CN117690723B - 一种多层次纳米晶磁片的叠加模切工艺 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种多层次纳米晶磁片的叠加模切工艺，涉及纳米晶加工制造工艺的技术领域，用于解决传统纳米晶磁片的模切工艺生产效率差、良品率低的缺陷，该工艺包括以下步骤，放卷底膜，在底膜上间隔贴设两层边膜，放卷第一纳米晶带材，第一纳米晶带材位于间隔设置的边膜之间，其中第一纳米晶带材为双层纳米晶结构，放卷第一离型膜，使第一离型膜贴合至第一纳米晶带材上靠近第一上原材膜一侧，通过第一冲切设备对第一纳米晶带材进行冲切处理，放卷第一排废胶带，对冲切后的第一纳米晶带材进行排废处理，粘贴带走冲切下的第一离型膜的废料与第一纳米晶带材的废料，放卷第二排废胶带，排废除去第一离型膜，获得第一半成品。

Description

一种多层次纳米晶磁片的叠加模切工艺

技术领域

本申请涉及纳米晶加工制造的技术领域，尤其涉及一种多层次纳米晶磁片的叠加模切工艺。

背景技术

在纳米晶磁片模切领域，模切加工成型有多种工艺，在目前常用的模切加工纳米晶磁片的工艺中，由于工序复杂，对纳米晶磁片的处理效率差，在冲切过程中由于纳米晶带材持续传送冲切，容易发生错位，导致良品率低的缺陷。

针对上述中的相关技术，发明人认为存在有生产效率差、良品率低的缺陷。

发明内容

本申请提供一种多层次纳米晶磁片的叠加模切工艺，以解决传统纳米晶磁片模切工艺生产效率差、良品率低的缺陷。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种多层次纳米晶磁片的叠加模切工艺，所述一种多层次纳米晶磁片的叠加模切工艺包括以下步骤：

放卷底膜，在所述底膜上的长边方向侧间隔贴设两层边膜，所述底膜厚度为0.06mm，所述边膜厚度为0.1±0.01mm，所述底膜与所述边膜的材质为涤纶树脂；

放卷第一纳米晶带材，所述第一纳米晶带材的两侧贴合设置有第一上原材膜和第一下原材膜，放卷所述第一纳米晶带材后除去所述第一下原材膜并将所述第一纳米晶带材贴合至所述底膜上，所述第一纳米晶带材位于间隔设置的所述边膜之间，其中，所述第一纳米晶带材为双层纳米晶结构；

除去所述第一上原材膜并放卷第一离型膜，使所述第一离型膜贴合至所述第一纳米晶带材上靠近所述第一上原材膜一侧；

通过第一冲切设备对所述第一纳米晶带材进行冲切处理，所述第一冲切设备中的第一冲切刀具材质为钢材DC53，硬度为56度；

放卷第一排废胶带，对冲切后的所述第一纳米晶带材进行排废处理，粘贴带走冲切下的所述第一离型膜的废料与所述第一纳米晶带材的废料；

放卷第二排废胶带，排废除去所述第一离型膜，获得第一半成品。

通过采用上述技术方案，将所述第一纳米晶带材上的所述第一上原材膜和所述第一下原材膜剥离，由于所述第一上原材膜和所述第一下原材膜的厚度不利于进行冲切，在所述第一纳米晶带材上重新粘贴所述第一离型膜，所述第一离型膜具有较好的韧性便于进行冲切处理，所述第一排废胶带与所述第二排废胶带的粘度均为600gf/25mm，在排废所述第一纳米晶带材的废料和所述第一离型膜的废料时，会将冲切产生的毛刺一同排除，同时在排废区域设置有钢辊轴，所述钢辊轴用于将所述第二排废胶带压紧在所述第一离型膜上，在压紧的同时将所述毛刺压平，便于所述第二排废胶带排除所述毛刺，提高良品率,同时在冲切过程中，在边膜上冲切出定位孔，便于在下一步骤中对冲切位置进行定位，提高冲切的准确性。

优选的，该工艺还包括以下步骤：

放卷第二纳米晶带材，所护第二纳米晶带材的两侧贴合设置有第二上原材膜和第二下原材膜，放卷所述第二纳米晶带材后除去所述第二下原材膜并将所述第二纳米晶带材贴合至所述第一半成品上，其中，所述第二纳米晶带材为单层纳米晶结构；

