CN117784307A - 滤光片及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明有关于一种滤光片及其制造方法。此制造方法是依序热蒸镀牺牲层，以及沉积基底层与介电质堆叠层于具有特定宽度的沟槽的基材上，以使基底层及介电质堆叠层往外延伸形成具有特定长度的固化结构。然后，粘贴固定层于介电质堆叠层上，并以溶剂移除牺牲层，以移除基材。据此，提升所制得的滤光片的结构强度与平整度，并减少其体积，以使滤光片可应用于小型元件的自动化工艺。
Description
技术领域
本发明是有关于一种滤光片及其制造方法，且特别是有关于一种具有固化结构而无基材的滤光片及其制造方法。
背景技术
传统上，介电质材料所制得的滤光片的制造方法是以基材做为基底层，以沉积介电质堆叠层于基材上。此制造方法可利用基材提供脆弱的介电质堆叠层强化效果，以避免其在后续组装过程(如夹取)中受损。
然而，由于介电质堆叠层与基材的材料不同，且二者的制造方法亦不同，故介电质堆叠层与基材之间产生应力。此应力造成滤光片在后续组装过程(尤其是滤光片贴合于如透镜或棱镜的光学元件)发生翘曲，而影响成品良率。
通常，通过增加基材厚度至介电质堆叠层厚度的数倍以上来维持介电质堆叠层的平整度。然而，增厚的基材亦加大滤光片的体积，以使滤光片无法以转印方式贴合至小型光学元件上，故不适于应用于小型化元件的自动化量产。
此外，随着光学元件小型化，对于滤光片的面积产生缩小的需求。传统的切割方法虽可缩小滤光片的面积，但滤光片被切割处容易受损。有鉴于此，亟需发展一种新的滤光片及其制造方法，以改善上述缺点。
发明内容
有鉴于上述的问题，本发明的一态样是在提供一种滤光片的制造方法。此制造方法利用具有特定宽度的沟槽的基材形成具有特定长度的固化结构，并通过移除牺牲层去除基材，以提升所制得的滤光片的结构强度与平整度，并减少其体积。
本发明的另一态样是在提供一种滤光片。此滤光片以前述的方法制得。
根据本发明的一态样，提出一种滤光片的制造方法。在此制造方法中，提供具有至少一个沟槽的基材，其中至少一个沟槽的宽度为不小于0.1mm，且至少一个沟槽划分基材为至少二个区域。对基材进行热蒸镀处理，以分别在至少二个区域上蒸镀牺牲层。在进行热蒸镀处理后，对基材进行沉积处理，以分别在至少二个区域的牺牲层上依序沉积基底层及介电质堆叠层，其中基底层及介电质堆叠层往外延伸形成固化结构，且固化结构的长度小于15μm。粘贴固定层于至少二个区域的介电质堆叠层上，以使介电质堆叠层固定于固定层上，而形成至少一个雏型滤光片于至少二个区域的牺牲层上。以溶剂移除牺牲层，以从基材分离出至少一个雏型滤光片。以光线照射固定层，而从固定层分离出滤光片。
依据本发明的一实施例，至少一个沟槽的深度为不小于0.1mm。
依据本发明的另一实施例，进行热蒸镀处理时，基材的温度设定于140℃至160℃。
依据本发明的又一实施例，沉积处理包含离子束辅助蒸镀，且离子束辅助蒸镀的电压及电流分别为500V至700V及500mA至700mA。
依据本发明的又一实施例，介电质堆叠层包含至少一个第一介电质层，以及至少一个第二介电质层。至少一个第二介电质层与至少一个第一介电质层交互堆叠。至少一个第一介电质层的第一折射率不等于至少一个第二介电质层的第二折射率。
依据本发明的又一实施例，基底层的厚度为不小于3μm。
依据本发明的又一实施例，牺牲层的材料包含六氟铝酸的盐类，且溶剂包含水。
本发明的另一态样是提供一种滤光片。此滤光片包含基底层以及设置于基底层上的介电质堆叠层。基底层及介电质堆叠层往外延伸形成固化结构，且固化结构的长度小于15μm。
