搭载部110以及散热部件放出。
接着，对半导体装置A10的作用效果进行说明。
根据本实施方式，第一引线1具备从树脂端面83突出的第一端子120。另外，第二引线2具备从树脂端面83突出从第二端子220。第一端子120与第二端子220在树脂端面83中在y方向上彼此隔开间隔，而且在z方向上彼此隔开间隔。因此，与第一端子120和第二端子220配置于z方向上的相同位置的情况比较，树脂端面83中的第一端子120与第二端子220的沿面距离D大。由此，即使在对第一端子120与第二端子220之间施加了高电压的情况下，半导体装置A10也能够抑制在树脂端面83的放电。另外，第三引线3具备从树脂端面83突出的第三端子320。第一端子120与第三端子320在树脂端面83中在y方向上彼此隔开间隔，而且在z方向上彼此隔开间隔。因此，与第一端子120和第三端子320配置于z方向上的相同位置的情况比较，树脂端面83中的第一端子120与第三端子320的沿面距离大。由此，即使在第一端子120与第三端子320之间的电位差变大的情况下，半导体装置A10也能够抑制在树脂端面83的放电。如上所述，半导体装置A10能够实现高耐电压化。
另外，根据本实施方式，第二焊盘部背面212从树脂背面82露出。因此，半导体装置A10将散热部件连接于第二焊盘部背面212，能够将半导体元件6放出的热放出。另外，封固树脂8具备与z方向平行地贯通的树脂贯通孔88。因此，半导体装置A10通过使螺钉连结部件插通于树脂贯通孔88，从而容易安装散热部件。另外，树脂贯通孔88的中心与搭载部贯通孔113的中心相同，树脂贯通孔88的直径比搭载部贯通孔113的直径小。因此，树脂贯通孔88位于搭载部贯通孔113的内侧，树脂贯通孔88的孔壁全部由封固树脂8形成。也就是，搭载部110不从树脂贯通孔88的孔壁露出。由此，搭载部110与连结部件绝缘。另外，根据本实施方式，搭载部110的厚度尺寸比第一端子120、第二引线2、以及第三引线3的厚度尺寸大。因此，半导体装置A10能够使半导体元件6放出的热高效地被搭载部110吸收。
此外，在本实施方式中，对搭载部110具备搭载部贯通孔113、且封固树脂8具备树脂贯通孔88的情况进行了说明，但并不限于此。搭载部110也可以不具备搭载部贯通孔113，封固树脂8也可以不具备树脂贯通孔88。对于后述的其它实施方式以及变形例也同样。
图8～图16表示第一实施方式的第一引线1的变形例。此外，在这些图中，对于与上述实施方式相同或类似的要素，标注与上述实施方式相同的符号，并省略重复的说明。
第一变形例：
图8以及图9是用于说明第一实施方式的第一变形例的半导体装置A11的图。图8是半导体装置A11的仰视图，是与图4对应的图。图9是半导体装置A11的剖视图，是与图6对应的图。半导体装置A11中，搭载部背面112不从树脂背面82露出，而是被封固树脂8覆盖。
第二变形例：
图10是表示第一实施方式的第二变形例的半导体装置A12的剖视图，是与图6对应的图。半导体装置A12中，第一端子120的形状与半导体装置A10不同。在半导体装置A12中，第一端子120具备第一直行部123以及第一连结部124。第一直行部123是沿x方向笔直延伸的部分，包括被封固树脂8覆盖的部分和从封固树脂8突出的部分。第一连结部124是连结第一直行部123和搭载部110的部分，与第一直行部123以及搭载部110连接。第一连结部124整体被封固树脂8覆盖，相对于搭载部110以及第一直行部123倾斜。第一直行部123朝向与搭载部主面111相同的一侧的面(朝向z方向z2侧的面)相对于搭载部主面111位于z方向z1侧。因此，第一连结部124成为x方向x1侧更位于z方向z1侧的倾斜。根据本变形例，与半导体装置A10比较，在树脂端面83中，第一端子120突出的位置处于z方向z1侧。因此，半导体装置A12能够使树脂端面83中的第一端子120与第二端子220的沿面距离D、以及第一端子120与第三端子320的沿面距离比半导体装置A10的情况大。
第三变形例：
图11是表示第一实施方式的第三变形例的半导体装置A13的剖视图，是与图6对应的图。半导体装置A13与半导体装置A10的不同在于，第一端子120连接于搭载部110的位置。在半导体装置A13中，第一端子120连接于搭载部端面114的y方向中央、而且如图11所示那样连接于搭载部端面114的z方向的中央的位置。根据本变形例，与半导体装置A10比较，在树脂端面83中，第一端子120突出的位置处于z方向z1侧。因此，半导体装置A13能够使树脂端面83中的第一端子120与第二端子220的沿面距离D、以及第一端子120与第三端子320的沿面距离比半导体装置A10的情况大。
第四变形例：
