CN1175128C - 金属化合物溶液以及用其制备薄膜的方法 - Google Patents

金属化合物溶液以及用其制备薄膜的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1175128C
CN1175128C CNB011040424A CN01104042A CN1175128C CN 1175128 C CN1175128 C CN 1175128C CN B011040424 A CNB011040424 A CN B011040424A CN 01104042 A CN01104042 A CN 01104042A CN 1175128 C CN1175128 C CN 1175128C
Authority
CN
China
Prior art keywords
lead
compound
film
metal compound
cvd
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB011040424A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1309192A (zh
Inventor
小野泽和久
树
山田直树
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Adeka Corp
Original Assignee
ASAHI ELECTRO-CHEMICAL Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASAHI ELECTRO-CHEMICAL Co filed Critical ASAHI ELECTRO-CHEMICAL Co
Publication of CN1309192A publication Critical patent/CN1309192A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1175128C publication Critical patent/CN1175128C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/409—Oxides of the type ABO3 with A representing alkali, alkaline earth metal or lead and B representing a refractory metal, nickel, scandium or a lanthanide

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

本发明涉及一种将化学式(I)所表示的金属化合物溶于化学式(II)所表示的环己烷化合物中所形成的金属化合物溶液：I式中，R1、R2和R3中的每一个代表具有1～8个碳原子的、卤素取代或未取代的烷基基团，而且在其主链上可能含有一个氧原子；R4代表具有2～18个碳原子的直链或支链的亚烷基；M代表铅原子、钛原子或锆原子；当M是铅原子时，l、m和n分别为0、2和0；当M是钛原子或锆原子时，n为0或1，而l和m各自为满足下列等式的、0至4之间的一个整数：l+m+2n＝4；II式中，R5为氢原子或具有1～4个碳原子的烷基基团；p为1或2。

