TWI815674B - 濾光片及其製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明有關於一種濾光片及其製造方法。此製造方法係依序熱蒸鍍犧牲層，以及沉積基底層與介電質堆疊層於具有特定寬度之溝槽的基材上，以使基底層及介電質堆疊層往外延伸形成具有特定長度之固化結構。然後，黏貼固定層於介電質堆疊層上，並以溶劑移除犧牲層，以移除基材。據此，提升所製得之濾光片的結構強度與平整度，並減少其體積，以使濾光片可應用於小型元件之自動化製程。
Description
本發明係有關於一種濾光片及其製造方法，且特別是有關於一種具有固化結構而無基材之濾光片及其製造方法。
傳統上，介電質材料所製得之濾光片的製造方法係以基材做為基底層，以沉積介電質堆疊層於基材上。此製造方法可利用基材提供脆弱的介電質堆疊層強化效果，以避免其於後續組裝過程(如夾取)中受損。
然而，由於介電質堆疊層與基材之材料不同，且二者之製造方法亦不同，故介電質堆疊層與基材之間產生應力。此應力造成濾光片於後續組裝過程(尤其是濾光片貼合於如透鏡或稜鏡之光學元件)發生翹曲，而影響成品良率。
通常，藉由增加基材厚度至介電質堆疊層厚度之數倍以上來維持介電質堆疊層的平整度。然而，增厚的基材亦加大濾光片的體積，以使濾光片無法以轉印方式貼合至小型光學元件上，故不適於應用於小型化元件的自動化量產。
此外，隨著光學元件小型化，對於濾光片的面積產生縮小之需求。傳統的切割方法雖可縮小濾光片的面積，但濾光片被切割處容易受損。有鑑於此，亟需發展一種新的濾光片及其製造方法，以改善上述缺點。
有鑑於上述之問題，本發明之一態樣是在提供一種濾光片之製造方法。此製造方法利用具有特定寬度之溝槽的基材形成具有特定長度之固化結構，並藉由移除犧牲層去除基材，以提升所製得之濾光片的結構強度與平整度，並減少其體積。
本發明之另一態樣是在提供一種濾光片。此濾光片以前述之方法製得。
根據本發明之一態樣，提出一種濾光片之製造方法。於此製造方法中，提供具有至少一個溝槽之基材，其中至少一個溝槽之寬度為不小於0.1mm，且至少一個溝槽劃分基材為至少二個區域。對基材進行熱蒸鍍處理，以分別於至少二個區域上蒸鍍犧牲層。於進行熱蒸鍍處理後，對基材進行沉積處理，以分別於至少二個區域之犧牲層上依序沉積基底層及介電質堆疊層，其中基底層及介電質堆疊層往外延伸形成固化結構，且固化結構之長度小於15μm。黏貼固定層於至少二個區域之介電質堆疊層上，以使介電質堆疊層固定於固定層上，而形成至少一個雛型濾光片於至少二個區域之犧牲層上。以溶劑移除犧牲層，以從基材分離出至少一個雛型濾光片。以光線照射固定層，而從固定層分離出濾光片。
依據本發明之一實施例，至少一個溝槽之深度為不小於0.1mm。
依據本發明之另一實施例，進行熱蒸鍍處理時，基材之溫度設定於140℃至160℃。
依據本發明之又一實施例，沉積處理包含離子束輔助蒸鍍，且離子束輔助蒸鍍之電壓及電流分別為500V至700V及500mA至700mA。
依據本發明之又一實施例，介電質堆疊層包含至少一個第一介電質層，以及至少一個第二介電質層。至少一個第二介電質層與至少一個第一介電質層交互堆疊。至少一個第一介電質層之第一折射率不等於至少一個第二介電質層之第二折射率。
依據本發明之又一實施例，基底層之厚度為不小於3μm。
依據本發明之又一實施例，犧牲層之材料包含六氟鋁酸之鹽類，且溶劑包含水。
本發明之另一態樣係提供一種濾光片。此濾光片包含基底層以及設置於基底層上之介電質堆疊層。基底層及介電質堆疊層往外延伸形成固化結構，且固化結構之長度小於15μm。
