CN117596928A - 显示装置 - Google Patents

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CN117596928A
CN117596928A CN202310981259.8A CN202310981259A CN117596928A CN 117596928 A CN117596928 A CN 117596928A CN 202310981259 A CN202310981259 A CN 202310981259A CN 117596928 A CN117596928 A CN 117596928A
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layer
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light emitting
display device
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朴炳奎
金钟五
房玄甲
李虎俊
金镐英
朴亨浩
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

提供了一种显示装置。该显示装置包括：第一基底，包括第一发光区域、第二发光区域和第三发光区域；第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极，在第一基底上分别在第一发光区域、第二发光区域和第三发光区域中；像素限定层，在第一基底上在非发光区域中，并且限定与非发光区域部分叠置的外围开口；第二基底，包括第一透光区域、第二透光区域和第三透光区域以及围绕它们的光阻挡区域；堤层，在第二基底的一个表面上在光阻挡区域中，限定与第一透光区域、第二透光区域和第三透光区域中的每个叠置的第一开口，并且限定与光阻挡区域叠置的第二开口，其中，第二开口中的每个具有多边形平面形状；颜色转换层，在第一开口中，并且包括颜色转换颗粒。

Description

显示装置
技术领域
一些实施例的方面总体上涉及一种显示装置。
背景技术
由于平板显示器的诸如重量轻和薄的特性，平板显示器正用作各种应用中的显示装置，并且正代替阴极射线管显示装置。这种平板显示装置的代表性示例包括液晶显示(LCD)装置和有机发光显示装置(OLED)。
最近，已经研究了包括有机发光元件和颜色转换层的有机发光显示装置，有机发光元件包括有机材料，颜色转换层包括颜色转换颗粒。颜色转换层可以转换从有机发光元件提供的光的波长。因此，颜色转换层可以发射具有与入射光的颜色不同的颜色的光。
在该背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对背景技术的理解，因此在该背景技术部分中讨论的信息不必构成现有技术。
发明内容
一些实施例的方面总体上涉及一种显示装置。例如，一些实施例的方面包括能够显示视觉信息的显示装置。
一些实施例的方面包括具有相对减少的缺陷的显示装置。
根据本发明的一些实施例的显示装置可以包括：第一基底，包括第一发光区域、第二发光区域和第三发光区域以及围绕第一发光区域、第二发光区域和第三发光区域的非发光区域；第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极，在第一基底上分别在第一发光区域、第二发光区域和第三发光区域中；像素限定层，在第一基底上在非发光区域中，并且限定与非发光区域部分地叠置的外围开口；第二基底，包括第一透光区域、第二透光区域和第三透光区域以及围绕第一透光区域、第二透光区域和第三透光区域的光阻挡区域；堤层，在第二基底的面向像素限定层的一个表面上在光阻挡区域中，限定与第一透光区域、第二透光区域和第三透光区域中的每个透光区域叠置的第一开口，并且限定与光阻挡区域叠置的第二开口，其中，第二开口中的每个第二开口具有多边形平面形状；以及颜色转换层，在第一开口中，并且包括颜色转换颗粒。
根据一些实施例，显示装置还可以包括：平坦化层，在第一基底与像素限定层之间，并且包括有机材料。外围开口可以使平坦化层的上表面的一部分暴露。
根据一些实施例，像素限定层可以沿着第一发光区域、第二发光区域和第三发光区域之中的至少两个相邻的发光区域连续地延伸。
根据一些实施例，第一发光区域、第二发光区域和第三发光区域中的每个发光区域可以沿着第一方向和与第一方向交叉的第二方向重复地布置。根据一些实施例，像素限定层可以包括：第一图案部分，覆盖第一像素电极的边缘；第二图案部分，覆盖第二像素电极的边缘；第三图案部分，覆盖第三像素电极的边缘；第一连接部分，与第一像素电极的一部分叠置，并且将第一图案部分、第二图案部分和第三图案部分连接；以及第二连接部分，将第一图案部分、第二图案部分和第三图案部分之中的两个相邻的图案部分连接，并且包括在第一方向上延伸的部分和在第二方向上延伸的部分。
根据一些实施例，使第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极中的每个像素电极的上表面的一部分暴露的中心开口可以进一步限定在像素限定层中。
根据一些实施例，像素限定层可以包括无机材料或有机材料。
根据一些实施例，像素限定层可以包括有机材料，有机材料含有选自由黑色颜料、黑色染料和炭黑组成的组中的至少一种。
根据一些实施例，第二开口中的每个第二开口可以具有矩形平面形状。
根据一些实施例，堤层可以包括：第一分隔壁，在第二开口中的至少一个第二开口中；以及第二分隔壁，与第一分隔壁一体形成，并且是除了第一分隔壁之外的剩余部分。
根据一些实施例，其中定位有第一分隔壁的第二开口可以被第一分隔壁分为两个开口。
根据一些实施例，在第一方向上延伸的第三开口和在与第一方向交叉的第二方向上延伸的第四开口可以进一步限定在堤层中。
根据一些实施例，第一发光区域、第二发光区域和第三发光区域中的每个发光区域可以沿着第一方向和第二方向重复地布置。根据一些实施例，第三开口可以定位为与叠置于第二透光区域的第一开口相邻，并且第四开口定位在分别与第一透光区域和第三透光区域叠置的第一开口之间。
根据一些实施例，第一透光区域可以与第一发光区域叠置，第二透光区域可以与第二发光区域叠置，并且第三透光区域可以与第三发光区域叠置。
根据一些实施例，第一发光区域的面积可以小于第一透光区域的面积，第二发光区域的面积可以小于第二透光区域的面积，并且第三发光区域的面积可以小于第三透光区域的面积。
根据一些实施例，第一发光区域、第二发光区域和第三发光区域可以发射第一颜色的光。根据一些实施例，与第一颜色不同的第二颜色的光可以透射通过第一透光区域，与第一颜色和第二颜色不同的第三颜色的光可以透射通过第二透光区域，并且第一颜色的光可以透射通过第三透光区域。
根据一些实施例，显示装置还可以包括：滤色器层，在第二基底的一个表面上；以及保护层，在滤色器层的面向堤层的一个表面上，并且包括无机材料。
根据一些实施例，堤层可以在保护层的面向像素限定层的一个表面上，并且第二开口使保护层的上表面暴露。
根据一些实施例，显示装置还可以包括：填充层，在像素限定层与堤层之间，并且包括透光材料。根据一些实施例，填充层的一部分可以填充在第二开口中。
根据本发明的一些实施例的显示装置可以包括：第一基底，包括发光区域、与发光区域相邻的接触区域以及围绕发光区域和接触区域的非发光区域；像素电极，在第一基底上在发光区域中；像素限定层，在第一基底上，并且限定中心开口和外围开口，中心开口在发光区域中使像素电极的上表面的一部分暴露，外围开口在非发光区域中在平面图中与像素电极间隔开；第二基底，包括透光区域和光阻挡区域，光阻挡区域围绕透光区域并与接触区域叠置；堤层，在第二基底的面向像素限定层的一个表面上，限定与透光区域叠置的第一开口，并且限定与接触区域叠置的第二开口，其中，第二开口中的每个第二开口具有多边形平面形状；以及颜色转换层，在第一开口中，并且包括颜色转换颗粒。
根据一些实施例，可以对接触区域执行激光钻孔工艺。
根据一些实施例，显示装置还可以包括：绝缘图案，在第一基底上，与接触区域相邻，并且包括与像素限定层相同的材料。
根据一些实施例，绝缘图案可以在平面图中与像素限定层间隔开。
根据一些实施例，绝缘图案的整个部分可以与第二开口叠置。
根据一些实施例，绝缘图案可以在平面图中与堤层间隔开。
根据本发明的一些实施例的显示装置可以包括阵列基底和在阵列基底上的颜色转换基底。根据一些实施例，阵列基底可以包括其中限定有与非发光区域部分地叠置的外围开口的像素限定层。根据一些实施例，颜色转换基底可以包括其中第二开口与光阻挡区域叠置并且具有多边形平面形状的堤层。
附图说明
通过以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解说明性的非限制性实施例。
图1是示出根据一些实施例的显示装置的透视图。
图2是根据一些实施例的沿着图1的线I-I'截取的剖视图。