除去所述第二上原材膜并放卷第二离型膜，使所述第二离型膜贴合至所述第二纳米晶带材上靠近所述第二上原材膜一侧；

通过第二冲切设备对所述第二纳米晶带材进行冲切处理，所述第二冲切设备中的第二冲切刀具的材质为钢材DC53，硬度为56度；

放卷第三排废胶带，粘贴带走冲切后形成的所述第二离型膜的废料与所述第二纳米晶带材的废料；

放卷第四排废胶带，排废除去所述第二离型膜，获得第二半成品。

通过采用上述技术方案，在所述第一半成品上贴合所述第二纳米晶带材，为了便于冲切剥离所述第二纳米晶带材的所述第二上原材膜和所述第二下原材膜，并在所述第二纳米晶带材上贴合第二离型膜，在冲切后采用粘度为600gf/25mm的第四排废胶带进行排废，除去冲切后产生的所述废料与所述毛刺，并用所述钢辊轴将所述第四排废胶带压合在所述第二离型膜上，将所述毛刺压平，便于进行排废。

优选的，该工艺还包括以下步骤：

放卷第三纳米晶带材，所述第三纳米晶带材的两侧贴合设置有第三上原材膜和第三下原材膜，放卷所述第三纳米晶带材后除去所述第三下原材膜并将所述第三纳米晶带材贴合至第二半成品上，其中，所述第三纳米晶带材为双层纳米晶结构；

除去所述第三上原材膜并放卷第三离型膜，使所述第三离型膜贴合至所述第三纳米晶带材上靠近所述第三上原材膜一侧；

通过第三冲切设备对所述第三纳米晶带材进行冲切处理，所述第三冲切设备的第三刀具的材质为钢材DC53，硬度为56度；

放卷第五排废胶带，粘贴带走冲切后形成的所述第三离型膜的废料与所述第三纳米晶带材的废料；

放卷第六排废胶带，排废除去所述第三离型膜，获得第三半成品。

通过采用上述技术方案，将所述第三纳米晶带材剥离所述第三上原材膜和所述第三下原材膜后，将所述第三纳米晶带材贴合至所述第二半成品上，并在所述第三纳米晶带材上贴合所述第三离型膜，在冲切后经由粘度为600gf/25mm的所述第六排废胶带进行排废，除去冲切后产生的所述废料与所述毛刺，提高生产的良品率，并用所述钢辊轴将所述第六排废胶带压合在所述第三离型膜上，将所述毛刺压平便于进行排废。

优选的，该工艺还包括以下步骤：

放卷第四纳米晶带材，所述第四纳米晶带材的两侧贴合设置有第四上原材膜和第四下原材膜，放卷所述第四纳米晶带材后除去所述第四下原材膜并将所述第四纳米晶带材贴合至第三半成品上，所述第四纳米晶带材为单层纳米晶结构；

除去所述第四上原材膜并放卷第四离型膜，使所述第四离型膜贴合至所述第四纳米晶带材上靠近所述第四上原材膜一侧；

通过第四冲切设备对所述第四纳米晶带材进行冲切处理，所述第四冲切设备中的第四刀具的材质为钢材DC53，硬度为56度；

放卷第七排废胶带，粘贴带走冲切后形成的所述第四离型膜的废料与所述第四纳米晶带材的废料；

放卷第八排废胶带，排废除去所述第四离型膜，获得第四半成品。

通过采用上述技术方案，将所述第四纳米晶带材除去所述第四上原材膜和所述下原材膜，再将所述第四纳米晶带材贴合在所述第三半成品上，在所述第四纳米晶带材上贴合所述第四离型膜，冲切准备工作完成后将经由上述过程处理后的所述第四纳米晶带材送入所述第四冲切设备进行冲切，冲切后采用黏度为600gf/25mm的所述第八排废胶带排废冲切后产生的所述废料以及所述毛刺，在贴合所述第八排废胶带时采用所述钢辊轴压合所述第八排废胶带和所述第四离型膜，用于将所述毛刺压平，提高排废的效率，从而提高了良品率。

优选的，该工艺还包括以下步骤：

放卷第五纳米晶带材，所述第五纳米晶带材的两侧贴合设置有第五上原材膜和第五下原材膜，放卷所述第五纳米晶带材后除去所述第五下原材膜并将所述第五纳米晶带材贴合至第四半成品上，所述第五纳米晶带材为双层纳米晶结构；

除去所述第五上原材膜并放卷第五离型膜，使所述第五离型膜贴合至所述第五纳米晶带材上靠近所述第五上原材膜一侧；

通过第五冲切设备对所述第五纳米晶带材进行冲切处理，所述第五冲切设备中的第五刀具的材质为合金钨钢，硬度为90.3度；

放卷第九排废胶带，粘贴带走冲切后形成的所述第五离型膜的废料与所述第五纳米晶带材的废料；

放卷第十排废胶带，排废除去所述第五离型膜，获得第五半成品。

通过采用上述技术方案，在对所述第五纳米晶带材进行冲切时，由于厚度较厚，冲切的刀具材质选用硬度更高的所述合金钨钢，硬度为90.3度，便于能快速进行冲切工作，同时降低冲切工作产生的所述毛刺。

