CN117677888A - 扫描型缩小投影光学系统及使用其的激光加工装置 - Google Patents

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仲田悟基
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Abstract

本发明中，通过扫描型缩小投影光学系统将供体基板上的微小元件以高的位置精度向相向的受体基板上进行激光诱导向前转移，所述扫描型缩小投影光学系统将横多模的脉冲激光光经由透镜阵列型的缩放匀光器、阵列掩模10、扫描镜4、光掩模6、远心投影透镜8在供体基板上以微小区的尺寸成像。作为其实施工序，评价用以获取位置信息的检查、激光诱导向前转移区分割、照射位置选择、转印、台移动的各工序。由此，能以低成本提供扫描型缩小投影光学系统、及搭载有其的封装用或再转印用的激光诱导向前转移装置等，而且也可提供其实施方法，所述扫描型缩小投影光学系统不使用大口径的昂贵的fθ透镜或远心缩小投影透镜，可弥补扫描仪的精度不足，并且将具有均匀且无变动的能量分布的微小的照射区以广范围高精度且高速地扫描。

Description

扫描型缩小投影光学系统及使用其的激光加工装置
技术领域
本发明涉及一种扫描型缩小投影光学系统及使用其的激光加工装置。
背景技术
作为显示器等的制造工序中所用的技术，有下述技术，即：将在供体基板上矩阵状地配置有多数个的微发光二极管(Light Emitting Diode，LED)等微小元件转印至受体基板。另外，有将涂布于供体基板上的导电性、粘着性等的各种功能性膜或材料膜、有机电致发光(Electroluminescence，EL)膜等向受体基板转印的技术。例如，为激光诱导向前转移(Laser Induced Forward Transfer，LIFT)技术、压印(stamp)技术、辊转印技术等各种技术。然而，任一技术均难以兼顾所述工序所要求的高速处理与高的位置精度，虽为高速但产生转印遗漏或位置偏移等。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2020-4478号公报
专利文献2：日本专利特开2006-41500号公报
发明内容
发明所要解决的问题
因此，申请人开发出了高速且高精度的激光诱导向前转移装置(Laser-inducedforward transfer device)(专利文献1)。然而，对于所述激光诱导向前转移装置中所用的通过使用所述压印技术或辊转印技术的转印装置所转印并封装的供体基板或受体基板上的微小元件等而言，有时存在也高达1％的不良。因此，对于对所述不良部位再转印微小元件等的技术或使用其的装置，也要求兼顾高精度化与高速化两者。
另外，此种技术不仅可用于从供体基板向受体基板的再转印，而且也可用于将位于基板上的不良的微小元件等照射对象物或多余材料的部分去除，除了通过转印微小元件等而进行的封装工序以外，也期待用于不良的去除工序。
另一方面，与专利文献1不同，有利用步进重复(step and repeat)方式的高精度的转印技术。例如，在对修正对象基板上的不良的微小元件等预先经去除后的无元件部位再次再转印微小元件等的技术中，使用将透镜阵列(lens array)组合而成的光束匀光器(beam homogenizer)将准分子激光光整形为具有均匀能量分布的激光光，使用光掩模(photo mask)及缩小投影透镜将所述激光光向位于(再转印用的)供体基板上的微小元件等进行缩小投影，将所述微小元件等向修正对象基板上进行激光诱导向前转移。所述技术可通过具有高的位置精度的台将供体基板上的微小元件等准确地向修正对象基板上进行激光诱导向前转移(再转印)，但每一个微小元件的处理时间需要1秒～2秒左右，因此作为有可能产生高达1％的大量不良部位的显示器等的制造工序中所用的再转印装置，即便参照其生产效率也不可谓实用。
此外，作为可实现高速化的技术，下述技术已众所周知，即：通过将电流扫描仪(galvano scanner)与fθ透镜组合而成的光学系统，高速扫描激光光并照射于照射对象物，根据所述技术，只要由所述扫描仪所得的位置精度容许，则可将不良的微小元件等高速自修正对象基板去除，但在此后的要求高的位置精度的再转印中，因精度的极限而有困难。
因此，为了消除由所述扫描仪所得的位置精度的问题，可构建下述高速且位置精度高的扫描型缩小投影光学系统，即：将所扫描的激光光经由fθ透镜等向排列于光掩模上的开口部选择性地照射，将所述激光光缩小投影至位于基板上的规定的照射对象物，由此降低了对扫描仪的扫描精度的依存度。专利文献2中例示了下述光学系统的例子，即：利用电流镜(galvano mirror)来扫描Nd：YAG激光的光束，经由fθ透镜及光掩模进行缩小投影，由此补偿由低的扫描精度引起的供体基板上的照射区的位置偏移。
然而，由于各基板的大型化或进一步的高速处理，需要增大供体基板上的照射区，在短时间将所扫描的激光光缩小投影至大量的照射对象物。即，需要增大光掩模上的可扫描的照射区。此时，需要增大专利文献2中所用的fθ透镜或缩小投影透镜的口径，且采取远心(telecentric)的设计而耗费高成本。
进而，为了应对微小元件等照射对象物的极小化或高密度化，补偿扫描仪的精度极限自不待言，在供体基板上还需要强度分布稳定且均匀的极小照射区尺寸的激光光，以不与邻接的照射对象物发生干扰。此外，也期待实现搭载有此种光学系统的代替专利文献1所记载的装置的激光诱导向前转移装置或再转印装置、不良去除装置。
因此，本发明的目的在于，以低成本提供一种扫描型缩小投影光学系统、及搭载有所述扫描型缩小投影光学系统的封装用或再转印用的激光诱导向前转移装置等，进而提供使用这些的其实施方法，所述扫描型缩小投影光学系统不使用大口径的昂贵的fθ透镜或远心缩小投影透镜，可弥补扫描仪的精度不足，并且将具有均匀且无变动的能量分布的微小的照射区以广范围高精度且高速地扫描。
解决问题的技术手段
第一发明为一种扫描型缩小投影光学系统，可用于激光加工装置中，所述激光加工装置利用下述原理：向在基板上排列有多个的迷你LED或微LED等微小元件、或者通过涂布或印刷等而附着于基板上的材料膜或功能性膜等照射对象物照射多模的脉冲激光光，对照射对象物直接诱发反应或者经由位于基板与照射对象物之间的物质诱发反应，并且所述扫描型缩小投影光学系统具有透镜阵列型的缩放匀光器(zoom homogenizer)、由一轴以上的驱动轴控制装置扫描的扫描镜、光掩模、及至少像侧为远心的投影透镜系统作为其构成光学元件，在所述光掩模以规定的间距排列有多个进行缩小投影的规定形状的开口。
进而，所述匀光器为包含第一透镜阵列及第二透镜阵列、以及聚光透镜，且由第二透镜阵列及聚光透镜构成无限远补正光学系统的缩放匀光器，所述缩放匀光器将覆盖所述光掩模上的一个以上的邻接的开口群的规定尺寸的照射区在所述光掩模上成像，尤其所述缩放匀光器补偿所述照射区的位置及尺寸以及所述照射区内的能量强度分布的变动。
例如，已知振荡状态的变动会引起激光光的光束指向稳定性(beam pointingstability)或光束尺寸、进而光束剖面的强度分布发生变动，所谓“补偿变动”是指通过所述缩放匀光器而于在光掩模上成像的照射区内避免所述影响的状态。作为其结果，可在经光掩模投影的供体基板上获得具有极其高均匀的能量分布的微小区的成像。
所述规定尺寸为所述照射区不到达与所述开口群的周边邻接的其他任一开口的尺寸。即，为下述尺寸：在考虑到由扫描镜的扫描精度所得的光掩模上的照射位置精度后，若假设激光光通过其邻接的开口照射于基板上的(不意欲照射的)照射对象物，则诱发反应的阈值以上的能量分布的边界(外缘)也不到达(不波及)与所述照射区内含的开口群邻接的任一开口。作为例子，在图1中，由一点链线包围的照射区(DP)例示将包含四个开口(61)的开口群覆盖的照射区的可容许的最大尺寸，由点线包围的小的照射区例示覆盖一个开口的照射区的最小尺寸。图中，任一照射区的例子均为了表现扫描仪的位置精度所致的偏移而进行双重图示。
例如，在如所述图1所示那样开口(正方形)在光掩模(6)上排列成矩阵状的情形时，其中若将各开口的一边设为Ma、间距设为Pi、由扫描仪所得的光掩模上的扫描位置精度设为St，则一揽照射n×n个(n≧1)的照射区(正方形)的规定尺寸的一边(DP)处于下式的范围。
Pi×(n-1)+Ma+St≦DP＜Pi×(n+1)-Ma-St
在超过所述范围的规定尺寸的情形时，有可能通过非意欲的邻接的开口(的一部分)的具有超过所述阈值的能量的激光光缩小投影于同样非意欲的照射对象物，诱发反应。开口的形状并非正方形的情形、或n×m个的一揽照射的规定尺寸(DP)的范围为设计事项。
在将具有排列成矩阵状的开口的光掩模用于一揽照射的情形时，若将缩小投影透镜的缩小倍率设为1/c，则光掩模上的开口的间距(Pi)固定于计划向受体基板上进行激光诱导向前转移的照射对象物的间距的c倍。
