CN117712232B - 太阳能电池制备方法、太阳能电池及其光伏组件 - Google Patents

Abstract

本申请提供太阳能电池制备方法、太阳能电池及其光伏组件，涉及太阳能发电设备技术领域，该太阳能电池制备方法包括：在硅基体上进行制绒和硼扩散；确定激光掺杂图案；根据所述激光掺杂图案，对所述硅基体的表面进行激光掺杂；采用印刷网版印刷栅线。本申请通过在激光掺杂工序前增加确定激光掺杂图案的步骤，对待扫描的激光线进行设计，根据印刷网版的丝网形变量确定和调整激光线，使得激光线符合通过变形后丝网所制备出的副栅线的形态趋势，可以降低副栅线与激光掺杂区之间的偏差程度，提高副栅线在硅基体表面的投影与激光掺杂区在硅基体表面的投影之间的重叠率，进而提升硅基体与金属电极之间的欧姆接触，提高太阳能电池产品的合格率。

Description

太阳能电池制备方法、太阳能电池及其光伏组件

技术领域

本发明涉及太阳能发电设备技术领域，更具体地，涉及一种太阳能电池制备方法、太阳能电池及其光伏组件。

背景技术

激光掺杂是TOPCon电池制备中的重要工序，其可以在金属电极与硅基体接触部位及其附近形成重掺杂区，减少金属电极与硅基体的接触电阻，而在硅基体上金属电极之间的区域形成低掺杂，降低扩散层的复合，提高电池光电转换效率。然而，印刷网版在多次印刷后会发生形变，导致采用形变的网版印刷制得的栅线和激光掺杂区之间出现较大偏差，影响激光掺杂的效果，导致太阳能电池产品不合格。

发明内容

有鉴于此，本申请提供了一种太阳能电池制备方法、太阳能电池及其光伏组件，旨在改善激光掺杂区和金属电极之间存在较大偏差的问题，提高太阳能电池产品合格率。

第一方面，本申请提供一种太阳能电池制备方法，包括：

在硅基体上进行制绒和硼扩散；其中，所述硅基体包括平行于第一方向的基体中心线、关于所述基体中心线对称设置的第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一方向垂直于所述硅基体的厚度方向；

确定激光掺杂图案；

根据所述激光掺杂图案，对所述硅基体的表面进行激光掺杂；其中，所述激光掺杂图案包括多个激光线，所述激光线包括通过激光扫描而成的多个连续光斑；

采用印刷网版印刷栅线；其中，所述栅线包括多个沿着所述第一方向延伸的副栅线；所述副栅线包括位于所述第一掺杂区的第一子副栅，所述第一子副栅对应所述印刷网版的第一透网孔，所述第一透网孔包括至少三个不重合的标记点；

确定所述激光掺杂图案包括以下步骤：

在所述印刷网版的表面建立直角坐标系，所述第一透网孔的三个标记点的坐标分别记为（x1，y1）、（x2，y2）和（x3，y3）；

测量所述第一透网孔的三个标记点与所述直角坐标系的纵轴、横轴之间的距离，获得x1，x2和x3坐标值以及y1，y2和y3坐标值；

通过所述第一透网孔的三个标记点的坐标（x1，y1）、（x2，y2）和（x3，y3），计算得到所述第一子副栅对应激光线的图形；

根据所述第一掺杂区内的其他副栅线与所述第一子副栅之间的间距L，得到所述第一掺杂区内的其他副栅线对应激光线的图形，其中，L=（M+1）×d，d为相邻所述副栅线之间的预设间距，M为在所述第一掺杂区内的其他副栅线与所述第一子副栅之间的副栅线数量；

所述第一掺杂区内的激光线图形关于所述基体中心线镜像设置，得到所述第二掺杂区内的激光线图形。

可选地，所述激光线的宽度大于所述副栅线的宽度。

可选地，所述栅线还包括沿着第二方向延伸的主栅线，所述第二方向垂直于所述第一方向和所述硅基体的厚度方向；所述主栅线的端部设有鱼叉部，所述鱼叉部呈向外的开口；所述第一掺杂区和所述第二掺杂区均包括子区域，所述子区域内设有所述主栅线的鱼叉部；所述副栅线还包括第二子副栅，所述第二子副栅在所述鱼叉部断开；所述第二子副栅对应的激光线横穿所述鱼叉部。

可选地，所述第二子副栅对应的激光线的激光扫描速度为20-30m/s，激光频率为500-1000KHz，激光功率为50%-100%。

可选地，所述激光线的激光光斑为圆形、矩形或者多边形中的至少一种。

可选地，所述激光线的多个激光光斑均匀分布。

可选地，所述激光线中相邻的所述激光光斑相互交叠。

可选地，所述激光线的宽度为80μm~100μm，所述副栅线的宽度为20μm～30μm。

第二方面，本申请提供一种太阳能电池，采用第一方面所述的太阳能电池制备方法制成。

第三方面，本申请提供一种光伏组件，包括本申请第二方面所述的太阳能电池。

与现有技术相比，本发明提供的太阳能电池及其制造方法、光伏组件，至少实现了如下的有益效果：

太阳能电池的制备过程中，通过在激光掺杂工序前增加确定激光掺杂图案的步骤，对待扫描的激光线进行设计，根据印刷网版的丝网形变量确定和调整激光线，使激光线符合通过变形后丝网所制备出的副栅线的形态趋势，可以降低副栅线与激光掺杂区之间的偏差程度，提高副栅线在硅基体表面的投影与激光线在硅基体表面的投影之间的重叠率，进而提升硅基体与金属电极之间的欧姆接触，提升太阳能电池产品的合格率。

当然，实施本发明的任一产品不必特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。

通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。

图1所示为现有技术中在丝网形变前印刷网版的俯视结构示意图；

图2所示为图1中透网孔的结构放大示意图；

图3所示为现有技术中印刷副栅线的原理示意图；

图4所示为现有技术中激光掺杂区与副栅线的位置关系结构示意图；

图5所示为在丝网发生形变后印刷网版的俯视结构示意图；

图6所示为本申请提供的实施例所提供的太阳能电池制备方法的流程图；

图7所示为本申请提供的实施例中变形后的丝网结构示意图；

图8所示为本申请提供的实施例中太阳能电池的俯视结构示意图；

图9所示为图8中A处的结构放大示意图；

图10所示为图8中B处的结构放大示意图；

图11所示为图8中C处的结构放大示意图；

图12所示为激光线的结构放大示意图。

具体实施方式

现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。

以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。

对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。

在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。

在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在本发明中能进行各种修改和变化，这对于本领域技术人员来说是显而易见的。因而，本发明意在覆盖落入所对应权利要求（要求保护的技术方案）及其等同物范围内的本发明的修改和变化。需要说明的是，本发明实施例所提供的实施方式，在不矛盾的情况下可以相互组合。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

激光掺杂是TOPCon电池制备中的重要工序，其可以在金属电极与硅基体接触部位及其附近形成重掺杂区，减少金属电极与硅基体的接触电阻，而在硅基体上金属电极之间的区域形成低掺杂，降低扩散层的复合，提高电池光电转换效率。

图1所示为在丝网形变前印刷网版的俯视结构示意图，图2所示为图1中透网孔的结构放大示意图，图3所示为印刷副栅线的原理示意图，图4所示为现有技术中激光掺杂区与副栅线的位置关系结构示意图。参见图1至图4，印刷网版01包括相互连接的框架10和丝网20，印刷时在丝网20一端倒入浆料，用刮刀03在丝网20的浆料部位施加一定压力，同时朝丝网20另一端移动，从而使浆料在移动中被刮板从透网孔21中挤压到硅基体02上，透过透网孔21的浆料在经后续烧结等工序后成为副栅线04。在印刷过程中，丝网20受到刮刀03作用力发生形变，当作用力消失后，丝网20能够回弹恢复形状；然而，在多次印刷后最终会导致丝网20发生永久形变。参见图4，此时，采用这样的印刷网版01印刷制得的副栅线04会偏离了原预设位置，而现有技术在激光掺杂工序依旧沿用副栅线04的原预设位置和形态进行激光扫描，容易造成激光掺杂区30和副栅线04之间出现较大偏差，从而导致太阳能电池产品的不合格。

为解决上述技术问题，本申请对太阳能电池制备方法进行了改进。图5所示为形变后的印刷网版的俯视结构示意图。参见图5，因为丝网20与框架10连接，多次印刷后，丝网20恢复形变能力下降，形变的丝网20在框架10的牵制作用下，透网孔21会外扩，最终形变后的印刷网版01，其丝网20的透网孔21会呈孤线形状。此外，框架10对丝网20在垂直于丝网中心线SS的两端所施加的作用力基本相同，丝网20在丝网中心线SS两侧的两个区域的透网孔21关于丝网中心线SS呈对称形态。

采用具有以上形变后的丝网20所印刷制得的副栅线04，其形态与对应透网孔21的形态基本相同。如此，可以根据印刷网版01上的透网孔21的形变量来设计和确定出激光掺杂图案，以此保证副栅线04在硅基体02表面的投影与激光掺杂图案在硅基体02表面的投影之间较高的重叠率，降低激光掺杂区30和副栅线04之间的偏差程度，提高太阳能电池产品的合格率。

图6为本申请提供的实施例所提供的太阳能电池制备方法的流程图，图7为本申请提供的实施例中变形后的丝网结构示意图，图9为图8中A处的结构放大示意图，图10为图8中B处的结构放大示意图。参见图6至图9，本发明实施例提供一种太阳能电池制备方法，包括以下步骤：

S01、在硅基体210上进行制绒和硼扩散；其中，硅基体210包括平行于第一方向D1的基体中心线OO、关于基体中心线OO对称设置的第一掺杂区P1和第二掺杂区P2，第一方向D1垂直于硅基体210的厚度方向；

S02、确定激光掺杂图案；

S03、根据激光掺杂图案，对硅基体210的表面进行激光掺杂；其中，激光掺杂图案包括多个激光线240，激光线240包括通过激光扫描而成的多个连续光斑；

S04、采用印刷网版印刷栅线；其中，栅线包括多个沿着第一方向延伸的副栅线220；副栅线220包括位于第一掺杂区P1的第一子副栅221，第一子副栅221对应印刷网版的第一透网孔110，第一透网孔110包括至少三个不重合的标记点；

确定激光掺杂图案包括以下步骤：

S021、在印刷网版的表面建立直角坐标系，第一透网孔110的三个标记点的坐标分别为（x1，y1）、（x2，y2）和（x3，y3）；

S022、测量第一透网孔110的三个标记点与直角坐标系的纵轴、横轴之间的距离，获得x1，x2和x3坐标值以及y1，y2和y3坐标值；

S023、通过第一透网孔110的三个标记点的坐标（x1，y1）、（x2，y2）和（x3，y3），计算得到第一子副栅221对应激光线240的图形；

S024、根据第一掺杂区P1内的其他副栅线220与第一子副栅221之间的间距L，得到第一掺杂区P1内的其他副栅线220对应激光线240的图形；其中，L=（M+1）×d，d为相邻副栅线220之间的预设间距，M为在第一掺杂区P1内的其他副栅线220与第一子副栅221之间的副栅线220数量；

S025、第一掺杂区P1内的激光线240图形关于基体中心线OO镜像设置，得到第二掺杂区P2内的激光线240的图形。

需要理解的是，基体中心线OO并不是硅基体210的线条，仅是为方便描述硅基体210不同区域所虚设的线条。

副栅线220沿第一方向D1延伸，是指副栅线220整体呈长条状且走向为第一方向D1，即副栅线220的首尾端的连线与第一方向D1平行，其不代表副栅线220为平行于第一方向D1的直线。

激光线240为具有一定宽度、整体呈线状的区域，其代表的是具有一定宽度的掺杂区域，激光线240的数量为多个，每个副栅线220对应一个激光线240。

第一子副栅221对应印刷网版的第一透网孔110，是指，在采用印刷网版印刷栅线的过程中，浆料透过印刷网版的第一透网孔110后制成第一子副栅221，第一透网孔110与第一子副栅221走向、形状基本相同。事实上，硅基体210上的每一个副栅线220均可以在印刷网版上有对应的透网孔。需要说明的是，本实施例中，第一子副栅221可以为第一掺杂区P1内的任一副栅线220。

本实施例中，在步骤S01中，在硅基体210上进行制绒，其目的是在硅基体210表面形成陷光结构，之后，在硅基体210上进行硼扩散，其目的是在硅基体210正面形成发射极。在步骤S03中，对硅基体210的表面进行激光掺杂，能够使得副栅线220与硅基体210的接触部位及其附近实现重掺杂，副栅线220从而降低扩散层的复合，减少电池受光面栅线电极与硅基体210的接触电阻，改善电池的短路电流、开路电压和填充因子，从而提高电池的光电转化效率。在步骤S04中，采用印刷网版印刷副栅线220，待烧结后，副栅线220与发射极形成欧姆接触。

