CN117769654A - 层叠体及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明的目的在于提供一种层叠体及其制造方法,上述层叠体能够用作在维持接合强度的同时、呈现良好的外观、抑制了来自通道的液体泄漏风险的微流控芯片。本发明的层叠体的特征在于,其是将以环状烯烃聚合物为材料的带通道基板和以环状烯烃聚合物为材料的盖材经由以两种以上环状烯烃聚合物的混合物为材料的接合剂接合而成的层叠体,作为接合剂的材料的环状烯烃聚合物的混合物的玻璃化转变温度比作为带通道基板的材料的环状烯烃聚合物的玻璃化转变温度和作为盖材的材料的环状烯烃聚合物的玻璃化转变温度这两者低20℃以上,并且为68℃以上且138℃以下。
Description
技术领域
本发明涉及一种层叠体及其制造方法。
背景技术
近年来,利用微细加工技术而形成了微米级的微小通道、反应容器的芯片(微流控芯片)被用于DNA、RNA、蛋白质等生物体物质的分析和检验、新药研发和制药开发、有机合成、水质分析等各种领域。
此外,作为微流控芯片,能够以低成本制造的树脂制的微流控芯片受到关注。
而且,树脂制的微流控芯片是通过使接合剂隔在至少一个表面形成了微细通道的树脂制的基板与作为覆盖材料的树脂制的盖材之间而使它们接合来制造的。在专利文献1中记载了如下内容:在形成了通道的基板和在通道的边缘形成有突起形状的部位的盖材中,在基板和盖材中的任一者上形成有用于接合剂排气的槽,将该基板与该盖材经由接合剂接合,由此制造树脂制的微流控芯片。在专利文献2中记载了如下内容:将具有与通道对应的槽部的基板与具有与槽部对应的凸部的盖材经由被选择性地涂敷在除通道形成部分以外的部分的接合剂接合,由此制造树脂制的微流控芯片。在专利文献3中记载了如下内容:将形成了通道的基板与成为盖材的塑料膜经由接合剂接合,进一步将基板与塑料膜进行热熔接而补强,由此制造树脂制的微流控芯片。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利第4752364号公报;
专利文献2:日本特开2015-064321号公报;
专利文献3:日本特开2008-157644号公报。
发明内容
发明要解决的问题
使用透明且低自体荧光性的环状烯烃聚合物作为基板的材料而制作的微流控芯片由于抑制了由基板带来的光学上的影响,因此对于以低噪声对通道内对象物进行光学分析是有用的。在这样的微流控芯片中,以往为了增强基板彼此的接合性,使用了除环状烯烃聚合物以外的接合剂,在这样的微流控芯片中,会产生由接合剂材料的自体荧光导致的光信号检测时的噪声的问题。因此,如果能够通过使用环状烯烃聚合物作为接合剂材料来制造全部构件都是由环状烯烃聚合物构成的微流控芯片,则可期待能够以更低的噪声进行微流控芯片的光学分析。
在这样的微流控芯片中,如果使用大量的接合剂,则虽然接合强度会提高,但会产生由接合部的凹凸不均导致的外观变差,容易产生来自通道的液体泄漏风险。另一方面,如果使用少量的接合剂,则由于接合强度降低,会产生由接合部的浮起导致的外观变差,容易产生来自通道的液体泄漏风险。因此,需要即使使用环状烯烃聚合物作为微流控芯片整体的材料,也在维持接合强度的同时、呈现良好的外观、抑制了来自通道的液体泄漏风险的微流控芯片。
因此,本发明的目的在于提供一种层叠体及其制造方法,上述层叠体即使使用环状烯烃聚合物作为微流控芯片整体的材料,也能够用作在维持接合强度的同时、呈现良好的外观、抑制了来自通道的液体泄漏风险的微流控芯片。
用于解决问题的方案
本发明人为了解决上述问题进行了深入研究,结果发现,使用下述规定的环状烯烃聚合物的混合物作为接合剂的材料,并且,将接合剂以成为规定范围的平均粗糙度的方式层叠并贴合,由此能够得到能够用作在维持接合强度的同时、呈现良好的外观、抑制了来自通道的液体泄漏风险的微流控芯片的层叠体,从而完成了本发明,其中,上述规定的环状烯烃聚合物的混合物为两种以上的环状烯烃聚合物的混合物,具有规定的温度范围的玻璃化转变温度,且该玻璃化转变温度与作为带通道基板和盖材的材料的环状烯烃聚合物的玻璃化转变温度的温度差在规定范围内。
因此,根据本发明,可提供下述所示的层叠体及其制造方法。
[1]一种层叠体,其特征在于,其是将以环状烯烃聚合物为材料的带通道基板和以环状烯烃聚合物为材料的盖材经由以两种以上环状烯烃聚合物的混合物为材料的接合剂接合而成的层叠体,作为接合剂的材料的环状烯烃聚合物的混合物的玻璃化转变温度比作为带通道基板的材料的环状烯烃聚合物的玻璃化转变温度和作为盖材的材料的环状烯烃聚合物的玻璃化转变温度这两者低20℃以上,并且为68℃以上且138℃以下。
[2]一种层叠体的制造方法,其特征在于,上述层叠体是上述[1]所述的层叠体,
上述制造方法包括以下工序:
将接合剂以成为平均粗糙度Ra为0.05μm以上且0.80μm以下的范围的凹凸形状的方式选择性地层叠于带通道基板的接合面或盖材的接合面、或者这两者的规定区域的工序;以及