图12以及图13是用于说明第一实施方式的第四变形例的半导体装置A14的图。图12是半导体装置A14的仰视图，是与图4对应的图。图13是半导体装置A14的剖视图，是与图6对应的图。半导体装置A14与半导体装置A10的不同在于，第一端子120连接于搭载部110的位置。在半导体装置A14中，第一端子120如图12所示那样连接于搭载部端面114的y方向中央、而且如图13所示那样连接于搭载部端面114的z方向z1侧的端部。在本变形例中，第一端子120的朝向与搭载部背面112相同的一侧的面(朝向z方向z1侧的面)即第一端子背面125与搭载部背面112成为表面一致，且从树脂背面82露出。另外，在本变形例中，如图12所示，搭载部110在搭载部背面112的周围形成有从搭载部背面112向搭载部主面111侧凹陷且被封固树脂8覆盖的背面侧凹部115。此外，搭载部110也可以不形成背面侧凹部115，但为了防止第一引线1从封固树脂8向z方向z1侧脱落，优选形成有背面侧凹部115。根据本变形例，如图13所示，与半导体装置A10比较，在树脂端面83中，第一端子120突出的位置处于z方向z1侧。因此，半导体装置A14能够使树脂端面83中的第一端子120与第二端子220的沿面距离D、以及第一端子120与第三端子320的沿面距离比半导体装置A10的情况大。
第五变形例：
图14是表示第一实施方式的第五变形例的半导体装置A15的剖视图，是与图6对应的图。半导体装置A15与半导体装置A10的不同在于搭载部110的厚度尺寸。在半导体装置A15中，搭载部110的厚度尺寸与第一端子120的厚度尺寸相同。此外，在本变形例中，z方向上的搭载部主面111的位置与半导体装置A10的情况相同。
第六变形例：
图15是表示第一实施方式的第六变形例的半导体装置A16的剖视图，是与图6对应的图。半导体装置A16与半导体装置A15的不同在于第一引线1在z方向上的配置位置。在半导体装置A16中，搭载部110的厚度尺寸与第一端子120的厚度尺寸相同。另外，搭载部背面112从树脂背面82露出，z方向上的搭载部主面111的位置以及第一端子120的位置与半导体装置A15不同。在半导体装置A16中，第一端子背面125与搭载部背面112成为表面一致，且从树脂背面82露出。因此，在本变形例中，与第四变形例的情况(参照图12)相同，搭载部110优选在搭载部背面112的周围形成有背面侧凹部115。根据本变形例，与半导体装置A10比较，在树脂端面83中，第一端子120突出的位置处于z方向z1侧。因此，半导体装置A16能够使树脂端面83中的第一端子120与第二端子220的沿面距离D、以及第一端子120与第三端子320的沿面距离比半导体装置A10的情况大。
第七变形例：
图16是表示第一实施方式的第七变形例的半导体装置A17的剖视图，是与图6对应的图。半导体装置A17与半导体装置A16的不同在于第一端子120的形状。在半导体装置A17中，搭载部110的厚度尺寸与第一端子120的厚度尺寸相同。另外，搭载部背面112从树脂背面82露出。并且，第一端子120具备第一直行部123以及第一连结部124。第一直行部123是沿x方向笔直延伸的部分，包括被封固树脂8覆盖的部分和从封固树脂8突出的部分。第一连结部124是连结第一直行部123和搭载部110的部分，与第一直行部123以及搭载部110连接。第一连结部124整体被封固树脂8覆盖，且相对于搭载部110以及第一直行部123倾斜。第一直行部123相对于搭载部110位于z方向z2侧。因此，第一连结部124成为x方向x1侧更位于z方向z2侧的倾斜。根据本变形例，搭载部背面112从树脂背面82露出，但第一连结部124以及第一直行部123的一部分被封固树脂8覆盖。因此，在搭载部110的厚度尺寸与第一端子120的厚度尺寸相同的第一引线1中，能够兼顾散热和防止脱落这双方。
第八变形例：
图17是表示第一实施方式的第八变形例的半导体装置A18的俯视图，是与图3对应的图。在图17中，为了便于理解，透过封固树脂8并用想象线(双点划线)示出封固树脂8的外形。半导体装置A18与半导体装置A10的不同在于第一端子120、第二端子220、以及第三端子320的形状。在半导体装置A18中，第一端子120、第二端子220、以及第三端子320不具备宽度尺寸变大的部分。因此，在第一端子120、第二端子220、以及第三端子320的从封固树脂8突出的部分的整体中，宽度尺寸变得均匀。此外，第一端子120、第二端子220、以及第三端子320的形状与半导体装置A10相同，第一端子120、第二端子220、以及第三端子320的宽度尺寸变大的部分的整体也可以由封固树脂8覆盖。在该情况下，在第一端子120、第二端子220、以及第三端子320的从封固树脂8突出的部分的整体中，宽度尺寸也变得均匀，因此外观上成为与半导体装置A10相同的形状。
图18～图32表示本公开的其它实施方式。此外，在这些图中，对于上述实施方式相同或类似的要素，标注与上述实施方式相同的符号，并省略重复的说明。
第二实施方式：