依據本發明之一實施例，介電質堆疊層包含至少一個第一介電質層，以及至少一個第二介電質層。至少一個第二介電質層與至少一個第一介電質層交互堆疊。至少一個第一介電質層之第一折射率不等於至少一個第二介電質層之第二折射率。
依據本發明之又一實施例，濾光片排除基材。
應用本發明之濾光片及其製造方法，其中依序熱蒸鍍犧牲層，以及沉積基底層與介電質堆疊層於具有特定寬度之溝槽的基材上，以使基底層及介電質堆疊層往外延伸形成具有特定長度之固化結構。然後，藉由移除犧牲層除去基材。據此，提升濾光片的結構強度與平整度，並減少其體積，以使其可應用於小型元件之自動化製程。
以下仔細討論本發明實施例之製造和使用。然而，可以理解的是，實施例提供許多可應用的發明概念，其可實施於各式各樣的特定內容中。所討論之特定實施例僅供說明，並非用以限定本發明之範圍。
本發明此處之「第一」及「第二」等用語僅用來區分一個元件(或性質)(例如：層、折射率及厚度)與另一者，故被描述之元件(或性質)不應該被此些用語所限制。其次，此處之空間相關的用語(例如：「下」及「上」)係方便說明圖式中之元件(例如：層)與另一者的關係。因此，除了圖式所繪示的方位之外，空間相關的用語也可包含使用或操作中裝置(例如：濾光片)之不同方位。
請參閱圖1及圖2，濾光片之製造方法100包含提供具有至少一個溝槽211之基材210，如操作110所示。在一些實施例中，如圖2所示，基材210具有多條溝槽211。此些溝槽211相互垂直，且將基材210劃分為複數個矩形區域212及一個外圍區域213。具體而言，矩形區域212之長度A及寬度B可均為0.1mm至10mm。在另一些實施例中，一條溝槽劃分基材為二個區域(未繪示)。舉例而言，溝槽為一條環狀溝槽，即其劃分基材為環狀溝槽所包圍之內部區域，以及不被為環狀溝槽所包圍之外部區域。
溝槽之寬度W為不小於0.1mm，且較佳為0.1mm至0.2mm。倘若溝槽211之寬度W小於0.1mm，後續形成之相鄰的固化結構過於靠近，而連接在一起，故必須進行切割以分離二者，此切割會損害固化結構，進而降低濾光片的結構強度與平整度。
請參閱圖3，此圖係繪示根據本發明之一實施例於製造方法100之製造過程中基材310與犧牲層320之堆疊物300的剖面圖。在此實施例中，溝槽311之深度D為不小於0.1mm，且較佳為0.1mm至0.4mm。當溝槽311之深度D為前述之範圍時，利於後述之固化結構之形成。具體地，溝槽311之截面形狀可為矩形，且較佳為具有圓角之矩形。
請再參閱圖1及圖3，於操作110後，對基材310進行熱蒸鍍處理，以分別於至少二個區域上蒸鍍犧牲層320，如操作120所示。在一些實施例中，於熱蒸鍍期間，基材310之溫度設定於140℃至160℃，且排除使用離子束。倘若犧牲層320非以熱蒸鍍形成，犧牲層320不是鬆散結構之鍍層，而不易被移除，進而不易移除基材。
詳述之，犧牲層320之材料為容易移除之材料，以利於後述之雛型濾光片從基材310上分離。較佳地，犧牲層320之材料可為水溶性，以利於以水移除。在一些具體例中，犧牲層320之材料包含但不限於六氟鋁酸之鹽類，例如：水溶性六氟鋁酸鈉。此外，犧牲層320之厚度TH1可為80nm至100nm，以利於被移除。當犧牲層320容易被移除時，利於移除基材310，從而提升濾光片的平整度並減小其體積。
前述之「鬆散結構」係指以白光干涉儀測得犧牲層320之表面粗糙度為0.25nm至0.30nm的結構。此鬆散結構為容易除去的，且不會過於脆弱，故可於其上沉積基底層及其他的層。
請參閱圖4，於操作120後，於進行熱蒸鍍處理後，對基材410進行沉積處理，以分別於至少二個區域之犧牲層420上依序沉積基底層430及介電質堆疊層440，如操作130所示。