Description

金属化合物溶液以及用其制备薄膜的方法
本发明涉及一种金属化合物溶液和用该溶液制备薄膜的方法。更具体地讲，本发明涉及一种含有特定有机溶剂的、可以用作化学气相淀积原料的金属化合物溶液，以及用该溶液制备钛酸铅系薄膜的方法。
在半导体、电子器件、光学材料等应用场合下，希望有一种具有受控组成和结构的复合金属氧化物薄膜。尤其是钛酸铅系的复合氧化物如钛酸铅(PT)、钛酸锆酸铅(PZT)及添加镧的钛酸锆酸铅(PLZT)等，具有一些特异的电气特性，如较大的比介电常数和铁电性，因而已被用于电子设备中，如高介电和/或铁电性的记忆设备中。
制备复合金属氧化物薄膜的方法包括溅射法、离子镀法、热解涂覆法等。其中，化学气相淀积法(以后简称“CVD”)易于控制组成和具有良好的分步覆盖性以及对半导体生产工艺的适应性，因此被作为制备薄膜最适用的技术。
适用于上述CVD的原料是那些能够提供金属元素而在气相中构成所需的金属氧化物的化合物，即能够稳定挥发的金属化合物。通常所用的金属化合物包括烷基化合物、醇盐化合物以及与β-二酮化合物的络合物。由于金属化合物是高熔点的固体，因而人们提出用溶液CVD技术来保证输送大量的金属源，在该技术中采用金属化合物于有机溶剂中的溶液。
在用CVD法制备钛酸铅系薄膜时采用溶液CVD法，因为在大多数情况下使用铅化合物与β-二酮化合物的固体络合物。
上述溶液CVD法中所用的有机溶剂包括那些对于金属化合物溶解度大而且有稳定作用的极性溶剂，如四氢呋喃、乙酸丁酯和聚乙二醇二甲醚。例如在日本特许公开平7-76778和平10-298762中，公开了采用四氢呋喃溶液的溶液CVD法制备钛酸铅系薄膜。然而，与其他的金属化合物不同，铅化合物与β-二酮化合物的络合物在极性溶剂如四氢呋喃中形成白浊或沉淀，给薄膜的制备带来了麻烦。为了解决这一问题，Jpn.Appl.Phys.第38卷第一分册第9B号的5326～5330页(1999)中，报道了采用烃溶剂如辛烷以溶液CVD法制备钛酸铅薄膜。尽管这些有机溶剂没有形成白浊或沉淀，但其对于金属化合物的溶解度较小，温度变化或者溶剂的部分挥发或者溶液浓度的变化，都易引起溶解的固体材料产生沉淀，不能保证使用的稳定性。
本发明的目的就是提供一种稳定的且浓度适于溶液CVD法的金属化合物溶液、含有该溶液的CVD法原料以及采用所述原料制备薄膜的方法。
在进行了大量的研究后，本发明的发明者发现，采用某类能够充分溶解金属化合物并提供稳定的CVD法原料的环己烷化合物，可以实现上述目的。
本发明就是基于上述的发现。本发明涉及一种将化学式(I)所表示的金属化合物溶于化学式(II)所表示的环己烷化合物中所形成的金属化合物溶液、含有该溶液的CVD法原料以及使用该原料制备薄膜的方法。
Figure C0110404200041
式中，R1、R2和R3中的每一个代表具有1～8个碳原子的、卤素取代或未取代的烷基基团，而且在其主链上可能含有一个氧原子；R4代表具有2～18个碳原子的直链或支链的亚烷基；M代表铅原子、钛原子或锆原子；当M是铅原子时，l、m和n分别为0、2和0；当M是钛原子或锆原子时，n为0或1，而l和m各自为满足下列等式的、0至4之间的一个整数：l+m+2n＝4；
式中，R5为氢原子或具有1～4个碳原子的烷基基团；p为1或2。
本发明提供了一种稳定的且浓度适于溶液CVD法的金属化合物溶液、含有该溶液的CVD原料以及使用该CVD原料制备薄膜的方法。
下面，参照附图对本发明进行更具体地说明。其中，
图1是根据本发明制备钛酸铅系薄膜时所用的CVD装置实例的示意图；
图2是根据本发明制备钛酸铅系薄膜时所用的CVD装置另一实例的示意图。
化学式(I)所表示的金属化合物已经用作或将要用作CVD法原料。在化学式(I)中，R1、R2和R3所表示的、具有1～8个碳原子且在其主链上可能含一个氧原子的、卤素取代或未取代的烷基基团包括：甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、叔戊基、己基、1-乙基戊基、环乙基、1-甲基环乙基、庚基、异庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、叔辛基、2-乙基己基、三氟代甲基、全氟代己基、2-甲氧基乙基、2-乙氧基乙基、2-丁氧基乙基、2-(2-甲氧基乙氧基)乙基、1-甲氧基-1，1-二甲基甲基、2-甲氧基-1，1-二甲基乙基、2-乙氧基-1，1-二甲基乙基、2-异丙氧基-1，1-二甲基乙基、2-丁氧基-1，1-二甲基乙基以及2-(2-甲氧基乙氧基)-1，1-二甲基乙基。R4所表示的、具有2～18个碳原子的、直链或支链亚烷基包括来自如下二元醇的残基：1，2-乙二醇、1，2-丙二醇、1，3-丙二醇、2.4-己二醇、2，2-二甲基-1，3-丙二醇、2，2-二乙基-1，3-丙二醇、2，2-二乙基-1，3-丁二醇、2-乙基-2-丁基-1，3-丙二醇、2，4-戊二醇、2-甲基-1，3-丙二醇以及1-甲基-2，4-戊二醇。特别优选那些能与金属原子M或其烷基衍生物一起构成六员环的二元醇残基，因其可以稳定化合物(I)。