优选的，该工艺还包括以下步骤：

放卷第六纳米晶带材，所述第六纳米晶带材的两侧贴合设置有第六上原材膜和第六下原材膜，放卷所述第六纳米晶带材后除去所述第六下原材膜并将所述第六纳米晶带材贴合至第五半成品上，其中，所述第六纳米晶带材为双层纳米晶结构；

除去所述第六上原材膜并放卷第六离型膜，使所述第六离型膜贴合至所述第六纳米晶带材上靠近所述第六上原材膜一侧；

通过第六冲切设备对所述第六纳米晶带材进行冲切处理，所述第六冲切设备中的第六刀具的材质为合金钨钢，硬度为90.3度；

放卷第十一排废胶带，粘贴带走冲切后形成的所述第六离型膜的废料与所述第六纳米晶带材的废料；

放卷第十二排废胶带排废除去所述第六离型膜，获得第六半成品。

通过采用上述技术方案，在对所述第六纳米晶带材进行冲切时，由于厚度较厚，冲切的刀具材质选用硬度更高的所述合金钨钢，硬度为90.3度，便于能快速进行冲切工作，同时降低冲切工作产生的所述毛刺。

优选的，该工艺还包括以下步骤：

放卷包边膜，使所述包边膜贴合至所述第六半成品上；

防卷网格膜，使所述网格膜贴合至所述包边膜上；

放卷拖底膜，使所述拖底膜贴合至所述网格膜上，获得第七半成品；

放卷美纹纸，所述美纹纸将所述边膜固定在所述第七半成品上；

翻转所述第七半成品，使所述底膜朝上；

排废剥离所述底膜；

放卷双面胶带材，剥离所述双面胶带材的自带膜，使所述双面胶带材贴合至除去所述底膜后的所述第七半成品上；

放卷第七离型膜，使所述第七离型膜贴合至所述双面胶带材上；

通过第七冲切设备进行成品外形冲切，所述第七冲切设备的第七刀具的材质为进口钢材SKD11，硬度为53度；

放卷第一封箱排废胶，排废冲切后形成的所述第七离型膜的废料；

放卷第二封箱排废胶，排废冲切后形成的整体废料，获得第八半成品。

通过采用上述技术方案，放卷所述包边膜，通过所述贴合所述包边膜进行保护所述第五半成品，防止指纹留痕等划损，并在所述包边膜上贴合所述网格膜，所述网格膜用于保护所述包边膜，所述网格膜上贴合有所述拖底膜，所述拖底膜用于辅助保护所述网格膜，所述美纹纸用于固定所述边膜，在后续剥离所述底膜时防止所述美纹纸脱落，翻转所述第七半成品并剥离所述底膜，在原贴合所述底膜一侧放卷贴合所述双面胶带材，所述双面胶带材的厚度为7um，随后放卷并贴合所述第七离型膜，所述第七离型膜的厚度低于所述30U离型膜，便于进行冲切处理，同时在所述第七冲切设备处用于冲切处理的所述第七刀具采用进口钢材SKD11，硬度为53度，采用五金模冲孔与蚀刻外形镶嵌的方式冲切出直径为3mm的装配孔，提高了冲切工序的效率并提高了所述第七刀具的使用寿命。

优选的，工艺还包括以下步骤：

放卷第八离型膜，使所述第八离型膜贴合至所述第八半成品上；

排废剥离所述拖底膜；

通过切片机进行切片分装，获得成品。

通过采用上述技术方案，放卷所述第八离型膜进行封装，所述第八离型膜厚度较厚便于保护产品，在剥离所述拖底膜之后进行切片分装获得成品。

本申请的有益效果是：通过排废胶带配合钢辊轴进行排废处理，除去冲切后形成的废料以及毛刺，提高了产品的良品率，同时在针对不同厚度的中间半成品时采用不同硬度的刀具进行冲切处理，提高了冲切的效果，同时增加了工作效率以及良品率，通过边膜的设置，在边膜上冲切出定位孔，使后续的工艺在进行过程中的准确性提高，从而提高了工艺的良品率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：

图1是本申请实施例提供的一种多层次纳米晶磁片的叠加模切工艺的在第一冲切设备进行冲切的流程示意图；

图2是本申请实施例提供的一种多层次纳米晶磁片的叠加模切工艺的在第一冲切设备冲切后到第二冲切设备进行冲切的流程示意图；

图3是本申请实施例提供的一种多层次纳米晶磁片的叠加模切工艺的在第二冲切设备冲切后到第三冲切设备进行冲切的流程示意图；

图4是本申请实施例提供的一种多层次纳米晶磁片的叠加模切工艺的在第三冲切设备冲切后到第四冲切设备进行冲切的流程示意图；

图5是本申请实施例提供的一种多层次纳米晶磁片的叠加模切工艺的在第四冲切设备冲切后到第五冲切设备进行冲切的流程示意图；

图6是本申请实施例提供的一种多层次纳米晶磁片的叠加模切工艺的在第五冲切设备冲切后到第六冲切设备进行冲切的流程示意图；

图7是本申请实施例提供的一种多层次纳米晶磁片的叠加模切工艺的在第六冲切设备冲切后到翻转第七半成品的流程示意图；

图8是本申请实施例提供的一种多层次纳米晶磁片的叠加模切工艺的翻转第七半成品后到第七冲切设备进行冲切的流程示意图；

图9是本申请实施例提供的一种多层次纳米晶磁片的叠加模切工艺的在第七冲切设备冲切后到切片机进行切片的流程示意图；

图10是本申请实施例提供的一种多层次纳米晶磁片的叠加模切工艺中的第一纳米晶带材的冲切形状示意图；

图11是本申请实施例提供的一种多层次纳米晶磁片的叠加模切工艺中的第二纳米晶带材的冲切形状示意图；

图12是本申请实施例提供的一种多层次纳米晶磁片的叠加模切工艺中的第三纳米晶带材的冲切形状示意图；

图13是本申请实施例提供的一种多层次纳米晶磁片的叠加模切工艺中的第四纳米晶带材的冲切形状示意图；

图14是本申请实施例提供的一种多层次纳米晶磁片的叠加模切工艺中的第五纳米晶带材的冲切形状示意图；

图15是本申请实施例提供的一种多层次纳米晶磁片的叠加模切工艺中的第六纳米晶带材的冲切形状示意图；

图16是本申请实施例提供的一种多层次纳米晶磁片的叠加模切工艺中的双面胶带材的冲切形状示意图；

图17是本申请实施例提供的一种多层次纳米晶磁片的叠加模切工艺中的包边膜的冲切形状示意图；

图18是本申请实施例提供的一种多层次纳米晶磁片的叠加模切工艺中的网格膜的冲切形状示意图；

图19是本申请实施例提供的一种多层次纳米晶磁片的叠加模切工艺中的成品的形状示意图；

图20是本申请实施例提供的一种多层次纳米晶磁片的叠加模切工艺中的托底膜与边膜的平面结构示意图。

附图标记说明：100、底膜；110、边膜；111、定位孔；120、第一纳米晶带材；121、第一上原材膜；122、第一下原材膜；130、第一离型膜；140、第一冲切设备；150、第一排废胶带；160、第二排废胶带；170、钢辊轴；180、第二纳米晶带材；181、第二上原材膜；182、第二下原材膜；190、第二离型膜；200、第二冲切设备；210、第三排废胶带；220、第四排废胶带；230、第三纳米晶带材；231、第三上原材膜；232、第三下原材膜；240、第三离型膜；250、第三冲切设备；260、第五排废胶带；270、第六排废胶带；280、第四纳米晶带材；281、第四上原材膜；282、第四下原材膜；290、第四离型膜；300、第四冲切设备；310、第七排废胶带；320、第八排废胶带；330、第五纳米晶带材；331、第五上原材膜；332、第五下原材膜；340、第五离型膜；350、第五冲切设备；360、第九排废胶带；370、第十排废胶带；380、第六纳米晶带材；381、第六上原材膜；382、第六下原材膜；390、第六离型膜；400、第六冲切设备；410、第十一排废胶带；420、第十二排废胶带；430、包边膜；440、网格膜；450、拖底膜；460、美纹纸；470、双面胶带材；480、第七离型膜；490、七冲切设备；500、第一封箱排废胶；510、第二封箱排废胶；520、第八离型膜；530、切片机；540、装配孔。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动情况下所获得的所有其他实施例，均属于本申请保护的范围。

需要说明，若本申请实施例中有涉及方向性指示（诸如上、下、左、右、前、后……），则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态（如附图所示）下各部件之间的相对位置关系、移动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

另外，若本申请实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本申请要求的保护范围之内。

请参阅图1-图20所示，本申请提供一种多层次纳米晶磁片的叠加模切工艺，该工艺包括以下步骤，放卷底膜100，在底膜100上的长边方向侧间隔贴设两层边膜110，底膜100厚度为0.06mm，边膜110厚度为0.1±0.01mm，底膜100与边膜110的材质为涤纶树脂，边膜110的外侧边未超出底膜100的外侧边，边膜110的外侧边可与底膜100的外侧边齐平或内收于底膜100的外侧边。

请参阅图1、图2、图10、图20所示，放卷第一纳米晶带材120，第一纳米晶带材120的两侧贴合设置有第一上原材膜121和第一下原材膜122，放卷第一纳米晶带材120后除去第一下原材膜122并将第一纳米晶带材120贴合至底膜100上，第一纳米晶带材120位于间隔设置的边膜110之间，其中，第一纳米晶带材120为双层纳米晶结构。