图3是示出根据一些实施例的图1和图2的显示装置的阵列基底的平面图。
图4是根据一些实施例的图3的区域A的放大平面图。
图5是根据一些实施例的沿着图4的线II-II'截取的剖视图。
图6是根据一些实施例的沿着图4的线III-III'截取的剖视图。
图7是示出根据一些实施例的图1和图2的显示装置的颜色转换基底的平面图。
图8是根据一些实施例的图7的区域B的放大平面图。
图9是根据一些实施例的沿着图8的线IV-IV'截取的剖视图。
图10是示出根据一些实施例的图4的区域A以及图8的区域B一起的平面图。
图11是根据一些实施例的沿着图10的线V-V'截取的剖视图。
图12、图13、图14和图15是示出根据一些实施例的制造图5的阵列基底的方法的剖视图。
图16、图17、图18和图19是示出根据一些实施例的制造图9的颜色转换基底的方法的剖视图。
图20是示出根据一些实施例的包括图1的显示装置的电子装置的框图。
图21是示出根据一些实施例的其中图20的电子装置被实现为电视的示例的视图。
图22是示出根据一些实施例的其中图20的电子装置被实现为智能电话的示例的视图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图更详细地解释根据本公开的一些实施例的显示装置。相同的附图标记用于附图中的相同组件，并且将省略相同组件的冗余描述。
图1是示出根据一些实施例的显示装置的透视图。图2是沿着图1的线I-I'截取的剖视图。
参照图1和图2，根据本发明的一些实施例的显示装置1000可以包括阵列基底100、密封部350、填充层300和颜色转换基底200。
显示装置1000可以在平面图中(例如，在相对于显示装置1000的显示表面的平面垂直或法向的视图中)具有矩形形状。例如，显示装置1000可以包括在第一方向D1上延伸的两条第一边和在第二方向D2上延伸的两条第二边。第一边和第二边交汇的拐角可以是直角。然而，根据本发明的实施例不限于此，并且显示装置1000的第一边和第二边交汇的拐角可以形成弯曲表面。
显示装置1000可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA可以通过产生光或调整从外部光源提供的光的透射率来显示图像。非显示区域NDA可以不显示图像。非显示区域NDA可以位于显示区域DA周围。例如，非显示区域NDA可以围绕显示区域DA，并且可以定位在显示区域DA的外围中(或在显示区域DA的占用面积外部)。
阵列基底100可以包括基底、绝缘层、用于显示图像的元件等。例如，元件可以包括半导体元件(例如，晶体管)、发光元件等。稍后将更详细地描述阵列基底100的详细描述。
颜色转换基底200可以定位在阵列基底100上。颜色转换基底200可以面向阵列基底100。颜色转换基底200可以包括将从发光元件发射的光的波长转换的颜色转换层。稍后将更详细地描述颜色转换基底200的详细描述。
密封部350可以在非显示区域NDA中定位在阵列基底100与颜色转换基底200之间。例如，密封部350可以在非显示区域NDA中沿着阵列基底100和颜色转换基底200的边缘布置，以在平面图中围绕显示区域DA。因此，阵列基底100和颜色转换基底200可以通过密封部350结合。密封部350可以包括有机材料。例如，密封部350可以包括诸如环氧树脂的有机材料。然而，本发明不限于此，并且密封部350可以包括其他类型的有机材料。
填充层300可以在显示区域DA中定位在阵列基底100与颜色转换基底200之间。例如，填充层300可以在显示区域DA中填充在阵列基底100与颜色转换基底200之间。填充层300可以包括能够透射光的透光材料。例如，填充层300可以包括有机材料。可以用于填充层300的有机材料的示例包括(聚)硅氧烷类树脂、环氧类树脂等。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。在其他实施例中，可以省略填充层300。
在本说明书中，平面可以定义为由第一方向D1和与第一方向D1交叉的第二方向D2限定的平面。例如，第一方向D1可以与第二方向D2垂直。另外，第三方向D3可以分别与第一方向D1和第二方向D2垂直。
图3是示出图1和图2的显示装置的阵列基底的平面图。
参照图3和图4，阵列基底100可以包括多个发光区域EA、多个接触区域CA和非发光区域NEA。
发光区域EA中的每个可以包括第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3。第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每个可以是从发光元件发射的光通过其发射到阵列基底100的外部的区域。
第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3可以发射相同颜色的光。例如，第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3可以发射第一颜色的光。根据一些实施例，第一颜色可以是蓝色。
第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每个可以具有三角形平面形状、四边形平面形状、圆形平面形状、轨道形平面形状、椭圆形平面形状等。根据一些实施例，第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每个可以具有矩形平面形状。然而，根据本发明的实施例的构造不限于此。
在平面图中，发光区域EA可以沿着行方向和列方向重复地布置。例如，发光区域EA可以沿着第一方向D1和第二方向D2重复地布置。例如，第二发光区域EA2可以沿着第一方向D1重复地布置在奇数行(例如，第一行)中。另外，第一发光区域EA1和第三发光区域EA3可以沿着第一方向D1交替地布置在与奇数行相邻的偶数行(例如，第二行)中。
在平面图中，接触区域CA可以沿着第一方向D1和第二方向D2重复地布置在发光区域EA之间。例如，接触区域CA可以沿着第一方向D1重复地布置在奇数行中。也就是说，接触区域CA中的每个可以位于第二发光区域EA2之间。接触区域CA中的每个可以是其中执行激光钻孔工艺使得辅助电极(例如，图6的辅助电极AE)和共电极(例如，图5的共电极CE)连接以降低共电极的电阻的区域。
非发光区域NEA可以位于发光区域EA与接触区域CA之间。例如，在平面图中，非发光区域NEA可以围绕发光区域EA和接触区域CA。非发光区域NEA可以是显示区域DA中的除了发光区域EA和接触区域CA之外的区域。也就是说，发射光的发光元件可以不定位在非发光区域NEA中。换句话说，非发光区域NEA可以不发光。
图4是图3的区域A的放大平面图。
在下文中，将参照图4以平面图描述包括在图1、图2和图3的阵列基底100中的组件中的一些。
参照图3和图4，阵列基底100可以包括包含与第一发光区域EA1叠置的第一像素电极PE1的第一发光元件(例如，图5的第一发光元件EE1)、包含与第二发光区域EA2叠置的第二像素电极PE2的第二发光元件(例如，图5的第二发光元件EE2)、包含与第三发光区域EA3叠置的第三像素电极PE3的第三发光元件(例如，图5的第三发光元件EE3)、辅助电极AE、像素限定层PDL和绝缘图案IP。
第一像素电极PE1可以通过第一接触孔CNT1电连接到第一晶体管。第二像素电极PE2可以通过第二接触孔CNT2电连接到第二晶体管。第三像素电极PE3可以通过第三接触孔CNT3电连接到第三晶体管。第一接触孔CNT1、第二接触孔CNT2和第三接触孔CNT3可以彼此间隔开。
像素限定层PDL可以覆盖第一像素电极PE1、第二像素电极PE2和第三像素电极PE3中的每个的边缘。此外，与第一发光区域EA1叠置并使第一像素电极PE1的上表面的一部分暴露的第一中心开口COP1、与第二发光区域EA2叠置并使第二像素电极PE2的上表面的一部分暴露的第二中心开口COP2以及与第三发光区域EA3叠置并使第三像素电极PE3的上表面的一部分暴露的第三中心开口COP3可以限定在像素限定层PDL中。
根据一些实施例，与非发光区域NEA叠置的外围开口POP可以限定在像素限定层PDL中。详细地，外围开口POP可以与非发光区域NEA部分地叠置。在这种情况下，外围开口POP可以不与第一像素电极PE1、第二像素电极PE2和第三像素电极PE3叠置。也就是说，在平面图中，外围开口POP可以与第一像素电极PE1、第二像素电极PE2和第三像素电极PE3间隔开。
像素限定层PDL可以沿着第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3连续地延伸。然而，本发明不限于此。可选地，像素限定层PDL可以沿着第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3之中的至少两个发光区域连续地延伸。例如，像素限定层PDL可以沿着第一发光区域EA1和第二发光区域EA2连续地延伸。在这种情况下，像素限定层PDL的一部分可以独立地定位在第三发光区域EA3中。