在一些實施例中，沉積處理可利用離子束輔助蒸鍍(Ion-beam assisted deposition，IAD)進行。具體地，蒸鍍條件可為500V至700V之電壓及500mA至700mA之電流。當沉積處理使用前述條件時，提升鍍層(即基底層430及介電質堆疊層440)的結構均勻性，以提升濾光片的平整度。在一些具體例中，蒸鍍方向與被鍍物(如犧牲層420、基底層430及介電質堆疊層440中之介電質層441和442)表面的法線之夾角可呈10度至40度，以利於後述之固化結構的形成。
詳述之，溝槽411將基材410劃分成不連續之區域。於基底層430及介電質堆疊層440之沉積過程中，此二層430和440的材料會溢沉積(如溢鍍)至溝槽411的上方，以使得原本相鄰但沒有相互作用之基底層430及介電質堆疊層440透過溢沉積往外延伸而形成突出部430T、441T和442T，在區域的邊緣(相當於溝槽411上方)相鄰之二層彼此混合在一起，以形成固化結構440T，從而增強彼此間的連接性。基底層430與介電質堆疊層440之間以及介電質堆疊層440中之多個介電質層441和442之間的連接性被增強，所以對於區域上方規則堆疊之基底層430及介電質堆疊層440發揮保護作用，以抵抗外力(如後續組裝過程中夾取所施加之外力)所導致之損害。
在一些實施例中，基底層430之材料可包含介電質，且此介電質相同於介電質堆疊層440中之介電質，或者依據所需之光譜進行選擇。具體之材料可包含但不限於二氧化矽。此外，基底層430之厚度TH2可不小於3μm，且較佳為3μm至6μm。於後續移除犧牲層420時，具有此厚度TH2的基底層430可輕易地從基材410分離出，且保留其結構的完整性。
舉例而言，介電質堆疊層440包含第一介電質層441及第二介電質層442。此些介電質層441和442交互堆疊，以降低濾光片內部的應力，從而提升濾光片的平整度。較佳地，第一介電質層441及第二介電質層442之厚度TH3和TH4及材料均相同，以降低濾光片內部的應力。在一些具體例中，介電質堆疊層440之厚度依據所需之光譜而定，並相應調整第一介電質層441之厚度TH3、第二介電質層442之厚度TH4，以及二者的數量。介電質堆疊層440之具體厚度可如25nm至40nm，但不以此為限。
在一些實施例中，第一介電質層441及第二介電質層442分別具有第一折射率及第二折射率，且二者不相等。不相等之折射率係用以提升濾光片對於具有不要的波長之光線的過濾效果。第一折射率及第二折射率可依據所需之光譜而定，並相應調整第一介電質層441及第二介電質層442之材料，其可包含但不限於二氧化矽及五氧化二鉭之介電質材料，且其折射率可為0.3至4.0。
請再參閱圖4，固化結構440T之長度L係定義為固化結構440T基於溝槽411內壁為起始點，在平行於溝槽411寬度W的方向所測得固化結構440T之最長的長度，舉例而言，當固化結構440T之最長的長度出現於突出部442T時，則以突出部442T基於溝槽411內壁為起始點，在平行於溝槽411寬度W的方向所測得的長度做為固化結構440T之長度L。固化結構440T之長度L為小於15μm。倘若固化結構440T之長度L不小於15μm時，相鄰之兩個固化結構440T會連接在一起，而必須進行切割，此切割會損害固化結構440T，故降低濾光片的結構強度與平整度，或者相鄰之兩個固化結構440T太過靠近，降低濾光片平整度。較佳地，長度L可為大於0.1μm且小於15μm。
請參閱圖1及圖5，於操作130後，黏貼固定層560於至少二個區域上之介電質堆疊層540上，以使介電質堆疊層540固定於固定層560上，而形成至少一個雛型濾光片550於至少二個區域之犧牲層520上，如操作140所示。雛型濾光片550包含固定層560、介電質堆疊層540及基底層530，其中介電質堆疊層540位於基底層530與固定層560之間。倘若不進行前述固定，於後續移除犧牲層520後，從基材510分離出之雛型濾光片550將分散開，而不易回收。