除去第一上原材膜121并放卷第一离型膜130，使第一离型膜130贴合至第一纳米晶带材120上靠近第一上原材膜121一侧。

通过第一冲切设备140对第一纳米晶带材120进行冲切处理，第一冲切设备140中的第一冲切刀具材质为钢材DC53，硬度为56度。

放卷第一排废胶带150，对冲切后的第一纳米晶带材120进行排废处理，粘贴带走冲切下的第一离型膜130的废料与第一纳米晶带材120的废料。

放卷第二排废胶带160，排废除去第一离型膜130，获得第一半成品。

将第一纳米晶带材120上的第一上原材膜121和第一下原材膜122剥离，由于第一上原材膜121和第一下原材膜122的厚度不利于进行冲切，在第一纳米晶带材120上重新粘贴第一离型膜130，第一离型膜130具有较好的韧性便于进行冲切处理，第一排废胶带150与第二排废胶带160的粘度均为600gf/25mm，在排废第一纳米晶带材120的废料和第一离型膜130的废料时，会将冲切产生的毛刺一同排除，同时在排废区域设置有钢辊轴170，钢辊轴170用于将第二排废胶带160压紧在第一离型膜130上，在压紧的同时将毛刺压平，便于第二排废胶带160排除毛刺，提高良品率,同时在冲切过程中，在边膜110上冲切出定位孔111，便于在下一步骤中对冲切位置进行识别定位，提高冲切的准确性。

请参阅图2、图3、图11所示，该工艺还包括以下步骤，放卷第二纳米晶带材180，所护第二纳米晶带材180的两侧贴合设置有第二上原材膜181和第二下原材膜182，放卷第二纳米晶带材180后除去第二下原材膜182并将第二纳米晶带材180贴合至第一半成品上，其中，第二纳米晶带材180为单层纳米晶结构。

除去第二上原材膜181并放卷第二离型膜190，使第二离型膜190贴合至第二纳米晶带材180上靠近第二上原材膜181一侧。

通过第二冲切设备200对第二纳米晶带材180进行冲切处理，第二冲切设备200中的第二冲切刀具的材质为钢材DC53，硬度为56度，

放卷第三排废胶带210，粘贴带走冲切后形成的第二离型膜190的废料与第二纳米晶带材180的废料，

放卷第四排废胶带220，排废除去第二离型膜190，获得第二半成品。

在第一半成品上贴合第二纳米晶带材180，为了便于冲切剥离第二纳米晶带材180的第二上原材膜181和第二下原材膜182，并在第二纳米晶带材180上贴合第二离型膜190，在冲切后采用粘度为600gf/25mm的第四排废胶带220进行排废，除去冲切后产生的废料与毛刺，并用钢辊轴170将第四排废胶带220压合在第二离型膜190上，将毛刺压平，便于进行排废。

请参阅图3、图4、图12所示，该工艺还包括以下步骤，放卷第三纳米晶带材230，第三纳米晶带材230的两侧贴合设置有第三上原材膜231和第三下原材膜232，放卷第三纳米晶带材230后除去第三下原材膜232并将第三纳米晶带材230贴合至第二半成品上，其中，第三纳米晶带材230为双层纳米晶结构。

除去第三上原材膜231并放卷第三离型膜240，使第三离型膜240贴合至第三纳米晶带材230上靠近第三上原材膜231一侧。

通过第三冲切设备250对第三纳米晶带材230进行冲切处理，第三冲切设备250的第三刀具的材质为钢材DC53，硬度为56度。

放卷第五排废胶带260，粘贴带走冲切后形成的第三离型膜240的废料与第三纳米晶带材230的废料。

放卷第六排废胶带270，排废除去第三离型膜240，获得第三半成品。

将第三纳米晶带材230剥离第三上原材膜231和第三下原材膜232后，将第三纳米晶带材230贴合至第二半成品上，并在第三纳米晶带材230上贴合第三离型膜240，在冲切后经由粘度为600gf/25mm的第六排废胶带270进行排废，除去冲切后产生的废料与毛刺，提高生产的良品率，并用钢辊轴170将第六排废胶带270压合在第三离型膜240上，将毛刺压平便于进行排废。

请参阅图4、图5、图13所示，该工艺还包括以下步骤，放卷第四纳米晶带材280，第四纳米晶带材280的两侧贴合设置有第四上原材膜281和第四下原材膜282，放卷第四纳米晶带材280后除去第四下原材膜282并将第四纳米晶带材280贴合至第三半成品上，第四纳米晶带材280为单层纳米晶结构。