此外，视缩小投影透镜的规格不同，开口的个数可选择如图2那样排列成一列的情况至如所述图1那样排列成矩阵状的情况的各种设计。这些也依存于扫描镜的可扫描范围。
构成所述第一透镜阵列及第二透镜阵列的透镜元件不限定于复眼(fly eye)型，也可为圆筒型、球面型。因此，也有时包含各透镜阵列正交的透镜元件的组合。进而，也有时为追加了第三透镜阵列的缩放匀光器。
第二发明为第一发明的扫描型缩小投影光学系统，其中，所述投影透镜系统包含下述结构，即：含有配置于所述聚光透镜与光掩模之间的场镜、及至少像侧为远心的缩小投影透镜。
此处，场镜的规格是基于缩放匀光器、聚光透镜(3)及远心透镜的规格而决定，本发明中，其优选位置为如图3所示的紧邻光掩模(6)之前。所述场镜(5)的焦点距离是以来自缩放匀光器的激光光(相当于第二透镜阵列(2)的透镜单元数的个数的聚光点)可通过放置于图像侧远心缩小投影透镜(8)的入射瞳位置的光阑(7)的曲率设计。
第三发明为第一发明或第二发明的扫描型缩小投影光学系统，其中所述扫描镜(4)包含双轴的电流扫描仪。由此，可向在光掩模(6)上排列有多列的开口扫描激光光的照射区。关于扫描镜的控制装置，为利用专用的控制器来进行控制的情形或利用专用的电路板(board)与个人计算机(Personal Computer，PC)的组合来进行控制的情形等各种。均也可用作脉冲激光光的振荡时机的控制。
第四发明为第一发明至第三发明中任一发明的扫描型缩小投影光学系统，其使用在紧邻第一透镜阵列之前或者在第一透镜阵列与第二透镜阵列之间配置有阵列掩模的缩放匀光器，所述阵列掩模包含将开口与所述各透镜元件相向地排列的开口群，所述开口具有较构成第一透镜阵列的各透镜元件的尺寸更小的尺寸。由此，在缩小投影有光掩模上的开口形状的供体基板上，去掉透镜元件间的杂散光所致的虚像，并且获得具有稳定且高均匀的能量分布的极微小的成像。另外，与透镜元件形状无关，可获得与光掩模的开口形状或排列一致的任意形状的微小成像。
在透镜元件为圆筒型的情形时，也可将细长开口的阵列掩模组合使用。此外，阵列掩模的位置为在位于紧邻第一透镜阵列之前或之后或者第一透镜阵列与第二透镜阵列间的范围内，利用光束轮廓仪(beam profiler)等来确认并且决定光掩模上的照射区的设计事项。此外，透镜元件的个数与阵列掩模的开口群的个数也可不一致。例如，可通过减少阵列掩模的外周部的开口数从而调整光学系统的数值孔径(Numerical Apeture，NA)。
作为所述规定尺寸的一例，若将复眼型的第一透镜阵列的元件尺寸、或配置于紧邻第一透镜阵列之前的所述阵列掩模的开口的尺寸设为dA，第一透镜阵列的焦点距离设为f1，第二透镜阵列的焦点距离设为f2，这些第一透镜阵列及第二透镜阵列间的距离设为a(此处为a＝f2)，另外，将所述聚光透镜的焦点距离设为fC，构成所述投影透镜系统的场镜的焦点距离设为fF，这些的透镜间隔设为b，则在所述光掩模上成像的照射区的所述规定尺寸(DP)是由下式表示。
[数1]
然而，所述结构中，产生第一透镜阵列的像差的影响或阵列掩模所致的衍射而不可谓合适。因此，将第一透镜阵列向光源侧移动，将阵列掩模放置于第二透镜阵列的光源侧焦点位置附近，由此避免这些问题。进而，也可提高通过阵列掩模切出的脉冲激光光的利用效率。
第五发明为第四发明的扫描型缩小投影光学系统，其中所述阵列掩模于其基材的面内，排列多种开口群，所述多种开口群可将尺寸或形状或者开口的个数不同的开口群而切换使用。
在阵列掩模的开口的个数少于第一透镜阵列的各透镜元件的个数的情形时，成为具有异形照明的功能的阵列掩模。将所述异形照明用的开口群、及与透镜阵列的透镜元件为相同个数的相向的开口群排列于一片基材的阵列掩模的例子示于图4。
第六发明为第四发明或第五发明的扫描型缩小投影光学系统，其中所述阵列掩模设置于可绕光轴进行微小的旋转调整包含θ轴的底座。
来自第二透镜阵列的各透镜元件的出射光通过聚光透镜而在光掩模上重合，由此可获得均匀性高的成像。此处，在阵列掩模与第二透镜阵列的相对位置关系方面，垂直于光轴的面内的位置偏移不影响均匀性。然而，若在绕光轴的旋转方向(θ)偏移，则成像的轮廓模糊，成为多重成像。将其状况示于图5。(此处使用具有圆形的开口形状的阵列掩模)成像越小，则此种旋转方向的偏移的影响越变大。
第七发明为第一发明至第六发明中的任一发明的扫描型缩小投影光学系统，其中各种光学元件对应于准分子激光的振荡波长。
第八发明为一种激光加工装置，利用下述原理：向位于基板上的照射对象物照射多模脉冲激光光而诱发反应，且所述激光加工装置为下述结构：通过第一发明至第六发明中任一项所记载的扫描型缩小投影光学系统，将自激光装置振荡的多模脉冲激光光缩小投影于至少具有X轴及Y轴的驱动轴的台所保持的基板上。
此处，关于位于基板上的照射对象物，为上文所述的不良的微小元件、或电路基板上的功能性膜的无用部分等各种。另外，此处诱发的“反应”中，包含机械反应、光学反应、电气反应、磁气反应及热反应，但不限定于这些。
第九发明为第八发明的激光加工装置，其中所述基板为所述照射对象物位于其表面的供体基板，所述激光加工装置为封装用或再转印用、或者这些兼用，用于向所述照射对象物自供体基板的背面照射脉冲激光光，由此将照射对象物选择性地剥离或分离，向与供体基板相向的受体基板上进行激光诱导向前转移，更具体而言，所述激光加工装置为激光诱导向前转移装置。
另外，所述激光加工装置的特征在于为下述结构，即：所述台为将供体基板以其背面成为所述脉冲激光光的入射侧的朝向加以保持的供体台，所述激光加工装置还具有：受体台，保持所述受体基板，具有X轴、Y轴、铅垂方向的Z轴、以及在X-Y平面内旋转的θ轴，所述扫描型缩小投影光学系统及所述供体台设置于第一平台，受体台设置于第二平台或基础平台，进而，第一平台与第二平台分别独立地设置于基础平台上。
此处，所谓将照射对象物选择性地剥离或分离，在照射对象物为微小元件的情形时，意指将所述微小元件自身选择性地自供体基板剥离，另外，在照射对象物为印刷或一片地涂布于供体基板上的功能性膜等的情形时，意指使与经由光掩模上的开口而缩小投影的激光光的成像位置及尺寸相当的部分的功能性膜等选择性地剥离或分离。此外，所述剥离或分离中，也包含不介有所谓剥蚀工艺(ablation process)的情形。
此外，由于任一台均进行步进重复动作，即，由于照射激光光时任一台均静止，故而也在成本面考虑，可谓在与导件之间有物理接触而稳定的滚动导引方式与空气轴承(airbearing)方式相比更优选。
另一方面，关于供设置这些台的第一平台、第二平台或基础平台的任一平台，其材质均需要使用铁钢、石材或陶瓷材等刚性高的构件。作为石材，优选为使用花岗岩(花岗石/御影石)所代表的石材。
根据以上的结构，向受体基板上进行激光诱导向前转移的照射对象物的位置精度及其位置稳定性是由这些扫描型缩小投影光学系统与通过排除了振动的各基板用台的设置结构抑制了变动的光掩模、缩小投影透镜及供体基板间的相对位置关系、及供体基板上的照射对象物的排列位置精度所决定。
第十发明为第九发明的激光诱导向前转移装置，其中所述扫描镜的控制装置包含下述功能：控制扫描镜，所述扫描镜向基于预先获取的所述供体基板上的照射对象物的位置信息及向所述受体基板上的激光诱导向前转移计划位置的信息而选择的光掩模上的开口扫描脉冲激光的光轴；以及控制脉冲激光光的照射。
尤其在将激光诱导向前转移装置用作再转印装置的情形等时，无法否定下述可能性，即：在再转印用的供体基板上存在无元件部位或封装有不良元件的不良部位。因此，为了仅对基于激光诱导向前转移目标的受体基板与激光诱导向前转移源的供体基板各自的不良部位的信息而选择的应进行激光诱导向前转移的供体基板上的照射对象物，照射来自扫描型缩小投影光学系统的激光光，而以向与所述选择的照射对象物相对的光掩模上的开口扫描光轴的方式，来控制扫描镜。
第十一发明为第九发明或第十发明的激光诱导向前转移装置，其中所述供体台可保持两个以上的供体基板，且可将这些切换使用。
例如，针对涂布有导电性膏膜的第一供体基板，照射通过本发明的扫描型缩小投影光学系统所缩小投影的规定尺寸的脉冲激光光，将相当于所述尺寸的部分的导电性膏膜向相向的受体基板上的位置进行激光诱导向前转移(膏印刷)。继而，通过移动供体台从而将第一供体基板切换为第二供体基板(载体基板)，将所述载体基板上的微小元件(器件)向受体基板上的同一位置进行激光诱导向前转移，经由导电性膏膜将所述微小元件(器件)加以固定。
第十二发明为第九发明至第十一发明的激光诱导向前转移装置，其中所述供体台吊设于第一平台的下表面。
构成供体台的轴的设置顺序为设计事项，但优选为自水平设置的第一平台的下表面，以X轴、Y轴的顺序，在包含θ轴的情形时吊设于其下。此外，受体台的轴构成也同样为设计事项。
第十三发明为第八发明的激光加工装置、或第九发明至第十二发明中任一发明的激光诱导向前转移装置，其特征在于所述激光装置为准分子激光装置。