上述化学式(I)中，当M为铅原子时，铅化合物为与β-二酮化合物形成的络合物。这类铅化合物的具体实例是烷基取代的β-二酮类络合物(alkyl-substituted β-diketonato complexes)，如双(乙酰丙酮)铅、双(己烷-2，4-二酮)铅、双(5-甲基己烷-2，4-二酮)铅、双(庚烷-2，4-二酮)铅、双(2-甲基庚烷-3，5-二酮)铅、双(5-甲基庚烷-2，4-二酮)铅、双(6-甲基庚烷-2，4-二酮)铅、双(2，2-二甲基庚烷-3，5-二酮)铅、双(2，2，6-三甲基庚烷-3，5-二酮)铅、双(2，2，6，6-四甲基庚烷-3，5-二酮)铅、双(辛烷-2，4-二酮)铅、双(2，2，6-三甲基辛烷-3，5-二酮)铅、双(2，6-二甲基辛烷-3，5-二酮)铅、双(2-甲基-6-乙基癸烷-3，5-二酮)铅和双(2，2-二甲基-6-乙基癸烷-3，5-二酮)铅；氟取代的烷基β-二酮络合物，如双(1，1，1-三氟戊烷-2，4-二酮)铅、双(1，1，1-三氟-5，5-二甲基己烷-2，4-二酮)铅、双(1，1，1，5，5，5-六氟代戊烷-2，4-二酮)铅和双(1，3-二全氟代己基丙烷-1，3-二酮)铅；以及醚取代的β-二酮络合物，如双(1，1，5，5-四甲基-1-甲氧基己烷-2，4-二酮)铅、双(2，2，6，6-四甲基-1-甲氧基庚烷-3，5-二酮)铅和双(2，2，6，6-四甲基-1-(2-甲氧基乙氧基)庚烷-3，5-二酮)铅。
上述化学式(I)中M为钛原子时，钛化合物为与β-二酮化合物和/或二元醇化合物和/或醇类化合物形成的化合物。优选那些m为2的化合物，因其具有化学稳定性。而下述化合物1～10则是更优选的用于溶液CVD法的原料。
Figure C0110404200071
上述化学式(I)中M为锆原子时，锆化合物为与β-二酮化合物和/或二元醇化合物和/醇类化合物形成的化合物。优选那些m为2或4的化合物，因其具有化学稳定性，而下述的化合物11～22则是更优选的用于溶液CVD法中的原料。
在本发明中，上述化学式(I)所表示的金属化合物，包括上面所列举的、具体的铅、钛或锆的化合物，可以用已知的一般方法，从金属盐或金属的低级醇盐与配位化合物制得，所说的配位化合物例如为β-二酮化合物、二元醇化合物或醇类化合物。例如，通过氯化铅、硝酸铅、醋酸铅或一氧化铅与β-二酮或β-二酮钠的反应，可以容易地制得铅化合物。钛或锆的化合物可以通过相应金属的四氯化物或低级醇盐与配位化合物的反应，较为容易地制得。
在本发明中，化学式(II)所表示的、可用作溶剂的环己烷化合物中，R5所代表的具有1～4个碳原子的烷基包括甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、仲丁基和叔丁基。所说的环己烷化合物的实例有：环己烷、甲基环己烷、乙基环己烷、丙基环己烷、异丙基环己烷、丁基环己烷、仲丁基环己烷、异丁基环己烷、叔丁基环己烷、1，2-二甲基环己烷、1，3-二甲基环己烷、1，4-二甲基烷己烷、1，2-二乙基环己烷、1，3-二乙基环己烷、1，4-二丁基环己烷、1-乙基-2-甲基环己烷、1-异丙基-2-甲基环己烷和1-丙基-3-异丁基环己烷。其中，优选环己烷和甲基环己烷，因其容易得到。
上述的环己烷化合物是可以溶解金属化合物的溶剂，从而提供如下面表1～4中所示的适当浓度的、稳定的金属化合物溶液。特别是可以提供具有良好物性的、可用作CVD法原料的铅化合物溶液。
表1铅化合物的溶解度1)(摩尔/升，20℃)
Pb(THD)2 2) Pb(METHD)2 3)
环己烷 ＞0.5 ＞0.5
甲基环己烷 ＞0.5 ＞0.5
异丙醇 ≥0.15，＜0.20 ＞0.5
乙酸丁酯 ＞0.5 ＞0.5
四氢呋喃 ≥0.15，＜0.20 ＞0.5
二甘醇二甲醚 ≥0.15，＜0.20 ＞0.5
辛烷 ≥0.3，＜0.35 ≥0.20，＜0.25
注：1)：溶解度是按浓度间隔0.05摩尔/升表示的(以后相同)；
    2)：双(2，2，6，6-四甲基庚烷-3，5-二酮)铅(以后相同)；
    3)：双(2，2，6，6-四甲基-1-(2-甲氧基乙氧基)庚烷-3，5-二酮)铅(以后相同)。
表2铅化合物的稳定性*(浓度为0.10摩尔/升，放置10天)
Pb(PHD)2 Pb(METHD)2 Pb(FPD)2 **
环己烷 良 良 良
甲基环己烷 良 良 良
异丙醇 差 差 差
乙酸丁酯 差 差 差
四氢呋喃 差 差 差
二甘醇二甲醚 差 差 差
辛烷 良 良 良
注：*：“良”表示溶液保持透明，如同其刚刚制得时一样；
       “差”表示溶液中有沉淀(以后相同)；
    **：双(1，1，1，5，5，5-六氟代戊烷-2，4-二酮)铅
表3钛化合物的溶解度(摩尔/升，20℃)和稳定性
(浓度为0.10摩尔/升，放置10天)
溶剂       化合物1      化合物9
溶解度 稳定性 溶解度 稳定性
环己烷 ＞0.50 良 ＞0.50 良
甲基环己烷 ＞0.50 良 ＞0.50 良
表4锆化合物的溶解度(摩尔/升，20℃)和稳定性
(浓度为0.10摩尔/升，放置10天)
溶剂      化合物14      化合物19     化合物21
溶解度 稳定性 溶解度 稳定性 溶解度 稳定性
环己烷 ＞0.50 良 ＞0.50 良 ＞0.50 良
甲基环己烷 ＞0.50 良 ＞0.50 良 ＞0.50 良
根据本发明，金属化合物溶液和含有该溶液的原料对其浓度没有特别限制。只要该溶液能以稳定的方式供应，可根据CVD原料的输送量、薄膜制造的成膜速率等选择任何适宜的浓度。优选的浓度范围是0.05～0.5摩尔/升。当浓度低于0.05摩尔/升时，金属源的供给不足，导致成膜速率太低；而当浓度大于0.5摩尔/升时，CVD法原料的流动性变差或者易产生沉淀等问题。