将带通道基板与盖材经由层叠后的接合剂接合的工序。
[3]根据上述[2]所述的制造方法,其特征在于,在层叠接合剂的工序中,通过丝网印刷将接合剂层叠于带通道基板的一个面或盖材的一个面、或者这两者。
发明效果
根据本发明,能够提供一种层叠体及其制造方法,上述层叠体能够用作在维持接合强度的同时、呈现良好的外观、抑制了来自通道的液体泄漏风险的微流控芯片。
附图说明
图1a是示出呈现良好的外观、抑制了来自通道的液体泄漏风险的本发明的层叠体(微流控芯片)的外观例的照片。图1b是示出存在外观差、从通道发生液体泄漏的情况的成为不合格品的层叠体(微流控芯片)的外观例的照片。
图2a示出带通道基板的设计图的例子。图2b示出盖材的设计图的例子。
图3是示出本发明的层叠体的制造方法的例子的示意图。
图4是用于说明接合剂的平均粗糙度Ra对层叠体造成的影响的概念图,图4a示出Ra过高的情况,图4b示出Ra适当的情况,图4c示出Ra不足的情况。
图5a示出接合强度测定中使用的接合强度测定用接合体20的侧视图(上)和俯视图(下)。图5b示出接合强度测定的示意图。
具体实施方式
以下,对本发明的实施方式进行详细说明。
(层叠体)
本发明的层叠体的特征在于,其是将以环状烯烃聚合物为材料的带通道基板和以环状烯烃聚合物为材料的盖材经由以两种以上环状烯烃聚合物的混合物为材料的接合剂接合的层叠体,作为接合剂的材料的环状烯烃聚合物的混合物的玻璃化转变温度比作为带通道基板的材料的环状烯烃聚合物的玻璃化转变温度和作为盖材的材料的环状烯烃聚合物的玻璃化转变温度这两者低20℃以上,并且为68℃以上且138℃以下。
本发明的层叠体能够用作微流控芯片,特别是能够用作适于DNA、RNA、蛋白质等生物体物质的光学分析的微流控芯片。此外,本发明的层叠体由于使用透明且低自体荧光性的环状烯烃聚合物作为整体的材料,因此适于光学分析。进而,本发明的层叠体由于具有上述特征,因此能够用作在维持接合强度的同时、呈现良好的外观、抑制了来自通道的液体泄漏风险的微流控芯片。这样的外观的例子示于图1a。以下,对本发明的层叠体的各构成要素进行说明。
在本发明中,玻璃化转变温度能够基于JIS-K7121以差示扫描量热分析法(DSC)进行测定。
<带通道基板>
作为带通道基板,能够使用在至少一个表面形成微细通道并任意地具有用于样品等的注入或排出的、通道与外部导通的贯通孔(注入/排出贯通孔)的环状烯烃聚合物制的基板。此外,带通道基板也可以任意地具有其它凹凸部或贯通孔。作为其它凹凸部或贯通孔,可举出例如在接合时用于定位的嵌合用凹凸部或贯通孔(定位销)、脱模时在顶销(ejector pin)位置产生的凹凸部等。而且,通道基板将形成有微细通道的面作为接合面与盖材接合。
在此,微细通道的宽度、深度和形状能够根据微流控芯片的用途适当地进行变更,通常为毫米级以下,也可以为纳米级,优选为微米级。具体而言,微细通道的宽度没有特别限定,能够为例如10μm以上且800μm以下。
而且,对环状烯烃聚合物制的基板形成微细通道、注入/排出贯通孔、和/或其它凹凸部或贯通孔能够使用例如光刻、热压印等微细加工技术、切削、注射成型(与基板成型一体化的注射成型)等来进行。此外,通道、注入/排出贯通孔、和/或其它凹凸部或贯通孔的形成能够在接合剂的层叠前后适当进行。
<盖材>
作为盖材,能够使用能够盖住形成于带通道基板的微细通道的任意的环状烯烃聚合物制的基板。具体而言,作为盖材,能够使用具有能够盖住带通道基板的平滑面、任意地具有在与带通道基板一起形成微流控芯片层叠体时用于样品等的注入或排出而使带通道基板的通道与外部导通的贯通孔(注入/排出贯通孔)的基板。此外,盖材也可以任意地具有其它凹凸部或贯通孔。作为其它凹凸部或贯通孔,可举出例如定位销、顶销位置的凹凸部等。而且,盖材将平滑面侧作为接合面与通道基板接合。另外,作为盖材,也可以使用在接合于带通道基板的平滑面侧的相反侧的面形成有微细通道的基板。
另外,对环状烯烃聚合物制的基板形成注入/排出贯通孔、和/或其它凹凸部或贯通孔能够使用例如光刻、热压印等微细加工技术、切削、注射成型(与基板成型一体化的注射成型)等来进行。此外,注入/排出贯通孔、和/或其它凹凸部或贯通孔的形成能够在接合剂的层叠前后适当进行。
<接合剂>
接合剂是隔在带通道基板与盖材之间、将带通道基板与盖材接合的材料。作为接合剂,从抑制由自体荧光导致的光信号检测时的噪声的观点出发,可使用环状烯烃聚合物。此外,作为接合剂,从如后述那样地能够容易地将接合剂的玻璃化转变温度(Tg)调节到期望的范围内的观点出发,可使用两种以上的环状烯烃聚合物的混合物(以下称为“环状烯烃聚合物混合物”)。作为环状烯烃聚合物混合物的成分的环状烯烃聚合物的种类没有特别限定,可举出例如以下示例的环状烯烃聚合物。
<<接合剂的玻璃化转变温度>>