第十四发明为一种激光诱导向前转移方法，用于使用第九发明至第十三发明中任一项所记载的搭载有扫描型缩小投影光学系统的本发明的激光诱导向前转移装置，将供体基板上的照射对象物封装或再转印于相向的受体基板上，且所述激光诱导向前转移方法包含：检查工序，预先获取作为供体基板上的照射对象物的位置信息的“位置信息D”、及作为照射对象物向受体基板上的激光诱导向前转移计划位置的“位置信息R”；分割工序，将供体基板上的区域划分为规定尺寸的“分割区D”；选择工序，基于位置信息D及位置信息R，选择进行激光诱导向前转移的分割区D内的照射对象物的位置；转印工序，利用通过(经由缩小投影透镜)与所述选择的照射对象物的位置相对的光掩模上的开口而照射于供体基板的激光光，将分割区D内的所选择的照射对象物，向为方便起见而规定为与其相向的受体基板上的区的“分割区R”进行激光诱导向前转移；以及移动工序，在所述转印工序后，将供体基板及受体基板移动至下一激光诱导向前转移区域，之后重复转印工序与移动工序，以受体基板的计划激光诱导向前转移的全区域为对象，将供体基板上的所选择的照射对象物向受体基板上进行封装或再转印。
在检查工序中，所封装的照射对象物的位置信息的获取方法为各种，但设为通过对所有或通过取样所得的两个以上的各个照射对象物的图像进行处理从而获得的各自的重心座标等为设计事项。而且，这些座标的原点位置的决定也为设计事项。关于位置信息D和/或位置信息R，可使用与本激光诱导向前转移装置无关的独立的检查装置进行检查，并在本激光诱导向前转移装置的控制装置经由通信机构获取其结果，也可利用本激光诱导向前转移装置，基于供体基板与受体基板的定位(对准)时的测定结果，根据设计上的数值而算出。此外，所述检查工序虽也取决于封装或再转印的总节拍时间，但较理想为在分割工序之前实施。
所谓分割区D内的所选择的照射对象物的位置，在将本激光诱导向前转移方法用作封装用的情形时，为与相向的分割区R内的激光诱导向前转移计划位置相对的所有的供体基板上的照射对象物(其中，不良部位除外)的位置，在用作再转印用的情形时，为与受体基板上的不良部位(无元件部位)相对的供体基板上的照射对象物(其中，不良部位(无元件部位)除外)的位置。
转印工序中，包含不停止扫描镜的扫描而与将光轴扫描至所述选择的照射对象物的位置的时刻同步地振荡脉冲激光光的情形、及反复进行扫描与停止的情形的任一者。
进而，位置信息D中，可当然包含正常封装于供体基板的作为照射对象物的微小元件或可正常剥离或分离的照射对象物的位置座标，而且也包含被识别为不良或缺损的照射对象物的位置座标(作为异常位置信息)。将本激光诱导向前转移方法用作再转印用的情形时的位置信息R也同样。
分割区D的最大尺寸依存于构成本激光诱导向前转移装置所搭载的扫描型缩小投影光学系统的缩小投影透镜。尤其远心缩小投影透镜鉴于其制造成本而开口数及倍率受到限制，故而视这些的规格不同，有时通过一次扫描可进行激光诱导向前转移的光掩模上或供体基板上的区域受到限制。
本激光诱导向前转移方法中，无论将本激光诱导向前转移装置用作封装用还是用作再转印用，均在供体基板的区域设定所述分割区D，通过保持这些供体基板及受体基板的各台的步进重复动作而使这些供体基板及受体基板移动，在这些台的停止时避免振动而高精度地进行激光诱导向前转移。
第十五发明为第十四发明的激光诱导向前转移方法，其中关于供体基板上的照射对象物的设计上的封装间距，在将本激光诱导向前转移方法用作封装用的情形时，相对于由位置信息R所算出的设计上的封装间距，为1倍、1/2倍、1/3倍…那样的1以上的整数分之一倍，或者在用作再转印用的情形时，相对于针对已封装的受体基板上的照射对象物的设计上的封装间距，为1倍、1/2倍、1/3倍…那样的1以上的整数分之一倍。
此外，设受体基板上的激光诱导向前转移计划位置为X×Y的矩阵状的排列的情形也包含下述情形，即：相向的同一尺寸的供体基板上的封装间距于X列中为1/n倍，在Y列中为1/m倍(n及m为1以上的不同整数)。
第十六发明首先设想下述情形，即：在由检查工序中获取的位置信息D所算出的供体基板上的照射对象物的现实的封装间距、与同样地由位置信息R所算出的受体基板上的封装间距之间，(在考虑到与供体基板上的封装密度的差异后)，在基板间有误差。关于所述受体基板上的封装间距，在将本激光诱导向前转移方法用于封装用的情形时，是由照射对象物的激光诱导向前转移计划位置(设计上的位置)而算出，在用于再转印用的情形时，为已封装的照射对象物的现实的封装间距。
参照供体基板的制造工序，即便为在供体基板上不存在不良元件或无元件部位的供体基板，所封装的照射对象物的现实的封装间距也有时相对于设计上的封装间距而具有误差(δPi)。而且，其原因在于可设想下述情形，即：即便所述误差不因同一基板上的场所而倾向性地变动，也在供体基板的制造批次间、或供体基板间具有差(具有误差)。此时，与分割区D所内含的照射对象物的个数相应地累计误差δPi。
因此，第十六发明为第十五发明的激光诱导向前转移方法，其中将移动工序中的各基板的移动量设为将所述“累计误差量”抵消的移动量。
第十六发明中，在想使用误差(δPi)具有一定以上的大小的供体基板对分割区D内的照射对象物进行激光诱导向前转移的情形时，视所述区内的照射对象物的位置(自基准位置起的照射对象物的个数)不同，有时彼处的累计误差量在激光诱导向前转移位置精度上超过容许范围。在供体基板上的照射对象物的封装密度高且间距窄的情形时，不仅是受体基板上的激光诱导向前转移计划位置、与要激光诱导向前转移的供体基板上的照射对象物的位置偏移，而且通过光掩模上的开口的激光光在供体基板上成像的计划位置、与应受其照射的照射对象物的位置的偏移尤其成问题。
因此，第十七发明中，以供体基板上的邻接的照射对象物的间隔为上限，且考虑到向供体基板上的照射对象物照射的激光光的照射尺寸与照射对象物的尺寸之差、及这些的位置偏移对激光诱导向前转移位置精度造成的影响后，规定可容许的累计误差量的范围，于在分割区D内的累计误差量达到最大的位置(例如以左上端为基准的情形时的右下端)超过所述容许范围的情形时，将第十六发明的分割工序中的分割区D的尺寸进一步缩小至所述位置的累计误差量收容于所述容许范围以内的尺寸，设为“修正分割区D”。
而且，将所述修正分割区D内的所选择的照射对象物，向相向的受体基板上的同样地为方便起见而规定为同尺寸的“修正分割区R”内进行封装或再转印。然后，为了向下一修正分割区R进行激光诱导向前转移，实施通过台来移动供体基板及受体基板的移动工序。此时，以抵消所述累计误差量的方式调整各台的移动量。
此外，在规定所述累计误差量的容许范围时，可设想存在下述情形：即便在一个分割区D内，未产生超过上文所述的最大值的累计误差量的情形时，也对受体基板全体按照供体基板上的(或受体基板上的)设计上的间距反复进行移动工序，结果超过所述最大值，或者预先进行仿真并规定所述容许范围(修正分割区D的尺寸)。
第十八发明为第十七发明的激光诱导向前转移方法，其中以位置信息D、位置信息R、所述分割区D的尺寸及所述容许范围作为参数，通过仿真程序以受体基板全域的封装或再转印所需要的时间达到最短的方式来决定所述修正分割区D的尺寸、各台的移动量的组合及各工序的实施顺序而进行。
发明的效果
本发明能以低成本来实现扫描型缩小光学系统、搭载有所述扫描型缩小光学系统的不良去除装置、或者封装用或再转印用的激光诱导向前转移装置，所述扫描型缩小光学系统不使用大口径的fθ透镜或远心投影透镜，弥补扫描镜的扫描精度不足，并且将具有均匀且无变动的能量分布的微小且稳定的照射区向排列于光掩模上的开口高速扫描，高均匀且高精度地缩小投影于照射对象物上。
附图说明
[图1]为例示将开口排列成矩阵状的光掩模的状况的概念图。
[图2]为例示将开口排列成一列的光掩模的状况的概念图。
[图3]为例示配置有扫描型缩小投影光学系统的构成元件的状况的概念图(无阵列掩模)。
[图4]为例示排列有多个开口群的阵列掩模的状况的概略图。
[图5]为光掩模上的(θ轴偏移)照射区的光束轮廓仪图像。
[图6A]为搭载有扫描型缩小投影光学系统的激光诱导向前转移装置的概略概念图(立体)。
[图6B]为搭载有扫描型缩小投影光学系统的激光诱导向前转移装置的概略概念图。
[图7]为缩放匀光器的元件构成的概念图。
[图8A]为阵列掩模的概念图。
[图8B]为阵列掩模的照片。
[图9]为与自缩放匀光器至供体基板的各光学元件的配置有关的概念图。
[图10A]为表示插入矩形阵列掩模时的光掩模上的成像状态的光束轮廓图像。
[图10B]为表示插入圆形阵列掩模时的光掩模上的成像状态的光束轮廓图像。
[图11]为用于实施例1的光掩模的概念图。
[图12]为缩小投影于供体基板上的激光光的光束轮廓图像。
[图13]为在供体基板的有效区全体封装有微小元件的区的状况的概念图。
[图14]为将6英寸的供体基板上的区域划分为27个分割区的状况的概念图。
[图15]为表示供体基板上的位置与累计误差量的关系的概念图。
[图16]为表示不良位置信息D与不良位置信息R重叠的状况的概念图。