图18以及图19是用于说明本公开的第二实施方式的半导体装置A20的图。图18是表示半导体装置A20的剖视图，是与图6对应的图。图19是表示半导体装置A20的主视图，是与图5对应的图。本实施方式的半导体装置A20与第一实施方式的半导体装置A10的不同在于，第一端子120、第二端子220、以及第三端子320的从封固树脂8突出从部分的形状。本实施方式的其它部分的结构以及动作与第一实施方式相同。此外，上述的第一实施方式的各变形例的各部分也可以任意地组合。
在本实施方式中，第一端子120具备第一直行部123、第一折曲部121、以及第一前端部122。如图18所示，第一直行部123是沿x方向笔直延伸的部分，包括被封固树脂8覆盖的部分和从封固树脂8突出的部分。第一折曲部121是与第一直行部123的x方向x1侧的端部连接且折曲的部分。第一前端部122是与第一折曲部121的x方向x1侧的端部连接且沿x方向笔直延伸的部分。第一折曲部121以及第一前端部122从封固树脂8露出。在本实施方式中，第一折曲部121包括相对于第一前端部122以及第一直行部123倾斜的倾斜部分。由于第一前端部122相对于第一直行部123位于z方向z2侧，因此第一折曲部121的倾斜部分成为x方向x1侧更位于z方向z2侧的倾斜。
另外，第二端子220具备第二直行部223、第二折曲部221、以及第二前端部222。如图18所示，第二直行部223是沿x方向笔直延伸的部分，包括被封固树脂8覆盖的部分和从封固树脂8突出的部分。第二折曲部221是与第二直行部223的x方向x1侧的端部连接且折曲的部分。第二前端部222是与第二折曲部221的x方向x1侧的端部连接且沿x方向笔直延伸的部分。第二折曲部221以及第二前端部222从封固树脂8露出。在本实施方式中，第二折曲部221包括相对于第二前端部222以及第二直行部223倾斜的倾斜部分。由于第二前端部222相对于第二直行部223位于z方向z1侧，因此第二折曲部221的倾斜部分成为x方向x1侧更位于z方向z1侧的倾斜。
另外，第三端子320具备第三直行部323、第三折曲部321、以及第三前端部322。虽然图18中未表现出来，但第三直行部323是沿x方向笔直延伸的部分，包括被封固树脂8覆盖的部分和从封固树脂8突出的部分。第三折曲部321是与第三直行部323的x方向x1侧的端部连接且折曲的部分。第三前端部322是与第三折曲部321的x方向x1侧的端部连接且沿x方向笔直延伸的部分。第三折曲部321以及第三前端部322从封固树脂8露出。在本实施方式中，第三折曲部321包括相对于第三前端部322以及第三直行部323倾斜的倾斜部分。由于第三前端部322相对于第三直行部323位于z方向z1侧，因此第三折曲部321的倾斜部分成为x方向x1侧更位于z方向z1侧的倾斜。
如图19所示，第一直行部123与第二直行部223以及第三直行部323在z方向上隔开间隔，但第一前端部122、第二前端部222、以及第三前端部322在z方向上处于相同位置。
在本实施方式中，第一端子120(第一直行部123)与第二端子220(第二直行部223)也在树脂端面83中在y方向上彼此隔开间隔，而且在z方向上彼此隔开间隔。因此，与配置于z方向上的相同位置的情况比较，树脂端面83中的第一端子120与第二端子220的沿面距离D大。另外，第一端子120(第一直行部123)与第三端子320(第三直行部323)在树脂端面83中在y方向上彼此隔开间隔，而且在z方向上彼此隔开间隔。因此，与配置于z方向上的相同位置的情况比较，树脂端面83中的第一端子120与第三端子320的沿面距离大。由此，半导体装置A20能够实现高耐电压化。另外，半导体装置A20利用与半导体装置A10共同的结构，从而起到与半导体装置A10同等的效果。并且，根据本实施方式，由于第一前端部122、第二前端部222、以及第三前端部322在z方向上处于相同位置，因此第一引线1、第二引线2、以及第三引线3与在z方向上处于相同位置的现有的半导体装置具有互换性而能够使用。
此外，在本实施方式中，对第一折曲部121包括相对于第一前端部122以及第一直行部123倾斜的倾斜部分的情况进行了说明，但并不限于此。第一折曲部121也可以包括与第一前端部122以及第一直行部123正交的部分。也就是，第一引线1也可以在第一折曲部121中形成为曲柄形状。另外，第一引线1也可以在第一折曲部121中形成为S字形状。此外，第二引线2以及第三引线3也同样。
第一变形例：
图20是表示第二实施方式的第一变形例的半导体装置A21的剖视图，是与图6对应的图。在半导体装置A21中，第一前端部122相对于第一直行部123位于z方向z1侧，第二前端部222相对于第二直行部223位于z方向z2侧，第三前端部322相对于第三直行部323位于z方向z2侧。也就是，第一前端部122与第二前端部222以及第三前端部322在z方向上比在树脂端面83上的位置关系更加隔开间隔。
第三实施方式：