依据本发明的一实施例，介电质堆叠层包含至少一个第一介电质层，以及至少一个第二介电质层。至少一个第二介电质层与至少一个第一介电质层交互堆叠。至少一个第一介电质层的第一折射率不等于至少一个第二介电质层的第二折射率。
依据本发明的又一实施例，滤光片排除基材。
应用本发明的滤光片及其制造方法，其中依序热蒸镀牺牲层，以及沉积基底层与介电质堆叠层于具有特定宽度的沟槽的基材上，以使基底层及介电质堆叠层往外延伸形成具有特定长度的固化结构。然后，通过移除牺牲层除去基材。据此，提升滤光片的结构强度与平整度，并减少其体积，以使其可应用于小型元件的自动化工艺。
附图说明
为了对本发明的实施例及其优点有更完整的理解，现请参照以下的说明并配合相应的附图。必须强调的是，各种特征并非依比例描绘且仅是为了图解目的。在附图中，使用相同元件符号来标记相同元件或具有相同功能的元件。相关附图内容说明如下：
图1是绘示根据本发明的一实施例的滤光片制造方法的流程图。
图2是绘示根据本发明的一实施例的滤光片制造方法使用的基材的示意图。
图3是绘示根据本发明的一实施例在制造过程的基材与牺牲层的堆叠物的剖面图。
图4是绘示根据本发明的一实施例在制造过程的基材、牺牲层、基底层及介电质堆叠层的堆叠物的剖面图。
图5是绘示根据本发明的一实施例在制造过程的基材、牺牲层、基底层、介电质堆叠层及固定层的堆叠物的剖面图。
图6是绘示根据本发明的一实施例在制造过程移除牺牲层的示意图。
图7是绘示根据本发明的一实施例在制造过程移除固定层的示意图。
图8是绘示根据本发明的一实施例的滤光片的示意图。
图9是根据本发明的实施例1的基材、牺牲层、基底层、介电质堆叠层及固定层的堆叠物经CCD由上往下摄取的影像。
图10是根据本发明的实施例1的滤光片由上往下摄取的电子显微镜照片。
【主要元件符号说明】
100：方法
110,120,130,140,150,160：操作
300,400,500,600,920：堆叠物
210,310,410,510,610：基材
211,311,411,511,611,910：沟槽
212,213：区域
320,420,520,620：牺牲层
430,530,630,730,830：基底层
440,540,640,740,840：介电质堆叠层
441,442,541,542,641,642,741,742,841,842：介电质层
550,650：雏型滤光片
430T,441T,442T,530T,541T,542T,630T,641T,642T,730T,741T,742T,830T,841T,842T：突出部
440T,540T,640T,740T,840T：固化结构
560,660,760：固定层
770：光线
780,880：滤光片
930,1000：箭头
TH1,TH2,TH3,TH4：厚度
D：深度
B,W：宽度
A,L：长度
具体实施方式
以下仔细讨论本发明实施例的制造和使用。然而，可以理解的是，实施例提供许多可应用的发明概念，其可实施于各式各样的特定内容中。所讨论的特定实施例仅供说明，并非用以限定本发明的范围。
本发明此处的「第一」及「第二」等用语仅用来区分一个元件(或性质)(例如：层、折射率及厚度)与另一者，故被描述的元件(或性质)不应该被此些用语所限制。其次，此处的空间相关的用语(例如：「下」及「上」)是方便说明附图中的元件(例如：层)与另一者的关系。因此，除了附图所绘示的方位之外，空间相关的用语也可包含使用或操作中装置(例如：滤光片)的不同方位。
