CN117516707B - 一种砷化镓芯片安装测试结构和方法 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种砷化镓芯片安装测试结构和方法，将红光LED芯片放置于电路背板的对应电性接触点后，再用排布有氮化镓材料凸起结构的蓝宝石衬底压实。通过摄像头拍摄的监测图像可以分析出各个LED芯片的发光亮度，实现对红光LED芯片的测试。控制激光照射系统对整个蓝宝石衬底进行照射，使得氮化镓材料转化为氮气以冲击所述LED芯片的N型半导体层，减薄具有吸光能力的N型半导体层，提高红光LED芯片的发光效率。本申请可以在对红光LED芯片进行测试的同时，提升红光LED芯片的发光效率。

Description

一种砷化镓芯片安装测试结构和方法

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种砷化镓芯片安装测试结构和方法。

背景技术

随着显示技术的飞速发展，发光二极管(Light Emitting Diode，LED)生产技术的进步，显示器呈现出了高集成度和低成本的发展趋势。Micro LED作为新一代显示技术，比现有的有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)技术亮度更高、发光效率更好、但功耗更低，具有极大的应用前景。Micro-LED芯片的常规尺寸小于100um，制备Micro-LED时需要进行大规模电学光学参数测试，并将合格的Micro-LED芯片转移至显示背板进行焊接。

与蓝光LED芯片和绿光LED芯片不同，红光LED芯片的N型半导体材料通常选择具有高电子迁移率的砷化镓材料。但是砷化镓材料的能隙相较小，容易吸收发光层发出的光，因此，红光LED芯片的发光效率相较于蓝光LED芯片和绿光LED芯片更低。

发明内容

本申请的目的在于提供一种砷化镓芯片安装测试结构和方法，其能够改善上述问题。

本申请的实施例是这样实现的：

第一方面，本申请提供一种砷化镓芯片安装测试结构，其包括：

电路背板，包括层叠设置的基板、驱动电路层和平坦层，所述平坦层上设置有与所述驱动电路层连接的第一触垫和第二触垫；

LED芯片，所述LED芯片的N型半导体层包括砷化镓材料，所述LED芯片设置于所述电路背板上，使得导通所述P型半导体层的第一电极与所述第一触垫接触，导通所述N型半导体层的第二电极与所述第二触垫接触；

蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底上排布有凸起结构，所述凸起结构的尺寸小于预设尺寸阈值，且所述凸起结构为氮化镓材料制成；所述蓝宝石衬底设置有所述凸起结构的表面压实在所述LED芯片上，所述蓝宝石衬底与所述平坦层之间填充有光刻胶；

优化系统，包括激光照射系统、摄像头以及与所述驱动电路层、所述激光照射系统和所述摄像头电连接的处理器，所述激光照射系统可以针对所述蓝宝石衬底的任一区域进行照射，所述摄像头用于拍摄所述电路背板上的处于发光状态的各个所述LED芯片，得到监测图像。

可以理解，本申请公开了一种砷化镓芯片安装测试结构，将红光LED芯片放置于电路背板的对应电性接触点后，再用排布有氮化镓材料凸起结构的蓝宝石衬底压实。通过摄像头拍摄的监测图像可以分析出各个LED芯片的发光亮度，实现对红光LED芯片的测试。控制激光照射系统对整个蓝宝石衬底进行照射，使得氮化镓材料转化为氮气以冲击所述LED芯片的N型半导体层，减薄具有吸光能力的N型半导体层，提高红光LED芯片的发光效率。本申请提供的砷化镓芯片安装测试结构，可以在对红光LED芯片进行测试的同时，提升红光LED芯片的发光效率。

在本申请可选的实施例中，所述LED芯片包括依次层叠的N型半导体层、发光层、P型半导体层和砷化镓层；所述发光层设置于所述N型半导体层的第一表面的中央区域上，所述第一表面上围绕所述中央区域设置有所述第二电极；所述砷化镓层上设置有所述第一电极。

在本申请可选的实施例中，所述平坦层上设置有凹槽，用于容置所述LED芯片；所述凹槽的底部设置有所述第一触垫，所述平坦层围绕所述凹槽设置有第二触垫。

在本申请可选的实施例中，所述第一电极与所述第一表面的距离为第一距离，所述第二电极与所述第一表面的距离为第二距离，所述凹槽的高度小于或等于所述第一距离与所述第二距离的差值。