图21是用于说明本公开的第三实施方式的半导体装置A30的图。图21是表示半导体装置A30的剖视图，是与图7对应的图。本实施方式的半导体装置A30与第一实施方式的半导体装置A10的不同在于，第二端子220以及第三端子320的被封固树脂8覆盖的部分的形状。本实施方式的其它部分的结构以及动作与第一实施方式相同。此外，上述的第一～第二实施方式以及各变形例的各部分也可以任意地组合。
在本实施方式中，第二端子220具备第二直行部223以及第二连结部224。第二直行部223是沿x方向笔直延伸的部分，包括被封固树脂8覆盖的部分和从封固树脂8突出的部分。第二连结部224是连结第二直行部223和第二焊盘部210的部分，与第二直行部223以及第二焊盘部210连接。第二连结部224整体被封固树脂8覆盖，且相对于第二焊盘部210以及第二直行部223倾斜。在本实施方式中，第二焊盘部210相对于第二直行部223位于树脂背面82侧(z方向z1侧)。因此，第二连结部224成为x方向x1侧更位于z方向z2侧的倾斜。
另外，虽然在图21中未表现出来，但第三端子320具备第三直行部323以及第三连结部324。第三直行部323是沿x方向笔直延伸的部分，包括被封固树脂8覆盖的部分和从封固树脂8突出的部分。第三连结部324是连结第三直行部323和第三焊盘部310的部分，与第三直行部323以及第三焊盘部310连接。第三连结部324整体被封固树脂8覆盖，且相对于第三焊盘部310以及第三直行部323倾斜。在本实施方式中，第三焊盘部310相对于第三直行部323位于树脂背面82侧(z方向z1侧)。因此，第三连结部324成为x方向x1侧更位于z方向z2侧的倾斜。
在本实施方式中，第一端子120与第二端子220(第二直行部223)也在树脂端面83中在y方向上彼此隔开间隔，而且在z方向上彼此隔开间隔。因此，与配置于z方向上的相同位置的情况比较，树脂端面83中的第一端子120与第二端子220的沿面距离D大。另外，第一端子120与第三端子320(第三直行部323)在树脂端面83中在y方向上彼此隔开间隔，而且在z方向上彼此隔开间隔。因此，与配置于z方向上的相同位置的情况比较，树脂端面83中的第一端子120与第三端子320的沿面距离大。由此，半导体装置A30能够实现高耐电压化。另外，半导体装置A30通过与半导体装置A10共同的结构，起到与半导体装置A10同等的效果。
并且，根据本实施方式，第二焊盘部210相对于第二直行部223位于树脂背面82侧(z方向z1侧)。因此，与半导体装置A10的情况比较，第二焊盘部主面211位于z方向z1侧。由此，与半导体装置A10的情况比较，与第二焊盘部主面211接合的导线71的顶点位置位于z方向z1侧。另外，第三焊盘部310相对于第三直行部323位于树脂背面82侧(z方向z1侧)。因此，与半导体装置A10的情况比较，第三焊盘部主面311位于z方向z1侧。由此，与半导体装置A10的情况比较，与第三焊盘部主面311接合的导线72的顶点位置位于z方向z1侧。因此，能够抑制导线71、72从封固树脂8露出。另外，与半导体装置A10的情况比较，也能够减少封固树脂8的压迫尺寸(z方向的尺寸)。
第四实施方式：
图22～图24是用于说明本公开的第四实施方式的半导体装置A40的图。图22是表示半导体装置A40的俯视图，是与图3对应的图。在图22中，为了便于理解，透过封固树脂8并用想象线(双点划线)示出封固树脂8的外形。图23是表示半导体装置A40的主视图，是与图5对应的图。图24是沿图22的XXIV－XXIV线的剖视图。本实施方式的半导体装置A40与第一实施方式的半导体装置A10的不同在于，树脂端面83中的第一端子120、第二端子220、以及第三端子320在z方向上的位置。本实施方式的其它部分的结构以及动作与第一实施方式相同。此外，上述的第一～第三实施方式以及各变形例的各部分也可以任意地组合。
在本实施方式中，第一端子120具备第一直行部123以及第一连结部124。第一直行部123是沿x方向笔直延伸的部分，包括被封固树脂8覆盖的部分和从封固树脂8突出的部分。第一连结部124是连结第一直行部123和搭载部110的部分，与第一直行部123以及搭载部110连接。第一连结部124整体被封固树脂8覆盖，且相对于搭载部110以及第一直行部123倾斜。第一直行部123在z方向上的位置成为与第一实施方式的半导体装置A10的第二端子220以及第三端子320相同的位置。因此，第一连结部124成为x方向x1侧更位于z方向z2侧的倾斜。另外，在本实施方式中，第二引线2(第二端子220)以及第三引线3(第三端子320)在z方向上的位置成为与第一实施方式的半导体装置A10的第一端子120相同的位置。因此，在树脂端面83中，第一端子120(第一直行部123)相对于第二端子220以及第三端子320位于z方向上的树脂主面81侧(z方向z2侧)。