在本发明中，钛酸铅系薄膜包括钛酸铅、钛酸锆酸铅和添加镧的钛酸锆酸铅所形成的薄膜，其中，从电气特性和薄膜制造的可控制性角度来看，优选钛酸锆酸铅薄膜。
本发明制备钛酸铅系薄膜所用方法的特征是采用上述金属化合物溶液为原料的化学气相淀积(CVD)法。而原料的供给方法、成膜条件等可采用已知技术。
在制备的薄膜为多组分体系时，原料的供给方法可以是单独输送各种CVD原料、在成膜时再将其混合(以后也称其为“多瓶方法”)，或者是将各组分原料按预定的比例混合，然后输送混合物(以后也叫“单瓶方法”)。
用于形成钛酸铅系薄膜的CVD技术没有特别限制，只要采用一般的CVD装置可以成膜即可，如热CVD法、等离子体CVD法和光CVD法等。
例如，在热CVD法中，首先将原料气化并导入基板上，然后，原料在基板上分解，从而在基板上形成薄膜。为了防止原料在气化过程中分解，原料优选在低于13330帕斯卡的压力下，特别是低于8000帕斯卡的压力下，于分解温度之下进行气化。基板最好预热至CVD原料的分解温度之上，优选350℃以上，更优选450℃以上。如果需要的话，所得到的薄膜可以进行退火处理。
在用CVD法形成薄膜时，有时采用亲核试剂作为金属化合物(金属元素供给源)和/或其溶液的稳定剂。由于本发明的金属化合物溶液具有足够的稳定性，所以这样的稳定剂不总是必需的，但如果需要可以加入下述稳定剂，包括：乙二醇醚，如甘醇二甲醚、二甘醇二甲醚、三甘醇二甲醚和四甘醇二甲醚；冠醚，如18-冠醚-6、二环己基并-18-冠醚-6、24-冠醚-8、二环己基并-24-冠醚-8和二苯并-24-冠醚-8；多胺，如1，2-乙二胺、N，N’-四甲基乙二胺、二亚乙基三胺、三亚乙基四胺、四亚乙基五胺、五亚乙基六胺、1，1，4，7，7-五甲基二亚乙基三胺和1，1，4，7，10，10-六甲基三亚乙基四胺；环状多胺，如サィクラム和サィクレン；以及β-酮酯或β-二酮，如乙酰乙酸甲酯、乙酰乙酸乙酯和乙酰乙酸2-甲氧基乙酯。
稳定剂的使用量为每摩尔金属化合物加入0.1～10摩尔，优选为1～4摩尔。
下面，结合制造例和实施例对本发明进行更详细地说明，但应当理解，本发明不受以下制造例和实施例的任何限制。
制造例
原料的制备：
环己烷和甲基环己烷分别用金属钠丝干燥，然后在氮气气氛中蒸馏提纯，弃掉最初10wt％的馏头和最后10wt％的残余物。在氩气流中将金属化合物溶于如此提纯过的溶剂中，制得下面所述的CVD原料。
(1)铅原料
编号 金属化合物 溶剂 浓度(摩尔/升)
P-1 双(2，2，6，6-四甲基庚烷-3，5-二酮)铅 环己烷 0.15
P-2 双(2，2，6，6-四甲基庚烷-3，5-二酮)铅 甲基环己烷 0.15
P-3 双(2，2，6，6-四甲基庚烷-1-(2-甲氧基乙氧基)庚烷-3，5-二酮)铅 甲基环己烷 0.20
(2)钛原料
编号 金属化合物 溶剂 浓度(摩尔/升)
T-1 化合物1 环己烷 0.15
T-2 化合物1 甲基环己烷 0.15
T-3 化合物9 甲基环己烷 0.20
(3)锆原料
编号 金属化合物 溶剂 浓度(摩尔/升)
Z-1 化合物19 环己烷 0.15
Z-2 化合物21 甲基环己烷 0.15
Z-3 化合物22 甲基环己烷 0.20
实施例1  PZT薄膜的制备(多瓶方法)
在下述的条件下，用图1所示的CVD装置在硅晶片上形成钛酸锆酸铅薄膜。
CVD条件：
CVD原料：P-1，T-1和Z-1
气化室温度：200℃
CVD原料的流率：
P-1：0.11毫升/分钟
T-1：0.05毫升/分钟
Z-1：0.05毫升/分钟
氧气流率：470sccm
反应压力：2700帕斯卡
反应时间：15分钟
基板温度：600℃
所得的薄膜用X-射线衍射仪进行分析，以确认有无钛酸锆酸铅的衍射峰。另外，将该薄膜浸入5％的氢氟酸水溶液中进行剥离；含有该薄膜的剥离液用ICP元素分析仪进行分析，测定膜的组成。所得的结果如下：
X-射线衍射：观察到PZT衍射峰
摩尔组成比：Pb/Ti/Zr＝1.00/0.53/0.47
实施例2  PZT薄膜的制备(多瓶方法)
在下述的条件下，用图1所示的CVD装置在硅晶片上形成钛酸锆酸铅薄膜。
CVD条件：
CVD原料：P-2，T-2和Z-2
气化室温度：200℃
CVD原料的流率
P-2：0.11毫升/分钟
T-2：0.05毫升/分钟
Z-2：0.05毫升/分钟
氧气流率：470sccm
反应压力：2700帕斯卡
反应时间：15分钟
基板温度：600℃
所得的薄膜用X-射线衍射仪进行分析，以确认有无钛酸锆酸铅的衍射峰。另外，将该薄膜浸入5％的氢氟酸水溶液中进行剥离；含有该薄膜的剥离液用ICP元素分析仪进行分析，测定膜的组成。所得的结果如下：
X-射线衍射：观察到PZT衍射峰
摩尔组成比：Pb/Ti/Zr＝1.00/0.51/0.48
实施例3  PZT薄膜的制备(单瓶方法)
在下述的条件下，用图2所示的CVD装置在硅晶片上形成钛酸锆酸铅薄膜。
CVD条件：
CVD原料：P-3、T-3和Z-3按2∶1∶1(体积比)的混合物
气化室温度：200℃
CVD原料的流率：0.15毫升/分钟
氧气流率：400sccm
反应压力：2700帕斯卡
反应时间：15分钟
基板温度：600℃
所得的薄膜用X-射线衍射仪进行分析，以确认有无钛酸锆酸铅的衍射峰。另外，将该薄膜浸入5％的氢氟酸水溶液中进行剥离；含有该薄膜的剥离液用ICP元素分析仪进行分析，测定膜的组成。所得的结果如下：
X-射线衍射：观察到PZT衍射峰
摩尔组成比：Pb/Ti/Zr＝1.00/0.53/0.51