在一些實施例中，固定層560包含黏著膜及底材。黏著膜之材料可包含光解黏性黏著劑，例如：紫外光膠，具體例可為壓克力膠系之紫外光膠。「光解黏性黏著劑」係指於照射具有特定波長之光線後黏著力降低之黏著劑。黏著力的降低是由於黏著劑受光照射後黏度降低所致。具體的特定波長可包含但不限於200nm至400nm。因此，透過黏著膜，固定層560可固定雛型濾光片550，且於特定波長之照射後再將其釋出。其次，底材之材料可為本發明所屬技術領域中具有通常知識者所慣用之可撓性材料，如聚氯乙烯之聚合物，且固定層560可為光解黏膠帶。當固定層560之底材為可撓性材料且黏著膜具備光解黏性時，固定層560可固定介電質堆疊層540及基底層530，以利於後續濾光片轉印貼合至小型元件上。
請參閱圖1及圖6，於操作140後，以溶劑移除犧牲層620，以從基材610分離出至少一個雛型濾光片650，如操作150所示。如前所述，由於犧牲層620為鬆散結構，其具有溶劑可溶解性，故可藉由溶劑移除。倘若不移除犧牲層620，則不能除去基材610，即不能縮小濾光片的體積。
請參閱圖1及圖7，於操作150後，以光線770照射固定層760，而從固定層760分離出濾光片780，如操作160所示。如前所述，固定層760之黏著膜具有光解黏性，故於照射光線770後黏著膜之黏著力降低，以使濾光片780從固定層760分離出。舉例而言，照射條件可為以具有365nm之波長且460mJ/cm
2之功率密度之光線770照射固定層760持續20秒。倘若不以光線770照射固定層760，不能將濾光片780轉印貼合至小型元件上。
請再參閱圖1及圖4，在另一些實施例中，於依序沉積一層基底層430及一層介電質堆疊層440後，可選擇性再沉積另一層基底層於介電質堆疊層440上，以使介電質堆疊層440之兩側均設有基底層430。較佳地，兩個基底層430具有相同的厚度及材料，以提升濾光片之平整度。
本發明之另一態樣是在提供一種濾光片。此濾光片以前述之方法製得。請參閱圖8，濾光片880包含基底層830及介電質堆疊層840，且介電質堆疊層840往外延伸形成長度L小於15μm之固化結構840T。
附帶說明，鍍層於沉積過程中所產生之應力可包含鍍層的本徵應力及鍍層與基材之間的熱應力。前述之本徵應力可包含張應力及壓應力。鍍層的張應力與基材之間的反作用力造成鍍層面向內彎成凹面。另一方面，鍍層的壓應力與基材之間的反作用力造成鍍層面向外凸彎成凸面。以下詳述藉由降低或消除本徵應力及熱應力來提升濾光片880之平整度。
請再參閱圖8，濾光片880可藉由第一介電質層841及第二介電質層842交互堆疊的排列，即一者提供張應力，且另一者提供壓應力，以消除本徵應力，故提升濾光片880之平整度。此外，濾光片880排除基材，故濾光片880與基材之間的熱應力與作用力不存在，且其所導致之形變亦消失，所以提升濾光片880之平整度。在一些實施例中(未圖示)，濾光片更包含另一層基底層，即介電質堆疊層介於此二層基底層之間，以藉由兩個基底層的對稱性提升濾光片之平整度。
除了提升濾光片880之平整度之外，缺少基材亦可減少濾光片880的體積。另一方面，前述之固化結構840T可提供濾光片880邊緣結構的強化效果。因此，本發明之濾光片具備高平整度、小體積及高強度之優點，故適於以轉印方式貼合至小型光學元件上，從而實現小型光學元件之自動化量產，以放大產量並節省時間。
進一步，於製造過程中，濾光片880未經過切割，其四週邊緣的結構(即固化結構840T)完整未受損，故固化結構840T可提升濾光片880結構強度，以使濾光片880於後續組裝製程中，不會因夾取及貼合之外力而受損。
