CN117631468A - 基板保持装置、基板保持方法以及光刻装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及基板保持装置、基板保持方法以及光刻装置。具有吸附、保持基板的保持部，在能够将所述保持部上的所述基板压向所述保持部侧来吸附所述基板的基板保持装置中具有判定部，该判定部基于第一信息和第二信息来决定将所述基板压向所述保持部侧，第一信息包含所述基板的与易变形程度相关的信息，第二信息包含所述基板的与翘曲量相关的信息。

Description

基板保持装置、基板保持方法以及光刻装置

技术领域

本发明涉及基板保持装置、基板保持方法以及光刻装置。

背景技术

在半导体器件、液晶显示器件等的制造工序中，会使用基板保持装置，其通过对在基板的背面与基板保持装置之间的空间进行减压来吸附并保持基板。

这种装置在基板翘曲的情况下，装置有时无法吸附基板。

专利文献1和专利文献2公开了以即使基板翘曲也能够吸附基板的方式进行吸附辅助的基板保持装置。专利文献1记载的装置基于基板的吸附状态来判定是否需要吸附辅助。在即使对在基板的背面与装置之间的空间进行减压也无法吸附基板的情况下判定为需要吸附辅助，进行如下吸附辅助：在对空间进行减压时将基板的翘曲的部分压向装置侧来减小翘曲量。

在专利文献1记载的方法中，为了判定是否需要吸附辅助而要进行吸附基板的动作，判定是否需要吸附辅助会耗费时间。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第6122299号

专利文献2：日本专利第4513960号。

发明内容

本发明目的在于提供能够将判定是否需要基板的吸附辅助耗费的时间缩短的基板保持装置。

为了实现上述目的，作为本发明的一方面为基板保持装置，其特征在于，具有吸附并保持基板的保持部，在将所述保持部上的所述基板压向所述保持部侧从而能够吸附所述基板的基板保持装置中具有判定部，所述判定部基于第一信息和第二信息来决定将所述基板压向所述保持部侧，所述第一信息包含所述基板的与易变形程度相关的信息，所述第二信息包含所述基板的与翘曲量相关的信息。

通过以下参照附图对示例性实施例的描述，本发明的其他特征将变得清楚。

附图说明

图1是示出第一实施方式中的基板处理装置的结构的概略图。

图2是示出第一实施方式中的基板保持装置的结构的图。

图3是示出第一实施方式中的保持部的结构的图。

图4是第一实施方式中的存储部存储的数据库的例子。

图5是第一实施方式中的判定是否需要对于基板进行吸附辅助的流程图。

图6是第一实施方式中的判定是否需要对于基板进行吸附辅助的详细的流程图。

图7是第一实施方式中的判定是否需要对于基板进行吸附辅助的详细的流程图。

图8是第一实施方式中的用于测量基板的翘曲量的多个测量位置的配置的例子。

图9是第一实施方式中的类似度与加权系数α的对比表的例子。

图10是第二实施方式中的调整排气口的吸引力和吸引定时的例子。

图11是在第二实施方式中决定吸附辅助方法时的流程图。

图12是第三实施方式中的物品的制造方法的流程图。

具体实施方式

以下，基于附图说明本发明的实施方式。另外，以下实施例并不旨在限制要求保护的本发明的范围。在实施方式中记载了多个特征，但是本发明不限于需要全部这些多个特征，另外，也可以将多个特征任意地组合。还有，在附图中，对同一或者同样的结构附加同一附图标记，省略重复的说明。

另外，本说明书以及附图中，基本来说，铅垂方向为Z轴，相对于铅垂方向而垂直的水平面为XY平面，由各轴相互正交的XYZ坐标系来表示方向。但是，在各附图中记载有XYZ坐标系的情况下，该坐标系优先。

以下，在各实施方式中，说明具体的结构。

<第一实施方式>

图1是示出本实施方式中的基板处理装置1的结构的概略图。本实施方式中，基板处理装置1是通过步进重复(step and repeat)方式或者步进扫描(step and scan)方式将原版(掩膜、分划板)的图案经由投影光学系曝光到基板的投影曝光装置。但是，基板处理装置1不限定于投影曝光装置。例如，基板处理装置1也可以是用电子射线、离子束等对基板进行描绘来将图案形成于基板的描绘装置。另外，基板处理装置1也可以是其它光刻装置，例如也可以是用模具使基板上的压印材料成形来在基板上形成图案的压印装置。或者，基板处理装置1也可以是离子注入装置、显影装置、蚀刻装置、成膜装置、退火装置、溅射装置、蒸镀装置等对半导体晶圆、玻璃板等基板进行处理的其它装置。另外，基板处理装置1也可以是使用平坦的板来使基板上的组合物平坦化的平坦化装置。

基板处理装置1具有：照射光的照明光学系11；投影光学系14；保持分划板12的分划板载物台13；基板保持装置2，其包括按压部60和保持部(吸附部)20和控制部(判定部)18；以及载物台16。分划板12例如是用铬在石英玻璃的表面形成有应该转印的图案(例如电路图案)的原版。另外，基板15例如是单晶硅，在基板处理装置1是曝光装置的情况下，被搬送到基板处理装置1的基板15的表面上涂布有感光性材料(抗蚀剂)。载物台16构成为载置保持部20并能够沿X、Y方向移动的结构。

在基板处理装置1中，来自光源(未图示)的曝光光经由照明光学系11，对被分划板载物台13保持的分划板12进行照明。透过了分划板12的光经由投影光学系14，照射到基板15。此时，由分划板12形成的图案成像于基板15表面。基板处理装置1这样对基板15上的投射区域进行曝光，并分别对多个投射区域同样地进行曝光。

按压部60是在因基板15翘曲而即使对在保持部20与基板15之间的空间进行减压也无法保持基板15的情况下用于进行吸附辅助的辅助构件。在需要吸附辅助的情况下，由按压部60(辅助构件)将基板15的翘曲的部分压(按压)向保持部侧。因为有由按压部60将基板15的翘曲的部分压向保持部侧的阶段，能够使基板15无翘曲，或者使基板15的翘曲量小而趋近于平坦的形状。而且，即使在保持部上基板15翘曲的情况下，也能够由保持部20吸附并保持基板15。按压部60例如是具有专利文献1记载的平坦的板、具备专利文献2记载的多个销而成的形状的道具，按压部60在对基板15的保持需要吸附辅助的情况下实施按压时，向保持部20以及基板15的上侧移动。这里，控制部18对使载物台16以及按压部60移动的构件进行控制，使得基板15的位置与由按压部60进行按压的位置的相对位置在Z轴方向一致。而且，控制部18进行使按压部60降下(下降移动)预先设定的降下量的控制，使得按压部60按压基板15(压向保持部20侧)。此时的降下量由用户预先设定，例如，可以将按压部60开始按压动作时的位置与保持部20保持基板15的面之间的在Z轴方向的距离减去基板15的厚度而成的长度设为降下量(移动量)。