Claims (5)

1、一种将化学式(I)所表示的金属化合物溶于化学式(II)所表示的环己烷化合物中所形成的金属化合物溶液：
式中，R1和R2相互独立地代表具有1～8个碳原子的、卤素取代或未取代的烷基基团，而且在其主链上不含氧原子或含有一个氧原子；
Figure C011040420002C2
式中，R5为氢原子或具有1～4个碳原子的烷基基团；p为1或2。
2、如权利要求1所述的金属化合物溶液，其中，在化学式(II)中R5是氢原子或甲基，p为1。
3、一种含有如权利要求1或2所述的金属化合物溶液的化学气相淀积法所用的原料。
4、一种采用如权利要求3所述的原料制备钛酸铅系薄膜的方法。
5、如权利要求4所述的制备薄膜的方法，其中，所说的钛酸铅系薄膜为钛酸锆酸铅薄膜。
CNB011040424A 2000-02-17 2001-02-16 金属化合物溶液以及用其制备薄膜的方法 Expired - Fee Related CN1175128C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP39204/2000 2000-02-17
JP2000039204A JP2001234343A (ja) 2000-02-17 2000-02-17 金属化合物溶液及びこれを用いた薄膜の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1309192A CN1309192A (zh) 2001-08-22
CN1175128C true CN1175128C (zh) 2004-11-10