请参阅图1及图2，滤光片的制造方法100包含提供具有至少一个沟槽211的基材210，如操作110所示。在一些实施例中，如图2所示，基材210具有多条沟槽211。此些沟槽211相互垂直，且将基材210划分为多个矩形区域212及一个外围区域213。具体而言，矩形区域212的长度A及宽度B可均为0.1mm至10mm。在另一些实施例中，一条沟槽划分基材为二个区域(未绘示)。举例而言，沟槽为一条环状沟槽，即其划分基材为环状沟槽所包围的内部区域，以及不被为环状沟槽所包围的外部区域。
沟槽的宽度W为不小于0.1mm，且较佳为0.1mm至0.2mm。倘若沟槽211的宽度W小于0.1mm，后续形成的相邻的固化结构过于靠近，而连接在一起，故必须进行切割以分离二者，此切割会损害固化结构，进而降低滤光片的结构强度与平整度。
请参阅图3，此图是绘示根据本发明的一实施例在制造方法100的制造过程中基材310与牺牲层320的堆叠物300的剖面图。在此实施例中，沟槽311的深度D为不小于0.1mm，且较佳为0.1mm至0.4mm。当沟槽311的深度D为前述的范围时，利于后述的固化结构的形成。具体地，沟槽311的截面形状可为矩形，且较佳为具有圆角的矩形。
请再参阅图1及图3，在操作110后，对基材310进行热蒸镀处理，以分别在至少二个区域上蒸镀牺牲层320，如操作120所示。在一些实施例中，在热蒸镀期间，基材310的温度设定于140℃至160℃，且排除使用离子束。倘若牺牲层320非以热蒸镀形成，牺牲层320不是松散结构的镀层，而不易被移除，进而不易移除基材。
详述之，牺牲层320的材料为容易移除的材料，以利于后述的雏型滤光片从基材310上分离。较佳地，牺牲层320的材料可为水溶性，以利于以水移除。在一些具体例中，牺牲层320的材料包含但不限于六氟铝酸的盐类，例如：水溶性六氟铝酸钠。此外，牺牲层320的厚度TH1可为80nm至100nm，以利于被移除。当牺牲层320容易被移除时，利于移除基材310，从而提升滤光片的平整度并减小其体积。
前述的「松散结构」是指以白光干涉仪测得牺牲层320的表面粗糙度为0.25nm至0.30nm的结构。此松散结构为容易除去的，且不会过于脆弱，故可在其上沉积基底层及其他的层。
请参阅图4，在操作120后，在进行热蒸镀处理后，对基材410进行沉积处理，以分别在至少二个区域的牺牲层420上依序沉积基底层430及介电质堆叠层440，如操作130所示。
在一些实施例中，沉积处理可利用离子束辅助蒸镀(Ion-beam assisteddeposition，IAD)进行。具体地，蒸镀条件可为500V至700V的电压及500mA至700mA的电流。当沉积处理使用前述条件时，提升镀层(即基底层430及介电质堆叠层440)的结构均匀性，以提升滤光片的平整度。在一些具体例中，蒸镀方向与被镀物(如牺牲层420、基底层430及介电质堆叠层440中的介电质层441和442)表面的法线的夹角可呈10度至40度，以利于后述的固化结构的形成。
详述之，沟槽411将基材410划分成不连续的区域。在基底层430及介电质堆叠层440的沉积过程中，此二层430和440的材料会溢沉积(如溢镀)至沟槽411的上方，以使得原本相邻但没有相互作用的基底层430及介电质堆叠层440通过溢沉积往外延伸而形成突出部430T、441T和442T，在区域的边缘(相当于沟槽411上方)相邻的二层彼此混合在一起，以形成固化结构440T，从而增强彼此间的连接性。基底层430与介电质堆叠层440之间以及介电质堆叠层440中的多个介电质层441和442之间的连接性被增强，所以对于区域上方规则堆叠的基底层430及介电质堆叠层440发挥保护作用，以抵抗外力(如后续组装过程中夹取所施加的外力)所导致的损害。