在一些應用例中，於後續組裝製程中，由於本發明之濾光片880具備小體積(即無基材)、小面積、高平整度及高強度(固化結構840T所提供之強度效果)之優點，故適於以轉印方式貼合至小型元件上，從而實現小型元件之自動化量產，以提高產量並節省時間。
詳述之，於轉印過程中，濾光片880規則地黏貼於固定層(具體如光學膠層)上，並於濾光片880的另一側(即非固定層黏貼之一側)黏貼低黏度膠層，再覆蓋離型膜層於光學膠層外側(相對於濾光片880之另一側)上，並將其裝設於轉印裝置上，以轉印貼合濾光片880至小型化元件上。
補充說明，本發明之小體積的濾光片才能使用轉印方式，而傳統之大體積的濾光片僅能使用人工點膠方式貼合，其無法自動化連續生產，且存在不易對位與溢膠的缺點。其次，本發明之濾光片所具備之高平整度可避免於轉印貼合時產生翹曲的問題。再者，本發明之濾光片的邊緣結構高強度可避免濾光片因夾取與貼合之外力而受損。據此，本發明之濾光片能夠實現小型元件之自動化量產。
以下利用實施例以說明本發明之應用，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。
濾光片之製備
實施例1
利用雷射光對厚度為1mm至2mm之玻璃基材刻出寬度為0.1mm至0.2mm且深度為0.1mm至0.4mm之複數個溝槽，此些溝槽相互平行且垂直，以劃分基材成複數個矩形區域(面積為0.7╳0.7mm
2)。在不開離子源之情況下，於150℃，熱蒸鍍厚度為80nm之六氟鋁酸鈉於玻璃基材上。
然後，開啟離子源，電壓及電流分別設為600V及600mA，以離子束輔助蒸鍍方法依序沉積厚度為4μm至5μm之二氧化矽層(做為基底層)，以及介電質堆疊層於六氟鋁酸鈉層上。介電質堆疊層由具有低折射率(如1.4)之二氧化矽層與具有高折射率(如2.0)之五氧化二鉭(Ta
2O
5)層交互堆疊而成，其中接觸基底層者為二氧化矽層，且介電質堆疊層之厚度為33nm，其層數為4層。
此些二氧化矽層及此些五氧化二鉭層分別往外延伸形成複數個突出部。此些突出部形成一個固化結構，且此固化結構之長度大於0μm且小於15μm。
然後，黏貼UV光解黏膠帶於介電質堆疊層之外側(遠離基底層之一側)，再將其移至常溫的純水中，經超音波振6分鐘後，浸泡2小時，以使純水完全溶解六氟鋁酸鈉層，而從基材釋出多個雛型濾光片。再以波長為365nm之UV光照射膠帶，以從膠帶上釋出複數個濾光片。然後，以此些濾光片進行後續之評價試驗。
實施例2及比較例1至2
實施例2及比較例1至2皆以與實施例1相同的方法進行製備濾光片。不同的是，實施例2依序沉積一層基底層及一層介電質堆疊層後，再沉積與前一個基底層相同之另一層基底層於前述介電質堆疊層之上，即於介電質堆疊層的兩側均設有基底層。
比較例1及2皆未對玻璃基材刻出溝槽。比較例1於基底層及介電質堆疊層沉積後，再對玻璃基材、犧牲層、基底層及介電質堆疊層所堆疊之複合材料層進行切割，以切割成與實施例1之矩形區域相同面積之矩形區塊。其次，離子源之電壓設為1100V且電流設為1100mA。此外，比較例2沒有蒸鍍犧牲層於玻璃基材上，而是直接沉積基底層於玻璃基材上，且膠帶黏貼於玻璃基材之外側(即玻璃基材遠離基底層之一側)。前述實施例1至2及比較例1至2之具體條件及試驗結果如下表1及圖9至圖10所示。
評價方式
1.結構完整性
利用電子顯微鏡觀察濾光片之四周的結構外觀，並以外觀評價濾光片之結構完整性。
○：結構完整且沒有受損
╳：結構不完整且受損
2.平整度
以垂直於基底層及介電質堆疊層之方向做為量測高度之方向，並利用白光干涉儀量測濾光片之曲率半徑及矩形區域表面上最高點與最低點之高度差，且以測得之曲率半徑與高度差評價濾光片之平整度。當曲率半徑愈大及高度差愈小時，濾光片具有較佳的平整度。