除去第四上原材膜281并放卷第四离型膜290，使第四离型膜290贴合至第四纳米晶带材280上靠近第四上原材膜281一侧。

通过第四冲切设备300对第四纳米晶带材280进行冲切处理，第四冲切设备300中的第四刀具的材质为钢材DC53，硬度为56度。

放卷第七排废胶带310，粘贴带走冲切后形成的第四离型膜290的废料与第四纳米晶带材280的废料。

放卷第八排废胶带320，排废除去第四离型膜290，获得第四半成品。

将第四纳米晶带材280除去第四上原材膜281和下原材膜，再将第四纳米晶带材280贴合在第三半成品上，在第四纳米晶带材280上贴合第四离型膜290，冲切准备工作完成后将经由上述过程处理后的第四纳米晶带材280送入第四冲切设备300进行冲切，冲切后采用黏度为600gf/25mm的第八排废胶带320排废冲切后产生的废料以及毛刺，在贴合第八排废胶带320时采用钢辊轴170压合第八排废胶带320和第四离型膜290，用于将毛刺压平，提高排废的效率，从而提高了良品率。

请参阅图5、图6、图14所示，该工艺还包括以下步骤，放卷第五纳米晶带材330，第五纳米晶带材330的两侧贴合设置有第五上原材膜331和第五下原材膜332，放卷第五纳米晶带材330后除去第五下原材膜332并将第五纳米晶带材330贴合至第四半成品上，第五纳米晶带材330为双层纳米晶结构。

除去第五上原材膜331并放卷第五离型膜340，使第五离型膜340贴合至第五纳米晶带材330上靠近第五上原材膜331一侧。

通过第五冲切设备350对第五纳米晶带材330进行冲切处理，第五冲切设备350中的第五刀具的材质为合金钨钢，硬度为90.3度。

放卷第九排废胶带360，粘贴带走冲切后形成的第五离型膜340的废料与第五纳米晶带材330的废料。

放卷第十排废胶带370，排废除去第五离型膜340，获得第五半成品。

在对第五纳米晶带材330进行冲切时，用于厚度较厚，冲切的刀具材质选用硬度更高的合金钨钢，硬度为90.3度，便于能快速进行冲切工作，同时降低冲切工作产生的毛刺。

请参阅图6、图7所示，该工艺还包括以下步骤，放卷第六纳米晶带材380，第六纳米晶带材380的两侧贴合设置有第六上原材膜381和第六下原材膜382，放卷第六纳米晶带材380后除去第六下原材膜382并将第六纳米晶带材380贴合至第五半成品上，其中，第六纳米晶带材380为双层纳米晶结构。

除去第六上原材膜381并放卷第六离型膜390，使第六离型膜390贴合至第六纳米晶带材380上靠近第六上原材膜381一侧，其中第一离型膜130、第二离型膜190、第三离型膜240、第四离型膜290、第五离型膜340以及第六离型膜390均为30U离型膜。

通过第六冲切设备400对第六纳米晶带材380进行冲切处理，第六冲切设备400中的第六刀具的材质为合金钨钢，硬度为90.3度。

放卷第十一排废胶带410，粘贴带走冲切后形成的第六离型膜390的废料与第六纳米晶带材380的废料。

放卷第十二排废胶带420排废除去第六离型膜390，获得第六半成品。

通过采用上述技术方案，在对第六纳米晶带材380进行冲切时，由于厚度较厚，冲切的刀具材质选用硬度更高的合金钨钢，硬度为90.3度，便于能快速进行冲切工作，同时降低冲切工作产生的毛刺。

请参阅图7、图8、图9、图15、图16、图17、图18所示，该工艺还包括以下步骤，放卷包边膜430，使包边膜430贴合至第五半成品上。

防卷网格膜440，使网格膜440贴合至包边膜430上。

放卷拖底膜450，使拖底膜450贴合至网格膜440上，获得第七半成品，其中拖底膜450为opp膜，opp膜具有防刮防磨损、表面抗静电不易沾染灰尘的特性。

放卷美纹纸460，美纹纸460将边膜110固定在第七半成品上。

翻转第七半成品，使底膜100朝上。

排废剥离底膜100。

放卷双面胶带材470，剥离双面胶带材470的自带膜，使双面胶带材470贴合至除去底膜100后的第六半成品上。

放卷第七离型膜480，使第七离型膜480贴合至双面胶带材470上，其中第七离型膜480为25U离型膜。

通过第七冲切设备490进行成品外形冲切，第七冲切设备490的第七刀具的材质为进口钢材SKD11，硬度为53度。

放卷第一封箱排废胶500，排废冲切后形成的第七离型膜480的废料。

放卷第二封箱排废胶510，排废冲切后形成的整体废料，获得第八半成品。

放卷包边膜430，通过贴合包边膜430进行保护第五半成品，防止指纹留痕等划损，并在包边膜430上贴合网格膜440，网格膜440用于保护包边膜430，网格膜440上贴合有拖底膜450，拖底膜450用于辅助保护网格膜440，美纹纸460用于固定边膜110，在后续剥离底膜100时防止美纹纸460脱落，翻转第七半成品并剥离底膜100，在原贴合底膜100一侧放卷贴合双面胶带材470，双面胶带材470的厚度为7um，随后放卷并贴合第七离型膜480，第七离型膜480的厚度低于30U离型膜，便于进行冲切处理，同时在第七冲切设备490处用于冲切处理的第七刀具采用进口钢材SKD11，硬度为53度，采用五金模冲孔与蚀刻外形镶嵌的方式冲切出直径为3mm的装配孔540，提高了冲切工序的效率并提高了第七刀具的使用寿命。