参见图8，基体中心线OO将硅基体210分为相互对称的两个区域—第一掺杂区P1和第二掺杂区P2，该两个区域分别位于基体中心线OO在第二方向D2两侧。

参见图7，一种具体的实施方式中，印刷网版的第一透网孔110包括三个不重合的标记点分别为标记点A、标记点B和标记点C，需要说明的是，第一透网孔110包括无数标记点，不止三个标记点，此处仅为举例。事实上，在第一透网孔110上的标记点可以为第一透网孔110上的任意标记点，在实际运用时，可选地，三个标记点为沿着第一透网孔110的延伸方向上彼此相距较大的三个标记点。

该太阳能电池制备方法采用以下步骤确定激光掺杂图案：

1）在印刷网版的表面建立直角坐标系XOY，可选地，X轴平行于丝网中心线S'S'，三个标记点分别记作：标记点A（x1，y1）、标记点B（x2，y2）、标记点C（x3，y3）。

2）测量第一透网孔110的三个标记点与纵轴之间的距离，获得x1，x2和x3坐标值；测量第一透网孔110的三个标记点与横轴之间的距离，获得y1，y2和y3坐标值。

3）因为印刷网版的丝网100在形变后，在丝网100的第一透网孔110会发生形变呈外扩的弧线形状，因此，通过第一透网孔110的三个标记点的坐标（x1，y1）、（x2，y2）和（x3，y3）可以拟合、计算出一条抛物弧线，得到第一子副栅221对应激光线240的图形。

需要说明的是，第一透网孔110的标记点数量越多，通过标记点拟合计算出的第一透网孔110越接近实际形变后的第一透网孔110的形状，得出的第一子副栅221对应激光线240的图形也就越精准。

4）因为位于第一掺杂区P1内的其他副栅线220所对应的透网孔与第一子副栅221对应的子第一透网孔110均位于印刷网版的丝网中心线S'S'的同一侧，印刷网版的丝网100发生形变后，第一掺杂区P1内的其他副栅线220所对应的透网孔与第一子副栅221对应的子第一透网孔110外扩方向相同，弧形形状相似，因此，在计算第一掺杂区P1内的其他副栅线220对应激光线240的图形时，可以通过第一掺杂区P1内的其他副栅线220与第一子副栅221之间的预设间距（M+1）×d获得，d为在第一掺杂区P1内的其他副栅线220与第一子副栅221之间的预设间距，M为在第一掺杂区P1内的其他副栅线220与第一子副栅221之间的副栅线220数量；例如，位于第一掺杂区P1内的第三子副栅223与第一子副栅221之间的预设间距为（4+1）×d=5×d，就可以得出第一掺杂区P1内第三子副栅223对应激光线240的图形。

5）因为形变后的丝网在丝网中心线S'S'两侧的两个区域的透网孔关于丝网中心线S'S'呈对称形态，因此，第一掺杂区P1内的激光线240图形关于基体中心线OO进行镜像设置，就能得到第二掺杂区P2内的激光线240图形。

本实施例中，通过在激光掺杂工序前增加确定激光掺杂图案的步骤，在确定激光掺杂图案的步骤中，对待扫描的激光线240进行设计，根据印刷网版的丝网100的形变量确定和调整激光线240，使得激光线240符合通过变形后丝网100所制备出的副栅线220的形态趋势，可以在一定程度上降低副栅线220与激光掺杂区之间的偏差程度，可以提高副栅线220在硅基体210表面的投影与激光线240在硅基体210表面的投影之间的重叠率，进而提升硅基体210与金属电极的欧姆接触，提高太阳能电池产品的合格率。