3.厚度
利用電荷耦合元件(Charge-coupled device，CCD)攝取犧牲層、基底層及介電質堆疊層之影像後，再對此些影像進行厚度量測。
表1
| 實施例 | 比較例 | ||||||
| 1 | 2 | 1 | 2 | ||||
| 製程 | 對基材刻出溝槽 | 有 | 有 | 無 | 無 | ||
| 使用犧牲層 | 有 | 有 | 有 | 無 | |||
| 進行切割處理 | 無 | 無 | 有 | 有 | |||
| 濾光片的結構 | 基材 | 無 | 無 | 無 | 玻璃 | ||
| 犧牲層 | 無 | 無 | 無 | 無 | |||
| 基底層 | 二氧化矽層 | ||||||
| 介電質堆疊層 | 低折射率之介電質層 | 二氧化矽層 | |||||
| 高折射率之介電質層 | 五氧化二鉭層 | ||||||
| 基底層 | 無 | 二氧 化矽層 | 無 | 無 | |||
| 評價結果 | 結構完整性 | ○ | ○ | ╳ | ╳ | ||
| 平整度 | 曲率半徑(mm) | 19.98 | 537.58 | 17.89 | 200~350 | ||
| 高度差(μm) | 2.1 | 0.175 | 2.3 | 0.25~0.5 | |||
請參閱表1，實施例1至2之濾光片之製造方法沉積犧牲層、基底層及介電質堆疊層於具有溝槽之基材上，且移除犧牲層，以製得具有固化結構且無基材之濾光片。於實施例1中，基材、犧牲層、基底層、介電質堆疊層及固定層之堆疊物經CCD攝取之影像顯示固化結構(如圖9之紅色箭頭所示)之長度小於15μm，其可加強濾光片結構強度，且由於未對雛型濾光片進行切割，故保留結構完整性(如圖10所示)。此外，缺少基材之濾光片的體積較小，從而適於轉印貼合製程。因此，實施例1至2之濾光片可應用於小型元件之自動化製程。
然而，比較例1係於沉積複合材料層後，再對其進行切割，以製得濾光片，故濾光片四週邊緣的結構受損。此受損結構容易導致後續組裝時濾光片的破裂。另外，比較例2沒有熱蒸鍍犧牲層，且未移除基材，故所製得之濾光片體積較大，且應力留於濾光片中，易發生翹曲。因此，比較例1至2之濾光片不能應用於小型元件之自動化製程。
綜上所述，本發明之濾光片及其製造方法，其中依序熱蒸鍍犧牲層，以及沉積基底層與介電質堆疊層於具有特定寬度之溝槽的基材上，以使介電質堆疊層往外延伸形成具有特定長度之固化結構。然後，黏貼固定層於介電質堆疊層上，並以溶劑移除犧牲層，以移除基材。據此，提升所製得之濾光片的結構強度與平整度，並減少其體積，以使其可應用於小型元件之自動化製程。
雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，在本發明所屬技術領域中任何具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100:方法
110,120,130,140,150,160:操作
300,400,500,600:堆疊物
210,310,410,510,610:基材
211,311,411,511,611:溝槽
212,213:區域
320,420,520,620:犧牲層
430,530,630,730,830:基底層
440,540,640,740,840:介電質堆疊層
441,442,541,542,641,642,741,742,841,842:介電質層
550,650:雛型濾光片
430T,441T,442T,530T,541T,542T,630T,641T,642T,730T,741T,742T,830T,841T,842T:突出部