[图17]为表示使相对的各基板的分割区分别相向而进行激光诱导向前转移的状况的概念图。
[图18]为表示使不相对的各基板分割区分别相向而进行激光诱导向前转移的状况的概念图。
具体实施方式
以下，使用具体的例子及图对本发明的实施方式加以说明。此外，以下的说明中，也有时为了方便而使用上文所述的概念图等。
实施例1
本实施例1中，表示下述激光诱导向前转移装置的实施例，所述激光诱导向前转移装置将在尺寸为6英寸的供体基板上以矩阵状无不良地排列的尺寸为30×60[μm](X轴×Y轴)的作为微小元件(微LED元件)的照射对象物，以222×225个的合计49950个以矩阵状对相同尺寸的受体基板进行封装。封装于受体基板上的所述约5万个微小元件所要求的激光诱导向前转移位置精度为±2[μm]，各轴向的间距为450[μm]。此外，在供体基板上，以相对于计划向受体基板进行激光诱导向前转移的位置的封装间距而为1/2倍的间距，无不良(不存在无元件部位)地排列有微小元件，其总数为约20万个。而且，与邻接的微小元件的距离(间隔)为X：195[μm]、Y：165[μm]。本实施例中为了简单，将受体基板尺寸与供体基板设为相同尺寸，且微小元件的排列间距于X轴、Y轴均设为相同，均为设计事项。
首先，将本发明的实施的激光诱导向前转移装置的外观的一例示于图6A。所述外观图的结构可对应于55英寸尺寸以上的受体基板。另外，将主要构成部位的配置的概念图示于图6B。此外，图6B中省略激光装置、各种控制装置、其他各光学元件的底座等的图示，X轴、Y轴及Z轴方向示于图中。关于第一平台(G11、G12)及第二平台(G2)，全部设为使用花岗岩(granite)的石平台。而且，关于基础平台(G)，使用刚性高的铁。
另外，较理想为在各平台间或各平台与各台之间，具有用以对其设置角度(正交/平行)进行微调整的转动调整机构。具体而言，优选为上文所述的专利文献1所记载的转动调整机构。进而，较理想为将监视各基板的位置的高倍率照相机设置于与保持所述基板的台等振动系统不同的部位。
本实施例1中所用的激光装置为将振荡波长设为248[nm]的准分子激光。出射的激光光的空间分布大致为8×24[mm]，光束扩展角为1×3[mrad]。均为(纵×横)的表述，且数值为半高全宽(Full Width at Half Maximum，FWHM)。此外，准分子激光的规格为各种，输出的差异、重复频率的差异、光束尺寸的差异、光束扩展角的差异等自不待言，也存在出射的激光光为纵长(使所述纵与横颠倒)的激光，通过进行光学系统的追加、省略或设计变更，本实施例中可使用的准分子激光大量存在。另外，激光装置虽也取决于其大小，但也有时设置于与通常设置激光诱导向前转移装置的台群的基础不同的平台之上。
来自准分子激光的出射光入射至望远镜(telescope)光学系统，向其前方的缩放匀光器传播。此处，缩放匀光器如图6B所示，以其光轴沿着X轴的方式配置于第一平台(G11)上。而且，即将入射至所述缩放匀光器之前的激光光由望远镜光学系统调整为大致成为平行光，不依存于缩放匀光器的位置而大致以相同尺寸沿着X轴入射至所述缩放匀光器。本实施例中，其尺寸大致为25×25[mm](Z×Y)。
构成本实施例的缩放匀光器的各透镜阵列(1、2)如图7所示的概念图所示，是在相对于光轴而垂直的Y-Z面内，将两片一组的单轴柱面透镜阵列以直角组合而成。激光光入射至前级的组的第一透镜阵列(1)，一方面聚光一方面通过放置于后级的第二透镜阵列(2)的光源侧焦点位置附近的阵列掩模(10)，依序传播至第二透镜阵列(2)、聚光透镜(3)。
本实施例1中，作为阵列掩模，使用将0.75[mm]见方的开口排列成矩阵状的掩模。将其概念图示于图8A。所述概念图中，为了表示与透镜阵列相对的状况，以概念图来表示配置于紧邻复眼型的透镜阵列(1)之前的阵列掩模(10)与其开口(101)的位置关系。本实施例中所用的阵列掩模的状况示于图8B。
关于自缩放匀光器至供体基板的各光学元件的配置，将其概念图示于图9。详细的配置位置为设计事项。自所述缩放匀光器出射的激光光由双轴构成的扫描镜(4)及其控制装置扫描，向场镜(5)传播，在光掩模(6)上成像。
光掩模(6)上的成像面为以阵列掩模(10)的开口(101)为物体面且包含第二透镜阵列(2)及聚光透镜(3)的无限远补正光学系统的像面。
激光光由扫描镜(4)进行扫描，向所述光掩模(6)上的所选择的一个开口(61)传播，以规定尺寸的照射区成像。图10A为其光束轮廓图像。所述规定尺寸为具有若经由未选择的邻接的光掩模上的开口向未意欲的照射对象物照射则诱发反应的阈值以上的能量分布的边界(外周、外缘)，本实施例中大致为1[mm](FWHM)。此外，图10B为使用开口形状为圆形的阵列掩模(10)的情形时的同样的光掩模(6)上的光束轮廓。
关于本实施例1的光掩模(6)，使用在合成石英板以镀铬描绘有(施加有)图案的光掩模。图11中表示其概念图。激光光通过未实施镀铬的显示为白色的窗部分(61)，且由实施有镀铬的有色部分(62)阻断。开口的尺寸为60×100[μm]，其在X轴向以间距600[μm]的间隔配置有74个开口，且在Y轴向以相同间距配置有25个开口，合计配置有1850个。另外，实施镀铬的面为激光光的出射侧，另一方面，预先在入射侧施加有248[nm]用的抗反射膜。进而，也可代替镀铬而使用铝蒸镀或介电体多层膜。
此外，光掩模(6)及阵列掩模(10)分别固定于专用的底座(省略图示)，所述底座具有共计六轴的调整机构，所述六轴为在X轴、Y轴、Z轴方向分别移动的W轴、U轴、V轴，以及YZ面内的(绕光轴的)旋转轴的R轴(θ轴)、调整相对于V轴的倾斜度的TV轴及调整相对于U轴的倾斜度的TU轴。
此外，通过缩放匀光器的激光光(的光轴)由扫描镜(4)对光掩模上的开口部进行高速扫描，准分子激光装置与将其光轴扫描至各开口的位置的时机同步地进行脉冲振荡。
通过光掩模图案的激光光经由光阑(7)而传播至具有3/4的缩小倍率的像侧远心投影透镜(8)，继而朝向供体基板(91)，缩小投影至自其背面封装有表面(下表面)的尺寸为30×60[μm](X×Y)的微小元件的位置。图12为所述投影的激光光的光束轮廓图像。受到所扫描的激光光的照射的供体基板上的微小元件以间距450[μm]逐渐向相向的受体基板上以矩阵状进行激光诱导向前转移，并封装。
经激光诱导向前转移的30×60[μm]的照射对象物的个数为相当于光掩模上的上文所述的74×25开口的个数，其激光诱导向前转移范围为约33×11[mm]。
此外，缩小投影透镜(8)为像侧远心，也可设为下述结构，即：除了通过保持其的Z轴驱动的台等进行调整以外，还追加供体基板的Z轴方向的调整功能(Z轴台(Zd))，支撑于光吸收层进行成像。然而，必须考虑对供体台的加重负荷增加所致的激光诱导向前转移位置精度的降低。
另外，在调整供体基板表面与光吸收层等的边界面的成像位置时，有效的是使用共焦点光束轮廓仪(BP)进行即时监视，所述共焦点光束轮廓仪(BP)在摄像面具有相对于光掩模面及缩小投影透镜处于共轭关系的平面。本实施例1中，即时且以高分辨率监视在供体基板表面与微小元件的边界面缩小投影的激光光的空间强度分布。
向光掩模(6)上的所有开口扫描激光光，向成像位置经调整的供体基板上所排列的微小元件依次照射激光光。由此，相当于光掩模上的开口数的1850个微小元件向受体基板上的相同数量的激光诱导向前转移计划位置封装。此外，所述1850处激光诱导向前转移区域相当于将受体基板在X轴方向一分为三(A～C)、在Y轴方向一分为九(1～9)而合计划分为27个(A1～A9、B1～B9、C1～C9)时的一个区。其尺寸为由扫描镜的扫描角及缩小投影透镜的开口径所决定的约33×11[mm]。对所述一个区的激光诱导向前转移完成后，将供体基板及受体基板移动至下一激光诱导向前转移区。例如，在X轴方向移动33.3[mm]，在Y轴方向移动11.25[mm]。然后，再次进行1850处的激光诱导向前转移，以后对激光诱导向前转移计划位置全体重复所述操作，完成自供体基板向受体基板的49950个微小元件的封装。在供体基板上，如上文所述，以向受体基板上的激光诱导向前转移计划位置的间距的1/2倍的高密度无不良地封装有微小元件，故而通过一片供体基板，可进行向四片受体基板的封装。
此外，视激光光向供体基板上的各开口的成像尺寸与其能量密度的关系，在可将激光光向光掩模上的照射区的规定尺寸(DP)例如设为图1中一点链线所示那样可一揽照射四个开口的尺寸的情形时，可将封装所耗费的时间设为约1/4。
另外，如图13所示，在使用形状为晶片形状，且在其有效区全体封装有微小元件的供体基板的情形等时，也可设定沿着所述微小元件的封装区的激光诱导向前转移区(图中为斜线所示的区)，使扫描镜的扫描范围与其一致而进行扫描，由此进行位于角落的微小元件的激光诱导向前转移。
以上为将供体基板上的微小元件向相向的受体基板上封装的激光诱导向前转移装置、及封装方法的具体例。
实施例2