绝缘图案IP可以与接触区域CA叠置，并且可以覆盖辅助电极AE的边缘。根据一些实施例，绝缘图案IP可以仅定位在辅助电极AE的边缘上。例如，绝缘图案IP在平面图中可以具有岛形状。另外，与接触区域CA叠置的第四中心开口COP4可以限定在绝缘图案IP中。
根据一些实施例，绝缘图案IP可以布置为与像素限定层PDL间隔开。也就是说，绝缘图案IP可以独立于像素限定层PDL布置。换句话说，绝缘图案IP可以不连接到像素限定层PDL。
与非发光区域NEA部分地叠置的外围开口POP可以限定在绝缘图案IP中。也就是说，像素限定层PDL和绝缘图案IP可以共享外围开口POP。由于外围开口POP，像素限定层PDL和绝缘图案IP可以彼此分离。
根据一些实施例，像素限定层PDL可以仅定位在第一像素电极PE1、第二像素电极PE2和第三像素电极PE3中的每个的边缘上。例如，像素限定层PDL可以包括第一图案部分PP1、第二图案部分PP2、第三图案部分PP3、第一连接部分CP1和第二连接部分CP2。
根据一些实施例，第一图案部分PP1可以覆盖第一像素电极PE1的边缘，第二图案部分PP2可以覆盖第二像素电极PE2的边缘，第三图案部分PP3可以覆盖第三像素电极PE3的边缘。
第一连接部分CP1可以与第一像素电极PE1的突出部分叠置。例如，第一连接部分CP1可以与第一像素电极PE1的其中定位有第一接触孔CNT1的部分叠置。根据一些实施例，第一连接部分CP1可以连接位于一个发光区域EA中的第一图案部分PP1、第二图案部分PP2和第三图案部分PP3。也就是说，位于一个发光区域EA中的第一图案部分PP1、第二图案部分PP2和第三图案部分PP3可以由于第一连接部分CP1而连续地延伸。
第二连接部分CP2可以连接第一图案部分PP1、第二图案部分PP2和第三图案部分PP3之中的两个图案部分。根据一些实施例，第二连接部分CP2可以包括在第一方向D1上延伸的第二连接部分CP2和在第二方向D2上延伸的第二连接部分CP2。例如，在第一方向D1上延伸的第二连接部分CP2可以连接第一图案部分PP1和在与第一方向D1相反的方向上与第一图案部分PP1相邻的第三图案部分PP3。在第二方向D2上延伸的第二连接部分CP2可以连接第二图案部分PP2和在第二方向D2上与第二图案部分PP2相邻的第三图案部分PP3。也就是说，两个相邻的图案部分可以由于第二连接部分CP2连接。
根据一些实施例，第二连接部分CP2可以与非发光区域NEA叠置，而不与第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3叠置。也就是说，第一像素电极PE1、第二像素电极PE2和第三像素电极PE3可以不定位在第二连接部分CP2下方。
第二连接部分CP2的宽度可以与第一图案部分PP1、第二图案部分PP2和第三图案部分PP3中的每个的宽度不同。根据一些实施例，第二连接部分CP2的宽度可以小于第一图案部分PP1、第二图案部分PP2和第三图案部分PP3中的每个的宽度。
图5是沿着图4的线II-II'截取的剖视图。图6是沿着图4的线III-III'截取的剖视图。
在下文中，将根据堆叠结构更详细地描述包括在阵列基底100中的组件。
参照图5和图6，阵列基底100可以包括第一基底110、缓冲层120、栅极绝缘层130、第一晶体管TR1、第二晶体管TR2和第三晶体管TR3、层间绝缘层140、导电图案145、平坦化层150、像素限定层PDL、绝缘图案IP、第一发光元件EE1、第二发光元件EE2和第三发光元件EE3、公共层CL以及封装层160。
这里，第一晶体管TR1可以包括第一有源层ACT1、第一栅电极GAT1、第一源电极SE1和第一漏电极DE1。第二晶体管TR2可以包括第二有源层ACT2、第二栅电极GAT2、第二源电极SE2和第二漏电极DE2。第三晶体管TR3可以包括第三有源层ACT3、第三栅电极GAT3、第三源电极SE3和第三漏电极DE3。
另外，第一发光元件EE1可以包括第一像素电极PE1、第一发光层EL1和共电极CE。第二发光元件EE2可以包括第二像素电极PE2、第二发光层EL2和共电极CE。第三发光元件EE3可以包括第三像素电极PE3、第三发光层EL3和共电极CE。
如上所述，阵列基底100可以包括发光区域EA、接触区域CA和非发光区域NEA。由于阵列基底100包括发光区域EA、接触区域CA和非发光区域NEA，因此包括在阵列基底100中的组件(例如，第一基底110等)也可以包括发光区域EA、接触区域CA和非发光区域NEA。
第一基底110可以包括透明材料或不透明材料。第一基底110可以由透明树脂基底制成。透明树脂基底的示例可以包括聚酰亚胺基底等。在这种情况下，聚酰亚胺基底可以包括第一有机层、第一阻挡层和第二有机层。可选地，第一基底110可以包括石英基底、合成石英基底、氟化钙基底、掺杂F的石英基底、钠钙玻璃基底、非碱性玻璃基底等。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。
缓冲层120可以定位在第一基底110上。缓冲层120可以防止或减少金属原子、污染物或杂质从第一基底110扩散到晶体管TR1、TR2和TR3中。此外，当第一基底110的表面不均匀时，缓冲层120可以改善第一基底110的表面的平坦度。例如，缓冲层120可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等的无机材料。这些可以单独地使用或与纱线组合地使用。
第一有源层ACT1、第二有源层ACT2和第三有源层ACT3可以定位在缓冲层120上。第一有源层ACT1、第二有源层ACT2和第三有源层ACT3中的每个可以包括金属氧化物半导体、无机半导体(例如，非晶硅、多晶硅)或有机半导体。第一有源层ACT1、第二有源层ACT2和第三有源层ACT3可以包括相同的材料。例如，第一有源层ACT1、第二有源层ACT2和第三有源层ACT3中的每个可以包括源区、漏区和位于源区与漏区之间的沟道区。
金属氧化物半导体可以包括含有铟(In)、锌(Zn)、镓(Ga)、锡(Sn)、钛(Ti)、铝(Al)、铪(Hf)、锆(Zr)、镁(Mg)等的二元化合物(ABx)、三元化合物(ABxCy)、四元化合物(ABxCyDz)等。例如，金属氧化物半导体可以是氧化锌(ZnOx)、氧化镓(GaOx)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟镓锌(IGZO)等。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。
栅极绝缘层130可以定位在缓冲层120上。栅极绝缘层130可以充分地覆盖第一有源层ACT1、第二有源层ACT2和第三有源层ACT3，并且不在第一有源层ACT1、第二有源层ACT2和第三有源层ACT3周围产生台阶以具有基本上平坦的上表面。可选地，栅极绝缘层130可以覆盖第一有源层ACT1、第二有源层ACT2和第三有源层ACT3，并且可以沿着第一有源层ACT1、第二有源层ACT2和第三有源层ACT3中的每个的轮廓布置以具有均匀的厚度。例如，栅极绝缘层130可以包括诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、碳化硅(SiCx)、氮氧化硅(SiOxNy)、碳氧化硅(SiOxCy)等的无机材料。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。
第一栅电极GAT1、第二栅电极GAT2和第三栅电极GAT3可以定位在栅极绝缘层130上。第一栅电极GAT1可以与第一有源层ACT1的沟道区叠置，第二栅电极GAT2可以与第二有源层ACT2的沟道区叠置，第三栅电极GAT3可以与第三有源层ACT3的沟道区叠置。例如，第一栅电极GAT1、第二栅电极GAT2和第三栅电极GAT3中的每个可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。第一栅电极GAT1、第二栅电极GAT2和第三栅电极GAT3可以包括相同的材料。
层间绝缘层140可以定位在栅极绝缘层130上。层间绝缘层140可以充分地覆盖第一栅电极GAT1、第二栅电极GAT2和第三栅电极GAT3，并且不在第一栅电极GAT1、第二栅电极GAT2和第三栅电极GAT3周围产生台阶以具有基本上平坦的上表面。可选地，层间绝缘层140可以覆盖第一栅电极GAT1、第二栅电极GAT2和第三栅电极GAT3，并且可以沿着第一栅电极GAT1、第二栅电极GAT2和第三栅电极GAT3中的每个的轮廓布置以具有均匀的厚度。例如，层间绝缘层140可以包括诸如氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅、碳氧化硅等的无机材料。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。
第一源电极SE1、第二源电极SE2和第三源电极SE3可以定位在层间绝缘层140上。第一源电极SE1可以通过穿过栅极绝缘层130和层间绝缘层140的接触孔连接到第一有源层ACT1的源区。第二源电极SE2可以通过穿过栅极绝缘层130和层间绝缘层140的接触孔连接到第二有源层ACT2的源区。第三源电极SE3可以通过穿过栅极绝缘层130和层间绝缘层140的接触孔连接到第三有源层ACT3的源区。
第一漏电极DE1、第二漏电极DE2和第三漏电极DE3可以定位在层间绝缘层140上。第一漏电极DE1可以通过穿透栅极绝缘层130和层间绝缘层140的接触孔连接到第一有源层ACT1的漏区。第二漏电极DE2可以通过穿透栅极绝缘层130和层间绝缘层140的接触孔连接到第二有源层ACT2的漏区。第三漏电极DE3可以通过穿透栅极绝缘层130和层间绝缘层140的接触孔连接到第三有源层ACT3的漏区。
例如，第一源电极SE1、第二源电极SE2和第三源电极SE3中的每个可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。第一漏电极DE1、第二漏电极DE2和第三漏电极DE3可以包括与第一源电极SE1、第二源电极SE2和第三源电极SE3相同的材料。
因此，包括第一有源层ACT1、第一栅电极GAT1、第一源电极SE1和第一漏电极DE1的第一晶体管TR1可以定位在第一基底110上。包括第二有源层ACT2、第二栅电极GAT2、第二源电极SE2和第二漏电极DE2的第二晶体管TR2可以定位在第一基底110上。包括第三有源层ACT3、第三栅电极GAT3、第三源电极SE3和第三漏电极DE3的第三晶体管TR3可以定位在第一基底110上。
导电图案145可以在层间绝缘层140上定位在接触区域CA中。例如，导电图案145可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。
根据一些实施例，导电图案145可以包括与第一源电极SE1、第二源电极SE2和第三源电极SE3(或者第一漏电极DE1、第二漏电极DE2和第三漏电极DE3)相同的材料。也就是说，导电图案145可以与第一源电极SE1、第二源电极SE2和第三源电极SE3(或者第一漏电极DE1、第二漏电极DE2和第三漏电极DE3)定位在同一层。
平坦化层150可以定位在层间绝缘层140上。平坦化层150可以充分地覆盖第一源电极SE1、第二源电极SE2和第三源电极SE3、第一漏电极DE1、第二漏电极DE2和第三漏电极DE3以及导电图案145。平坦化层150可以包括有机材料。例如，平坦化层150可以包括酚醛树脂、聚丙烯酸酯树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、(聚)硅氧烷树脂、环氧树脂等。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。
第一像素电极PE1、第二像素电极PE2和第三像素电极PE3中的每个可以在平坦化层150上定位在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每个中。例如，第一像素电极PE1可以定位在第一发光区域EA1中，第二像素电极PE2可以定位在第二发光区域EA2中，第三像素电极PE3可以定位在第三发光区域EA3中。第一像素电极PE1可以通过穿透平坦化层150的第一接触孔CNT1连接到第一漏电极DE1，第二像素电极PE2可以通过穿透平坦化层150的第二接触孔CNT2连接到第二漏电极DE2，第三像素电极PE3可以通过穿透平坦化层150的第三接触孔CNT3连接到第三漏电极DE3。
例如，第一像素电极PE1、第二像素电极PE2和第三像素电极PE3中的每个可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。根据一些实施例，第一像素电极PE1、第二像素电极PE2和第三像素电极PE3中的每个可以具有包括ITO/Ag/ITO的堆叠结构。第一像素电极PE1、第二像素电极PE2和第三像素电极PE3可以包括相同的材料。例如，第一像素电极PE1、第二像素电极PE2和第三像素电极PE3中的每个可以用作阳极。
辅助电极AE可以在平坦化层150上定位在接触区域CA中。辅助电极AE可以通过穿透平坦化层150的第四接触孔CNT4连接到导电图案145。例如，辅助电极AE可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。
根据一些实施例，辅助电极AE可以包括与第一像素电极PE1、第二像素电极PE2和第三像素电极PE3相同的材料。也就是说，辅助电极AE可以与第一像素电极PE1、第二像素电极PE2和第三像素电极PE3定位在同一层。
像素限定层PDL可以定位在平坦化层150上。像素限定层PDL可以覆盖第一像素电极PE1、第二像素电极PE2和第三像素电极PE3中的每个的边缘。另外，使第一像素电极PE1的上表面的一部分暴露的第一中心开口COP1、使第二像素电极PE2的上表面的一部分暴露的第二中心开口COP2和使第三像素电极PE3的上表面的一部分暴露的第三中心开口COP3可以限定在像素限定层PDL中。
像素限定层PDL可以包括无机材料或有机材料。根据一些实施例，像素限定层PDL可以包括有机材料。例如，像素限定层PDL可以包括诸如聚酰亚胺(PI)的有机材料。然而，可以用于像素限定层PDL的有机材料不限于此。
像素限定层PDL还可以包括黑色光阻挡材料。例如，像素限定层PDL还可以包括诸如黑色颜料、黑色染料、炭黑等的光阻挡材料。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。
绝缘图案IP可以定位在平坦化层150上。绝缘图案IP可以与接触区域CA部分地叠置。绝缘图案IP可以覆盖辅助电极AE的边缘。另外，使辅助电极AE的上表面的一部分暴露的第四中心开口COP4可以限定在绝缘图案IP中。
根据一些实施例，绝缘图案IP可以包括与像素限定层PDL相同的材料。也就是说，绝缘图案IP可以与像素限定层PDL定位在同一层。
根据一些实施例，在非发光区域NEA中使平坦化层150的上表面暴露的外围开口POP可以限定在像素限定层PDL和绝缘图案IP中。换句话说，外围开口POP可以形成在像素限定层PDL与绝缘图案IP之间。
第一发光层EL1、第二发光层EL2和第三发光层EL3可以分别定位在第一像素电极PE1、第二像素电极PE2和第三像素电极PE3上。例如，第一发光层EL1、第二发光层EL2和第三发光层EL3可以分别定位在第一中心开口COP1、第二中心开口COP2和第三中心开口COP3中。
第一发光层EL1、第二发光层EL2和第三发光层EL3中的每个可以使用能够发射红光、绿光和蓝光的发光材料中的至少一种形成。根据一些实施例，第一发光层EL1、第二发光层EL2和第三发光层EL3可以发射蓝光。例如，第一发光层EL1、第二发光层EL2和第三发光层EL3中的每个可以包括低分子有机化合物或高分子有机化合物。
公共层CL可以定位在平坦化层150、辅助电极AE、第一发光层EL1、第二发光层EL2和第三发光层EL3上。公共层CL可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层等。根据一些实施例，第一发光层EL1、第二发光层EL2和第三发光层EL3可以定位在空穴传输层与电子传输层之间。
第五接触孔CNT5可以形成在接触区域CA中，以通过穿透公共层CL来使辅助电极AE的上表面的一部分暴露。根据一些实施例，可以通过激光钻孔工艺经由去除公共层CL的一部分来形成第五接触孔CNT5。根据一些实施例，可以通过有机层锥形调整工艺或有机层倒锥形调整工艺经由去除公共层CL的一部分来形成第五接触孔CNT5。
共电极CE可以定位在公共层CL上。共电极CE可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。根据一些实施例，共电极CE可以具有包括Mg和Ag的堆叠结构。例如，共电极CE可以作为阴极操作。
根据一些实施例，共电极CE可以在接触区域CA中通过公共层CL的第五接触孔CNT5连接到辅助电极AE。也就是说，在接触区域CA中，共电极CE可以通过公共层CL的第五接触孔CNT5电连接到辅助电极AE。因此，可以降低共电极CE的电阻。
因此，包括第一像素电极PE1、第一发光层EL1和共电极CE的第一发光元件EE1可以在第一基底110上定位在第一发光区域EA1中。包括第二像素电极PE2、第二发光层EL2和共电极CE的第二发光元件EE2可以在第一基底110上定位在第二发光区域EA2中。包括第三像素电极PE3、第三发光层EL3和共电极CE的第三发光元件EE3可以在第一基底110上定位在第三发光区域EA3中。
封装层160可以定位在共电极CE上。封装层160可以防止或减少杂质、湿气、外部空气或其他污染物等从外部渗透第一发光元件EE1、第二发光元件EE2和第三发光元件EE3的情况。封装层160可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。例如，无机封装层可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。有机封装层可以包括诸如聚丙烯酸酯的聚合物固化材料。
图7是示出图1和图2的显示装置的颜色转换基底的平面图。
参照图7和图8，颜色转换基底200可以包括第一透光区域TA1、第二透光区域TA2、第三透光区域TA3和光阻挡区域BA。第一透光区域TA1、第二透光区域TA2和第三透光区域TA3中的每个可以是其中从阵列基底100发射的光透射颜色转换基底200并且提供到显示装置1000的外部的区域。
不同颜色的光可以通过第一透光区域TA1、第二透光区域TA2和第三透光区域TA3透射到显示装置1000的外部。例如，第一颜色的光可以透射通过第一透光区域TA1，第二颜色的光可以透射通过第二透光区域TA2，第三颜色的光可以透射通过第三透光区域TA3。根据一些实施例，第一颜色可以是红色，第二颜色可以是绿色，第三颜色可以是蓝色。然而，本发明不限于此。
在平面图中，透光区域TA1、TA2和TA3可以沿着行方向和列方向重复地布置。例如，透光区域TA1、TA2和TA3可以沿着第一方向D1和第二方向D2重复地布置。例如，第二透光区域TA2可以沿着第一方向D1重复地布置在奇数行(例如，第一行)中。另外，第一透光区域TA1和第三透光区域TA3可以沿着第一方向D1交替地布置在与奇数行相邻的偶数行(例如，第二行)中。
光阻挡区域BA可以位于第一透光区域TA1、第二透光区域TA2和第三透光区域TA3之间。例如，在平面图中，光阻挡区域BA可以围绕第一透光区域TA1、第二透光区域TA2和第三透光区域TA3。光阻挡区域BA可以是除了第一透光区域TA1、第二透光区域TA2和第三透光区域TA3之外的区域。也就是说，光阻挡区域BA可以是从阵列基底100发射的光不透射通过其的区域。
图8是图7的区域B的放大平面图。图9是沿着图8的线IV-IV'截取的剖视图。
参照图7、图8和图9，颜色转换基底200可以包括第二基底170、滤色器层CF、低折射率层180、保护层190、颜色转换层CCL和堤层BL。
如上所述，颜色转换基底200可以包括透光区域TA和光阻挡区域BA。由于颜色转换基底200包括透光区域TA和光阻挡区域BA，因此包括在颜色转换基底200中的组件(例如，第二基底170等)可以包括透光区域TA和光阻挡区域BA。
第二基底170可以透射从发光元件(例如，图5的第一发光元件EE1、第二发光元件EE2和第三发光元件EE3)发射的光。例如，第二基底170可以由透明树脂基底形成。第二基底170可以包括诸如玻璃或塑料的绝缘材料。可选地，第二基底170可以包括诸如聚碳酸酯(PC)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)等的有机聚合物材料。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。
滤色器层CF可以定位在第二基底170下方。滤色器层CF可以选择性地透射具有特定波长的光。例如，滤色器层CF可以包括第一滤色器层CF1、第二滤色器层CF2和第三滤色器层CF3。第一滤色器层CF1可以与第一透光区域TA1和光阻挡区域BA叠置。第二滤色器层CF2可以与第二透光区域TA2和光阻挡区域BA叠置。第三滤色器层CF3可以与第三透光区域TA3和光阻挡区域BA叠置。
第一滤色器层CF1可以选择性地透射具有第一波长的光(例如，红光)。第二滤色器层CF2可以选择性地透射具有第二波长的光(例如，绿光)。第三滤色器层CF3可以选择性地透射具有第三波长的光(例如，蓝光)。
光阻挡层可以定位在第二基底170下方。光阻挡层可以与光阻挡区域BA叠置。从发光元件(例如，图5的第一发光元件EE1、第二发光元件EE2和第三发光元件EE3)发射的光可以仅透射颜色转换基底200的部分区域。也就是说，从发光元件发射的光可以仅透射颜色转换基底200的与第一透光区域TA1、第二透光区域TA2和第三透光区域TA3叠置的区域，并且可以不透射颜色转换基底200的与光阻挡区域BA叠置的区域。根据一些实施例，可以通过使第一滤色器层CF1、第二滤色器层CF2和第三滤色器层CF3叠置并堆叠第一滤色器层CF1、第二滤色器层CF2和第三滤色器层CF3来形成光阻挡层。
根据一些实施例，光阻挡层可以包括光阻挡材料。例如，光阻挡材料可以具有特定颜色。
低折射率层180可以定位在滤色器层CF下方。低折射率层180可以覆盖滤色器层CF。低折射率层180可以具有相对低的折射率。例如，低折射率层180的折射率可以低于颜色转换层CCL的折射率。低折射率层180可以包括有机材料。例如，低折射率层180可以包括包含硅的有机聚合物材料。
保护层190可以定位在低折射率层180下方。保护层190可以覆盖低折射率层180。保护层190可以阻挡外部杂质以防止或减少对滤色器层CF的污染。保护层190可以包括无机材料。例如，保护层190可以包括氧化硅、氮化硅、氮化铝等。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。
堤层BL可以定位在保护层190下方。堤层BL可以与光阻挡区域BA叠置。例如，堤层BL可以包括诸如聚酰亚胺的有机材料。可选地，堤层BL可以包括含有光阻挡材料的有机材料。
堤层BL可以阻挡从第一颜色转换图案CCP1发射的光被照射到第二颜色转换图案CCP2或透射图案TP，阻挡从第二颜色转换图案CCP2发射的光被照射到第一颜色转换图案CCP1或透射图案TP，或者阻挡从透射图案TP发射的光被照射到第一颜色转换图案CCP1或第二颜色转换图案CCP2。
根据一些实施例，第一开口OP1和第二开口OP2可以限定在堤层BL中。
第一开口OP1可以分别与第一透光区域TA1、第二透光区域TA2和第三透光区域TA3叠置。第一开口OP1可以使保护层190的下表面的一部分暴露。可以通过喷墨法在第一开口OP1中形成颜色转换层CCL。
第二开口OP2可以与光阻挡区域BA叠置。根据一些实施例，第二开口OP2可以使保护层190的下表面的一部分暴露。第二开口OP2可以容纳在形成颜色转换层CCL的工艺中通过喷墨法喷射的错置墨。
第一开口OP1可以沿着第一方向D1和第二方向D2重复地布置。另外，第二开口OP2可以沿着第一方向D1和第二方向D2重复地布置。例如，与第二透光区域TA2叠置的第一开口OP1可以重复地布置在奇数行(例如，第一行)中，第二开口OP2可以重复地布置在奇数行中且与第二透光区域TA2叠置的第一开口OP1置于其间。另外，与第一透光区域TA1和第三透光区域TA3叠置的第一开口OP1可以重复地布置在与奇数行相邻的偶数行(例如，第二行)中。
第二开口OP2可以具有多边形平面形状、圆形平面形状、轨道形平面形状、椭圆形平面形状等。根据一些实施例，第二开口OP2可以具有矩形平面形状。然而，第二开口OP2的平面形状不限于此。
第二开口OP2的面积可以与第一开口OP1的面积不同。根据一些实施例，第二开口OP2的面积可以大于第一开口OP1的面积。
这里，第一开口OP1可以表示堤层BL的填充有颜色转换层CCL的材料的部分，第二开口OP2可以表示堤层BL的填充有填充层300的材料的部分。换句话说，第一开口OP1和第二开口OP2中的每个可以表示其中保护层190的一部分接触除了堤层BL之外的组件(例如，颜色转换层CCL、填充层300等)的部分。
根据一些实施例，第三开口OP3和第四开口OP4可以进一步限定在堤层BL中。第三开口OP3可以在第一方向D1上延伸，第四开口OP4可以在第二方向D2上延伸。
第三开口OP3可以沿着第二方向D2重复地布置，且与第二透光区域TA2叠置的第一开口OP1置于其间。第四开口OP4可以沿着第一方向D1重复地布置，且与第一透光区域TA1和第三透光区域TA3叠置的第一开口OP1独立地置于其间。第三开口OP3和第四开口OP4可以容纳在形成颜色转换层CCL的工艺中通过喷墨法喷射的错置墨。
这里，第三开口OP3和第四开口OP4中的每个可以表示堤层BL的填充有填充层300的材料的部分。换句话说，第三开口OP3和第四开口OP4中的每个可以表示其中保护层190的一部分接触除了堤层BL之外的组件(例如，填充层300)的部分。
根据一些实施例，堤层BL可以包括第一分隔壁PT1和第二分隔壁PT2，第二分隔壁PT2与第一分隔壁PT1一体形成并且是除了第一分隔壁PT1之外的剩余部分。第一分隔壁PT1可以定位在堤层BL的至少一个第二开口OP2中。
根据一些实施例，在其中定位有第一分隔壁PT1的第二开口OP2的情况下，第二开口OP2可以被第一分隔壁PT1分成两个开口。然而，在其中未定位有第一分隔壁PT1的第二开口OP2的情况下，第二开口OP2可以具有矩形平面形状。