440T,540T,640T,740T,840T:固化結構
560,660,760:固定層
770:光線
780,880:濾光片
TH1,TH2,TH3,TH4:厚度
D:深度
B,W:寬度
A,L:長度
為了對本發明之實施例及其優點有更完整之理解，現請參照以下之說明並配合相應之圖式。必須強調的是，各種特徵並非依比例描繪且僅係為了圖解目的。在圖式中，使用相同元件符號來標記相同元件或具有相同功能之元件。相關圖式內容說明如下：
圖1係繪示根據本發明之一實施例的濾光片製造方法的流程圖。
圖2係繪示根據本發明之一實施例的濾光片製造方法使用之基材的示意圖。
圖3係繪示根據本發明之一實施例於製造過程的基材與犧牲層之堆疊物的剖面圖。
圖4係繪示根據本發明之一實施例於製造過程的基材、犧牲層、基底層及介電質堆疊層之堆疊物的剖面圖。
圖5係繪示根據本發明之一實施例於製造過程的基材、犧牲層、基底層、介電質堆疊層及固定層之堆疊物的剖面圖。
圖6係繪示根據本發明之一實施例於製造過程移除犧牲層的示意圖。
圖7係繪示根據本發明之一實施例於製造過程移除固定層的示意圖。
圖8係繪示根據本發明之一實施例的濾光片的示意圖。
圖9係根據本發明之一實施例1的基材、犧牲層、基底層、介電質堆疊層及固定層之堆疊物經CCD攝取之影像。
圖10係根據本發明之一實施例的濾光片的電子顯微鏡照片。
100:方法
110,120,130,140,150,160:操作
Claims (9)
- 一種濾光片之製造方法，包含：提供具有至少一個溝槽之一基材，其中該至少一個溝槽之一寬度為不小於0.1mm，且該至少一個溝槽劃分該基材為至少二個區域；以及對該基材進行一熱蒸鍍處理，以分別於該至少二個區域上蒸鍍一犧牲層；於進行該熱蒸鍍處理後，對該基材進行一沉積處理，以分別於該至少二個區域之該犧牲層上依序沉積一基底層及一介電質堆疊層，其中該基底層及該介電質堆疊層往外延伸形成一固化結構，且該固化結構之一長度小於15μm；黏貼一固定層於該至少二個區域之該介電質堆疊層上，以使該介電質堆疊層固定於該固定層上，而形成至少一個雛型濾光片於該至少二個區域之該犧牲層上；以一溶劑移除該犧牲層，以從該基材分離出該至少一個雛型濾光片；以及以一光線照射該固定層，而從該固定層分離出該濾光片。
- 如請求項1所述之濾光片之製造方法，其中該至少一個溝槽之一深度為不小於0.1mm。
- 如請求項1所述之濾光片之製造方法，其中進行該熱蒸鍍處理時，該基材之一溫度設定於140℃至 160℃。
- 如請求項1所述之濾光片之製造方法，其中該沉積處理包含離子束輔助蒸鍍，且該離子束輔助蒸鍍之一電壓及一電流分別為500V至700V及500mA至700mA。
- 如請求項1所述之濾光片之製造方法，其中該介電質堆疊層包含：至少一個第一介電質層，以及至少一個第二介電質層，與該至少一個第一介電質層交互堆疊，其中該至少一個第一介電質層之一第一折射率不等於該至少一個第二介電質層之一第二折射率。
- 如請求項1所述之濾光片之製造方法，其中該基底層之一厚度為不小於3μm。
- 如請求項1所述之濾光片之製造方法，其中該犧牲層之材料包含六氟鋁酸之鹽類，且該溶劑包含水。
- 一種濾光片，包含：一基底層；以及一介電質堆疊層，設置於該基底層上， 其中該基底層及該介電質堆疊層往外延伸形成一固化結構，且該固化結構之一長度小於15μm。
- 如請求項8所述之濾光片，其中該介電質堆疊層包含：至少一個第一介電質層，以及至少一個第二介電質層，與該至少一個第一介電質層交互堆疊，其中該至少一個第一介電質層之一第一折射率不等於該至少一個第二介電質層之一第二折射率。
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