作为接合剂的材料的环状烯烃聚合物混合物的玻璃化转变温度(以下简称为“接合剂的玻璃化转变温度”)是指在基于JIS-K7121以差示扫描量热分析法(DSC)进行测定时能够由DSC曲线的拐点的温度求出的温度,在拐点为一个的情况下是指该拐点的温度,在拐点为多个的情况下是指它们中的最高的拐点的温度。接合剂的玻璃化转变温度比构成带通道基板的环状烯烃聚合物的玻璃化转变温度(以下简称为“带通道基板的玻璃化转变温度”)和构成盖材的环状烯烃聚合物的玻璃化转变温度(以下简称为“盖材的玻璃化转变温度”)这两者低20℃以上,优选低30℃以上,更优选低50℃以上。通过使接合剂的玻璃化转变温度满足上述的关系,在层叠体的制造中,如果在比接合剂的玻璃化转变温度高且比带通道基板和盖材的玻璃化转变温度这两者低的温度进行带通道基板与盖材的接合,则能够不使带通道基板和盖材软化、变形、变质而仅使接合剂软化,能够进行利用热熔接的接合。
进而,接合剂的玻璃化转变温度为68℃以上,优选为80℃以上,更优选为100℃以上,为138℃以下,优选为130℃以下,更优选为125℃以下。通过使接合剂的玻璃化转变温度为上述下限以上,接合层的温度稳定性变得良好。通过使接合剂的玻璃化转变温度为上述上限以下,在微流控芯片的制造中,容易进行用于仅使接合层软化的加热温度设定。
环状烯烃聚合物混合物的玻璃化转变温度能够根据作为成分的各环状烯烃聚合物的玻璃化转变温度和配合率等来适当调节。例如,能够以适当调节的配合比将玻璃化转变温度为58℃以上且78℃以下的环状烯烃聚合物与玻璃化转变温度为128℃以上且148℃以下的环状烯烃聚合物混合来制作环状烯烃聚合物混合物,由此将环状烯烃聚合物混合物的玻璃化转变温度调节到上述的范围内的温度。单一环状烯烃聚合物要求性能稳定性、熔融加工时的稳定性、成型精度的提高,通常被设计为规定的玻璃化转变温度范围。因此,在使用单一环状烯烃聚合物的情况下,必须将实施接合等加工时的温度范围调节到对象的环状烯烃聚合物的玻璃化转变温度范围,限制变大时,通过混合使用两种以上的环状烯烃聚合物,能够将环状烯烃聚合物混合物调节到期望的玻璃化转变温度范围,能够设计优选的接合温度。此外,在上述玻璃化转变温度的测定方法中,环状烯烃聚合物混合物的DSC曲线可以具有单一拐点,也可以具有多个拐点,但从抑制由加热时的相分离导致的接合强度和外观变差的观点出发,优选具有单一拐点。
<<接合剂的层叠方式>>
从使接合强度和外观良好并抑制通道部分的光学特性的变动的观点出发,接合剂优选选择性地层叠于通道、注入/排出贯通孔、及其它凹凸部或除贯通孔以外的部分整体。
层叠后的接合剂的厚度(在将接合剂层叠于带通道基板的接合面和盖材的接合面这两者的情况下,为它们的合计的厚度)可以为例如50μm以下,优选为40μm以下,更优选为10μm以下,进一步优选为5μm以下。层叠后的接合剂的厚度越薄,则接合剂成为越薄的膜,因此抑制微流控芯片层叠时的接合剂向通道内的溢出、进行层叠体的蒸气灭菌处理时的通道变形。此外,层叠后的接合剂的厚度只要是能够确保带通道基板与盖材的黏合性的最低限度的厚度即可,可以为例如0.1μm以上,优选为0.12μm以上,更优选为0.15μm以上,进一步优选为0.2μm以上。
层叠后的接合剂的厚度相对于通道的深度的比可以为例如0.1/100以上,优选为0.12/100以上,更优选为0.15/100以上,进一步优选为0.2/100以上。此外,层叠后的接合剂的厚度相对于通道的深度的比也可以为例如50/100以下,优选为30/100以下,更优选为20/100以下,进一步优选为10/100以下。
<带通道基板、盖材、接合剂的材料>
作为带通道基板、盖材、接合剂的材料,可使用环状烯烃聚合物。环状烯烃聚合物由于吸湿所导致的接合强度随时间的降低和光学稳定性的降低少,因此适于耐久性优异的微流控芯片。此外,环状烯烃聚合物由于为透明且低自体荧光性的材料,因此适于来自微流控芯片的微细通道的光信号检测。通过使微流控芯片的全部材料为环状烯烃聚合物且不使用自体荧光性材料那样的黏合性材料,能够抑制黏合性材料的自体荧光所导致的光信号检测时的噪声。用作带通道基板、盖材、接合剂的材料的环状烯烃聚合物满足上述的玻璃化转变温度的关系。通过满足这样的玻璃化转变温度的关系,即使使微流控芯片的全部材料为环状烯烃聚合物,也能够得到在维持带通道基板与盖材的接合强度的同时、呈现良好的外观、抑制了来自通道的液体泄漏风险的微流控芯片层叠体。用作带通道基板、盖材、接合剂的材料的环状烯烃聚合物的种类例如可以从后述的具体例中适当选择满足该玻璃化转变温度的关系的环状烯烃聚合物。用作带通道基板、盖材、接合剂的材料的环状烯烃聚合物优选吸水率为0.01质量%以下的环状烯烃聚合物。用作带通道基板、盖材的材料的环状烯烃聚合物的种类可以相同也可以不同。
<<环状烯烃聚合物的种类>>