在一些实施例中，基底层430的材料可包含介电质，且此介电质相同于介电质堆叠层440中的介电质，或者依据所需的光谱进行选择。具体的材料可包含但不限于二氧化硅。此外，基底层430的厚度TH2可不小于3μm，且较佳为3μm至6μm。在后续移除牺牲层420时，具有此厚度TH2的基底层430可轻易地从基材410分离出，且保留其结构的完整性。
举例而言，介电质堆叠层440包含第一介电质层441及第二介电质层442。此些介电质层441和442交互堆叠，以降低滤光片内部的应力，从而提升滤光片的平整度。较佳地，第一介电质层441及第二介电质层442的厚度TH3和TH4及材料均相同，以降低滤光片内部的应力。在一些具体例中，介电质堆叠层440的厚度依据所需的光谱而定，并相应调整第一介电质层441的厚度TH3、第二介电质层442的厚度TH4，以及二者的数量。介电质堆叠层440的具体厚度可如25nm至40nm，但不以此为限。
在一些实施例中，第一介电质层441及第二介电质层442分别具有第一折射率及第二折射率，且二者不相等。不相等的折射率是用以提升滤光片对于具有不要的波长的光线的过滤效果。第一折射率及第二折射率可依据所需的光谱而定，并相应调整第一介电质层441及第二介电质层442的材料，其可包含但不限于二氧化硅及五氧化二钽的介电质材料，且其折射率可为0.3至4.0。
请再参阅图4，固化结构440T的长度L是定义为固化结构440T基于沟槽411内壁为起始点，在平行于沟槽411宽度W的方向所测得固化结构440T的最长的长度，举例而言，当固化结构440T的最长的长度出现于突出部442T时，则以突出部442T基于沟槽411内壁为起始点，在平行于沟槽411宽度W的方向所测得的长度做为固化结构440T的长度L。固化结构440T的长度L为小于15μm。倘若固化结构440T的长度L不小于15μm时，相邻的两个固化结构440T会连接在一起，而必须进行切割，此切割会损害固化结构440T，故降低滤光片的结构强度与平整度，或者相邻的两个固化结构440T太过靠近，降低滤光片平整度。较佳地，长度L可为大于0.1μm且小于15μm。
请参阅图1及图5，在操作130后，粘贴固定层560于至少二个区域上的介电质堆叠层540上，以使介电质堆叠层540固定于固定层560上，而形成至少一个雏型滤光片550于至少二个区域的牺牲层520上，如操作140所示。雏型滤光片550包含固定层560、介电质堆叠层540及基底层530，其中介电质堆叠层540位于基底层530与固定层560之间。倘若不进行前述固定，在后续移除牺牲层520后，从基材510分离出的雏型滤光片550将分散开，而不易回收。
在一些实施例中，固定层560包含粘着膜及底材。粘着膜的材料可包含光解粘性粘着剂，例如：紫外光胶，具体例可为压克力胶系的紫外光胶。「光解粘性粘着剂」是指在照射具有特定波长的光线后粘着力降低的粘着剂。粘着力的降低是由于粘着剂受光照射后粘度降低所致。具体的特定波长可包含但不限于200nm至400nm。因此，通过粘着膜，固定层560可固定雏型滤光片550，且在特定波长的照射后再将其释出。其次，底材的材料可为本发明所属技术领域中具有通常知识者所惯用的可挠性材料，如聚氯乙烯的聚合物，且固定层560可为光解粘胶带。当固定层560的底材为可挠性材料且粘着膜具备光解粘性时，固定层560可固定介电质堆叠层540及基底层530，以利于后续滤光片转印贴合至小型元件上。
请参阅图1及图6，在操作140后，以溶剂移除牺牲层620，以从基材610分离出至少一个雏型滤光片650，如操作150所示。如前所述，由于牺牲层620为松散结构，其具有溶剂可溶解性，故可通过溶剂移除。倘若不移除牺牲层620，则不能除去基材610，即不能缩小滤光片的体积。