而且，用户从后述的输入部输入按压部60的降下量。

图2是示出本实施方式中的基板保持装置2的结构的图。本实施方式的基板保持装置2包括：保持基板的保持部20；信息获取部17；控制部(判定部)18；存储部19；以及按压部60。信息获取部17获取第一信息(第三信息)和第二信息(第四信息)，所述第一信息(第三信息)包括作为基板15的特性的与基板的厚度、外径、材质分别相关的信息中的一项以上信息，所述第二信息(第四信息)包括基板15的与翘曲量相关的信息。这里，第一信息(第三信息)是基板的与易变形程度相关的信息。而且，与材质相关的信息也可以是基板15的种类或者硬度的信息。

这里，说明本实施方式中的基板15的厚度、外径、材质、翘曲量的例子。首先，本实施方式中的基板15的厚度例如可以采用涂布感光材料之前的基板15本身的厚度，也可以采用涂布感光材料之后的包括基板15和感光材料各自厚度在内的厚度。或者，也可以采用测定基板15的既定部位(例如，基板15的中心部)而成的厚度，也可以在预先根据前工序的信息能够知道基板15的厚度的情况下采用其厚度。基板15的外径例如可以采用在不包括定向平面(orientation flat)、槽口等成为用于对齐的记号的位置在内的位置处的外径，也可以采用相对于通过基板15的中心位置那样的定向平面的垂线的长度。基板15的材质例如可以测定硬度并采用其测定结果，也可以采用“硅”等名称来按每个材质预先确定基于硬度等而决定的评价值并采用其评价值作为材质。基板15的翘曲量例如可以采用在将基板15放置于既定位置时用户预先确定的基板15的既定位置与基准位置之间在Z方向的位置之差。以上，说明了基板15的厚度、外径、材质、翘曲量的例子，但是基板15的厚度、外径、材质、翘曲量的决定方法不限于上述例子，如果对于各个基板来决定基板15的厚度、外径、材质、翘曲量的方法同样即可。

在本实施方式中，将包括本次所吸附的基板15的与厚度、外径、材质分别相关的信息中的一项以上信息在内的信息记载为第一信息。另外，将包括不是本次所吸附的基板15而是存储部19存储的其它基板的与厚度、外径、材质分别相关的信息中的一项以上信息在内的信息记载为第三信息。而且，将包含本次所吸附的基板15的与翘曲量相关的信息在内的信息记载为第二信息。将包含不是本次所吸附的基板15而是存储部19存储的其它基板的与翘曲量相关的信息在内的信息记载为第四信息。

也可以是，信息获取部17具备输入部，构成为用户从输入部输入第一信息(第三信息)和第二信息(第四信息)。在该情况下，输入部例如配置在将基板处理装置1包围的腔室(未图示)的外表面并与存储部19连接。另外，也可以是，信息获取部17具备用于获取第二信息的激光位移计或者干涉计，由信息获取部17测量基板15的翘曲量并直接获取第二信息。或者，也可以是，存储部19不经由信息获取部17，而直接获取第一信息以及第二信息(第三信息以及第四信息)。例如，也可以是，通过有线或者无线，从别的装置(例如基板处理装置1的前一工序中使用的装置)、别的存储装置或者主机系统通知，由此存储部19获取。主机系统例如是基板处理装置1与别的装置、系统之间进行信息的发送和接收时经由的系统。

这里，说明对基板15的翘曲量的测量方法的一例。比基板15的外径小的支承部(未图示)以基板15的中心部作为支点来支承基板15。而且，由配置在与基板15不相接的位置且在基板15的下侧或者上侧且在基板15的外周附近的位置的激光位移计或者干涉计，测定基板15与激光位移计或者干涉计间的距离。例如，与不翘曲的基板相比较，在基板15呈凸形状地翘曲从而激光位移计或者干涉计配置在基板15的下侧的情况下，激光位移计或者干涉计与基板15之间的距离缩短。另一方面，与不翘曲的基板相比较，在基板15呈凹形状地翘曲从而激光位移计或者干涉计配置在基板15的下侧的情况下，激光位移计或者干涉计与基板15间的距离增长。基板15被支承部旋转，激光位移计或者干涉计测定沿着基板15的外周附近的周方向的多个部位各自与激光位移计或者干涉计间的距离。而且，控制部18导出所测定的距离与成为基准的距离之差，将导出的结果设为基板15的翘曲量。这里，成为基准的距离例如是如果由激光位移计或者干涉计对于基板15的平坦而不翘曲的位置进行测定而成的距离即可。而且，本实施方式中示出将由激光位移计或者干涉计对于基板面内的既定位置进行测定而成的距离设为翘曲量的例子，但也可以是，例如由传感器测定基板15的倾斜角，将该倾斜角设为翘曲量。在该情况下，在基板15不翘曲而呈近似平坦的形状时倾斜角为近似0度的值，基板15越翘曲则倾斜角的值越大。

图3是示出本实施方式中的保持部20的结构的图。图3的(a)是从上方观察作为本实施方式的一例的保持部20的图。本实施方式的保持部20具备：界限(也称为界限部、堤)21～23；将所吸入的气体排出的排气口31～33；以及基板交接销升降口37～39。因为有多个具备排气口的排气部，所以能够按每个排气口来对基板的吸附进行控制，能够以近似于期望形状的形状来吸附基板。另外，被界限21～23划分成的三个区域分别为真空吸附区域25～27。

而且，在本实施方式中界限21～23分别为圆环状的形状，真空吸附区域被该界限分割成真空吸附区域25～27。具体来讲，分割成圆形的真空吸附区域25、包围真空吸附区域25的圆环状的真空吸附区域26、包围真空吸附区域26的圆环状的真空吸附区域27这三个区域。排气口31主要排出真空吸附区域25的气体，排气口32主要排出真空吸附区域26的气体，排气口33主要排出真空吸附区域27的气体。

这里，图3的(a)记载的保持部20的结构是本实施方式的一例，真空吸附区域25～27、排气口31～33、界限21～23以及基板交接销升降口37～39的个数、形状以及配置不限于此。例如，界限21～23也可以不是圆环状，界限23也可以不必配置在保持部20的外周。例如，界限23也可以配置在与保持部20的外周相比靠中心侧的位置。构成真空吸附区域的多个区域各自的形状(分割形状)也可以不是圆、圆环的形状，例如各自形状可以为矩形的区域，分割形状也可以是圆、圆环、矩形以外的形状。

