CN117652029A - 固体摄像元件、摄像装置和电子设备 - Google Patents

固体摄像元件、摄像装置和电子设备 Download PDF

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Abstract

本发明涉及能够减少由形成PAD电极导致的影响的固体摄像元件、摄像装置和电子设备。当层叠比图像传感器小的逻辑基板时，以在所述逻辑基板的周边嵌入的嵌入构件中形成PAD电极的方式在所述图像传感器中形成通孔。本公开可以应用于摄像装置。

Description

固体摄像元件、摄像装置和电子设备
技术领域
本公开涉及固体摄像元件、摄像装置和电子设备，特别地涉及能够减少在形成PAD电极时导致的影响的固体摄像元件、摄像装置和电子设备。
背景技术
当单个半导体装置由层叠的多个半导体元件构成时，已经提出了一种通过仅收集、布置和层叠好的芯片来实现小型化和提高理论成品率的技术(参见专利文献1)。
引用文献列表
专利文献
专利文献1：PCT专利公开号WO2019/087764
发明内容
技术问题
然而，在通过专利文献1记载的技术构造的半导体装置中，如果要在缩小尺寸的半导体装置的配线层中布置PAD电极，则由于PAD电极的布置区域，导致电路的布置区域减小。
另外，如果在大的半导体元件中形成PAD电极，则从小的半导体元件到PAD电极的配线距离变长，并且配线中产生的寄生电容增加。
本公开是鉴于这种情况而作出的，并且能够特别地减少在形成PAD电极时导致的影响。
技术问题的解决方案
根据本公开的一方面的固体摄像元件、摄像装置和电子设备是如下的一种固体摄像元件、摄像装置和电子设备，其中，设置有第一半导体元件，所述第一半导体元件具有用于光电转换入射光的摄像元件，设置有比所述第一半导体元件小的第二半导体元件，所述第二半导体元件具有用于处理所述摄像元件的像素信号的信号处理电路，所述第二半导体元件的周边嵌入有嵌入构件，并且在所述嵌入构件中形成有PAD电极。
在本公开的该方面中，设置有第一半导体元件，所述第一半导体元件具有用于光电转换入射光的摄像元件，设置有比所述第一半导体元件小的第二半导体元件，所述第二半导体元件具有用于处理所述摄像元件的像素信号的信号处理电路，所述第二半导体元件的周边嵌入有嵌入构件并且在所述嵌入构件中形成有PAD电极。
附图说明
图1是根据本公开第一实施方案的固体摄像装置的构造示例的俯视图。
图2是图1的AB截面图。
图3是用于说明图1和图2所示的固体摄像装置的制造方法的第一步的图。
图4是用于说明图1和图2所示的固体摄像装置的制造方法的第二步的图。
图5是用于说明图1和图2所示的固体摄像装置的制造方法的第三步的图。
图6是用于说明图1和图2所示的固体摄像装置的制造方法的第四步的图。
图7是用于说明图1和图2所示的固体摄像装置的制造方法的第五步的图。
图8是用于说明图1和图2所示的固体摄像装置的制造方法的第六步的图。
图9是用于说明图1和图2所示的固体摄像装置的制造方法的第七步的图。
图10是用于说明图1和图2所示的固体摄像装置的制造方法的第八步的图。
图11是根据本公开第二实施方案的固体摄像装置的构成示例的截面图。
图12是用于说明图11所示的固体摄像装置的制造方法的第一步的图。
图13是用于说明图11所示的固体摄像装置的制造方法的第二步的图。
图14是用于说明图11所示的固体摄像装置的制造方法的第三步的图。
图15是用于说明图11所示的固体摄像装置的制造方法的第四步的图。
图16是用于说明图11所示的固体摄像装置的制造方法的第五步的图。
图17是用于说明图11所示的固体摄像装置的制造方法的第六步的图。
图18是根据本公开第二实施方案的固体摄像装置的第一应用的截面图。
图19是根据本公开第二实施方案的固体摄像装置的第二应用的截面图。
图20是根据本公开第二实施方案的固体摄像装置的第三应用的截面图。
图21是根据本公开第三实施方案的固体摄像装置的构成示例的俯视图。
图22是图21的AB截面图。
图23是用于说明图21和图22所示的固体摄像装置的制造方法的第一步的图。
图24是用于说明图21和图22所示的固体摄像装置的制造方法的第二步的图。
图25是用于说明图21和图22所示的固体摄像装置的制造方法的第三步的图。
图26是用于说明图21和图22所示的固体摄像装置的制造方法的第四步的图。
图27是用于说明图21和图22所示的固体摄像装置的制造方法的第五步的图。
图28是用于说明图21和图22所示的固体摄像装置的制造方法的第六步的图。
图29是用于说明图21和图22所示的固体摄像装置的制造方法的第七步的图。
图30是用于说明图21和图22所示的固体摄像装置的制造方法的第八步的图。
图31是用于说明图21和图22所示的固体摄像装置的制造方法的第九步的图。
图32是用于说明电子设备的应用示例的图。
图33是用于说明固体摄像元件的使用示例的图。
图34是示出了车辆控制系统的示意性构成的示例的框图。
图35是辅助说明车外信息检测部和摄像部的安装位置的示例的图。
具体实施方式
下面将参照附图详细说明本公开的优选实施方案。应当注意的是，在说明书和附图中，将由相同的附图标记表示具有基本上相同的功能构造的构成元件，并且将省略重复的说明。
在下文中，将说明用于实现本技术的模式。将按以下顺序进行说明。
1.第一实施方案
2.第二实施方案
3.第二实施方案的第一应用
4.第二实施方案的第二应用
5.第二实施方案的第三应用
6.第三实施方案
7.电子设备的应用示例
8.固体摄像元件的使用示例
9.移动体的应用
<<1.第一实施方案>>
图1和图2示出了根据本公开第一实施方案的固体摄像元件的构成示例。
图1示出了从入射光的入射方向观察固体摄像元件11时的俯视图，并且图2是图1的固体摄像元件11的AB截面图。
如图2所示，在固体摄像元件11中，包括支撑基板55的层、包括逻辑基板34的层、包含氧化膜53的层和包括图像传感器31的层按此顺序从底部层叠。
图像传感器31包括光电转换层31a和配线层31b，并且在配线层31b中，在朝向形成在氧化膜53中的端子53a-1至53a-4的位置处形成有电性CuCu连接的端子31c-1至31c-4。