间隔件可以定位在堤层BL的第一分隔壁PT1上。间隔件可以用于保持颜色转换基底200与阵列基底(例如，图5的阵列基底100)之间的间隙。例如，间隔件可以包括有机材料。
颜色转换层CCL可以定位在保护层190下方。颜色转换层CCL可以将从发光元件(例如，图5的第一发光元件EE1、第二发光元件EE2和第三发光元件EE3)发射的光转换为具有特定波长的光。例如，颜色转换层CCL可以包括颜色转换颗粒。
颜色转换层CCL可以包括第一颜色转换图案CCP1、第二颜色转换图案CCP2和透射图案TP。例如，第一颜色转换图案CCP1可以与第一透光区域TA1叠置，第二颜色转换图案CCP2可以与第二透光区域TA2叠置，透射图案TP可以与第三透光区域TA3叠置。
第一颜色转换图案CCP1可以将从第一发光元件(例如，图5的第一发光元件EE1)发射的光转换为第一颜色的光(例如，红光)。第二颜色转换图案CCP2可以将从第二发光元件(例如，图5的第二发光元件EE2)发射的光转换为第二颜色的光(例如，绿光)。透射图案TP可以透射从第三发光元件(例如，图5的第三发光元件EE3)发射的光。根据一些实施例，光可以是蓝光。然而，本发明的构造不限于此，并且光可以表示诸如白光的其他颜色的光。
第一颜色转换图案CCP1可以包括被从第一发光元件产生的光激发并发射第一颜色的光的第一颜色转换颗粒。第一颜色转换图案CCP1还可以包括其中分散有第一散射颗粒的第一光敏聚合物。
第二颜色转换图案CCP2可以包括被从第二发光元件产生的光激发并发射第二颜色的光的第二颜色转换颗粒。第二颜色转换图案CCP2还可以包括其中分散有第二散射颗粒的第二光敏聚合物。第一颜色转换颗粒和第二颜色转换颗粒中的每个可以表示量子点。
透射图案TP可以透射从第三发光元件产生的光并朝向第二基底170发射光。透射图案TP可以包括其中分散有第三散射颗粒的第三光敏聚合物。例如，第一光敏聚合物至第三光敏聚合物中的每个可以包括诸如(聚)硅氧烷树脂、环氧树脂等的透光有机材料。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。
第一光敏聚合物、第二光敏聚合物和第三光敏聚合物可以包括彼此相同的材料。第一散射颗粒、第二散射颗粒和第三散射颗粒可以散射并发射从第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件产生的光，并且第一散射颗粒、第二散射颗粒和第三散射颗粒可以包括彼此相同的材料。
图10是示出图4的区域A以及图8的区域B一起的平面图。图11是沿着图10的线V-V'截取的剖视图。
参照图4、图5、图8、图9、图10和图11，根据本发明的一些实施例的显示装置1000可以包括阵列基底100、填充层300和颜色转换基底200。
这里，阵列基底100可以包括第一基底110、缓冲层120、栅极绝缘层130、第一晶体管TR1、第二晶体管TR2和第三晶体管TR3、层间绝缘层140、导电图案145、平坦化层150、像素限定层PDL、绝缘图案IP、第一发光元件EE1、第二发光元件EE2和第三发光元件EE3、公共层CL以及封装层160。颜色转换基底200可以包括第二基底170、滤色器层CF、低折射率层180、保护层190、颜色转换层CCL和堤层BL。
阵列基底100和颜色转换基底200可以彼此结合。例如，填充层300可以定位在阵列基底100上，并且颜色转换基底200可以定位在填充层300上。
如上所述，阵列基底100可以包括第一发光区域EA1、第二发光区域EA2、第三发光区域EA3和非发光区域NEA，颜色转换基底200可以包括第一透光区域TA1、第二透光区域TA2、第三透光区域TA3和光阻挡区域BA。
第一发光区域EA1可以与第一透光区域TA1叠置(或对应)，第二发光区域EA2可以与第二透光区域TA2叠置(或对应)，第三发光区域EA3可以与第三透光区域TA3叠置(或对应)。另外，非发光区域NEA可以与光阻挡区域BA叠置，并且光阻挡区域BA可以与接触区域CA叠置。
根据一些实施例，第一透光区域TA1的面积可以大于第一发光区域EA1的面积，第二透光区域TA2的面积可以大于第二发光区域EA2的面积，第三透光区域TA3的面积可以大于第三发光区域EA3的面积。根据一些实施例，第一透光区域TA1的面积可以与第一发光区域EA1的面积相同，第二透光区域TA2的面积可以与第二发光区域EA2的面积相同，第三透光区域TA3的面积可以与第三发光区域EA3的面积相同。
第二开口OP2可以与接触区域CA叠置。根据一些实施例，绝缘图案IP的与接触区域CA相邻定位的整个部分可以与堤层BL的第二开口OP2叠置。也就是说，在平面图中，绝缘图案IP可以与堤层BL间隔开。
堤层BL的第三开口OP3可以与像素限定层PDL部分地叠置。例如，第三开口OP3可以与像素限定层PDL的第一连接部分CP1部分地叠置。另外，堤层BL的第四开口OP4可以与像素限定层PDL部分地叠置。例如，第四开口OP4可以与像素限定层PDL的第二连接部分CP2部分地叠置。
然而，尽管本发明的显示装置1000限于有机发光显示装置(OLED)，但是本发明的构造不限于此。在其他实施例中，显示装置1000可以包括液晶显示(LCD)装置、场发射显示(FED)装置、等离子体显示面板(PDP)装置、电泳显示(EPD)装置或无机发光显示(ILED)装置。
如上所述，根据本发明的一些实施例的显示装置1000可以具有其中组合了包括颜色转换层CCL的颜色转换基底200以及包括发光元件EE1、EE2和EE3的阵列基底100的组合结构(即，包括两个基底的结构)。然而，根据本发明的实施例不限于此，并且显示装置1000可以具有其中顺序地堆叠有包括发光元件EE1、EE2和EE3的阵列基底100以及在阵列基底100上的颜色转换层CCL的堆叠结构(即，单基底结构)。
在其中限定有使像素电极的上表面的一部分暴露的中心开口并在除了中心开口的区域中连续地延伸的像素限定层中，与像素限定层叠置的封装层的厚度可以小于与发光层叠置的封装层的厚度。在这种情况下，当异物穿透像素限定层时，可能发生显示装置的缺陷。
另外，在形成颜色转换层的工艺中，异物(例如，墨等)可能滴落到堤层上。在这种情况下，在包括在显示装置中的阵列基底与颜色转换基底之间可能出现间隙缺陷。
根据本发明的一些实施例的显示装置1000可以包括阵列基底100和定位在阵列基底100上的颜色转换基底200。阵列基底100可以包括像素限定层PDL，在像素限定层PDL中限定有与非发光区域NEA部分地叠置的外围开口POP。颜色转换基底200可以包括堤层BL，在堤层BL中限定有与光阻挡区域BA叠置且具有多边形平面形状的第二开口OP2。因此，可以改善由于异物的渗透而导致的显示装置1000的缺陷。
图12、图13、图14和图15是示出制造图5的阵列基底的方法的剖视图。
参照图12，可以在包括透明材料或不透明材料的第一基底110上形成缓冲层120。例如，可以使用诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等的无机材料形成缓冲层120。
可以在缓冲层120上形成第一有源层ACT1、第二有源层ACT2和第三有源层ACT3。第一有源层ACT1、第二有源层ACT2和第三有源层ACT3中的每个可以包括金属氧化物半导体、无机半导体或有机半导体。可以使用相同的材料同时或并发地形成第一有源层ACT1、第二有源层ACT2和第三有源层ACT3。例如，第一有源层ACT1、第二有源层ACT2和第三有源层ACT3中的每个可以包括源区、漏区和位于源区与漏区之间的沟道区。
可以在缓冲层120上形成栅极绝缘层130。栅极绝缘层130可以覆盖第一有源层ACT1、第二有源层ACT2和第三有源层ACT3。例如，可以使用诸如氧化硅、氮化硅等的无机材料形成栅极绝缘层130。
可以在栅极绝缘层130上形成第一栅电极GAT1、第二栅电极GAT2和第三栅电极GAT3。第一栅电极GAT1、第二栅电极GAT2和第三栅电极GAT3中的每个可以形成为与第一有源层ACT1、第二有源层ACT2和第三有源层ACT3中的每个的沟道区叠置。例如，可以由金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成第一栅电极GAT1、第二栅电极GAT2和第三栅电极GAT3中的每个。可以使用相同的材料同时或并发地形成第一栅电极GAT1、第二栅电极GAT2和第三栅电极GAT3。
可以在栅极绝缘层130上形成层间绝缘层140。层间绝缘层140可以覆盖第一栅电极GAT1、第二栅电极GAT2和第三栅电极GAT3。例如，可以使用诸如氧化硅、氮化硅等的无机材料形成层间绝缘层140。