Family

ID=18562806

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB011040424A Expired - Fee Related CN1175128C (zh) 2000-02-17 2001-02-16 金属化合物溶液以及用其制备薄膜的方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6547863B2 (zh)
JP (1) JP2001234343A (zh)
KR (1) KR100686431B1 (zh)
CN (1) CN1175128C (zh)
TW (1) TWI228501B (zh)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4472338B2 (ja) * 2001-10-26 2010-06-02 シグマ−アルドリッチ・カンパニー 化学気相成長のための改良された前駆体
JP2003226665A (ja) * 2001-11-27 2003-08-12 Mitsubishi Materials Corp ジルコニウム（ｉｖ）キレート錯体及びその合成方法並びに該錯体を含む溶液原料、該錯体又は該溶液原料を用いて作製された高誘電体薄膜
KR20030060011A (ko) * 2002-01-05 2003-07-12 삼성전자주식회사 헤테로 고리화합물을 포함하는 전구체
KR100700632B1 (ko) * 2002-06-11 2007-03-28 주식회사 메카로닉스 금속을 포함하는 박막의 화학기상증착 또는 원자층증착을위한 다용도 유기금속화합물과 그 제조방법
KR100480501B1 (ko) * 2002-06-19 2005-04-06 학교법인 포항공과대학교 유기금속 화학증착법에 의한 ｐｚｔ 박막의 제조방법
JP4451050B2 (ja) * 2002-07-22 2010-04-14 株式会社豊島製作所 Ｃｖｄ用ジルコニウム原料及びこれを用いたチタン酸ジルコン酸鉛系薄膜の製造方法
US20050147754A1 (en) * 2002-07-22 2005-07-07 Saes Getters S.P.A. Zirconium complex useful in a CVD method and a thin film preparation method using the complex
JP4277515B2 (ja) * 2002-08-08 2009-06-10 三菱マテリアル株式会社 有機ジルコニウム複合物及びその合成方法並びにこれを含む溶液原料、チタン酸ジルコン酸鉛薄膜の成膜方法
KR20070026658A (ko) * 2004-06-10 2007-03-08 미츠비시 마테리알 가부시키가이샤 유기 금속 화학 증착용 용액 원료 및 상기 원료를 사용하여제조된 복합 산화물계 유전체 박막
EP2282409A4 (en) 2008-06-20 2012-01-11 Huawei Tech Co Ltd METHOD, EQUIPMENT AND SYSTEM FOR TRACK ESTIMATION
US20110256314A1 (en) 2009-10-23 2011-10-20 Air Products And Chemicals, Inc. Methods for deposition of group 4 metal containing films
US20130011579A1 (en) * 2010-11-30 2013-01-10 Air Products And Chemicals, Inc. Metal-Enolate Precursors For Depositing Metal-Containing Films
JP5929132B2 (ja) * 2011-11-30 2016-06-01 株式会社リコー 金属酸化物薄膜形成用塗布液、金属酸化物薄膜の製造方法、及び電界効果型トランジスタの製造方法
TW202231643A (zh) * 2020-12-24 2022-08-16 南韓商Ｕｐ化學有限公司 使用上表面改性劑來形成膜的方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0252755A1 (en) * 1986-07-11 1988-01-13 Unvala Limited Chemical vapour deposition
JP3054118B2 (ja) 1992-09-22 2000-06-19 三菱電機株式会社 チタン酸鉛系誘電体薄膜用ｃｖｄ原料およびメモリー用キャパシタ
JPH0776778A (ja) 1993-09-08 1995-03-20 Sharp Corp 強誘電体薄膜の製造方法
KR100418164B1 (ko) * 1995-07-31 2004-03-19 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 고순도 티탄착체 및 그의 제조방법과 티탄산 바륨 스트론튬막 형성용 액체조성물
JP3680542B2 (ja) * 1998-02-09 2005-08-10 三菱マテリアル株式会社 Ｍｏｃｖｄに適した有機チタン化合物
US6117487A (en) * 1998-04-02 2000-09-12 Asahi Denka Kogyo Kabushiki Kaisha Process for forming metal oxide film by means of CVD system