另外，在图像传感器(传感器基板)31的上表面上，从下侧形成有用于允许与RGB的波长相对应的入射光透过的片上滤波器51和用于在光电转换层31a中收集入射光的片上透镜52。
逻辑基板34包括对构成图像传感器31拍摄的图像的像素信号执行各种类型的信号处理的电路，由晶片制造，并且被切割成块，并且通过电气检查确认为良好的那些被选择并层叠在支撑基板55上。另外，在逻辑基板43中，在图中的下部形成有硅层34a，并且在上部形成有配线层34b。
如图1所示，在从顶部观察时，逻辑基板34具有比图像传感器31小的矩形构造，因此，当图像传感器31层叠在逻辑基板34上时，以包围逻辑基板34的方式在图像传感器31与支撑基板55之间形成间隙。在间隙部分中嵌入有嵌入构件54。
此外，如图1和图2所示，以预定间隔在嵌入构件54中以包围逻辑基板34的方式形成矩形和凹入的沟槽54a，并且在各个沟槽54a中形成有矩形PAD电极33。
另外，如图1所示，在图像传感器31中，在PAD电极33上形成有通孔32，该通孔具有比PAD电极33小的矩形形状并且穿透图像传感器31。
从而，连接至外部信号处理单元的未图示的配线(金属配线)通过插入在通孔32中来接合(连接)至PAD电极33。
利用这种构成，在图1和图2的固体摄像元件11中，未图示的配线经由PAD电极33、端子53a-4和31c-4、配线31b-1、端子31c-3和53a-3以及图像传感器31电连接至逻辑基板34。
因此，PAD电极33能够形成并布置在作为小型半导体元件的逻辑基板34的配线层之外，使得能够提高与PAD电极33的布置有关的面积效率。
此外，由于在引线接合中通过加热来进行焊料连接，因此如果在PAD电极33的正下方存在配线等，则配线可能由于加热而损坏。
然而，如图2所示，在本公开的固体摄像元件11中，由于PAD电极33形成在嵌入构件54的沟槽54a中，因此在PAD电极33的正下方不存在配线，使得能够抑制与通过加热的焊料连接有关的配线的损坏。
此外，通过在嵌入构件54内部的沟槽54a中构造构成PAD电极33的诸如铝等金属部件，从而不需要HDP(高密度等离子体)膜，使得能够减少由HDP导致的氢的影响。
另外，由于PAD电极33嵌入在嵌入构件54中，因此与PAD电极33形成在诸如逻辑基板34等半导体元件中的情况相比，能够减小寄生电容。此外，使用具有较低介电常数的材料作为嵌入构件54的材料使得能够进一步减小在形成PAD电极33的情况下出现寄生电容。
即，在本公开的固体摄像元件11中，图1和图2所示的构成能够减少在形成PAD电极33时发生的各种类型的影响。
<图1和图2的固体摄像元件的制造方法>
接下来，将参照图3至图10说明图1和图2的固体摄像元件11的制造方法。
作为第一步，如图3所示，在未图示的晶片上形成多个逻辑基板34，通过切割器101减薄并切割。图3示出了通过切割器101切割来制造逻辑基板34-1和34-2。
作为第二步，如图4所示，在切割的逻辑基板34中，通过电气检查来选择好的一个，并且将其临时接合在重新布置的基板71上。此时，逻辑基板34的配线层34b和重新布置的基板71以彼此面对的方式临时接合。
作为第三步，如图5所示，在面向支撑基板55的方向上以粘贴硅层34a的方式接合临时接合在重新布置的基板71上的逻辑基板34。
作为第四步，如图6所示并且参照图1所述，以与逻辑基板34相同的厚度在包围逻辑基板34的外周边处嵌入嵌入构件54。
作为第五步，如图7所示并且参照图1所述，以包围逻辑基板34的方式从侧面以预定间隔形成从顶部观察时形成为矩形形状的凹槽54a，并且进一步在凹槽54a中形成PAD电极33。
作为第六步，如图8所示，将端子53a-1至53a-4连接至PAD电极33和逻辑基板34的配线层34b，并且在包括沟槽54a和PAD电极33的嵌入构件54以及逻辑基板34上形成氧化膜53。
作为第七步，如图9所示，将图像传感器31的配线层31b的端子31c-1至31c-4和氧化膜53的端子53a-1至53a-4以面对的状态进行CuCu接合。
作为第八步，如图10所示，在减薄图像传感器31的光电转换层31a并且将片上滤波器51和片上透镜52层叠在图像传感器31上之后，以穿透图像传感器31的方式在与PAD电极33相对应的位置处形成从顶部观察时小于PAD电极33的矩形通孔32，于是完成了固体摄像元件11。
<<2.第二实施方案>>
尽管上面已经说明了在支撑基板55上层叠一个逻辑基板34并且进一步层叠图像传感器31的示例，但是在支撑基板55上可以层叠两个逻辑基板34，并且可以层叠图像传感器31。
图11示出了在支撑基板55上层叠两个逻辑基板34的固体摄像元件11A的构成示例。
应当注意的是，在图11的固体摄像元件11A中，通过在附图标记上添加“A”来表示具有与图1和图2的固体摄像元件11的构成的功能相对应的功能的构成，并且将适当地省略其说明。
图11的固体摄像元件11A与图1和图2的固体摄像元件11之间的区别在于层叠了两个逻辑基板34A-1和34A-2。
在逻辑基板34A-1和34A-2两者中，硅层34Aa-1和34Aa-2形成在图中的下部，并且配线层34Ab-1和34Ab-2形成在其上。
三个端子53Aa在面对逻辑基板34A-2的端子34Ac-2的位置处形成在逻辑基板34A-1和34A-2之间，并且电连接。
此外，在固体摄像元件11A中，位于面对图11所示的逻辑基板34A-2的三组端子34Ac-2-1至34Ac-2-3的位置处的端子53Aa-1至53Aa-3 CuCu接合。
在逻辑基板34A-1中形成有穿透硅层34Aa-1的贯通电极61A-1和61A-2，并且贯通电极61A-1和61A-2分别连接至端子53Aa-1和53Aa-2，使得逻辑基板34A-1和34A-2彼此电连接。
另外，逻辑基板34A-2的端子34Ac-2-3CuCu接合至设置在相对位置的氧化膜53A的端子53Aa-3，并且端子53Aa-3进一步经由氧化膜53A中的配线53Ab连接至PAD电极33A。因此，逻辑基板34A-2电连接至PAD电极33。
此外，PAD电极33A形成在沟槽54Aa中，该沟槽形成在逻辑基板34A-1的嵌入构件54A-1中并且在图中向上方向上凹陷。