请参阅图1及图7，在操作150后，以光线770照射固定层760，而从固定层760分离出滤光片780，如操作160所示。如前所述，固定层760的粘着膜具有光解粘性，故在照射光线770后粘着膜的粘着力降低，以使滤光片780从固定层760分离出。举例而言，照射条件可为以具有365nm的波长且460mJ/cm2的功率密度的光线770照射固定层760持续20秒。倘若不以光线770照射固定层760，不能将滤光片780转印贴合至小型元件上。
请再参阅图1及图4，在另一些实施例中，在依序沉积一层基底层430及一层介电质堆叠层440后，可选择性再沉积另一层基底层于介电质堆叠层440上，以使介电质堆叠层440的两侧均设有基底层430。较佳地，两个基底层430具有相同的厚度及材料，以提升滤光片的平整度。
本发明的另一态样是在提供一种滤光片。此滤光片以前述的方法制得。请参阅图8，滤光片880包含基底层830及介电质堆叠层840，且介电质堆叠层840往外延伸形成长度L小于15μm的固化结构840T。
附带说明，镀层在沉积过程中所产生的应力可包含镀层的本征应力及镀层与基材之间的热应力。前述的本征应力可包含张应力及压应力。镀层的张应力与基材之间的反作用力造成镀层面向内弯成凹面。另一方面，镀层的压应力与基材之间的反作用力造成镀层面向外凸弯成凸面。以下详述通过降低或消除本征应力及热应力来提升滤光片880的平整度。
请再参阅图8，滤光片880可通过第一介电质层841及第二介电质层842交互堆叠的排列，即一者提供张应力，且另一者提供压应力，以消除本征应力，故提升滤光片880的平整度。此外，滤光片880排除基材，故滤光片880与基材之间的热应力与作用力不存在，且其所导致的形变亦消失，所以提升滤光片880的平整度。在一些实施例中(未图示)，滤光片更包含另一层基底层，即介电质堆叠层介于此二层基底层之间，以通过两个基底层的对称性提升滤光片的平整度。
除了提升滤光片880的平整度之外，缺少基材亦可减少滤光片880的体积。另一方面，前述的固化结构840T可提供滤光片880边缘结构的强化效果。因此，本发明的滤光片具备高平整度、小体积及高强度的优点，故适于以转印方式贴合至小型光学元件上，从而实现小型光学元件的自动化量产，以放大产量并节省时间。
进一步，在制造过程中，滤光片880未经过切割，其四周边缘的结构(即固化结构840T)完整未受损，故固化结构840T可提升滤光片880结构强度，以使滤光片880在后续组装工艺中，不会因夹取及贴合的外力而受损。
在一些应用例中，在后续组装工艺中，由于本发明的滤光片880具备小体积(即无基材)、小面积、高平整度及高强度(固化结构840T所提供的强度效果)的优点，故适于以转印方式贴合至小型元件上，从而实现小型元件的自动化量产，以提高产量并节省时间。
详述之，在转印过程中，滤光片880规则地粘贴于固定层(具体如光学胶层)上，并在滤光片880的另一侧(即非固定层粘贴的一侧)粘贴低粘度胶层，再覆盖离型膜层于光学胶层外侧(相对于滤光片880的另一侧)上，并将其装设于转印装置上，以转印贴合滤光片880至小型化元件上。
补充说明，本发明的小体积的滤光片才能使用转印方式，而传统的大体积的滤光片仅能使用人工点胶方式贴合，其无法自动化连续生产，且存在不易对位与溢胶的缺点。其次，本发明的滤光片所具备的高平整度可避免在转印贴合时产生翘曲的问题。再者，本发明的滤光片的边缘结构高强度可避免滤光片因夹取与贴合的外力而受损。据此，本发明的滤光片能够实现小型元件的自动化量产。