可以在层间绝缘层140上形成第一源电极SE1、第二源电极SE2和第三源电极SE3。第一源电极SE1、第二源电极SE2和第三源电极SE3中的每个可以经由通过去除栅极绝缘层130和层间绝缘层140的部分而形成的接触孔连接到第一有源层ACT1、第二有源层ACT2和第三有源层ACT3中的每个的源区。另外，可以在层间绝缘层140上形成第一漏电极DE1、第二漏电极DE2和第三漏电极DE3。第一漏电极DE1、第二漏电极DE2和第三漏电极DE3中的每个可以经由通过去除栅极绝缘层130和层间绝缘层140的部分而形成的接触孔连接到第一有源层ACT1、第二有源层ACT2和第三有源层ACT3中的每个的漏区。
第一源电极SE1、第二源电极SE2和第三源电极SE3以及第一漏电极DE1、第二漏电极DE2和第三漏电极DE3中的每个可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。可以使用相同的材料同时或并发地形成第一源电极SE1、第二源电极SE2和第三源电极SE3以及第一漏电极DE1、第二漏电极DE2和第三漏电极DE3。
可以在层间绝缘层140上形成平坦化层150。平坦化层150可以形成为充分地覆盖第一源电极SE1、第二源电极SE2和第三源电极SE3以及第一漏电极DE1、第二漏电极DE2和第三漏电极DE3。例如，可以使用诸如酚醛树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂等的有机材料形成平坦化层150。
参照图13，可以在平坦化层150上形成第一像素电极PE1、第二像素电极PE2和第三像素电极PE3。第一像素电极PE1、第二像素电极PE2和第三像素电极PE3中的每个可以形成在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每个中。可以使用相同的材料同时或并发地形成第一像素电极PE1、第二像素电极PE2和第三像素电极PE3。
可以在平坦化层150上形成绝缘层400。绝缘层400可以整个形成在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3以及非发光区域NEA中。例如，可以使用有机材料形成绝缘层400。可选地，可以使用包括诸如黑色颜料、黑色染料等的光阻挡材料的有机材料形成绝缘层400。
参照图14，可以在绝缘层400上执行蚀刻工艺，以形成与非发光区域NEA叠置的像素限定层PDL。这里，通过蚀刻工艺，可以在像素限定层PDL中形成使第一像素电极PE1的上表面的一部分暴露的第一中心开口COP1、使第二像素电极PE2的上表面的一部分暴露的第二中心开口COP2和使第三像素电极PE3的上表面的一部分暴露的第三中心开口COP3。另外，通过蚀刻工艺，可以在非发光区域NEA中在像素限定层PDL中形成使平坦化层150的上表面暴露的外围开口POP。
参照图15，可以在第一像素电极PE1上形成第一发光层EL1，可以在第二像素电极PE2上形成第二发光层EL2，可以在第三像素电极PE3上形成第三发光层EL3。例如，可以使用低分子有机化合物或高分子有机化合物形成第一发光层EL1、第二发光层EL2和第三发光层EL3中的每个。
可以在平坦化层150、像素限定层PDL、第一发光层EL1、第二发光层EL2和第三发光层EL3上形成公共层CL。公共层CL可以在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中以及在非发光区域NEA中连续地延伸。例如，公共层CL可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层等。
可以在公共层CL上形成共电极CE。共电极CE可以在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中以及在非发光区域NEA中连续地延伸。例如，可以使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成共电极CE。
返回参照图5，可以在共电极CE上形成封装层160。封装层160可以在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中以及在非发光区域NEA中连续地延伸。例如，封装层160可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。
因此，可以制造图5中示出的阵列基底100。
图16、图17、图18和图19是示出制造图9的颜色转换基底的方法的剖视图。
参照图16，可以在由透明树脂基底制成的第二基底170上形成第一滤色器层CF1。第一滤色器层CF1可以与第一透光区域TA1和光阻挡区域BA叠置。第一滤色器层CF1可以是透射红光的红色滤色器。例如，可以由红色颜料和/或包括红色颜料的滤色器组合物形成第一滤色器层CF1。
可以在第一滤色器层CF1和第二基底170上形成第二滤色器层CF2。第二滤色器层CF2可以与第二透光区域TA2和光阻挡区域BA叠置。第二滤色器层CF2可以是透射绿光的绿色滤色器。例如，可以由绿色颜料和/或包括绿色颜料的滤色器组合物形成第二滤色器层CF2。
可以在第二滤色器层CF2和第二基底170上形成第三滤色器层CF3。第三滤色器层CF3可以与第三透光区域TA3和光阻挡区域BA叠置。可以由蓝色颜料和/或包括蓝色颜料的滤色器组合物形成第三滤色器层CF3。
可以在滤色器层CF上形成低折射率层180。低折射率层180可以覆盖滤色器层CF。低折射率层180可以具有相对低的折射率。例如，可以使用有机材料形成低折射率层180。
可以在低折射率层180上形成保护层190。可以使用无机材料形成保护层190。例如，可以使用氧化硅、氮化硅、氮化铝等形成保护层190。
参照图17，可以在保护层190上形成预备堤层BL'。也就是说，可以在保护层190上整个地涂覆形成预备堤层BL'的材料。例如，可以使用诸如聚酰亚胺的有机材料形成预备堤层BL'。
参照图18，可以通过对预备堤层BL'执行蚀刻工艺来形成堤层BL。这里，通过蚀刻工艺，可以在堤层BL中形成与第一透光区域TA1、第二透光区域TA2和第三透光区域TA3中的每个叠置并使保护层190的上表面暴露的第一开口OP1和与光阻挡区域BA叠置的第二开口OP2。
喷墨设备500可以将墨10滴到第一开口OP1中。这里，墨10可以是形成颜色转换层(例如，图9的颜色转换层CCL)的材料。在这种情况下，可以在第一开口OP1中形成用于制造第一颜色转换图案CCP1的墨层11。
参照图19，可以通过喷墨设备500将墨10重复地滴到与第一透光区域TA1叠置的第一开口OP1中来形成第一颜色转换图案CCP1。返回参照图9，可以通过喷墨设备500将墨10重复地滴到分别与第二透光区域TA2和第三透光区域TA3叠置的第一开口OP1中来形成第二颜色转换图案CCP2和透射图案TP。
因此，可以制造图9中示出的颜色转换基底200。
再次参照图11，可以将颜色转换基底200结合到阵列基底100，且填充层300置于其间。因此，可以制造图11中示出的显示装置1000。
图20是示出包括图1的显示装置的电子装置的框图。图21是示出其中图20的电子装置被实现为电视的示例的视图。图22是示出其中图20的电子装置被实现为智能电话的示例的视图。
参照图20、图21和图22，根据一些实施例，电子装置900可以包括处理器910、存储器装置920、存储装置930、输入/输出(I/O)装置940、电源950和显示装置960。在这种情况下，显示装置960可以与参照图1至图11描述的显示装置1000对应。电子装置900还可以包括能够与视频卡、声卡、存储器卡、USB装置等通信的各种端口。
根据一些实施例，如图21中示出的，电子装置900可以被实现为电视。根据一些实施例，如图22中示出的，电子装置900可以被实现为智能电话。然而，实施例不限于此，根据一些实施例，电子装置900可以被实现为蜂窝电话、视频电话、智能平板、智能手表、平板个人计算机(PC)、汽车导航系统、计算机监视器、膝上型计算机、头部定位(例如，头戴式)显示器(HMD)等。
处理器910可以执行各种计算功能。根据一些实施例，处理器910可以是微处理器、中央处理单元(CPU)、应用处理器(AP)等。处理器910可以经由地址总线、控制总线、数据总线等结合到其他组件。处理器910可以结合到诸如外围组件互连(PCI)总线的扩展总线。
存储器装置920可以存储用于电子装置900的操作的数据。根据一些实施例，存储器装置920可以包括至少一个非易失性存储器装置(诸如可擦除可编程只读存储器(EPROM)装置、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)装置、闪存装置、相变随机存取存储器(PRAM)装置、电阻随机存取存储器(RRAM)装置、纳米浮栅存储器(NFGM)装置、聚合物随机存取存储器(PoRAM)装置、磁随机存取存储器(MRAM)装置、铁电随机存取存储器(FRAM)装置等)和/或至少一个易失性存储器装置(诸如动态随机存取存储器(DRAM)装置、静态随机存取存储器(SRAM)装置、移动DRAM装置等)。
存储装置930可以包括固态驱动器(SSD)装置、硬盘驱动器(HDD)装置、CD-ROM装置等。