本实施例2中，使用本发明的修正用的激光诱导向前转移装置来表示修正例，所述修正例向修正对象的6英寸的受体基板(以下，在本实施例2中简称为“受体基板”)的相当于约1％的不良部位进行再转印，所述受体基板若无转印不良，则以与邻接元件为200[μm]的间距矩阵状地封装有495×495＝245025个40[μm]见方的微小元件。另外，与受体基板同样地，关于排列于6英寸的修正用供体基板(以下，于本实施例中简称为“供体基板”)上的用于再转印(修正)的微小元件，也分布有高达约1％的无元件部位(及不良部位)。此外，在本实施例2的供体基板上，以相对于在受体基板上封装的微小元件的设计上的封装间距而设计上为1/4倍的间距即50[μm]排列有微小元件，其总数为390万以上。因此，与邻接的微小元件的间隔为10[μm]。除此以外，本实施例2的激光诱导向前转移装置所搭载的扫描型缩小投影光学系统的构成概略或装置的结构与实施例1相同，但各光学元件的规格或其配置位置、及由这些所决定的光束轮廓形状为设计事项。
在本实施例2的光掩模(6)上，如图1所示，较由缩小投影透镜(8)的倍率(1/4倍)及微小元件尺寸(40[μm]见方)决定的形状大一圈的200[μm]见方的开口(Ma)以800[μm]间距(Pi)排列成165个×55个的矩阵。所述排列对应于封装于受体基板的微小元件的排列。通过扫描型缩小投影光学系统在所述光掩模上成像的照射区的尺寸为与本实施例1同样的约1[mm]见方，为可不与光掩模上邻接的开口干扰而进行照射的尺寸。通过所述开口的激光光经由图像侧远心缩小投影透镜(8)向供体基板(9)上的用于再转印(修正)的微小元件成像。
与扫描镜(4)的动作同步地进行脉冲振荡的具有所述照射区尺寸的准分子激光光照射于光掩模(6)上的200[μm]见方的开口。通过所述开口的激光光通过1/4倍的缩小倍率的像侧远心投影透镜(8)，自供体基板的背面朝向排列于所述供体基板的微小元件，不与以10[μm]的间隔邻接的微小元件发生干扰而进行照射。本实施例中，所照射的脉冲激光光以较所述微小元件尺寸大一圈的50[μm]见方在供体基板的表面(下表面)成像，诱发反应，将位于所述位置的微小元件向受体基板上的无元件部位进行激光诱导向前转移。
以下，分各工序来表示具体的用于再转印(修正)的激光诱导向前转移方法。
(1)检查工序
作为封装于供体基板上及受体基板上的微小元件的位置信息，获取设计上的位置信息及由图像处理所得的现实的封装位置。具体的座标设为由微小元件的形状所得的重心位置，座标原点是参照基板的定向平面(orientation flat)的位置而决定。除此，将供体基板上的位置信息设为“位置信息D”，受体基板上的位置信息设为“位置信息R”。
位置信息D包含不应用于再转印的被认定为不良的微小元件、及原本未封装的无元件部位。这些的位置座标是由邻接的微小元件而算出，作为“不良位置信息D”而获取。位置信息R的“不良位置信息R”也同样。
另外，本实施例中，排列于供体基板上的微小元件的设计上的间距为封装于受体基板上的微小元件的设计上的间距的1/4倍，其现实的间距在供体基板间、进而与受体基板之间具有误差。因此，预先根据位置信息D及位置信息R来算出所述误差。本实施例中为了简单，位置信息R设为设计上的间距，供体基板的间距相对于所述间距的误差δPi的值为+0.0075[μm]。
(2)分割工序
与实施例1同样地，将6英寸的供体基板上的区域划分为27个分割区(“分割区D”)。如图14所示，各区为33[mm]×11[mm]，为方便起见，各分割区作为A1～A9、B1～B9、C1～C9而示于图中。受体基板也同样地划分为27个“分割区R”，激光诱导向前转移是在相向的分割区之间进行。
此外，与实施例1同样地，所述分割区D的尺寸为由缩小投影透镜的有效开口径、由其他规格所限制的光掩模的尺寸、及同样的缩小投影倍率所决定的设计事项。
此处，将对分割区D所内含的照射对象物的长轴(X轴)方向的数660(-1)个乘以所述误差δPi所得的作为累计误差量而可容许的范围设定为±5[μm]。
所述容许范围如图15所示，在以分割区D(一点链线)的左上端作为对位基准的情形时，是基于下述极限而任意设定，即：可照射通过光掩模上(6)的开口(61)的激光光在供体基板上的40[μm]见方的微小元件上成像的尺寸即50[μm]见方(图中的虚线)的累计误差量达到最大的位于右端位置的微小元件(实线)的全面。此外，图中的二点链线的40[μm]见方为设计上的供体基板上的微小元件的封装位置，相对于虚线的成像尺寸而位于中央。本实施例中，封装于分割区D内的任一微小元件均相对于彼处的设计上的位置而累计误差量在所述容许范围内(659×0.0075≒4.94)，故而在所述分割工序中，无须设定缩小的“修正分割区D”。
(3)选择工序
针对与分割区D相向的相同尺寸的分割区R，朝向相当于封装于所述分割区R的9075个微小元件的约1％的无元件部位(约91处不良位置信息R)，将排列于分割区D内的微小元件中位于与其相向的位置的微小元件选择性地以一对一进行激光诱导向前转移。
然而，有可能也封装于分割区D内的微小元件(660×220＝145200个)中，存在相当于约1％的1452个不良元件，这些(不良位置信息D)与不良位置信息R重叠。图16中表示所述状况。此处，想象穿过供体基板来观察受体基板。示出排列于供体基板上的微小元件的排列的一部分区。所述图中，将分割区A1中虚线所包围的左上的附近放大表示，图示位于所述区内的供体基板上的微小元件的排列状况。
此处，为方便起见，以中空的四边形(Mr)来表示预先通过去除工序自受体基板去除了不良元件的无元件部位的位置，以黑色的四边形(Er)来表示同样地正常封装于受体基板的微小元件的位置，此外以灰色的四边形(Ed)来表示以受体基板的16倍高密度排列的供体基板上的微小元件的位置。(与Er或Mr重叠的位置的Ed省略图示)如上文所述，供体基板上的微小元件Ed的间距为50[μm]，受体基板上的微小元件Er的间距为200[μm]。
首先，先对通过用于修正的供体基板对第一片受体基板进行修正的情形加以说明。
(3-1)以基板单位来对照不良位置信息D与不良位置信息R，事先确认无元件部位(Mr)与不良元件位置(Md)重叠的位置。此处应确认的重叠的有无意指图中所示的沿供体基板的X轴方向排列的β列群、与同样地沿Y轴方向排列的α列群交叉的位置(共计245025处/基板)的基板单位(27个区全部)的重叠。此外，其他的α'、α”、α”'、β'、β”及β”'列群表示以16倍的密度封装的供体基板上的其他微小元件的排列位置。(图中，α列群自左向右以箭头图示仅3列，β列群自上而下以箭头图示仅2列。其他的“'”列群也同样限定性地以箭头图示)
若无重叠，则作为选择工序，选择与无元件部位(Mr)相对的供体基板上的微小元件的位置(Ed)。确认到重叠的情形将于后述。
(3-2)另一方面，在通过已用于修正的供体基板、与(第一片或)第二片以后的受体基板的组合来进行修正的情形时，将对原本供体基板所具有的约1％的不良元件的位置信息(Md)进一步加上因以往用于再转印故而微小元件缺损的已使用位置信息的所有位置信息(1％的Md+已使用Md)、与受体基板上的无元件部位的分布位置信息(Mr)进行对照，事先确认有无重叠。其结果若无重叠，则作为选择工序，选择与无元件部位(Mr)相对的供体基板上的微小元件的位置(Ed)。
(4)转印工序
在上述(3-1)或(3-2)的情形时，选择用于再转印的供体基板上的微小元件的位置后，从上文所述的分割区A1开始再转印，进行第一片或第二片以后的受体基板的修正。通过扫描镜(4)经由光掩模(6)及缩小投影透镜(8)将激光光的光轴沿着供体基板上的β的列进行扫描。在所述区内，通过以对所选择的位置扫描光轴的时机振荡的准分子激光光，将封装于供体基板上的所选择的位置的微小元件向受体基板上的相向的无元件部位(Mr)进行激光诱导向前转移。
(5)移动工序
利用位于供体基板的区A1内的所选择的位置的微小元件对受体基板的区A1进行的修正结束后，对接下来的区A2同样地进行修正。关于区的移动，通过保持各基板的台的移动以任意顺序(例如，A1～A9→B1～B9→C1～C9)进行所有区的修正。此外，关于各分割区的移动时的台移动量，以抵消上文所述的累计误差量(约+4.95[μm])的方式设定。对需要修正的所有分割区完成修正后，将所述受体基板更换为接下来要修正的受体基板。
另一方面，在上文所述的(3-1)或(3-2)的以基板单位进行的对照中，在确认到有重叠的情形时，将对照对象的列群由α变更为α'列群或由β变更为β'列群，在变更后的列群的组合(经变更的列群的交点)下，与上文所述的(3-1)或(3-2)同样地以基板单位进行对照而确认是否无重叠。此时，可实现的列群的组合为15种。在以基板单位发现无重叠的列群的组合的情形时，基于所述组合而选择与无元件部位(Mr)相对的供体基板上的微小元件的位置(Ed)。此外，在转印工序之前，进行与所述列群的组合相应的基板的移动。图17中，表示各分割区(A1)间的再转印时的基板间的位置的状况。