可以理解，本申请提供的LED芯片，发光层、P型半导体层和砷化镓层凸出设置于N型半导体层的中央区域，相当于在N型半导体层上设置有凸出结构。本申请提供的电路背板的平坦层上设置有与该凸出机构匹配的凹槽，有利于将大批LED芯片限位于对应的接触位置上。可选地，第一触垫和第二触垫上可以预先涂布焊料，有利于触垫与电极之间的接触，也便于后续进行LED芯片焊接。

可以理解，砷化镓材料具有较好的导电性和吸光能力，将其设置于LED芯片的底部，一方面可以吸收射向电路背板的环境光束，降低电路背板的反射杂光，尽可能地避免黑屏时电路背板反光；另一方面，可以吸收LED芯片射向电路背板的光束，降低屏幕使用时，电路背板的散热负担。

在本申请可选的实施例中，所述砷化镓层的面积大于所述发光层的面积。

可以理解，砷化镓层的面积大于发光层的面积，可以尽可能保证砷化镓材料层对LED芯片光束的吸收。

在本申请可选的实施例中，所述P型半导体层的面积大于所述发光层的面积，且所述P型半导体层的面积小于所述砷化镓层面积。

可以理解，设置于N型半导体层上的发光层、P型半导体层和砷化镓层可以成凸台状，剖面为梯形，尽可能保证砷化镓材料层对LED芯片光束的吸收。

在本申请可选的实施例中，所述激光照射系统包括与所述处理器电连接的激光光源和数字微镜装置（Digital Micromirror Device，DMD）芯片，所述DMD芯片设置于所述激光光源的出射光路上，DMD芯片用于选择性地反射所述激光光源的出射光束至所述蓝宝石衬底的任一区域。

DMD芯片是广泛应用于投影仪的核心成像器件，它包含一组高反射铝微镜的光学微机电系统，主要包括电子电路、机械和光学三个方面。其中电子电路的作用就是控制电路，机械部分主要控制镜片转动，光学器件部分便是指镜片。当DMD芯片正常工作的时，光线经过DMD芯片，DMD表面布满的体积微小的可转动镜片便会通过转动来反射光线，每个镜片的旋转都是由电路来控制的。

第二方面，本申请提供一种砷化镓芯片安装测试方法，应用于第一方面任一项公开的所述砷化镓芯片安装测试结构，该方法包括以下步骤：

S1：向所述驱动电路层输出测试信号，以点亮所述电路背板上的各个所述LED芯片；

S2：获取所述监测图像，通过图像处理算法计算所述监测图像中各个所述LED芯片对应的单点区域亮度；

S3：向所述激光照射系统输出第一照射信号，以控制所述激光照射系统照射整个所述蓝宝石衬底，使得所述氮化镓材料转化为氮气以冲击所述LED芯片的N型半导体层，使得所述单点区域的亮度提高。

其中,S1、S2等仅为步骤标识，方法的执行顺序并不一定按照数字由小到大的顺序进行，比如可以是先执行步骤S2再执行步骤S1，本申请不做限制。

可以理解，本申请公开了一种砷化镓芯片安装测试方法，点亮所述电路背板上的各个所述LED芯片后，可以通过计算监测图像中单点区域亮度，来判断LED芯片是否达到预设要求。同时控制激光照射系统对整个蓝宝石衬底进行照射，使得氮化镓材料转化为氮气以冲击所述LED芯片的N型半导体层，减薄具有吸光能力的N型半导体层，提高红光LED芯片的发光效率。

在本申请可选的实施例中，砷化镓芯片安装测试方法还包括以下步骤：

S4：将所述监测图像中未达到预设亮度阈值的所述单点区域亮度，作为目标区域；

S5：向所述激光照射系统输出第二照射信号，控制所述激光照射系统照射所述蓝宝石衬底的局部区域，使得所述目标区域的亮度提高。

可以理解，仅通过第一照射信号对整个蓝宝石衬底进行激光照射时，可能会由于激光光束尺寸较小等原因遗漏部分LED芯片，导致部分LED芯片的N型半导体层未得到充分减薄。因此可以通过第二照射信号，控制激光照射系统照射蓝宝石衬底的局部区域，继续减薄该局部区域对应的LED芯片，提高LED芯片的出光效率。

在本申请可选的实施例中，砷化镓芯片安装测试方法还包括以下步骤：

S6：在所述单点区域亮度提高到所述预设亮度阈值之后，用显影液去除所述光刻胶，使得所述蓝宝石衬底与所述LED芯片分离；

S7：通过焊料将所述第一电极焊接在所述第一触垫，通过焊料将所述第二电极焊接在所述第二触垫上。

可以理解，本申请在对红光LED芯片进行测试的同时，提升红光LED芯片的发光效率，在测试完成后，通过显影液洗去光刻胶，分离蓝宝石衬底，使得LED芯片安置于对应的第一触垫和第二触垫上。后续可以通过加热触垫上的焊料，将LED芯片焊接于电路背板上。

有益效果

本申请公开了一种砷化镓芯片安装测试结构和方法，将红光LED芯片放置于电路背板的对应电性接触点后，再用排布有氮化镓材料凸起结构的蓝宝石衬底压实。通过摄像头拍摄的监测图像可以分析出各个LED芯片的发光亮度，实现对红光LED芯片的测试。控制激光照射系统对整个蓝宝石衬底进行照射，使得氮化镓材料转化为氮气以冲击所述LED芯片的N型半导体层，减薄具有吸光能力的N型半导体层，提高红光LED芯片的发光效率。本申请可以在对红光LED芯片进行测试的同时，提升红光LED芯片的发光效率。

本申请提供的LED芯片，发光层、P型半导体层和砷化镓层凸出设置于N型半导体层的中央区域，相当于在N型半导体层上设置有凸出结构。本申请提供的电路背板的平坦层上设置有与该凸出机构匹配的凹槽，有利于将大批LED芯片限位于对应的接触位置上。可选地，第一触垫和第二触垫上可以预先涂布焊料，有利于触垫与电极之间的接触，也便于后续进行LED芯片焊接。

砷化镓材料具有较好的导电性和吸光能力，将其设置于LED芯片的底部，一方面可以吸收射向电路背板的环境光束，降低电路背板的反射杂光，尽可能地避免黑屏时电路背板反光；另一方面，可以吸收LED芯片射向电路背板的光束，降低屏幕使用时，电路背板的散热负担。

为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举可选实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1是本申请提供的一种砷化镓芯片安装测试结构的拆解结构示意图；

图2是图1所示的砷化镓芯片安装测试结构的结构示意图；

图3是图1所示的砷化镓芯片安装测试结构被激光照射的场景示意图；

图4是本申请提供的砷化镓芯片安装后的结构示意图；

图5是本申请提供的一种砷化镓芯片的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

第一方面，如图1和图2所示，本申请提供一种砷化镓芯片安装测试结构，其包括：电路背板10、LED芯片20、蓝宝石衬底30和优化系统。

电路背板10，包括层叠设置的基板11、驱动电路层12和平坦层13，平坦层13上设置有与驱动电路层12连接的第一触垫121和第二触垫122。

LED芯片20，LED芯片20的N型半导体层21包括砷化镓材料，LED芯片20设置于电路背板10上，使得导通P型半导体层23的第一电极25与第一触垫121接触，导通N型半导体层21的第二电极26与第二触垫122接触。

蓝宝石衬底30，蓝宝石衬底30上排布有凸起结构31，凸起结构31的尺寸小于预设尺寸阈值，且凸起结构31为氮化镓材料制成；蓝宝石衬底30设置有凸起结构31的表面压实在LED芯片20上，蓝宝石衬底30与平坦层之间填充有光刻胶40。

优化系统，包括激光照射系统（图中未示出）、摄像头（图中未示出）以及与驱动电路层12、激光照射系统和摄像头电连接的处理器（图中未示出），激光照射系统可以针对蓝宝石衬底30的任一区域进行照射，摄像头用于拍摄电路背板10上的处于发光状态的各个LED芯片20，得到监测图像。