环状烯烃聚合物是例如将后述那样的单体聚合而得到的聚合物或共聚物(以下有时统称为“聚合物”)或者它们的氢化物。环状烯烃聚合物可以为结晶性也可以为非结晶性,优选为非结晶性。作为环状烯烃聚合物的单体,可优选举出降冰片烯系单体。降冰片烯系单体是包含降冰片烯环的单体。作为降冰片烯系单体,可举出例如:双环[2.2.1]庚-2-烯(常用名:降冰片烯)、5-亚乙基-双环[2.2.1]庚-2-烯(常用名:亚乙基降冰片烯)和它们的衍生物(在环上具有取代基的降冰片烯系单体)等双环式单体;三环[5.2.1.02,6]癸-3,8-二烯(常用名:双环戊二烯)及其衍生物等三环式单体;四环[7.4.0.02,7.110,13]十四碳-2,4,6,11-四烯(常用名:甲桥四氢芴)、四环[6.2.1.13,6.02,7]十二碳-4-烯(常用名:四环十二碳烯)、9-亚乙基四环[6.2.1.13,6.02,7]十二碳-4-烯和它们的衍生物等四环式单体等。这些单体可以在任意的位置具有取代基。作为取代基,能够示例烷基、亚烷基(alkylene)、乙烯基、烷氧基羰基、亚烷基(alkylidene group)等,上述降冰片烯系单体可以具有两种以上的上述取代基。作为衍生物,具体而言,可举出8-甲氧基羰基-四环[4.4.0.12,5.17,10]十二碳-3-烯、8-甲基-8-甲氧基羰基-四环[4.4.0.12,5.17,10]十二碳-3-烯、8-亚乙基-四环[4.4.0.12 ,5.17,10]十二碳-3-烯(亚乙基四环十二碳烯,ETD)等。这些降冰片烯系单体可以分别单独使用或组合使用两种以上。此外,环状烯烃聚合物可以是加成聚合物,也可以是开环聚合物,还可以是它们的氢化物,优选开环聚合物或开环聚合物氢化物。用作基板(带通道基板、盖材)的材料的环状烯烃聚合物优选将甲桥四氢芴(MTF)的含量相对于100质量份的单体的合计为25重量份以上的单体聚合而得到的聚合物。用作接合剂的材料的环状烯烃聚合物混合物优选至少包含将双环戊二烯(DCPD)的含量相对于100重量份的单体的合计为30重量份以上的单体聚合而得到的环状烯烃聚合物。
上述的开环聚合物能够通过使用开环聚合催化剂的方法来制造。作为开环聚合催化剂,能够使用例如:由钌、锇等金属的卤化物和硝酸盐或乙酰丙酮化合物、以及还原剂形成的催化剂;或者由钛、锆、钨、钼等金属的卤化物或乙酰丙酮化合物和有机铝化合物形成的催化剂。开环聚合物能够通过例如使用国际公开第2010/110323号中记载的钌卡宾络合物催化剂等易位反应催化剂(开环聚合催化剂)的方法、以及使用日本特开2015-54885号公报中记载的钨(苯基酰亚胺)四氯化物-四氢呋喃络合物、六氯化钨等开环聚合催化剂的方法等来制造。
上述的加成聚合物能够使用公知的加成聚合催化剂、例如由钛、锆或钒化合物和有机铝化合物形成的催化剂将单体聚合而得到。加成聚合物能够通过例如在国际公开第2017/199980号中记载的茂金属催化剂的存在下将环状烯烃聚合物的单体以及根据需要能够进行加成共聚的单体(其它单体)进行加成共聚来制造。
作为能够与降冰片烯系单体进行开环共聚的其它单体,能够举出环己烯、环庚烯、环辛烯等单环的环状烯烃系单体等。
这些能够与降冰片烯系单体进行开环共聚的其它单体能够分别单独使用或组合使用两种以上。在将降冰片烯系单体和能够与其进行开环共聚的其它单体进行开环共聚的情况下,开环聚合物中的来自降冰片烯系单体的结构单元与来自能够进行开环共聚的其它单体的结构单元的比例可适当选择以使得以重量比计通常在70∶30~99∶1的范围、优选在80∶20~99∶1的范围、更优选在90∶10~99∶1的范围。
作为能够与降冰片烯系单体进行加成共聚的其它单体,可举出例如:乙烯、丙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯等碳原子数为2~20的α-烯烃和它们的衍生物;环丁烯、环戊烯、环己烯、环辛烯、3a,5,6,7a-四氢-4,7-甲桥-1H-茚等环烯烃和它们的衍生物;1,4-己二烯、4-甲基-1,4-己二烯、5-甲基-1,4-己二烯、1,7-辛二烯等非共轭二烯等。在这些之中,优选α-烯烃,特别优选乙烯。
这些能够与降冰片烯系单体进行加成共聚的其它单体能够分别单独使用或组合使用两种以上。在将降冰片烯系单体和能够与其进行加成共聚的其它单体进行加成共聚的情况下,加成聚合物中的来自降冰片烯系单体的结构单元与来自能够进行加成共聚的其它单体的结构单元的比例可适当选择以使得以重量比计通常在30∶70~99∶1的范围、优选在50∶50~97∶3的范围、更优选在70∶30~95∶5的范围。
进而,作为将开环聚合物氢化来制造含脂环式结构开环聚合物氢化物的方法,可举出例如使用国际公开第2010/110323号中记载的氢化催化剂的方法等。此外,例如,在使用上述钌卡宾络合物催化剂作为开环聚合催化剂来制造含脂环式结构聚合物之后,也能够直接使用该钌卡宾催化剂作为氢化催化剂,将含脂环式结构开环聚合物氢化来制造含脂环式结构开环聚合物氢化物。
环状烯烃聚合物的玻璃化转变温度(Tg)能够根据聚合所使用单体的种类和配合率、聚合物的平均分子量和分子量分布等来适当调节。
在本发明的层叠体中,带通道基板、盖材和接合剂中的至少一者可以由Tg不同的两层以上(其中,任一者的Tg均满足上述关系)构成。