另外，在上文所述的(3-1)或(3-2)的基板单位的对照中，15种组合均未发现无重叠的列群组合的情形时，以窄的相向的分割区单位而非广的基板单位来进行对照。例如，限定于受体基板的区A1及与其相向的供体基板的区A1来进行对照。若其结果为在α列群与β列群交叉的位置无重叠，则直接进入转印工序，若有重叠，则至少在相向的各基板的分割区(A1)内，探索无重叠的其他列群的组合(例如：α'列群与β”列群)。所述组合最多存在16种。在所发现的无重叠的列群的组合下，利用供体基板的分割区A1完成受体基板的分割区A1的修正后，对接下来的区A2经由同样的对照在无重叠的列群组合下修正受体基板的区A2。以后，针对供体A3与受体A3、供体A4与受体A4…重叠所述操作。此外，例如仅在分割区B5彼此之间有重叠，除了所述区以外以基板单位无重叠的情形时，无须其以前与以后的区限定的对照。
在上文所述的相向的分割区彼此的对照(A1与A1、B1与B1…)中，在未发现无重叠的列群组合的情形时，在所述时间点排除所述限定，从将作为对照对象的供体基板上的区限定于与其相向的分割区彼此的对照，向与供体基板的其他26个分割区的对照，以区单位来探索无重叠的列群的组合。在图18中表示所述状况。此处，在供体基板的分割区C5与受体基板的分割区A3的组合下，例如利用α”'群与β”'群的交叉位置进行再转印。然而，需注意下述方面，即：必须考虑反映出直至变更所述对照对象的分割区的时间为止已用于修正的微小元件的缺损位置的不良位置信息(Md)，在分割区之间探索无重叠的列群的组合。此外，需要也综合考虑用于频繁的列群移动或向相向的分割区的移动的台移动所需要的时间，来研究(计算)是否可实现妥当的节拍时间。根据其计算结果，适当进行重叠的对照范围的选择或供体基板的更换时期的判断。
此外，只要激光光对受体基板上的直接照射不产生不良影响，则也产生以下等选项，即：无论不良位置信息有无重叠，均进行转印工序，例如针对因重叠而并未再转印的无元件部位，利用不同的供体基板进行第二次以后的修正。进而，也可基于节拍时间的仿真将各基板的对照、与各分割区的对照适时组合，进而，也可基于检查工序中预先获取的各基板的位置信息，预先规定所仿真的节拍时间最短的各对照方法或其范围的组合。
在如本实施例那样以分割区R为单位进行再转印的情形时，即，以光掩模上的开口数(165×55个)为单位使具有约30个/秒的扫描速度的扫描镜一次性扫描进行再转印的情形时，若基板间并无不良位置的重叠，则每一分割区的(约90部位的)修正所需要的时间为约3秒，即便考虑对27个分割区进行所述操作的时间、及用于分割区移动的各基板的移动时间，自设置基板至修正结束为止所需要的时间也大致为90秒左右。
与使用一个部位的微小元件的再转印需要约1秒的上文所述的先前装置的情形的约2450秒的节拍时间相比较，能以压倒性的速度进行高达1％的不良元件的修正。另外，即便考虑对照(确认重叠)所需要的计算时间、及用以避免重叠的所述列群移动及分割区移动所需要的台的移动时间，也可维持本实施例的节拍时间的压倒性的优越性。
此外，在不将分割区限于相向的分割区而随机对照的情形、或考虑累计误差量的情形时，可通过以检查工序中获取的位置信息D、位置信息R、所述分割区D的尺寸及所述累计误差量的容许范围作为参数的仿真程序，以受体基板全域的封装或再转印所需要的时间达到最短的方式决定所述修正分割区D的尺寸、各台的移动量的组合及各工序的实施顺序，进行各工序的最适化。
以上，对本发明的实施方式进行了详述，但另一方面，若以不同视点来表现本发明，则如下述(1)～(19)那样。
(1)一种扫描型缩小投影光学系统，用于激光加工装置中，所述激光加工装置利用下述原理：向照射对象物照射激光光而诱发反应，且所述扫描型缩小投影光学系统具有无限远补正光学系统、扫描镜及光掩模。
(2)一种激光加工装置，利用下述原理：向照射对象物照射激光光而诱发反应，且所述激光加工装置具有振荡所述激光光的激光装置、无限远补正光学系统及扫描镜。
(3)一种激光诱导向前转移装置，用于向设有照射对象物的供体基板照射激光光，使所述照射对象物自所述供体基板向受体基板移动，且所述激光诱导向前转移装置具有振荡所述激光光的激光装置、无限远补正光学系统及扫描镜。
(4)一种激光加工方法，向照射对象物照射激光光而诱发反应，且所述激光加工方法的特征在于，使用具有无限远补正光学系统、扫描镜及光掩模的扫描型缩小投影光学系统，向所述照射对象物照射激光光。
(5)一种激光诱导向前转移方法，向设有照射对象物的供体基板照射激光光，使所述照射对象物自所述供体基板向受体基板移动，且所述激光诱导向前转移方法的特征在于，使用具有无限远补正光学系统、扫描镜及光掩模的扫描型缩小投影光学系统，向所述照射对象物照射激光光。
(6)一种封装有照射对象物的基板的制造方法，向设有照射对象物的供体基板照射激光光，使所述照射对象物自所述供体基板向受体基板移动，且所述封装有照射对象物的基板的制造方法的特征在于，使用具有无限远补正光学系统、扫描镜及光掩模的扫描型缩小投影光学系统，向所述照射对象物照射激光光。
(7)根据(6)记载的封装有照射对象物的基板的制造方法，其中所述照射对象物为微小元件。
(8)根据(7)所记载的封装有照射对象物的基板的制造方法，其中所述微小元件为微LED。
(9)根据(7)或(8)所记载的封装有照射对象物的基板的制造方法，其中所述微小元件在所述供体基板上配置成矩阵状。
(10)根据(6)所记载的封装有照射对象物的基板的制造方法，其中所述照射对象物为膜。
(11)根据(10)所记载的封装有照射对象物的基板的制造方法，其中所述膜为具有导电性的膜或具有粘着性的膜。
(12)根据(10)所记载的封装有照射对象物的基板的制造方法，其中所述膜为有机EL膜。
(13)一种封装有微小元件的基板的制造方法，具有下述工序：向设有膜的第一供体基板照射激光光，使所述膜自所述第一供体基板向受体基板移动，获得封装有膜的基板；以及向设有微小元件的第二供体基板照射激光光，使所述微小元件自所述第二供体基板向封装有所述膜的基板的膜上移动，且所述封装有微小元件的基板的制造方法的特征在于，使用具有无限远补正光学系统、扫描镜及光掩模的扫描型缩小投影光学系统，向所述膜或所述微小元件照射激光光。
(14)一种不良部位的去除方法，向具有不良部位的供体基板的所述不良部位照射激光光，将所述不良部位自所述供体基板去除，且所述不良部位的去除方法的特征在于，使用具有无限远补正光学系统、扫描镜及光掩模的扫描型缩小投影光学系统，向所述不良部位照射激光光。
(15)一种再转印方法，向设有照射对象物的供体基板照射激光光，使所述照射对象物自所述供体基板向受体基板移动，且所述再转印方法的特征在于，所述受体基板具有预先封装有所述照射对象物的区域及未在封装计划区域封装有照射对象物的不良区域，所述再转印方法使用具有无限远补正光学系统、扫描镜及光掩模的扫描型缩小投影光学系统，向设于所述供体基板的照射对象物照射激光光，使所述照射对象物向所述受体基板的所述不良区域移动。
(16)一种激光诱导向前转移方法，向设有照射对象物的供体基板照射激光光，使所述照射对象物自所述供体基板向受体基板移动，且所述激光诱导向前转移方法的特征在于，设于所述供体基板的所述照射对象物具有不良区域，所述激光诱导向前转移方法使用具有无限远补正光学系统、扫描镜及光掩模的扫描型缩小投影光学系统，向所述不良区域以外的照射对象物照射激光光，使所述照射对象物向所述受体基板移动。
(17)一种激光加工方法，向照射对象物照射激光光而诱发反应，且所述激光加工方法的特征在于，所述激光光由扫描镜进行扫描，在光掩模上作为无限远补正光学系统的像面而成像，通过所述光掩模的所述激光光缩小投影于所述照射对象物。
(18)一种激光诱导向前转移方法，向设有照射对象物的供体基板照射激光光，使所述照射对象物自所述供体基板向受体基板移动，且所述激光诱导向前转移方法的特征在于，所述激光光由扫描镜进行扫描，在光掩模上作为无限远补正光学系统的像面而成像，通过所述光掩模的所述激光光缩小投影于所述照射对象物。
(19)一种封装有照射对象物的基板的制造方法，向设有照射对象物的供体基板照射激光光，使所述照射对象物自所述供体基板向受体基板移动，且所述封装有照射对象物的基板的制造方法的特征在于，所述激光光由扫描镜进行扫描，在光掩模上作为无限远补正光学系统的像面而成像，通过所述光掩模的所述激光光缩小投影于所述照射对象物。
(20)一种扫描型缩小投影光学系统，用于激光加工装置中，所述激光加工装置利用下述原理：向照射对象物照射激光光而诱发反应，且
所述扫描型缩小投影光学系统具有第一透镜阵列、第二透镜阵列、扫描镜及光掩模。
(21)根据(20)所记载的扫描型缩小投影光学系统，其中所述第一透镜阵列或所述第二透镜阵列是使透镜元件排列而成。
(22)根据(21)所记载的扫描型缩小投影光学系统，其中所述透镜元件为复眼型、圆筒型或球面型。
(23)根据(20)至(22)中任一项所记载的扫描型缩小投影光学系统，其中所述第一透镜阵列或所述第二透镜阵列是将单轴圆柱透镜以直角组合而成。
(24)根据(20)至(23)中任一项所记载的扫描型缩小投影光学系统，其中在紧邻所述第一透镜阵列之前配置有阵列掩模。
(25)根据(20)至(24)中任一项所记载的扫描型缩小投影光学系统，其中在所述第一透镜阵列与所述第二透镜阵列之间配置有阵列掩模。
(26)根据(24)或(25)所记载的扫描型缩小投影光学系统，其中所述阵列掩模具有开口群。
(27)根据(26)所记载的扫描型缩小投影光学系统，其中形成所述开口群的开口为圆形状、椭圆形状、正方形状或长方形状。
(28)根据(26)或(27)所记载的扫描型缩小投影光学系统，其中形成所述开口群的开口的尺寸小于所述透镜元件的尺寸。
(29)根据(24)至(28)中任一项所记载的扫描型缩小投影光学系统，其中所述阵列掩模具有至少两种开口群。
(30)根据(29)所记载的扫描型缩小投影光学系统，其中所述至少两种开口群各自的形成开口群的开口的尺寸、开口的形状、开口的个数或开口的配置不同。
(31)一种扫描型缩小投影光学系统，用于激光加工装置中，所述激光加工装置利用下述原理：向照射对象物照射激光光而诱发反应，且
所述扫描型缩小投影光学系统仅像侧为远心。
(32)一种不良部位的去除方法，向具有不良部位的供体基板的所述不良部位照射激光光，将所述不良部位自所述供体基板去除，且所述不良部位的去除方法的特征在于，
使用具有电流扫描仪及光掩模的扫描型缩小投影光学系统，向所述不良部位照射激光光。
(33)根据(32)所记载的不良部位的去除方法，其中所述光掩模具有圆形状、椭圆形状、正方形状或长方形状的开口。
(34)根据(32)或(33)所记载的不良部位的去除方法，其中所述光掩模具有开口配置成矩阵状的区域。
(35)根据(32)至(34)中任一项所记载的不良部位的去除方法，其中所述光掩模具有至少两种开口群。
(36)根据(35)所记载的不良部位的去除方法，其中所述至少两种开口群各自的形成开口群的开口的尺寸、开口的形状、开口的个数或开口的配置不同。
(37)一种再转印方法，向设有照射对象物的供体基板照射激光光，使所述照射对象物自所述供体基板向受体基板移动，且所述再转印方法的特征在于，
所述受体基板具有预先封装有所述照射对象物的区域及未在封装计划区域封装有照射对象物的不良区域，
使用具有电流扫描仪及光掩模的扫描型缩小投影光学系统，向设于所述供体基板的照射对象物照射激光光，使所述照射对象物向所述受体基板的所述不良区域移动。
(38)一种激光诱导向前转移方法，向设有照射对象物的供体基板照射激光光，使所述照射对象物自所述供体基板向受体基板移动，且所述激光诱导向前转移方法的特征在于，
设于所述供体基板的所述照射对象物具有不良区域，
使用具有电流扫描仪及光掩模的扫描型缩小投影光学系统，向设于所述不良区域以外的照射对象物照射激光光，使所述照射对象物向所述受体基板移动。
可将上文所述的多个实施方式的各构成要件细分化，将经细分化的构成要件各自单独或组合导入至这些(1)至(38)。例如，各种透镜的使用形态及配置、激光光的种类、激光加工装置中的各种结构及控制方法、光掩模的种类及形状、开口部的形状及配置、照射对象物的种类及形状、激光剥离(laser lift-off)的反应机制、光学系统的机制等为代表例。
产业上的可利用性
本发明可用于微LED显示器的制造工序的一部分。

Claims (56)

1.一种扫描型缩小投影光学系统，其特征在于，为用于激光加工装置中的光学系统，所述激光加工装置利用下述原理：向位于基板上的照射对象物照射多模脉冲激光光而诱发反应，且
所述扫描型缩小投影光学系统具有透镜阵列型的缩放匀光器、扫描镜、光掩模及至少像侧为远心的投影透镜系统，
在所述光掩模以规定的间距排列有多个规定形状的开口，
所述缩放匀光器包含具有第一透镜阵列及第二透镜阵列、以及聚光透镜的结构，所述缩放匀光器将覆盖所述光掩模上的一个以上的邻接的开口群的规定尺寸的照射区在所述光掩模上成像，所述缩放匀光器补偿所述照射区的位置及尺寸以及所述照射区内的能量强度分布的变动，
所述规定尺寸为所述照射区不到达与所述开口群邻接的其他任一开口的尺寸，
所述扫描镜由一轴以上的驱动轴控制装置进行扫描。
2.根据权利要求1所述的扫描型缩小投影光学系统，其中所述投影透镜系统包含场镜及缩小投影透镜，
所述场镜位于所述聚光透镜与所述光掩模之间。
3.根据权利要求1或2所述的扫描型缩小投影光学系统，其中所述扫描镜包含双轴的电流扫描仪。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的扫描型缩小投影光学系统，其中在紧邻第一透镜阵列之前或者第一透镜阵列与第二透镜阵列之间配置有阵列掩模，所述阵列掩模包含将开口与所述各透镜元件相向地排列的开口群，所述开口具有较构成第一透镜阵列的各透镜元件的尺寸更小的尺寸。
5.根据权利要求4所述的扫描型缩小投影光学系统，其中所述阵列掩模在其基材的面内，排列有多种开口群，所述多种开口群能够将尺寸或形状或开口的个数不同的开口群切换而使用。
6.根据权利要求4或5所述的扫描型缩小投影光学系统，其中所述阵列掩模设置于能够绕光轴进行微小的旋转调整的包含θ轴的底座。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的扫描型缩小投影光学系统，其中所述多模脉冲激光光为准分子激光光。
8.一种激光加工装置，其特征在于，利用下述原理：向位于基板上的照射对象物照射多模脉冲激光光而诱发反应，且所述激光加工装置包含：
激光装置，振荡所述多模脉冲激光光；
如权利要求1至6中任一项所述的扫描型缩小投影光学系统；以及
台，保持所述基板，至少具有X轴及Y轴的驱动轴。
9.一种激光诱导向前转移装置，其特征在于，包括如权利要求8所述的激光加工装置，
所述基板为所述照射对象物位于其表面的供体基板，
所述激光诱导向前转移装置为封装用或再转印用、或者封装与再转印兼用，用于向所述照射对象物自所述供体基板的背面照射所述脉冲激光光，由此将所述照射对象物选择性地剥离或分离，向与所述供体基板相向的受体基板上进行激光诱导向前转移，且所述激光诱导向前转移装置为下述结构：
所述台为将所述供体基板以其背面成为所述脉冲激光光的入射侧的朝向加以保持的供体台，
所述激光诱导向前转移装置还具有：受体台，保持所述受体基板，具有X轴、Y轴、铅垂方向的Z轴，以及在X-Y平面内具有θ轴，
所述扫描型缩小投影光学系统及所述供体台设置于第一平台，
所述受体台设置于第二平台或基础平台，
第一平台与第二平台分别独立地设置于基础平台上。
10.根据权利要求9所述的激光诱导向前转移装置，其中所述扫描镜的控制装置包含下述功能：控制扫描镜，所述扫描镜向基于预先获取的所述供体基板上的照射对象物的位置信息及向所述受体基板上的激光诱导向前转移计划位置的信息而选择的所述光掩模上的开口扫描光轴；以及控制脉冲激光光的照射。
11.根据权利要求9或10所述的激光诱导向前转移装置，其中所述供体台保持两个以上的供体基板，将这些切换使用。
12.根据权利要求9至11中任一项所述的激光诱导向前转移装置，其中所述供体台吊设于第一平台的下表面。
13.根据权利要求8所述的激光加工装置，其特征在于所述激光装置为准分子激光装置。
14.一种激光诱导向前转移方法，其特征在于，使用如权利要求9至12中任一项所述的激光诱导向前转移装置，将供体基板上的照射对象物向相向的受体基板上进行激光诱导向前转移，且所述激光诱导向前转移方法包含：
检查工序，获取供体基板上的照射对象物的位置信息D，以及作为照射对象物向受体基板上的激光诱导向前转移计划位置的位置信息R；
分割工序，将供体基板上的区域划分为规定尺寸的分割区D；
选择工序，基于位置信息D及位置信息R，选择分割区D内的应进行激光诱导向前转移的照射对象物的位置；
转印工序，利用通过与所述选择的照射对象物的位置相对的光掩模上的开口而照射的激光光，将分割区D内的所述选择的照射对象物向相向的分割区R进行激光诱导向前转移；以及
移动工序，在所述转印工序后，移动供体基板和/或受体基板，
之后重复所述转印工序与所述移动工序，以受体基板的全区域或一部分区域作为对象进行封装或再转印。
15.根据权利要求14所述的激光诱导向前转移方法，其中相对于在受体基板上封装的照射对象物的设计上的封装间距，供体基板上的照射对象物的设计上的封装间距为1以上的整数分之一倍。
16.根据权利要求15所述的激光诱导向前转移方法，其中在由位置信息D所算出的照射对象物的现实的封装间距、与由位置信息R所算出的设计上的封装间距R之间有误差的情形时，
所述移动工序中的各基板的移动量为将与分割区D所内含的照射对象物的个数相应的累计误差量抵消的移动量。
17.根据权利要求16所述的激光诱导向前转移方法，其中在所述累计误差量超过以供体基板上的邻接的照射对象物间的间隔为上限的任意的容许范围的情形时，
