CN117545572A - 涂层刀具 - Google Patents

Abstract

基于本发明的非限定的一个方面的涂层刀具，具有由硬质合金形成的基体、和位于基体表面的涂层。涂层具有与基体相接的第一层。第一层含有Ti(C_xN_1－x)(0≤x≤1)。基体含有多个WC粒子。从基体的表面至5μm的深度的区域作为第一区域，从基体的表面至100μm以上且200μm以下的深度的区域作为第二区域。将第一区域的碳量的最大值作为第一碳量，第二区域的碳量的最大值作为第二碳量。第一碳量多于第二碳量。第一区域的KAM值的平均值低于0.4°。

Description

涂层刀具

相关申请的交叉引用

本申请主张2021年7月2日提交的日本专利申请2021－110444号的优先权，将该在先申请的全部公开纳入其中以供参考。

技术领域

本发明涉及在基体的表面具有涂层的涂层刀具。

背景技术

历来，已知有在由硬质合金形成的基体表面，形成有单个或多个的碳化钛层、氮化钛层、碳氮化钛层、氧化铝层和氮化钛铝层等的涂层刀具。

在涂层刀具中，要求提高耐磨损性和耐崩损性，例如，在切削刀具中，随着切削加工的高效率化，被用于会对切削刃造成巨大冲击的重断续切削等的机会增加。在这样严酷的切削条件下，要求抑制因涂层经受巨大冲击而导致的涂层剥离和崩损。

在日本特开2011－152602号公报(专利文献1)中，公开有一种作为涂层使氮化钛层物理气相沉积在基体表面的切削刀具。另外还公开有使通过用电子背散射衍射(EBSD：Electron Backscatter Diffraction)装置测量得到的涂层表面的氮化钛晶粒的晶体取向在规定范围内。

在涂层刀具中，为了提高加工效率，要求能够在更苛刻的加工条件下使用，要求提高硬质合金所形成的基体和涂层的结合性，抑制涂层的剥离和崩损。

发明内容

基于本发明的非限定的一个方面的涂层刀具，其具有由硬质合金形成的基体、和位于该基体表面的涂层。该涂层具有与所述基体相接的第一层。该第一层含有Ti(C_xN_1－x)(0≤x≤1)。所述基体含有多个WC粒子。从所述基体的表面至5μm的深度的区域作为第一区域，从所述基体的表面至100μm以上且200μm以下的深度的区域作为第二区域。将所述第一区域的碳量的最大值作为第一碳量，将所述第二区域的碳量的最大值作为第二碳量。在使相邻的像素间的距离(步长)为0.1μm，相邻的像素间的取向差为5°以上时视为晶界的条件下，利用带电子背散射衍射像系统的扫描电子显微镜，以电子背散射衍射(EBSD)法测量所述WC粒子的值作为KAM值。所述第一碳量多于所述第二碳量。所述第一区域的KAM值的平均值低于0.4°。

附图说明

图1是表示本发明的非限定的一个方面的涂层刀具(切削刀具)的立体图。

图2是图1所示的涂层刀具的剖视图。

具体实施方式

＜涂层刀具＞

以下，使用附图对于本发明的非限定的一个方面的涂层刀具1(以下，有时称为“刀具1”。)详细说明。但是，以下参照的各图，为了便于说明，只简化显示在说明实施方式上必要的主要构件。因此，刀具1可以具备参照各图中未显示的任意的结构构件。另外，各图中的构件尺寸，并非忠实表达实际的结构构件的尺寸和各构件的尺寸比率等。

在图1和图2中，作为刀具1的一例而示出切削刀具(切削刀片)。还有，刀具1不限于切削刀具。刀具1，例如，也可以是挖掘工具和有刃物等。

刀具1如图1所示的一例这样，可以具备：第一面2(图1中的上表面)；第二面3(图1中的侧面)；位于第一面2和第二面3相交处的切削刃4。第一面2的至少一部分，可以作为前刀面发挥功能。第二面3的至少一部分可以作为后刀面发挥功能。切削刃4可以用于被切削材的切削。换言之，刀具1可以使切削刃4与被切削材接触而进行切削加工。还有，切削刃4可以位于第一面2和第二面3的相交处的整体，另外，也可以只位于第一面2和第二面3的相交处的一部分。