图3的(b)是示出包括与图3的(a)所示的ZX平面平行的、X方向的线段A-A’在内的保持部20的剖面的剖视图和示出用于真空吸附的排出系统的概略图的说明图。在图3的(b)中，基板交接销升降口37～39是在与未图示的基板搬送把持件之间进行基板15的交接时用于基板交接销40升降的开口部。基板搬送把持件将基板15放置于从基板交接销升降口37～39中上升出的基板交接销40上。基板搬送把持件退避之后，基板交接销40下降，由此基板15被载置于保持部20上。而且，也可以是，不驱动基板交接销40，而保持部20下降以及上升，由此将基板15载置于保持部20上。

如图3的(b)所示，真空吸附区域25～27埋有用于在吸附时支承基板15的许多小突起(销)。排气口31～33与真空泵51～53连接。在分别来自排气口31～33的气体的流路中配置的压力传感器54～56分别测量流路的压力，由此间接测量真空吸附区域25～27的压力。控制部18基于压力传感器54～56的测量值来控制真空泵51～53，使基板15吸附于保持部20。而且，用于测量图3的(b)所示的各真空吸附区域的压力的压力传感器54～56的结构为本实施方式的一例，也可以不配置全部排气口系统而配置所需要的最小限度系统，不限于此。

存储部19存储信息获取部17获取到的信息、在使基板15吸附于保持部20时获取到的信息。使基板15吸附于保持部20时获取到的信息包括第五信息和第六信息，所述第五信息包括与保持部20曾吸附基板时的吸附状态相关的信息，所述第六信息包括与曾吸附基板时有无吸附辅助(是否压了基板的翘曲的部分)相关的信息。第五信息可以是保持部20对基板的保持是否完成的信息，也可以是压力传感器54～46的测量值的信息。在第五信息是压力传感器54～56的测量值的信息的情况下，第五信息包括控制部18判定对基板的保持是否完成的结果(信息)。具体来讲，第五信息包括控制部18将压力传感器54～56各自的测量值与用户预先设定的阈值进行比较并根据比较结果判定保持部20对基板的保持是否完成的结果(信息)。例如，压力传感器54～56的测量值为大气压基准值的情况下，各传感器的测量值的绝对值中的任一个均为阈值以上的情况下，判定为保持部20吸附并保持基板完成。在压力传感器54～46的测量值中的某一个的绝对值小于阈值的情况下，判定为保持部20对基板的保持未完成。

这里，说明控制部18基于存储部19存储的信息进行的控制。存储部19将以前存储的第三信息至第六信息的组(基板信息)存储于具备多个组的数据库，也存储有本次所吸附的基板15的第一信息和第二信息。控制部18基于第一信息和第二信息，参照该数据库来决定是否需要吸附辅助(是否由按压部60将基板15的翘曲的部分压向保持部20侧)，基于决定结果来控制吸附基板15时的动作。而且，将在曾吸附本次所吸附的基板15时获取到的新第五信息、新第六信息(追加的第五信息、第六信息)和第一信息和第二信息作为组，新追加到数据库。也就是说，基于数据库来判定是否需要对第一基板的吸附辅助(第一判定工序)。而且，基于追加了曾吸附第一基板时(第一吸附工序)的基板信息的数据库，判定是否需要对不同于第一基板的第二基板的吸附辅助(第二判定工序)，并进行对第二基板的吸附(第二吸附工序)。

图4是本实施方式中的存储部19存储的数据库的例子。图4的例子中，存储有第三信息和第四信息，所述第三信息是基板的厚度、外径、材质的信息，所述第四信息是基板的翘曲量的信息。而且，与第三信息以及第四信息相关联地存储有第五信息和第六信息，所述第五信息是曾吸附基板时的与吸附状态相关的信息，所述第六信息是曾吸附基板时的与有无吸附辅助相关的信息。图4的例子中，基板信息存储有六组，但每当实施对基板的吸附并保持时能够适当更新其基板信息，存储的基板信息的组数增加。控制部18基于如图4所示那样的数据库来决定是否需要吸附辅助。

控制部18以及存储部19在本实施方式中针对基板保持装置2进行控制、信息的存储，但也可以是，一并进行在基板处理装置1内实施的曝光处理的控制、曝光处理历史记录信息的存储。换言之，对基板处理装置1整体进行控制的控制部(主控制部)也能够采用对构成基板处理装置1的多个组件中的一个即基板保持装置2也进行控制的形态。而且，也能够采用基板处理装置1的存储部(主存储部)对与基板保持装置2相关的信息进行存储的形态。本实施方式中的控制部18还具备作为判定部的作用，所述判定部判定是否需要对基板15进行吸附辅助。

图5是本实施方式中的判定是否需要对于基板进行吸附辅助的流程图。

首先，控制部18判定本次所吸附的基板15的第二信息中包含的翘曲量是否为阈值以上(S10)。这里，阈值由用户预先设定，用户可以基于实验值来设定，如果能够根据设计值导出阈值则也可以基于导出的值来设定。在步骤S10中，在翘曲量为阈值以上的情况下，控制部18实施吸附辅助来使基板15吸附(S11)，并结束。在翘曲量小于阈值的情况下，判定存储部19存储的基板信息中是否有包含与本次所吸附的基板15的第一信息以及第二信息一致的信息在内的基板信息(S12)。在有包含与本次所吸附的基板15的第一信息以及第二信息一致的信息(第三信息以及第四信息)在内的基板信息的情况下，基于包含一致的信息在内的基板信息来决定是否需要吸附辅助(S13)，并结束。在没有包含与本次所吸附的基板15的第一信息以及第二信息一致的信息在内的基板信息的情况下，判定是否有包含与本次所吸附的基板15的第一信息一致的信息在内的基板信息(S14)。在有包含与本次所吸附的基板15的第一信息一致的信息在内的基板信息的情况下，基于包含一致的信息在内的基板信息来决定是否需要吸附辅助(S15)，并结束。在没有包含与本次所吸附的基板15的第一信息一致的信息在内的基板信息的情况下，基于与第一信息类似的基板信息来决定是否需要吸附辅助(S16)。关于类似的基板信息的确定方法，在后记述。这样，控制部18基于第一信息和第二信息来决定是否需要吸附辅助。

图6和图7是判定是否需要对于本实施方式中的基板15进行吸附辅助的详细的流程图，比图5所示的流程图记载更详细。在图6中，控制部18判定本次所吸附的基板15的第二信息中包含的翘曲量是否为阈值以上(S110)。这里，阈值由用户预先设定，用户可以基于实验值来设定阈值，如果能够根据基板保持装置2吸附基板15时的吸引力等设计值通过仿真来导出阈值则也可以设定导出的阈值。在步骤S110中，在翘曲量为阈值以上的情况下，控制部18判定为需要吸附辅助(需要将基板15的翘曲的部分压向保持部20侧)，并前进至步骤S200。