需要说明的是，印刷网版的丝网100远离丝网中心线S'S'的两侧与印刷网版的框架直接连接，变形的丝网100的透网孔向外扩弯曲的程度会有差别，具体地讲，丝网100上远离丝网中心线S'S'的两侧区域的透网孔外扩弯曲程度会较大，即沿着靠近丝网中心线S'S'的方向，透网孔的外扩弯曲程度呈现逐渐减小的趋势，如此在硅基体210上印刷制得的副栅线220也会呈现对应的趋势，即沿着远离基体中心线OO的方向，副栅线220的外扩弯曲程度增大。此时，如果第一子副栅221为远离基体中心OO的副栅线220，则靠近基体中心线OO的副栅线220（如第三子副栅223）在硅基体210表面的投影与该副栅线220所对应激光线在硅基体210表面的投影之间并不能保证完全重叠（因为第三子副栅223所对应的激光线240是基于第一子副栅221所对应的第一透网孔110所确定出的激光线240，第三子副栅223的外扩弯曲程度小于第一子副栅221的外扩弯曲程度，基于第一透网孔110所确定出的激光线240的外扩弯曲程度与第三子副栅223形状并不完全相同适配，与第三子副栅223形状相同适配的激光线240外扩弯折程度较小）；同理，如果第一子副栅221为靠近基体中心OO的副栅线220，则远离基体中心OO的副栅线220在硅基体210表面的投影与该副栅线所对应的激光线240在硅基体210表面的投影之间也并不能保证完全重叠；为此会影响到硅基体210与金属电极的欧姆接触。因此，在一些实施例中，激光线240的宽度大于副栅线220的宽度。

参见图8至图10，第三子副栅223相比于第一子副栅221更加靠近基体中心线OO，第三子副栅223的外扩弯曲程度较小，因为本实施例中激光线240的宽度大于副栅线220的宽度，因此第三子副栅223在硅基体210表面的投影仍然可以落入以第一子副栅221对应激光线240为基础确定的激光线240内，可见，该实施例可以进一步提高形变的印刷网版制备出的副栅线220在硅基体210表面的投影与激光线240在硅基体210表面的投影之间的重叠率，进而进一步提升硅基体210与副栅线220的欧姆接触，进一步提高太阳能电池产品的合格率。

图11为图8中C处的结构放大示意图。参考图8和图11，在一些实施例中，栅线还包括沿着第二方向延伸的主栅线230，第二方向垂直于第一方向和硅基体210的厚度方向；主栅线230的端部设有鱼叉部231，鱼叉部231呈向外的开口；第一掺杂区P1和第二掺杂区P2均包括子区域P11，子区域P11内设有主栅线230的鱼叉部231；副栅线220还包括第二子副栅222，第二子副栅222在鱼叉部231断开；第二子副栅222对应激光线240横穿鱼叉部231。

本实施例中，在对鱼叉部231的第二副栅222进行激光掺杂时，无需在鱼叉部231断开扫描，通过连续扫描的方式能够提高太阳能电池激光线240的扫描效率，提高太阳能电池的制备效率。

需要说明的是，本实施例中，第二子副栅222对应的激光线横穿鱼叉部231，会造成硅基体210损伤面积增加，致使通过本实施例的制备方法制备出的太阳能电池的使用成本增加了0.0002元/W。而通过本实施例的制备方法可以使得激光扫描工序的效率提高约5%，太阳能电池的制造成本降低了0.003元/W，由此可见，相对于第二子副栅222对应的激光线横穿鱼叉部231所带来的负面影响，能够有较明显的正面效果，即明显地提高太阳能电池的制备效率。

在一些实施例中，第二子副栅222对应的激光线240的激光扫描速度为20-30m/s，激光频率为500-1000KHz，激光功率为50%-100%。

在一种具体的实施方式中，第二子副栅222对应的激光线240的激光扫描速度为25m/s，激光频率为900KHz，激光功率为70%。在另一种可行的实施方式中，子激光线240的激光扫描速度为25-30m/s，激光频率为800-900KHz，激光功率为70%-95%。

图12为激光线240的结构放大示意图。参见图12，在一些实施例中，激光线240的激光光斑为圆形、矩形或者多边形中的至少一种。

参见图12，在一些实施例中，激光线240的多个激光光斑均匀分布，如此，有利于激光线240扫描的重掺杂区域的掺杂浓度均匀分布。

参见图12，在一些实施例中，激光线240中相邻的激光光斑相互交叠，如此，可以避免因激光虚扫导致激光线240存在未重掺杂的区域，保证硅基体210与金属的欧姆接触。

参见图9和图10，在一些实施例中，激光线240的宽度范围为80μm~100μm，副栅线220的宽度范围为20μm～30μm。

在一种具体的实施方式中，激光线240的宽度为90μm，副栅线220的宽度为25μm。此外，激光线240的宽度还可以为80μm、85μm、89μm、102μm或者105μm等，副栅线220的宽度可以为20μm、22μm、26μm或者29μm等；在一种可行的实施方式中，激光线240的宽度为85μm~95μm或91μm~98μm。