刀具1如图2所示的一例这样，可以具有基体5、和位于基体5表面的涂层6。

基体5可以由硬质合金形成。作为硬质合金的组成，例如，可列举WC－Co、WC－TiC－Co和WC－TiC－TaC－Co等。在此，WC(碳化钨)、TiC(碳化钛)和TaC(碳化钽)是硬质粒子，Co(钴)是粘结相。还有，上述的组成是一例，作为基体5的构成，也可以是例如具有如下的其他构成：WC粒子；从周期表第4、5、6族金属的碳化物、氮化物和碳氮化物的群中选择的至少一种硬质相；包含Co的粘结相。

涂层6可以具有与基体5相接的第一层7。第一层7可以含有Ti(C_xN_1－x)(0≤x≤1)。

基体5可以含有多个WC粒子。在此，从基体5的表面至5μm的深度的区域作为第一区域8，从基体5的表面至100μm以上且200μm以下的深度的区域作为第二区域9。另外，将第一区域8的碳量的最大值作为第一碳量，将第二区域9的碳量的最大值作为第二碳量。此外，在使相邻的像素间的距离(步长)为0.1μm，相邻的像素间的取向差为5°以上时视为晶界的条件下，利用带电子背散射衍射像系统的扫描电子显微镜(SEM)，以电子背散射衍射(EBSD)法测量WC粒子的值作为KAM值。第一碳量可以多于第二碳量。第一区域8的KAM值的平均值可以低于0.4°。

在上述的情况下，存在于基体5表面的WC粒子的变形量变小，基体5与第一层7之间的残余应力变小。由此，基体5与涂层6的结合性提高，能够抑制涂层6的剥离和崩损。第一区域8的KAM值的平均值低于0.3°时，能够进一步提高基体5与涂层6的结合性。

所谓KAM(Kernel Average Misorientation)，表示以EBSD法测量的邻接测量点间的晶体取向之差，即局部取向差，KAM值是与塑性应变等的大小具有相互关联的值。另外，因为KAM反映微观水平下局部性的变形和位错密度，所以通过测量KAM值，能够确认微观水平下的局部的塑性变形。KAM值的平均值，是测量观测区域内的各位置的KAM值，取其平均而得到的。

在现有的成膜涂层的工序中，有在硬质合金所形成的基体和与之相接的涂层之间发生应变的情况。其原因被认为是，与基体的内部相比在基体表面附近的区域碳减少，在成膜涂层的工序中，基体的表面发生变质。由于基体的表面发生变质，存在于基体表面的WC粒子的一部分容易残留微小的塑性应变，因此对涂层刀具施加冲击时，涂层有可能容易从基体剥离。

在刀具1中，通过提高相对于在基体5的内部的在基体5的表面附近区域中的碳的含有比率，从而减小基体5与涂层6之间的应变，由此，基体5的表面附近的区域中的KAM值的平均值成为低于0.4°。因此，在刀具1中，因为存在于基体5的表面附近的WC粒子所发生的微小的塑性应变得到抑制，所以基体5与涂层6之间的应变小。其结果是，即使对刀具1施加巨大冲击时，涂层6也难以从基体5剥离。

还有，第一区域8中的KAM值的平均值的下限值可以为0.1°以上。基体5可以具有1mm以上的厚度。WC粒子的平均粒径可以为0.01～20.0μm。WC粒子的平均粒径的测量可以通过图像分析进行。这种情况下，可以将当量圆直径作为WC粒子的平均粒径。WC粒子的平均粒径的测量，可以按以下步骤进行。首先，可以使用SEM，以倍率3000～5000倍观察基体5的截面，取得SEM像。特定并提取至少50个以上的此SEM像中的WC粒子。其后，用图像分析软件ImageJ(1.52)计算当量圆直径，由此可以求得WC粒子的平均粒径。

第一碳量与第二碳量相比可以多，为1.10倍以上。换言之，第一碳量相对于第二碳量之比(第一碳量/第二碳量)为1.10以上。这种情况下，基体5与涂层6的结合性进一步提高。还有，上述比的上限值可以低于1.40。第一碳量的比(第一碳量/第二碳量)为1.40以上时，基体5与第一层7的结合力降低，涂层6有可能容易从基体5剥离。碳量可以通过俄歇电子能谱法(AES分析)测量。第一碳量和第二碳量不限定于特定值。例如，第一碳量可以设定为20原子％～75原子％，另外，第二碳量也可以设定为15原子％～70原子％。

将第一层7在厚度方向中央的碳量作为第三碳量时，第三碳量多于第二碳量。具体来说，第三碳量相对于第二碳量之比(第三碳量/第二碳量)可以为1.70以上。这种情况下，基体5与涂层6的结合性进一步提高。还有，上述比也可以为1.50以上。上述比的上限值可以为2.50以下。第三碳量不限定为特定的值。例如，第三碳量也可以设定为15原子％～75原子％。

第一层7具有1μm以上的厚度。这时，在第一层7中从基体5的表面至0.3μm的范围区域中的晶粒取向、与在第一层7中的厚度方向中央的晶粒取向可以不同。这种情况下，耐崩损性高。晶粒取向可以由EBSD法测量。

还有，第一层7不限定于特定厚度。例如，第一层7的厚度也可以设定为6～15μm。第一层7的厚度为6μm以上，特别是在10μm以上时，耐磨损性高。另外，第一层7的厚度为15μm以下，特别是13μm以下时，耐崩损性高。

含有Ti(C_xN_1－x)(0≤x≤1)的第一层7，可以由1个层构成，另外，也可以是多个层(层状的部位)层叠而成的结构。例如，如图2所示的一例，第一层7具有与基体5相接的层状的第一部位10、和位于第一部位10之上的层状的第二部位11。

第一部位10所含的碳，可以比第二部位11所含的碳少。具体来说，第一部位10，主要成分可以是氮化钛(TiN)。另外，第二部位11，主要成分可以是碳氮化钛(Ti(C_xN_1－x)(0＜x＜1))。第一层7为上述构成时，基体5与第一层7的结合性进一步提高。特别是第一层7的第一部位10由TiN构成时，硬质合金的成分从基体5向涂层6的扩散得到抑制，因此能够抑制基体5表面的变质。还有，上述的所谓“主要成分”，是与其他成分比较而言，质量％的值最大的成分。

第一部位10可以由平均粒径0.05～0.5μm的氮化钛粒子构成。氮化钛粒子可以是相对于基体5表面沿垂直方向延伸的柱状晶体。

在刀具1中，在位于基体5表面的WC粒子、与位于第一部位10中的基体5一侧的氮化钛粒子之间，可以存在进行外延生长的位置。另外，在第一部位10，Co可以按0.2～3质量％的比率扩散。Co这样扩散时，能够进一步提高基体5与涂层6的结合性。

第二部位11可以由如下部位构成：以所谓MT(Moderate Temperature：中温)－碳氮化钛为主要成分的层状的第三部位12；位于此第三部位12之上，以HT(HighTemperature：高温)－碳氮化钛为主要成分的层状的第四部位13。

第三部位12，可以由包含乙腈(CH₃CN)气体作为原料，在780～900℃这样比较低的成膜温度下成膜的柱状晶体构成。这时，柱状晶体的与基体5表面平行方向的宽度可以为0.4μm以下。柱状晶体为上述结构时，第一部位10与第四部位13之间的结合性进一步提高。

第四部位13可以由在900～1100℃这样比较高的成膜温度下成膜的粒状晶体构成。另外，可以在第四部位13的表面，形成有朝向上方尖端变细的剖视下为呈三角形的突起。第四部位13具有这样的突起时，对后述的第二层14的结合性高，能够抑制涂层6的剥离和崩损。

第一部位10和第二部位11不限定为特定厚度。例如，第一部位10的厚度可以设定为0.5～3μm。另外，第二部位11的厚度可以设定为5.5～14.5μm。第一部位10的厚度为0.5～3μm，特别是0.5～2.0μm，并且，第二部位11的厚度为5.5～14.5μm，特别是8.0～12.5μm时，涂层6对基体5的结合性高，另外，耐磨损性也高。

涂层6除了第一层7以外，还具有第二层14和第三层15。第二层14可以位于第一层7(第四部位13)之上。第三层15可以位于第二层14之上。

第二层14可以含有钛和氧，例如，可以由TiCO、TiNO、TiCNO、TiAlCO、TiAlCNO等构成。具体来说，第二层14可以含有Ti(C_xN_1－x－yO_y)(0＜x＜1，0＜y＜1)。另外，第三层15可以含有氧化铝。

涂层6具有上述第三层15时，能够进一步提高涂层6的耐磨损性。在第一层7与第三层15之间设置第二层14时，能够提高第一层7与第三层15之间的结合性。

另外，第二层14含有上述成分时，构成第三层15的氧化铝粒子为α型的晶体结构。由α型晶体结构的氧化铝构成的第三层15硬度高。因此，能够提高涂层6的耐磨损性。

在第二层14含有Ti(C_xN_1－x－yO_y)的情况下，x+y＝1时，第二层14中的Ti(C_xN_1－x－yO_y)为针状，为相对于基体5表面朝向垂直方向而以0.05～0.5μm的高度延伸的晶体结构。如果是这种结构，则能够提高第二部位11与第三层15之间的结合性。

另外，第三层15包含α型的晶体结构的氧化铝时，第三层15的硬度提高，能够使涂层6的耐磨损性提高。这时，在从第三层15的表面侧以X射线衍射测量检测出的峰中，当I(116)和I(104)为第一强和第二强时，有涂层6的磨损得到抑制的倾向。

第二层14和第三层15不限于特定的厚度。例如，第二层14的厚度可以设定为0.05～5.0μm。第三层15的厚度可以设定为1.0～15μm。

涂层6除了第一层7、第二层14和第三层15以外，可以还含有第四层16。第四层16可以位于第三层15之上。第四层16可以含有Ti(C_xN_1－x－yO_y)(0≤x≤1，0≤y＜1)。第四层16可以由氮化铬等其他材质构成。第四层16不限于特定的厚度。例如，第四层16的厚度可以设定为0.1～3μm。

涂层6可以是从基体5一侧起，按顺序层叠包含氮化钛层的第一部位10、包含碳氮化钛层的第二部位11、第二层14、第三层15和第四层16而成的结构。

还有，各层的厚度和构成各层的晶体的形态，可以通过观察刀具1截面的电子显微镜照片(SEM照片或透射型电子显微镜(TEM)照片)来测量。另外，所谓构成涂层6各层的晶体形态是柱状，是各晶体的平均晶体宽度相对于涂层6的厚度方向的长度之比以平均计为0.3以下的状态。另一方面，此各晶体的平均晶体宽度相对于涂层6的厚度方向的长度之比以平均计高于0.3的，定义为晶体的形态为粒状。

＜涂层刀具的制造方法＞

接下来，列举制造刀具1的情况为例，对于本发明的非限定的一个方面的涂层刀具的制造方法进行说明。

首先，在能够通过烧成形成作为基体5的硬质合金的金属碳化物、氮化物、碳氮化物、氧化物等的无机物粉末中，适宜添加金属粉末、碳粉末等并进行混合，得到混合粉末。其次，通过冲压成形、浇铸成形、挤压成形、冷等静压成形等公知的成形方法，将此混合粉末成形为规定的刀具形状而得到成形体。其后，将得到的成形体在真空中或非氧化性气氛中烧成，由此得到由上述硬质合金形成的基体5。也可以对基体5的表面，实施研磨加工或珩磨加工。

其次，在得到的基体5的表面，通过化学气相沉积(CVD)法成膜涂层6，得到刀具1。

首先，可以调整包含2～10体积％的四氯化钛(TiCl₄)气，其余为氢(H₂)气的混合气体，将该混合气体导入炉膛(炉)内，对于由硬质合金构成的基体5，实施成膜温度(炉内温度)为800～940℃，压力为8～50kPa，时间为1～10分钟的前处理。这种情况下，基体5的表面附近区域的中碳的含有比率容易变高。因此，在接着成膜第一层7时，能够抑制在基体5的表面附近碳成分扩散移动到第一层7一侧，能够抑制基体5的表面附近的WC粒子产生大的应变。因此，若对于基体5实施前处理，则第一碳量容易多于第二碳量，另外，第一区域8的KAM值的平均值容易低于0.4°。

接着，成膜第一层7中的以氮化钛(TiN)为主要成分的第一部位10。作为第一部位10的成膜条件，可列举如下条件，调整作为反应气体组成包含0.5～10体积％的四氯化钛(TiCl₄)气、10～60体积％的氮(N₂)气、其余为氢(H₂)气的混合气体并将其导入炉膛内，使成膜温度为800～940℃，压力为8～50kPa。在此成膜条件中，可以使成膜开始温度为比成膜结束温度低10～50℃的温度，成膜中使温度上升。这种情况下，能够抑制基体5表面附近的W和Co元素的扩散，能够抑制基体5表面附近的WC粒子发生大的应变。