在步骤S110中，在翘曲量小于阈值的情况下，判定存储部19存储的基板信息中是否有含有与本次所吸附的基板15的第一信息以及第二信息的数值一致的第三信息以及第四信息在内的基板信息(S120)。在有一致的基板信息的情况下，判定一致的基板信息的第五信息是否表示曾完成对基板的保持(S130)。

如果在步骤S130中判定为第五信息表示曾完成对基板的保持，则对于含有与本次所吸附的基板15的第一信息以及第二信息的数值一致的第三信息以及第四信息在内的基板信息的基板，过去曾完成保持。由此可知，只要以与过去曾完成保持的基板相同的吸附辅助条件进行吸附即可。

这里，以相同的吸附辅助条件进行吸附例如包括如下情况：在过去不进行吸附辅助而完成对基板的保持的情况下，本次所吸附的基板15也不进行吸附辅助而进行吸附。由此，以与存储部19存储的、第三信息、第四信息同本次所吸附的基板15的第一信息、第二信息一致的基板信息的第六信息同样的条件，使基板15吸附、保持于保持部20(S140)。而且，控制部18判定是否能够吸附基板15(S150)。

另一方面，如果在步骤S130中判定为第五信息不表示曾完成对基板的保持，则对于具有与本次所吸附的基板15的第一信息和第二信息一致的第三信息和第四信息的基板，过去不曾完成保持。由此，控制部18进行控制使得实施吸附辅助来吸附基板15(S200)，并判定是否能够吸附基板15(S150)。

在步骤S150中判定为无法吸附基板15的情况下，控制部18判定实施吸附辅助是否能够吸附基板15(S180)。在实施吸附辅助也无法吸附基板15的情况下，基板15或者基板保持装置2有异常，因此控制部18存储为报错(S190)，并结束。在步骤S190中存储为报错并结束的情况下，不对基板15进行基板处理装置1的基板处理，而自动或者手动地将基板15向基板处理装置1的外部排出。这里，控制部18将报错存储于存储部19之后，在显示部(未图示)等显示报错信息或者用警报音对用户通知发生报错。在步骤S180中不实施吸附辅助就无法吸附基板15的情况下，控制部18进行控制使得实施吸附辅助来吸附基板15(S200)。

在步骤S150中能够吸附基板的情况下，控制部18判定存储部19是否存储有第三信息至第六信息与本次所吸附的基板15的第一信息、第二信息、第五信息、第六信息全部一致的基板信息(S160)。在步骤S160中存储有的情况下，不需要存储相同的信息，因此不新存储信息并结束。在未存储有第三信息至第六信息与基板15的第一信息、第二信息、第五信息、第六信息全部一致的基板信息的情况下，将本次所吸附的基板15的信息追加到存储部19存储的信息中，并更新数据库。具体来讲，存储部19将本次所吸附的基板15的第一信息、第二信息、第五信息、第六信息存储为新的第三信息至第六信息的组(基板信息)(S170)，并结束。在基板15被适当地保持于保持部20的状态下结束的情况下，对基板15进行基板处理(例如，曝光处理)。

在步骤S120中，在存储部19存储的数据库中没有包含与本次所吸附的基板15的第一信息以及第二信息一致的第三信息以及第四信息在内的基板信息的情况下，将存储部19存储的基板信息与基板15的第一信息进行比较。具体来讲，判定存储部19存储的多个基板信息中是否有第三信息与本次所吸附的基板15的第一信息一致的基板信息(S210)。

在判定为有存储部19存储的基板信息中的第三信息与本次所吸附的基板15的第一信息一致的基板信息的情况下，导出评价值S。具体来讲，基于含有与本次所吸附的基板15的第一信息一致的第三信息在内的基板信息中的第四信息、本次所吸附的基板15的第二信息来导出评价值S(S270)。而且，步骤S270中的具体的评价值S的导出方法，在后记述。而且，控制部18选择评价值S最小的基板信息A(S280)。

然后，控制部18判定基板信息A的第五信息是否表示曾完成对基板的保持(S290)。在步骤S290中判定为表示曾完成对基板的保持的情况下，可知存储基板信息A时基板曾完成保持，只要以与基板信息A相同的吸附辅助的条件吸附基板15即可。

由此，以与基板信息A的第六信息同样的条件(有吸附辅助或者无吸附辅助)由保持部20吸附、保持基板15(S300)，并前进至步骤S150。在步骤S290中判定为基板信息A的第五信息不表示曾完成对基板的保持的情况下，基板信息A的第三信息至第六信息的全部信息对于相应的基板，过去不曾完成保持。由此，控制部18判定为需要实施吸附辅助来吸附基板15，并前进至步骤S200。

在步骤S210中，会有控制部18判定为存储部19未存储第三信息与本次所吸附的基板15的第一信息一致的基板信息的情况。在该情况下，从存储部19存储的多个基板信息中选择两个以上含有与本次所吸附的基板15的第一信息类似的第三信息在内的基板信息(以下也记载为“类似基板信息”)(S220)。

这里，说明与第一信息类似的第三信息的确定方法。用户从第一信息中包含的项目中预先选择用于判定类似度的项目(例如，基板的厚度)，针对选择出的项目设置用于评价第一信息与第三信息之差的阈值。而且，针对选择出的项目求出第一信息与第三信息之差，如果求出的差为阈值以上，则第一信息与第三信息不类似。如果求出的差小于阈值，则第一信息与第三信息类似，将含有该第三信息的基板信息选择为类似基板信息。

另外，也可以设置多个用于判定类似度的项目，在设置多个的情况下，将多个项目中的第一信息与第三信息之差小于阈值的项目多的第三信息设为与第一信息类似的第三信息。这里，判定为类似时的第一信息与第三信息之差小于阈值的项目数由用户预先设定。例如，在第一信息以及第三信息含有关于基板的厚度、外径、材质这三种信息的情况下，将判定为类似的项目数设定为两个，如果第一信息与第三信息之差小于阈值的项目为两个以上则判定为该第三信息与第一信息类似。

如以上说明那样，能够视为，基板的与易变形程度相关的特定项目中第一信息与第三信息之差越小则类似度越高。或者，能够视为，基板的与易变形程度相关的多个项目中第一信息与第三信息之差小于阈值的项目越多则类似度越高。通过上述说明那样的类似度的判定，能够选择类似基板信息。