另外，穿透图像传感器31A和逻辑基板34A-1的通孔32A形成在图中PAD电极33A的正上方。
利用这种构成，即使在图11的固体摄像元件11A中，也可以如在图1和图2的固体摄像元件11中，减少在形成PAD电极33时发生的各种类型的影响。
<图11的固体摄像元件的制造方法>
接下来，将参照图12至图17说明图11的固体摄像元件11A的制造方法。
作为第一步，如图12所示，将切割的逻辑基板34A-1和图像传感器31A彼此接合。此时，逻辑基板34A-1的配线层34Ab-1的端子34Ac-1-1至34Ac-1-3分别CuCu接合至设置在相对位置处的图像传感器31的配线层31Ab的端子31Ac-1至31Ac-3。
作为第二步，如图13所示，以与逻辑基板34A-1相同的厚度在包围逻辑基板34A-1的外周处嵌入嵌入构件54A-1，并且进一步，在嵌入构件54A-1中以预定间隔形成矩形沟槽54Aa-1，从而包围逻辑基板34A-1。
作为第三步，如图14所示，在沟槽54Aa-1中形成PAD电极33A，并且还形成贯通电极61A。
作为第四步，如图15所示，形成氧化膜53，并且进一步形成端子53Aa-1至53Aa-3。此外，将端子53Aa-1至53Aa-3与端子34Ac-2-1至34Ac-2-3彼此面对的同时彼此CuCu接合，并且将氧化膜53和逻辑基板34-2彼此接合。
作为第五步，如图16所示，以相同厚度以包围逻辑基板34-2的方式嵌入嵌入构件54A-2，并且将支撑基板55A层叠并接合在逻辑基板34-2和嵌入构件54A-2上。
作为第六步，如图17中所示，上下翻转图16所示的构成的顶部和底部，减薄图像传感器31A的光电转换层31Aa，并且将片上滤波器51A和片上透镜52A层叠在图像传感器31A上。
然后，以穿透片上滤波器51A、图像传感器31A和嵌入构件54A-2的方式，在与PAD电极33A相对应的位置处形成从顶部观察时小于PAD电极33的矩形通孔32A，于是完成了固体摄像元件11A。
<<3.第二实施方案的第一应用>>
上面已经说明了以硅层34Aa-1和34Aa-2位于图像传感器31A侧并且配线层34Ab-1和34Ab-2位于支撑基板55A侧的方式在同一方向上层叠两个逻辑基板34A-1和34A-2的固体摄像元件11A的示例。
然而，不必在同一方向上层叠两个逻辑基板的硅层和配线层。
图18示出了两个逻辑基板的硅层和配线层在其顶部和底部颠倒的状态下被层叠的固体摄像元件的构成示例。
应当注意的是，在图18的固体摄像元件11B中，通过在附图标记上添加“B”来表示具有与图11的固体摄像元件11A的构成的功能相对应的功能的构成，并且将适当地省略其说明。
在图18的固体摄像元件11B中，对于逻辑基板34B-1，硅层34Ba-1示出在图中的上部，同时配线层34Bb-1示出在下部，并且对应的图11的逻辑基板34A-1的硅层34Aa-1和配线层34Ab-1的顶部和底部颠倒。
另外，尽管与氧化膜53B相对应的图11的氧化膜53A形成在逻辑基板34A-1和34A-2之间，但是氧化膜53B形成在图像传感器31B和逻辑基板34B-1之间。
此外，在图18中，逻辑基板34B-2的端子34Ac-2-1和34Ac-2-2形成在逻辑基板34B-1和34B-2之间的面向逻辑基板34B-2的端子34Bc-1-1和34Bc-1-2的位置处，并且通过CuCu结连接。
另外，在固体摄像元件11B中，设置在与氧化膜53B的端子53Ba-1至53Ba-4相对的位置处的图像传感器31B的端子31Bc-1至31Bc-4通过CuCu结彼此连接。
此外，彼此CuCu接合的端子53Ba-2至53Ba-4和端子31Bc-2至31Bc-4连接至穿透逻辑基板34B-1的硅层34Ba-1的贯通电极61B-1至61B-3，因此，逻辑基板34B-1和34B-2彼此电连接。
另外，图像传感器31B的端子31Bc-3和31Bc-4经由图像传感器31B中的配线31Bd连接。另外，端子31Bc-4 CuCu接合至氧化膜53B的端子53Ba-4，并且端子53Ba-4进一步连接至PAD电极33B。因此，逻辑基板34B-1经由图像传感器31B电连接至PAD电极33B。
此外，PAD电极33B形成在沟槽54Ba-1中，沟槽54Ba-1形成在逻辑基板34B-1的嵌入构件54B-1中并且在图中向下凹陷。
另外，形成有与PAD电极33B相对应的图像传感器31B和穿透氧化膜53B的通孔32B。
通过这样的构成，即使在图18的固体摄像元件11B中，与图1和图2的固体摄像元件11类似，也可以减少在形成PAD电极33时发生的各种类型的影响。
应当注意的是，固体摄像元件11B的制造方法基本上类似于固体摄像元件11的制造方法，因此省略其说明。
<<4.第二实施方案的第二应用>>
上面已经说明了两个逻辑基板34B-1和34B-2被夹在并层叠在图像传感器31B和支撑基板55B之间的固体摄像元件11B的示例。
然而，可以省略支撑基板，使得不与图像传感器31接触的逻辑基板具有与图像传感器31相同的尺寸并且具有作为支撑基板的功能。
图19示出了层叠两个逻辑基板和图像传感器并且省略支撑基板的固体摄像元件的构成示例。
应当注意的是，在图19的固体摄像元件11C中，通过在附图标记上添加“C”来表示具有与图18的固体摄像元件11B的构成的功能相对应的功能的构成，并且将适当地省略其说明。
图19的固体摄像元件11C与图18的固体摄像元件11B之间的区别在于，与逻辑基板34B-2相对应的逻辑基板34C-2具有与图像传感器31C相同的尺寸，并且省略了与支撑基板55B相对应的构成。
即，通过如图19的固体摄像元件11C所示的构成，允许逻辑基板34C-2具有与图像传感器31相同的尺寸使得逻辑基板34C-1具有作为支撑基板的功能，从而能够实现具有包括图像传感器31C的层、包括逻辑基板34C-1和嵌入构件54C的层以及包括逻辑基板34C-2的层的三层的构成。
应当注意的是，固体摄像元件11C的制造方法基本上类似于固体摄像元件11A的制造方法，并且仅省略了层叠支撑基板的步，因此省略了其说明。
利用这样的构成，即使在图19的固体摄像元件11C中，也可以如在图1和图2的固体摄像元件11中，减少在形成PAD电极33时发生的各种类型的影响。