(层叠体的制造方法)
本发明的层叠体能够通过例如下述说明的制造方法(以下称为“本发明的制造方法”)来制造。
本发明的制造方法的特征在于包括以下工序:
将接合剂以成为平均粗糙度Ra为0.05μm以上且0.80μm以下的范围的凹凸形状的方式选择性地层叠于带通道基板的接合面或盖材的接合面、或者这两者的规定区域的工序;以及
将带通道基板与盖材经由层叠后的接合剂接合的工序。
此外,本发明的制造方法还可以包括其它工序。在本发明的制造方法中,作为带通道基板、盖材和接合剂,能够使用上述的带通道基板、盖材和接合剂。本发明的制造方法由于具有上述特征,因此能够制造能够用作在维持接合强度的同时、呈现良好的外观、抑制了来自通道的液体泄漏风险的微流控芯片的层叠体。以下,对本发明的制造方法的各工序进行说明。
<接合剂层叠工序>
在接合剂层叠工序中,接合剂选择性地层叠于带通道基板的接合面或盖材的接合面、或者这两者的规定区域。“选择性地层叠于规定区域”是指,层叠于规定区域的整体且不层叠于除规定区域以外的区域。“规定区域”是指例如从带通道基板或盖材的接合面中除去凹部(例如通道、定位销、顶销位置)、凸部(例如定位销)、贯通部(例如贯通孔)以及接合时与上述各部相对的区域以外的连续区域。通过将接合剂选择性地层叠于规定区域,能够抑制由接合剂引起的通道上的光学特性的变动和接合不均产生所导致的外观变差和来自通道的液体泄漏风险。
层叠后的接合剂的平均粗糙度Ra为0.05μm以上,优选为0.1μm以上,更优选为0.2μm以上,为0.80μm以下,优选为0.6μm以下,更优选为0.4μm以下。当接合剂的平均粗糙度Ra大于上述上限时,接合剂的涂敷量过量,由此容易产生由接合部的凹凸不均导致的外观变差,容易产生来自通道的液体泄漏风险(图4a的概念图)。此外,当接合剂的平均粗糙度Ra小于上述下限时,接合剂的涂敷量不足,接合强度容易降低,产生由接合部的浮起导致的外观变差,容易产生来自通道的液体泄漏风险(图4c的概念图)。另一方面,当接合剂的平均粗糙度Ra在上述范围内时,接合剂的涂敷量适当,接合强度良好,并且呈现接合部的凹凸不均和浮起被抑制的良好的外观,液体泄漏风险被抑制(图4b的概念图)。接合剂的平均粗糙度Ra例如能够通过实施例中记载的方法来测定。
接合剂的层叠工序能够通过例如将溶解于溶剂的接合剂选择性地涂敷于规定区域并使溶剂蒸发来进行。在本说明书中,“溶解”也包含“分散”,“溶剂”也包含“分散介质”。
<<接合剂的溶解>>
接合剂可以溶解于溶剂,以使得利用涂敷进行的层叠变得容易。溶剂只要是溶解作为接合剂的材料的环状烯烃聚合物混合物并且容易通过蒸发进行溶剂除去的溶剂,则没有特别限定。作为这样的溶剂,可举出例如环己烷、四氢呋喃、甲苯、二甲苯、十氢化萘、甲基环己烷、乙基环己烷等有机溶剂,也可以作为混合溶剂使用。从能够将接合剂的平均粗糙度Ra调节到上述范围内的观点出发,接合剂的溶解浓度(接合剂相对于接合剂与溶剂的合计量的wt%)可以为例如1.0wt%以上,优选为5.0wt%以上,更优选为10.0wt%以上,可以为例如40.0wt%以下,优选为30.0wt%以下,更优选为20.0wt%以下。当接合剂的溶解浓度变得大于上述上限时,接合剂的涂敷量过量,由此接合剂的平均粗糙度Ra容易变得过大,容易产生由接合部的凹凸不均导致的外观变差,容易产生来自通道的液体泄漏风险。当接合剂的溶解浓度变得小于上述下限时,接合剂的涂敷量不足,由此接合剂的平均粗糙度Ra容易变得过小,接合强度容易下降,产生由接合部的浮起导致的外观变差,容易产生来自通道的液体泄漏风险。
<<接合剂的涂敷>>
接合剂选择性地涂敷于规定区域。涂敷方法只要是能够进行图案涂敷的方法则没有限定,可举出例如丝网印刷、迈耶棒(Mayer Bar)涂覆、遮盖并用喷雾涂敷,从能够将接合剂的平均粗糙度Ra调节到上述范围内的观点出发,优选丝网印刷。
在通过丝网印刷来进行接合剂的涂敷的情况下,作为能够将接合剂的平均粗糙度Ra调节到上述范围内的条件,筛网的目数(每英寸(25.4mm)的目数)可以为例如100以上,优选为200以上,更优选为250以上,可以为例如1000以下,优选为800以下,更优选为650以下。如果目数为上述下限以上,则能够抑制涂敷量过少、接合强度降低。此外,如果目数为上述上限以下,则能够使涂敷量不会过量、且由网孔引起的凹凸也不会过度变大。
此外,筛网的线径可以为例如1μm以上,优选为10μm以上,更优选为15μm以上,也可以为例如200μm以下,优选为100μm以下,更优选为50μm以下。如果线径为上述下限以上,则能够维持充分的涂敷量和良好的流平。此外,如果线径为上述上限以下,则能够抑制涂敷量过量。
此外,作为筛网的材质,可举出例如金属制(例如不锈钢制)、合成纤维制(例如尼龙制、聚酯制)、天然纤维制(例如丝绸制),从能够将Ra均匀地调节到期望范围内的观点出发,优选作为高强度材质的金属制。此外,为了提高在金属表面的转印性,也可以适当实施氟涂覆。
