CN113257964A - 微led芯片及其封装方法、电子装置 - Google Patents
微led芯片及其封装方法、电子装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113257964A CN113257964A CN202110774892.0A CN202110774892A CN113257964A CN 113257964 A CN113257964 A CN 113257964A CN 202110774892 A CN202110774892 A CN 202110774892A CN 113257964 A CN113257964 A CN 113257964A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- micro led
- electrode
- led chip
- substrate
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 51
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 187
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 17
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 13
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 12
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 8
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 5
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 5
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 210
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 17
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 9
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 7
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 5
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 5
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000306 component Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000008358 core component Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000241 photoluminescence detection Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000012956 testing procedure Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明提供微LED芯片、电子装置及其封装方法，封装方法包括：提供第一衬底，所述第一衬底上设有若干微LED芯片结构，任意相邻的微LED芯片结构之间间隔第一间距；提供第二衬底，所述第二衬底一侧的表面上设有结合层；键合若干微LED芯片结构和所述结合层；激光照射第一衬底，转移若干微LED芯片结构至所述结合层远离所述第二衬底一侧的表面，所述结合层上的任意相邻的微LED芯片结构之间间隔第二间距，且所述第二间距大于所述第一间距；以及于所述第二衬底上形成扩展电极，所述扩展电极连接于所述微LED芯片结构的器件电极。
Description
技术领域
本发明涉及半导体器件制作技术领域，尤其涉及一种微LED芯片、电子装置及其封装方法。
背景技术
LED(Light-Emitting Diode，发光二极管)芯片作为半导体照明的核心元器件，保证其基本的光电性能和外观要求是后续加工的基础，在LED芯片的生产加工完成后，需要对芯片进行光电性能测试，以便根据其光电参数对LED芯片进行等级分类。
在现有LED芯片中，一般用自动测试机进行测试，但是现有技术中的点测技术通常适用于普通尺寸的LED芯片。随着LED的发展，MiniLED和MicroLED作为新一代显示技术，通过将LED芯片微小化使用，作为显示面板使用。以尺寸小于100μm的MicroLED为例，由于MicroLED电极尺寸变小和正负电极之间距离变小，导致现有技术中的电性测试的探针设备难以完成MicroLED微器件光电测试。此外，目前的非接触式测试手段光致发光检测和光学检测还无法替代电性测试的测试内容。
另外，现有的正装结构微LED芯片的正负极通过金线引线键合焊接在支架的正负极上形成正装封装结构；而，垂直结构的微LED芯片的封装，将垂直结构的微LED芯片的正极通过金线引线键合焊接在支架的正极上，负极是通过金球共晶键合在支架的负极上。由于采用金线引线工艺容易存在虚焊导致接触不良。
因此，需要提出一种微LED芯片结构及其制作方法，避免采用金线引线键合工艺，克服现有的微LED芯片结构封装难度大、光电检测困难的问题。
发明内容
为解决上述问题，本发明技术方案提供了一种封装方法，适用于微LED芯片封装，所述封装方法包括：
提供第一衬底，所述第一衬底上设有若干微LED芯片结构，任意相邻的微LED芯片结构之间间隔第一间距；
提供第二衬底，所述第二衬底一侧的表面上设有结合层；
键合若干微LED芯片结构和所述结合层；
激光照射第一衬底，转移若干微LED芯片结构至所述结合层远离所述第二衬底一侧的表面，所述结合层上的任意相邻的微LED芯片结构之间间隔第二间距，且所述第二间距大于所述第一间距；以及
于所述第二衬底上形成扩展电极，所述扩展电极连接于所述微LED芯片结构的器件电极。
作为可选的技术方案，所述结合层整面设置于所述第二衬底一侧的表面；或者，所述结合层包括若干结合单元，任意相邻的结合单元之间间隔所述第二间距。
作为可选的技术方案，所述结合层为选自环氧树脂黏胶、聚酰亚胺黏胶或者苯并环丁烯黏胶。
作为可选的技术方案，激光照射第一衬底，转移若干微LED芯片至所述结合层远离所述第二衬底一侧的表面的步骤包括：
若干微LED芯片结构包括多个第一微LED芯片结构；
激光照射所述第一衬底上每个第一微LED芯片结构，分离每个第一微LED芯片结构和所述第一衬底，每个第一微LED芯片结构转移至所述第二衬底的所述结合层上，任意相邻的第一微LED芯片结构之间间隔所述第二间距。
作为可选的技术方案，于所述第二衬底上形成扩展电极的步骤包括：