在本申请实施例中，LED芯片20为红光LED芯片。在红光LED芯片中，N型半导体材料通常选择具有高电子迁移率的材料，如砷化镓等，这些材料可以提供良好的导电性能，确保电流的顺畅传导，此外，N型半导体材料还应该具有高纯度、低缺陷密度等优点，以确保LED的亮度和稳定性。对于P型半导体材料，通常选择具有高空穴迁移率的材料，如镓砷磷、镓磷等。这些材料可以提供良好的空穴传导性能，并与N型半导体材料形成良好的PN结，此外，P型半导体材料还应该具有高纯度、低缺陷密度等优点，以确保LED的亮度和稳定性。位于N型半导体和P型半导体之间的发光层通常采用磷化镓、镓砷磷等材料。这些材料具有直接带隙结构，能够通过自发辐射或受激辐射产生红光。磷化镓和镓砷磷等材料具有较高的发光效率、较长的寿命和较高的稳定性，因此在红光LED芯片中得到广泛应用。在红光LED芯片中，发光层通常位于N型半导体和P型半导体之间，通过PN结实现电致发光。当电流通过PN结时，电子和空穴在发光层中相遇并释放能量，导致电子从价带跃迁到导带，同时释放出光子。这些光子在芯片中传播，最终以红光的形式发射出来。

可以理解，本申请公开了一种砷化镓芯片安装测试结构，将红光LED芯片20放置于电路背板10的对应电性接触点后，再用排布有氮化镓材料凸起结构31的蓝宝石衬底30压实。通过摄像头拍摄的监测图像可以分析出各个LED芯片20的发光亮度，实现对红光LED芯片20的测试。如图3所示，控制激光照射系统对整个蓝宝石衬底30进行照射，使得氮化镓材料转化为氮气以冲击LED芯片20的N型半导体层21，减薄具有吸光能力的N型半导体层21，提高红光LED芯片20的发光效率。本申请提供的砷化镓芯片安装测试结构，可以在对红光LED芯片20进行测试的同时，提升红光LED芯片20的发光效率。

在本申请可选的实施例中，如图5所示，LED芯片20包括依次层叠的N型半导体层21、发光层22、P型半导体层23和砷化镓层24；发光层22设置于N型半导体层21的第一表面的中央区域上，第一表面上围绕中央区域设置有第二电极26；砷化镓层24上设置有第一电极25。

在本申请可选的实施例中，如图1所示，平坦层13上设置有凹槽130，用于容置LED芯片20；凹槽130的底部设置有第一触垫121，平坦层13围绕凹槽130设置有第二触垫122。

在本申请可选的实施例中，第一电极25与第一表面的距离为第一距离，第二电极26与第一表面的距离为第二距离，凹槽130的高度小于或等于第一距离与第二距离的差值。

可以理解，本申请提供的LED芯片20，发光层22、P型半导体层23和砷化镓层24凸出设置于N型半导体层21的中央区域，相当于在N型半导体层21上设置有凸出结构。本申请提供的电路背板10的平坦层13上设置有与该凸出机构匹配的凹槽130，有利于将大批LED芯片20限位于对应的接触位置上。可选地，第一触垫121和第二触垫122上可以预先涂布焊料100，有利于触垫与电极之间的接触，也便于后续进行LED芯片20焊接。

可以理解，砷化镓材料具有较好的导电性和吸光能力，将其设置于LED芯片20的底部，一方面可以吸收射向电路背板10的环境光束，降低电路背板10的反射杂光，尽可能地避免黑屏时电路背板10反光；另一方面，可以吸收LED芯片20射向电路背板10的光束，降低屏幕使用时，电路背板10的散热负担。

在本申请可选的实施例中，砷化镓层24的面积大于发光层22的面积。

可以理解，砷化镓层24的面积大于发光层22的面积，可以尽可能保证砷化镓材料层对LED芯片20光束的吸收。

在本申请可选的实施例中，P型半导体层23的面积大于发光层22的面积，且P型半导体层23的面积小于砷化镓层24面积。

可以理解，设置于N型半导体层21上的发光层22、P型半导体层23和砷化镓层24可以成凸台状，剖面为梯形，尽可能保证砷化镓材料层对LED芯片20光束的吸收。

在本申请可选的实施例中，激光照射系统包括与处理器电连接的激光光源和数字微镜装置（Digital Micromirror Device，DMD）芯片，DMD芯片设置于激光光源的出射光路上，DMD芯片用于选择性地反射激光光源的出射光束至蓝宝石衬底30的任一区域。

DMD芯片是广泛应用于投影仪的核心成像器件，它包含一组高反射铝微镜的光学微机电系统，主要包括电子电路、机械和光学三个方面。其中电子电路的作用就是控制电路，机械部分主要控制镜片转动，光学器件部分便是指镜片。当DMD芯片正常工作的时，光线经过DMD芯片，DMD表面布满的体积微小的可转动镜片便会通过转动来反射光线，每个镜片的旋转都是由电路来控制的。