此外，由于不需要层叠支撑基板的步骤，因此能够通过简化制造步骤来降低成本，同时，能够通过省略支撑基板来减小厚度。
<<5.第二实施方案的第三应用>>
上面已经说明了固体摄像元件的如下构成示例：层叠两个逻辑基板和图像传感器以从图像传感器的摄像面侧形成通孔，并且能够直接引线接合至设置在嵌入构件内部的PAD电极。
然而，也可以具有如下构成：在相对于图像传感器的摄像面的背面侧设置通孔，并且设置有背面电极。
图20示出了固体摄像元件的如下构成示例：层叠两个逻辑基板和图像传感器，在相对于图像传感器的摄像面的背面侧设置通孔，并且设置有背面电极。
应当注意的是，在图20的固体摄像元件11D中，通过在附图标记上添加“D”来表示具有与图11的固体摄像元件11A的构成的功能相对应的功能的构成，并且将适当地省略其说明。
图20的固体摄像元件11D与图11的固体摄像元件11A之间的区别在于，在从相对于图像传感器31D的摄像面的背面侧观察时，在与PAD电极33D相对应的位置处形成有穿透支撑基板55D和嵌入构件54D-2的通孔81。
另外，在通孔81的内表面中形成有连接至氧化膜53D中的配线的配线82，配线53Db连接至PAD电极33。
此外，在固体摄像元件11D的背面侧形成有连接至配线82的背面电极83。
另外，在图像传感器31侧的通孔32D中嵌入有绝缘材料，并且不能从摄像面侧进行引线接合。
利用这样的构成，可以将配线基板连接至背面侧。此时，由于在逻辑基板34-2和图像传感器31内部没有形成配线，因此能够抑制不必要的寄生电容。
<<6.第三实施方案>>
上面已经说明了在各个层中设置一个图像传感器、一个逻辑基板、一个支撑基板等的示例，但是可以采用例如在同一层中布置多个逻辑基板的构成。
图21和图22示出了根据第三实施方案的在同一层中布置多个逻辑基板的固体摄像元件的构成示例。
图21示出了在从入射光的入射方向观察固体摄像元件111时的俯视图，并且图22是图21的固体摄像元件111的AB截面图。
如图21所示，在固体摄像元件111中，包含支撑基板155的层、包含逻辑基板134-2-1和134-2-2以及嵌入构件154-2的层、包含氧化膜153-2的层、包含逻辑基板134-1和嵌入构件154-1的层、包含氧化膜153-1的层以及包含图像传感器131的层按此顺序从底部层叠。
图像传感器311包括光电转换层131a和配线层131b，并且在配线层131b中，在分别面对形成在氧化膜153-1中的三个端子153a-1-1至153a-1-3的位置处形成有电气CuCu接合的三个端子131c-1至131c-3。
另外，在图像传感器131的上表面上，从下侧起形成有用于允许与RGB的波长相对应的入射光透过的片上滤波器151和用于在光电转换层131a中收集入射光的片上透镜152。
选择已确认为电气良好的逻辑基板134-2-1和134-2-2并且将其层叠在支撑基板155上，此时，在图中的下部示出了硅层134a-2-1和134a-2-2，并且在上部示出了配线层134b-2-1和134b-2-2。
如图21所示，在从顶部观察时，逻辑基板134-2-1和134-2-2中的各者具有比图像传感器131和逻辑基板134-1两者更小的矩形构造，使得嵌入构件154-2嵌入在包括逻辑基板134-2-1与134-2-2之间的部分并且包围它们两者的范围中。
选择已确认为电气良好的逻辑基板134-1并且将其层叠在逻辑基板134-2-1与134-2-2上，此时，在图中的下部示出了硅层134a-1，并且在上部示出了配线层134b-1。
如图21所示，在从顶部观察时，逻辑基板134-1具有比图像传感器131更小的矩形构造，使得嵌入构件154-1嵌入在包围逻辑基板134-1的范围中。
此外，如图21和图22所示，以包围逻辑基板134-1的方式，在嵌入构件154-1中以预定间隔形成矩形凹陷的沟槽154a，并且，在各个沟槽154a中形成矩形PAD电极133。
另外，氧化膜153-1设置有分别通过CuCu结连接至图像传感器131的端子131c-1至131c-3的端子153a-1-1至153a-1-3，并且在图21中，端子131c-1至131c-3和端子153a-1-1至153a-1-3设置在彼此相对的位置处，并且彼此CuCu接合。
其中，通过图像传感器131的配线层131b中的配线131d连接图22中左侧的两个端子131c-2和131c-3。
此外，图22中左侧的端子131c-3和端子153a-1-3通过形成在嵌入构件154-1中的贯通电极161-2经由氧化膜153-2中的配线153a-2-2电连接至逻辑基板134-2-1。
另外，在嵌入构件154-1中，设置有与贯通电极161-2不同并且电连接至PAD电极133的贯通电极161-1，并且贯通电极161-1经由氧化膜153-2中的配线153a-2-3电连接至逻辑基板134-2-1。
此外，逻辑基板134-2-1和134-2-2经由氧化膜153中的配线153a-2-1彼此电连接。
另外，如图21所示，在图像传感器131和氧化膜153中，在PAD电极上形成有具有比PAD电极133小的矩形形状的通孔132。
因此，连接至外部信号处理单元的未图示的配线通过插入在通孔132中而接合至PAD电极133。
利用这种构成，在图21和图22的固体摄像元件111中，未图示的配线经由PAD电极133、贯通电极161-1以及氧化膜153-2中的配线153a-2-3连接至逻辑基板134-2-1。
另外，逻辑基板134-2-1经由贯通电极161-2以及端子153a-1-3和131c-3连接至图像传感器131。因此，PAD电极133也经由逻辑基板134-2-1连接至图像传感器131。
此外，由于逻辑基板134-1也连接至图像传感器131，因此PAD电极133也经由贯通电极161-1、逻辑基板134-2-1、贯通电极161-2和图像传感器131连接至逻辑基板134-1。
因此，PAD电极133可以形成并布置在作为小型半导体元件的逻辑基板134-1的配线层之外，使得能够提高与PAD电极133的布置相关的面积效率。
另外，由于焊料连接是在引线接合中加热的情况下进行的，因此如果配线等直接存在于PAD电极133下方，则其可能由于加热而损坏。