形成平坦层覆盖所述结合层远离所述第二衬底一侧的表面上每个第一微LED芯片结构；
图案化所述平坦层，以使每个第一微LED芯片结构的器件电极和发光区域露出；
形成第一导电层于所述平坦层远离所述结合层的一侧，所述第一导电层覆盖每个第一微LED芯片结构的器件电极；以及
图案化所述第一导电层，形成多个扩展电极，每个扩展电极连接于对应的每个第一微LED芯片结构的器件电极。
作为可选的技术方案，图案化所述平坦层，以使每个第一微LED芯片结构的器件电极露出的步骤包括：
减薄所述平坦层远离所述结合层的一侧，以使每个第一微LED芯片结构的器件电极和发光区域露出；或者，蚀刻所述平坦层，形成多个开口，每个第一微LED芯片结构的器件电极和发光区域与对应的开口相对。
作为可选的技术方案，每一第一微LED芯片结构的器件电极包括第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极位于所述第二衬底的同一侧；所述发光区域位于所述第一电极和所述第二电极之间；每一扩展电极包括第一扩展电极和第二扩展电极，所述第一电极连接所述第一扩展电极，所述第二电极连接于所述第二扩展电极。
作为可选的技术方案，还包括：形成反射层于所述发光区域的出光面上，所述出光面远离所述第二衬底且平行于所述第二衬底。
作为可选的技术方案，每一第一微LED芯片结构的器件电极包括第三电极和背侧电极，所述第三电极和所述背侧电极分别为位于所述第二衬底的相背的两侧；所述第三电极连接所述扩展电极；其中，于所述第二衬底上形成扩展电极的步骤还包括：
图案化所述平坦层形成多个开口，所述每一第一微LED芯片结构自对应的开口露出；
形成第三电极于对应的开口中，每个第三电极连接每个第一微LED芯片结构。
作为可选的技术方案，所述封装方法还包括：
减薄所述第二衬底远离所述结合层的一侧；
形成第三导电层于减薄后的所述第二衬底远离所述结合层的一侧；以及
图案化所述第三导电层，形成多个所述背侧电极，每个背侧电极连接第一微LED芯片结构。
作为可选的技术方案，激光照射所述第一衬底，转移若干微LED芯片至所述结合层远离所述第二衬底一侧的表面的步骤包括：
当若干微LED芯片结构均为蓝光微LED时，划分若干微LED芯片结构形成多个微LED单元；
激光照射第一衬底，转移多个微LED单元至结合层远离第二衬底一侧的表面，结合层上任意相邻的微LED单元之间间隔第二间距，第二间距大于第一间距。
本发明还提供一种微LED芯片，所述微LED芯片包括：衬底；结合层，所述结合层设置于所述衬底一侧的表面；发光器件，所述发光器件设置于所述结合层远离所述衬底一侧的表面，所述发光器件包括器件电极；扩展电极，所述扩展电极连接于所述器件电极。
作为可选的技术方案，所述器件电极包括第一电极和第二电极；所述扩展电极包括第一扩展电极和第二扩展电极；所述第一扩展电极连接所述第一电极，所述第二扩展电极连接所述第二电极；其中，所述第一电极和所述第二电极位于所述衬底的同一侧。
作为可选的技术方案，还包括反射层，所述反射层设置于所述发光器件远离所述衬底一侧的表面，且位于所述第一电极和所述第二电极之间。
作为可选的技术方案，还包括色转换层，所述色转换层设置于所述发光器件远离所述衬底一侧的表面，所述色转换层位于所述第一电极和所述第二电极之间。
作为可选的技术方案，所述微LED芯片还包括：平坦层，所述平坦层设置于所述结合层和扩展电极之间，且所述平坦层围绕所述发光器件的周边设置。
作为可选的技术方案，所述平坦层为选自吸光型平坦层。
作为可选的技术方案，所述器件电极包括第三电极和背侧电极；所述扩展电极连接所述第三电极；其中，所述第三电极和所述背侧电极位于所述衬底的相背的两侧。
作为可选的技术方案，所述结合层为选自环氧树脂黏胶、聚酰亚胺黏胶或者苯并环丁烯黏胶。
本发明还提供一种电子装置，所述电子装置包括如上所述的微LED芯片。
作为可选的技术方案，所述电子装置为照明装置或者显示装置。
作为可选的技术方案，所述电子装置包括若干微LED单元和挡墙结构，所述挡墙结构围绕于每个微LED单元设置，或者，所述挡墙结构围绕每个微LED单元的每个微LED芯片结构设置。
与现有技术相比，微LED芯片、电子装置及封装方法，通过转移技术将晶圆片上的待封装的微LED芯片结构转移至第二衬底上，且控制第二衬底上任意相邻的微LED芯片结构之间的间距扩大至满足后续扩展电极、电极走线所需的空间，降低封装难度以及光电测试中探针和扩展电极之间的测试稳定性。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一实施例中微LED的封装方法的流程图。
图2为本发明一实施例中微LED芯片的俯视示意图。
图3为第一衬底的剖面示意图。
图4为键合第一衬底和辅助基板的剖面示意图。
图5为分离第一衬底和辅助基板的剖面示意图。
图6为键合辅助基板和第二衬底的剖面示意图。
图7为分离辅助基板和第二衬底的剖面示意图。
图8为于图7中的第二衬底上形成平坦层的剖面示意图。
图9为减薄平坦层的剖面示意图。
图10为于平坦层上形成第一导电层的剖面示意图。
图11为图案化第一导电层形成扩展电极的剖面示意图。
图12为于扩展电极之间设置反射层的剖面示意图。
图13为切割获得独立的微LED芯片的剖面示意图。
图14为本发明另一实施例中封装后的微LED芯片的剖面示意图。
图15为本发明又一实施例中图案化平坦层的剖面示意图。
图16为本发明又一实施例中形成色转换层于图案化平坦层的剖面示意图。
图17为本发明又一实施例中于平坦层上形成第一导电层的剖面示意图。
图18为本发明又一实施例中图案化第一导电层形成扩展电极的剖面示意图。
图19为本发明又一实施例中切割形成微LED芯片的剖面示意图。
图20为图2中微LED芯片形成一微LED单元的示意图。
图21为图2中微LED芯片形成另一微LED单元的示意图。
图22为图2中微LED芯片形成的微LED阵列的示意图。
图23为本发明又一实施例中微LED芯片的俯视示意图。
图24为本发明又一实施例中第一衬底的剖面示意图。
图25为本发明又一实施例中键合第一衬底和第二衬底的剖面示意图。
图26为本发明又一实施例中分离第一衬底和第二衬底的剖面示意图。
图27为本发明又一实施例中于第二衬底上形成平坦层的剖面示意图。
图28为本发明又一实施例中图案化平坦层的剖面示意图。
图29为本发明又一实施例中于图案化平坦层中形成第三电极的剖面示意图。
图30为本发明又一实施例中于平坦层上形成第三导电层的剖面示意图。
图31为本发明又一实施例中图案化第三导电层的剖面示意图。
图32为本发明又一实施例中薄化第二衬底的剖面示意图。
图33为本发明又一实施例中于薄化第二衬底上形成背侧电极的剖面示意图。
图34为本发明又一实施例中切割形成微LED芯片的剖面示意图。
图35为本发明再一实施例中薄化第二衬底的剖面示意图。
图36为本发明再一实施例中于薄化第二衬底上形成背侧电极的剖面示意图。
图37为本发明再一实施例中切割形成微LED芯片的剖面示意图。
图38为图23中微LED芯片形成一微LED单元的示意图。
图39为图23中微LED芯片形成另一微LED单元的示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面结合实施例及附图，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
晶圆级封装(WLP，Wafer Level Package)是指直接在晶圆上进行大部分或是全部的封装测试程序，之后再进行切割(singulation)制成单颗组件。在WLP中，由于裸片本身成为封装，因此它是可以制造的最小封装，目前已经被广泛应用。
另外，由于微LED尺寸显著变小，当晶圆上的微LED采用晶圆级封装工艺封装时，存在封装难度大，封装后的光电测试不易进行的问题。
如图1所示，本发明一实施例中提供一种封装方法，适用于微LED芯片封装，其包括：
提供第一衬底，第一衬底上设有若干微LED芯片结构，任意相邻的微LED芯片结构之间间隔第一间距；
提供第二衬底，第二衬底一侧的表面上设有结合层；
键合若干微LED芯片结构和所述结合层；
激光照射第一衬底，转移若干微LED芯片结构至结合层远离第二衬底一侧的表面，结合层上任意相邻的微LED芯片结构之间间隔第二间距，第二间距大于第一间距；以及
于第二衬底上形成扩展电极，扩展电极连接于微LED芯片结构的器件电极。
上述封装方法中，用于提高光电测试可靠性的扩展电极形成之前，通过转移技术例如巨量转移技术，将若干微LED芯片结构进行扩距转移（第二间距大于第一间距），在相邻的微LED芯片结构之间形成充裕的间距，利用充裕的间距制作出扩展电极，扩展电极连接器件电极，较佳的，扩展电极的尺寸可显著大于器件电极，后续的光电测试中，现有的光电测试装置的测试探针得以与扩展电极接触进行光电性能检测。另外，转移后微LED芯片结构之间形成充裕的间距，降低了扩展电极的制作难度，即，降低了微LED芯片在晶圆级封装工艺下的封装难度，使得封装过程更易进行，对设备的要求显著降低。
在一较佳的实施方式中，激光照射第一衬底，转移若干微LED芯片至结合层远离第二衬底一侧的表面的步骤包括：
若干微LED芯片结构包括多个第一微LED芯片结构；
激光照射第一衬底上每个第一微LED芯片结构，分离每个第一微LED芯片结构和第一衬底，每个第一微LED芯片结构转移至第二衬底的结合层上，任意相邻的第一微LED芯片结构之间间隔第二间距。
在一较佳的实施方式中，于所述第二衬底上形成扩展电极的步骤包括：
形成平坦层覆盖所述结合层远离第二衬底一侧的表面上每个第一微LED芯片结构；
图案化所述平坦层，以使每个第一微LED芯片结构的器件电极和发光区域露出；
形成第一导电层于平坦层远离结合层的一侧，第一导电层覆盖每个第一微LED芯片结构的器件电极；以及
图案化第一导电层，形成多个扩展电极，每个扩展电极连接于对应的每个第一微LED芯片结构的器件电极。
结合图2至图13，详细说明上述微LED芯片结构的封装过程。
如图2和图3所示，提供第一衬底10，第一衬底10上设有若干微LED芯片结构20，任意相邻的微LED芯片结构20之间间隔第一间距W1。
每一微LED芯片结构20自下而上包括依序叠置的缓冲层21、N型氮化镓层22、量子阱层23、P型氮化镓24以及器件电极26，钝化层25包覆缓冲层21、N型氮化镓层22、量子阱层23、P型氮化镓24，其中，器件电极26伸出于钝化层25远离第一衬底10一侧的表面，以便与外部器件进行电性连接。
需要说明的是，通过图案化缓冲层21形成极窄的狭缝结构，极窄的狭缝结构使得相邻的微LED芯片结构之间间隔第一间距W1。这种极窄的狭缝结构可有效提升缓冲层21的有效利用率。
在一较佳的实施方式中，缓冲层21例如是氮化镓缓冲层、砷化镓缓冲层、镓铟砷磷缓冲层。
本实施例中，微LED芯片结构20例如是正装结构LED。
如图4至图7所示，转移第一衬底10上的若干微LED芯片结构20至第二衬底50的结合层60上，具体包括：
提供辅助基板30，辅助基板30一侧的表面上设置接收层40，其中，接收层40例如是具有一定粘附力的黏胶层。
键合若干微LED芯片结构20的器件电极26至辅助基板30上的接收层40；激光选择性照射第一衬底10上的若干微LED芯片结构20中的第一微LED芯片结构P1，使得第一微LED芯片结构P1与第一衬底10分离，并结合于辅助基板30的接收层40上。通过激光选择性照射第一衬底10上的第一微LED芯片结构P1，可控制转移到辅助基板30上的任意相邻的第一微LED芯片结构P1之间间隔第二间距W2。
在一较佳的实施例中，第一衬底10例如是蓝宝石衬底等激光可透过的透明衬底。
本实施例中，第一衬底10上的任意两个相邻的第一微LED芯片结构P1之间间隔一个微LED芯片结构，但不以此为限。在本发明其他实施例中，任意两个相邻的第一微LED芯片结构可以间隔两个或者两个以上的微LED芯片结构。
提供第二衬底50，第二衬底50一侧的表面上设有结合层60；键合辅助基板30上的第一微LED芯片结构P1至结合层60远离第二衬底50一侧的表面上。
本实施例中，结合层60的粘性大于接收层40的粘性，即，第一微LED芯片结构P1和结合层60的结合力大于第一微LED芯片结构P1和接收层40之间的结合力。较佳的，结合层60例如为聚酰亚胺黏胶结合层或者苯并环丁烯黏胶结合层。
如图6和图7所示，通过UV光照、热解等方式解除接收层40和第一微LED芯片结构P1的器件电极26之间的结合力，即，使得第一微LED芯片结构P1的器件电极26与接收层40分离，进而第一微LED芯片结构P1转移至第二衬底50的结合层60上，此时，第一微LED芯片结构P1的器件电极26朝向远离第二衬底50的一侧伸出。
需要说明的是，由于微LED芯片结构20为正装结构的LED，通过辅助基板和结合层的作用，确保转移至第二衬底50的结合层60上的微LED芯片结构20的器件电极26露出，便于后续扩展电极的制作。
如图7所示，第二衬底50上，任意相邻的第一微LED芯片结构P1之间间隔第二间距W2。
如图6所示，结合层60例如是整面覆盖于第二衬底50一侧的表面上，但不以此为限。在本发明其他实施例中，结合层可以包括多个结合单元，结合单元之间间隔第二间距。
如图8至图13所示，于第二衬底50上形成扩展电极的过程，大致包括：
如图8所示，在结合层60远离第二衬底50一侧的表面形成平坦层70，平坦层70整面覆盖结合层60以及结合层60上第一微LED芯片结构P1。
在一较佳的实施方式中，平坦层70例如为采用吸光材料制成的吸光型平坦层，包括但不限于，黑色平坦层。
如图9所示，等离子体蚀刻平坦层70远离第二衬底50一侧，形成薄化平坦层71，使得第一微LED芯片结构P1的器件电极26和发光区域270（如图11所示）露出，其中，器件电极26突出于薄化平坦层71远离第二衬底50的一侧；第一微LED芯片结构P1的发光区域齐平于薄化平坦层71远离第二衬底50的一侧表面。
如图10所示，形成第一导电层80于薄化平坦层71远离第二衬底50的一侧表面上，第一导电层80覆盖器件电极26的第一电极261和第二电极262。第一电极261和第二电极262位于第二衬底50的同一层。
如图11所示，图案化第一导电层80形成扩展电极，扩展电极包括第一扩展电极81和第二扩展电极82，第一扩展电极81连接第一电极261，第二扩展电极82连接第二电极262，较佳的，第一扩展电极81和第二扩展电极82分别朝向远离发光区域270的方向延伸，发光区域270位于第一电极261和第二电极262之间。
本实施例中，在扩展电极形成之前，预先形成平坦层70，平坦层70提供平整表面可提高后续扩展电极和器件电极之间的连接稳定性，进而提高后续光电检测的稳定性。另外，平坦层70采用吸光材料，还可以改善微LED芯片结构后续应用到电子装置中的光串扰，改善光串扰。
需要说明的是，在本发明其他实施例中，第一微LED芯片结构转移至第二衬底的结合层后，也可以直接在结合层上形成导电层，图案化导电层获得与器件电极连接的扩展电极。
本实施例中，由于第二间距W2大于第一间距W1，其为扩展电极的制作提供了更加充裕的空间。
另外，通过图案化第一导电层80形成扩展电极的方式还可以被蒸镀工艺替换。即，提供掩膜版，掩膜版上的蒸镀开口对应于器件电极，蒸镀材料经过蒸镀开口蒸镀至器件电极上，形成扩展电极。扩展电极的图案形成与蒸镀开口的图案形状相似。
如图11和图12所示，发光区域270远离第二衬底50一侧的表面上还可形成反射层90，反射层90位于第一电极261和第二电极262之间。其中，反射层90使得第一微LED芯片结构P1的发光方向向下穿透第二衬底50。此时，第一微LED发光器件P1类似于倒装结构LED。
如图2和图12所示，经切割，形成多个独立的微LED芯片100。微LED芯片100中，第一扩展电极81和第二扩展电极82可直接用于与外部器件电性连接。
如图14所示，在本发明另一实施例中提供微LED芯片100’，其与微LED芯片100的区别在于，完成扩展电极的制备后，于第二衬底50、结合层60和平坦层70中形成贯孔，并于贯孔中填充导电材料例如，铜、铝、银等，形成辅助电极，辅助电极便于微LED芯片100’与外部器件进行焊接。
另外，在本发明其他实施例中，微LED芯片结构中结合层靠近第二衬底一侧的表面上还可设置反射层。
如图15至图19所示，本发明另一实施例中还提供微LED芯片100’’的封装过程。其中，图14至图18中与图3至图13中相同的标号代表相同的元件，具有相似的功能，不另赘述。
微LED芯片100’’和微LED芯片100的区别在于，平坦层70的图案化方法不同。
如图8和图15所示，通过光刻工艺在平坦层70远离结合层60一侧的表面上蚀刻出多个开口72，器件电极26的第一电极261和第二电极262分别位于对应的开口72中。
光刻工艺包括在平坦层70远离结合层60一侧涂布光刻胶，再经曝光形成开口72。
如图16所示，还包括在第一电极261和第二电极262之间形成色转换层91，色转换层91包括红色量子点层、绿色量子点层，其将第一微LED芯片结构P1例如蓝光微LED发出的蓝色光转换为红色或者绿色，以用于白光照明、显示装置等。
如图17所示，于平坦层70远离结合层60一侧的表面上形成第一导电层80’，第一导电层80’整面覆盖于平坦层70上，且与开口72中的第一电极261和第二电极262相互接触。
如图18所示，图案化第一导电层80’形成多个第一扩展电极81’和多个第二扩展电极82’，其中，第一扩展电极81’连接于第一电极261，第二扩展电极82’连接于第二电极262，第一扩展电极81’和第二扩展电极82’分别朝向远离色转换层91的方向延伸。
另外，通过图案化第一导电层80’形成多个第一扩展电极81’和多个第二扩展电极82’的方式还可以被蒸镀工艺替换。即，提供掩膜版，掩膜版上的蒸镀开口对应于平坦层70上开口中的器件电极，蒸镀材料经过蒸镀开口蒸镀至器件电极上，形成扩展电极。扩展电极的图案形成与蒸镀开口的图案形状相似。
如图19所示，经切割，形成多个独立的微LED芯片100’’。微LED芯片100’’中，第一扩展电极81’和第二扩展电极82’可直接用于与外部器件电性连接。
如图20所示，本发明还提供一种微LED单元200，其包括依序层叠设置的衬底（未图示）、结合层206、微LED芯片结构单元以及扩展电极，其中，微LED芯片结构单元包括第一微LED芯片结构201、第二微LED芯片结构202和第三微LED芯片结构203；扩展电极包括第一扩展电极204和第二扩展电极205，其分别连接第一微LED芯片结构201、第二微LED芯片结构202以及第三微LED芯片结构203的器件电极。
通过更大尺寸的扩展电极同时连接微LED芯片结构单元中多个微LED芯片结构的器件电极，可进一步降低扩展电极的制程难度，以及提高光电测试的探针和扩展电极之间接触的稳定性。
本实施例中，若第一微LED芯片结构201、第二微LED芯片结构202以及第三微LED芯片结构203均为蓝光微LED芯片结构时，使用图1中所示的封装方法封装微LED单元200的过程中，第一微LED芯片结构201、第二微LED芯片结构202以及第三微LED芯片结构203可以是一次转移至第二衬底上。
若第一微LED芯片结构201、第二微LED芯片结构202以及第三微LED芯片结构203分别为颜色不同的微LED芯片结构时，使用图1中所示的封装方法封装微LED单元200的过程中，第一微LED芯片结构201、第二微LED芯片结构202以及第三微LED芯片结构203分别经转移步骤转移至第二衬底上，即，经过3次转移过程，可将第一、第二、第三微LED芯片结构201、202、203各自转移到第二衬底上。
换言之，图1中所示的激光照射第一衬底，转移若干微LED芯片结构至结合层远离第二衬底一侧的表面，结合层上任意相邻的微LED芯片结构之间间隔第二间距，第二间距大于第一间距的步骤还包括：
当若干微LED芯片结构均为蓝光微LED时，划分若干微LED芯片结构形成多个微LED单元；
激光照射第一衬底，转移多个微LED单元至结合层远离第二衬底一侧的表面，结合层上任意相邻的微LED单元之间间隔第二间距，第二间距大于第一间距。
结合层206和微LED芯片100中的结合层60的材料相同。
此外，结合层206上还可以设置平坦层，以使第一扩展电极204和第二扩展电极205分别形成于平坦层上，藉由平坦层的平整表面使得第一扩展电极204和第二扩展电极205与器件电极之间连接稳定。
如图21所示，本发明还提供另一微LED单元200’，其与微LED单元200的区别在于，微LED单元200’中还包括多个挡墙结构207，围绕第一微LED芯片结构201、第二微LED芯片结构202以及第三微LED芯片结构203分别设置挡墙结构207。
挡墙结构207优选为吸光型挡墙结构，例如黑色树脂挡墙结构，其围绕每个微LED芯片结构的外侧设置，用于避免相邻的微LED芯片结构之间的光串扰问题，提高显示效果。
如图22所示，本发明还提供一种微LED阵列200’’，微LED阵列200例如应用于显示面板，其包括多个微LED单元200。
还包括另一挡墙结构208，例如黑色矩阵，黑色矩阵围绕每个微LED单元200的外侧设置，其用于显示面板时，每个微LED单元200可视作一个像素单元，黑色矩阵位于任意相邻的像素单元之间，用于克服像素单元之间的光串扰，以提高显示面板的显示对比度。
在本发明其他实施例中，显示面板微LED阵列采用微LED单元200’的设置时，挡墙结构207可替换微LED阵列200’’中的挡墙结构208，此时，挡墙结构208可以被省略。
如图23所示，本发明另一实施例中还提供微LED芯片1000，例如为垂直结构LED。
垂直结构的微LED芯片1000的封装过程如图24至图34中所示。