第二方面，本申请提供一种砷化镓芯片安装测试方法，应用于第一方面任一项公开的砷化镓芯片安装测试结构，该方法包括以下步骤：

S1：向驱动电路层12输出测试信号，以点亮电路背板10上的各个LED芯片20。

S2：获取监测图像，通过图像处理算法计算监测图像中各个LED芯片20对应的单点区域亮度。

S3：向激光照射系统输出第一照射信号，以控制激光照射系统照射整个蓝宝石衬底30，使得氮化镓材料转化为氮气以冲击LED芯片20的N型半导体层21，使得单点区域的亮度提高。

其中,S1、S2等仅为步骤标识，方法的执行顺序并不一定按照数字由小到大的顺序进行，比如可以是先执行步骤S2再执行步骤S1，本申请不做限制。

可以理解，本申请公开了一种砷化镓芯片安装测试方法，点亮电路背板10上的各个LED芯片20后，可以通过计算监测图像中单点区域亮度，来判断LED芯片20是否达到预设要求。同时，如图3所示，控制激光照射系统对整个蓝宝石衬底30进行照射，使得氮化镓材料转化为氮气以冲击LED芯片20的N型半导体层21，减薄具有吸光能力的N型半导体层21，提高红光LED芯片20的发光效率。

在本申请可选的实施例中，砷化镓芯片安装测试方法还包括以下步骤：

S4：将监测图像中未达到预设亮度阈值的单点区域亮度，作为目标区域；

S5：向激光照射系统输出第二照射信号，控制激光照射系统照射蓝宝石衬底30的局部区域，使得目标区域的亮度提高。

可以理解，仅通过第一照射信号对整个蓝宝石衬底30进行激光照射时，可能会由于激光光束尺寸较小等原因遗漏部分LED芯片20，导致部分LED芯片20的N型半导体层21未得到充分减薄。因此可以通过第二照射信号，控制激光照射系统照射蓝宝石衬底30的局部区域，继续减薄该局部区域对应的LED芯片20，提高LED芯片20的出光效率。

在本申请可选的实施例中，砷化镓芯片安装测试方法还包括以下步骤：

S6：在单点区域亮度提高到预设亮度阈值之后，用显影液去除光刻胶40，使得蓝宝石衬底30与LED芯片20分离。

S7：通过焊料100将第一电极25焊接在第一触垫121，通过焊料100将第二电极26焊接在第二触垫122上。

可以理解，本申请在对红光LED芯片20进行测试的同时，提升红光LED芯片20的发光效率。如图4所示，在测试完成后，通过显影液洗去光刻胶40，分离蓝宝石衬底30，使得LED芯片20安置于对应的第一触垫121和第二触垫122上。后续可以通过加热触垫上的焊料100，将LED芯片20焊接于电路背板10上。

在本公开的各种实施方式中所使用的表述“第一”、“第二”、“所述第一”或“所述第二”可修饰各种部件而与顺序和/或重要性无关，但是这些表述不限制相应部件。以上表述仅配置为将元件与其它元件区分开的目的。例如，第一用户设备和第二用户设备表示不同的用户设备，虽然两者均是用户设备。例如，在不背离本公开的范围的前提下，第一元件可称作第二元件，类似地，第二元件可称作第一元件。

当一个元件(例如，第一元件)称为与另一元件(例如，第二元件)“(可操作地或可通信地)联接”或“(可操作地或可通信地)联接至”另一元件(例如，第二元件)或“连接至”另一元件(例如，第二元件)时，应理解为该一个元件直接连接至该另一元件或者该一个元件经由又一个元件(例如，第三元件)间接连接至该另一个元件。相反，可理解，当元件(例如，第一元件)称为“直接连接”或“直接联接”至另一元件(第二元件)时，则没有元件(例如，第三元件)插入在这两者之间。

需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素，此外，本申请不同实施例中具有同样命名的部件、特征、要素可能具有相同含义，也可能具有不同含义，其具体含义需以其在该具体实施例中的解释或者进一步结合该具体实施例中上下文进行确定。

以上描述仅为本申请的可选实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离上述发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。