在本实施方式中，第一端子120(第一直行部123)与第二端子220在树脂端面83中在y方向上彼此隔开间隔，而且在z方向上彼此隔开间隔。因此，与配置于z方向上的相同位置的情况比较，树脂端面83中的第一端子120与第二端子220的沿面距离D大。另外，第一端子120(第一直行部123)与第三端子320在树脂端面83中在y方向上彼此隔开间隔，而且在z方向上彼此隔开间隔。因此，与配置于z方向上的相同位置的情况比较，树脂端面83中的第一端子120与第三端子320的沿面距离大。由此，半导体装置A40能够实现高耐电压化。另外，半导体装置A40通过与半导体装置A10共同的结构，起到与半导体装置A10同等的效果。
并且，根据本实施方式，与第一实施方式的半导体装置A10的情况比较，第二引线2(第二焊盘部210)位于更靠树脂背面82侧(z方向z1侧)。由此，与半导体装置A10的情况比较，与第二焊盘部主面211接合的导线71的顶点位置位于z方向z1侧。另外，与第一实施方式的半导体装置A10的情况比较，第三引线3(第三焊盘部310)位于更靠树脂背面82侧(z方向z1侧)。由此，与半导体装置A10的情况比较，与第三焊盘部主面311接合的导线72的顶点位置位于z方向z1侧。因此，能够抑制导线71、72从封固树脂8露出。另外，与半导体装置A10的情况比较，也能够减小封固树脂8的压迫尺寸(z方向的尺寸)。
第五实施方式：
图25～图26是用于说明本公开的第五实施方式的半导体装置A50的图。图25是表示半导体装置A50的俯视图，是与图3对应的图。在图25中，为了便于理解，透过封固树脂8并用想象线(双点划线)示出封固树脂8的外形。图26是表示半导体装置A50的主视图，是与图5对应的图。本实施方式的半导体装置A50与第一实施方式的半导体装置A10的不同在于，第一端子120以及第二端子220在y方向上的位置。本实施方式的其它部分的结构以及动作与第一实施方式相同。此外，上述的第一～第四实施方式以及各变形例的各部分也可以任意地组合。
在本实施方式中，如图25所示，第一端子120与搭载部端面114的y方向y1侧的端部连接。另外，如图25所示，第二引线2配置在第一端子120的y方向y2侧。也就是，半导体装置A50成为相对于半导体装置A10调换了第一端子120以及第二端子220在y方向上的配置的状态。
在本实施方式中，第一端子120与第二端子220也在树脂端面83中在y方向上彼此隔开间隔，而且在z方向上彼此隔开间隔。因此，与配置于在z方向上的相同位置的情况比较，树脂端面83中的第一端子120与第二端子220的沿面距离D大。由此，半导体装置A50能够实现高耐电压化。此外，第三端子320在树脂端面83中与第一端子120较大地隔开间隔。因此，树脂端面83中的第一端子120与第三端子320的沿面距离足够大，因此不会成为问题。另外，半导体装置A50通过与半导体装置A10共同的结构，起到与半导体装置A10同等的效果。
第一变形例：
图27是表示第五实施方式的第一变形例的半导体装置A51的主视图，是与图5对应的图。半导体装置A51中，第三引线3在z方向上配置在与第一端子120相同的位置。这样，在树脂端面83中，第三端子320与第一端子120较大地隔开间隔，沿面距离变得足够大，因此能够自由地设定第三引线3在z方向上的位置。
第六实施方式：
图28～图29是用于说明本公开的第六实施方式的半导体装置A60的图。图28是表示半导体装置A60的俯视图，是与图3对应的图。在图28中，为了便于理解，透过封固树脂8，用想象线(双点划线)示出封固树脂8的外形。图29是表示半导体装置A60的主视图，是与图5对应的图。本实施方式的半导体装置A60与第五实施方式的半导体装置A50的不同在于还具备第四引线4这一点。本实施方式的其它部分的结构以及动作与第五实施方式相同。此外，上述的第一～第五实施方式以及各变形例的各部分也可以任意地组合。
在本实施方式中，半导体装置A60还具备第四引线4以及导线73。第四引线4与半导体元件6导通。如图28所示，第四引线4从第一引线1、第二引线2、以及第三引线3隔开间隔地配置。第四引线4在第一引线1的搭载部110的x方向x1侧在y方向上配置在第二引线2与第三引线3之间。另外，如图29所示，第四引线4相对于第一引线1配置在z方向z2侧。在本实施方式中，第四引线4在z方向上的位置与第二引线2以及第三引线3相同。第四引线4具备第四焊盘部410以及第四端子420。
第四焊盘部410是供导线73键合的部分，在z方向观察时呈在y方向上较长的矩形形状(或者大致矩形形状)。第四焊盘部410具有第四焊盘部主面411。第四焊盘部主面411朝向z方向z2侧，供导线73接合。此外，导线73的材料或粗细、数量没有限定。第四焊盘部410遍及整体地被封固树脂8覆盖。
第四端子420与第四焊盘部410连接，经由第四焊盘部410以及导线73而与半导体元件6的第二电极64(源极电极)导通。第四端子420作为半导体装置A60的源极感测端子发挥功能。第四端子420的宽度尺寸(y方向的尺寸)比第四焊盘部410的宽度尺寸(y方向的尺寸)小。另外，第四端子420的厚度尺寸(z方向的尺寸)与第四焊盘部410的厚度尺寸(z方向的尺寸)相同，且与第一端子120的厚度尺寸相同。如图28所示，第四端子420在第四焊盘部410的x方向x1侧配置在y方向中央。此外，第四端子420的位置没有限定。第四端子420包括在x方向上延伸且从封固树脂8突出的部分。此外，第四引线4的形状并不限定于上述的形状。
如图29所示，第一端子120、第二端子220、第四端子420、以及第三端子320在树脂端面83中在y方向上彼此隔开间隔，并以该顺序从y方向y1侧向y2侧排列。另外，第一端子120与第二端子220、第三端子320、以及第四端子420在树脂端面83中在z方向上彼此隔开间隔。第二端子220、第三端子320、以及第四端子420在树脂端面83中配置在z方向上的相同位置。第一端子120在树脂端面83中相对于第二端子220、第三端子320、以及第四端子420位于z方向上的树脂背面82侧(z方向z2侧)。
在本实施方式中，第一端子120与第二端子220也在树脂端面83中在y方向上彼此隔开间隔，而且在z方向上彼此隔开间隔。因此，与配置于z方向上的相同位置的情况比较，树脂端面83中的第一端子120与第二端子220的沿面距离D大。由此，半导体装置A60能够实现高耐电压化。此外，第三端子320以及第四端子420在树脂端面83中与第一端子120较大地隔开间隔。因此，树脂端面83中的第一端子120与第三端子320以及第四端子420的沿面距离足够大，因此不会成为问题。另外，半导体装置A60通过与半导体装置A10共同的结构，起到与半导体装置A10同等的效果。
第一变形例：
图30是表示第六实施方式的第一变形例的半导体装置A61的主视图，是与图5对应的图。半导体装置A61中，第四引线4在z方向上配置在与第一端子120相同的位置。这样，在树脂端面83中，第四端子420与第一端子120较大地隔开间隔，沿面距离变得足够大，因此能够自由地设定第四引线4在z方向上的位置。
此外，在本实施方式中，对第一端子120、第二端子220、第四端子420、以及第三端子320以该顺序从y方向y1侧向y2侧排列的情况进行了说明，但并不限于此。例如，第一端子120也可以在y方向上配置在第二端子220与第四端子420之间。
第七实施方式：
图31～图32是用于说明本公开的第七实施方式的半导体装置A70的图。图31是表示半导体装置A70的俯视图，是与图3对应的图。在图31中，为了便于理解，透过封固树脂8并用想象线(双点划线)示出封固树脂8的外形。图32是表示半导体装置A70的主视图，是与图5对应的图。本实施方式的半导体装置A70与第一实施方式的半导体装置A10的不同在于，半导体元件6的种类不同这一点和不具备第二引线2的这一点。本实施方式的其它部分的结构以及动作与第一实施方式相同。此外，上述的第一～第六实施方式以及各变形例的各部分也可以任意地组合。
在本实施方式中，半导体元件6是二极管。半导体元件6在元件主面61不具备第三电极65。在本实施方式中，第一电极63是阴极电极，第二电极64是阳极电极。另外，在本实施方式中，第一引线1是与第五实施方式的半导体装置A50的情况相同的形状，第一端子120与搭载部端面114的y方向y1侧的端部连接。另外，半导体装置A70不具备第二引线2。半导体元件6的第一电极63通过接合材料69而与搭载部主面111接合，且与第一引线1电连接。导线72与半导体元件6的第二电极64和第三引线3的第三焊盘部主面311接合。由此，半导体元件6的第二电极64与第三引线3电连接。与第一电极63导通的第一引线1的第一端子120作为半导体装置A70的阴极端子发挥功能，与第二电极64导通的第三引线3的第三端子320作为半导体装置A70的阳极端子发挥功能。
在本实施方式中，第一端子120与第三端子320在树脂端面83中在y方向上彼此隔开间隔，而且在z方向上彼此隔开间隔。因此，与配置于z方向上的相同位置的情况比较，树脂端面83中的第一端子120与第三端子320的沿面距离大。由此，半导体装置A70能够实现高耐电压化。另外，半导体装置A70通过与半导体装置A10共同的结构，能够起到与半导体装置A10同等的效果。
此外，在上述第一～第六实施方式中，对半导体元件6为晶体管的例子进行了说明，在上述第七实施方式中，对半导体元件6为二极管的例子进行了说明，但并不限于此。半导体元件6的种类没有限定，也可以是集成电路等其它半导体元件。另外，在上述第一～第七实施方式中，对配置有二至四个端子的情况进行了说明，但并不限于此。配置的端子的数量没有限定，根据配置在半导体元件6的元件主面61上的电极的数量以及配置来适当设定。另外，在上述第一～第七实施方式中，对各端子仅从树脂端面83突出的情况进行了说明，但并不限于此。端子也可以从树脂第一侧面84、树脂第二侧面85、以及树脂第三侧面86中的任一个突出。
本公开的半导体装置不限定于上述的实施方式。本公开的半导体装置的各部分的具体的结构能够自由地进行各种设计变更。本公开包括以下的附记所记载是实施方式。
附记1.
一种半导体装置，其特征在于，具备：
半导体元件6；
导电部件5，其与上述半导体元件导通；以及
封固树脂8，其覆盖上述半导体元件，
上述导电部件具备：
第一引线1，其具有搭载有上述半导体元件的搭载部110和与上述搭载部连接的第一端子120；以及
第二引线2，其具有第二端子220，
上述第一端子以及上述第二端子分别包括在与上述搭载部的厚度方向正交的第一方向上从上述封固树脂突出的部分，
上述封固树脂具备：
树脂主面81以及树脂背面82，其在上述厚度方向上彼此朝向相反侧；以及
树脂端面83，其与上述树脂主面以及上述树脂背面连接，并且朝向上述第一端子以及上述第二端子突出的方向，
上述第一端子以及上述第二端子在上述树脂端面中在与上述厚度方向以及上述第一方向正交的第二方向上彼此隔开间隔，并且在上述厚度方向上彼此隔开间隔。
附记2.
根据附记1所记载的半导体装置，
上述第一端子在上述树脂端面中相对于上述第二端子在上述厚度方向上位于上述树脂背面侧。
附记3.(第二实施方式，图18)
根据附记1或2所记载的半导体装置，
上述第一端子具备从上述封固树脂露出并且折曲的第一折曲部121、以及与上述第一折曲部连接并且在上述第一方向上延伸的第一前端部122，
上述第二端子具备从上述封固树脂露出并且折曲的第二折曲部221、以及与上述第二折曲部连接并且在上述第一方向上延伸的第二前端部222，
上述第一前端部和上述第二前端部在上述厚度方向上处于相同的位置。
附记4.(第三实施方式，图21)
根据附记1至3中任一项所记载的半导体装置，
上述第二引线具备与上述第二端子连接并且被上述封固树脂覆盖的焊盘部210，
上述第二端子具备在上述第一方向上延伸的第二直行部223和与上述焊盘部以及上述第二直行部连接的第二连结部224，
上述第二连结部被上述封固树脂覆盖，并且相对于上述焊盘部以及上述第二直行部倾斜，
上述焊盘部相对于上述第二直行部在上述厚度方向上位于上述树脂背面侧。
附记5.
根据附记4所记载的半导体装置，
还具备连接部件71，该连接部件与上述半导体元件和上述焊盘部接合。
附记6.(第一实施方式第二变形例＿图10，第四实施方式＿图24)
根据附记1至5中任一项所记载的半导体装置，
上述第一端子具备在上述第一方向上延伸的第一直行部123和与上述搭载部以及上述第一直行部连接的第一连结部124，
上述第一连结部被上述封固树脂覆盖，并且相对于上述搭载部以及上述第一直行部倾斜。
附记7.
根据附记1至6中任一项所记载的半导体装置，
上述搭载部具备供上述半导体元件接合的搭载部主面111、以及在上述厚度方向上朝向与上述搭载部主面相反的一侧的搭载部背面112，
上述搭载部背面从上述树脂背面露出。
附记8.
根据附记1至7中任一项所记载的半导体装置，
上述搭载部的上述厚度方向的尺寸比上述第一端子的上述厚度方向的尺寸大。
附记9.
根据附记1至8中任一项所记载的半导体装置，
上述封固树脂具备：
树脂第一侧面84，其与上述树脂主面以及上述树脂背面连接，并且朝向与上述树脂端面相反的一侧；以及
树脂第二侧面85及树脂第三侧面86，其与上述树脂主面、上述树脂背面、上述树脂端面以及上述树脂第一侧面连接，
上述导电部件不从上述树脂第一侧面、上述树脂第二侧面以及上述树脂第三侧面露出。
附记10.
根据附记1至9中任一项所记载的半导体装置，
上述导电部件具备第三引线3，该第三引线具有第三端子320，
上述第三端子包括从上述树脂端面突出的部分，并且在上述树脂端面中相对于上述第一端子以及上述第二端子在上述第二方向上隔开间隔。
附记11.
根据附记10所记载的半导体装置，
上述第三端子在上述树脂端面中相对于上述第一端子在上述厚度方向上隔开间隔，并且在上述厚度方向上位于与上述第二端子相同的一侧。
附记12.
根据附记10或11所记载的半导体装置，
上述第三端子在上述树脂端面中相对于上述第一端子在上述第二方向上位于与上述第二端子相反的一侧。
附记13.(第六实施方式＿图28)
根据附记10至12中任一项所记载的半导体装置，
上述导电部件具备第四引线4，该第四引线具有第四端子420，
上述第四端子包括从上述树脂端面突出的部分，并且在上述树脂端面中相对于上述第一端子至上述第三端子在上述第二方向上隔开间隔。
附记14.