I/O装置940可以包括诸如键盘、小键盘、鼠标装置、触摸板、触摸屏等的输入装置以及诸如打印机、扬声器等的输出装置。
电源950可以为电子装置900的操作提供电力。显示装置960可以经由总线或其他通信链路结合到其他组件。根据一些实施例，显示装置960可以包括在I/O装置940中。
本公开可以应用于各种显示装置。例如，本公开适用于诸如用于车辆、船舶和飞机的显示装置、便携式通信装置、用于展示或信息传输的显示装置、医疗显示装置等的各种显示装置。
前述内容是对实施例的说明，并且不应被解释为对其进行限制。尽管已经描述了几个实施例，但是本领域技术人员将容易理解的是，在实质上不脱离本发明构思的实施例的新颖教导和特性的情况下，在实施例中可以进行许多修改。因此，所有这些修改旨在包括在如权利要求中限定的本发明构思的范围内。因此，应当理解的是，前述内容是各种实施例的说明，并且不应被解释为限于所公开的特定实施例，并且对所公开的实施例的修改以及其他实施例旨在包括在所附权利要求及其等同物的范围内。

Claims (24)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
第一基底，包括第一发光区域、第二发光区域和第三发光区域以及围绕所述第一发光区域、所述第二发光区域和所述第三发光区域的非发光区域；
第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极，在所述第一基底上分别在所述第一发光区域、所述第二发光区域和所述第三发光区域中；
像素限定层，在所述第一基底上在所述非发光区域中，并且限定与所述非发光区域部分地叠置的外围开口；
第二基底，包括第一透光区域、第二透光区域和第三透光区域以及围绕所述第一透光区域、所述第二透光区域和所述第三透光区域的光阻挡区域；
堤层，在所述第二基底的面向所述像素限定层的一个表面上在所述光阻挡区域中，限定与所述第一透光区域、所述第二透光区域和所述第三透光区域中的每个透光区域叠置的第一开口，并且限定与所述光阻挡区域叠置的第二开口，其中，所述第二开口中的每个第二开口具有多边形平面形状；以及
颜色转换层，在所述第一开口中，并且包括颜色转换颗粒。
2.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
平坦化层，在所述第一基底与所述像素限定层之间，并且包括有机材料，
其中，所述外围开口使所述平坦化层的上表面的一部分暴露。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述像素限定层沿着所述第一发光区域、所述第二发光区域和所述第三发光区域之中的至少两个相邻的发光区域连续地延伸。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一发光区域、所述第二发光区域和所述第三发光区域中的每个发光区域沿着第一方向和与所述第一方向交叉的第二方向重复地布置，并且
其中，所述像素限定层包括：第一图案部分，覆盖所述第一像素电极的边缘；第二图案部分，覆盖所述第二像素电极的边缘；第三图案部分，覆盖所述第三像素电极的边缘；第一连接部分，与所述第一像素电极的一部分叠置，并且将所述第一图案部分、所述第二图案部分和所述第三图案部分连接；以及第二连接部分，将所述第一图案部分、所述第二图案部分和所述第三图案部分之中的两个相邻的图案部分连接，并且包括在所述第一方向上延伸的部分和在所述第二方向上延伸的部分。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，使所述第一像素电极、所述第二像素电极和所述第三像素电极中的每个像素电极的上表面的一部分暴露的中心开口进一步限定在所述像素限定层中。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述像素限定层包括无机材料或有机材料。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述像素限定层包括有机材料，所述有机材料含有选自由黑色颜料、黑色染料和炭黑组成的组中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二开口中的每个第二开口具有矩形平面形状。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述堤层包括：
第一分隔壁，在所述第二开口中的至少一个第二开口中；以及
第二分隔壁，与所述第一分隔壁一体形成，并且是除了所述第一分隔壁之外的剩余部分。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，其中定位有所述第一分隔壁的所述第二开口被所述第一分隔壁分为两个开口。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，在第一方向上延伸的第三开口和在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的第四开口进一步限定在所述堤层中。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第一发光区域、所述第二发光区域和所述第三发光区域中的每个发光区域沿着所述第一方向和所述第二方向重复地布置，并且
其中，所述第三开口定位为与叠置于所述第二透光区域的所述第一开口相邻，并且所述第四开口定位在分别与所述第一透光区域和所述第三透光区域叠置的所述第一开口之间。
13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一透光区域与所述第一发光区域叠置，所述第二透光区域与所述第二发光区域叠置，并且所述第三透光区域与所述第三发光区域叠置。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述第一发光区域的面积小于所述第一透光区域的面积，所述第二发光区域的面积小于所述第二透光区域的面积，并且所述第三发光区域的面积小于所述第三透光区域的面积。
15.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述第一发光区域、所述第二发光区域和所述第三发光区域发射第一颜色的光，并且
其中，与所述第一颜色不同的第二颜色的光透射通过所述第一透光区域，与所述第一颜色和所述第二颜色不同的第三颜色的光透射通过所述第二透光区域，并且所述第一颜色的光透射通过所述第三透光区域。
16.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
滤色器层，在所述第二基底的一个表面上；以及
保护层，在所述滤色器层的面向所述堤层的一个表面上，并且包括无机材料。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述堤层在所述保护层的面向所述像素限定层的一个表面上，并且所述第二开口使所述保护层的上表面暴露。
18.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
填充层，在所述像素限定层与所述堤层之间，并且包括透光材料，
其中，所述填充层的一部分填充在所述第二开口中。
19.一种显示装置，所述显示装置包括：
第一基底，包括发光区域、与所述发光区域相邻的接触区域以及围绕所述发光区域和所述接触区域的非发光区域；
像素电极，在所述第一基底上在所述发光区域中；
像素限定层，在所述第一基底上，并且限定中心开口和外围开口，所述中心开口在所述发光区域中使所述像素电极的上表面的一部分暴露，所述外围开口在所述非发光区域中在平面图中与所述像素电极间隔开；
第二基底，包括透光区域和光阻挡区域，所述光阻挡区域围绕所述透光区域并与所述接触区域叠置；
堤层，在所述第二基底的面向所述像素限定层的一个表面上，限定与所述透光区域叠置的第一开口，并且限定与所述接触区域叠置的第二开口，其中，所述第二开口中的每个第二开口具有多边形平面形状；以及
颜色转换层，在所述第一开口中，并且包括颜色转换颗粒。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，对所述接触区域执行激光钻孔工艺。
21.根据权利要求19所述的显示装置，所述显示装置还包括：
绝缘图案，在所述第一基底上，与所述接触区域相邻，并且包括与所述像素限定层相同的材料。
22.根据权利要求21所述的显示装置，其中，所述绝缘图案在平面图中与所述像素限定层间隔开。
23.根据权利要求21所述的显示装置，其中，所述绝缘图案的整个部分与所述第二开口叠置。
24.根据权利要求21所述的显示装置，其中，所述绝缘图案在平面图中与所述堤层间隔开。
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