请参阅图9、图19所示，工艺还包括以下步骤，放卷第八离型膜520，使第八离型膜520贴合至第八半成品上。

排废剥离拖底膜450。

通过切片机530进行切片分装，获得成品。

放卷第八离型膜520进行封装，第八离型膜520厚度较厚便于保护产品，在剥离拖底膜450之后进行切片分装获得成品，其中第八离型膜520为50U离型膜。

综上所述，通过排废胶带配合钢辊轴进行排废处理，除去冲切后形成的废料以及毛刺，提高了产品的良品率，同时在针对不同厚度的中间半成品时采用不同硬度的刀具进行冲切处理，提高了冲切的效果，同时增加了工作效率以及良品率，通过边膜的设置，在边膜110上冲切出定位孔111，使后续的工艺在进行过程中的准确性提高，从而提高了工艺的良品率。

以上均为本申请的较佳实施例，并非依此限制本申请的保护范围，故：凡依本申请的结构、形状、原理所做的等效变化，均应涵盖于本申请的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种多层次纳米晶磁片的叠加模切工艺，其特征在于，所述一种多层次纳米晶磁片的叠加模切工艺包括以下步骤：

放卷底膜（100），在所述底膜（100）上的长边方向侧间隔贴设有两层边膜（110），所述底膜（100）厚度为0.06mm，所述边膜（110）厚度为0.1±0.01mm，所述底膜（100）与所述边膜（110）的材质为涤纶树脂；

放卷第一纳米晶带材（120），所述第一纳米晶带材（120）的两侧贴合设置有第一上原材膜（121）和第一下原材膜（122），放卷所述第一纳米晶带材（120）后除去所述第一下原材膜（122）并将所述第一纳米晶带材（120）贴合至所述底膜（100）上，所述第一纳米晶带材（120）位于间隔设置的所述边膜（110）之间，其中，所述第一纳米晶带材（120）为双层纳米晶结构；

除去所述第一上原材膜（121）并放卷第一离型膜（130），使所述第一离型膜（130）贴合至所述第一纳米晶带材（120）上靠近所述第一上原材膜（121）一侧；

通过第一冲切设备（140）对所述第一纳米晶带材（120）进行冲切处理，所述第一冲切设备（140）中的第一冲切刀具材质为钢材DC53，硬度为56度；

放卷第一排废胶带（150），对冲切后的所述第一纳米晶带材（120）进行排废处理，粘贴带走冲切下的所述第一离型膜（130）的废料与所述第一纳米晶带材（120）的废料；

放卷第二排废胶带（160），排废除去所述第一离型膜（130），获得第一半成品；

放卷第二纳米晶带材（180），所护第二纳米晶带材（180）的两侧贴合设置有第二上原材膜（181）和第二下原材膜（182），放卷所述第二纳米晶带材（180）后除去所述第二下原材膜（182）并将所述第二纳米晶带材（180）贴合至所述第一半成品上，其中，所述第二纳米晶带材（180）为单层纳米晶结构；

除去所述第二上原材膜（181）并放卷第二离型膜（190），使所述第二离型膜（190）贴合至所述第二纳米晶带材（180）上靠近所述第二上原材膜（181）一侧；

通过第二冲切设备（200）对所述第二纳米晶带材（180）进行冲切处理，所述第二冲切设备（200）中的第二冲切刀具的材质为钢材DC53，硬度为56度；

放卷第三排废胶带（210），粘贴带走冲切后形成的所述第二离型膜（190）的废料与所述第二纳米晶带材（180）的废料；

放卷第四排废胶带（220），排废除去所述第二离型膜（190），获得第二半成品；

放卷第三纳米晶带材（230），所述第三纳米晶带材（230）的两侧贴合设置有第三上原材膜（231）和第三下原材膜（232），放卷所述第三纳米晶带材（230）后除去所述第三下原材膜（232）并将所述第三纳米晶带材（230）贴合至第二半成品上，其中，所述第三纳米晶带材（230）为双层纳米晶结构；

除去所述第三上原材膜（231）并放卷第三离型膜（240），使所述第三离型膜（240）贴合至所述第三纳米晶带材（230）上靠近所述第三上原材膜（231）一侧；

通过第三冲切设备（250）对所述第三纳米晶带材（230）进行冲切处理，所述第三冲切设备（250）的第三刀具的材质为钢材DC53，硬度为56度；

放卷第五排废胶带（260），粘贴带走冲切后形成的所述第三离型膜（240）的废料与所述第三纳米晶带材（230）的废料；

放卷第六排废胶带（270），排废除去所述第三离型膜（240），获得第三半成品；

放卷第四纳米晶带材（280），所述第四纳米晶带材（280）的两侧贴合设置有第四上原材膜（281）和第四下原材膜（282），放卷所述第四纳米晶带材（280）后除去所述第四下原材膜（282）并将所述第四纳米晶带材（280）贴合至第三半成品上，所述第四纳米晶带材（280）为单层纳米晶结构；