然而，如图22所示，由于PAD电极133形成在嵌入构件154-1的沟槽154a中，因此在PAD电极133的正下方不存在配线，使得能够抑制对配线的损害。
此外，通过在嵌入构件154-1内部的沟槽154a中设置构成PAD电极133的诸如铝等金属部，从而不需要HDP(高密度等离子体)膜，使得能够减少由HDP导致的氢的影响。
另外，由于PAD电极133嵌入在嵌入构件154-1中，因此与PAD电极33形成在诸如逻辑基板134等半导体元件中的情况相比，能够减小寄生电容。此外，使用具有较低介电常数的材料作为嵌入构件154-1的材料使得能够进一步减小在形成PAD电极133的情况下发生的寄生电容。
即，在本公开的固体摄像元件111中，图21和图22所示的构成能够减少在形成PAD电极133时发生的各种类型的影响。
<图21和图22的固体摄像元件的制造方法>
接下来，将参照图23至图31说明图21和图22的固体摄像元件111的制造方法。
作为第一步，在晶片上形成多个逻辑基板134-1和134-2，将其减薄并切割。然后，如图23所示，在切割的逻辑基板134-1和134-2中，通过电气检查选择良好的逻辑基板，并且将各逻辑基板临时接合在重新布置的基板201-1和201-2上。
更具体地，如图23所示，将逻辑基板134-1的配线层134b-1和重新布置的基板201-1临时接合以彼此面对，并且逻辑基板134-2-1和134-2-2的配线层134b-2-1和134b-2-2和重新布置的基板201-2临时接合以彼此面对。
作为第二步，如图24所示，在面向支撑基板155的方向上以粘贴硅层134a-2-1和134a-2-2的方式接合临时接合在重新布置的基板201-2上的逻辑基板134-2-1和134-2-2。
作为第三步，如图25所示，嵌入构件154-2以与逻辑基板134-2-1和134-2-2相同的厚度嵌入在包括逻辑基板134-2-1和134-2-2之间的部分并且包围它们的外周。
作为第四步，如图26所示，在逻辑基板134-2-1和134-2-2以及嵌入构件154-2上形成包括配线153a-2的氧化膜153-2。
作为第五步，如图27所示，在面对氧化膜153-2的方向上以粘贴硅层134a-1的方式接合临时接合在重新布置的基板201-1上的逻辑基板134-1。
作为第六步，如图28所示，以包围逻辑基板134-1的方式形成嵌入构件154-1，并且从侧面以预定间隔形成从顶部观察时形成为矩形形状并且面朝下的凹陷形状的沟槽154a。
作为第七步，如图29所示，在嵌入构件154-1中形成贯通电极161-1和161-2，并且贯通电极161-1和161-2分别连接至氧化膜153-2的配线153a-2-3和配线153a-2-2。此时，在图28中，在沟槽154a的一部分处形成贯通电极161-1，并且贯通电极161-1连接至氧化膜153-2的配线153a-2-3。
作为第八步，如图30所示，在沟槽54a中形成PAD电极33之后，形成包括端子153a-1-1至153a-1-3的氧化膜153-1。此外，图像传感器31的配线层131b的端子131c-1至131c-3与氧化膜153-1的端子153a-1-1至153a-1-3以面对状态接合。
作为第九步，如图31所示，在减薄图像传感器131的光电转换层131a并且将片上滤波器151和片上透镜152层叠在图像传感器131上之后，以穿透图像传感器131和氧化膜153-1的方式在与PAD电极133相对应的位置处形成从顶部观察小于PAD电极133的矩形通孔132，于是完成了固体摄像元件111。
<<7.电子设备的应用示例>>
例如，上述固体摄像元件可以应用于诸如以数码相机和数码摄像机为例的摄像装置、包括摄像功能的移动电话、或者包括摄像功能在内的其他设备等各种类型的电子设备。
图32是示出了作为应用了本技术的电子设备的摄像装置的构成示例的框图。
图32所示的摄像装置501包括光学系统502、快门装置503、固体摄像元件504、驱动电路505、信号处理电路506、监视器507和存储器508，并且能够拍摄静止图像和运动图像。
光学系统502具有一个或多个透镜，并且将来自被摄体的光(入射光)引入固体摄像元件504，以在固体摄像元件504的光接收面上形成图像。
快门装置503布置在光学系统502和固体摄像元件504之间，并且根据驱动电路505的控制来控制固体摄像元件504的光照射时段和遮光时段。
固体摄像元件504包括包含上述固体摄像元件的封装。固体摄像元件504根据经由光学系统502和快门装置503在光接收面上形成的光在一定时间段内累积信号电荷。根据从驱动电路505供给的驱动信号(时序信号)来传输累积在固体摄像元件504中的信号电荷。
驱动电路505输出控制固体摄像元件504的传输操作和快门装置503的快门操作的驱动信号，以驱动固体摄像元件504和快门装置503。
信号处理电路506对从固体摄像元件504输出的信号电荷进行各种类型的信号处理。通过由信号处理电路506进行的信号处理获得的图像(图像数据)被供给至监视器507用于显示，或者被供给至存储器508用于存储(记录)。
即使在以这种方式构造的摄像装置501中，应用上述固体摄像元件11、11A至11D和111也能够提高与PAD电极的布置相关的面积效率。另外，能够抑制在引线接合中对配线的损坏。此外，通过将PAD电极构造到嵌入构件中，从而不需要HDP(高密度等离子体)膜，并且能够减少由HDP导致的氢的影响。另外，能够减少在连接至PAD电极的配线中产生的寄生电容。
<<8.固体摄像元件的使用示例>>
图33是示出了使用上述固体摄像元件11、11A至11D和111的示例的图。上述固体摄像元件可以用于如下感测例如可见光或诸如红外光、紫外光和X射线等光的各种情况。
-拍摄用于鉴赏的图像的装置，例如数码相机和具有相机功能的便携式装置等。
-用于为了诸如自动停车等安全驾驶、驾驶员状态识别等运输的装置，诸如拍摄车辆前部、后部、周边和内部的车载传感器、监控行驶车辆和道路的监控相机、以及测量车辆之间的距离的测距传感器等。
-用于家用电器的装置，诸如电视机、冰箱和空调等，以便拍摄用户的手势并根据手势操作装置。
-用于医疗或保健的装置，诸如内窥镜或通过接收红外光拍摄血管的装置等。
-用于安全的装置，诸如用于防止犯罪的监控相机和用于人物认证的相机等。
-用于美容护理的装置，诸如拍摄皮肤的皮肤测量装置或拍摄头皮的显微镜等。
-用于运动的装置，诸如运动相机和用于运动用途的可穿戴相机等。
<<9.移动体的应用>>
根据本公开的技术(本技术)可以应用于各种产品。例如，根据本公开的技术可以实现为安装在诸如汽车、电动汽车、混合动力汽车、摩托车、自行车、个人移动设备、飞机、无人机、船舶和机器人等任意类型的移动体上的装置。
图34是示出了作为可以应用根据本公开的实施方案的技术的移动体控制系统的示例的车辆控制系统的示意性构成的示例的框图。
车辆控制系统12000包括通过通信网络12001彼此连接的多个电子控制单元。在图34所示的示例中，车辆控制系统12000包括驱动系统控制单元12010、车身系统控制单元12020、车外信息检测单元12030、车内信息检测单元12040和集成控制单元12050。另外，作为集成控制单元12050的功能构成，示出了微型计算机12051、声音/图像输出部12052和车载网络接口(I/F)12053。
驱动系统控制单元12010根据各种类型的程序控制与车辆的驱动系统相关的装置的操作。例如，驱动系统控制单元12010用作以下装置的控制装置：诸如内燃机或驱动马达等用于产生车辆驱动力的驱动力产生装置、用于将驱动力传递至车轮的驱动力传递机构、用于调整车辆转向角的转向机构和用于产生车辆制动力的制动装置等。
车身系统控制单元12020根据各种类型的程序控制设置在车身上的各种类型的装置的操作。例如，车身系统控制单元12020用作无钥匙进入系统、智能钥匙系统、电动车窗装置或诸如前照灯、倒车灯、刹车灯、转向信号灯或雾灯等各种灯的控制装置。在这种情况下，可以向车身系统控制单元12020输入从替代钥匙的移动装置发送的无线电波或各种类型的开关的信号。车身系统控制单元12020接收这些无线电波或信号的输入，并且控制车辆的门锁装置、电动车窗装置或灯等。
车外信息检测单元12030检测包括车辆控制系统12000的车辆外部的信息。例如，车外信息检测单元12030与摄像部12031连接。车外信息检测单元12030使摄像部12031对车辆外部的图像进行摄像，并且接收所摄像的图像。基于接收到的图像，车外信息检测单元12030可以执行诸如人、车辆、障碍物、标志或路面上的字符等物体的检测处理，或者可以执行距上述物体的距离的检测处理。
摄像部12031是接收光并且输出与接收到的光的光量相对应的电信号的光学传感器。摄像部12031可以将电信号作为图像输出，或者可以将电信号作为测距信息输出。另外，由摄像部12031接收的光可以是可见光，或者可以是诸如红外线等不可见光。
车内信息检测单元12040检测车辆内部的信息。车内信息检测单元12040例如与检测驾驶员状态的驾驶员状态检测部12041连接。驾驶员状态检测部12041例如包括对驾驶员进行摄像的相机。基于从驾驶员状态检测部12041输入的检测信息，车内信息检测单元12040可以计算驾驶员的疲劳程度或驾驶员的集中程度，或者可以确定驾驶员是否在打瞌睡。
微型计算机12051可以基于由车外信息检测单元12030或车内信息检测单元12040获得的车辆外部或内部的信息来计算驱动力产生装置、转向机构或制动装置的控制目标值，并且向驱动系统控制单元12010输出控制命令。例如，微型计算机12051可以执行旨在实现高级驾驶员辅助系统(ADAS)功能的协同控制，ADAS功能包括车辆的碰撞避免或冲击减缓、基于车间距离的跟随驾驶、车速保持驾驶、车辆碰撞警告或车辆偏离车道警告等。
另外，通过基于由车外信息检测单元12030或车内信息检测单元12040获得的车辆外部或内部的信息来控制驱动力产生装置、转向机构或制动装置等，微型计算机12051能够执行旨在实现自动驾驶等的协同控制，所述自动驾驶使得车辆能够不依赖于驾驶员的操作而自主行驶。
另外，基于由车外信息检测单元12030获得的车辆外部的信息，微型计算机12051可以向车身系统控制单元12020输出控制命令。例如，微型计算机12051可以例如根据由车外信息检测单元12030检测到的前方车辆或对向车辆的位置，通过控制前照灯以从远光变为近光来执行旨在防止眩光的协同控制。
声音/图像输出部12052将声音和图像中的至少一者的输出信号发送至能够在视觉上或听觉上将信息通知到车辆的乘客或车辆外部的输出装置。在图34的示例中，作为输出装置，示出了音频扬声器12061、显示部12062和仪表板12063。例如，显示部12062可以包括车载显示器和平视显示器中的至少一者。
图35是示出了摄像部12031的安装位置的示例的图。
在图35中，摄像部12031包括摄像部12101、12102、12103、12104和12105。
摄像部12101、12102、12103、12104和12105例如设置在车辆12100的前鼻、后视镜、后保险杠和后门上的位置以及车厢内挡风玻璃的上部的位置。设置在前鼻的摄像部12101和设置在车厢内挡风玻璃的上部的摄像部12105主要获得车辆12100前方的图像。设置在后视镜的摄像部12102和12103主要获得车辆12100两侧的图像。设置在后保险杠或后门的摄像部12104主要获得车辆12100后方的图像。设置在车厢内挡风玻璃的上部的摄像部12105主要用于检测前方车辆、行人、障碍物、交通信号灯、交通标志或车道等。
顺便提及地，图35示出了摄像部12101至12104的摄像范围的示例。摄像范围12111表示设置在前鼻的摄像部12101的摄像范围。摄像范围12112和12113分别表示设置在后视镜的摄像部12102和12103的摄像范围。摄像范围12114表示设置在后保险杠或后门的摄像部12104的摄像范围。例如，通过叠加由摄像部12101至12104摄像的图像数据，获得从上方观察的车辆12100的鸟瞰图像。
摄像部12101至12104中的至少一者可以具有获得距离信息的功能。例如，摄像部12101至12104中的至少一者可以是由多个摄像元件组成的立体相机，或者可以是具有用于相位差检测的像素的摄像元件。
