CN117595822A - 封装体 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种封装体。第一过孔电极(511)沿第一中心轴(AX1)延伸，并具有位于框部(120)的第一面(SF1)且远离腔室(CV)的第一端面(SFA)和位于框部(120)内的第一底面(SFJ)。第二过孔电极(512)沿第二中心轴(AX2)延伸，并具有在框部(120)内与第一过孔电极(511)的第一底面(SFJ)电连接的第二端面(SFK)和在框部(120)的第二面(SF2)与基板电极层(200)相接的第二底面(SFB)。在俯视下第二过孔电极(512)的第二底面(SFB)具有距框部(120)的第二面(SF2)的内缘(EI)的最小尺寸LI和距框部(120)的第二面(SF2)的外缘(EO)的最小尺寸LO，并满足LO＞LI。第一中心轴(AX1)相比于第二中心轴(AX2)，更远离框部(120)的内缘(EI)。

Description

封装体

技术领域

本发明涉及封装体，尤其涉及一种具有由陶瓷构成的框部的封装体。

背景技术

作为使用陶瓷生坯片制造的陶瓷部件，已知有晶体振子用的封装体。一般的晶体振子具有晶体坯料、具有收纳晶体坯料的腔室的封装体、以及用于密封腔室的盖。封装体具有形成腔室的底面的基板部、围成腔室的框部、以及设置在该框部上的金属化层。盖使用钎料而接合于金属化层。由此，确保腔室的气密性。

封装体的框部上的金属化层通常与接地电位用的电极焊盘电短路。该电路径典型地能够经由贯通框部的过孔电极来确保。然而，随着封装体的小型化的进展，框部的材料宽度(框部的内缘与外缘之间的尺寸)变小，形成与此对应的微细的过孔电极变得困难。具体而言，难以在通过烧成而成为框部的生坯片上形成微细的过孔电极用的微细的过孔。作为过孔的典型的形成方法，在使用具有销形状的模具的情况下，若为了使过孔微细化而使销形状微细化，则销的机械强度容易不足。因此，例如根据日本特开2007-27592号公报所公开的技术，取代过孔电极而在框部的内壁面上，设置有具有大致新月状的形状的城堡形电极。

在如上述公报的技术那样取代过孔电极而在腔室的侧壁设置有城堡形电极的情况下，与由陶瓷构成的框部相比，对钎料具有高润湿性的电极沿厚度方向纵贯腔室的内壁。因此，在使用钎料的接合工序中，钎料容易沿着城堡形电极向腔室中流入。若流入的钎料与晶体坯料接触，则有时会对晶体振子的机械性能产生不良影响。这样的对机械特性的不良影响在安装于封装体中的元件为晶体坯料的情况下尤其令人担忧，但在其他的压电元件的情况下也有时会产生。进而，只要安装于封装体中的元件为电气元件，例如意外的短路那样的对电气特性的不良影响就令人担忧。因此，避免钎料的流入很重要，从该观点出发，与城堡形电极相比，过孔电极更优选。由于对于小型封装体来说也有这样的要求，因此期望一种能够与框部的较小的材料宽度对应地形成过孔电极用的微小的过孔的技术。

日本特开2009-234074号公报公开了一种在陶瓷生坯片上通过激光加工技术来形成作为过孔的微小的贯通孔的方法。具体而言，在厚度为250μm以下的陶瓷生坯片上，使用紫外线激光器形成直径30μm至50μm的贯通孔。在这样通过激光加工来形成直径相对于厚度较小的贯通孔的情况下，被指出存在贯通孔具有锥形形状的倾向。而且在上述公报中，贯通孔的锥形形状作为难以向贯通孔填充导体膏剂的形状而被视为问题。因此在上述公报的技术中，研究了能够使锥形率成为60％以上的激光照射条件。在此，锥形率由锥形的直径比定义，锥形率100％意味着贯通孔不具有锥形形状，此外，越小的锥形率意味着越急剧的锥形形状。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-27592号公报

专利文献2：日本特开2009-234074号公报

发明内容

发明所要解决的课题

根据本发明的发明者们的研究，当出于在封装体的框部设置过孔电极的目的而单纯地应用上述的激光加工技术时，有时难以充分地确保腔室的气密性。随着封装体的小型化的进展，框部的材料宽度变得越小，该问题变得越深刻。因此，从确保气密性的观点出发，有时优选前述的城堡形电极。另一方面，如上所述，若提供城堡形电极，则存在钎料向腔室的流入成为问题的情况。根据以上，在现有技术中，难以在确保腔室的充分的气密性的同时，防止钎料向腔室中的流入。

本发明为了解决上述那样的课题而作，其目的在于提供一种能够在确保腔室的充分的气密性的同时，防止钎料向腔室中的流入的封装体。

用于解决课题的手段

方式1是一种设置有腔室的封装体，其具备由陶瓷构成的框部，所述框部具有第一面、以及在厚度方向上与所述第一面相反的第二面，所述第二面具有包围所述腔室的内缘、以及包围所述内缘的外缘，所述封装体还具备由陶瓷构成的基板部，所述基板部具有第三面，该第三面具有支承所述框部的所述第二面的部分、以及面向所述腔室的部分，所述封装体还具备：基板电极层，其设置在所述基板部的所述第三面上；第一过孔电极，其沿着沿所述厚度方向的第一中心轴延伸，并具有位于所述框部的所述第一面且远离所述腔室的第一端面、以及与所述第一端面相反且位于所述框部内的第一底面；以及第二过孔电极，其沿着沿所述厚度方向的第二中心轴延伸，并具有在所述框部内与所述第一过孔电极的所述第一底面电连接的第二端面、以及与所述第二端面相反且在所述框部的所述第二面与所述基板电极层相接的第二底面，在俯视下，所述第二过孔电极的所述第二底面具有距所述框部的所述第二面的所述内缘的最小尺寸LI、以及距所述框部的所述第二面的所述外缘的最小尺寸LO，并且满足LO＞LI，所述第一过孔电极的所述第一中心轴与所述第二过孔电极的所述第二中心轴相比，更远离所述框部的所述内缘。

方式2为方式1的封装体，其中，所述第二端面具有直径DA，所述第二底面具有比所述直径DA小的直径DB。

方式3为方式1或2的封装体，其中，所述第二过孔电极具有50μm以下的最大直径。

方式4为方式1至3中任一项的封装体，其中，所述框部的所述第二面的所述内缘与所述外缘之间的最小尺寸为200μm以下。

方式5为方式1至4中任一项的封装体，其中，满足LO≥LI×1.5。

方式6为方式1至5中任一项的封装体，其中，所述第二过孔电极具有在所述厚度方向上从所述第二端面以锥形形状延伸的部分。

方式7为方式6的封装体，其中，所述锥形形状具有5度以上的锥角。

方式8为方式1至7中任一项的封装体，其中，所述框部具有将所述第一面与所述第二面的所述外缘连接的外壁面，所述外壁面具有与所述第一面相连的烧成面、以及与所述第二面相连的断裂面。

方式9为方式1至8中任一项的封装体，其中，在俯视下，所述第二过孔电极的所述第二端面从所述第一过孔电极的所述第一底面偏离。

方式10为方式1至8中任一项的封装体，其中，在俯视下，所述第二过孔电极的所述第二端面与所述第一过孔电极的所述第一底面至少部地重叠。

方式11为方式1至8中任一项的封装体，其中，在俯视下，所述第二过孔电极的所述第二端面包含于所述第一过孔电极的所述第一底面。

方式12为方式1至11中任一项的封装体，其中，所述第一过孔电极具有在所述厚度方向上从所述第一端面以锥形形状延伸的部分。

方式13为方式12的封装体，其中，所述第一过孔电极与所述第二过孔电极相比，具有厚度方向上的更大的尺寸。

发明效果

根据方式1，第一，由于第二过孔电极的第二底面配置为满足LO＞LI，因此能够在第二过孔电极的第二底面的外缘与框部的第二面的外缘之间，将配置有陶瓷间的层叠界面的部位确保得较大。在此，陶瓷间的层叠界面具有比金属与陶瓷的层叠界面高的气密性。因此，能够抑制起因于沿着层叠界面的泄漏的腔室的气密性的降低。第二，由于第一过孔电极的第一中心轴与第二过孔电极的第二中心轴相比更远离框部的内缘，因此即使像第二过孔电极的第二底面到达腔室那样第二过孔电极位于腔室附近，第一过孔电极的第一端面也能够位于远离腔室的位置。由此，能够避免在第一过孔电极的第一端面附近第一过孔电极的侧面向腔室露出的情况。因此，能够防止起因于在框部的第一面具有第一端面的第一过孔电极的向腔室中的钎料的流入。根据以上，能够在确保腔室的充分的气密性的同时，防止向腔室中的钎料的流入。

根据方式2，第二端面具有直径DA，第二底面具有比直径DA小的直径DB。由此，能够在第二过孔电极的第二底面的外缘与框部的第二面的外缘之间，将配置有陶瓷间的层叠界面的部位确保得更大。因此，能够进一步抑制起因于沿着层叠界面的泄漏的腔室的气密性的降低。

根据方式3，第二过孔电极具有50μm以下的最大直径。由此，框部的宽度尺寸也能够微细化。该微细化越进展则沿着基板部与框部之间的层叠界面的泄漏越容易成为问题，但由于上述理由，该问题被有效地抑制。

根据方式4，框部的第二面的内缘与外缘之间的最小尺寸为200μm以下。像这样微细化越进展则沿着基板部与框部之间的层叠界面的泄漏越容易成为问题，但由于上述理由，该问题被有效地抑制。

根据方式5，满足LO≥LI×1.5。由此，能够更充分地抑制起因于沿着基板部与框部之间的层叠界面的泄漏的腔室的气密性的降低。

根据方式6，第二过孔电极具有在厚度方向上从第二端面以锥形形状延伸的部分。由此，能够在第二过孔电极的第二底面的外缘与框部的第二面的外缘之间，将配置有陶瓷间的层叠界面的部位确保得更大。因此，能够进一步抑制起因于沿着层叠界面的泄漏的腔室的气密性的降低。

根据方式7，锥形形状具有5度以上的锥角。由此，能够在第二过孔电极的第二底面的外缘与框部的第二面的外缘之间，将配置有陶瓷间的层叠界面的部位确保得更大。因此，能够进一步抑制起因于沿着层叠界面的泄漏的腔室的气密性的降低。

根据方式8，框部具有将第一面与第二面的外缘连接的外壁面，外壁面具有与第一面相连的烧成面、以及与第二面相连的断裂面。断裂面通过截断工序而形成时，由于该工序偏差的影响，框部的第二面的外缘与过孔电极的底面之间的距离有时会变小。然而，通过如上所述满足LO＞LI，从而该距离难以变得过小。因此，能够防止起因于该距离过小的气密性的不足。

根据方式9，在俯视下，第二过孔电极的第二端面从第一过孔电极的第一底面偏离。由此，在俯视下第一过孔电极相对地配置于外侧并且第二过孔电极相对地配置于内侧的设计中，容易较大地取得俯视时的第一过孔电极与第二过孔电极的位置的差异。通过第一过孔电极配置于更外侧，能够更可靠地防止起因于第一过孔电极的向腔室中的钎料的流入。通过第二过孔电极配置于更内侧，能够更充分地确保腔室的气密性。

根据方式10，第二过孔电极的第二端面与第一过孔电极的第一底面至少部分地重叠。由此，容易将第二过孔电极与第一过孔电极电连接。

根据方式11，第二过孔电极的第二端面包含于第一过孔电极的第一底面。由此，在封装体的制造中，通过在将被填充第一过孔电极的第一过孔形成为生坯体中的非贯通孔后，对该非贯通孔的底面进行加工，能够形成被填充第二过孔电极的第二过孔。因此，在封装体的制造中，不需要将第一过孔电极所处的部分与第二过孔电极所处的部分作为需要相互层叠的单独的生坯体进行处理。因此，能够简化封装体的制造中的层叠工序。

根据方式12，第一过孔电极具有在厚度方向上从第一端面以锥形形状延伸的部分。由此，能够将包含第一过孔电极的层与包含第二过孔电极的层之间的虚拟面中的、第一过孔电极的第一底面与框部的外壁面之间的距离确保得更大。由于上述虚拟面相当于封装体的制造方法中的层叠界面，因此有时具有剥离这样的层叠不良。这样的层叠不良容易成为从腔室外向腔室内的水分的侵入路径，但通过增大上述距离，能够进一步抑制向腔室内的水分的侵入。因此，能够更充分地确保腔室的气密性。

方式13为方式12的封装体，其中，所述第一过孔电极与所述第二过孔电极相比，具有厚度方向上的更大的尺寸。由此，能够将包含第一过孔电极的层与包含第二过孔电极的层之间的虚拟面中的、第一过孔电极的第一底面与框部的外壁面之间的距离确保得更大。因此，能够进一步抑制向腔室内的水分的侵入。因此，能够更充分地确保腔室的气密性。

附图说明

图1是概略性地示出实施方式1中的晶体振子的结构的俯视图。

图2是沿着图1的线II-II的概略性的剖视图。

图3是概略性地示出图1的晶体振子的制造方法的一个工序的俯视图。

图4是沿着图3的线IV-IV的概略性的剖视图。

图5是概略性地示出实施方式1中的封装体的结构的俯视图。

图6是沿着图5的线VI-VI的概略性的剖视图。

图7是省略了图5中的金属化层以及框部的图示的俯视图。

图8是用虚线表示封装体电极焊盘的同时概略性地示出图7中的基板部以及过孔电极的俯视图。

图9是省略了图5中的框部上的金属化层的图示的俯视图。

图10是图9的一部分放大图。

图11是沿着图5的线XI-XI的概略性的局部剖视图。

图12是概略性地示出实施方式1中的封装体的制造方法中的基板生坯体的结构的局部俯视图。

图13是用虚线表示封装体电极焊盘的同时概略性地示出图12所示的基板生坯体中的基板部以及基板过孔电极的局部俯视图。

图14是沿着图12以及图13的线XIV－XIV的概略性的局部剖视图。

图15是概略性地示出实施方式1中的封装体的制造方法的一个工序的局部剖视图。

图16是概略性地示出实施方式1中的封装体的制造方法的一个工序的局部剖视图。

图17是概略性地示出实施方式1中的封装体的制造方法的一个工序的局部剖视图。

图18是概略性地示出实施方式1中的封装体的制造方法的一个工序的局部剖视图。

图19是概略性地示出实施方式1中的封装体的制造方法的一个工序的局部剖视图。

图20是概略性地示出实施方式1中的封装体的制造方法的一个工序的局部剖视图。

图21是概略性地示出实施方式1中的封装体的制造方法的一个工序的局部剖视图。

图22是概略性地示出实施方式1中的封装体的制造方法的一个工序的局部剖视图。

图23是概略性地示出实施方式1中的封装体的制造方法的一个工序的局部剖视图。

图24是概略性地示出实施方式1中的封装体的制造方法的一个工序的局部剖视图。

图25是概略性地示出实施方式1中的封装体的制造方法的一个工序的局部剖视图。

图26是概略性地示出实施方式1中的封装体的制造方法的一个工序的局部剖视图。

图27是概略性地示出实施方式1中的封装体的制造方法的一个工序的局部剖视图。

图28是以与图11相同的视野概略性地示出第一比较例的封装体的结构的局部剖视图。

图29是以与图11以及图26分别相同的视野概略性地示出第二比较例的封装体的结构的局部剖视图。

图30是以与图10相同的视野概略性地示出实施方式2中的封装体的结构的局部俯视图。

图31是以与图11相同的视野概略性地示出实施方式2中的封装体的结构的局部剖视图。

图32是以与图10相同的视野概略性地示出实施方式3中的封装体的结构的局部俯视图。

图33是以与图11相同的视野概略性地示出实施方式3中的封装体的结构的局部剖视图。

图34是概略性地示出实施方式3中的封装体的制造方法的一个工序的局部剖视图。

图35是概略性地示出实施方式3中的封装体的制造方法的一个工序的局部剖视图。

图36是概略性地示出实施方式3中的封装体的制造方法的一个工序的局部剖视图。

图37是概略性地示出实施方式3中的封装体的制造方法的一个工序的局部剖视图。

图38是概略性地示出实施方式3中的封装体的制造方法的一个工序的局部剖视图。

图39是概略性地示出实施方式3中的封装体的制造方法的一个工序的局部剖视图。

具体实施方式

以下，基于附图对本发明的实施方式进行说明。另外，在一部分图中，为了使方向容易理解，示出了xyz正交坐标系。该坐标系的z方向对应于后述的厚度方向。此外，该坐标系的xy面下的布局对应于后述的俯视。此外在本说明书中，在定义了某方向的情况下，在该方向上延伸的“锥形形状”是朝向该方向逐渐变窄的形状，例如是朝向该方向直径逐渐变小的形状。

＜实施方式1＞

图1是概略性地示出本实施方式1中的晶体振子900(电气部件)的结构的俯视图。图2是沿着图1的线II-II的概略性的剖视图。图3是概略性地示出晶体振子900(图1)的制造方法中的、刚安装了晶体坯料890(电气元件)之后的结构的俯视图。图4是沿着图3的线IV-IV的概略性的剖视图。

晶体振子900具有封装体701、晶体坯料890、钎料960以及盖980。在封装体701中设置有腔室CV。晶体坯料890收纳于腔室CV内，并安装在封装体701的元件电极焊盘211以及元件电极焊盘212上。盖980通过钎料960与封装体701的金属化层600接合，由此将腔室CV密封。钎料960典型来说优选由包含金的合金构成，例如由包含金以及锡的合金、换言之Au-Sn系合金构成。盖980由金属构成，例如，由包含铁以及镍的合金构成。另外在本说明书中，合金视为金属的一种。

金属化层600例如由包含钼以及钨中的至少任意一者的金属构成。在金属化层600的表面(面向钎料960的面)，可以设置镀覆层，典型地设置有金镀覆层。此外，可以设置镍镀覆层作为金镀覆层的基底。在本实施方式中，直接设置在封装体701的框部120的框上表面SF1上的金属化层600与盖980之间仅通过钎料960接合。

图5是概略性地示出封装体701的结构的俯视图。图6是沿着图5的线VI-VI的概略性的剖视图。封装体701具有陶瓷部100、元件电极焊盘211、元件电极焊盘212以及封装体电极焊盘301～304。此外，详细后述，封装体701具有设置于陶瓷部100的用于电气布线的结构。

陶瓷部100由陶瓷构成，优选为具有氧化物作为主成分，更优选为具有氧化铝作为主成分，例如实质上由氧化铝构成。陶瓷部100包含基板部110和框部120。基板部110的材料和框部120的材料可以相同。框部120在厚度方向(图6中的z方向)上层叠于基板部110。框部120具有框上表面SF1(第一面)和框下表面SF2(在厚度方向上与第一面相反的第二面)。此外，框部120具有将框上表面SF1与框下表面SF2彼此相连的内壁面，该内壁面为腔室CV的侧壁。基板部110具有基板上表面SF3(第三面)。基板上表面SF3具有对框部120的框下表面SF2进行支承的支承面部分SF3S、以及面向腔室CV的腔室面部分SF3C。腔室面部分SF3C形成腔室CV的底面。

元件电极焊盘211以及元件电极焊盘212(图5)面向腔室CV配置于陶瓷部100(图6)。具体而言，元件电极焊盘211以及元件电极焊盘212配置在基板部110(图6)的上表面(面向腔室CV的面)上。封装体电极焊盘301～304(图5)在腔室CV外配置于陶瓷部100(图6)。具体而言，封装体电极焊盘301～304配置在基板部110(图6)的下表面(与面向腔室CV的面相反的面)上。

中继电极220(图5)设置在基板部110(图6)的基板上表面SF3上。中继电极220至少部分地配置在支承面部分SF3S(图6)上。因此，中继电极220(图5)至少部分地被框部120覆盖。中继电极220还可以具有不被框部120覆盖而配置于腔室CV的底面的部分。换言之，中继电极220可以仅部分地被框部120覆盖。

图7是省略了金属化层600(图5)以及框部120(图6)的图示的俯视图。图8是用虚线表示封装体电极焊盘301～304的同时概略性地示出图7中的基板部110以及基板过孔电极411～414的俯视图。

在陶瓷部100的基板部110，在其上表面附近埋设有布线层401～403。布线层401与元件电极焊盘211接触，布线层402与元件电极焊盘212接触，布线层403与中继电极220接触。在不阻碍这些接触的范围内，布线层401～403可以被作为基板部110的一部分的绝缘膜110i(参照图11)包覆，特别是元件电极焊盘211与布线层403之间通过绝缘膜110i而被绝缘。由布线层403以及中继电极220构成基板电极层200。

封装体701具有埋设于陶瓷部100的基板部110中的基板过孔电极411～414。基板过孔电极411将布线层402与封装体电极焊盘301相互连接。基板过孔电极412将布线层403与封装体电极焊盘302相互连接。基板过孔电极413将布线层401与封装体电极焊盘303相互连接。基板过孔电极414将布线层403与封装体电极焊盘304相互连接。

根据以上的结构，元件电极焊盘211与封装体电极焊盘303电连接，元件电极焊盘212与封装体电极焊盘301电连接，中继电极220与封装体电极焊盘302以及封装体电极焊盘304电连接。

图9是省略了图5中的金属化层600的图示的俯视图。图10是图9的一部分放大图。图11是沿着图5的线XI-XI的概略性的剖视图。

框部120的框下表面SF2具有包围腔室CV的内缘EI、以及包围内缘EI的外缘EO。内缘EI与外缘EO之间的最小尺寸WD(图10)可以为200μm以下，典型地为20μm以上且110μm以下。框部120具有将框上表面SF1与框下表面SF2的外缘EO相连的外壁面SF4。此外，框部120具有将框上表面SF1与框下表面SF2的内缘EI相连的内壁面(图11中的左面)，内壁面面向腔室CV。在本实施方式中，外壁面SF4具有与框上表面SF1相连的烧成面SF4A、以及与框下表面SF2相连的断裂面SF4B。断裂面SF4B可以是相对于框上表面SF1大致垂直的面(图11中与z方向平行的面)。如图11所示，烧成面SF4A可以是对框上表面SF1与断裂面SF4B之间进行倒角的斜面。换言之，烧成面SF4A的法线方向可以与框上表面SF1以及断裂面SF4B的法线方向不同，并且，可以在它们之间。

如上所述，由布线层403以及中继电极220在基板部110的基板上表面SF3上构成基板电极层200。此外，如上所述，基板部110作为其一部分而具有绝缘膜110i(图11)。作为变形例，根据封装体的设计，绝缘膜110i可以省略。此外，基板电极层200可以仅由布线层403以及中继电极220中的任意一方构成。例如，基板电极层200可以省略中继电极220并且具有布线层403，在该情况下，布线层403与绝缘膜110i的边界位置(图11中的布线层403的右端位置)可以向支承面部分SF3S上的中继电极220的端位置(图11中的中继电极220的右端位置)偏移，中继电极220可以省略。此外，面向腔室CV的绝缘膜110i的端部可以以到达框部120的方式变形，在该情况下，基板电极层200可以通过绝缘膜110i与腔室CV隔开。此外，基板电极层200典型地如图11所示横跨支承面部分SF3S和腔室面部分SF3C，但作为变形例，可以仅配置在支承面部分SF3S上。此外，如图11所示，基板电极层200优选具有远离框部120的框下表面SF2的外缘EO的端部(图11中的右端)。换言之，该端部优选不到达外缘EO。由此，形成基板电极层200的金属与陶瓷的层叠界面不到达外缘EO。其结果，具有比陶瓷彼此的界面的气密性低的气密性的金属与陶瓷的界面不到达外缘EO。因此，能够抑制起因于基板电极层200的气密性的降低。

封装体701具有第一过孔电极511、第二过孔电极512以及框电极层550，作为设置于框部120的电气布线用的结构。该电气布线在框上表面SF1与框下表面SF2之间贯通框部120。

第一过孔电极511具有第一端面SFA和第一底面SFJ。第一端面SFA位于框上表面SF1，从腔室CV离开。第一底面SFJ在厚度方向(z轴方向)上与第一端面SFA相反，位于框部120内。第一过孔电极511沿着沿厚度方向的第一中心轴AX1延伸。因此，在俯视时，第一端面SFA的中心位置与第一底面SFJ的中心位置大致相同。第一底面SFJ的直径可以比第一端面SFA的直径小。第一过孔电极511可以具有在厚度方向上从第一端面SFA以锥形形状延伸的部分。第一过孔电极511的高度(厚度方向上的尺寸)例如为20μm以上且80μm以下。

第二过孔电极512具有第二端面SFK和第二底面SFB。第二端面SFK在框部120内与第一过孔电极511的第一底面SFJ电连接，在本实施方式中，经由框电极层550连接。第二底面SFB与第二端面SFK在厚度方向(z轴方向)上相反。第二底面SFB在框下表面SF2与基板电极层200相接，在本实施方式中与中继电极220相接。如上所述，中继电极220与布线层403接触，在布线层403(图7)连接有基板过孔电极412以及基板过孔电极414。因此，基板过孔电极412以及基板过孔电极414与第二过孔电极512电连接。进而，第一过孔电极511的第一端面SFA与金属化层600(图6)相接。因此，金属化层600分别经由基板过孔电极412以及基板过孔电极414，与封装体电极焊盘302以及封装体电极焊盘304电连接(参照图8)。

框电极层550优选为不与框部120的外壁面SF4以及内壁面中的至少一方相接。原因在于，若框电极层550与外壁面SF4和内壁面这两者相接，则以将它们彼此相连的方式延伸的金属与陶瓷的层叠界面有时会使腔室CV的气密性降低。框电极层550进一步优选为不与框部120的外壁面SF4相接。由此，构成框电极层550的金属与陶瓷的层叠界面未到达外壁面SF4。其结果，具有比陶瓷彼此的界面的气密性低的气密性的金属与陶瓷的界面未到达外壁面SF4。因此，能够抑制起因于框电极层550的气密性的降低。

第二端面SFK具有直径DA，第二底面SFB具有直径DB。直径DB比直径DA小。直径DB相对于直径DA的比例可以为30％以上且70％以下。在俯视下，第二过孔电极512的第二底面SFB具有距框下表面SF2的内缘EI的最小尺寸LI、以及距框下表面SF2的外缘EO的最小尺寸LO。第二过孔电极512的最大直径可以比框部120的最小尺寸WD小且为50μm以下。此外，直径DA可以比框部120的最小尺寸WD小且为50μm以下。第二过孔电极512可以具有在厚度方向上从第二端面SFK以锥形形状延伸的部分。锥形形状可以具有5度以上的锥角。在图11的剖视下，锥角是第二过孔电极512具有锥形形状的部分的侧面与厚度方向(z方向)之间的角度。第二过孔电极512作为整体可以具有锥形形状，在该情况下，锥形率(直径DB相对于直径DA的百分率)可以小于60％。第二过孔电极512的高度(厚度方向上的尺寸)例如为20μm以上且80μm以下。与第二过孔电极512相比，第一过孔电极511可以具有更大的高度(厚度方向上的更大的尺寸)。这在第一过孔电极511具有在厚度方向上从第一端面SFA以锥形形状延伸的部分的情况下特别优选。

第二过孔电极512沿着沿厚度方向的第二中心轴AX2延伸。因此在俯视下，第二端面SFK的中心位置与第二底面SFB的中心位置大致相同。与第二过孔电极512的第二中心轴AX2相比，第一过孔电极511的第一中心轴AX1更远离框部120的内缘EI。在本实施方式中，在俯视下，第二过孔电极512的第二端面SFK从第一过孔电极511的第一底面SFJ偏离。

在俯视(图10)下，底面SFB具有距框部120的框下表面SF2的内缘EI的最小尺寸LI、以及距框部120的框下表面SF2的外缘EO的最小尺寸LO。满足LO＞LI，优选为满足LO≥LI×1.5。

在图10所示的平面布局中，第一端面SFA、第一底面SFJ、第二端面SFK以及第二底面SFB的形状为大致圆形形状，但这些形状可以与几何学上严格的圆形状，因制造误差而稍微不同。在该情况下，直径DA以及直径DB可以通过用圆形形状对端面SFA以及底面SFB进行近似来计算出。

在图10所示的平面布局中，框下表面SF2(参照图11)的内缘EI具有第一直线部(图10中沿着x方向的直线部)、相对于第一直线部沿直角方向延伸的第二直线部(图10中沿着y方向的直线部)、以及将它们相互连接的角部。最小尺寸LI可以是到该角部的尺寸。俯视时从第二中心轴AX2向第一中心轴AX1的移位方向AS如图10所示，优选包含沿着第一直线部的方向分量(x方向分量)和沿着第二直线部的方向分量(y方向分量)这两者。由此，能够相对于第二过孔电极512使第一过孔电极511朝向框部120的角部移位。因此，容易确保第二过孔电极512与框部120的外壁面SF4之间的尺寸。但是，在不需要这样的考虑的情况下，移位方向AS可以仅包含沿着第一直线部的方向分量(x方向分量)以及沿着第二直线部的方向分量(y方向分量)中的任意一者。

图12至图27是用于说明一并制造多个封装体701的制造方法的图。另外，图12～图26示出了使图26的状态向图27的状态变化的烧成工序之前的状态。因此，图12～图26中的各结构与完成后的封装体701中的结构不同，由未烧成的材料构成。然而，为了便于说明，在表示烧成工序之前的工序的图12～图26中，也标注与表示经过烧成工序而得到的封装体701的结构的符号同样的符号。此外，为了便于说明，在由未烧成的材料构成的上述结构的称呼中，也有时使用经过烧成工序而得到的封装体701中的结构的称呼。

图12是概略性地示出上述制造方法中的基板生坯体GS的结构的局部俯视图。图13是用虚线表示封装体电极焊盘301～304的同时概略性地示出基板生坯体GS中的基板部110以及基板过孔电极411～414的局部俯视图。图14是沿着图12以及图13的线XIV-XIV的概略性的局部剖视图。基板生坯体GS包含多个区域UN0～UN4，该各个区域最终成为封装体701(图6)的基板部110及其附近的构造。区域UN1～UN4均配置为与区域UN0相邻。另外在图12以及图13中，仅对于区域UN0示出了具体的结构，但区域UN1～UN4也可以具有同样的结构。

另外在本说明书中，措词“生坯体”意味着会在后续的工序中进行烧成的未烧成的结构。生坯体典型地为粉末成型体。为了容易处理，生坯体除了包含主成分以外，还可以包含玻璃成分和有机成分作为添加物。有机成分例如可以包含聚乙烯醇缩丁醛或丙烯酸。生坯体的成型方法任意，例如通过刮刀法，形成作为生坯体的至少一部分的生坯片。也可以在该生坯片上进一步附加生坯体，该附加典型地通过在该生坯片上的印刷或者其他生坯片的层叠来进行。该印刷典型地通过丝网印刷法来进行。通过烧成而成为陶瓷部100(图6)的生坯体的主成分例如可以为氧化铝粉末。通过烧成而成为第一过孔电极511、第二过孔电极512以及基板电极层200(参照图11)等布线构造的生坯体的主成分例如可以为钨(W)粉末、钼(Mo)粉末、W粉末与Mo粉末的混合粉末、或者W-Mo合金粉末。

为了得到基板生坯体GS，首先，形成成为基板部110的生坯片。针对该生坯片，进行基于冲压加工的过孔的形成和向该过孔中的电极膏剂的印刷，由此形成成为基板过孔电极411～414的生坯体。在电极膏剂中，例如，分散有钨以及钼中的至少任意一者的粉末。接着，通过针对该生坯片进行电极膏剂的印刷，从而形成成为布线层401～403的生坯体。接着，通过针对该生坯片进行陶瓷膏剂的印刷，从而形成成为绝缘膜110i的生坯体。接着，通过针对该生坯片进行电极膏剂的印刷，从而形成成为元件电极焊盘211、212以及中继电极220的生坯体。此外，在如上述这样形成了成为基板过孔电极411～414的生坯体之后的任意的定时，针对该生坯片进行电极膏剂的印刷，由此形成成为封装体电极焊盘301～304的生坯体。

图15～图19是依次表示与用于构成封装体701(图11)中在厚度方向上配置有第一过孔电极511以及金属化层600的部分的构造的第一框部生坯体GF1关联的工序的局部剖视图。图中，用单点划线表示截断面BR，沿着该截断面，进行后述的截断工序。

参照图15，作为第一框部生坯体GF1，首先，形成包含成为框部120的一部分(图11中的上部)即框上部120a的部分的单纯的生坯片。该形成例如可以通过刮刀法来进行。构成第一框部生坯体GF1的框上部120a的厚度例如为30μm以上且90μm以下。

参照图16，在框上部120a上通过激光加工来形成第一过孔VH1。激光加工用的激光以从框上表面SF1向框上部120a中行进的方式照射。其结果，第一过孔VH1容易在从框上表面SF1朝向框上部120a中的方向上具有锥形形状。框上表面SF1处的孔径大于相反面处的孔径。

进而参照图17，在第一框部生坯体GF1的第一过孔VH1(图16)内，形成第一过孔电极511(图17)。具体而言，通过丝网印刷法向第一过孔VH1中填充电极膏剂。该填充优选从框上表面SF1向第一过孔VH1中进行。

参照图18，在框上表面SF1上形成金属化层600。具体而言，涂敷电极膏剂。另外，在图18中在整个框上表面SF1涂敷有电极膏剂，但不需要在通过后述的腔室CV的形成工序而除去的区域涂敷金属化层600。因此，可以应用在该区域的至少一部分不进行涂敷那样的丝网印刷法。

参照图19，通过冲压加工来形成腔室CV。另外，也可以在更早的定时向第一框部生坯体GF1腔室形成CV。通过以上，完成具有包围腔室CV的框形状的第一框部生坯体GF1。

图20～图24是依次表示与用于构成封装体701(图11)中在厚度方向上配置有第二过孔电极512以及框电极层550的部分的构造的第二框部生坯体GF2关联的工序的局部剖视图。图中，用单点划线表示截断面BR，沿着该截断面，进行后述的截断工序。

参照图20，作为第二框部生坯体GF2，首先，形成包含成为框部120的一部分(图11中的下部)即框下部120b的部分的单纯的生坯片。该形成例如可以通过刮刀法来进行。构成第二框部生坯体GF2的框下部120b的厚度例如为30μm以上且90μm以下。

参照图21，在框下部120b上通过激光加工来形成第二过孔VH2。激光加工用的激光以通过框下部120b中后穿过框下表面SF2的方式照射。其结果，第二过孔VH2容易在朝向框下表面SF2的方向上具有锥形形状。框上表面SF2处的孔径小于相反面处的孔径。

进而参照图22，在第二框部生坯体GF2的第二过孔VH2(图21)内，形成第二过孔电极512(图22)。具体而言，通过丝网印刷法向第二过孔VH2中填充电极膏剂。该填充优选从框下表面SF2的相反面向第二过孔VH2中进行。

参照图23，在与框下表面SF2相反的相反面上形成框电极层550。具体而言，涂敷电极膏剂。在该涂敷中可以应用丝网印刷法。

参照图24，通过冲压加工来形成腔室CV。另外，也可以在更早的定时向第二框部生坯体GF2形成腔室CV。通过以上，完成具有包围腔室CV的框形状的第二框部生坯体GF2。

参照图25，通过将基板生坯体GS(图14)和第一框部生坯体GF1(图19)以及第二框部生坯体GF2(图24)进行层叠，从而形成生坯片700G。生坯片700G包含多个区域701G，各区域最终成为封装体701(参照图11)。

参照图26，在生坯片700G的框上表面SF1形成沟槽TR1。此外，在生坯片700G的与框上表面SF1相反的面，形成沟槽TR2。沟槽TR1与沟槽TR2配置为在厚度方向上对置。沟槽TR1以及沟槽TR2例如通过将刀尖向生坯片700G按压而形成。之后，进行对生坯片700G进行烧成的烧成工序。另外，在烧成工序后，根据需要，也可以进行镀覆工序。

参照图27，通过上述烧成工序来形成烧成片700F。在烧成工序中，沟槽TR1的内表面暴露于烧成气氛。据此，烧成片700F的沟槽TR1的内表面成为烧成面。该烧成面成为封装体701的烧成面SF4A(图11)。进行通过向烧成片700F施加应力从而自沟槽TR1起产生裂缝的截断工序。通过截断工序从而框部120断裂，由此形成断裂面。该断裂面成为封装体701的断裂面SF4B(图11)。截断工序可以是在沟槽TR1与沟槽TR2之间产生裂缝的工序。通过截断工序，从烧成片700F切出多个封装体701。通过以上，得到封装体701(图11)。

在上述截断工序中，从沟槽TR1起的裂缝较为理想的是如图27中的实线箭头所示，沿着厚度方向伸展。但是实际上，有时如图27中的虚线箭头所示，裂缝意外地向第二过孔电极512接近。其结果，在具有第二过孔电极512的封装体701中，框部120的框下表面SF2的最小尺寸LO(图10)有时会变小。过小的最小尺寸LO容易导致封装体701的泄漏，因此期望最小尺寸LO具有一定程度的富余。根据本实施方式，容易确保该富余。

图28是以与图11相同的视野概略性地示出第一比较例的封装体791的结构的局部剖视图。第一比较例的封装体791具有过孔电极510，来代替封装体701(图1)中的通过框电极层550相互连接的第一过孔电极511以及第二过孔电极512。过孔电极510分别在框部120的框上表面SF1以及框下表面SF2，具有端面SFA以及底面SFB。过孔电极510在从端面SFA向底面SFB的方向上具有锥形形状。在封装体791中，从提高腔室CV的气密性的观点出发，优选为底面SFB尽可能地接近腔室CV的设计。在该设计下的制造中，当产生腔室CV与过孔电极510相互过度接近那样的制造误差时，制造出图29所示的第二比较例的封装体792的概率无法忽视。

在封装体792中，过孔电极510的端面SFA到达腔室CV。其结果，在过孔电极510的端面SFA附近，过孔电极510的侧面向腔室CV露出。在将盖980(参照图2)向封装体792接合的工序中，钎料960(参照图2)容易向腔室CV中如箭头FL(图29)所示那样流入。由于流入的钎料与晶体坯料890(参照图2)接触，有时对晶体振子900(参照图2)的性能产生不良影响。另外，钎料960的流入对机械特性的不良影响在安装于封装体的元件为晶体坯料890的情况下尤其令人担忧，但在其他的压电元件的情况下也有时会产生。进而，只要安装于封装体的元件为电气元件，例如意外的短路那样的对电气特性的不良影响就令人担忧。

根据本实施方式的封装体701(图10以及图11)，第一，由于第二过孔电极512的第二底面SFB配置为满足LO＞LI(参照图10)，因此能够在第二过孔电极512的第二底面SFB的外缘EO与框部120的第二面SF2的外缘EO之间，将配置有陶瓷间的层叠界面的部位确保得较大。在此，陶瓷间的层叠界面具有比金属与陶瓷的层叠界面高的气密性。因此，能够抑制起因于沿着层叠界面的泄漏的腔室CV的气密性的降低。第二，由于第一过孔电极511的第一中心轴AX1与第二过孔电极512的第二中心轴AX2相比更远离框部120的内缘EI，因此即使像第二过孔电极512的第二底面SFB到达腔室CV那样第二过孔电极512位于腔室CV附近，第一过孔电极511的第一端面SFA也能够位于远离腔室CV的位置。由此，能够避免在第一过孔电极511的第一端面SFA附近第一过孔电极511的侧面向腔室CV露出的情况。因此，能够防止起因于在框部120的第一面SF1具有第一端面SFA的第一过孔电极510的向腔室CV中的钎料的流入。根据以上，能够在确保腔室CV的充分的气密性的同时，防止向腔室CV中的钎料的流入。

第二底面SFB的直径DB可以比第二端面SFK的直径DA小(参照图10以及图11)。由此，能够在第二过孔电极512的第二底面SFB的外缘EO与框部120的第二面SF2的外缘EO之间，将配置有陶瓷间的层叠界面的部位确保得更大。因此，能够进一步抑制起因于沿着层叠界面的泄漏的腔室CV的气密性的降低。

第二过孔电极512(图10)的最大直径可以为50μm以下。由此，框部120的宽度尺寸也能够微细化。该微细化越进展则沿着基板部110与框部120之间的层叠界面的泄漏越容易成为问题，但由于上述理由，该问题被有效地抑制。

框部120的第二面SF2的内缘EI与外缘EO之间的最小尺寸WD(图10)可以为200μm以下。像这样微细化越进展则沿着基板部110与框部120之间的层叠界面的泄漏越容易成为问题，但由于上述理由，该问题被有效地抑制。

可以满足LO≥LI×1.5(参照图10)。由此，能够更充分地抑制起因于沿着基板部110与框部120之间的层叠界面的泄漏的腔室CV的气密性的降低。

第二过孔电极512(图11)可以具有在厚度方向上从第二端面SFK以锥形形状延伸的部分。由此，能够在第二过孔电极512的第二底面SFB的外缘EO与框部120的第二面SF2的外缘EO之间，将配置有陶瓷间的层叠界面的部位确保得更大。因此，能够进一步抑制起因于沿着层叠界面的泄漏的腔室CV的气密性的降低。锥形形状可以具有5度以上的锥角。由此，能够在第二过孔电极512的第二底面SFB的外缘EO与框部120的第二面SF2的外缘EO之间，将配置有陶瓷间的层叠界面的部位确保得更大。因此，能够进一步抑制起因于沿着层叠界面的泄漏的腔室CV的气密性的降低。

框部120的外壁面SF4(图11)具有与框上表面SF1相连的烧成面SF4A、以及与框下表面SF2相连的断裂面SF4B。断裂面SF4B通过截断工序(图27)而形成时，由于该工序偏差的影响，框部120的框下表面SF2的外缘EO与第二过孔电极512的第二底面SFB之间的距离有时会变小。然而，通过如上所述满足LO＞LI，从而该距离难以变得过小。因此，能够防止起因于该距离过小的气密性的不足。

在俯视下，第二过孔电极512的第二端面SFK在本实施方式中，从第一过孔电极511的第一底面SFJ偏离。由此，在俯视时第一过孔电极511相对地配置于外侧并且第二过孔电极512相对地配置于内侧的设计中，容易较大地取得俯视时的第一过孔电极511与第二过孔电极512的位置的差异。通过第一过孔电极511配置于更外侧，能够更可靠地防止起因于第一过孔电极511的向腔室CV中的钎料的流入。通过第二过孔电极512配置于更内侧，能够更充分地确保腔室CV的气密性。

第一过孔电极511可以具有在厚度方向上从第一端面SFA以锥形形状延伸的部分。由此，能够将包含第一过孔电极511的层与包含第二过孔电极512的层之间的虚拟面中的、第一过孔电极511的第一底面SFJ与框部120的外壁面SF4之间的距离确保得更大。由于上述虚拟面相当于封装体701的制造方法中的层叠界面，因此有时具有剥离那样的层叠不良。这样的层叠不良容易成为从腔室CV外向腔室CV内的水分的侵入路径，但通过增大上述距离，能够进一步抑制向腔室CV内的水分的侵入。因此，能够更充分地确保腔室CV的气密性。通过第一过孔电极511与第二过孔电极512相比具有厚度方向上的更大的尺寸，能够使该效果更大。

＜实施方式2＞

图30是以与图10相同的视野概略性地示出本实施方式2中的封装体702的结构的局部俯视图。图31是以与图11相同的视野概略性地示出封装体702的结构的局部剖视图。

在封装体702中，与封装体701(图10以及图11)不同，第二过孔电极512的第二端面SFK在俯视时，与第一过孔电极511的第一底面SFJ至少部分地重叠。在本实施方式中，第二端面SFK与第一底面SFJ仅部分地重叠。第二过孔电极512的第二端面SFK与第一过孔电极511的第一底面SFJ直接相接，由此第二过孔电极512与第一过孔电极511电连接。另外，由于除此以外的结构与上述实施方式1的结构大致相同，因此对于相同或对应的要素标注相同的符号，不重复其说明。

根据本实施方式2，容易将第二过孔电极512与第一过孔电极511电连接。但是，作为本实施方式2的变形例，出于降低第一过孔电极511与第二过孔电极512之间的连接电阻等目的，也可以设置框电极层550(图11)。

＜实施方式3＞

图32是以与图10相同的视野概略性地示出本实施方式3中的封装体703的结构的局部俯视图。图33是以与图11相同的视野概略性地示出封装体703的结构的局部剖视图。

在封装体703中，与封装体701(图10以及图11)不同，第二过孔电极512的第二端面SFK在俯视时，包含于第一过孔电极511的第一底面SFJ。第二过孔电极512的第二端面SFK与第一过孔电极511的第一底面SFJ直接相接，由此第二过孔电极512与第一过孔电极511电连接。另外，由于除此以外的结构与上述实施方式1的结构大致相同，因此对于相同或对应的要素标注相同的符号，不重复其说明。

图34～图39是概略性地示出封装体703的制造方法的一个工序的局部剖视图。在本实施方式3中，取代上述实施方式1中的第一框部生坯体GF1(图15～图19)以及第二框部生坯体GF2(图20～图24)而进行形成框部生坯体GF的工序。以下，对此具体进行说明。

参照图34，作为框部生坯体GF，首先，形成包含成为框部120(图11)的部分的单纯的生坯片。该形成例如可以通过刮刀法来进行。

参照图35，在框部120的框上表面SF1，通过激光加工来形成作为非贯通孔的第一过孔VH1。激光加工用的激光以从框上表面SF1向框部120中行进的方式照射。其结果，第一过孔VH1容易在从框上表面SF1朝向框部120中的方向上具有锥形形状。

参照图36，通过激光加工来形成作为从第一过孔VH1的底面延伸到框下表面SF2的贯通孔的第二过孔VH2。激光加工用的激光以从第一过孔VH1的底面向框下表面SF2行进的方式照射。其结果，第二过孔VH2容易在从第一过孔VH1的底面朝向框下表面SF2的方向上具有锥形形状。

进而参照图37，在框部生坯体GF的第二过孔VH2以及第一过孔VH1(图36)内，分别形成第二过孔电极512以及第一过孔电极511(图37)。具体而言，通过丝网印刷法向第二过孔VH2以及第一过孔VH1中填充电极膏剂。该填充可以从框上表面SF1向第二过孔VH2以及第一过孔VH1中一并进行。

参照图38，在框上表面SF1上形成金属化层600。具体而言，涂敷电极膏剂。另外，在图38中在整个框上表面SF1涂敷有电极膏剂，但不需要在通过后述的腔室CV的形成工序而除去的区域涂敷金属化层600。因此，可以应用在该区域的至少一部分不进行涂敷那样的丝网印刷法。

参照图39，通过冲压加工来形成腔室CV。另外，也可以在更早的定时向框部生坯体GF形成腔室CV。通过以上，完成具有包围腔室CV的框形状的框部生坯体GF。通过使用该框部生坯体GF来代替图25(实施方式1)的工序中的第一框部生坯体GF1以及第二框部生坯体GF2的层叠体，能够得到本实施方式3的封装体703(图33)。

根据本实施方式3，如图32以及图33所示，第二过孔电极512的第二端面SFK包含于第一过孔电极511的第一底面SFJ。由此，在封装体703的制造中，通过在将被填充第一过孔电极511的第一过孔VH1形成为框部生坯体GF中的非贯通孔后，对该非贯通孔的底面进行加工，能够形成被填充第二过孔电极512的第二过孔VH2。因此，在封装体703的制造中，与封装体701(实施方式1)不同，不需要将第一过孔电极511所处的部分与第二过孔电极512所处的部分作为需要相互层叠的单独的生坯体进行处理。因此，能够简化封装体的制造中的层叠工序。

符号说明

120：框部

200：基板电极层

511：第一过孔电极

512：第二过孔电极

550：框电极层

600：金属化层

701～703：封装体

900：晶体振子(电气部件)

960：钎料

980：盖

CV：腔室

EI：内缘

EO：外缘

GF：框部生坯体

GF1：第一框部生坯体

GF2：第二框部生坯体

GS：基板生坯体

SF1：框上表面(第一面)

SF2：框下表面(第二面)

SF4A：烧成面

SF4B：断裂面

SFA：第一端面

SFJ：第一底面

SFK：第二端面

SFB：第二底面。

Claims (13)

1.一种封装体，其设置有腔室，其中，

所述封装体具备由陶瓷构成的框部，所述框部具有第一面、以及在厚度方向上与所述第一面相反的第二面，所述第二面具有包围所述腔室的内缘、以及包围所述内缘的外缘，

所述封装体还具备由陶瓷构成的基板部，所述基板部具有第三面，该第三面具有支承所述框部的所述第二面的部分、以及面向所述腔室的部分，

所述封装体还具备：

基板电极层，其设置在所述基板部的所述第三面上；

第一过孔电极，其沿着沿所述厚度方向的第一中心轴延伸，并具有位于所述框部的所述第一面且远离所述腔室的第一端面、以及与所述第一端面相反且位于所述框部内的第一底面；以及

第二过孔电极，其沿着沿所述厚度方向的第二中心轴延伸，并具有在所述框部内与所述第一过孔电极的所述第一底面电连接的第二端面、以及与所述第二端面相反且在所述框部的所述第二面与所述基板电极层相接的第二底面，

在俯视下，所述第二过孔电极的所述第二底面具有距所述框部的所述第二面的所述内缘的最小尺寸LI、以及距所述框部的所述第二面的所述外缘的最小尺寸LO，并且满足LO＞LI，

所述第一过孔电极的所述第一中心轴与所述第二过孔电极的所述第二中心轴相比，更远离所述框部的所述内缘。

2.根据权利要求1所述的封装体，其中，

所述第二端面具有直径DA，所述第二底面具有比所述直径DA小的直径DB。

3.根据权利要求1或2所述的封装体，其中，

所述第二过孔电极具有50μm以下的最大直径。

4.根据权利要求1或2所述的封装体，其中，

所述框部的所述第二面的所述内缘与所述外缘之间的最小尺寸为200μm以下。

5.根据权利要求1或2所述的封装体，其中，

满足LO≥LI×1.5。

6.根据权利要求1或2所述的封装体，其中，

所述第二过孔电极具有在所述厚度方向上从所述第二端面以锥形形状延伸的部分。

7.根据权利要求6所述的封装体，其中，

所述锥形形状具有5度以上的锥角。

8.根据权利要求1或2所述的封装体，其中，

所述框部具有将所述第一面与所述第二面的所述外缘连接的外壁面，

所述外壁面具有与所述第一面相连的烧成面、以及与所述第二面相连的断裂面。

9.根据权利要求1或2所述的封装体，其中，

在俯视下，所述第二过孔电极的所述第二端面从所述第一过孔电极的所述第一底面偏离。

10.根据权利要求1或2所述的封装体，其中，

在俯视下，所述第二过孔电极的所述第二端面与所述第一过孔电极的所述第一底面至少部分地重叠。

11.根据权利要求1或2所述的封装体，其中，

在俯视下，所述第二过孔电极的所述第二端面包含于所述第一过孔电极的所述第一底面。

12.根据权利要求1或2所述的封装体，其中，

所述第一过孔电极具有在所述厚度方向上从所述第一端面以锥形形状延伸的部分。

13.根据权利要求12所述的封装体，其中，

所述第一过孔电极与所述第二过孔电极相比，具有厚度方向上的更大的尺寸。