而且，对于选择出的多个基板信息中的各个基板信息，基于根据第三信息加权了的第四信息、本次所吸附的基板15的第二信息来导出评价值S(S230)。而且，具体的加权方法和评价值S的导出方法，在后记述。然后，选择所选择出的多个基板信息中的评价值S最小的基板信息B(S240)。控制部18判定基板信息B的第五信息是否表示曾完成对基板的保持(S250)。

在步骤S250中判定为基板信息B的第五信息表示曾完成对基板的保持的情况下，可知存储基板信息B时曾完成对基板的保持，只要以与基板信息B相同的吸附辅助的条件吸附基板15即可。由此，以与基板信息B的第六信息同样的条件(有吸附辅助或者无吸附辅助)由保持部20吸附、保持基板15(S260)，并前进至步骤S150。

在步骤S250中判定为基板信息B的第五信息不表示曾完成对基板的保持的情况下，基板信息B的第三信息至第六信息的全部信息对于相应的基板，过去不曾完成保持。由此，控制部18判定为需要实施吸附辅助来吸附基板15，并前进至步骤S200。

然后，说明步骤S270中的评价值S的导出方法。在步骤S270中，基于存储部19存储的、含有与本次所吸附的基板15的第一信息相同的第三信息在内的基板信息的第四信息、本次所吸附的基板15的第二信息，通过以下的式(1)导出评价值S。

S＝Σ|Hp-Hp’|···(1)

在式(1)中，Hp为本次所吸附的基板15的第二信息中包含的、测量位置p处的基板15与激光位移计或者干涉计之间的距离。

另外，Hp’为含有与本次所吸附的基板15的第一信息相同信息的第三信息在内的基板信息的第四信息中包含的测量位置p处的基板与激光位移计或者干涉计之间的距离。第二信息与第四信息含有多个测量位置p处的数据，测量位置p存在n个部位pi(i＝1～n)。图8是本实施方式中的用于测量基板的翘曲量的多个测量位置p的配置的例子。多个测量位置p例如如图8所示在直径2r的长度(半径r的长度)的假想圆上每隔既定间隔配置，图8的例子在八个部位配置测量位置p。而且，在式(1)中求出n个部位彼此间距离之差的合计值。另外，用式(1)求出的评价值S为，与距离之差的正负符号无关，求出本次所吸附的基板15的第二信息与所存储的基板信息中的第四信息之间的在各测量位置p处的距离之差。由此，使用绝对值求出式(1)中的各测量位置p处的距离之差。

具有基于该式(1)而成的评价值S为最小值的基板信息的基板是与本次所吸附的基板15最类似的基板。因此在步骤S280中选择评价值S最小的基板信息A。

然后，说明根据步骤S230中的第三信息将第四信息的参数加权的方法和评价值S的导出方法。在步骤S230中，对于存储部19存储的与本次所吸附的基板15的第一信息类似的第三信息在内的基板信息的第四信息加权。而且，基于加权了的第四信息、本次所吸附的基板15的第二信息，通过以下式(2)来导出评价值S。

S＝Σ|Hp-α×Hp’|···(2)

与式(1)同样，在式(2)中，Hp为本次所吸附的基板15的第二信息中包含的测量位置p处的基板15与激光位移计或者干涉计之间的距离。另外，Hp’为含有与本次所吸附的基板15的第一信息类似的第三信息在内的基板信息的第四信息中包含的测量位置p处的基板与激光位移计或者干涉计之间的距离。α为由第三信息决定的用于加权的系数(以下记载为加权系数)。而且，在0<α≤1的范围决定α的值。第二信息与第四信息含有多个测量位置p处的数据，测量位置p存在n个部位pi(i＝1～n)。多个测量位置p例如如图8所示配置。而且，在式(2)中求出n个部位彼此间距离之差的合计值。另外，用式(2)求出的评价值S为，与距离之差的正负符号无关，求出本次所吸附的基板15的第二信息与所存储的基板信息中的第四信息间的在各测量位置p处的距离之差。由此，使用绝对值求出式(2)中的各测量位置p处的距离之差。

这里，说明加权系数α的决定方法。加权系数α由比较对象(与本次所吸附的基板15的第一信息类似的基板信息)的第三信息相对于本次所吸附的基板15的第一信息的类似度决定。而且，类似度如上述那样判定，第一信息与第三信息之差越小则类似度越高。例如，在用户将基板的厚度选择为加权的基准的情况下，在本次所吸附的基板15的第一信息与作为比较对象的第三信息的类似度高的情况下，也就是说，第一信息的基板的厚度与第三信息的基板的厚度之差越小，则加权系数α成为越近似于1的值。

另一方面，在本次所吸附的基板15的第一信息与作为比较对象的第三信息间的类似度低的情况下，加权系数α成为近似于0的值。该加权系数α的决定方法为，例如制作用户确定的项目(例如基板的厚度)中的类似度与加权系数α的对比表，基于类似度使用对比表来决定加权系数α。图9是本实施方式中的类似度与加权系数α的对比表的例子。图9的例子中示出表示基板间的厚度不同的第一信息与第三信息之差T以及类似度与加权系数α的对比表。但是，对比表的例子不限定于图9的例子。例如，图9的例子中差T按范围来分类，由根据差T的相应范围而成的类似度来决定加权系数α，但差T也可以不按范围来分类，也可以使用按每个差T分别记载类似度以及加权系数α而成的对比表。

另外，也能够考虑第一信息与第二信息共同的多个参数各自的类似度来决定加权系数α。例如，在考虑基板的厚度、外径、材质进行加权的情况下，首先决定基板的与厚度相关的加权系数a、与外径相关的加权系数b、与材质相关的加权系数c。而且，与上述的决定加权系数α的方法同样的方法来决定加权系数a、b、c。而且通过式(3)导出加权系数α。

α＝a×b×c···(3)

基于该式(2)、式(3)而成的评价值S为最小值的基板信息是与本次所吸附的基板15最类似的基板的基板信息。因此，选择在步骤S240中评价值S最小的基板信息B。

根据本实施方式，不进行为了判定是否需要吸附辅助而吸附基板的动作，由于能够基于存储部19存储的信息来判定是否需要吸附辅助，能够将判定是否需要吸附辅助而耗费的时间缩短。另外，在本实施方式中存储部19会新存储进行新吸附动作的基板的基板信息(第三信息至第六信息)，由此更新存储部19存储的信息。而且，第三信息、第四信息分别是基板15的第一信息、第二信息。由此，能够适当更新成为判定是否需要吸附辅助的基准的信息，因而能够更适当地进行是否需要吸附辅助的判定。

而且，在本实施方式中示出对基板15与保持部20之间的空间进行减压来保持基板15的结构，但本实施方式以及后述的第二实施方式的基板保持装置也可以是用电力来保持基板15的结构。例如，也可以是具备与称为静电卡盘的保持装置相似结构的装置。