例如，基于从摄像部12101至12104获得的距离信息，微型计算机12051可以求出距摄像范围12111至12114内的各个三维物体的距离和所述距离的时间变化(相对于车辆12100的相对速度)，从而提取最近的三维物体作为前方车辆，特别地，该三维物体存在于车辆12100的行驶路径上并且以预定速度(例如，等于或大于0km/h)沿着与车辆12100大致相同的方向行驶。此外，微型计算机12051可以预先设定与前方车辆前方要保持的车间距离，并且执行自动制动控制(包括跟随停止控制)或自动加速控制(包括跟随启动控制)等。因此，可以执行旨在使车辆不依赖于驾驶员的操作而自主行驶的自动驾驶等的协同控制。
例如，基于从摄像部12101至12104获得的距离信息，微型计算机12501可以将三维物体的三维物体数据分类为两轮车辆、标准车辆、大型车辆、行人、电线杆和其他三维物体的三维物体数据，提取分类后的三维物体数据，并且使用所提取的三维物体数据来自动躲避障碍物。例如，微型计算机12051将车辆12100周围的障碍物识别为车辆12100的驾驶员能够在视觉上识别的障碍物和车辆12100的驾驶员难以在视觉上识别的障碍物。然后，微型计算机12051确定用于指示与各个障碍物发生碰撞的风险的碰撞风险。在碰撞风险等于或者高于设定值并且因此存在碰撞可能性的情况下，微型计算机12051经由音频扬声器12061或显示部12062向驾驶员输出警告，并且经由驱动系统控制单元12010执行强制减速或规避转向。因此，微型计算机12051能够辅助驾驶以避免碰撞。
摄像部12101至12104中的至少一者可以是检测红外线的红外相机。微型计算机12051可以例如通过确定摄像部12101至12104的摄像图像中是否存在行人来识别行人。例如，这种对行人的识别是通过以下步骤执行的：提取作为红外相机的摄像部12101至12104的摄像图像中的特征点的步骤；以及对表示物体轮廓的一系列特征点进行图案匹配处理以确定是否是行人的步骤。如果微型计算机12051确定在摄像部12101至12104的摄像图像中存在行人，并因此识别出行人，则声音/图像输出部12052控制显示部12062，使得用于强调的方形轮廓线以叠加在识别出的行人上的方式显示。声音/图像输出部12052还可以控制显示部12062，以便在期望的位置处显示表示行人的图标等。
以上已经说明了可以应用根据本公开的技术的车辆控制系统的示例。根据本公开的技术可以应用于上述构成中的摄像部12031等。具体的，固体摄像元件11、11A至11D以及111可以应用于摄像部12031。将根据本公开的技术应用于摄像部12031使得能够提高与PAD电极的布置有关的面积效率，抑制对配线的损坏，减少由HDP导致的氢气的影响，并且减少寄生电容。
应当注意的是，本公开还可以如下构成。
<1>
一种固体摄像元件，包括：
第一半导体元件，所述第一半导体元件具有用于光电转换入射光的摄像元件；和
比所述第一半导体元件小的第二半导体元件，所述第二半导体元件具有用于处理所述摄像元件的像素信号的信号处理电路，
其中所述第二半导体元件的周边嵌入有嵌入构件，并且在所述嵌入构件中形成有PAD电极。
<2>
根据<1>所述的固体摄像元件，
其中在所述嵌入构件中形成有沟槽并且所述PAD电极形成在所述沟槽中。
<3>
根据＜1>或＜2>所述的固体摄像元件，
其中所述嵌入构件包括具有低介电常数的材料。
<4>
根据<1>至<3>中任一项所述的固体摄像元件，
其中穿透所述第一半导体元件并且到达所述PAD电极的通孔在与所述入射光的入射方向相反的方向上形成在所述PAD电极正上方。
<5>
根据<4>所述的固体摄像元件，
其中以穿透除了所述第一半导体元件之外还穿透所述嵌入构件并且到达所述PAD电极的方式形成所述通孔。
<6>
根据<4>所述的固体摄像元件，
其中连接至外部信号处理装置的配线插入在所述通孔中并接合至所述PAD电极。
<7>
根据<1>所述的固体摄像元件，还包括：
第三半导体元件，所述第三半导体元件具有用于处理所述摄像元件的像素信号的信号处理电路并且不同于所述第二半导体元件，
其中，从所述入射光的入射方向按所述第一半导体元件、所述第二半导体元件和所述第三半导体元件的顺序层叠有分别包含所述第一半导体元件、所述第二半导体元件和所述第三半导体元件中的任一者的层。
<8>
根据<7>所述的固体摄像元件，
其中所述第三半导体元件具有与所述第一半导体元件相同的尺寸。
<9>
根据<7>所述的固体摄像元件，
其中所述第三半导体元件小于所述第一半导体元件，并且
在包含所述第三半导体元件的层中，用与所述嵌入构件不同的另一嵌入构件嵌入在所述第三半导体元件的周边。
<10>
根据<9>所述的固体摄像元件，还包括：
支撑基板，所述支撑基板具有与所述第一半导体元件相同的尺寸，
其中，从所述入射光的入射方向按所述第一半导体元件、所述第二半导体元件、所述第三半导体元件和所述支撑基板的顺序层叠有分别包括所述第一半导体元件、所述第二半导体元件、所述第三半导体元件和所述支撑基板中的任一者的层。
<11>
根据<10>所述的固体摄像元件，
其中从与所述入射光的入射方向相反的方向形成有穿透所述支撑基板和所述第三半导体元件的通孔，
在所述通孔的内壁中形成有电连接至所述PAD电极的内壁配线，
当假定所述入射光的入射方向为正面时，在所述支撑基板的背面侧中的所述通孔附近形成有背面电极，并且
所述背面电极经由所述内壁配线电连接至所述PAD电极。
<12>
根据<9>的固体摄像元件，
其中所述第二半导体元件和所述第三半导体元件中的各者均包括硅层和配线层，并且所述硅层和所述配线层相对于所述入射光的入射方向以相同的顺序层叠。
<13>
根据<9>所述的固体摄像元件，
其中所述第二半导体元件和所述第三半导体元件中的各者均包括硅层和配线层，并且所述硅层和所述配线层相对于所述入射光的入射方向以不同的顺序层叠。
<14>
根据<9>所述的固体摄像元件，
其中所述第二半导体元件包括硅层和配线层，并且包括穿透所述硅层而形成的贯通电极。
<15>
根据<9>所述的固体摄像元件，
其中在同一层中布置有多个所述第三半导体元件。
<16>
根据<9>所述的固体摄像元件，
其中形成有穿透所述嵌入构件的贯通电极。
<17>
根据<16>所述的固体摄像元件，
其中所述贯通电极将所述第一半导体元件和所述第三半导体元件彼此电连接。
<18>
根据<16>所述的固体摄像元件，