除去所述第四上原材膜（281）并放卷第四离型膜（290），使所述第四离型膜（290）贴合至所述第四纳米晶带材（280）上靠近所述第四上原材膜（281）一侧；

通过第四冲切设备（300）对所述第四纳米晶带材（280）进行冲切处理，所述第四冲切设备（300）中的第四刀具的材质为钢材DC53，硬度为56度；

放卷第七排废胶带（310），粘贴带走冲切后形成的所述第四离型膜（290）的废料与所述第四纳米晶带材（280）的废料；

放卷第八排废胶带（320），排废除去所述第四离型膜（290），获得第四半成品；

放卷第五纳米晶带材（330），所述第五纳米晶带材（330）的两侧贴合设置有第五上原材膜（331）和第五下原材膜（332），放卷所述第五纳米晶带材（330）后除去所述第五下原材膜（332）并将所述第五纳米晶带材（330）贴合至第四半成品上，所述第五纳米晶带材（330）为双层纳米晶结构；

除去所述第五上原材膜（331）并放卷第五离型膜（340），使所述第五离型膜（340）贴合至所述第五纳米晶带材（330）上靠近所述第五上原材膜（331）一侧；

通过第五冲切设备（350）对所述第五纳米晶带材（330）进行冲切处理，所述第五冲切设备（350）中的第五刀具的材质为合金钨钢，硬度为90.3度；

放卷第九排废胶带（360），粘贴带走冲切后形成的所述第五离型膜（340）的废料与所述第五纳米晶带材（330）的废料；

放卷第十排废胶带（370），排废除去所述第五离型膜（340），获得第五半成品。

2.根据权利要求1所述的一种多层次纳米晶磁片的叠加模切工艺，其特征在于，该工艺还包括以下步骤：

放卷第六纳米晶带材（380），所述第六纳米晶带材（380）的两侧贴合设置有第六上原材膜（381）和第六下原材膜（382），放卷所述第六纳米晶带材（380）后除去所述第六下原材膜（382）并将所述第六纳米晶带材（380）贴合至第五半成品上，其中，所述第六纳米晶带材（380）为双层纳米晶结构；

除去所述第六上原材膜（381）并放卷第六离型膜（390），使所述第六离型膜（390）贴合至所述第六纳米晶带材（380）上靠近所述第六上原材膜（381）一侧；

通过第六冲切设备（400）对所述第六纳米晶带材（380）进行冲切处理，所述第六冲切设备（400）中的第六刀具的材质为合金钨钢，硬度为90.3度；

放卷第十一排废胶带（410），粘贴带走冲切后形成的所述第六离型膜（390）的废料与所述第六纳米晶带材（380）的废料；

放卷第十二排废胶带（420）排废除去所述第六离型膜（390），获得第六半成品。

3.根据权利要求2所述的一种多层次纳米晶磁片的叠加模切工艺，其特征在于，该工艺还包括以下步骤：

放卷包边膜（430），使所述包边膜（430）贴合至所述第六半成品上；

防卷网格膜（440），使所述网格膜（440）贴合至所述包边膜（430）上；

放卷拖底膜（450），使所述拖底膜（450）贴合至所述网格膜（440）上，获得第七半成品；

放卷美纹纸（460），所述美纹纸（460）将所述边膜（110）固定在所述第七半成品上；

翻转所述第七半成品，使所述底膜（100）朝上；

排废剥离所述底膜（100）；

放卷双面胶带材（470），剥离所述双面胶带材（470）的自带膜，使所述双面胶带材（470）贴合至除去所述底膜（100）后的所述第七半成品上；

放卷第七离型膜（480），使所述第七离型膜（480）贴合至所述双面胶带材（470）上；

通过第七冲切设备（490）进行成品外形冲切，所述第七冲切设备（490）的第七刀具的材质为进口钢材SKD11，硬度为53度；

放卷第一封箱排废胶（500），排废冲切后形成的所述第七离型膜（480）的废料；

放卷第二封箱排废胶（510），排废冲切后形成的整体废料，获得第八半成品。

4.根据权利要求3所述的一种多层次纳米晶磁片的叠加模切工艺，其特征在于，该工艺还包括以下步骤：

放卷第八离型膜（520），使所述第八离型膜（520）贴合至所述第八半成品上；

排废剥离所述拖底膜（450）；

通过切片机（530）进行切片分装，获得成品。