以下利用实施例以说明本发明的应用，然其并非用以限定本发明，任何熟习此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。
滤光片的制备
实施例1
利用激光对厚度为1mm至2mm的玻璃基材刻出宽度为0.1mm至0.2mm且深度为0.1mm至0.4mm的多个沟槽，此些沟槽相互平行且垂直，以划分基材成多个矩形区域(面积为0.7╳0.7mm2)。在不开离子源的情况下，在150℃，热蒸镀厚度为80nm的六氟铝酸钠于玻璃基材上。
然后，开启离子源，电压及电流分别设为600V及600mA，以离子束辅助蒸镀方法依序沉积厚度为4μm至5μm的二氧化硅层(做为基底层)，以及介电质堆叠层于六氟铝酸钠层上。介电质堆叠层由具有低折射率(如1.4)的二氧化硅层与具有高折射率(如2.0)的五氧化二钽(Ta2O5)层交互堆叠而成，其中接触基底层者为二氧化硅层，且介电质堆叠层的厚度为33nm，其层数为4层。
此些二氧化硅层及此些五氧化二钽层分别往外延伸形成多个突出部。此些突出部形成一个固化结构，且此固化结构的长度大于0μm且小于15μm。
然后，粘贴UV光解粘胶带于介电质堆叠层的外侧(远离基底层的一侧)，再将其移至常温的纯水中，经超音波振6分钟后，浸泡2小时，以使纯水完全溶解六氟铝酸钠层，而从基材释出多个雏型滤光片。再以波长为365nm的UV光照射胶带，以从胶带上释出多个滤光片。然后，以此些滤光片进行后续的评价试验。
实施例2及比较例1至2
实施例2及比较例1至2皆以与实施例1相同的方法进行制备滤光片。不同的是，实施例2依序沉积一层基底层及一层介电质堆叠层后，再沉积与前一个基底层相同的另一层基底层于前述介电质堆叠层之上，即在介电质堆叠层的两侧均设有基底层。
比较例1及2皆未对玻璃基材刻出沟槽。比较例1在基底层及介电质堆叠层沉积后，再对玻璃基材、牺牲层、基底层及介电质堆叠层所堆叠的复合材料层进行切割，以切割成与实施例1的矩形区域相同面积的矩形区块。其次，离子源的电压设为1100V且电流设为1100mA。此外，比较例2没有蒸镀牺牲层于玻璃基材上，而是直接沉积基底层于玻璃基材上，且胶带粘贴于玻璃基材的外侧(即玻璃基材远离基底层的一侧)。前述实施例1至2及比较例1至2的具体条件及试验结果如下表1及图9(上视图)至图10(上视图)所示。
评价方式
1.结构完整性
利用电子显微镜观察滤光片的四周的结构外观，并以外观评价滤光片的结构完整性。
○：结构完整且没有受损
╳：结构不完整且受损
2.平整度
以垂直于基底层及介电质堆叠层的方向做为测量高度的方向，并利用白光干涉仪测量滤光片的曲率半径及矩形区域表面上最高点与最低点的高度差，且以测得的曲率半径与高度差评价滤光片的平整度。当曲率半径愈大及高度差愈小时，滤光片具有较佳的平整度。
3.厚度
利用电荷耦合元件(Charge-coupled device，CCD)摄取牺牲层、基底层及介电质堆叠层的影像后，再对此些影像进行厚度测量。
表1
请参阅表1，实施例1至2的滤光片的制造方法沉积牺牲层、基底层及介电质堆叠层于具有沟槽的基材上，且移除牺牲层，以制得具有固化结构且无基材的滤光片。请参阅图9(上视图)，在实施例1中，具有沟槽910(如图5的沟槽511)的基材、牺牲层、基底层、介电质堆叠层及固定层的堆叠物920(如图5的堆叠物500)经CCD由上往下摄取的影像显示,固化结构(如图9的箭头930所指，如图5的固化结构540T)的长度(如图8的长度L)小于15μm，其可加强滤光片(如图8的滤光片800)结构强度，且由于未对雏型滤光片进行切割，故保留固化结构完整性(如图10的箭头1000所指，如图8的固化结构840T)。此外，缺少基材的滤光片的体积较小，从而适于转印贴合工艺。因此，实施例1至2的滤光片可应用于小型元件的自动化工艺。