如图24所示，提供第一衬底1100，第一衬底1100上设有若干微LED芯片结构1200，任意相邻的微LED芯片结构1200之间间隔第一间距W3。
每一微LED芯片结构1200自下而上包括依序叠置的缓冲层1201、N型氮化镓层1202、量子阱层1203、P型氮化镓1204以及金属电极1206，钝化层1205包覆缓冲层1201、N型氮化镓层1202、量子阱层1203、P型氮化镓1204以及部分金属电极1206，其中，金属电极1206伸出于钝化层1205远离第一衬底10一侧的表面。
需要说明的是，通过图案化缓冲层1201形成极窄的狭缝结构，极窄的狭缝结构使得相邻的微LED芯片结构之间间隔第一间距W3。这种极窄的狭缝结构可有效提升缓冲层1201的有效利用率。
在一较佳的实施方式中，缓冲层1201例如是氮化镓缓冲层、砷化镓缓冲层、镓铟砷磷缓冲层。
如图25至图26所示，转移第一衬底1100上的若干微LED芯片结构1200至第二衬底1300的结合层上的步骤，具体包括：
提供第二衬底1300，形成结合层至第二衬底1300一侧的表面上，结合层包括若干结合单元1400，任意相邻的结合单元1400之间间隔第二间距W4；键合第一衬底1100上若干微LED芯片结构1200中的第一微LED芯片结构P1与结合单元1400；激光照射第一衬底1100，使得第一微LED芯片结构P1与第一衬底1100分离，转移至对应的结合单元1400上。由于任意相邻的结合单元1400间隔第二间距W4，因此，第二衬底1300上与结合单元1400结合的任意相邻的第一微LED芯片结构P1之间间隔第二间距W4。
本实施例中，第二衬底1300一侧的表面上的若干结合单元1400可以是采用光刻工艺蚀刻整面的结合层后形成，但不以此为限。在本发明其他实施例中，也可以是通过涂布工艺，按照预设间距涂布结合单元。
在一较佳的实施例中，第一衬底10例如是蓝宝石衬底等激光可透过的透明衬底。
如图27至图31所示，形成扩展电极1701的过程大致包括：
如图27所示，形成平坦层1500至第二衬底1300一侧的表面上，平坦层1500整面覆盖第二衬底1300、结合单元1400以及第一微LED芯片结构P1。
在一较佳的实施方式中，平坦层1500例如为采用吸光材料制成的吸光型平坦层，包括但不限于，黑色平坦层。
如图28所示，通过光刻工艺在平坦层1500远离第二衬底1300一侧的表面上蚀刻出多个开口1501，第一微LED芯片结构P1的缓冲层1201位于对应的开口1501中。
在本发明其他实施例中，也可以通过等离子体蚀刻工艺减薄平坦层远离第二衬底一侧的表面，以暴露出第一微LED芯片结构P1远离金属电极的一侧。
如图29所示，蒸镀第三电极1600至开口1501中，第三电极1600接触缓冲层1201和钝化层1205。
在第三电极1600和金属电极1206的两侧通电，第一微LED芯片结构P1进行发光。本实施例中，第三电极1600例如是透明电极。
如图30所示，于平坦层1500远离第二衬底1300一侧的表面上形成第三导电层1700，第三导电层1700覆盖第三电极1600。第三电极1600和金属电极1206分别作为第一微LED芯片结构P1（或者微LED芯片结构1200）的器件电极。其中，第三电极1600和金属电极1206位于发光器件相背的两侧。
如图31所示，图案化第三导电层1700形成扩展电极1701，扩展电极1701连接第三电极1600。
本实施例中，在扩展电极1701形成之前，预先形成平坦层1500，平坦层1500提供平整表面可提高后续扩展电极和器件电极之间的连接稳定性，进而提高后续光电检测的稳定性。另外，平坦层1500采用吸光材料，还可以改善微LED芯片结构后续应用到电子装置中的光串扰，改善光串扰。
需要说明的是，在本发明其他实施例中，第一微LED芯片结构转移至第二衬底的结合单元之后，也可以直接在第二衬底上形成第三电极以及连接第三电极的扩展电极，即，省略平坦层。
本实施例中，由于第二间距W4大于第一间距W1，其为扩展电极1701的制作提供了更加充裕的空间。
如图32至图34所示，垂直结构的第一微LED芯片结构P1的封装过程还包括形成背侧电极1800。
具体包括：减薄第二衬底1300远离第一微LED芯片结构P1一侧的表面，形成薄化第二衬底1301；在薄化第二衬底1301一侧的表面上形成背侧电极1800，背侧电极1800例如金属电极。
如图23和图34所示，经切割，形成多个独立的微LED芯片1000。微LED芯片1000中，扩展电极1701和背侧电极1800可直接用于与外部器件电性连接。
如图35至图37所示，本发明另一实施例中还提供一种微LED芯片1000’，其与微LED芯片1000的区别在于，微LED芯片1000’中背侧电极1801的形成方式不同。
具体包括：蚀刻第二衬底1300远离第一微LED芯片结构P1一侧的表面，形成多个凹槽1302，每个凹槽1302与每个第一微LED芯片结构P1相对；提供掩膜版，掩膜版的开口对应于凹槽1302，蒸镀背侧电极1801于对应的凹槽1302中，背侧电极1801例如金属电极。
经切割，形成多个独立的微LED芯片1000’。微LED芯片1000’中，扩展电极1701和背侧电极1800可直接用于与外部器件电性连接。
如图38所示，本发明还另提供一种微LED单元2000，其包括依序层叠设置的衬底（未图示）、结合单元2400、微LED芯片结构单元以及扩展电极，其中，微LED芯片结构单元包括第一微LED芯片结构2010、第二微LED芯片结构2020和第三微LED芯片结构2030；扩展电极包括第一扩展电极2011、第二扩展电极2021和第三扩展电极2031，第一、第二、第三扩展电极2011、2021、2031分别连接第一微LED芯片结构2010、第二微LED芯片结构202以及第三微LED芯片结构203的第三电极。
本实施例中，第一扩展电极2011和第三扩展电极2031位于微LED芯片结构单元的同一侧，第二扩展电极2021位于微LED芯片结构单元的相对的另一侧，即，第一扩展电极2011的延伸方向和第三扩展电极2031的延伸方向相同，且第二扩展电极2021的延伸方向与第一扩展电极2011的延伸方向（或者第三扩展电极2031的延伸方向）相反。
微LED单元2000中第一、第二、第三扩展电极2011、2021、2031的排列方式有助于为后续电极引线的排布提供更加充裕的空间，避免电极引线经过微LED芯片结构的发光区域。
在本发明其他实施例中，第一扩展电极和第三扩展电极可以被共用扩展电极替换，第一微LED芯片结构和第三微LED芯片结构的第三电极分别连接共用扩展电极。此外，相邻的两个微LED单元中，两个第二扩展电极也可以被另一共用电极替换。
进一步，若第一微LED芯片结构2010、第二微LED芯片结构2020以及第三微LED芯片结构2030均为蓝光微LED芯片结构时，使用图1中所示的封装方法封装微LED单元2000的过程中，第一微LED芯片结构2010、第二微LED芯片结构2020以及第三微LED芯片结构2030可以是一次转移至第二衬底上。