基于同一发明构思，本申请实施例还提供一种太阳能电池200，采用上述任一实施例所提供的太阳能电池制备方法制成。

本申请实施例提供的太阳能电池的相关部分的说明可以参见本申请实施例提供的太阳能电池中的相关部分说明，在此不再赘述。

本申请实施例还提供一种光伏组件，包括上述实施例的太阳能电池。

本申请实施例提供的光伏组件的相关部分的说明可以参见本申请实施例提供的太阳能电池中的相关部分说明，在此不再赘述。

综上，本发明所提供的太阳能电池制备方法、太阳能电极及光伏组件，至少实现了如下的有益效果：

在太阳能电池制备过程中，通过在激光掺杂工序前增加确定激光掺杂图案的步骤，在确定激光掺杂图案的步骤中，对待扫描的激光线240进行设计，根据印刷网版的丝网100的形变量确定和调整激光线240，使得激光线240符合通过变形后丝网100所制备出的副栅线220的形态趋势，可以在一定程度上降低副栅线220与激光掺杂区之间的偏差程度，可以提高副栅线220在硅基体210表面的投影与激光线240在硅基体210表面的投影之间的重叠率，进而提升硅基体210与金属电极的欧姆接触，提高太阳能电池产品的合格率。

虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。

Claims (10)

1.一种太阳能电池制备方法，其特征在于，包括：

在硅基体上进行制绒和硼扩散；其中，所述硅基体包括平行于第一方向的基体中心线、关于所述基体中心线对称设置的第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一方向垂直于所述硅基体的厚度方向；

确定激光掺杂图案；

根据所述激光掺杂图案，对所述硅基体的表面进行激光掺杂；其中，所述激光掺杂图案包括多个激光线，所述激光线包括通过激光扫描而成的多个连续光斑；

采用印刷网版印刷栅线；其中，所述栅线包括多个沿着所述第一方向延伸的副栅线；所述副栅线包括位于所述第一掺杂区的第一子副栅，所述第一子副栅对应所述印刷网版的第一透网孔，所述第一透网孔包括至少三个不重合的标记点；

确定所述激光掺杂图案包括以下步骤：

在所述印刷网版的表面建立直角坐标系，所述第一透网孔的三个标记点的坐标分别记为（x1，y1）、（x2，y2）和（x3，y3）；

测量所述第一透网孔的三个标记点与所述直角坐标系的纵轴、横轴之间的距离，获得x1，x2和x3坐标值以及y1，y2和y3坐标值；

通过所述第一透网孔的三个标记点的坐标（x1，y1）、（x2，y2）和（x3，y3），计算得到所述第一子副栅对应激光线的图形；

根据所述第一掺杂区内的其他副栅线与所述第一子副栅之间的间距L，得到所述第一掺杂区内的其他副栅线对应激光线的图形，其中，L=（M+1）×d，d为相邻所述副栅线之间的预设间距，M为在所述第一掺杂区内的其他副栅线与所述第一子副栅之间的副栅线数量；

所述第一掺杂区内的激光线图形关于所述基体中心线镜像设置，得到所述第二掺杂区内的激光线图形。

2.如权利要求1所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述激光线的宽度大于所述副栅线的宽度。

3.如权利要求1所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述栅线还包括沿着第二方向延伸的主栅线，所述第二方向垂直于所述第一方向和所述硅基体的厚度方向；

所述主栅线的端部设有鱼叉部，所述鱼叉部呈向外的开口；所述第一掺杂区和所述第二掺杂区均包括子区域，所述子区域内设有所述主栅线的鱼叉部；所述副栅线还包括第二子副栅，所述第二子副栅在所述鱼叉部断开；所述第二子副栅对应的激光线横穿所述鱼叉部。

4.如权利要求3所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述第二子副栅对应激光线的激光扫描速度为20-30m/s，激光频率为500-1000KHz，激光功率为50%-100%。

5.如权利要求1所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述激光线的激光光斑为圆形或者多边形中的至少一种。

6.如权利要求1所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述激光线的多个激光光斑均匀分布。

7.如权利要求1所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述激光线中相邻的所述激光光斑相互交叠。

8.如权利要求1所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述激光线的宽度为80μm~100μm，所述副栅线的宽度为20μm～30μm。

9.一种太阳能电池，其特征在于，采用如权利要求1至8任一项所述的太阳能电池制备方法制成。

10.一种光伏组件，其特征在于，包括如权利要求9所述的太阳能电池。