然而，比较例1是在沉积复合材料层后，再对其进行切割，以制得滤光片，故滤光片四周边缘的结构受损。此受损结构容易导致后续组装时滤光片的破裂。另外，比较例2没有热蒸镀牺牲层，且未移除基材，故所制得的滤光片体积较大，且应力留于滤光片中，易发生翘曲。因此，比较例1至2的滤光片不能应用于小型元件的自动化工艺。
综上所述，本发明的滤光片及其制造方法，其中依序热蒸镀牺牲层，以及沉积基底层与介电质堆叠层于具有特定宽度的沟槽的基材上，以使介电质堆叠层往外延伸形成具有特定长度的固化结构。然后，粘贴固定层于介电质堆叠层上，并以溶剂移除牺牲层，以移除基材。据此，提升所制得的滤光片的结构强度与平整度，并减少其体积，以使其可应用于小型元件的自动化工艺。
虽然本发明已以实施方式揭露如上，然其并非用以限定本发明，在本发明所属技术领域中任何具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。
Claims (10)
1.一种滤光片的制造方法，其特征在于，包含：
提供具有至少一个沟槽的基材，其中该至少一个沟槽的宽度为不小于0.1mm，且该至少一个沟槽划分该基材为至少二个区域；以及
对该基材进行热蒸镀处理，以分别在该至少二个区域上蒸镀牺牲层；
在进行该热蒸镀处理后，对该基材进行沉积处理，以分别在该至少二个区域的该牺牲层上依序沉积基底层及介电质堆叠层，其中该基底层及该介电质堆叠层往外延伸形成固化结构，且该固化结构的长度小于15μm；
粘贴固定层于该至少二个区域的该介电质堆叠层上，以使该介电质堆叠层固定于该固定层上，而形成至少一个雏型滤光片于该至少二个区域的该牺牲层上；
以溶剂移除该牺牲层，以从该基材分离出该至少一个雏型滤光片；以及
以光线照射该固定层，而从该固定层分离出该滤光片。
2.根据权利要求1所述的滤光片的制造方法，其特征在于，该至少一个沟槽的深度为不小于0.1mm。
3.根据权利要求1所述的滤光片的制造方法，其特征在于，进行该热蒸镀处理时，该基材的温度设定于140℃至160℃。
4.根据权利要求1所述的滤光片的制造方法，其特征在于，该沉积处理包含离子束辅助蒸镀，且该离子束辅助蒸镀的电压及电流分别为500V至700V及500mA至700mA。
5.根据权利要求1所述的滤光片的制造方法，其特征在于，该介电质堆叠层包含：
至少一个第一介电质层，以及
至少一个第二介电质层，与该至少一个第一介电质层交互堆叠，
其中该至少一个第一介电质层的第一折射率不等于该至少一个第二介电质层的第二折射率。
6.根据权利要求1所述的滤光片的制造方法，其特征在于，该基底层的厚度为不小于3μm。
7.根据权利要求1所述的滤光片的制造方法，其特征在于，该牺牲层的材料包含六氟铝酸的盐类，且该溶剂包含水。
8.一种滤光片，其特征在于，包含：
基底层；以及
介电质堆叠层，设置于该基底层上，
其中该基底层及该介电质堆叠层往外延伸形成固化结构，且该固化结构的长度小于15μm。
9.根据权利要求8所述的滤光片，其特征在于，该介电质堆叠层包含：
至少一个第一介电质层，以及
至少一个第二介电质层，与该至少一个第一介电质层交互堆叠，
其中该至少一个第一介电质层的第一折射率不等于该至少一个第二介电质层的第二折射率。
10.根据权利要求9所述的滤光片，其特征在于，该基底层的厚度为不小于3μm。
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