若第一微LED芯片结构2010、第二微LED芯片结构2020以及第三微LED芯片结构2030分别为颜色不同的微LED芯片结构时，使用图1中所示的封装方法封装微LED单元2000的过程中，第一微LED芯片结构2010、第二微LED芯片结构2020以及第三微LED芯片结构2030分别经转移步骤转移至第二衬底上，即，经过3次转移过程，可将第一微LED芯片结构2010、第二微LED芯片结构2020、第三微LED芯片结构2030各自转移到第二衬底上。
换言之，图1中所示的激光照射第一衬底，转移若干微LED芯片结构至结合层远离第二衬底一侧的表面，结合单元上任意相邻的微LED芯片结构之间间隔第二间距，第二间距大于第一间距的步骤还包括：
当若干微LED芯片结构均为蓝光微LED时，划分若干微LED芯片结构形成多个微LED单元；
激光照射第一衬底，转移多个微LED单元至结合层远离第二衬底一侧的表面，结合单元上任意相邻的微LED单元之间间隔第二间距，第二间距大于第一间距。
此外，结合单元2400上还可以设置平坦层，以使第一、第二、第三扩展电极2011、2021、2031分别形成于平坦层上，藉由平坦层的平整表面使得第一、第二、第三扩展电极2011、2021、2031和器件电极（或者第三电极）之间连接稳定。
如图39所示，本发明还提供另一微LED单元2000’，其与微LED单元2000的区别在于，微LED单元2000’中第一、第二、第三扩展电极2011、2021、2031排列于微LED芯片结构单元的同一侧。
另外，本发明其他实施例中微LED单元2000、2000’中也可设置吸光型挡墙结构，例如黑色树脂挡墙结构，其围绕每个微LED芯片结构的外侧设置，用于避免相邻的微LED芯片结构之间的光串扰问题，提高照明、显示效果。
本发明还提供一种电子装置，其包括上述微LED芯片100、100’、100’’、1000、1000’中至少一种。
在一较佳的实施方式中，电子装置为照明装置或者显示装置。
在一较佳的实施方式中，电子装置包括若干微LED单元和挡墙结构，若干微LED单元由微LED芯片100、100’、100’’、1000、1000’中至少一种阵列排布后形成，挡墙结构围绕于每个微LED单元设置，或者，挡墙结构围绕每个微LED单元的每个微LED芯片结构设置。
综上，本发明提供了一种微LED芯片、电子装置及封装方法，通过转移技术将晶圆片上的待封装的微LED芯片结构转移至第二衬底上，且控制第二衬底上任意相邻的微LED芯片结构之间的间距扩大至满足后续扩展电极、电极走线所需的空间，降低封装难度以及光电测试中探针和扩展电极之间的测试稳定性。
本发明已由上述相关实施例加以描述，然而上述实施例仅为实施本发明的范例。此外，上面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。必需指出的是，本发明还可有其他多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
Claims (22)
1.一种封装方法，适用于微LED芯片封装，其特征在于，所述封装方法包括：
提供第一衬底，所述第一衬底上设有若干微LED芯片结构，任意相邻的微LED芯片结构之间间隔第一间距；
提供第二衬底，所述第二衬底一侧的表面上设有结合层；
键合若干微LED芯片结构和所述结合层；
激光照射第一衬底，转移若干微LED芯片结构至所述结合层远离所述第二衬底一侧的表面，所述结合层上的任意相邻的微LED芯片结构之间间隔第二间距，且所述第二间距大于所述第一间距；以及
于所述第二衬底上形成扩展电极，所述扩展电极连接于所述微LED芯片结构的器件电极。
2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述结合层整面设置于所述第二衬底一侧的表面；或者，所述结合层包括若干结合单元，任意相邻的结合单元之间间隔所述第二间距。
3.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述结合层为选自环氧树脂黏胶、聚酰亚胺黏胶或者苯并环丁烯黏胶。
4.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，激光照射第一衬底，转移若干微LED芯片至所述结合层远离所述第二衬底一侧的表面的步骤包括：
若干微LED芯片结构包括多个第一微LED芯片结构；
激光照射所述第一衬底上每个第一微LED芯片结构，分离每个第一微LED芯片结构和所述第一衬底，每个第一微LED芯片结构转移至所述第二衬底的所述结合层上，任意相邻的第一微LED芯片结构之间间隔所述第二间距。
5.根据权利要求4所述的封装方法，其特征在于，于所述第二衬底上形成扩展电极的步骤包括：
形成平坦层覆盖所述结合层远离所述第二衬底一侧的表面上每个第一微LED芯片结构；
图案化所述平坦层，以使每个第一微LED芯片结构的器件电极和发光区域露出；
形成第一导电层于所述平坦层远离所述结合层的一侧，所述第一导电层覆盖每个第一微LED芯片结构的器件电极；以及
图案化所述第一导电层，形成多个扩展电极，每个扩展电极连接于对应的每个第一微LED芯片结构的器件电极。
6.根据权利要求5所述的封装方法，其特征在于，图案化所述平坦层，以使每个第一微LED芯片结构的器件电极露出的步骤包括：
减薄所述平坦层远离所述结合层的一侧，以使每个第一微LED芯片结构的器件电极和发光区域露出；或者，蚀刻所述平坦层，形成多个开口，每个第一微LED芯片结构的器件电极和发光区域与对应的开口相对。
7.根据权利要求6所述的封装方法，其特征在于，每一第一微LED芯片结构的器件电极包括第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极位于所述第二衬底的同一侧；所述发光区域位于所述第一电极和所述第二电极之间；每一扩展电极包括第一扩展电极和第二扩展电极，所述第一电极连接所述第一扩展电极，所述第二电极连接于所述第二扩展电极。
8.根据权利要求7所述的封装方法，其特征在于，还包括：
形成反射层于所述发光区域的出光面上，所述出光面远离所述第二衬底且平行于所述第二衬底。
9.根据权利要求5所述的封装方法，其特征在于，每一第一微LED芯片结构的器件电极包括第三电极和背侧电极，所述第三电极和所述背侧电极分别为位于所述第二衬底的相背的两侧；所述第三电极连接所述扩展电极；其中，于所述第二衬底上形成扩展电极的步骤还包括：
图案化所述平坦层形成多个开口，所述每一第一微LED芯片结构自对应的开口露出；
形成第三电极于对应的开口中，每个第三电极连接每个第一微LED芯片结构。
10.根据权利要求9所述的封装方法，其特征在于，所述封装方法还包括：
减薄所述第二衬底远离所述结合层的一侧；
形成第三导电层于减薄后的所述第二衬底远离所述结合层的一侧；以及
图案化所述第三导电层，形成多个所述背侧电极，每个背侧电极连接第一微LED芯片结构。
11.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，激光照射所述第一衬底，转移若干微LED芯片至所述结合层远离所述第二衬底一侧的表面的步骤包括：
当若干微LED芯片结构均为蓝光微LED时，划分若干微LED芯片结构形成多个微LED单元；
激光照射所述第一衬底，转移多个微LED单元至结合层远离第二衬底一侧的表面，所述结合层上任意相邻的微LED单元之间间隔第二间距，第二间距大于第一间距。
12.一种微LED芯片，其特征在于，所述微LED芯片包括：
衬底；
结合层，所述结合层设置于所述衬底一侧的表面；
发光器件，所述发光器件设置于所述结合层远离所述衬底一侧的表面，所述发光器件包括器件电极；
扩展电极，所述扩展电极连接于所述器件电极。
13.根据权利要求12所述的微LED芯片，其特征在于，所述器件电极包括第一电极和第二电极；所述扩展电极包括第一扩展电极和第二扩展电极；所述第一扩展电极连接所述第一电极，所述第二扩展电极连接所述第二电极；其中，所述第一电极和所述第二电极位于所述衬底的同一侧。
14.根据权利要求13所述的微LED芯片，其特征在于，还包括反射层，所述反射层设置于所述发光器件远离所述衬底一侧的表面，且位于所述第一电极和所述第二电极之间。
15.根据权利要求13所述的微LED芯片，其特征在于，还包括色转换层，所述色转换层设置于所述发光器件远离所述衬底一侧的表面，所述色转换层位于所述第一电极和所述第二电极之间。
16.根据权利要求12所述的微LED芯片，其特征在于，所述微LED芯片还包括：平坦层，所述平坦层设置于所述结合层和扩展电极之间，且所述平坦层围绕所述发光器件的周边设置。
17.根据权利要求16所述的微LED芯片，其特征在于，所述平坦层为选自吸光型平坦层。
18.根据权利要求12所述的微LED芯片，其特征在于，所述器件电极包括第三电极和背侧电极；所述扩展电极连接所述第三电极；其中，所述第三电极和所述背侧电极位于所述衬底的相背的两侧。
19.如权利要求12所述的微LED芯片，其特征在于，所述结合层为选自环氧树脂黏胶、聚酰亚胺黏胶或者苯并环丁烯黏胶。
20.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括如权利要求12-19中任意一项所述的微LED芯片。
21.根据权利要求20所述的电子装置，其特征在于，所述电子装置为照明装置或者显示装置。
22.根据权利要求20所述的电子装置，其特征在于，所述电子装置包括若干微LED单元和挡墙结构，所述挡墙结构围绕于每个微LED单元设置，或者，所述挡墙结构围绕每个微LED单元的每个微LED芯片结构设置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110774892.0A CN113257964B (zh) | 2021-07-09 | 2021-07-09 | 微led芯片及其封装方法、电子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110774892.0A CN113257964B (zh) | 2021-07-09 | 2021-07-09 | 微led芯片及其封装方法、电子装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113257964A true CN113257964A (zh) | 2021-08-13 |
| CN113257964B CN113257964B (zh) | 2021-10-08 |
Family
ID=77191021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110774892.0A Active CN113257964B (zh) | 2021-07-09 | 2021-07-09 | 微led芯片及其封装方法、电子装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113257964B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113764550A (zh) * | 2021-09-07 | 2021-12-07 | 东莞市中麒光电技术有限公司 | 一种防止led芯片损伤的转移方法 |
| CN116314492A (zh) * | 2023-05-25 | 2023-06-23 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种全彩化Micro LED器件及其制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109390263A (zh) * | 2017-08-07 | 2019-02-26 | 财团法人工业技术研究院 | 元件扩距转移方法及实施此转移方法的设备 |
| CN111613699A (zh) * | 2020-05-25 | 2020-09-01 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 微型发光二极管及其制作方法 |
| WO2021006385A1 (ko) * | 2019-07-09 | 2021-01-14 | 엘지전자 주식회사 | 마이크로 led를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
| CN112582520A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-03-30 | 苏州芯聚半导体有限公司 | 微发光二极管转移方法及显示面板 |
-
2021
- 2021-07-09 CN CN202110774892.0A patent/CN113257964B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109390263A (zh) * | 2017-08-07 | 2019-02-26 | 财团法人工业技术研究院 | 元件扩距转移方法及实施此转移方法的设备 |
| WO2021006385A1 (ko) * | 2019-07-09 | 2021-01-14 | 엘지전자 주식회사 | 마이크로 led를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
| CN111613699A (zh) * | 2020-05-25 | 2020-09-01 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 微型发光二极管及其制作方法 |
| CN112582520A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-03-30 | 苏州芯聚半导体有限公司 | 微发光二极管转移方法及显示面板 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113764550A (zh) * | 2021-09-07 | 2021-12-07 | 东莞市中麒光电技术有限公司 | 一种防止led芯片损伤的转移方法 |