<第二实施方式>

除了第一实施方式的特征以外，本实施方式中特征在于，决定是否需要实施以下两种吸附辅助中的一方或者两方，所述两种吸附辅助为调整排气口31～33各自的吸引力的吸附辅助、调整进行吸引的定时(吸引定时)的吸附辅助。

说明在各排气口调整吸引力的有效性。例如，为了吸附图10所示那样的凸形状的基板15，实施用吸附凸部所需的吸引力(a)从全部的排气口进行吸引。在该情况下，对于基板15的不翘曲的部分即真空吸附区域27也用吸引力(a)进行吸引。如上所述，真空吸附区域25～27埋有用于在吸附时支承基板15的许多小突起，在用过剩的吸引力进行了吸引的情况下基板15被压贴到这些许多小突起，由此基板15的平坦度下降。也就是说，为了维持翘曲的基板15的平坦度并且使之保持于保持部20，需要根据基板15的翘曲的位置以及翘曲量来调整各排气口的吸引力。

图10是本实施方式中的调整排气口31～33的吸引力和吸引定时的例子。例如，在激光位移计或者干涉计配置在基板15的下侧的状态下，在与不翘曲的基板相比较而言激光位移计或者干涉计与基板15间的距离短的情况下，可知基板15呈凸形状地翘曲。图10示出保持部20吸附、保持这样呈凸形状翘曲的基板15的例子。在通过对吸引力的调整来吸附、保持呈凸形状地翘曲的基板15的情况下，需要将与基板15的翘曲的位置对应的位置即真空吸附区域25处的吸引力(a)设定得最强。而且，优选为，与基板15的比较不翘曲的位置对应的位置即真空吸附区域27处的吸引力(c)比吸引力(a)弱。由此，从排气口31～33吸引气体的吸引力分别为吸引力(a)、吸引力(b)、吸引力(c)，控制部18将吸引力的强度调整为吸引力(a)>吸引力(b)>吸引力(c)。根据基于激光位移计或者干涉计同基板15间的距离与成为基准的距离之差而求出的基板15的翘曲量来设定各排气口的吸引力的强度。通过这样根据基板15的翘曲的位置以及翘曲量来调整吸引力，即使在基板15翘曲的情况下，保持部20也能够保持基板15。

然后，说明调整在各排气口开始吸引的吸引定时的有效性。例如，为了吸附图10所示那样的凸形状的基板15，实施从各排气口同时吸引。在该情况下，与真空吸附区域25、真空吸附区域26相比，基板15的不翘曲的部分即真空吸附区域27更早完成对基板15的吸附。这里，当直到完成对基板15的凸部的吸引为止从各排气口实施吸引时，由于上述那样的真空吸附区域25～27具有许多小突起，因而在用过剩的吸引时间进行了吸引的情况下，基板15被压贴到这些许多小突起。由此，基板15的平坦度下降。也就是说，为了维持翘曲的基板15的平坦度并且使之保持于保持部20，需要根据基板15的翘曲的位置以及翘曲量来调整各排气口的吸引定时(吸引时间)。

在图10的例子中，在通过对吸引定时的调整来吸附、保持呈凸形状地翘曲的基板15的情况下，需要将与基板15的翘曲的位置对应的位置即真空吸附区域25处的吸引定时设定成最早。另外，优选为，将与基板15的比较不翘曲的位置对应的位置即真空吸附区域27处的吸引定时设定成最迟。由此，控制部18调整吸引定时，使得从排气口31～33吸引气体的吸引定时以排气口31(真空吸附区域25)、排气口32(真空吸附区域26)、排气口33(真空吸附区域27)的顺序开始吸引。根据激光位移计或者干涉计同基板15间的距离与成为基准的距离之差而求出的基板15的翘曲量来设定各排气口的吸引定时。通过这样根据基板15的翘曲的位置以及翘曲量调整吸引定时，即使在基板15翘曲的情况下，保持部20也能够保持基板15。

在采用经由排气口31～33分别吸引气体时调整每个排气口的吸引力、调整每个排气口的吸引定时中的一方或者两方来作为吸附辅助的情况下，也需要基板信息中包含其信息。具体来讲，包含曾吸附基板时的与有无吸附辅助相关的信息在内的第六信息中，也包含对于基板的吸附动作中与排气口31～33各自的吸引力以及吸引定时相关的信息。

另外，吸附辅助(方法)可以实施由按压部60对于翘曲的部分进行按压；对排气口31～33各自的吸引力进行调整；对排气口31～33各自的吸引定时进行调整中的某一项，或者也可以多项一并实施。

图11是在本实施方式中决定吸附辅助方法时的流程图。

当控制部18决定实施吸附辅助时，判定是否已经决定了吸附辅助方法(S410)。

已经决定了吸附辅助方法的情况是如下情况：在图6、图7记载的步骤S140、步骤S260、步骤S300中，控制部18决定了以与存储部19存储的第六信息同样的条件来吸附基板15。在已经决定了吸附辅助方法的情况下，不需要决定吸附辅助方法，从而结束。

在未决定吸附辅助方法的情况下，也就是说，在判定为第五信息不表示曾完成对基板的保持的情况下，控制部18判定是否要由按压部60进行按压(S420)。在要由按压部60进行按压的情况下，控制部18判定仅通过按压部60的按压是否能够使基板15吸附、保持于保持部20(S430)。这里，步骤S430的判定是基于翘曲量进行判定，例如在翘曲量为阈值A以上的情况下，判定为仅通过按压无法使基板15吸附、保持于保持部20。在判定为仅通过按压部60的按压能够使基板15吸附、保持于保持部20的情况下，将吸附辅助方法决定成由按压部60按压(S470)，并结束。

在判定为仅通过按压部60的按压无法使基板15吸附、保持于保持部20的情况下，判定是否要调整从排气口31～33吸引气体的吸引力(S440)。在要调整从排气口31～33吸引气体的吸引力的情况下，控制部18判定仅通过按压部60的按压和对吸引力的调整(辅助方法A)或者仅通过对吸引力的调整(辅助方法B)是否能够使基板15吸附、保持于保持部20(S450)。这里，步骤S450的判定是基于翘曲量进行判定，例如，在翘曲量为阈值B以上的情况下，判定为仅通过按压和对吸引力的调整(辅助方法A)无法使基板15吸附、保持于保持部20。另外，例如，在翘曲量为阈值C以上的情况下，判定为仅通过对吸引力的调整(辅助方法B)无法使基板15吸附、保持于保持部20。

在判定为仅通过按压部60的按压和对吸引力的调整或者仅通过对吸引力的调整能够使基板15吸附、保持于保持部20的情况下，将吸附辅助方法决定成辅助方法A或者辅助方法B(S470)，并结束。在步骤S450中判定为无法使基板15吸附、保持于保持部20的情况下，判定是否要调整从排气口31～33吸引气体的吸引定时(S460)，从而决定吸附辅助方法(S470)，并结束。

控制部18通过上述那样的判定，基于存储部19存储的基板信息来决定吸附辅助方法。由此，如果是硬且翘曲量大的基板，则对于翘曲的部分进行按压、对各排气口的吸附力调整、对各排气口的吸附定时调整这三种吸附辅助一并进行。另一方面，如果是柔软且翘曲量小的基板，则仅进行调整各排气口的吸附定时的吸附辅助。

作为本实施方式的决定吸附辅助方法的替代手段有如下方法：用户预先对于第一信息和第二信息分别确定阈值，通过将与各阈值对应的信息进行比较来决定吸附辅助方法。例如，用户预先针对翘曲量决定第一阈值，针对基板15的厚度决定第二阈值。在基板15的翘曲量为第一阈值以上且基板15的厚度为第二阈值以上的情况下，对于翘曲的部分的按压、对各排气口的吸附力调整、对各排气口的吸附定时调整这三个吸附辅助方法一并进行。在基板15的翘曲量为第一阈值以上且基板15的厚度小于第二阈值的情况下，对于翘曲的部分的按压、对各排气口的吸附力调整这两个吸附辅助方法一并进行。在基板15的翘曲量小于第一阈值且基板15的厚度为第二阈值以上的情况下，对各排气口的吸附力调整、对各排气口的吸附定时调整这两个吸附辅助一并进行。在基板15的翘曲量小于第一阈值且基板15的厚度小于第二阈值的情况下，作为吸附辅助方法仅实施对各排气口的吸附定时调整。

<第三实施方式>

本实施方式的特征在于，使用第一实施方式以及第二实施方式记载的基板保持装置制造物品。

图12是本实施方式中的物品的制造方法的流程图。判定使用第一实施方式、第二实施方式记载的基板保持装置保持基板15时是否需要吸附辅助，基于判定结果进行使基板15保持于保持部20的保持工序S510。而且，进行形成工序S520，将图案形成于在保持工序中被保持的基板，并且进行制造工序S530，从在形成工序中形成了图案的基板来制造物品。而且，以下详细地说明保持工序S510、形成工序S520、制造工序S530。首先，进行第一判定工序，基于第一基板的第一信息、第一基板的第二信息，判定在吸附第一基板时是否要实施吸附辅助。而且，第一基板的第一信息包含与第一基板的厚度、第一基板的外径、第一基板的材质中的至少一项相关的信息，第一基板的第二信息包含与第一基板的翘曲量相关的信息。然后，基于第一判定工序的判定结果，进行第一吸附工序，在无吸附辅助的状态下或者有吸附辅助的状态下由保持部吸附第一基板。而且，进行第二判定工序，基于不同于第一基板的第二基板的第一信息、第二基板的第二信息、第一基板的第一信息和第二信息、曾吸附第一基板时的信息，判定吸附第二基板时是否要实施吸附辅助。这里，曾吸附第一基板时的信息包含第三信息和第四信息，所述第三信息包含曾吸附第一基板时的与吸附状态相关的信息，所述第四信息包含曾吸附第一基板时的与有无吸附辅助相关的信息。而且，第二基板的第一信息包含与第二基板的厚度、第二基板的外径、第二基板的材质中的至少一项相关的信息，第二基板的第二信息包含与第二基板的翘曲量相关的信息。而且，进行第二吸附工序，基于第二判定工序的判定结果，在无吸附辅助的状态下或者在有吸附辅助的状态下由保持部吸附第二基板。而且，保持工序S510包含第一判定工序、第一吸附工序、第二判定工序、第二吸附工序。然后，进行形成工序S520，将图案形成于在第二吸附工序中由保持部吸附的第二基板，并且进行制造工序S530，从在形成工序中形成了图案的第二基板来制造物品。

用该制造方法制造的物品例如是半导体IC元件、液晶显示元件、滤色器、MEMS等。另外，工序S510以及S520、工序S530的一部分构成本制造方法中的前工序。

形成工序例如为由曝光装置(光刻装置)将在图案材料上涂布了感光材料的基板(硅晶圆、玻璃板等)进行曝光，由此在基板的感光材料形成潜像图案。

制造工序例如包括实施对形成了潜像图案的基板(感光材料)进行显影、对于显影了的基板的图案材料进行包括蚀刻以及抗蚀剂剥离等在内的前工序、包括切割、邦定、封装等在内的后工序。根据本制造方法，与以往相比，能够用在单位时间的生产性高的方法来制造物品。

根据本发明，能够将判定是否需要基板的吸附辅助耗费的时间缩短。

虽然本发明参照示例性的实施例进行了描述，但应理解为，本发明不限于所披露的示例性的实施例。应基于权利要求保护范围应给予最广泛的解释，包括所有其更改以及等同的结构和功能。

Claims (20)

1.一种基板保持装置，其特征在于，所述基板保持装置

具有吸附、保持基板的保持部，能够将所述保持部上的所述基板压向所述保持部侧来吸附所述基板，

具有判定部，该判定部基于如下第一信息和第二信息来决定将所述基板压向所述保持部侧，所述第一信息包含所述基板的与易变形程度相关的信息，所述第二信息包含所述基板的与翘曲量相关的信息。

2.根据权利要求1记载的基板保持装置，其特征在于，

所述判定部基于所述第一信息和所述第二信息，判定是否要将所述基板压向所述保持部侧。

3.根据权利要求1记载的基板保持装置，其特征在于，

所述基板的与易变形程度相关的信息包含所述基板的厚度、所述基板的外径、所述基板的材质中的至少一项。

4.根据权利要求1记载的基板保持装置，其特征在于，

具有存储部，该存储部存储与其它基板相关的信息，

所述判定部基于与所述其它基板相关的信息，决定将所述基板压向所述保持部侧。

5.根据权利要求4记载的基板保持装置，其特征在于，

所述存储部存储如下第三信息、第四信息、第五信息、第六信息，

所述第三信息包含所述其它基板的与易变形程度相关的信息，所述第四信息包含所述其它基板的与翘曲量相关的信息，所述第五信息包含所述其它基板的与吸附状态相关的信息，

所述第六信息包含与是否曾将所述其它基板压向所述保持部侧相关的信息，

所述判定部基于所述第一信息和所述第二信息、所述第三信息和所述第四信息和所述第五信息和所述第六信息，决定将所述基板压向所述保持部侧。

6.根据权利要求1记载的基板保持装置，其特征在于，

在所述翘曲量为阈值以上的情况下，不进行所述判定部的判定，将所述基板压向所述保持部侧。

7.根据权利要求1记载的基板保持装置，其特征在于，

基于由激光位移计或者干涉计测定的至所述基板的距离来获得所述翘曲量。

8.根据权利要求5记载的基板保持装置，其特征在于，

通过有线或者无线，从不同于所述基板保持装置的别的装置、不同于所述基板保持装置的存储装置的别的存储装置或者主机系统，通知所述第一信息和所述第三信息、所述第二信息和所述第四信息中的一方或者两方。