所述分割工序为将所述分割区D的尺寸缩小而设为修正分割区D的分割工序，
所述移动工序中的各基板的移动量为将在所述修正分割区D内累计的误差量抵消的移动量。
18.根据权利要求17所述的激光诱导向前转移方法，其中通过以位置信息D、位置信息R、所述分割区D的尺寸及所述容许范围作为参数的仿真程序，以受体基板全域的封装或再转印所需要的时间达到最短的方式，决定所述修正分割区D的尺寸、各台的移动量的组合及各工序的实施顺序而进行。
19.一种扫描型缩小投影光学系统，其特征在于，用于激光加工装置中，所述激光加工装置利用下述原理：向照射对象物照射激光光而诱发反应，且
所述扫描型缩小投影光学系统具有无限远补正光学系统、扫描镜及光掩模。
20.一种激光加工装置，其特征在于，利用下述原理：向照射对象物照射激光光而诱发反应，且
所述激光加工装置具有振荡所述激光光的激光装置、无限远补正光学系统及扫描镜。
21.一种激光诱导向前转移装置，其特征在于，用于向设有照射对象物的供体基板照射激光光，使所述照射对象物自所述供体基板向受体基板移动，且
所述激光诱导向前转移装置具有振荡所述激光光的激光装置、无限远补正光学系统及扫描镜。
22.一种激光加工方法，向照射对象物照射激光光而诱发反应，且所述激光加工方法的特征在于，
使用具有无限远补正光学系统、扫描镜及光掩模的扫描型缩小投影光学系统，向所述照射对象物照射激光光。
23.一种激光诱导向前转移方法，向设有照射对象物的供体基板照射激光光，使所述照射对象物自所述供体基板向受体基板移动，且所述激光诱导向前转移方法的特征在于，
使用具有无限远补正光学系统、扫描镜及光掩模的扫描型缩小投影光学系统，向所述照射对象物照射激光光。
24.一种封装有照射对象物的基板的制造方法，向设有照射对象物的供体基板照射激光光，使所述照射对象物自所述供体基板向受体基板移动，且所述封装有照射对象物的基板的制造方法的特征在于，
使用具有无限远补正光学系统、扫描镜及光掩模的扫描型缩小投影光学系统，向所述照射对象物照射激光光。
25.根据权利要求24所述的封装有照射对象物的基板的制造方法，其中所述照射对象物为微小元件。
26.根据权利要求25所述的封装有照射对象物的基板的制造方法，其中所述微小元件为微发光二极管。
27.根据权利要求25或26所述的封装有照射对象物的基板的制造方法，其中所述微小元件在所述供体基板上配置成矩阵状。
28.根据权利要求24所述的封装有照射对象物的基板的制造方法，其中所述照射对象物为膜。
29.根据权利要求28所述的封装有照射对象物的基板的制造方法，其中所述膜为具有导电性的膜或具有粘着性的膜。
30.根据权利要求28所述的封装有照射对象物的基板的制造方法，其中所述膜为有机电致发光膜。
31.一种封装有微小元件的基板的制造方法，其特征在于，具有下述工序：向设有膜的第一供体基板照射激光光，使所述膜自所述第一供体基板向受体基板移动，获得封装有膜的基板；以及
向设有微小元件的第二供体基板照射激光光，使所述微小元件自所述第二供体基板向封装有所述膜的基板的膜上移动，且所述封装有微小元件的基板的制造方法的特征在于，
使用具有无限远补正光学系统、扫描镜及光掩模的扫描型缩小投影光学系统，向所述膜或所述微小元件照射激光光。
32.一种不良部位的去除方法，向具有不良部位的供体基板的所述不良部位照射激光光，将所述不良部位自所述供体基板去除，且所述不良部位的去除方法的特征在于，
使用具有无限远补正光学系统、扫描镜及光掩模的扫描型缩小投影光学系统，向所述不良部位照射激光光。
33.一种再转印方法，向设有照射对象物的供体基板照射激光光，使所述照射对象物自所述供体基板向受体基板移动，且所述再转印方法的特征在于，
所述受体基板具有预先封装有所述照射对象物的区域及未在在封装计划区域封装有照射对象物的不良区域，
使用具有无限远补正光学系统、扫描镜及光掩模的扫描型缩小投影光学系统，向设于所述供体基板的照射对象物照射激光光，使所述照射对象物向所述受体基板的所述不良区域移动。
34.一种激光诱导向前转移方法，向设有照射对象物的供体基板照射激光光，使所述照射对象物自所述供体基板向受体基板移动，且所述激光诱导向前转移方法的特征在于，
设于所述供体基板的所述照射对象物具有不良区域，
使用具有无限远补正光学系统、扫描镜及光掩模的扫描型缩小投影光学系统，向所述不良区域以外的照射对象物照射激光光，使所述照射对象向所述受体基板移动。
35.一种激光加工方法，向照射对象物照射激光光而诱发反应，且所述激光加工方法的特征在于，
所述激光光由扫描镜进行扫描，在光掩模上作为无限远补正光学系统的像面而成像，通过所述光掩模的所述激光光缩小投影于所述照射对象物。
36.一种激光诱导向前转移方法，向设有照射对象物的供体基板照射激光光，使所述照射对象物自所述供体基板向受体基板移动，且所述激光诱导向前转移方法的特征在于，
所述激光光由扫描镜进行扫描，在光掩模上作为无限远补正光学系统的像面而成像，通过所述光掩模的所述激光光缩小投影于所述照射对象物。
37.一种封装有照射对象物的基板的制造方法，向设有照射对象物的供体基板照射激光光，使所述照射对象物自所述供体基板向受体基板移动，且所述封装有照射对象物的基板的制造方法的特征在于，
所述激光光由扫描镜进行扫描，在光掩模上作为无限远补正光学系统的像面而成像，通过所述光掩模的所述激光光缩小投影于所述照射对象物。
38.一种扫描型缩小投影光学系统，其特征在于，用于激光加工装置中，所述激光加工装置利用下述原理：向照射对象物照射激光光而诱发反应，且
所述扫描型缩小投影光学系统具有第一透镜阵列、第二透镜阵列、扫描镜及光掩模。
39.根据权利要求38所述的扫描型缩小投影光学系统，其中所述第一透镜阵列或所述第二透镜阵列是使透镜元件排列而成。
40.根据权利要求39所述的扫描型缩小投影光学系统，其中所述透镜元件为复眼型、圆筒型或球面型。
41.根据权利要求38至40中任一项所述的扫描型缩小投影光学系统，其中所述第一透镜阵列或所述第二透镜阵列是将单轴圆柱透镜以直角组合而成。
42.根据权利要求38至41中任一项所述的扫描型缩小投影光学系统，其中在紧邻所述第一透镜阵列之前配置有阵列掩模。
43.根据权利要求38至42中任一项所述的扫描型缩小投影光学系统，其中在所述第一透镜阵列与所述第二透镜阵列之间配置有阵列掩模。
44.根据权利要求42或43所述的扫描型缩小投影光学系统，其中所述阵列掩模具有开口群。
45.根据权利要求44所述的扫描型缩小投影光学系统，其中形成所述开口群的开口为圆形状、椭圆形状、正方形状或长方形状。
46.根据权利要求44或45所述的扫描型缩小投影光学系统，其中形成所述开口群的开口的尺寸小于所述透镜元件的尺寸。
47.根据权利要求42至46中任一项所述的扫描型缩小投影光学系统，其中所述阵列掩模具有至少两种开口群。
48.根据权利要求47所述的扫描型缩小投影光学系统，其中所述至少两种开口群各自的形成开口群的开口的尺寸、开口的形状、开口的个数或开口的配置不同。
49.一种扫描型缩小投影光学系统，其特征在于，用于激光加工装置中，所述激光加工装置利用下述原理：向照射对象物照射激光光而诱发反应，且
所述扫描型缩小投影光学系统仅像侧为远心。
50.一种不良部位的去除方法，向具有不良部位的供体基板的所述不良部位照射激光光，将所述不良部位自所述供体基板去除，且所述不良部位的去除方法的特征在于，
使用具有电流扫描仪及光掩模的扫描型缩小投影光学系统，向所述不良部位照射激光光。
51.根据权利要求50所述的不良部位的去除方法，其中所述光掩模具有圆形状、椭圆形状、正方形状或长方形状的开口。
52.根据权利要求50或51所述的不良部位的去除方法，其中所述光掩模具有开口配置成矩阵状的区域。
53.根据权利要求50至52中任一项所述的不良部位的去除方法，其中所述光掩模具有至少两种开口群。
54.根据权利要求53所述的不良部位的去除方法，其中所述至少两种开口群各自的形成开口群的开口的尺寸、开口的形状、开口的个数或开口的配置不同。
55.一种再转印方法，向设有照射对象物的供体基板照射激光光，使所述照射对象物自所述供体基板向受体基板移动，且所述再转印方法的特征在于，
所述受体基板具有预先封装有所述照射对象物的区域及未在封装计划区域封装有照射对象物的不良区域，
使用具有电流扫描仪及光掩模的扫描型缩小投影光学系统，向设于所述供体基板的照射对象物照射激光光，使所述照射对象物向所述受体基板的所述不良区域移动。
56.一种激光诱导向前转移方法，向设有照射对象物的供体基板照射激光光，使所述照射对象物自所述供体基板向受体基板移动，且所述激光诱导向前转移方法的特征在于，
设于所述供体基板的所述照射对象物具有不良区域，
使用具有电流扫描仪及光掩模的扫描型缩小投影光学系统，向所述不良区域以外的照射对象物照射激光光，使所述照射对象物向所述受体基板移动。
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