接下来，成膜第一层7中的第二部位11。首先，成膜第二部位11中的以MT－碳氮化钛为主要成分的第三部位12。作为第三部位12的成膜条件，可列举如下条件，调整作为反应气体组成包含0.5～10体积％的四氯化钛(TiCl₄)气、0.1～3.0体积％的乙腈(CH₃CN)气、其余为氢(H₂)气的混合气体，并将其导入炉膛内，使成膜温度为780～900℃，压力为5～25kPa。在此成膜条件中，可以使乙腈(CH₃CN)气的含有比率在成膜后期比成膜初期增加。这种情况下，能够达成使构成第三部位12的碳氮化钛的柱状晶体的平均晶体宽度在表面侧大于基体5一侧的结构。

接着，成膜第二部位11中的以HT－碳氮化钛为主要成分的第四部位13。作为第四部位13的成膜条件，可列举如下条件，调整作为反应气体组成包含1～10体积％的四氯化钛(TiCl₄)气、5～30体积％的氮(N₂)气、0.1～10体积％的甲烷(CH₄)气、其余为氢(H₂)气的混合气体，并将其导入炉膛内，使成膜温度为900～1100℃，压力为5～40kPa。

接着，成膜第二层14。作为第二层14的成膜条件，可列举如下条件，调整作为反应气体组成包含3～15体积％的四氯化钛(TiCl₄)气、3～10体积％的甲烷(CH₄)气、0.5～2.0体积％的一氧化碳(CO)气、其余为氢(H₂)气的混合气体，并将其导入炉膛内，使成膜温度为900～1050℃，压力为5～40kPa。还有，作为反应气体组成，也可以添加10～25体积％的氮(N₂)气。另外，也可以将氮(N₂)气变更为氩(Ar)气。通过上述成膜条件，相对于基体5表面沿垂直方向延伸的针状晶体在第二层14中生成，能够提高与接下来成膜的第三层15的结合性。

接着，成膜第三层15。作为第三层15的成膜条件，使用作为反应气体组成包含0.5～5.0体积％的三氯化铝(AlCl₃)气、0.5～5.0体积％的氯化氢(HCl)气、0.5～5.0体积％的二氧化碳(CO₂)气、0～1.0体积％的硫化氢(H₂S)气、其余为氢(H₂)气的混合气体，使成膜温度为950～1100℃，将压力变为5～20kPa而进行成膜。通过此成膜条件，调整氧化铝晶体的生长状态，控制氧化铝晶体的取向性。另外，第三层15的成膜条件，不限定为1个成膜工序。也可以通过包含多个阶段的成膜工序成膜第三层15。

接着，成膜第四层16。若列举第四层16包含TiN时的成膜条件为例，则可列举如下条件，调整作为反应气体组成包含0.1～10体积％的四氯化钛(TiCl₄)气、10～60体积％的氮(N₂)气、其余为氢(H₂)气的混合气体，并将其导入炉膛内，使成膜温度为960～1100℃，压力为10～85kPa。

还有，在得到的刀具1中，也可以对于涂层6表面的至少切削刃4所在的部分实施研磨加工。由此，切削刃4被加工得平滑，抑制被切削材的粘结，成为耐崩损性更优异的刀具1。

以下，列举实施例详细地说明本发明，但本发明不受以下实施例限定。

实施例

[试料No.1～4]

＜涂层刀具的制作＞

首先，制作基体。具体来说，按照平均粒径1.2μm的金属钴粉末6质量％、平均粒径2.0μm的碳化钛粉末0.5质量％、平均粒径2.0μm的碳化铌粉末5质量％、余量为平均粒径1.5μm的碳化钨粉末的比例进行添加混合，通过冲压成形而成形为切削刀具的形状(CNMG120408)，得到成形体。对于得到的成形体，实施脱蜡处理，在真空中或非氧化性气氛中烧成，制作由硬质合金形成的基体。其后，对于制作的基体进行刷光加工，对作为切削刃的部分实施R珩磨。还有，以上述图像分析测量基体中含有的WC粒子的平均粒径，其结果为1.0μm。