其中所述贯通电极将所述PAD电极和所述第三半导体元件彼此电连接。
<19>
一种摄像装置，包括：
固体摄像元件，
所述固体摄像元件包括：
第一半导体元件，所述第一半导体元件具有用于光电转换入射光的摄像元件，和
比所述第一半导体元件小的第二半导体元件，所述第二半导体元件具有用于处理所述摄像元件的像素信号的信号处理电路，
所述第二半导体元件的周边嵌入有嵌入构件，并且在所述嵌入构件中形成有PAD电极。
<20>
一种电子设备，包括：
固体摄像元件，
所述固体摄像元件包括
第一半导体元件，所述第一半导体元件具有用于光电转换入射光的摄像元件，和
比所述第一半导体元件小的第二半导体元件，所述第二半导体元件具有用于处理所述摄像元件的像素信号的信号处理电路，
所述第二半导体元件的周边嵌入有嵌入构件，并且在所述嵌入构件中形成有PAD电极。
附图标记列表
11、11A至11D：固体摄像装置
31、31A至31D：图像传感器
32、32A至32D：通孔
33、33A至33D：PAD电极
34、34A-1至34D-1、34A-2至34D-2：逻辑基板
51、51A至51D：片上滤波器
52、52A至52D：片上透镜
53、53A至53D：氧化膜
54、54A至54D：嵌入构件
55、55A至55D：支撑基板
111：固体摄像装置
131：图像传感器
132：通孔
133：PAD电极
134-1、134-2：逻辑基板
151：片上滤波器
152：片上透镜
153-1、153-2：氧化膜
154-1、154-2：嵌入构件
155：支撑基板。

Claims (20)

1.一种固体摄像元件，包括：
第一半导体元件，所述第一半导体元件具有用于光电转换入射光的摄像元件；和
第二半导体元件，所述第二半导体元件比所述第一半导体元件小，所述第二半导体元件具有用于处理所述摄像元件的像素信号的信号处理电路，
其中，所述第二半导体元件的周边嵌入有嵌入构件，并且在所述嵌入构件中形成有PAD电极。
2.根据权利要求1所述的固体摄像元件，
其中，在所述嵌入构件中形成有沟槽并且所述PAD电极形成在所述沟槽中。
3.根据权利要求1所述的固体摄像元件，
其中，所述嵌入构件包括具有低介电常数的材料。
4.根据权利要求1所述的固体摄像元件，
其中，穿透所述第一半导体元件并且到达所述PAD电极的通孔在与所述入射光的入射方向相反的方向上形成在所述PAD电极正上方。
5.根据权利要求4所述的固体摄像元件，
其中，以穿透除了所述第一半导体元件之外还穿透所述嵌入构件并且到达所述PAD电极的方式形成所述通孔。
6.根据权利要求4的固体摄像元件，
其中，连接至外部信号处理装置的配线插入在所述通孔中并接合至所述PAD电极。
7.根据权利要求1所述的固体摄像元件，还包括：
第三半导体元件，所述第三半导体元件具有用于处理所述摄像元件的像素信号的信号处理电路并且不同于所述第二半导体元件，
其中，从所述入射光的入射方向按所述第一半导体元件、所述第二半导体元件和所述第三半导体元件的顺序层叠有分别包含所述第一半导体元件、所述第二半导体元件和所述第三半导体元件中的任一者的层。
8.根据权利要求7所述的固体摄像元件，
其中，所述第三半导体元件具有与所述第一半导体元件相同的尺寸。
9.根据权利要求7所述的固体摄像元件，
其中，所述第三半导体元件小于所述第一半导体元件，并且
在包含所述第三半导体元件的层中，用与所述嵌入构件不同的另一嵌入构件嵌入在所述第三半导体元件的周边。
10.根据权利要求9所述的固体摄像元件，还包括：
支撑基板，所述支撑基板具有与所述第一半导体元件相同的尺寸，
其中，从所述入射光的入射方向按所述第一半导体元件、所述第二半导体元件、所述第三半导体元件和所述支撑基板的顺序层叠有分别包括所述第一半导体元件、所述第二半导体元件、所述第三半导体元件和所述支撑基板中的任一者的层。
11.根据权利要求10所述的固体摄像元件，
其中，从与所述入射光的入射方向相反的方向形成有穿透所述支撑基板和所述第三半导体元件的通孔，
在所述通孔的内壁中形成有电连接至所述PAD电极的内壁配线，
当假定所述入射光的入射方向为正面时，在所述支撑基板的背面侧中所述通孔附近形成有背面电极，并且
所述背面电极经由所述内壁配线电连接至所述PAD电极。
12.根据权利要求9的固体摄像元件，
其中，所述第二半导体元件和所述第三半导体元件中的各者均包括硅层和配线层，并且所述硅层和所述配线层相对于所述入射光的入射方向以相同的顺序层叠。
13.根据权利要求9所述的固体摄像元件，
其中，所述第二半导体元件和所述第三半导体元件中的各者均包括硅层和配线层，并且所述硅层和所述配线层相对于所述入射光的入射方向以不同的顺序层叠。
14.根据权利要求9所述的固体摄像元件，
其中，所述第二半导体元件包括硅层和配线层，并且包括穿透所述硅层而形成的贯通电极。
15.根据权利要求9所述的固体摄像元件，
其中，在同一层中布置有多个所述第三半导体元件。
16.根据权利要求9所述的固体摄像元件，
其中，形成有穿透所述嵌入构件的贯通电极。
17.根据权利要求16所述的固体摄像元件，
其中，所述贯通电极将所述第一半导体元件和所述第三半导体元件彼此电连接。
18.根据权利要求16所述的固体摄像元件，
其中，所述贯通电极将所述PAD电极和所述第三半导体元件彼此电连接。
19.一种摄像装置，包括：
固体摄像元件，
所述固体摄像元件包括：
第一半导体元件，所述第一半导体元件具有用于光电转换入射光的摄像元件，和
第二半导体元件，所述第二半导体元件比所述第一半导体元件小，所述第二半导体元件具有用于处理所述摄像元件的像素信号的信号处理电路，
所述第二半导体元件的周边嵌入有嵌入构件，并且在所述嵌入构件中形成有PAD电极。
20.一种电子设备，包括：
固体摄像元件，
所述固体摄像元件包括
第一半导体元件，所述第一半导体元件具有用于光电转换入射光的摄像元件，和
第二半导体元件，所述第二半导体元件比所述第一半导体元件小，所述第二半导体元件具有用于处理所述摄像元件的像素信号的信号处理电路，
所述第二半导体元件的周边嵌入有嵌入构件，并且在所述嵌入构件中形成有PAD电极。
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