| CN116314492A (zh) * | 2023-05-25 | 2023-06-23 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种全彩化Micro LED器件及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113257964B (zh) | 2021-10-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI422044B (zh) | 封裝發光裝置之晶片尺度方法及經晶片尺度封裝之發光裝置 | |
| CN109075184B (zh) | 发光二极管 | |
| US9502627B2 (en) | Wafer level photonic devices dies structure and method of making the same | |
| US7683539B2 (en) | Light emitting device package and method for manufacturing the same | |
| US7741772B2 (en) | White LED package structure having a silicon substrate and method of making the same | |
| CN110854251B (zh) | 发光二极管 | |
| CN110676286B (zh) | 发光元件以及发光二极管 | |
| US7855425B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| CN113257964B (zh) | 微led芯片及其封装方法、电子装置 | |
| US20100001305A1 (en) | Semiconductor devices and fabrication methods thereof | |
| CN213845301U (zh) | 显示用发光元件以及具有该显示用发光元件的单元像素 | |
| CN112582515B (zh) | 发光二极管及制作方法 | |
| US8975102B2 (en) | Method for producing an optoelectronic device with wireless contacting | |
| KR20190001229A (ko) | 엘이디 패널 | |
| CN110021691B (zh) | 一种半导体发光器件 | |
| TW201032349A (en) | Light-emitting diode chip, and manufacturing method and packaging method therefor | |
| JP6756346B2 (ja) | 発光モジュールの製造方法 | |
| US10553640B2 (en) | Electrodeless light-emitting diode display and method for fabricating the same | |
| KR102100752B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 이의 제조방법 | |
| JP4617846B2 (ja) | 半導体発光装置、その製造方法、及び画像表示装置の製造方法 | |
| CN102024897A (zh) | 发光二极管的晶圆级封装结构及其制造方法 | |
| KR102325808B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 이의 제조방법 | |
| US20210376212A1 (en) | Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same | |
| CN113284991A (zh) | 微led芯片及其封装方法、电子装置 | |
| CN113451147A (zh) | 集成半导体装置的制备方法和集成半导体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract |
Application publication date: 20210813 Assignee: Suzhou ronghua Leasing Co.,Ltd. Assignor: Suzhou xinju Semiconductor Co.,Ltd. Contract record no.: X2021320010047 Denomination of invention: Micro LED chip and its packaging method and electronic device Granted publication date: 20211008 License type: Exclusive License Record date: 20211123 |
|
| EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: Micro LED chip and its packaging method and electronic device Effective date of registration: 20211123 Granted publication date: 20211008 Pledgee: Suzhou ronghua Leasing Co.,Ltd. Pledgor: Suzhou xinju Semiconductor Co.,Ltd. Registration number: Y2021320010490 |
|
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| EC01 | Cancellation of recordation of patent licensing contract |
Assignee: Suzhou ronghua Leasing Co.,Ltd. Assignor: Suzhou xinju Semiconductor Co.,Ltd. Contract record no.: X2021320010047 Date of cancellation: 20240105 |
|
| EC01 | Cancellation of recordation of patent licensing contract | ||
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right |
Granted publication date: 20211008 Pledgee: Suzhou ronghua Leasing Co.,Ltd. Pledgor: Suzhou xinju Semiconductor Co.,Ltd. Registration number: Y2021320010490 |
|
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right |