根据附记1至13中任一项所记载的半导体装置，
上述半导体元件具备在上述厚度方向上彼此朝向相反侧的元件主面61以及元件背面62、配置在上述元件背面的第一电极63、以及配置在上述元件主面的第二电极64，
上述第一电极与上述搭载部接合，
上述第二电极与上述第二引线导通连接。
符号说明
A10～A17、A20、A21、A30、A40—半导体装置；A50、A51、A60、A61、A70—半导体装置；5—导电支撑部件；1—第一引线；110—搭载部；111—搭载部主面；112—搭载部背面；113—搭载部贯通孔；114—搭载部端面；115—背面侧凹部；120—第一端子；121—第一折曲部；122—第一前端部；123—第一直行部；124—第一连结部；125—第一端子背面；2—第二引线；210—第二焊盘部；211—第二焊盘部主面；212—第二焊盘部背面；220—第二端子；221—第二折曲部；222—第二前端部；223—第二直行部；224—第二连结部；3—第三引线；310—第三焊盘部；311—第三焊盘部主面；312—第三焊盘部背面；320—第三端子；321—第三折曲部；322—第三前端部；323—第三直行部；324—第三连结部；4—第四引线；410—第四焊盘部；411—第四焊盘部主面；420—第四端子；6—半导体元件；60—元件主体；61—元件主面；62—元件背面；63—第一电极；64—第二电极；65—第三电极；69—接合材料；71、72、73—导线；8—封固树脂；81—树脂主面；82—树脂背面；83—树脂端面；84—树脂第一侧面；85—树脂第二侧面；86—树脂第三侧面；88—树脂贯通孔。

Claims (14)

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
半导体元件；
导电部件，其与上述半导体元件导通；以及
封固树脂，其覆盖上述半导体元件，
上述导电部件具备：
第一引线，其具有搭载有上述半导体元件的搭载部、和与上述搭载部连接的第一端子；以及
第二引线，其具有第二端子，
上述第一端子以及上述第二端子分别包括在与上述搭载部的厚度方向正交的第一方向上从上述封固树脂突出的部分，
上述封固树脂具备：
树脂主面以及树脂背面，其在上述厚度方向上彼此朝向相反侧；以及
树脂端面，其与上述树脂主面以及上述树脂背面连接，并且朝向上述第一端子以及上述第二端子突出的方向，
上述第一端子以及上述第二端子在上述树脂端面中在与上述厚度方向以及上述第一方向正交的第二方向上彼此隔开间隔，并且在上述厚度方向上彼此隔开间隔。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
上述第一端子在上述树脂端面中相对于上述第二端子在上述厚度方向上位于上述树脂背面侧。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
上述第一端子具备从上述封固树脂露出并且折曲的第一折曲部、和与上述第一折曲部连接并且在上述第一方向上延伸的第一前端部，
上述第二端子具备从上述封固树脂露出并且折曲的第二折曲部、和与上述第二折曲部连接并且在上述第一方向上延伸的第二前端部，
上述第一前端部和上述第二前端部在上述厚度方向上处于相同的位置。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
上述第二引线具备与上述第二端子连接并且被上述封固树脂覆盖的焊盘部，
上述第二端子具备在上述第一方向上延伸的第二直行部、和与上述焊盘部以及上述第二直行部连接的第二连结部，
上述第二连结部被上述封固树脂覆盖，并且相对于上述焊盘部以及上述第二直行部倾斜，
上述焊盘部相对于上述第二直行部在上述厚度方向上位于上述树脂背面侧。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
还具备连接部件，该连接部件与上述半导体元件和上述焊盘部接合。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
上述第一端子具备在上述第一方向上延伸的第一直行部、和与上述搭载部以及上述第一直行部连接的第一连结部，
上述第一连结部被上述封固树脂覆盖，并且相对于上述搭载部以及上述第一直行部倾斜。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
上述搭载部具备供上述半导体元件接合的搭载部主面、和在上述厚度方向上朝向与上述搭载部主面相反的一侧的搭载部背面，
上述搭载部背面从上述树脂背面露出。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
上述搭载部的上述厚度方向的尺寸比上述第一端子的上述厚度方向的尺寸大。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
上述封固树脂具备：
树脂第一侧面，其与上述树脂主面以及上述树脂背面连接，并且朝向与上述树脂端面相反的一侧；以及
树脂第二侧面及树脂第三侧面，其与上述树脂主面、上述树脂背面、上述树脂端面以及上述树脂第一侧面连接，
上述导电部件不从上述树脂第一侧面、上述树脂第二侧面以及上述树脂第三侧面露出。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
上述导电部件具备第三引线，该第三引线具有第三端子，
上述第三端子包括从上述树脂端面突出的部分，并且在上述树脂端面中相对于上述第一端子以及上述第二端子在上述第二方向上隔开间隔。
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，
上述第三端子在上述树脂端面中相对于上述第一端子在上述厚度方向上隔开间隔，并且在上述厚度方向上位于与上述第二端子相同的一侧。
12.根据权利要求10或11所述的半导体装置，其特征在于，
上述第三端子在上述树脂端面中相对于上述第一端子在上述第二方向上位于与上述第二端子相反的一侧。
13.根据权利要求10至12中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
上述导电部件具备第四引线，该第四引线具有第四端子，
上述第四端子包括从上述树脂端面突出的部分，并且在上述树脂端面中相对于上述第一端子至上述第三端子在上述第二方向上隔开间隔。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
上述半导体元件具备在上述厚度方向上彼此朝向相反侧的元件主面以及元件背面、配置在上述元件背面的第一电极、以及配置在上述元件主面的第二电极，
上述第一电极与上述搭载部接合，
上述第二电极与上述第二引线导通连接。
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