<<溶剂的蒸发除去>>
在接合剂溶解于溶剂的情况下,在涂敷接合剂后,溶剂被蒸发除去。溶剂的蒸发可以通过例如在比作为接合剂的材料的环状烯烃聚合物混合物的玻璃化转变温度低的温度时的干燥(例如加热干燥、室温干燥)、加热真空(减压)干燥或它们的组合来进行。
<带通道基板与盖材的接合工序>
带通道基板与盖材的接合工序可以通过例如经由接合剂的热熔接来进行。热熔接通过如下方式进行:将带通道基板与盖材经由接合剂重合,形成临时固定接合体,在比接合剂的玻璃化转变温度高且比带通道基板的玻璃化转变温度和盖材的玻璃化转变温度低的温度将临时固定接合体加热。作为进行热熔接的方式,可举出例如高压釜、热压机、辊压机等。进行热熔接的温度优选为接合剂的玻璃化转变温度+5℃以上,更优选为接合剂的玻璃化转变温度+10℃以上。此外,进行热熔接的温度优选为接合剂的玻璃化转变温度+50℃以下,更优选为接合剂的玻璃化转变温度+40℃以下。进而,从防止带通道基板和盖材变形的观点出发,进行热熔接的温度优选为带通道基板的玻璃化转变温度和盖材的玻璃化转变温度中的最低温度-5℃以下,更优选为带通道基板的玻璃化转变温度和盖材的玻璃化转变温度中的最低温度-10℃以下。为了防止气泡混入,可以一边进行减压、真空脱气一边实施热熔接。
<其它工序>
作为本发明的制造方法还可以包含的其它工序,可举出:在接合剂的层叠工序之前在基板的至少一个表面形成微细通道、贯通孔(注入/排出贯通孔)、和/或其它凹凸部或贯通孔而形成带通道基板的工序;在接合剂的层叠工序之前在盖材形成贯通孔(注入/排出贯通孔)、和/或其它凹凸部或贯通孔的工序;在内部包埋、设置药物、电极等的工序等。
<本发明的制造方法的例子>
本发明的制造方法的例子示于图3的示意图。图3的(1)示出在基板的接合面形成通道14而形成带通道基板11的工序。通道14的形成能够通过例如切削或注射成型来进行。图3的(2)示出将接合剂13选择性地层叠(涂敷)于带通道基板11的通道等形成面的规定区域(图案)的工序。该示意图示出该工序通过丝网印刷来进行。图3的(3)示出将盖材12重叠于层叠(涂敷)了接合剂13的带通道基板11并进行加热加压而接合的工序。图3的(4)示出经由上述的工序得到的层叠体10(微流控芯片)的成品。
实施例
以下,基于实施例对本发明进行具体说明,但本发明不限定于这些实施例。
<物性的测定和评价方法>
各种的物性的测定和评价按照下述的方法来进行。
(重均分子量Mw的测定方法)
重均分子量Mw通过将环己烷作为洗脱液的凝胶渗透色谱(GPC)进行测定,作为标准聚异戊二烯换算值求出。作为标准聚异戊二烯,使用东曹株式会社制的标准聚异戊二烯。在样品不溶于环己烷的情况下,将四氢呋喃(THF)作为洗脱液,通过GPC进行测定,作为标准聚苯乙烯换算值求出。作为标准聚苯乙烯,使用东曹株式会社制的标准聚苯乙烯。
(玻璃化转变温度测定方法)
玻璃化转变温度(Tg)使用差示扫描量热测定机(日立株式会社制DCS7000X)基于JIS-K7121以升温速度10℃/分钟进行测定,由DSC曲线的拐点的温度求出玻璃化转变温度。
(表面粗糙度)
对于丝网涂覆后的基板的表面,按照JIS B 0601:2013使用接触式表面粗糙度仪(小坂研究所株式会社制Surfcorder SE300)求出基板表面的算术平均粗糙度Ra。
(表面观察)
使用Lasertec株式会社制的激光显微镜OPTELICS MC-2000,用5倍物镜以反射模式观察接合后的芯片。(观察例示于图1a、b的“外观例”)。已接合的部分被观察为黑色,通道部分等未接合的部分被观察为白色。如图1a的外观例那样,将除通道和贯通孔图案部以外被观察为黑色的情况作为接合良好(OK)。另一方面,由于接合不良部稍微浮起,因此被观察为接近白色的颜色。如图1b的外观例那样,将除通道和贯通孔图案部以外有被观察为白色的部分的情况作为接合不良(NG)。
(接合强度)
按照后述的制造方法,制作如图5a所示的那样的接合强度测定用接合体20,如图5b所示,将接合强度测定用接合体20设置于材料试验机40的两个支点41上,从上方用压入治具42压入接合强度测定用接合体20的中央部(重叠部22),由此进行三点弯曲压入试验。在万能材料试验机(Instron5582,英斯特朗公司制)中使用拉伸压缩载荷传感器(容量±100kN),设置三点弯曲治具,以支点间距离38mm、压入速度10mm/分钟压入,求出断裂时的强度(接合强度)。
[1.环状烯烃聚合物(COP)的制造]
<COP-1的制造>
(1-1)开环聚合物的制造:
在内部进行了氮置换的玻璃制反应容器中,在室温将相对于100质量份的后述的单体的合计为200重量份的脱水后的环己烷、0.75mol%的1-己烯、0.15mol%的二异丙醚和0.44mol%的三异丁基铝加入到反应器中并进行混合。之后,一边保持在45℃一边在反应器中历经2小时同时连续地添加作为单体的28重量份的甲桥四氢芴(MTF)、35重量份的四环十二碳烯(TCD)和37重量份的双环戊二烯(DCPD)、以及0.02mol%的六氯化钨(0.65重量%甲苯溶液),进行聚合。接着,在聚合溶液中加入0.2mol%的异丙醇,使聚合催化剂失活,终止聚合反应。在上述的说明中,单位“mol%”所表示的量均是将单体的合计量作为100mol%的值。得到的降冰片烯系开环聚合物的重均分子量(Mw)为2.8×104,数均分子量(Mn)为1.3×104,分子量分布(Mw/Mn)为2.1。此外,单体向聚合物的转化率为100%。
(1-2)通过氢化的降冰片烯系环状烯烃聚合物(COP-1)的制造:
接着,将300重量份的包含上述的工序(1-1)中得到的开环聚合物的反应溶液移至带搅拌器的高压釜,添加3重量份的硅藻土负载镍催化剂(日挥化学株式会社制“T8400RL”,镍负载率57%),以氢压4.5Mpa、160℃在高压釜中进行4小时氢化反应。
在氢化反应结束后,将RADIOLITE#500作为过滤床,以压强0.25MPa对得到的溶液进行加压过滤(石川岛播磨重工株式会社制“FUNDABAC Filter”),除去氢化催化剂,得到无色透明的溶液。将得到的溶液注入到大量的异丙醇中,使作为开环聚合物的氢化物的降冰片烯系环状烯烃聚合物(COP-1)沉淀。在过滤取得沉淀后的降冰片烯系环状烯烃聚合物(COP-1)之后,用真空干燥机(220℃,1Torr)干燥6小时,得到降冰片烯系环状烯烃聚合物(COP-1)。降冰片烯系环状烯烃聚合物(COP-1)的重均分子量(Mw)为3.3×104,数均分子量(Mn)为1.5×104,分子量分布(Mw/Mn)为2.2。
得到的降冰片烯系环状烯烃聚合物(COP-1)的玻璃化转变温度Tg为136℃。
将上述的工序(1-2)中得到的降冰片烯系环状烯烃聚合物(COP-1)投入到双轴挤出机中,通过热熔融挤出成型而成型为股状的成型体。使用线料切割机将该成型体切碎,得到包含降冰片烯系环状烯烃聚合物(COP-1)的热塑性降冰片烯系树脂的粒料。
<COP-2的制造>
作为单体,使用60重量份的甲桥四氢芴(MTF)和40重量份的四环十二碳烯(TCD),除此以外,与COP-1的制造同样地进行,得到降冰片烯系环状烯烃聚合物(COP-2)和包含COP-2的热塑性降冰片烯系树脂的粒料。氢化得到的COP-2的重均分子量(Mw)为3.2×104,数均分子量(Mn)为1.9×104,分子量分布(Mw/Mn)为1.7,玻璃化转变温度Tg为163℃。
<COP-3的制造>
作为单体,使用31重量份的四环十二碳烯(TCD)、33重量份的双环戊二烯(DCPD)和36重量份的降冰片烯(NB),除此以外,与COP-1的制造同样地进行,得到降冰片烯系环状烯烃聚合物(COP-3)和包含COP-3的热塑性降冰片烯系树脂的粒料。氢化得到的COP-3的重均分子量(Mw)为4.1×104,数均分子量(Mn)为1.3×104,分子量分布(Mw/Mn)为3.2,玻璃化转变温度Tg为68℃。
<COP-4的制造>
作为单体,使用100重量份的亚乙基四环十二碳烯(ETD),除此以外,与COP-1的制造同样地进行,得到降冰片烯系环状烯烃聚合物(COP-4)和包含COP-4的热塑性降冰片烯系树脂的粒料。氢化得到的COP-4的重均分子量(Mw)为4.0×104,数均分子量(Mn)为1.9×104,分子量分布(Mw/Mn)为2.1,玻璃化转变温度Tg为138℃。
[2.接合强度测定用试验板和盖材的制造]
在注射成型机(发那科公司制ROBOSHOT S2000i100A)上安装2mm厚×25mm×75mm(四角以R2.0mm被制成圆形)的模具,在COP-1的情况下,使模具温度为80℃、使料筒温度为270℃,在COP-2的情况下,使模具温度为100℃、使料筒温度为290℃,将上述得到的环状烯烃聚合物树脂粒料注射成型,制成接合强度测定用试验板(平滑板)。此外,使用具有图2b所示的注入/排出贯通孔15、定位销16a(凸部)和顶销位置16b的图案的模具,同样地将环状烯烃聚合物树脂粒料注射成型,制成盖材。
[3.带通道基板的制造]
在注射成型机(发那科公司制ROBOSHOT S2000i100A)上安装四根通道图案模具,在COP-1的情况下,使模具温度为80℃、使料筒温度为270℃,在COP-2的情况下,使模具温度为100℃、使料筒温度为290℃,将上述得到的环状烯烃聚合物树脂粒料注射成型,制成具有图2a所示的通道14、通道两端部17、定位销16a(凹部)和顶销位置16b的图案的2mm厚×25mm×75mm(四角以R2.0mm被制成圆形)的带通道基板。
[4.接合层形成用涂覆溶液的制造]
在密闭容器中以表1所示的配合比计量溶剂和上述得到的环状烯烃聚合物树脂粒料,密闭后在25℃用振荡机(MMS-1020;东京理科机械株式会社制)进行100rpm、6小时的振荡,使其溶解。在溶解后进行过滤,回收滤液制成接合层形成用涂覆溶液。采集各接合层形成用涂覆溶液的一部分用于测定玻璃化转变温度Tg,在风干后用真空干燥机(140℃,10Torr)干燥12小时,测定得到的接合剂固形物的玻璃化转变温度Tg。各接合剂的玻璃化转变温度Tg示于表1。
[5.接合剂的层叠]
(5-1.接合剂层叠区域)
为了进行外观评价,将带通道基板的通道形成面的除通道等图案部以外的部分整体作为接合剂层叠区域。为了进行接合强度测定,将从接合强度测定用试验板的单面的短边的端部起至5mm为止的区域整体(重叠部)作为接合剂层叠区域。对带通道基板和接合强度测定用试验板的接合剂层叠区域涂覆接合层形成用涂覆溶液,进行干燥,在该区域形成接合层。在实施例1~4、比较例1中涂覆通过丝网涂覆来进行,在比较例2、3中涂覆通过迈耶棒涂覆来进行。接合层的厚度示于表1。
(5-1-1.丝网涂覆)
在实施例1~4、比较例1中,将以规定图案遮盖的具有表1所示的目数和线径的SUS#500筛网(株式会社SONOCOM制)或尼龙筛网(理想科学工业株式会社制DIGITAL SCREENMASTER)安装于丝网印刷装置(纽朗精密工业(NEWLONG SEIMITSU KOGYO)株式会社制HP-320型),进行丝网涂覆,将接合层形成用涂覆溶液涂覆于板(带通道基板和接合强度测定用试验板)上。将涂覆后的板放入指定温度的烘箱进行干燥,形成接合层。
(5-1-2.迈耶棒涂覆)
在比较例2、3中,在作为对象基材的板(带通道基板和接合强度测定用试验板)上滴加接合层形成用涂覆溶液,用表1所示的指定编号的迈耶棒刮取,进行规定涂敷量的涂覆。将涂覆后的板放入指定温度的烘箱进行干燥,形成接合层。
(5-2.表面粗糙度Ra的测定)
按照上述方法求出形成在带通道基板上的接合层的表面粗糙度Ra。结果示于表1。
[6.通过带通道基板与盖材的接合进行的层叠体的制造]
(6-1.外观评价用层叠体的制造和外观评价)
将形成有接合层的带通道基板与盖材经由接合层在相接的方向上重叠并临时固定,使用真空包装机(日本包装机械株式会社制T100)利用蒸煮用包装材料进行真空包装。将真空包装体放入高压釜(株式会社羽生田铁工所制DANDELION DL-2010),在指定条件下进行加热加压。在高压釜操作结束后冷却至室温取出层叠体,对外观进行评价。结果示于表1。
(6-2.接合强度测定用接合体的制造和接合强度测定)
如图5a所示,将形成有接合层的接合强度测定用试验板21和未进行涂覆的接合强度测定用试验板21在从短边的端部起至5mm为止的重叠部22(接合层形成区域)经由接合剂13在相接的方向上重叠并临时固定,利用蒸煮用包装材料进行真空包装。将真空包装体放入高压釜(株式会社羽生田铁工所制DANDELION DL-2010),在指定条件下进行加热加压。在高压釜操作结束后冷却至室温取出接合强度测定用接合体20,按照上述方法测定接合强度。结果示于表1。
[表1]
表1所示的结果表明,本发明的层叠体良好地维持接合强度,呈现良好的外观。
产业上的可利用性
根据本发明,能够提供一种层叠体及其制造方法,上述层叠体能够用作在维持接合强度的同时、呈现良好的外观、抑制了来自通道的液体泄漏风险的微流控芯片。
附图标记说明
10:层叠体 20:接合强度测定用接合体
11:带通道基板 21:接合强度测定用试验板
12:盖材 22:重叠部
13:接合剂 30:丝网印刷装置
14:通道 31:筛网
15:注入/排出贯通孔 32:刮板
16a:定位销 40:材料试验机
16b:顶销位置 41:支点
17:通道两端部 42:压入治具。
Claims (3)
1.一种层叠体,其特征在于,其是将以环状烯烃聚合物为材料的带通道基板和以环状烯烃聚合物为材料的盖材经由以两种以上环状烯烃聚合物的混合物为材料的接合剂接合而成的层叠体,
作为接合剂的材料的环状烯烃聚合物的混合物的玻璃化转变温度比作为带通道基板的材料的环状烯烃聚合物的玻璃化转变温度和作为盖材的材料的环状烯烃聚合物的玻璃化转变温度这两者低20℃以上,并且为68℃以上且138℃以下。
2.一种层叠体的制造方法,其特征在于,所述层叠体是权利要求1所述的层叠体,
所述制造方法包括以下工序:
将接合剂以成为平均粗糙度Ra为0.05μm以上且0.80μm以下的范围的凹凸形状的方式选择性地层叠于带通道基板的接合面或盖材的接合面、或者这两者的规定区域的工序;以及
将带通道基板与盖材经由层叠后的接合剂接合的工序。
3.根据权利要求2所述的制造方法,其特征在于,在层叠接合剂的工序中,通过丝网印刷将接合剂层叠于带通道基板的一个面或盖材的一个面、或者这两者。
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2022
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WO2023053952A1 (ja) | 2023-04-06 |
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