取决于语境，如在此所使用的词语“如果”、“若”可以被解释成为“在……时”或“当……时”或“响应于确定”或“响应于检测”。类似地，取决于语境，短语“如果确定”或“如果检测（陈述的条件或事件）”可以被解释成为“当确定时”或“响应于确定”或“当检测（陈述的条件或事件）时”或“响应于检测（陈述的条件或事件）”。

以上所述仅为本申请的可选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种砷化镓芯片安装测试结构，其特征在于，包括：

电路背板，包括层叠设置的基板、驱动电路层和平坦层，所述平坦层上设置有与所述驱动电路层连接的第一触垫和第二触垫；

LED芯片，所述LED芯片的N型半导体层包括砷化镓材料，所述LED芯片设置于所述电路背板上，使得导通P型半导体层的第一电极与所述第一触垫接触，导通所述N型半导体层的第二电极与所述第二触垫接触；

蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底上排布有凸起结构，所述凸起结构的尺寸小于预设尺寸阈值，且所述凸起结构为氮化镓材料制成；所述蓝宝石衬底设置有所述凸起结构的表面压实在所述LED芯片上，所述蓝宝石衬底与所述平坦层之间填充有光刻胶；

优化系统，包括激光照射系统、摄像头以及与所述驱动电路层、所述激光照射系统和所述摄像头电连接的处理器，所述激光照射系统可以针对所述蓝宝石衬底的任一区域进行照射，所述摄像头用于拍摄所述电路背板上的处于发光状态的各个所述LED芯片，得到监测图像；

所述LED芯片包括依次层叠的N型半导体层、发光层、P型半导体层和砷化镓层；

所述发光层设置于所述N型半导体层的第一表面的中央区域上，所述第一表面上围绕所述中央区域设置有所述第二电极；

所述砷化镓层上设置有所述第一电极。

2.根据权利要求1所述的砷化镓芯片安装测试结构，其特征在于，

所述砷化镓层的面积大于所述发光层的面积。

3.根据权利要求2所述的砷化镓芯片安装测试结构，其特征在于，

所述P型半导体层的面积大于所述发光层的面积，且所述P型半导体层的面积小于所述砷化镓层面积。

4.根据权利要求1所述的砷化镓芯片安装测试结构，其特征在于，

所述平坦层上设置有凹槽，用于容置所述LED芯片；所述凹槽的底部设置有所述第一触垫，所述平坦层围绕所述凹槽设置有第二触垫。

5.根据权利要求4所述的砷化镓芯片安装测试结构，其特征在于，

所述第一电极与所述第一表面的距离为第一距离，所述第二电极与所述第一表面的距离为第二距离，

所述凹槽的高度小于或等于所述第一距离与所述第二距离的差值。

6.根据权利要求1至5任一项所述的砷化镓芯片安装测试结构，其特征在于，

所述激光照射系统包括与所述处理器电连接的激光光源和DMD芯片，所述DMD芯片设置于所述激光光源的出射光路上，DMD芯片用于选择性地反射所述激光光源的出射光束至所述蓝宝石衬底的任一区域。

7.一种砷化镓芯片安装测试方法，应用于权利要求1至6任一项所述的砷化镓芯片安装测试结构，其特征在于，包括以下步骤：

S1：向所述驱动电路层输出测试信号，以点亮所述电路背板上的各个所述LED芯片；

S2：获取所述监测图像，通过图像处理算法计算所述监测图像中各个所述LED芯片对应的单点区域亮度；

S3：向所述激光照射系统输出第一照射信号，以控制所述激光照射系统照射整个所述蓝宝石衬底，使得所述氮化镓材料转化为氮气以冲击所述LED芯片的N型半导体层，使得所述单点区域的亮度提高。

8.根据权利要求7所述的砷化镓芯片安装测试方法，其特征在于，还包括以下步骤：

S4：将所述监测图像中未达到预设亮度阈值的所述单点区域亮度，作为目标区域；

S5：向所述激光照射系统输出第二照射信号，控制所述激光照射系统照射所述蓝宝石衬底的局部区域，使得所述目标区域的亮度提高。

9.根据权利要求8所述的砷化镓芯片安装测试方法，其特征在于，

还包括以下步骤：

S6：在所述单点区域亮度提高到所述预设亮度阈值之后，用显影液去除所述光刻胶，使得所述蓝宝石衬底与所述LED芯片分离；

S7：通过焊料将所述第一电极焊接在所述第一触垫，通过焊料将所述第二电极焊接在所述第二触垫上。