接着，通过CVD法在得到的基体之上成膜涂层。成膜使用表1所示组成的反应气体。另外，以表2所示的成膜条件成膜涂层。在表1和表2中，各化合物以化学符号表述。还有，表2中的括弧之中的数值是各层的厚度。表2所示的涂层厚度，是用SEM在截面测量中得到的值。试料No.1～4，实施前处理的时间不同。还有，试料No.1其前处理时间为0分钟。即，对于试料No.1未实施前处理。

＜评价＞

(第一区域的KAM值的平均值的测量)

对于得到的涂层刀具的第一区域，以如下方式实施基于EBSD法的KAM的测量。对于涂层刀具的截面，使用胶态二氧化硅进行抛光研磨后，用Oxford公司制的EBSD(型号JSM7000F)，将测量区域划分为四边形的区域(像素)，在所划分的各区域中，由入射试料表面的电子射线的反射电子得到菊池图案，测量像素的取向。使用同系统的分析软件对于测量的取向数据进行分析，计算各种参数。

观察条件为，加速电压15kV，测量面积是在作为基体的硬质合金的表面，宽50μm×深2μm，相邻的像素间的距离(步长)为0.1μm。相邻的像素间的取向差为5°以上视为晶界。KAM是计算处于晶内的像素，与存在于未超过晶界的范围内的相邻像素的取向差的平均值，作为构成测量总面积的全部像素的平均值而测量KAM值的平均值。还有，KAM值的平均值的测量，在第一区域的任意3个视野中测量，以其平均值进行评价。结果显示在表3中。

(第一～第三碳量的测量)

通过AES分析测量第一～第三碳量，计算比(第一碳量/第二碳量)和比(第三碳量/第二碳量)。以下显示AES分析条件，并且结果显示在表3中。

装置：PHI社制的“Mo d el680”

加速电压：10kV

试料电流：10nA

电子探针直径：0.1μm以下

(切削试验)

使用得到的涂层刀具进行断续切削试验，评价耐崩损性。以下显示断续切削条件，并且结果显示在表3中。

被切削材：一般结构用轧制钢材8条开槽钢材(SS400)

刀具形状：CNMG120408

切削速度：300m/分钟

进给速度：0.30mm/rev

切削深度：1.0mm

其他：使用水溶性切削液

评价项目：测量至崩损的冲击次数

【表1】

【表2】

【表3】

如表3所示，实施了前处理的试料No.2～4，与试料No.1相比寿命长。还有，测量的结果是，试料No.2～4的第一碳量多于第二碳量，第一区域的KAM值的平均值低于0.4°。

符号说明

1…涂层刀具(切削刀具)

2…第一面

3…第二面

4…切削刃

5…基体

6…涂层

7…第一层

8…第一区域

9…第二区域

10…第一部位

11…第二部位

12…第三部位

13…第四部位

14…第二层

15…第三层

16…第四层

Claims (5)

1.一种涂层刀具，其具有：

由硬质合金形成的基体；

位于该基体表面的涂层，

该涂层具有与所述基体相接的第一层，

该第一层含有Ti(C_xN_1－x)，其中，0≤x≤1，

所述基体含有多个WC粒子，

从所述基体的表面至5μm的深度的区域作为第一区域，

从所述基体的表面至100μm以上且200μm以下的深度的区域作为第二区域，

将所述第一区域的碳量的最大值作为第一碳量，

将所述第二区域的碳量的最大值作为第二碳量，

在使相邻的像素间的距离即步长为0.1μm，相邻的像素间的取向差为5°以上时视为晶界的条件下，利用带电子背散射衍射像系统的扫描电子显微镜，以电子背散射衍射EBSD法测量所述WC粒子的值作为KAM值时，

所述第一碳量多于所述第二碳量，

所述第一区域的KAM值的平均值低于0.4°。

2.根据权利要求1所述的涂层刀具，其中，所述第一碳量多于所述第二碳量，为1.10倍以上并低于1.40倍。

3.根据权利要求1或2所述的涂层刀具，其中，所述KAM值的平均值低于0.3°。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的涂层刀具，其中，将所述第一层的厚度方向中央的碳量作为第三碳量时，

该第三碳量多于所述第二碳量。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的涂层刀具，其中，

所述第一层具有1μm以上的厚度，

在所述第一层中从所述基体表面至0.3μm的范围的区域中的晶粒的取向、与所述第一层的厚度方向的中央的晶粒的取向不同。