9.根据权利要求1记载的基板保持装置，其特征在于，

所述保持部具有用于所述吸附的多个排气口，

所述判定部决定压所述基板，并且决定对在经由所述多个排气口的各个排气口吸引气体时的吸引力进行调整。

10.根据权利要求1记载的基板保持装置，其特征在于，

所述保持部具有用于所述吸附的多个排气口，

所述判定部决定压所述基板，并且决定对经由所述多个排气口的各个排气口吸引气体的定时进行调整。

11.根据权利要求5记载的基板保持装置，其特征在于，

所述保持部具有用于所述吸附的多个排气口，

所述第五信息中的与所述吸附状态相关的信息包含：使所述基板吸附于所述保持部时的、在来自所述多个排气口各自的气体的流路配置的压力传感器的测量值的信息；或者根据所述压力传感器的测量值的信息形成的是否曾完成对所述基板的吸附的信息。

12.一种基板保持方法，其特征在于，所述基板保持方法包括：

将保持部上的基板压向所述保持部侧并由所述保持部吸附所述基板的阶段，

基于所述基板的与易变形程度相关的信息和所述基板的与翘曲量相关的信息来决定将所述基板压向所述保持部侧的阶段。

13.根据权利要求12记载的基板保持方法，其特征在于，

所述基板的材质为所述基板的种类或者硬度。

14.一种基板保持方法，其特征在于，所述基板保持方法包括：

由保持部吸附基板，

第一判定工序，基于如下第一信息和第二信息判定在吸附第一基板时是否要实施吸附辅助，所述第一信息包含与所述第一基板的厚度、所述第一基板的外径、所述第一基板的材质中的至少一项相关的信息，所述第二信息包含与所述第一基板的翘曲量相关的信息；

第一吸附工序，基于所述第一判定工序的判定结果，在无所述吸附辅助的状态下或者在有所述吸附辅助的状态下由所述保持部吸附所述第一基板；

第二判定工序，基于如下第一信息、第二信息、第三信息、第四信息来判定在吸附第二基板时是否要实施吸附辅助，所述第一信息包含与不同于所述第一基板的所述第二基板的厚度、所述第二基板的外径、所述第二基板的材质中的至少一项相关的信息，所述第二信息包含与所述第二基板的翘曲量相关的信息，所述第三信息包含所述第一基板的所述第一信息以及所述第二信息、曾吸附所述第一基板时的与吸附状态相关的信息，所述第四信息包含曾吸附所述第一基板时的与有无所述吸附辅助相关的信息；以及

第二吸附工序，基于所述第二判定工序的判定结果，在无所述吸附辅助的状态下或者在有所述吸附辅助的状态下由所述保持部吸附所述第二基板。

15.根据权利要求14记载的基板保持方法，其特征在于，

包含所述第一基板的所述第一信息、所述第一基板的所述第二信息、所述第一基板的所述第三信息、所述第一基板的第四信息在内的多个信息的组作为所述第一基板的基板信息被存储于存储部，

包含所述第二基板的所述第一信息、所述第二基板的所述第二信息、含有曾吸附所述第二基板时的与吸附状态相关的信息的第三信息、含有曾吸附所述第二基板时的与有无所述吸附辅助相关的信息的第四信息在内的多个信息的组作为所述第二基板的基板信息被存储于所述存储部。

16.根据权利要求14记载的基板保持方法，其特征在于，

包含所述第一基板的所述第一信息、所述第一基板的所述第二信息、所述第一基板的所述第三信息、所述第一基板的第四信息在内的多个信息的组作为所述第一基板的基板信息被存储于存储部，

从所述存储部存储的多个基板信息中选择所述第一基板的基板信息，来作为包含与所述第二基板的所述第一信息以及所述第二信息一致的信息在内的基板信息、或者包含与所述第二基板的所述第一信息一致的信息在内的基板信息、或者包含与所述第二基板的所述第一信息类似的信息在内的基板信息，并且使用所述第一基板的基板信息来进行所述第二判定工序。

17.根据权利要求14记载的基板保持方法，其特征在于，

所述吸附辅助包括将所述保持部上的所述第一基板或者所述第二基板压向所述保持部侧、为了吸附所述基板而对在所述保持部配置的多个排气口各自的吸引力进行调整、对所述多个排气口各自开始吸引的定时进行调整中的至少一项。

18.一种光刻装置，其特征在于，

在基板形成图案，所述光刻装置具有：

权利要求1～11中的任一项记载的基板保持装置；以及

向由所述基板保持装置保持的所述基板照射光的光学系。

19.根据权利要求18记载的光刻装置，其特征在于，

具有压所述基板的按压部。

20.一种物品的制造方法，其特征在于，包括：

第一判定工序，基于如下第一信息和第二信息判定在吸附第一基板时是否要实施吸附辅助，所述第一信息包含与所述第一基板的厚度、所述第一基板的外径、所述第一基板的材质中的至少一项相关的信息，所述第二信息包含与所述第一基板的翘曲量相关的信息；

第一吸附工序，基于所述第一判定工序的判定结果，在无所述吸附辅助的状态下或者在有所述吸附辅助的状态下由保持部吸附所述第一基板；

第二判定工序，基于如下第一信息、第二信息、第三信息、第四信息来判定在吸附第二基板时是否要实施吸附辅助，所述第一信息包含与不同于所述第一基板的所述第二基板的厚度、所述第二基板的外径、所述第二基板的材质中的至少一项相关的信息，所述第二信息包含与所述第二基板的翘曲量相关的信息，所述第三信息包含所述第一基板的所述第一信息以及所述第二信息、曾吸附所述第一基板时的与吸附状态相关的信息，所述第四信息包含曾吸附所述第一基板时的与有无所述吸附辅助相关的信息；

第二吸附工序，基于所述第二判定工序的判定结果，在无所述吸附辅助的状态下或者在有所述吸附辅助的状态下由所述保持部吸附所述第二基板；

形成工序，将图案形成于在所述第二吸附工序中由所述保持部吸附的所述第二基板；以及

制造工序，从在所述形成工序中形成了所述图案的所述第二基板制造物品。