Also Published As

Publication number Publication date
JP2001234343A (ja) 2001-08-31
KR100686431B1 (ko) 2007-02-23
KR20010082649A (ko) 2001-08-30
US20010022148A1 (en) 2001-09-20
CN1309192A (zh) 2001-08-22
TWI228501B (en) 2005-03-01
US6547863B2 (en) 2003-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1175128C (zh) 金属化合物溶液以及用其制备薄膜的方法
CN1176245C (zh) 钌或钌的氧化物薄膜的制备方法
CN1255417C (zh) 钌络合物、其制造方法以及薄膜的制造方法
CN101048853A (zh) 用于膜形成的前驱体和用于形成含钌膜的方法
CN101065349A (zh) 烷氧基化合物、薄膜形成用原料和薄膜的制造方法
CN101050522A (zh) 形成四方氧化锆层的方法及制造具有该层的电容器的方法
CN1914150A (zh) 烷氧基金属化合物、薄膜形成用原料和薄膜的制造方法
CN1415115A (zh) 在原子层沉积过程中使寄生化学气相沉积最小化的装置和原理
CN1495867A (zh) 铋钛硅氧化物，铋钛硅氧化物薄膜，以及薄膜制备方法
TWI795553B (zh) 使用原子層堆積法用薄膜形成用原料之薄膜之製造方法
CN1893081A (zh) 具有纳米复合电介质层的电容器及其制造方法
KR20060110328A (ko) 금속화합물, 박막 형성용 원료 및 박막의 제조방법
CN1482653A (zh) 二氧化铪层用前体及利用该前体生成二氧化铪膜的方法
JP2011080108A (ja) 化学気相成長用原料及びこれを用いたケイ素含有薄膜形成方法
WO2021200219A1 (ja) 亜鉛化合物、薄膜形成用原料、薄膜及びその製造方法
EP3677585A1 (en) Metal alkoxide compound, thin-film-forming raw material, and thin film production method
CN1645569A (zh) 使用具有Si－Si键的含有机Si化合物形成含Si薄膜的方法
CN109154080B (zh) 薄膜形成用原料及薄膜的制造方法
JP4781012B2 (ja) アルコール化合物を配位子とした金属化合物及び薄膜形成用原料並びに薄膜の製造方法
CN1420203A (zh) 薄膜的制造方法及化学气相成长用原料
CN101052615A (zh) 金属化合物、薄膜形成用原料及薄膜的制造方法
CN102272349A (zh) 含金属薄膜的制造方法中的残存水分子除去工艺及清洗溶剂
EP3643700A1 (en) Metal alkoxide compound, thin-film-forming raw material, and method for producing thin film
US11807652B2 (en) Tungsten compound, raw material for thin film formation and method for producing thin film
WO2011080978A1 (ja) ルテニウム錯体混合物、その製造方法、成膜用組成物、ルテニウム含有膜及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C56 Change in the name or address of the patentee

Owner name: CO., LTD. ADEKA

Free format text: FORMER NAME OR ADDRESS: ASAHI DENKA KOGYO K. K.

CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Tokyo, Japan

Patentee after: Asahi Denka Co., Ltd.

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: Asahi Electro-chemical Co.

C19 Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee